CN115917147A - 真空排气系统的清洗装置 - Google Patents

Abstract

提供一种能够防止在真空泵的下游处堆积物再附着的真空排气系统的清洗装置。具备：能够冷却含有升华成分的气体而令堆积物产生的冷却阱（13）；配设在冷却阱（13）的上游的至少一个的第一真空泵（11）；连接第一真空泵（11）和冷却阱（13）的至少一个的第一配管（21）；配设在冷却阱（13）的下游的至少一个的第二真空泵（16）；连接第二真空泵（16）和冷却阱（13）的至少一个的第二配管（22），将第一真空泵（11）和第一配管（21）的至少一部分加热到升华成分的升华温度以上，并且将冷却阱（13）冷却到升华成分的升华温度以下。

Description

真空排气系统的清洗装置

技术领域

本发明涉及例如使用了涡轮分子泵等的真空排气系统的清洗装置。

背景技术

一般而言，作为真空泵的一种，公知有涡轮分子泵。该涡轮分子泵中，利用向泵本体内的马达的通电令旋转翼旋转，将吸入到泵本体的气体（工艺气体）的气体分子弹飞从而将气体排气。此外，在这样的涡轮分子泵中，有为了适宜地管理泵内的温度而具备加热器及冷却管的类型。

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2011－80407号公报。

本发明所要解决的课题

但是，在上述的涡轮分子泵那样的真空泵中，有时被移送的气体内的物质析出。例如用于半导体制造装置的蚀刻工艺的气体根据压缩吸入到泵本体的气体(工艺)而慢慢地升高压力的过程中排气流路的温度变得低于升华温度的条件，有令副反应生成物在真空泵及配管内部析出而堵塞排气流路的情况。此外，在对从泵的吸气口吸引的气体在泵内部进行压缩的过程中，有时吸引的气体超过从气体向固体相变化的压力，在泵内部相变化为固体。其结果，有时在泵内部堆积作为副反应生成物的固体而由于该堆积物产生不良。而且，为了去除析出的副反应生成物而需要清扫真空泵、配管。此外，根据状况，需要进行真空泵、配管的修理、新品的更换。而且，为了进行这些检修的作业，有时需要暂时令半导体制造装置停止。进而，检修的期间有时根据状况持续数周以上。

此外，在以往的真空泵中存在为了防止副反应生成物附着在内部而具备在作为通常动作的排气动作中利用加热器提高内部的排气路径的温度的功能的真空泵（专利文献1）。在专利文献1公开的发明中，泵的排气流路中，通过加热下游侧而提高吸入的气体的升华压力而令其为气相区域，防止在泵内部堆积副反应生成物而堵塞排气流路。为了避免在这样的加热时在真空泵的构成零件产生热导致的膨胀、变形等而零件彼此接触，需要对其上升温度（加热的目标温度）设置限制，进行温度管理而令温度不会上升到设定值以上。

此外，本申请人提出了一种真空泵，具备在真空泵未被用于半导体制造等的工艺的待机状态中加热真空泵的气体流路而将堆积物气体化除去的功能（也称为“清洁功能”、“清洁模式”等）（日本特愿2019－165839号）。根据这样的真空泵，能够在真空泵的待机时间中去除堆积物，所以无需在工艺中总是将气体流路保持为高温。因此，能够扩大真空泵中的允许流量。

而且，如果考虑该类型的真空泵、组装有真空泵的排气系统的进一步的改良，则可以想到清洁时被加热的气体在配置于更下游（下级）的真空泵及配管等的设备中流动时，气体的温度降低而堆积物会再附着于下游侧的设备的内部。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够防止堆积物在真空泵的下游发生再附着的真空排气系统的清洗装置。

解决课题的手段

（1）为了实现上述目的，本发明为一种真空排气系统的清洗装置，

所述真空排气系统具有：

能够冷却含有升华成分的气体而令堆积物产生的冷却阱、

配置在前述冷却阱的上游的至少一个的第一真空泵、

连接前述第一真空泵和前述冷却阱的至少一个的第一排气路径、

配置在前述冷却阱的下游的至少一个的第二真空泵、

连接前述第二真空泵和前述冷却阱的至少一个的第二排气路径，

将前述气体排气，

所述真空排气系统的清洗装置的特征在于，

至少将前述第一真空泵或者前述第一排气路径的一部分加热到前述升华成分的升华温度以上，并且将前述冷却阱冷却到前述升华成分的升华温度以下。

（2）此外，为了实现上述目的，另外的本发明为（1）所述的真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

具备：配设在前述第一排气路径的至少一个的切换阀、连接前述切换阀和前述第二排气路径的至少一个的第三排气路径。

（3）此外，为了实现上述目的，另外的本发明为（1）或（2）所述的真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

前述冷却阱具备：

具有吸气口和排气口的壳体、

配设在前述壳体内的至少一个的板状部、

冷却前述板状部的冷却机构。

（4）此外，为了实现上述目的，另外的本发明为（3）所述的真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

将设置有至少一个的开口部的前述板状部改变前述开口部的相位而层叠多个而构成前述冷却阱。

（5）此外，为了实现上述目的，另外的本发明为（3）或（4）所述的真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

前述冷却阱具备：设置在前述壳体内的旋转轴、固定于前述旋转轴的至少一个的刮出部，前述刮出部构成为能够沿着前述板状部的板面旋转。

（6）此外，为了实现上述目的，另外的本发明为（1）至（5）中任意一项所述的真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

具备：配设在前述第二排气路径的分支路径、配设在前述分支路径的开闭阀、配设在前述开闭阀的下游的堆积物回收容器。

（7）此外，为了实现上述目的，另外的本发明为（3）至（5）中任意一项所述的真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

