CN115885386A - 半导体装置、电力变换装置以及移动体 - Google Patents

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Abstract

本发明是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供一种能够降低成本的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：基座板；绝缘基板，其设置于基座板之上；半导体芯片，其设置于绝缘基板之上；第1树脂壳体以及第2树脂壳体，它们以将绝缘基板以及半导体芯片收容在内部的方式安装于基座板，二者彼此嵌合；以及封装材料，其对绝缘基板以及半导体芯片进行封装，第1树脂壳体以及第2树脂壳体由相对漏电起痕指数不同的树脂材料构成。

Description

半导体装置、电力变换装置以及移动体
技术领域
本发明涉及半导体装置、应用了半导体装置的电力变换装置以及应用了电力变换装置的移动体。
背景技术
近年来，在电力用半导体装置中，伴随着SiC(碳化硅)等宽带隙半导体的实用化的不断发展，高耐热化的要求不断提高。另一方面，就在严酷环境下使用的电力用半导体装置而言，对于该电力用半导体装置的表面处的确保绝缘的部位，基于由例如JIS C 60664-1
(IEC60664-1)等要求的规格，大多需要相对漏电起痕指数(CTI:
Comparative Tracking Index)高的材料。因此，对于构成电力用半导体装置的框体壳体所使用的树脂材料而言，除了具有用于保护该电力用半导体装置内部的机械强度等机械物性以外，兼顾高耐热性和高相对漏电起痕指数变得重要。
以往，提出了由具有高耐热性以及高机械强度、耐电痕化特性优异的PPS(聚苯硫醚)树脂的成形品构成的功率半导体(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2019-147943号公报
通常为了提高树脂材料的耐热性，需要提高树脂材料的玻璃转变温度(Tg)，但若提高玻璃转变温度，则与之相反地耐电痕化特性降低。即，玻璃转变温度与耐电痕化特性具有折衷关系。例如，若通过芳香族系的交联单元增加交联点数而提高玻璃转变温度，则芳香族环增加而容易碳化，耐电痕化特性降低。
另外，研究了通过向树脂添加氢氧化镁、其它聚合物以及添加剂而改良耐电痕化特性。然而，还已知有如下缺点：例如为了得到优异的耐电痕化特性，需要高氢氧化镁含量，若如此做，则树脂组成物的机械强度以及其它性能显著降低。
根据这些理由，不会损伤树脂本身的机械性能且兼顾高耐热性和高相对漏电起痕指数的树脂材料在技术上难以开发，对应的材料高价并且选项非常受限。因此，基于市场要求而选择这种限定性的树脂材料(用于框体壳体的树脂材料)成为半导体装置的成本增加的一个原因。
发明内容
本发明就是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供一种能够降低成本的半导体装置。
为了解决上述课题，本发明涉及的半导体装置具有：基座板；绝缘基板，其设置于基座板之上；半导体芯片，其设置于绝缘基板之上；第1树脂壳体以及第2树脂壳体，它们以将绝缘基板以及半导体芯片收容在内部的方式安装于基座板，第1树脂壳体以及第2树脂壳体彼此嵌合；以及封装材料，其对绝缘基板以及半导体芯片进行封装，第1树脂壳体以及第2树脂壳体由相对漏电起痕指数不同的树脂材料构成。
发明的效果
根据本发明，半导体装置的第1树脂壳体以及第2树脂壳体由相对漏电起痕指数不同的树脂材料构成，因此能够降低成本。
本发明的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图而变得更加清楚。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造工序的一个例子的剖视图。
图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
图6是表示实施方式3涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
图7是表示实施方式4涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
图8是表示实施方式5涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
