CN117673017A - 半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置。目的在于提供能够减小半导体装置的自感的技术。半导体装置具有：绝缘基板(4a、4b)，其在上表面形成有电路图案(3b)；半导体元件(5a、5b)，其搭载于电路图案(3a)的上表面；以及多个电极端子(6、7、8)，它们的一个端部接合于电路图案(3a)的上表面。多个电极端子(6、7、8)中的具有彼此相邻的部分的电极端子(6、7)至少在所述部分涂覆有厚度比100μm薄的绝缘膜(11)。

Description

半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置
技术领域
本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置。
背景技术
作为减小半导体装置内部的电感的构造，提出了专利文献1所记载的构造。
在专利文献1所记载的半导体功率模块(相当于半导体装置)中，正极端子与负极端子平行地配置，并且流过反向的相同电流。其结果，在各端子之间的空间中由电流产生的磁场彼此抵消，因此能够减小电流路径的电感。另外，通过在各端子之间夹设绝缘树脂、绝缘纸或叠层涂层而确保空间。
专利文献1：日本特开2015-213408号公报
但是，在专利文献1所记载的半导体功率模块中，为了进行绝缘而使绝缘树脂、绝缘纸或叠层涂层夹设于各端子之间，因此作为绝缘部件，需要一定程度的厚度。因此，存在半导体功率模块的自感变大这样的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供能够减小半导体装置的自感的技术。
本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板，其在上表面形成有电路图案；半导体元件，其搭载于所述电路图案的上表面；以及多个电极端子，它们的一个端部接合于所述电路图案的上表面，多个所述电极端子中的具有彼此相邻的部分的所述电极端子至少在所述部分涂覆有厚度比100μm薄的绝缘膜。
发明的效果
根据本发明，由于使厚度比绝缘树脂、绝缘纸及叠层涂层薄的绝缘膜夹设于彼此相邻的电极端子之间，因此能够减小半导体装置的自感。
附图说明
图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。
图2是表示电极间间距与自感之间的关系的图形。
图3是实施方式2涉及的半导体装置的剖视图。
图4是用于说明实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。
图5是用于说明实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。
图6是用于说明实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。
图7是实施方式1的变形例涉及的半导体装置的剖视图。
图8是表示电力变换系统的结构的框图，该电力变换系统应用了实施方式4涉及的电力变换装置。
具体实施方式
<实施方式1>
<整体构造>
下面使用附图对实施方式1进行说明。图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。
如图1所示，半导体装置具有基座板1、绝缘基板4a、4b、半导体元件5a、5b、电极端子6、7、8、壳体9和封装材料10。
基座板1以铜为主要材料而构成。另外，基座板1在俯视时形成为矩形。
绝缘基板4a、4b经由焊料2接合于基座板1的上表面的与周缘部相比更靠内周侧处。在图1中，高电位侧的绝缘基板4a配置于右侧，低电位侧的绝缘基板4b配置于左侧。绝缘基板4a、4b均具有绝缘层3a和电路图案3b、3c。绝缘层3a例如以陶瓷为主要材料而构成。在绝缘层3a的上表面设置有多个导电性的电路图案3b。另外，在绝缘层3a的下表面设置有导电性的电路图案3c。电路图案3b、3c例如以铜为主要材料而构成。