具备：设置于前述冷却阱的前述壳体的堆积物排出口、配设在前述堆积物排出口的下游的开闭阀、配设在前述开闭阀的下游的堆积物回收容器。

发明的效果

根据上述发明，能够提供一种能够在真空泵的下游防止堆积物的再附着的真空排气系统的清洗装置。

附图说明

图1是概略地示出本发明的第一实施方式所述的真空排气系统的清洗装置的框图。

图2是本发明的第一实施方式所述的第一真空泵（涡轮分子泵）的纵剖面图。

图3是放大电路的电路图。

图4是表示电流指令值大于检出值时的控制的流程图。

图5是表示电流指令值小于检出值时的控制的流程图。

图6是表示冷却阱的纵剖面图。

图7是放大示出冷却阱的一部分的纵剖面图。

图8是沿图6中的A－A线的俯视剖面图。

图9是表示冷却阱的功能的说明图。

图10是概略示出本发明的第二实施方式所述的真空排气系统的清洗装置的框图。

图11是概略示出本发明的第三实施方式所述的真空排气系统的清洗装置的框图。

图12是概略示出本发明的第四实施方式所述的真空排气系统的清洗装置的框图。

附图标记说明

10，240，250，260清洗装置

11，11A，11B第一真空泵

12，12A，12B切换阀

13冷却阱

14开闭阀

15堆积物回收容器

16，16A，16B第二真空泵

21，21A，21B第一配管（第一排气路径）

22，22A，22B第二配管（第二排气路径）

23，23A，23B第三配管（第三排气路径）

24分支管（分支路径）

100涡轮分子泵（第一真空泵）

201壳体

202吸气口

203排气口（堆积物排出口）

204冷却机构部（冷却机构）

217排气孔（堆积物排出口）

221旋转轴

222刮出部

223圆板状零件（板状部）

234移送孔（开口部）。

具体实施方式

以下，基于附图说明本发明的各实施方式所述的真空排气系统的清洗装置。图1利用框图概略地示出本发明的第一实施方式所述的清洗装置10的结构。该清洗装置10主要具备：第一真空泵11、切换阀12，冷却阱13、开闭阀14、堆积物回收容器15、以及第二真空泵16的各设备。

此外，这些设备11～16经由各种配管连接。第一真空泵11和冷却阱13经由作为第一排气路径的第一配管21连接，在第一配管21的途中配置有切换阀12。冷却阱13和第二真空泵16经由作为第二排气路径的第二配管22连接。在此，各种的配管组合多个配管零件而构成，作为配管零件能够采用一般的各种零件，所以在此省略对于配管零件的详细说明。

前述的切换阀12是具有三向阀的构造的部件，切换阀12与第二配管22经由作为第三排气路径的第三配管23连接。此外，第二配管22经由作为分支路径的分支管24与堆积物回收容器15连接，在分支管24的途中配置有开闭阀14。在此，图1中符号25所示的是连接于第一真空泵11的吸气侧的第四配管。

作为前述的第一真空泵11采用图2所示的涡轮分子泵100。此外，作为冷却阱13，使用图6～8所示的层叠型的冷却阱。关于这些涡轮分子泵100、冷却阱13的具体的结构在之后描述。

进而，堆积物回收容器15是能够收容由冷却阱13产生的堆积物的部件。此外，作为第二真空泵16能够采用各种一般的类型的真空泵，在此采用干式泵。

接着，说明用作第一真空泵11的涡轮分子泵100。图2示出涡轮分子泵100。该涡轮分子泵100例如经由图1所示的前述的第四配管25连接于半导体制造装置等那样的排气对象设备的真空腔室（省略图示）。

图2表示该涡轮分子泵100的纵剖面图。图2中，涡轮分子泵100在圆筒状的外筒127的上端形成吸气口101。而且，在外筒127的内方具备旋转体103，其在周部放射状且多级地形成有用于将气体吸引排气的涡轮叶片即多个旋转翼102（102a，102b，102c・・・）。在该旋转体103的中心安装有转子轴113，该转子轴113借助例如5轴控制的磁性轴承被悬浮支承在空中并且被位置控制。

上侧径向电磁体104为，四个电磁体在X轴和Y轴上成对地配置。在该上侧径向电磁体104的附近且与上侧径向电磁体104的各自对应而具备四个上侧径向传感器107。上侧径向传感器107使用例如具有传导绕线的电感传感器、涡电流传感器等，基于与转子轴113的位置对应而变化的该传导绕线的电感的变化来检测转子轴113的位置。该上侧径向传感器107构成为检测转子轴113、即固定于其的旋转体103的径向变位并发送给未图示的控制装置。

该控制装置中，例如具有PID调节功能的补偿电路基于由上侧径向传感器107检出的位置信号生成上侧径向电磁体104的励磁控制指令信号，放大电路150（后述）基于该励磁控制指令信号，对上侧径向电磁体104进行励磁控制，从而调整转子轴113的上侧的径向位置。

而且，该转子轴113由高透磁率材料（铁，不锈钢等）等形成，被上侧径向电磁体104的磁力吸引。该调整在X轴向和Y轴向分别独立地进行。此外，下侧径向电磁体105以及下侧径向传感器108与上侧径向电磁体104以及上侧径向传感器107同样地配置，将转子轴113的下侧的径向位置与上侧的径向位置同样地进行调整。

进而，轴向电磁体106A，106B上下地夹着配备在转子轴113的下部的圆板状的金属盘111地配置。金属盘111由铁等的高透磁率材料构成。为了检测转子轴113的轴向变位而具备轴向传感器109，构成为将其轴向位置信号发送到控制装置。

而且，控制装置中，例如具有PID调节功能的补偿电路基于由轴向传感器109检出的轴向位置信号而生成轴向电磁体106A与轴向电磁体106B的各自的励磁控制指令信号，放大电路150基于这些励磁控制指令信号分别对轴向电磁体106A和轴向电磁体106B进行励磁控制，轴向电磁体106A借助磁力而向上方吸引金属盘111，轴向电磁体106B将金属盘111向下方吸引，调整转子轴113的轴向位置。

这样一来，控制装置适当地调节该轴向电磁体106A，106B向金属盘111作用的磁力，令转子轴113在轴向上磁性悬浮，以空间上非接触的方式进行保持。另外，对于对这些上侧径向电磁体104，下侧径向电磁体105以及轴向电磁体106A，106B进行励磁控制的放大电路150，之后详述。

另一方面，马达121具备以包围转子轴113的方式周状地配置的多个磁极。各磁极由控制装置控制，以便经由在与转子轴113之间作用的电磁力而驱动转子轴113旋转。此外，马达121中组装有未图示的例如霍尔元件、解析器，编码器等的旋转速度传感器，利用该旋转速度传感器的检出信号检测转子轴113的旋转速度。

进而，例如在下侧径向传感器108附近，安装有未图示的相位传感器，检测转子轴113的旋转的相位。控制装置中，一起使用该相位传感器和旋转速度传感器的检出信号来检测磁极的位置。

与旋转翼102（102a，102b，102c・・・）隔开微小的空隙而配设多张固定翼123a，123b，123c・・・。旋转翼102（102a，102b，102c・・・）分别为了将排气气体的分子利用冲击而向下方移送，从垂直于转子轴113的轴线的平面倾斜既定的角度地形成。

此外，固定翼123也同样地从垂直于转子轴113的轴线的平面倾斜既定的角度而形成，且朝向外筒127的内方与旋转翼102的级相互错开地配设。而且，固定翼123的外周端以嵌插在多个层叠的固定翼衬垫125（125a，125b，125c・・・）之间的状态被支承。

固定翼衬垫125为环状的部件，由例如铝，铁，不锈钢，铜等的金属、或者含有这些金属作为成分的合金等的金属构成。在固定翼衬垫125的外周隔开微小的空隙而固定外筒127。在外筒127的底部配设有基座部129。在基座部129形成有排气口133，与外部连通。移动到基座部129的排气气体被送向排气口133。