图9是表示电力变换装置的结构的一个例子的图，该电力变换装置应用了实施方式1至5涉及的半导体装置。
图10是表示将实施方式6涉及的电力变换装置应用于移动体的一个例子的图。
具体实施方式
<实施方式1>
<结构>
图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
如图1所示，在基座板1之上设置有绝缘基板3。基座板1由例如铜(Cu)、铝(Al)、铝合金、AlSiC或MgSiC等导热性好的金属构成。
绝缘基板3具有陶瓷基板4、形成于陶瓷基板4的上表面(纸面上侧的面)的上表面电极图案5和形成于陶瓷基板4的下表面(纸面下侧的面)的下表面电极图案6。陶瓷基板4由例如氮化铝、氮化硅或氧化铝等构成。上表面电极图案5以及下表面电极图案6由例如铜或铝构成。
基座板1与绝缘基板3的下表面电极图案6通过接合材料2接合。接合材料2由例如焊料、钎料、烧结银或液相扩散材料等构成。
在绝缘基板3的上表面电极图案5之上设置有半导体芯片8以及电极端子10、11。半导体芯片8经由接合材料7而与上表面电极图案5电连接。半导体芯片8由例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、二极管、MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)或RC-IGBT(Reverse Conducting IGBT)等构成。接合材料7由例如焊料、钎料、烧结银或液相扩散材料等构成。
电极端子10、11与上表面电极图案5电连接。电极端子10、11由例如铜或铝构成。
半导体芯片8与上表面电极图案5通过金属导线9电连接。金属导线9由例如铝、铝合金、铜或铜合金等构成。
第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13以将绝缘基板3以及半导体芯片8收容在内部的方式安装于基座板1，彼此嵌合。具体地说，第2树脂壳体13以构成半导体装置的侧壁的一部分的方式设置于基座板1的端部。第1树脂壳体12设置为至少覆盖第2树脂壳体13的侧面以及上表面，并且覆盖半导体装置的整个内部。在第1树脂壳体12固定有电极端子10、11，电极端子10、11的端部从第1树脂壳体12露出到外部。
第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13由彼此不同的树脂材料构成，例如由PPS(Polyphenylenesulfide)、PPA(Polyphthalamide)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PES(Polyethersulfone)、PA(Polyamide)、PET(Polyethylene terephthalate)或PBT(Polybutylene terephthalate)等树脂材料构成。
第1树脂壳体12的相对漏电起痕指数比第2树脂壳体13的相对漏电起痕指数高。第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13的相对漏电起痕指数(CTI)大于或等于100，也可以优选为400≤CTI<600，还可以更优选为600≤CTI。
第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13的玻璃转变温度(Tg)大于或等于100℃，也可以优选为150℃≤Tg，还可以更优选为175℃≤Tg。
半导体装置的表面绝缘所需的沿面距离以及空间距离仅依靠第1树脂壳体12就足够。第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13可以通过粘合剂粘合，也可以通过卡扣接合，或者也可以通过双色成形而形成。
封装材料14在由第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13、基座板1包围的半导体装置内部对半导体芯片8、绝缘基板3以及金属导线9进行封装。封装材料14由例如硅凝胶或环氧树脂等绝缘材料构成。
<制造方法>
图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造工序的一个例子的剖视图。
在步骤S1中，在基座板1之上由接合材料2接合绝缘基板3。然后，在绝缘基板3之上由接合材料7接合半导体芯片8。
在步骤S2中，由金属导线9对半导体芯片8和绝缘基板3的上表面电极图案5进行导线键合。
