CN115919143A - 加热控制方法、烹饪装置及计算机可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种烹饪装置的加热控制方法，烹饪装置以及计算机可读存储介质。烹饪装置用于对烹饪器具进行加热，烹饪器具的底部设置有导磁层，该方法包括：以第一功率进行加热，获取烹饪器具中液体的第一温度；其中，烹饪器具中液体的温度基于导磁层的温度确定；以第二功率进行加热；其中，第二功率大于第一功率；以第三功率进行加热，获取液体的第二温度；其中，第三功率小于第二功率；根据第一温度和第二温度，确定液体的质量；根据液体的第二温度和液体的质量，确定加热策略。通过上述方法，可以实现定温加热，防止加热过程中液体沸腾溢出或出现干烧现象。

Description

加热控制方法、烹饪装置及计算机可读存储介质

技术领域

本申请涉及烹饪器具领域，主要涉及一种烹饪装置的加热控制方法，一种烹饪装置以及一种计算机可读存储介质。

背景技术

随着科学技术的发展，烹饪装置越来越多的采用电磁烹饪的方法。在相关技术中，为了防止烹饪物的溢出或者烹饪装置出现干烧现象，往往会采取安装感应器的方法，例如位置感应器或者红外线温度感应器等。但是这些感应器往往会因为外界因素的影响不能准确的得到测量结果，从而使得控制器出现控制错误。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种烹饪装置的加热控制方法、烹饪装置以及计算机可读存储介质，可以防止烹饪过程中温度失控。

为了解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是：提供一种烹饪装置的加热控制方法。其中，该烹饪装置用于对烹饪器具进行加热，烹饪器具的底部设置有导磁层，该控制方法包括：以第一功率进行加热，获取烹饪器具中液体的第一温度；其中，烹饪器具中液体的温度基于导磁层的温度确定；以第二功率进行加热；其中，第二功率大于第一功率；以第三功率进行加热，获取液体的第二温度；其中，第三功率小于第二功率；根据第一温度和第二温度，确定液体的质量；根据液体的第二温度和液体的质量，确定加热策略。

其中，以第一功率进行加热，获取烹饪器具中液体的第一温度，包括：以第一功率进行加热，获取导磁层的温度；根据导磁层的温度、以及预先确定的导磁层温度与液体温度的对应关系，确定烹饪器具中液体的第一温度。

其中，以第一功率进行加热，获取导磁层的温度，包括：以第一功率进行加热第一设定时长，在第一设定时长中，每隔预设单位时长获取一次导磁层的温度。

其中，导磁层温度与液体温度的对应关系包括线性关系。

其中，根据第一温度和第二温度，确定液体的质量，包括：获取以第二功率进行加热的第二设定时长；根据第一温度、第二温度和第二设定时长，确定液体的质量。

其中，确定液体的质量包括采用以下公式：

其中，η为能量转换效率，P为第二功率，t为第二设定时长，C为液体的比热容，T₁为第一温度，T₂为第二温度。

其中，根据液体的第二温度和液体的质量，确定加热策略，包括：获取目标温度；根据液体的第二温度、液体的质量、目标温度和第四功率，确定预估加热时长；其中，第四功率大于第三功率；以第四功率进行加热预估加热时长。

其中，以第四功率进行加热预估加热时长后，还包括：获取烹饪器具中液体的第三温度；在第三温度满足目标温度的要求时，停止加热。

为了解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是：提供一种烹饪装置。该烹饪装置包括：加热单元，用于对烹饪器具进行加热；其中，烹饪器具的底部设置有导磁层；温度检测单元，用于获取导磁层的温度；控制单元，连接加热单元和温度检测单元，用于执行第一个技术方案中的加热控制方法以进行加热控制。

其中，加热单元包括第一线圈；温度检测单元包括：第二线圈，对应第一线圈的中心设置，用于感应导磁层的导磁率的变化；第三线圈，第三线圈的同名端连接第二线圈的同名端，第二线圈的非同名端和第三线圈的非同名端连接控制单元；第四线圈，第四线圈的两端连接控制单元；其中，第三线圈和第四线圈套设于第一线圈的引出线上；控制单元用于获取第二线圈的非同名端和第三线圈的非同名端之间的第一电压、以及第四线圈两端的第二电压，根据第一电压和第二电压确定所述导磁层的温度。