进而，根据涡轮分子泵100的用途，在固定翼衬垫125的下部与基座部129之间配设有带螺纹衬垫131。带螺纹衬垫131是由铝，铜，不锈钢，铁，或者含有这些金属作为成分的合金等的金属构成的圆筒状的部件，在其内周面刻设有多条螺旋状的螺纹槽131a。螺纹槽131a的螺旋的方向是排气气体的分子沿旋转体103的旋转方向移动时该分子被移送向排气口133的方向。在旋转体103的与旋转翼102（102a，102b，102c・・・）连接的最下部垂下有圆筒部102d。该圆筒部102d的外周面为圆筒状，且朝向带螺纹衬垫131的内周面伸出，与该带螺纹衬垫131的内周面隔开既定的间隙而接近。借助旋转翼102以及固定翼123向螺纹槽131a移送的排气气体一边向螺纹槽131a被引导一边被送向基座部129。

基座部129是构成涡轮分子泵100的基底部的圆盘状的部件，一般而言由铁，铝，不锈钢等的金属构成。基座部129物理地保持涡轮分子泵100，并且兼具热的传导路的功能，所以期望使用铁，铝、铜等的具有刚性且传热率高的金属。

所述构成中，若旋转翼102与转子轴113一起被马达121旋转驱动，则借助旋转翼102和固定翼123的作用，通过吸气口101从腔室吸入排气气体。从吸气口101吸气的排气气体通过旋转翼102与固定翼123之间，被送向基座部129。此时，借助排气气体接触旋转翼102时产生的摩擦热、由马达121发生的热的传导等，旋转翼102的温度上升，该热借助辐射或者基于排气气体的气体分子等的传导而传递到固定翼123侧。

固定翼衬垫125在外周部相互接合，将固定翼123从旋转翼102受到的热、排气气体与固定翼123接触时产生摩擦热等向外部传递。

另外，上述内容中说明了带螺纹衬垫131配设在旋转体103的圆筒部102d的外周、在带螺纹衬垫131的内周面刻设螺纹槽131a。但是，有时与此相反在圆筒部102d的外周面刻设螺纹槽，在其周围配置具有圆筒状的内周面的衬垫。

此外，根据涡轮分子泵100的用途，有时电装部其周围由定子柱122覆盖，该定子柱122内由清扫气体保持为既定压力，使得从吸气口101吸引的气体不会侵入由上侧径向电磁体104，上侧径向传感器107，马达121，下侧径向电磁体105，下侧径向传感器108，轴向电磁体106A，106B，轴向传感器109等构成的电装部。

该情况下，在基座部129配设有未图示的配管，通过该配管导入清扫气体。导入的清扫气体通过保护轴承120和转子轴113间、马达121的转子和定子间、定子柱122和旋转翼102的内周侧圆筒部之间的间隙而被送向排气口133。

在此，涡轮分子泵100需要进行基于机种的特定、被分别调整了的固有参数（例如，与机种对应的各特性）的控制。为了容纳该控制参数，上述涡轮分子泵100在其本体内具备电子电路部141。电子电路部141包括EEP－ROM等的半导体存储器以及用于其访问的半导体元件等的电子零件、安装这些用的基板143等。该电子电路部141收纳在构成涡轮分子泵100的下部的基座部129的例如中央附近的未图示的旋转速度传感器的下部，由气密性的底盖145封闭。

但是，在半导体的制造工序中，在导入到腔室的工艺气体中，有具有如果其压力高于既定值或者其温度低于既定值则变为固体的性质的气体。在涡轮分子泵100内部，排气气体的压力在吸气口101中最低在排气口133中最高。在工艺气体从吸气口101向排气口133移送的途中，若其压力高于既定值、其温度低于既定值，则工艺气体变为固体状，附着堆积于涡轮分子泵100内部。

例如，在Al蚀刻装置中作为工艺气体使用SiCl₄时，从蒸气压曲线可知在低真空（760［torr］～10^-2［torr］）且低温（约20［℃］）时，固体生成物（例如AlCl₃）析出，附着堆积于涡轮分子泵100内部。由此，如果在涡轮分子泵100内部堆积工艺气体的析出物，则该堆积物使泵流路变窄，成为令涡轮分子泵100的性能降低的原因。因而前述的生成物为容易在排气口附近、带螺纹衬垫131附近的压力高的部分凝固而附着的状况。

因此，为了解决该问题，以往将未图示的加热器、环状的水冷管149卷装在基座部129等的外周，且在例如基座部129埋入未图示的温度传感器（例如热敏电阻），以基于该温度传感器的信号而将基座部129的温度保持为一定的高温（设定温度）的方式进行基于加热器的加热、水冷管149的冷却的控制（以下称为TMS。TMS；Temperature ManagementSystem）。

接着，关于这样地构成的涡轮分子泵100，说明励磁控制该上侧径向电磁体104，下侧径向电磁体105以及轴向电磁体106A，106B的放大电路150。图3表示该放大电路的电路图。

在图3中，构成上侧径向电磁体104等的电磁体绕线151其一端经由晶体管161连接于电源171的正极171a，此外，其另一端经由电流检出电路181以及晶体管162连接于电源171的负极171b。而且，晶体管161，162为所谓的功率MOSFET，具有在其漏极间连接二极管的构造。

此时，晶体管161其二极管的阴极端子161a与正极171a连接，并且阳极端子161b与电磁体绕线151的一端连接。此外，晶体管162其二极管的阴极端子162a与电流检出电路181连接，并且阳极端子162b与负极171b连接。

另一方面，电流回生用的二极管165其阴极端子165a与电磁体绕线151的一端连接，并且其阳极端子165b与负极171b连接。此外，与此相同，电流回生用的二极管166其阴极端子166a与正极171a连接，并且其阳极端子166b经由电流检出电路181与电磁体绕线151的另一端连接。而且，电流检出电路181由例如霍尔传感器式电流传感器、电阻元件构成。

以上这样地构成的放大电路150与一个电磁体对应。因此，在磁性轴承为5轴控制、电磁体104，105，106A，106B共计有10个时，对于电磁体的各自构成有同样的放大电路150，10个放大电路150相对于电源171并列地连接。

进而，放大控制电路191例如由控制装置的未图示的数字信号处理器部（以下称为DSP部）构成，该放大控制电路191切换晶体管161，162的接通／切断。

放大控制电路191比较电流检出电路181检出的电流值（将反映该电流值的信号称为电流检出信号191c）和既定的电流指令值。然后，基于该比较结果决定基于PWM控制的1周期即控制循环Ts内产生的脉冲宽度的大小（脉冲宽度时间Tp1，Tp2）。其结果，将具有该脉冲宽度的门控驱动信号191a，191b从放大控制电路191输出到晶体管161，162的门控端子。