在步骤S3中，在基座板1的端部安装第2树脂壳体13。
在步骤S4中，在绝缘基板3的上表面电极图案5之上接合电极端子10、11。
在步骤S5中，将第1树脂壳体12与第2树脂壳体13嵌合。
在步骤S6中，在由第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13、基座板1包围的半导体装置内部，以将半导体芯片8、绝缘基板3以及金属导线9封装的方式填充封装材料14。
<作用效果>
例如，对于在太阳能发电、风力发电以及电力铁道用途等严酷环境下使用的半导体装置而言，在半导体装置表面的需要确保绝缘的部位，基于由例如JIS C 60664-1(IEC60664-1)等要求的规格，需要满足由材料的相对漏电起痕指数、使用的电压有效值以及使用环境的污染度决定的应当遵守的最小沿面距离以及空间距离。
在实施方式1中，通过仅在为了确保沿面距离以及空间距离所需的最低限度的部分(第1树脂壳体12)使用兼顾高相对漏电起痕指数和高耐热的耗费成本的树脂材料，由此对于第2树脂壳体13，能够不依赖于相对漏电起痕指数的数值而对材料进行选择，因此能够选择便宜的树脂材料。由此，能够削减构成半导体装置的材料成本。
通过设为将第1树脂壳体12和第2树脂壳体13由卡扣接合的结构，从而变得不需要用粘合剂等将第1树脂壳体12和第2树脂壳体13粘合。由此，能够使半导体装置以及壳体的制造生产率提高。
通过将第1树脂壳体12和第2树脂壳体13用双色成形而形成，从而变得不需要第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13的装配工序。由此，能够使半导体装置以及壳体的制造生产率提高，并且进一步降低材料成本。
第2树脂壳体13能够不依赖于相对漏电起痕指数的数值而选择材料，因此能够选择可以使耐热性、与其它材料的紧贴性以及机械强度等功能进一步提高的材料。由此，能够进一步提高壳体设计的自由度以及半导体装置的可靠性。
通过使第2树脂壳体13为通用部件，仅变更第1树脂壳体12的结构，从而即使在要求的绝缘耐压不同的情况下也能够灵活应对。例如，如图3所示，能够在第1树脂壳体12的侧面设置凹凸以增大沿面距离。如此，通过半导体装置的设计工时的降低以及标准化，能够降低半导体装置的成本。
此外，第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13的形状不限于图1、3所示的形状。例如，可以如图1、2所示是第1树脂壳体12覆盖第2树脂壳体13那样的形状，也可以如图4所示是第1树脂壳体12与第2树脂壳体13分为上下层而彼此交错嵌合的形状，也可以是除此之外的形状。
<实施方式2>
<结构>
图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。如图5所示，实施方式2涉及的半导体装置的特征在于，第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13以凹凸结构嵌合。其它结构与在实施方式1中说明过的半导体装置的结构相同，因此在此省略详细说明。
第1树脂壳体12是凹形状，第2树脂壳体13是凸形状，第1树脂壳体12以覆盖第2树脂壳体13的方式嵌合。此外，也可以将第1树脂壳体12设为凸形状，将第2树脂壳体13设为凹形状。
封装材料14被填充至第1树脂壳体12和第2树脂壳体13嵌合的部分的高度为止，将嵌合的凹凸部的一部分的间隙填充。由此，第1树脂壳体12和第2树脂壳体13由封装材料14粘合。此外，封装材料14也可以填充凹凸部的全部间隙。
<作用效果>
一般地，为了将树脂壳体彼此接合，需要使用粘合剂进行粘合。然而，根据实施方式2，无需追加新工序(使用粘合剂进行粘合的工序)即可将第1树脂壳体12和第2树脂壳体13粘合，因此能够降低粘合所需的加工以及材料的成本。
<实施方式3>
<结构>
图6是表示实施方式3涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。如图6所示，实施方式3涉及的半导体装置的特征在于，第1树脂壳体具有与电极端子10、11的周围的部位相当的第1树脂壳体15(包含固定有电极端子10、11的位置的预先决定的第1位置)和相当于其它部位的第1树脂壳体16(第2部位)，第1树脂壳体15以及第1树脂壳体16由不同的树脂材料构成。其它结构与实施方式1相同，因此在此省略详细说明。
就第1树脂壳体12而言，第1树脂壳体15比第1树脂壳体16的玻璃转变温度(Tg)高。半导体装置的表面绝缘所需的沿面距离以及空间距离仅依靠第1树脂壳体16就足够。