其中，烹饪装置还包括烹饪器具，烹饪器具包括：容器体，包括容器壁和容器底；导磁层，设置于容器底的内侧或者外侧。

其中，导磁层设置于容器底的内侧，导磁层远离容器底的一侧还设置有陶瓷层。

其中，容器底为玻璃。

为了解决上述技术问题，本申请采用的第三个技术方案是：提供一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质中存储有程序数据，该程序数据在被处理器执行时，用于实现第一个技术方案中的烹饪装置的加热控制方法。

本申请的有益效果是：通过多次加热的方式，获取烹饪器具中液体的质量和温度，以根据其制定下一步的加热策略，从而防止出现液体沸腾溢出或出现干烧等温度失控现象。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本申请提供的烹饪装置一实施例的结构示意图；

图2是本申请提供的烹饪装置一实施例的电路结构示意图；

图3是本申请提供的烹饪器具的一实施例的结构示意图；

图4是本申请提供的烹饪器具的又一实施例的结构示意图；

图5是本申请提供的烹饪器具的又一实施例的结构示意图；

图6是本申请提供的烹饪器具的又一实施例的结构示意图；

图7是本申请提供的烹饪器具的又一实施例的结构示意图；

图8是本申请提供的烹饪装置的加热控制方法一实施例的流程示意图；

图9是本申请提供的烹饪装置的加热控制方法一实施例中S11一实施例的流程示意图；

图10是本申请提供的烹饪装置的加热控制方法一实施例中S14一实施例的流程示意图；

图11是本申请提供的烹饪装置的加热控制方法一实施例中S15一实施例的流程示意图；

图12是本申请提供的烹饪专职的加热控制方法应用于一实际场景时烹饪装置的加热功率在时间上变化过程的示意图；

图13是本申请提供的计算机可读存储介质一实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

参阅图1，图1是本申请提供的烹饪装置一实施例的结构示意图。该烹饪装置100包括加热单元10、温度检测单元20和控制单元30。

其中，加热单元10用于对烹饪器具进行加热。

温度检测单元20用于获取烹饪器具的温度。

控制单元30连接加热单元10和温度检测单元20，用于实现下述实施例提供的方法。

具体地，参阅图2，图2是本申请提供的烹饪装置一实施例的电路结构示意图。其中，上述的加热单元10包括第一线圈L1。

此外，第一线圈L1的两端与电容C2连接，通过这种方式使第一线圈L1产生谐振。另外，第一线圈L1的第一引出线与控制单元的引脚Va连接，第一线圈L1的第二引出线与控制单元30的引脚Vb连接，第一线圈L1的第二引出线与晶体管Q1的集电极C连接，晶体管Q1的基极B与控制单元30连接，以接收控制单元30的控制，使晶体管Q1导通或截止。晶体管Q1的发射极E与电阻R1的一端、电容C3以及控制单元连接。电容C3的另一端接地。

进一步，烹饪装置还包括整流器D1，电源线L和N与整流器D1连接。电源线L连接二极管D3的一端，电源线N连接二极管D4的一端，二极管D3和二极管D4的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C4的一端以及控制单元30。电容C4的另一端接地。电阻R1的另一端连接整流器D1的一输出端，第一线圈L1的第二引出线连接整流器D1的另一输出端。电容C1连接于整流器D1两个输出端之间。

其中，电阻R1和电容C3可以形成一电流采样单元。电阻R2、电阻R3、电容C4、二极管D3和二极管D4可以形成一电压采样单元。

上述的温度检测单元20包括第二线圈L2、第三线圈L3和第四线圈L4。其中，第二线圈L2对应第一线圈L1的中心设置，用于感应烹饪器具40的导磁率的变化。

第三线圈L3的第一端与第二线圈L2的第一端相连，第二线圈L2的第二端和第三线圈L3的第二端连接控制单元30。其中，第三线圈L3的第一端与第二线圈L2的第一端为同名端。