另外，在旋转体103的旋转速度的加速运转中通过共振点时、在定速运转中发生了外界干扰时等，需要进行高速且强力的旋转体103的位置控制。因此，作为电源171使用例如50V程度的高电压，以便能够实现在电磁体绕线151流动的电流的急速增加（或者减少）。此外，在电源171的正极171a和负极171b之间，为了实现电源171的稳定化，通常连接电容器（省略图示）。

所述构成中，若将晶体管161，162的双方接通，则在电磁体绕线151中流动电流（以下称为电磁体电流iL）增加，若将双方切断，则电磁体电流iL减少。

此外，若将晶体管161，162的一方接通而将另一方切断，则保持所谓的飞轮电流。而且，通过这样地在放大电路150中流动飞轮电流，能够减少放大电路150中的滞后损失，能够抑制电路整体的耗电。此外，通过这样地控制晶体管161，162，能够降低涡轮分子泵100中产生的高调波等的高频噪音。进而，通过由电流检出电路181测定该飞轮电流，能够检测在电磁体绕线151中流动的电磁体电流iL。

即，检出的电流值小于电流指令值时，如图4所示地在控制循环Ts（例如100μs）中，以相当于脉冲宽度时间Tp1的时间量将晶体管161，162的双方接通一次。因此，该期间中的电磁体电流iL从正极171a向负极171b朝向能够经由晶体管161，162流动的电流值iLmax（未图示）增加。

另一方面，在检出的电流值大于电流指令值时，如图5所示地在控制循环Ts中以相当于脉冲宽度时间Tp2的时间量将晶体管161，162的双方切断一次。因此，该期间中的电磁体电流iL从负极171b向正极171a朝向经由二极管165，166能够回生的电流值iLmin（未图示）而减少。

而且，在哪个情况下，都是在脉冲宽度时间Tp1，Tp2的经过后令晶体管161，162的某一个接通。因此，该期间中，在放大电路150中保持飞轮电流。

具有这样的基本构成的涡轮分子泵100为，图2中的上侧（吸气口101侧）为与对象设备侧相连的吸气部，下侧（排气口133以向图中的左侧突出的方式设置在基座部129的一侧）侧为与冷却阱13、第二真空泵16（粗吸辅助泵（备泵））等相连的排气部。而且，涡轮分子泵100在图2所示的铅直方向的垂直姿态之外，也可以使用倒立姿态及水平姿态、倾斜姿态。

此外，涡轮分子泵100中，组合前述的外筒127和基座部129而构成一个外壳（以下有时将双方组合称为“本体壳体”等）。此外，涡轮分子泵100与箱状的电装外壳（省略图示）电气地（以及构造地）连接，在电装外壳中组装入前述的控制装置。

涡轮分子泵100的本体壳体（外筒127和基座部129的组合）的内部的构成能够分为借助马达121令转子轴113等旋转的旋转机构部、借助旋转机构部被旋转驱动的排气机构部。此外，排气机构部可以考虑分为由旋转翼102、固定翼123等构成的涡轮分子泵机构部、由圆筒部102d、带螺纹衬垫131等构成的螺纹槽泵机构部。

此外，前述的清扫气体（保护气体）用于轴承部分、旋转翼102等的保护，进行排气气体（工艺气体）引起的腐蚀的防止、旋转翼102的冷却等。该清扫气体的供给能够由一般的手段进行。

例如，省略图示，在基座部129的既定的部位（相对于排气口133离开大致180度的位置等）设置沿径向直线状地延伸的清扫气体流路。而且，对于该清扫气体流路（更具体而言成为气体的入口的清扫端口），从基座部129的外侧经由清扫气体罐（N2气体罐等）、流量调节器（阀装置）等供给清扫气体。

前述的保护轴承120也被称为“接地（T/D）轴承”，“后备轴承”等。利用这些保护轴承120，即便在例如万一发生了电气系统的故障、大气侵入等的故障时，转子轴113的位置、姿态也不会发生大的变化，旋转翼102及其周边部不会损伤。

另外，在表示涡轮分子泵100的构造的各图（图2等）中，为了避免附图变得复杂而省略了表示零件的截面的阴影线的记载。

接着，说明前述的清洗装置10中的气体的路径、气体的状态的变化。另外，对于作为第一真空泵11的涡轮分子泵100，以下主要使用“第一真空泵”的用语来进行清洗装置10的说明。

向第一真空泵11（涡轮分子泵100）的排气口133（图2）送出的气体（以下称为“排出气体”）流入图1所示的第一配管21。流入第一配管21的排出气体与切换阀12的状态对应而被导向冷却阱13侧，或者第三配管23侧。

排出气体被导向冷却阱13侧时，排出气体为进行了用于清洁的加热的状态。即，本实施方式中，采用加热第一真空泵11的气体流路并将堆积物气体化并除去的功能（也称为“清洁功能”、“清洁模式”等）。作为这样的清洁功能，能够采用与本申请人做出的特愿2019－165839号中提案的加热式的方案同样的方案。

如果将上述的清洁功能更具体地嵌入本实施方式，则在进行清洁时，需要将排出气体加热到清洁所需的温度（升华温度）以上，为此能够设置加热器。作为加热器的配置，本实施方式的第一真空泵11（涡轮分子泵100）中，能够举出图2所示的带螺纹衬垫131的内部、外周部等。该带螺纹衬垫131是前述的螺纹槽泵机构部的一部分，能够是构成牵引泵部的部件。

此外，作为设置加热器的零件，在带螺纹衬垫131以外，可以举出基座部129的内部、外周部等。进而，也可以在基座部129和带螺纹衬垫131的双方配置加热器。而且，加热器可以是专用于清洁功能的，也可以是将前述的TMS的加热器兼用于清洁功能。

进而，作为加热器，能够根据其特性而采用例如筒式加热器，护套加热器，电感加热器（IH加热器）等的、一般的各种加热器。

另外，成为被加热器加热的对象的部位，不限定于第一真空泵11，例如可以是连接第一真空泵11与冷却阱13的第一配管21中的任意部位。作为第一配管21中的任意的部位，能够例示例如第一真空泵11的稍后的部位、第一真空泵11与切换阀12之间的部位、切换阀12与冷却阱13之间的部位等。进而，加热器的设置部位也可以是第一配管21的内部以及外部的某个，或者双方。

这样的加热器的加热是为了防止在第一真空泵11、第一配管21的气体流路中产生堆积物、令产生的堆积物气化的清洁而进行的。而且，清洁时被加热了的气体从第一真空泵11经由第一配管21到达冷却阱13，在冷却阱13中被冷却。