第1树脂壳体15以及第1树脂壳体16也可以通过不同的树脂材料的双色成形而形成。另外，第1树脂壳体16以及第2树脂壳体13也可以通过不同的树脂材料的双色成形而形成。关于这2个双色形成，可以是某一者采用双色形成，也可以是两者都采用双色形成。
此外，虽然在上文中对于第1树脂壳体具有第1树脂壳体15以及第1树脂壳体16的情况进行了说明，但不限于此。第2树脂壳体13也可以是具有电极端子10、11周围的部位和除此以外的部位(第2部位)的结构。
<作用效果>
通过仅将要求耐热性的电极端子10、11的周围的部位设为耐热性高的树脂，从而能够进一步降低半导体装置的材料成本。另外，通过采用双色形成，从而能够使半导体装置以及壳体的制造生产率提高。
通过使电极端子10、11的周围的部位选择高韧性以及高强度的树脂材料，从而能够使针对在电极端子10、11的弯曲加工以及向电极端子10、11安装母线时产生的应力的耐受性提高，能够降低壳体破裂的风险。另外，能够使半导体装置以及壳体的制造生产率提高。
<实施方式4>
<结构>
图7是表示实施方式4涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。如图7所示，实施方式4涉及的半导体装置的特征在于，电极端子10、11通过插入成形而固定于第2树脂壳体13。其它结构与实施方式1相同，因此在此省略详细说明。
在图7的例子中，电极端子10、11通过插入成形而固定于第2树脂壳体13，但不限于此。例如，电极端子10、11也可以通过插入成形而固定于第1树脂壳体12。
半导体芯片8是例如SiC或GaN等宽带隙半导体。另外，半导体芯片8也可以是IGBT、MOSFET、二极管等任意者的组合。
电极端子10、11与绝缘基板3的上表面电极图案5通过超声波接合(超声波焊接)进行接合。
<作用效果>
通过将电极端子10、11插入成形于第2树脂壳体13，从而能够预先将电极端子10、11和绝缘基板3固定。由此，与将电极端子10、11和绝缘基板3分别组合的情况相比，能够减小位置的波动。
在作为电极端子10、11与绝缘基板3的接合方法而使用超声波接合(超声波焊接)的情况下，高精度地进行电极端子10、11与绝缘基板3的对位是重要的，在将电极端子10、11和绝缘基板3分别组合的情况下，需要使用了固定工具的定位工序。根据实施方式4，能够在半导体装置的制造工序之中实现通过第2树脂壳体13进行的电极端子10、11的位置固定，不需要使用了工具的定位。由此，能够使用超声波接合而不增加半导体装置的制造工序的工时。
此外，以往，作为电极端子与绝缘基板的接合方法而主要使用焊料接合，但通过使用超声波接合，与焊料接合相比得到了例如下述(A)至(D)的多个优点。
(A)由于不使用焊料等低融点材料，因此能够使电极端子与绝缘基板的接合部高耐热化。
(B)由于超声波接合是金属彼此的固相扩散，因此接合强度高，能够提高接合部的可靠性以及品质。
(C)能够随着接合部的可靠性的提高，缩小接合需要的面积。由此，半导体装置的设计的自由度提高。
(D)在焊料接合中，为了除去助焊剂残渣，需要接合后的清洗工序。另一方面，在超声波接合中，不需要清洗接合部，半导体装置的制造生产率提高。
通过将对高温进行散热的宽带隙半导体芯片用作半导体芯片8，从而能够实现半导体装置的大电流化以及高温工作化，能够有助于半导体装置的节能化。另外，通过使用Tg≥100℃(更优选为175℃)的高耐热的第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13，使用超声波接合而进行电极端子10、11与绝缘基板3的接合，由此半导体装置的耐热性提高，能够进一步地实现半导体装置的大电流化、高温工作化以及节能化。
<实施方式5>
<结构>
图8是表示实施方式5涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。如图8所示，实施方式5涉及的半导体装置的特征在于，第1树脂壳体12以及第2树脂壳体13由绝缘性粘合剂进行固定。其它结构与实施方式1相同，因此在此省略详细说明。
<作用效果>
即使在设计上，第2树脂壳体13是可能成为半导体装置的表面绝缘中的沿面距离的最短路径的结构，也能够通过使绝缘性材料介于路径的中途而确保绝缘性。由此，能够进一步地使壳体设计的自由度提高。
<实施方式6>
实施方式6是将上述的实施方式1至5所涉及的半导体装置应用于电力变换装置。实施方式1至5所涉及的半导体装置的应用不限定于特定的电力变换装置，但在下文中对将实施方式1至5所涉及的半导体装置应用于三相逆变器的情况进行说明。