第四线圈L4的两端连接控制单元30。

其中，第三线圈L3和第四线圈L4套设于第一线圈L1的引出线上。

控制单元30用于获取第二线圈L2的第二端和第三线圈L3的第二端之间的第一电压、以及第四线圈L4两端的第二电压，根据第一电压和第二电压确定烹饪器具的温度。

可以理解，该烹饪装置100可以与相应的烹饪器具40配合，以对烹饪器具40中的食物进行加热。如，煮粥、熬绿豆汤以及烧水等一系列烹饪。

参阅图3-图7，对本申请中涉及到的烹饪器具40进行介绍：烹饪器具40主要包括容器体41和导磁层42。其中，容器体41包括容器壁411和容器底412。其中，容器底412为玻璃或陶瓷，如高硼硅玻璃、微晶玻璃。在一些实施例中，容器壁411可以是玻璃或陶瓷或者金属。导磁层42能够与第一线圈L1进行电磁感应，产生热量。

如图3所示，导磁层42设置于容器底412外侧，即靠近烹饪装置100一侧。

进一步，考虑到导磁层42在加热过程中温度过高，易对烹饪装置造成损伤，如图4所示，在导磁层42远离容器底412的一侧还设置有隔热层43。隔热层43可以采用隔热材料制作，以对烹饪装置进行保护。

进一步，如图5所示，导磁层42设置于容器底412内侧，可直接与烹饪器具40中的食物接触。

进一步，为了避免导磁层直接与食物进行接触，如图6所示，可在导磁层42远离容器底412的一侧设置陶瓷层44。

进一步，如图7所示，可以将容器壁411和容器底412设置为不同材料。此时，容器底412可以为非金属材料，如，玻璃或陶瓷。容器壁411为金属材料，或容器底412为玻璃，容器壁411为陶瓷。

可以理解，上述图3-图7的容器壁411和容器底412均可以为不同材料。

为了使烹饪器具40与烹饪装置100的接触面配合，通过在烹饪装置100的加热面板上设置凹槽，以将烹饪器具40置于凹槽中进行加热，能够提升加热过程中的可靠性。还可以在烹饪装置100的接触面板上设置凹槽，烹饪器具40容器底412外周缘上设置凸部，将凸部置于凹槽中，以此增加烹饪器具40与加热面板的稳固性。

发明人在长期研究中发现，在烹饪器具加热时，例如电磁加热热水壶在加热水时，有些电磁加热热水壶会采用水位感应器和红外温度感应器，水位感应器和红外温度感应器都连接着控制器，以使得控制器根据水位感应器检测到的水位和红外温度感应器检测到的温度对热水壶内部状况进行判断，从而控制加热底座的工作状态。但是红外温度感应器以及水位感应器很容易被外界因素所影响，例如，水蒸气或者一些污物，造成检测结果的不准确，使得热水壶可能会出现液体沸腾溢出或者干烧现象。并且，感应器一般设置在壶体内部，形成一块凸起，影响使用的便利与美观性。

基于这种情况，本申请提出了以下的实施例，以对烹饪装置进行加热控制，防止出现液体沸腾溢出或烹饪装置出现干烧。

参阅图8，图8是本申请提供的烹饪装置的加热控制方法一实施例的流程示意图。该方法包括：

S11：以第一功率进行加热，获取烹饪器具中液体的第一温度。

其中，液体的第一温度基于导磁层的温度确定，其具体的获取方法参照图9。

在一些实施例中，对烹饪器具进行加热之前，需要检测烹饪器具是否放置于烹饪装置上。具体的，可以在烹饪装置上设置感应器来确定烹饪器具是否放置于烹饪装置上，也可以利用电磁感应的方式来确定烹饪器具是否放置于烹饪装置上。如，可以利用线圈来检测烹饪器具的电磁耦合。具体的，控制烹饪装置在预设时间内加热，如预设时间为1秒。若此时线圈检测到有电磁耦合，则说明烹饪器具放置于烹饪装置上，对烹饪器具进行加热。

如图9所示，图9是本申请提供的烹饪装置的加热控制方法一实施例中S11一实施例的流程示意图。该方法包括：

S111：以第一功率进行加热，获取导磁层的温度。

S112：根据导磁层的温度、以及预先确定的导磁层温度与液体温度的对应关系，确定烹饪器具中液体的第一温度。

在一些实施例中，首先以第一功率加热一段时间，第一功率可在10w-2100w之间选择，加热的时间可以在0.01-300秒之间选择，实际情况下为了节约时间以及测试安全，我们优选100w功率加热10秒。在加热的同时，我们依照上述图2的实施例中描述的方法测量烹饪器具的温度，即烹饪器具中导磁层的温度。读取L2_L3电压及相位、L4电压及相位，计算L2_L3与L4电压相位差，并对二者进行处理(跟随电路，放大电路，比较电路等)，然后以AD的形式送入主控芯片，主控芯片进行解析得到温度数据。