在冷却阱13中，借助气体的冷却而积极地进行固体的析出，产生包含于气体中的成分（升华成分）导致的堆积物。在此，说明清洗装置10的整体的构成及功能，关于冷却阱13的具体的构成、借助冷却阱13令堆积物产生的作用在之后详细说明。

由冷却阱13发生的堆积物从冷却阱13向第二配管22放出，通过第二配管22与分支管24的合流的部位26，向分支管24侧掉落。此时，设置于分支管24的途中的部位的开闭阀14令冷却阱13与堆积物回收容器15之间为开放状态。而且，从冷却阱13放出的堆积物通过分支管24而向堆积物回收容器15落下，由堆积物回收容器15回收。

上述的第二配管22将冷却阱13与第二真空泵16连接。此外，第二真空泵16为运转状态，辅助基于第一真空泵11的气体的排气。而且，冷却阱13中令堆积物产生后的气体的大部分，借助第二真空泵16的运转向第二配管22侧流动，借助第二真空泵16被排气。

另一方面，在不进行清洁时（例如半导体制造等的工艺时等），借助设置在第一配管21和第三配管23合流的部位的切换阀12切换气体的路径。第二真空泵16如上所述地成为运转状态，辅助基于第一真空泵11的气体的排气。然后，第一真空泵11的排出气体被导向第三配管23，进而从第三配管23与第二配管22的合流部位27向第二配管22流入，被第二真空泵16排气。

接着，详细说明冷却阱13的具体的构成、利用冷却阱13令堆积物产生的作用。冷却阱13如图6中纵剖地示出的那样，具备壳体201、吸气口202、排气口203、冷却机构部204、以及马达205等。在此，在表示冷却阱13的构造的各图（图6～8等）中，为了避免图面变得复杂而省略表示零件的截面的阴影线的记载。

这些中的壳体201将圆筒状的壳体本体211和圆盘状的盖部212组合而构成。这些中，顶板部213一体地形成于壳体本体211，壳体本体211中的轴向的一端部（图中的上部）由顶板部213封闭。

盖部212是与壳体本体211分体的零件，借助未图示的固定件（带六角孔螺栓等）连结于壳体本体211。而且，盖部212气密地堵塞壳体本体211中轴向的另一端部（图中的下部）。

壳体本体211的顶板部213上形成有吸气孔214，该吸气孔214沿厚度方向贯穿顶板部213。从顶板部213的外侧，圆管状的吸气侧配管215与设置有吸气孔214的部位接合，借助该吸气侧配管215形成前述的吸气口202。而且，吸气口202形成在从壳体201的轴心（图中点划线所示）B沿径向离开的位置，并且与壳体201的轴心B大致平行地延伸。

盖部212中形成有排气孔217，该排气孔217沿厚度方向贯穿盖部212。在设置有排气孔217的部位，从盖部212的外侧接合圆管状的排气侧配管218，利用该排气侧配管218形成前述的排气口203。而且，利用排气孔217和排气口203形成堆积物排出口（符号省略）。在此，能够仅将排气孔217认为是堆积物排出口。

排气口203形成在从壳体201的轴心B沿径向离开的位置，与壳体201的轴心B大致平行地延伸。进而，排气口203关于壳体201的轴向向与吸气口202相反方向延伸，关于壳体201的周向，配置为相对于吸气口202相位错开180度。

前述的冷却机构部204具备旋转轴（冷却阱13的转子轴）221、刮出部222、圆板状零件223、以及轴承部224，225等，收容在壳体201内。

前述的马达205从外侧固定于壳体201的盖部212，将省略了图示的输出轴插入冷却机构部204的旋转轴221。而且，马达205的输出轴（省略图示）与旋转轴221同轴地连结。在此，作为马达205能够采用一般的各种马达。

冷却机构部204的旋转轴221是带台阶的圆柱状零件，令其轴心（符号省略）与壳体201的轴心B大致一致。而且，旋转轴221中的轴向的一端（图中的上部）经由吸气侧的轴承部224被壳体本体211支承为旋转自如，旋转轴221中的轴向的另一端（图中的下部）经由排气侧的轴承部225被盖部212支承为旋转自如。

刮出部（也可以称为“刮刀”等）222是截面为矩形的棒状体，通过一体加工（或者也可以是分体组装）而形成于旋转轴221。进而，刮出部222为，将在旋转轴221的径向中反向地突出的两个作为一组，遍及多级（此处为7级）地形成。而且，在图6所示的例子中，7组（共计14个）的刮出部222沿旋转轴221的轴向相互以大致等间隔形成。

即，各组的刮出部222如图6以及图7所示，以错开180度相位而位于同一直线上的方式形成。进而，各组的刮出部222以旋转轴221的轴心（在此，与壳体201的轴心B一致）为中心，大致线对称地延伸。

此外，7组的刮出部222关于旋转轴221的周向以相互相同的相位（同相位）配置，关于旋转轴221的轴向，具有沿轴向大致均等地排列的位置关系。而且，若马达205被驱动而利用马达205而旋转轴221向既定方向旋转，则刮出部222以旋转轴221为中心与旋转轴221一体地旋转变位。

在此，马达205以及旋转轴221的旋转方向可以是图8中的顺时针方向以及逆时针方向的某一个。此外，马达205可以根据状况而被向与通常的旋转方向相反的方向旋转控制。

此外，在令刮出部222与旋转轴221分体地形成且组装于旋转轴221时，例如考虑在筒状的零件（省略图示）的外周面形成刮出部222，在该筒状的零件中插入固定旋转轴221。此外，可以考虑在筒状的零件仅形成一部分的刮出部222（例如1～3组程度），将多个筒状的零件固定于旋转轴221的方式。

前述的圆板状零件223在壳体201内层叠多级（在此为6级）。各圆板状零件223如图6、图8所示地被加工为正圆的圆板状，令外周部为厚壁的衬垫231，沿壳体201的轴向重叠。在各圆板状零件223之间利用衬垫231确保既定大小的间隙，形成多个堆积物移送空间232（图7）。

进而，在壳体本体211的顶板部213和与顶板部213相对的圆板状零件223（图6以及图7中的最上级的部件）之间，形成有堆积物移送空间232。此外，省略放大的图示，在盖部212和与盖部212相对的圆板状零件223（图6中的最下级）之间，也形成堆积物移送空间232。而且，六张圆板状零件223以被壳体本体211的顶板部213和盖部212夹入的状态固定在壳体201内。

各圆板状零件223的比衬垫231靠内侧（也称作“径向的内侧”、“内周侧”等）的部位为正圆状的冷却部233。该冷却部233具有比衬垫231薄的大致一定的厚度。

冷却部233中，作为用于移送堆积物的开口部的移送孔234形成为正圆状。该移送孔234在一张圆板状零件223上各设置一个。移送孔234配置在冷却部233的外周缘部（最外周部），位于衬垫231的稍微近前的部位（内周侧的部位）。而且，前述的刮出部222与移送孔234的位置关系如图8所示，在刮出部222处于通过移送孔234的中心部的位置的状况下，刮出部222的顶端到达移送孔234的最外周部，与移送孔234的最外周部大致重合。