图9是表示电力变换系统的结构的框图，该电力变换系统应用了实施方式6所涉及的电力变换装置。
图9所示的电力变换系统由电源100、电力变换装置200以及负载300构成。电源100为直流电源，将直流电供给至电力变换装置200。电源100可以由各种电源构成，例如，可以由直流系统、太阳能电池以及蓄电池构成，也可以由与交流系统连接的整流电路或AC/DC转换器构成。另外，电源100也可以由将从直流系统输出的直流电力变换为规定电力的DC/DC转换器构成。
电力变换装置200为连接于电源100和负载300之间的三相逆变器，将从电源100供给来的直流电力变换为交流电力，将交流电力供给至负载300。电力变换装置200如图9所示具有：主变换电路201，其将直流电力变换为交流电力而输出；驱动电路203，其输出对主变换电路201的各开关元件进行驱动的驱动信号；以及控制电路204，其将对驱动电路203进行控制的控制信号输出至驱动电路203。主变换电路201具有半导体装置202。半导体装置202相当于实施方式1至5所涉及的半导体装置。
负载300为由从电力变换装置200供给的交流电力驱动的三相电动机。此外，负载300并不限于特定的用途，为搭载于各种电气设备的电动机，例如，用作面向混合动力自行车、电动汽车、铁路车辆、电梯或空调设备的电动机。
以下，对电力变换装置200的详情进行说明。主变换电路201具有开关元件和续流二极管，通过开关元件的通断，从而将从电源100供给来的直流电力变换为交流电力而供给至负载300。主变换电路201的具体的电路结构是多种多样的，但实施方式6所涉及的主变换电路201为2电平的三相全桥电路，能够由6个开关元件和分别与开关元件反并联的6个续流二极管构成。主变换电路201的各开关元件应用上述实施方式1～5中的任意一者所涉及的半导体装置。6个开关元件两个两个地串联连接而构成上下桥臂，各上下桥臂构成全桥电路的各相(U相、V相、W相)。而且，各上下桥臂的输出端子即主变换电路201的3个输出端子与负载300连接。
驱动电路203生成对主变换电路201的开关元件进行驱动的驱动信号，供给至主变换电路201的开关元件的控制电极。具体而言，按照来自后述的控制电路204的控制信号，将使开关元件成为接通状态的驱动信号、和使开关元件成为断开状态的驱动信号输出至各开关元件的控制电极。在将开关元件维持为接通状态的情况下，驱动信号为大于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(接通信号)，在将开关元件维持为断开状态的情况下，驱动信号为小于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(断开信号)。
控制电路204对主变换电路201的开关元件进行控制以将所期望的电力供给至负载300。具体而言，基于应该供给至负载300的电力对主变换电路201的各开关元件应该成为接通状态的时间(接通时间)进行计算。例如，能够通过与应该输出的电压对应地对开关元件的接通时间进行调制的PWM控制而对主变换电路201进行控制。而且，将控制指令(控制信号)输出至驱动电路203，以使得在各时间点将接通信号输出至应该成为接通状态的开关元件，将断开信号输出至应该成为断开状态的开关元件。驱动电路203按照该控制信号，将接通信号或断开信号作为驱动信号输出至各开关元件的控制电极。
在实施方式6所涉及的电力变换装置中，将实施方式1至5所涉及的半导体装置用作主变换电路201的开关元件，因此能够实现电力变换装置的成本降低以及节能化。
在实施方式6中，对将实施方式1至5所涉及的半导体装置应用于2电平的三相逆变器的例子进行了说明，但实施方式1至5所涉及的半导体装置的应用不限于此，能够应用于各种电力变换装置。在实施方式6中，虽然将2电平的电力变换装置作为一个例子进行了说明，但也可以是3电平或多电平的电力变换装置，在将电力供给至单相负载的情况下也可以将实施方式1至5所涉及的半导体装置应用于单相逆变器。另外，在将电力供给至直流负载等的情况下，也可以将实施方式1至5所涉及的半导体装置应用于DC/DC转换器或AC/DC转换器。
另外，应用了实施方式1至5所涉及的半导体装置的电力变换装置不限定于上述负载为电动机的情况，例如，能够用作放电加工机、激光加工机、感应加热烹调机或非接触供电系统的电源装置，并且也能够用作太阳能发电系统或蓄电系统等的功率调节器。
<实施方式7>