进一步的，我们依次定时读取导磁层的温度，每次的时间间隔可以在0.001-100秒之间，优选为0.5秒。通过多次的测量导磁层的温度所获取的温度数据，我们可以更为准确的得到此时烹饪器具内液体的实际温度。

而在这种功率加热的条件下，导磁层的温度与烹饪器具中液体的温度的对应关系较好，因此在一些实施例中，我们可以设定，导磁层的温度与烹饪器具中液体的温度呈线性关系，如T＝ATa+B，其中，T是液体温度，Ta是导磁层的温度。通过该公式我们可以在这一加热阶段中准确的得到烹饪器具中的液体温度。

在一些实施例中，为了防止忘记添加液体而使得烹饪装置出现干烧的情况，在获取导磁层的温度的过程中，可以通过对导磁层的温度或导磁层的温度增加的速率设定阈值，当达到或超过该阈值时，则判定此时烹饪器具内没有液体或液体很少，停止加热过程以防止出现干烧。并且同时还可设置报警装置以提醒用户添加液体。

在得到初始的液体温度之后，执行步骤S12。

S12：以第二功率进行加热。

在一些实施例中，以第二功率加热一段时间，第二功率可在10w-2100w之间选择，加热的时间可以在0.01-300秒之间选择，实际情况下为了得到一个较好的加热能效以及加热稳定性，我们优选1000w功率加热10秒。经过测试使用该功率以及加热时间时，其在多种情况下，如多次重复加热或多机重复加热时，其加热效率都能稳定在85％左右。该实施例中所设定的第二功率大于第一功率。

在第二功率加热阶段结束后，执行步骤S13。

S13：以第三功率进行加热，获取液体的第二温度。

在一些实施例中，S13的步骤类似S11。以第三功率进行加热一段时间，其功率可选择在10w-2100w之间，其加热时间可选择在0.01-300秒之间，其优选地为100w功率加热10秒。然后通过上述的已设定的线性关系公式，由导磁层的温度得到此时液体的第二温度。该实施例中所设定的第三功率小于第二功率。

S14：根据第一温度和第二温度，确定液体的质量。

通过第二功率加热阶段前后的温度差以及加热时间，通过公式我们可以较为准确计算得出此时液体的质量。

具体的，在一些实施例中，通过优选的第一功率、第二功率、第三功率以及各个加热时间对烹饪装置中的水进行加热，其计算得到的水的质量误差小于百分之五，从而满足精细化烹饪，定温加热的要求。

参阅图10，图10是本申请提供的烹饪装置的加热控制方法一实施例中S14一实施例的流程示意图，该方法包括：

S141：获取以第二功率进行加热的第二设定时长。

S142：根据第一温度、第二温度和第二设定时长，确定液体的质量。

在一实施例中，依照已经获取的第一温度，第二温度以及获取的以第二功率加热的时间，我们采用公式：

其中，η为能量转换效率，P为第二功率，t为第二设定时长，C为液体的比热容，T₁为第一温度，T₂为第二温度。通过该公式，我们可以精确地得出烹饪器具内液体的质量。

S15：根据液体的第二温度和液体的质量，确定加热策略。

在得到烹饪器具内液体的质量后，通过液体此时的温度与所需要的目标温度的温度差，我们指定下一步的加热计划，可以对其加热时间进行控制，以防止其出现温度失控的现象。其具体的一实施方法可以如图11。

如图11所示，图11是本申请提供的烹饪装置的加热控制方法一实施例中S15一实施例的流程示意图，该方法包括：

S151：获取目标温度。

该目标温度为用户需要烹饪器具内烹饪物达到的温度。

S152：根据液体的第二温度、液体的质量、目标温度和第四功率，确定预估加热时长。

在获取到液体的第二温度、所需要达到的目标温度、液体质量以及加热时的第四功率时，依照上述的公式的变形我们可以得到：

其中，η为能量转换效率，P为第四功率，C为液体的比热容，T_X为目标温度，T₂为第二温度，t_x为我们需要的依照第四功率达到目标温度所需要的时间，M为步骤S142中得到的液体质量。