此外，设置在六张圆板状零件223的各移送孔234为，关于冷却部233的周向的相位配置为交互地错开180度。即，从吸气孔214数第一张（最接近吸气孔214的部位），第三张，以及第五张的圆板状零件223中，移送孔234配置为同相位。图6中，这些移送孔234在旋转轴221的右侧以排列为同一直线状的方式定位。

相对于此，在从吸气孔214数第二张、第四张、以及第六张的圆板状零件223上，移送孔234在隔着旋转轴221的相反侧（图6中的旋转轴221的左侧）以排列为同一直线状的方式定位。

在此，图8示出在图6中的从吸气孔214第一张与第二张的圆板状零件223之间的部位沿A－A线沿径向切断的状态。而且，图8中用实线示出的移送孔234（在图中的左侧示出的移送孔234）是形成于从吸气孔214第二张的圆板状零件223的孔，用虚线（隐藏线）示出的移送孔234（在图中的右侧示出的移送孔234）是形成于第三张的圆板状零件223的孔。

冷却部233的板面与刮出部222的间隔以旋转轴221旋转而刮出部222相对于冷却部233的板面变位时刮出部222不会在冷却部233的板面一边产生过度的压力一边接触而妨碍刮出部222的变位的方式被确定。

在此，在图6、图7中，冷却部233的板面与刮出部222之间的间隙的大小以容易把握两部件（刮出部222和冷却部233）的存在的方式较大地强调示出。此外，能够令刮出部222相对于冷却部233的板面以刮出部222能够顺畅地变位的程度的压力接触。进而，作为刮出部222的材质，能够采用薄板的金属，或者具有足够的硬度和柔软性的合成树脂等。

此外，图6中用符号236示出的是内置在盖部212的冷却管。该冷却管236是具有正圆状的截面的圆管，在盖部212内沿周向配置。该冷却管236中流动有冷却液（例如冷却水），冷却液的温度传递到冷却管236、盖部212，以及各圆板状零件223，冷却部233的温度被保持为一定程度。

即，冷却管236、盖部212、以及各圆板状零件223的衬垫231以相互能够高效地传热地相接的状态组装于冷却阱13。而且，冷却管236的热经由盖部212以及衬垫231，被传递、传导到各圆板状零件223的冷却部233。

图6中利用多个箭头C（粗线）概略地示出在冷却阱13内流动的气体的路径。在冷却阱13内，从前述的第一真空泵11排出的气体（以下称为“排出气体”）经由吸气侧配管215被向吸气孔214导入。而且，排出气体被向与吸气孔214空间上相连的堆积物移送空间232导入。

排出气体一边与冷却部233的板面相接一边在堆积物移送空间232内扩散。进而，排出气体越过旋转轴221存在的部位，也到达以旋转轴221为基准的相反侧的部位。而且，排出气体通过形成于下一级的冷却部233的移送孔234，进入再下一级的堆积物移送空间232。

这样一来，排出气体在堆积物移送空间232内流动，顺次通过移送孔234，在下一级的堆积物移送空间232内扩散。而且，到达盖部212的排气孔217的排出气体通过排气口203被导出到冷却阱13的外部。

此外，在冷却阱13内，排出气体与冷却部233相接，在排出气体和冷却部233之间进行换热。而且，排出气体的温度借助冷却部233而下降，排出气体中的成分固化而产生堆积物。旋转变位的刮出部222撞击产生的堆积物，堆积物被从圆板状零件223强制地剥离。进而，堆积物被圆板状零件223破碎而变为块状或粉状。

图9利用半对数图表表示冷却阱13的功能。图9的图表中的横轴表示温度［℃］，纵轴表示压力[Torr]。图9中的符号F表示排气气体中的成分所述的升华曲线。升华曲线F的上侧为排气气体中的成分为“SOLID”（固体）的区域，升华曲线F的下侧为排气气体中的成分为“GAS”（气体）的区域。

进而，图9中的符号P1表示工艺条件。该工艺条件是指在第一真空泵11（涡轮分子泵100）的排气对象设备（省略图示）中进行使用了工艺气体的既定的处理时的环境条件（工艺条件）。在此，关于工艺条件的温度为100[℃]，压力为1[Torr]。而且，该点P1位于“SOLID”（固体）的区域，工艺条件中，产生工艺气体中的成分导致的堆积物。

接着，图9中的符号P2表示清洁条件。该清洁条件是指对于产生的堆积物的清洁的条件。在此，关于清洁条件的温度为130[℃]，压力为0.1[Torr]。而且，该点P2位于“GAS”（气体）的区域，清洁条件下，堆积物气化。

接着，图9中的符号P3表示阱条件。该阱条件是指在冷却阱13中令堆积物产生的条件。在此，关于阱条件的温度为70[℃]，压力与清洁条件相同为0.1[Torr]。而且，该点P3位于“SOLID”（固体）的区域，通过令气体（排出气体）处于阱条件的环境而产生堆积物。

冷却阱13导致的排出气体的冷却（P3）在清洁（P2）后进行。而且，在图9的例中，在清洁（P2）后，排出气体的温度借助冷却阱13而下降，在冷却阱13中积极地进行排出气体中的会成为堆积物的成分（也称为“升华成分”或“堆积成分”等）的固体化。因此，从第一真空泵11向第二真空泵16流动的排出气体为去除了升华成分的气体，能够防止堆积物附着在从第一真空泵11A到第二真空泵16之间的气体路径、第二真空泵16等中的气体的流路中。

在此，图9的清洁条件P2及阱条件P3的温度、压力只是一例，能够与升华曲线F、工艺条件P1相应地进行各种变更。但是，需要以清洁条件P2位于“GAS”（气体）的区域且阱条件P3位于“SOLID”（固体）的区域的方式设定清洁条件P2、阱条件P3。

根据以上说明的真空排气系统的清洗装置10，具备冷却阱13，将该冷却阱13冷却到气体的升华成分的升华温度以下，所以对于从第一真空泵11排出的气体，能够利用冷却阱13积极地令堆积物产生。而且，如上所述，能够防止堆积物附着在冷却阱13的下游侧的配管及第二真空泵16等。

进而，由于具备切换阀12和第三配管23，所以在例如半导体制造等的工艺时，能够令排出气体向第三配管23侧流动、令其绕过冷却阱13而导向第二真空泵16侧。因此，能够防止冷却阱13等在气体的流动时成为阻力（也称为“流动阻力”、“排气阻力”等）。