半导体元件5a经由焊料2搭载于绝缘基板4a的电路图案3b的上表面。另外，半导体元件5b经由焊料2搭载于绝缘基板4b的电路图案3b的上表面。半导体元件5a、5b由硅构成，是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等。这里，半导体元件5a相当于第1半导体元件，半导体元件5b相当于第2半导体元件。
此外，在图1中搭载有两个半导体元件5a、5b，但半导体元件5a、5b的个数并不限于两个。关于半导体元件5a、5b的个数，在之后的实施方式中也同样如此。
壳体9以具有4个边的方式，在俯视时形成为矩形框状。壳体9例如经由粘接剂(未图示)固定于基座板1的周缘部，将绝缘基板4a、4b和半导体元件5a、5b围绕。
电极端子6由接合于绝缘基板4a的电路图案3b的上表面的一个端部6a、固定于壳体9的第1边的另一个端部6b、以及一个端部6a与另一个端部6b之间的中途部6c构成。电极端子7由接合于绝缘基板4b的电路图案3b的上表面的一个端部7a、固定于壳体9的第1边的另一个端部7b、以及一个端部7a与另一个端部7b之间的中途部7c构成。电极端子8由接合于绝缘基板4b的电路图案3b的上表面的一个端部8a、固定于壳体9的第2边的另一个端部8b、以及一个端部8a与另一个端部8b之间的中途部8c构成。
这里，电极端子6相当于第1电极端子，电极端子7相当于第2电极端子。另外，壳体9的第2边是与第1边相对的边。
电极端子6的一个端部6a经由焊料2接合于绝缘基板4a的电路图案3b的上表面，电极端子6的另一个端部6b经由粘接剂(未图示)固定于壳体9的第1边。电极端子7的一个端部7a经由焊料2接合于绝缘基板4b的电路图案3b的上表面，电极端子7的另一个端部7b经由绝缘膜11固定于壳体9的第1边。
电极端子8的一个端部经由焊料2接合于绝缘基板4b的电路图案3b的上表面，电极端子8的另一个端部8b固定于壳体9的第2边。
封装材料10被填充于壳体9的内部，将绝缘基板4a、4b和半导体元件5a、5b覆盖。封装材料10例如是硅凝胶。
接下来，使用图1和图2，对实施方式1涉及的半导体装置的特征部分进行说明。图2是表示电极间间距与自感之间的关系的图形。
如图1所示，为了减小自感，电极端子6、7被平行地配置，具有彼此相邻的部分。电极端子6、7至少在彼此相邻的部分涂覆有厚度比100μm薄的绝缘膜11。如图2所示，通常，作为电极间间距的绝缘部件的厚度与自感的大小成正比。在实施方式1中，通过使电极端子6、7之间的距离小于100μm，从而能够保持电极端子6、7之间的绝缘距离，并且实现半导体装置的低电感构造。
这里，电极端子6、7的彼此相邻的部分是从电极端子6、7的另一个端部6b、7b的位于壳体9的内周侧的部分至中途部6c、7c为止的部分。
<效果>
如上所述，实施方式1涉及的半导体装置具有：绝缘基板4a、4b，其在上表面形成有电路图案3b；半导体元件5a、5b，其搭载于电路图案3b的上表面；以及多个电极端子6、7、8，它们的一个端部接合于电路图案3b的上表面，多个电极端子6、7、8中的具有彼此相邻的部分的电极端子6、7至少在前述部分涂覆有厚度比100μm薄的绝缘膜11。
因此，由于使厚度比绝缘树脂、绝缘纸及叠层涂层薄的绝缘膜11夹设于彼此相邻的电极端子6、7之间，所以能够减小半导体装置的自感。
<实施方式2>
接下来，对实施方式2涉及的半导体装置进行说明。图3是实施方式2涉及的半导体装置的剖视图。此外，在实施方式2中，对与实施方式1中说明过的结构要素相同的结构要素标注相同标号并省略说明。
如图3所示，在实施方式2中，电极端子6、7、8的另一个端部6b、7b、8b被嵌件成型于壳体9。具体而言，电极端子6的另一个端部6b一体地形成于壳体9的第1边。同样地，电极端子7的另一个端部7b一体地形成于壳体9的第1边。另外，电极端子8的另一个端部8b一体地形成于壳体9的第2边。