在本实施例中，第四功率同第二功率一样，可在10w-2100w之间选择，加热的时间可以在0.01-300秒之间选择，优选为1000w功率加热10秒，因为此情况下，我们得到的加热效率能稳定在85％左右。可以理解，可以选用数值不同的第四功率，其加热时可以得到稳定的加热效率便于计算即可。

S153：以第四功率进行加热预估加热时长。

S154：确定液体的第三温度是否满足目标温度要求。

S155：停止加热。

依照第四功率和以第四功率为基础得到的预估加热时间，对烹饪器具内的液体进行加热，使其达到目标温度要求。在预估加热时间结束后，以实施例S11一实施例的操作对导磁层温度进行计算，通过公式拟合，从而得到此时的液体温度。在液体温度达到要求后停止加热。

可以理解，在一些实际情况中，由于各种各样的环境因素以及突发事件的影响，例如，在电热水壶以第四功率加热的过程中，中途加水，使得也许在加热完预计的时间后，测得的液体温度并没有达到所需要的目标温度，此时可执行步骤S156。

S156：再次进行加热操作。

再次加热的操作同上述的加热操作类似。通过以第二功率加热前后，以第一功率加热得到的第四温度和以第三功率加热得到的第五温度，结合上第二功率加热的时间计算此时液体的质量，再结合该第五温度与目标温度的差值再次得到预估的加热时间。以该时间再次进行加热以及后续的检测过程。

可以理解的是，该加热操作可以是装置自行判断执行的，也可以是装置在确定液体温度未达到目标温度要求后，提醒用户，由用户的指令做出的操作。

可选的，若在某些情况下，不考虑烹饪器具内液体在加热过程中的挥发质量，则可直接以当前获取的第三温度与目标温度的差值再次计算预估加热时间，再次进行加热以及后续检测。

在一应用场景中，烹饪装置的加热按键按下，先检测加热面板上是否有烹饪器具，若有，则进入下一步加热状态。其检测过程，具体的，可以在烹饪装置上设置感应器来确定烹饪器具是否放置于烹饪装置上，也可以利用电磁感应的方式来确定烹饪器具是否放置于烹饪装置上。如，可以利用线圈来检测烹饪器具的电磁耦合。具体的，控制烹饪装置在预设时间内加热，如预设时间为1秒。若此时线圈检测到有电磁耦合，则说明烹饪器具放置于烹饪装置上，对烹饪器具进行加热。

进入加热状态后，先执行第一阶段，以一特定功率P0，如P0为100W，加热一段时间Ti0，如Ti0为10秒。同时定时读取烹饪器具中导磁层的温度，在该功率下加热，导磁层的温度和水温的对应关系较好，可以通过T＝ATa+B公式拟合得到水温。其中Ta是导磁层的温度，T是水温。在这一加热阶段，能够得到准确的水温Tm0。

其中，读取烹饪器具底部的导磁层的温度步骤具体可以按如下步骤操作：

S1：(以图2中的电路结构为例)读取L2_L3电压及相位、L4电压及相位，计算L2_L3与L4电压相位差，并对二者进行处理(跟随电路，放大电路，比较电路等)，然后以AD的形式送入主控芯片，主控芯片进行解析得到温度数据Tx0。

S2：单位时间到，通过1的方式再次读取温度数据Tx1。

S3：依次定时读取温度值Tx2、Tx3、Txn…。

其中，定时时间在0.001秒到100秒之间，优选定时时间0.5秒。

可以理解的是，可以在该阶段对于导磁层的温度数据或者导磁层温度数据的增加速率设定阈值，在超出阈值时停止后续加热过程。该步骤可防止因水量过少或没有而出现的干烧现象。

该阶段主要是为了获取烹饪器具内所盛装液体的初始温度。

第二阶段，在得到初始水温后，再以功率P1，如P1为1000W，加热一段时间Ti1，如Ti1为10秒。经过多次实验，以该功率P1及加热时间Ti1进行加热，可以使得加热效率保持在一个较为稳定的水平。通过较为稳定的加热效率，可以得到温差，水的质量，加热时间三者之间的相互关系，便于指定后续的加热策略。