图10是表示将实施方式6所涉及的电力变换装置应用于移动体的一个例子的图。如图10所示，移动体400搭载有在实施方式6中说明过的电力变换装置200。
根据实施方式7，能够实现移动体的成本降低以及节能化。
此外，在本发明的范围之内，能够将各实施方式自由地组合，或将各实施方式适当地变形、省略。
虽然已经详细地说明了本发明，但上述的说明在所有的方案中都是例示，而不是限定性内容。应当理解为可以设想出未例示的无数变形例。
标号的说明
1基座板，2接合材料，3绝缘基板，4陶瓷基板，5上表面电极图案，6下表面电极图案，7接合材料，8半导体芯片，9金属导线，10电极端子，11电极端子，12第1树脂壳体，13第2树脂壳体，14封装材料，15第1树脂壳体，16第1树脂壳体，17绝缘性粘合剂，100电源，200电力变换装置，201主变换电路，202半导体装置，203驱动电路，204控制电路，300负载，400移动体。

Claims (14)

1.一种半导体装置，其具有：
基座板；
绝缘基板，其设置于所述基座板之上；
半导体芯片，其设置于所述绝缘基板之上；
第1树脂壳体以及第2树脂壳体，它们以将所述绝缘基板以及所述半导体芯片收容在内部的方式安装于所述基座板，所述第1树脂壳体以及第2树脂壳体彼此嵌合；以及
封装材料，其对所述绝缘基板以及所述半导体芯片进行封装，
所述第1树脂壳体以及所述第2树脂壳体由相对漏电起痕指数不同的树脂材料构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1树脂壳体以及所述第2树脂壳体以凹凸结构嵌合，
所述封装材料填充所述凹凸结构的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
该半导体装置还具有电极端子，该电极端子设置于所述绝缘基板之上，
所述电极端子固定于所述第1树脂壳体或所述第2树脂壳体的任意一者，
所述第1树脂壳体以及所述第2树脂壳体的至少一者的表面绝缘所需的沿面距离以及空间距离仅依靠固定有所述电极端子的所述第1树脂壳体或所述第2树脂壳体就足够。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
固定有所述电极端子的所述第1树脂壳体或所述第2树脂壳体具有预先决定的第1部位和该第1部位之外的第2部位，该第1部位包含固定有所述电极端子的位置，
所述第1部位以及所述第2部位由不同的树脂材料构成。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述电极端子通过插入成形而固定于所述第1树脂壳体或所述第2树脂壳体。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板与所述电极端子由超声波接合进行接合。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1树脂壳体以及所述第2树脂壳体由绝缘性粘合剂固定。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1树脂壳体以及所述第2树脂壳体由玻璃转变温度大于或等于100℃的树脂材料构成。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
该半导体装置还具有电极端子，该电极端子设置于所述绝缘基板之上，
所述绝缘基板以及所述电极端子被进行了超声波接合。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1树脂壳体以及所述第2树脂壳体由卡扣嵌合。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1树脂壳体以及所述第2树脂壳体由双色成形而构成。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体芯片由宽带隙半导体构成。
13.一种电力变换装置，其具有：
主变换电路，其具有权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，并且该主变换电路对输入进来的电力进行变换而输出；
驱动电路，其将用于驱动所述半导体装置的驱动信号输出至所述半导体装置；以及
控制电路，其将用于控制所述驱动电路的控制信号输出至所述驱动电路。
14.一种移动体，其具有权利要求13所述的电力变换装置。
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