此外，冷却阱13在壳体201内具备圆板状零件223和冷却管236，所以能够良好地冷却圆板状零件223，在冷却阱13中能够高效地令堆积物发生。

进而，冷却阱13将设置有移送孔234的圆板状零件223改变移送孔234的相位而层叠多层而构成，所以能够将产生在圆板状零件223的堆积物经由移送孔234向下一级送入（送出）。

此外，冷却阱13具备设置在壳体201内的旋转轴221、固定在旋转轴221的刮出部222，刮出部222构成为能够沿圆板状零件223的板面旋转，所以能够利用刮出部222将产生于圆板状零件223的堆积物刮出。此外，能够利用刮出部222经由移送孔234将堆积物送入下一级。

进而，由于具备配设在第二配管22的分支管24、配设于分支管24的开闭阀14、配设在开闭阀14的下游的堆积物回收容器15，所以能够将在冷却阱13产生的堆积物经由分支管24和开闭阀14送入堆积物回收容器15。

此外，具备设置于冷却阱13的壳体201的排气孔217及排气口203、配设在排气孔217及排气口203的下游的开闭阀14、配设在开闭阀14的下游的堆积物回收容器15，所以能够将在壳体201内产生的堆积物经由排气孔217、排气口203，以及开闭阀14而送入堆积物回收容器15。

另外，本发明不限定于上述的实施方式，能够进行各种变形。例如，也可以不具备切换阀12及第三配管23，令第一真空泵11的排出气体不向第三配管23旁通。但是，这样的情况下，如前所述，在例如半导体制造等的工艺时，冷却阱13成为排气阻力。因此具备切换阀12、第三配管23时与不具备时相比能够高效地进行排气。

进而，冷却阱13中，认为通过令刮出部222的转速变高、令刮出部222正反旋转、进行堆积物的搅拌及粉碎，容易将堆积物向排气口203侧移送。

此外，各个刮出部222的形状不限定为棒状，能够如例如板状、具有多边形（5边形、6边形，8边形等）的截面的形状等那样地进行各种变形。

进而，刮出部222在1级上形成两个，但不限定于此，也可以在1级形成一个或者三个以上等。该情况下，期望考虑旋转时的整体的平衡而决定各组、整体中的刮出部222的配置。

另外，上述的冷却阱13中，将刮出部222的数量较少地抑制为每一级为两个，所以对于在各堆积物移送空间232中流动的排出气体，能够防止刮出部222变为过度的排气阻力。

此外，移送孔234的数量为每一张的圆板状零件223为一个，但不限定于此，移送孔234的数量也可以为两个以上。此外，也可以将移送孔234的开口面积设定为尽可能大。而且，通过加大移送孔234的开口面积，能够高效地向下一级送入堆积物。

但是，通过增加移送孔234的开口面积，圆板状零件223中的冷却部233的可冷却的面积（冷却面积）减少。因此，移送孔234的数量及开口面积（移送孔234为多个时合计的开口面积）期望为能够将排出气体接触圆板状零件223的板面的时间确保为足够长，能够进行良好的冷却的程度。

此外，上述的第一实施方式中，冷却阱13被从上方导入排出气体，堆积物从下方排出，但不限定于此。例如，图示省略，也可以采用向冷却阱从水平方向接收排出气体的构造。

此外，省略图示，在冷却阱中如果采用例如在绕水平轴旋转的旋转体上形成螺纹槽，利用该螺纹槽将堆积物推出这样的构造，则能够将堆积物沿水平方向移送而排出。但是，通过如上所述地将堆积物从上方向下方移送，能够利用堆积物的自重而容易地进行移送，能够简化冷却阱的构造。

进而，本发明能够采用后述的各种的实施方式。另外，以下对于与第一实施方式相同的构成标注相同符号，适宜地省略其说明。

例如，图10概略地表示本发明的第二实施方式所述的真空排气系统的清洗装置240。该第二实施方式的清洗装置240是大致并列地具备两个第一实施方式那样的真空排气系统的类型的装置。

如图10所示，在一方（图中的左侧）的真空排气系统（以下称为“第一排气系统”）241中具备第一真空泵11A和第二真空泵16A。此外，在另一方（图中的右侧）的真空排气系统（以下称为“第二排气系统”）242中具备第一真空泵11B和第二真空泵16B。

其中，在作为一方的真空排气系统的第一排气系统241中，与前述的第一实施方式所述的清洗装置10（图1）同样地，具备第一真空泵11A、切换阀12A、冷却阱13、开闭阀14、堆积物回收容器15、以及第二真空泵16A的各设备。

第一真空泵11A和冷却阱13经由第一配管21A连接，在第一配管21A的途中配置切换阀12A。冷却阱13和第二真空泵16A经由第二配管22A连接。此外，第二配管22Aは，经由分支管24连接于堆积物回收容器15，在分支管24的途中配置了开闭阀14。进而，切换阀12A和第二配管22A经由第三配管23A连接。

作为这些各设备，能够采用与第一实施方式所述的清洗装置10（图1）中的第一真空泵11，切换阀12，冷却阱13，开闭阀14，堆积物回收容器15，以及第二真空泵16同样的构成。而且，作为第一真空泵11A，能够使用与第一实施方式同样的涡轮分子泵100。

进而，作为第一配管21A，第二配管22A，第三配管23A，分支管24，能够采用与第一实施方式所述的清洗装置10（图1）中的第一配管21，第二配管22，第三配管23，分支管24同样的部件。此外，第四配管25连接于第一真空泵11A的吸气侧，作为该第四配管25，能够采用与第一实施方式同样的结构。

进而，在这样的第一排气系统241中，与前述的第一实施方式同样地具备清洁功能，利用第一真空泵11A（或者第一配管21A的某个部位）中的气体的加热，能够令堆积物气化。而且，被加热后的气体在冷却阱13中被冷却，产生的堆积物与第一实施方式同样地回收到堆积物回收容器15。

因而，与前述的第一实施方式同样，能够从第一真空泵11A向第二真空泵16流动的排出气体除去会变为堆积物的升华成分。而且，能够防止在从第一真空泵11A到第二真空泵16之间的气体路径、第二真空泵16等中的气体的流路中附着堆积物。

接着，在这样的第一排气系统241中的第一配管21A上连接第二排气系统242的第一配管21B。在该第二排气系统242中具有前述的第一真空泵11B和第二真空泵16B。进而，第一真空泵11B经由第一配管21B与前述的冷却阱13连接。

在第一配管21B的途中配置有切换阀12B。这一点与第一排气系统241相同，但在第二排气系统242中，采用在冷却阱13的下游侧不连接第二真空泵16B的构成。进而，在第二排气系统242中，与切换阀12B相连的第三配管23B延伸到第二真空泵16B，到达第二真空泵16B。