这一阶段主要是执行一段时间较短加热效率较为稳定的加热过程，用于后续测量计算。

第三阶段，再以一特定功率P2，如P2为100W，加热一段时间Ti2，如Ti2为10秒。同时定时读取烹饪器具底部导磁层的温度，同样，在该功率下加热时，膜温和水温对应关系较好，也可以通过T＝ATa+B等常规的公式拟合得到水温。其中Ta是膜温，T是水温。在这一加热阶段，能够得到准确的水温Tm1。读取烹饪器具底部导磁层的温度步骤同第二阶段中的读取步骤一样。

这一阶段是为了得到经过加热后烹饪器具内液体的最终温度。

在经历了三个阶段之后，得到了第二阶段加热之前水的初始温度，第二阶段的加热时间，第二阶段加热之后的水的最终温度。由此可以通过公式：

Pt＝C＊M＊ΔT；M＝ηPt/(C＊ΔT)＝ηPt/(C＊(Tn－T0))

其中η是转换效率，也就是加热效率，P是功率P1，t是加热时间Ti1，C为水的比热容，为4.2*10J/(kg·℃)。Tn为读取温度Tm1，T0为初始水温Tm0，得到精确地水的质量M1。通过该种方法，水的质量误差小于5％，能够满足精细化烹饪的要求。

根据烹饪需求，要达到的目标烹饪温度Tmt。在通过上述计算得到水的质量，以及当前水的温度的情况下，通过上述公式的变化形式：

t＝ηPM/(C＊ΔT)＝ηPM/(C＊(Tn－T0))

其中η是转换效率，也就是加热效率，P是功率P1，M是前述计算出的水的质量M1，C为水的比热容，为4.2*10J/(kg·℃)。Tn为目标温度Tmt，T0为水温Tm1。T为计算出的加热到所需目标温度的时间Tit。

第四阶段，根据得到的加热时间的计算结果，以功率P1，P1为1000W，加热一段时间Tit。在加热时间Tit结束后，读取烹饪器具底部导磁层的温度。该读取温度的步骤同第二阶段中的读取步骤一样。读取之后，通过公式T＝ATa+B，Ta是导磁层的温度，T是水温，拟合出当前水温Tmn，确认是否达到目标温度。如果达到了目标温度，则烹饪装置停止加热。如果没有达到加热温度，可以先行停止，对用户进行提示，依指示进行下一步操作。或者进行再一次的加热流程，具体实现方式同之前一样，直至达到目标温度要求。

通过以上步骤，可在无需借助额外感应器的情况下，通过第一、第二、第三阶段的多次加热，分析得到烹饪器具内部的液体温度与质量，依照液体的温度与质量计算得到液体需要的加热时间及加热功率，从而通过第四加热阶段实现定温加热，并且还能防止烹饪器具内液体出现沸腾溢出或者出现干烧现象。

如图12所示，图12为本应用场景下，烹饪装置的加热功率在时间上变化过程的示意图。

参阅图13，图13是本申请提供的计算机可读存储介质一实施例的结构示意图。该计算机可读存储介质200中存储有计算机程序210，计算机程序210在被处理器执行时，用于实现以下方法：

以第一功率进行加热，获取烹饪器具中液体的第一温度；其中，烹饪器具中液体的温度基于导磁层的温度确定；以第二功率进行加热；其中，第二功率大于第一功率；以第三功率进行加热，获取液体的第二温度；其中，第三功率小于第二功率；根据所述第一温度和第二温度，确定液体的质量；根据液体的第二温度和液体的质量，确定加热策略。

可以理解，计算机程序210在被处理器执行时，还用于实现上述任一实施提供的方法，这里不再赘述。

综上所述，通过以上实施例以及任意中可能的组合所提供的方法，当用户使用烹饪装置对液体进行烹饪时，可以通过磁耦测温的方式，通过测量烹饪装置底部导磁层的温度，经过拟合得到准确的水温。再通过多次加热的方式，获取得到所盛装液体的温度与质量，与目标温度进行对比后预估设定功率下的加热时长，从而达到精细化烹饪，定温加热的目的，防止烹饪装置内液体出现沸腾溢出或者出现干烧现象。