在该第二排气系统242中，与前述的第一排气系统241同样地具备清洁功能，能够利用气体的加热令堆积物气化。而且，被加热的气体通过切换阀12B在第一配管21B内流动，流入第一排气系统241中的第一配管21A。

流入到第一配管21A的气体（排出气体）在冷却阱13中被冷却，产生的堆积物被回收到堆积物回收容器15。然后，除去了会变为堆积物的升华成分后的排出气体借助第一排气系统241的第二真空泵16A所实现的排气作用，向第二真空泵16A流动，从第二真空泵16A送出。

根据这样的第二实施方式的清洗装置240，在实现与第一实施方式同样的发明的作用效果之外，能够具备多个排气系统（在此，第一排气系统241和第二排气系统242）。进而，多个排气系统中，能够兼用冷却阱13及堆积物回收容器15等。因此，多个（在此为两个）排气系统中能够抑制冷却阱13等的个数，能够简化排出气体的清洗构造。

接着，基于图11说明本发明的第三实施方式所述的真空排气系统的清洗装置250。另外，对于与前述的各实施方式相同的构成标注同一符号而适宜地省略其说明。

该第三实施方式所述的清洗装置250具有两个排气系统（第一排气系统241和第二排气系统242）这一点与第二实施方式所述的清洗装置240相同。但是，在第三实施方式所述的清洗装置250中，第一排气系统241的第二配管22在与第三配管23A合流的部位257向第二排气系统242侧分支，向第二排气系统242中的第三配管23B延长。

即，在第二实施方式所述的清洗装置240中，第二真空泵16A，16B中，与冷却阱13的下游侧相连的仅是第一排气系统241的第二真空泵16A。相对于此，第三实施方式所述的清洗装置250中，第二排气系统242的第二真空泵16B也经由从第一排气系统241中的第二配管22的延长部22B、第三配管23B而与冷却阱13的下游侧相连。

根据这样的第三实施方式的清洗装置250，在实现与第一实施方式相同的发明的作用效果之外，第二排气系统242的第二真空泵16B也能够用于被冷却阱13冷却的气体的排气，能够提高清洗装置250的综合的排气能力。

在此，在第三实施方式的清洗装置250中，关于第二排气系统242的第三配管23B，能够将从与延长部22B的合流部258向下游侧（与第二真空泵16B相连侧）的部位与延长部22B一起分类为第二排气系统242中的第二配管。此外，关于第三实施方式的清洗装置250，也可以考虑在第一排气系统241和第二排气系统242中，一部分地共用第二配管。

接着，基于图12说明本发明的第四实施方式所述的真空排气系统的清洗装置260。另外，对于与前述的各实施方式同样的构成标注同一符号而省略其说明。

该第四实施方式所述的清洗装置260具备两个排气系统（第一排气系统241和第二排气系统242）这一点与第二实施方式所述的清洗装置240、第三实施方式所述的清洗装置250相同。但是，第四实施方式所述的清洗装置260中，第一排气系统241和第二排气系统242中共用一个第二真空泵16C。

进而，在第四实施方式所述的清洗装置260中，第一排气系统241的第三配管23A和第二排气系统242的第三配管23B在途中合流，一根的共用配管261与第二真空泵16C相连。此外，第一排气系统241的第二配管22A与共用配管261合流，第一排气系统241以及第二排气系统242的排出气体都通过冷却阱13，借助第二真空泵16C被排气。

根据这样的第四实施方式的清洗装置250，在实现与第一实施方式相同的发明的作用效果之外，在多个（此处为两个）的排气系统中，能够抑制第二真空泵（16C）等的个数，能够简化排出气体的清洗构造。

在此，在第四实施方式所述的清洗装置260中，第一排气系统241和第二排气系统242中共用一个第二真空泵16C，所以作为第二真空泵16C，认为期望使用比第一实施方式～第三实施方式中使用的各种的第二真空泵16，16A，16B更大型的泵（大流量的泵等）。

以上，说明了本发明的各实施方式，但本发明不限定于各实施方式，能够进行各种变形。例如，第一真空泵11（11A，11B）与冷却阱13的连接经由第一配管21（21A，21B）进行，但不限定于此，例如可以将冷却阱13直接连接于第一真空泵11（11A，11B）的排气口133（图2）。

该情况下，考虑将第一真空泵11（11A，11B）的排气口133（图2）与冷却阱13的吸气侧配管215连接、与冷却阱13的吸气孔214连接等。

此外，为了冷却阱13中的圆板状零件223的冷却，使用冷却管236，但不限定于此，能够使用一般的各种冷却手段进行冷却。例如，作为冷却手段可以使用帕尔帖元件（省略图示），进行向帕尔帖元件的通电控制，进行冷却阱13中的温度管理。

进而，各清洗装置10，240，250，260中的阀装置不限定于切换阀12，12A，12B、开闭阀14，能够适宜地增加具有必要的功能的阀装置。

Claims (7)

1.一种真空排气系统的清洗装置，

所述真空排气系统具有：

冷却阱，能够冷却含有升华成分的气体而令堆积物产生；

至少一个的第一真空泵，配置在前述冷却阱的上游；

至少一个的第一排气路径，连接前述第一真空泵和前述冷却阱；

至少一个的第二真空泵，配置在前述冷却阱的下游；以及

至少一个的第二排气路径，连接前述第二真空泵和前述冷却阱，

将前述气体排气，

所述真空排气系统的清洗装置的特征在于，

至少将前述第一真空泵或者前述第一排气路径的一部分加热到前述升华成分的升华温度以上，并且将前述冷却阱冷却到前述升华成分的升华温度以下。

2.根据权利要求1所述真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

具备：配设在前述第一排气路径的至少一个的切换阀、连接前述切换阀和前述第二排气路径的至少一个的第三排气路径。

3.根据权利要求1或2所述真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

前述冷却阱具备：

具有吸气口和排气口的壳体、

配设在前述壳体内的至少一个的板状部、

冷却前述板状部的冷却机构。

4.根据权利要求3所述真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

将设置有至少一个的开口部的前述板状部改变前述开口部的相位而层叠多个而构成前述冷却阱。

5.根据权利要求3或4所述真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

前述冷却阱具备：设置在前述壳体内的旋转轴、固定于前述旋转轴的至少一个的刮出部，前述刮出部构成为能够沿着前述板状部的板面旋转。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

具备：配设在前述第二排气路径的分支路径、配设在前述分支路径的开闭阀、配设在前述开闭阀的下游的堆积物回收容器。

7.根据权利要求3至5中任意一项所述真空排气系统的清洗装置，其特征在于，

具备：设置于前述冷却阱的前述壳体的堆积物排出口、配设在前述堆积物排出口的下游的开闭阀、配设在前述开闭阀的下游的堆积物回收容器。

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