在本申请所提供的几个实施方式中，应该理解到，所揭露的方法以及设备，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施方式仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。

另外，在本申请各个实施方式中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

上述其他实施方式中的集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccess Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (14)

1.一种烹饪装置的加热控制方法，其特征在于，所述烹饪装置用于对烹饪器具进行加热，所述烹饪器具的底部设置有导磁层，所述加热控制方法包括：

以第一功率进行加热，获取所述烹饪器具中液体的第一温度；其中，所述烹饪器具中液体的温度基于所述导磁层的温度确定；

以第二功率进行加热；其中，所述第二功率大于所述第一功率；

以第三功率进行加热，获取所述液体的第二温度；其中，所述第三功率小于所述第二功率；

根据所述第一温度和所述第二温度，确定所述液体的质量；

根据所述液体的第二温度和所述液体的质量，确定加热策略。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述以第一功率进行加热，获取所述烹饪器具中液体的第一温度，包括：

以所述第一功率进行加热，获取所述导磁层的温度；

根据所述导磁层的温度、以及预先确定的导磁层温度与液体温度的对应关系，确定所述烹饪器具中液体的第一温度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述以所述第一功率进行加热，获取所述导磁层的温度，包括：

以所述第一功率进行加热第一设定时长，在所述第一设定时长中，每隔预设单位时长获取一次所述导磁层的温度。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述导磁层温度与所述液体温度呈线性关系。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述根据所述第一温度和所述第二温度，确定所述液体的质量，包括：

获取以所述第二功率进行加热的第二设定时长；

根据所述第一温度、所述第二温度和所述第二设定时长，确定所述液体的质量。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述根据所述第一温度、所述第二温度和所述第二设定时长，确定所述液体的质量，包括：

采用以下公式确定所述液体的质量：

其中，η为能量转换效率，P为所述第二功率，t为所述第二设定时长，C为所述液体的比热容，T₁为所述第一温度，T₂为所述第二温度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述根据所述液体的第二温度和所述液体的质量，确定加热策略，包括：

获取目标温度；

根据所述液体的第二温度、所述液体的质量、所述目标温度和第四功率，确定预估加热时长；其中，所述第四功率大于所述第三功率；

以所述第四功率进行加热所述预估加热时长。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述以所述第四功率进行加热所述预估加热时长后，还包括：

获取所述烹饪器具中液体的第三温度；

在所述第三温度满足所述目标温度的要求时，停止加热。

9.一种烹饪装置，其特征在于，所述烹饪装置包括：

加热单元，用于对烹饪器具进行加热；其中，所述烹饪器具的底部设置有导磁层；

温度检测单元，用于获取所述导磁层的温度；

控制单元，连接所述加热单元和所述温度检测单元，用于执行如权利要求1-8任一项所述的方法以进行加热控制。

10.根据权利要求9所述的烹饪装置，其特征在于，

所述加热单元包括第一线圈；

所述温度检测单元包括：

第二线圈，对应所述第一线圈的中心设置，用于感应所述导磁层的导磁率的变化；

第三线圈，所述第三线圈的同名端连接所述第二线圈的同名端，所述第二线圈的非同名端和所述第三线圈的非同名端连接所述控制单元；

第四线圈，所述第四线圈的两端连接所述控制单元；其中，所述第三线圈和所述第四线圈套设于所述第一线圈的引出线上；

所述控制单元用于获取所述第二线圈的非同名端和所述第三线圈的非同名端之间的第一电压、以及所述第四线圈两端的第二电压，根据所述第一电压和所述第二电压确定所述导磁层的温度。

11.根据权利要求9所述的烹饪装置，其特征在于，

所述烹饪装置还包括所述烹饪器具，所述烹饪器具包括：

容器体，包括容器壁和容器底；

所述导磁层，设置于所述容器底的内侧或者外侧。

12.根据权利要求11所述的烹饪装置，其特征在于，

所述导磁层设置于所述容器底的内侧，所述导磁层远离所述容器底的一侧还设置有陶瓷层。

13.根据权利要求12所述的烹饪装置，其特征在于，

所述容器底为玻璃。

14.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有程序数据，所述程序数据在被处理器执行时，用于实现如权利要求1-8任一项所述的方法。

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