绝缘膜11被涂覆于电极端子6、7中的彼此相邻的部分。此时，只要前述部分被涂覆即可，对电极端子6、7中的任意者进行涂覆都可以。另外，在电极端子6、7中的一体地形成于壳体9的部分处，如果能够确保绝缘距离，则不一定需要涂覆。
如上所述，实施方式2涉及的半导体装置还具有：基座板1，其接合于绝缘基板4a、4b的下表面；以及壳体9，其固定于基座板1的周缘部，多个电极端子6、7、8的另一个端部一体地形成于壳体9。
因此，各电极端子6、7被牢固地保持于壳体9，因此能够实现电极端子6、7之间的窄间距化，并且还能够缩短电极端子6、7、8的端子长度，因此有助于半导体装置的小型化。
<实施方式3>
接下来，对实施方式3涉及的半导体装置进行说明。图4～图6是用于说明实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。此外，在实施方式3中，对与实施方式1、2中说明过的结构要素相同的结构要素标注相同标号并省略说明。
在实施方式3中，相对于实施方式1变更了绝缘膜11的材质。绝缘膜11由绝缘涂层材料构成，该绝缘涂层材料的耐热性优异，并且，通过非共价键将具有彼此相邻的部分的电极端子6、7与封装材料10接合。由此，电极端子6、7与封装材料10的密合性提高。绝缘涂层材料例如是昭和电工材料公司的高耐热涂层材料“HIMAL”。
半导体元件5a、5b是开关元件，由于在电极端子6、7流通大电流，因此电极端子6、7自身也会发热。
另外，构成半导体装置的各部件通常具有根据温度的增减而伸缩的特性，伸缩的程度根据各部件的材质而不同。由于电极端子6、7和半导体元件5a、5b的发热，各部件重复膨胀和收缩，因此担心在电极端子6、7与封装材料10之间产生剥离。
相对于此，实施方式3涉及的半导体装置还具有：基座板1，其接合于绝缘基板4a、4b的下表面；壳体9，其固定于基座板1的周缘部；以及封装材料10，其对壳体9的内部进行封装，绝缘膜11由绝缘涂层材料构成，该绝缘涂层材料通过非共价键将多个电极端子6、7、8中的具有彼此相邻的部分的电极端子6、7与封装材料10接合。
因此，电极端子6、7与封装材料10的密合性提高，因此能够对在电极端子6、7与封装材料10之间产生剥离进行抑制。由此，有助于半导体装置的高可靠性。
这里，绝缘膜11也可以不仅涂覆于电极端子6、7的彼此相邻的部分，还将半导体元件5a、5b和电极端子6、7的一个端部6a、7a覆盖。下面，对该情况下的制造方法进行说明。
首先，虽然未图示，但经由焊料2将绝缘基板4a、4b接合于基座板1的上表面的除了周缘部之外的部分，经由粘接剂(未图示)将壳体9固定于基座板1的上表面的周缘部。接下来，经由焊料2将与壳体9一体地形成的电极端子8的一个端部8a与绝缘基板4b的电路图案3b的上表面接合。
接下来，如图4所示，经由焊料2将电极端子6的一个端部6a与电路图案3b中的搭载有半导体元件5a的第1部分的上表面接合，经由粘接剂(未图示)将另一个端部6b接合于壳体9。这里，第1部分是绝缘基板4a的电路图案3b。接下来，利用喷涂器20将成为绝缘膜11的绝缘涂层材料涂敷于电极端子6。此时，在绝缘基板4a的电路图案3b、半导体元件5a也涂敷绝缘涂层材料。
接下来，如图5所示，以具有与电极端子6相邻的部分的方式，经由焊料2将电极端子7的一个端部7a与电路图案3b中的搭载有半导体元件5b的第2部分的上表面接合，将另一个端部7b接合于壳体9。另一个端部7b经由涂敷于电极端子6的绝缘涂层材料接合于壳体9。这里，第2部分是绝缘基板4b的电路图案3b。
接下来，如图6所示，利用喷涂器20将成为绝缘膜11的绝缘涂层材料涂敷于壳体9的内部。具体而言，将绝缘涂层材料涂敷于电极端子7、绝缘基板4b的电路图案3b、半导体元件5b。通过以上工序，绝缘基板4a、4b的电路图案3b的上表面、半导体元件5a、5b、电极端子6、7涂覆有绝缘膜11。接下来，将封装材料10(参照图1)填充于壳体9的内部，半导体装置完成。
如上所述，在实施方式3涉及的半导体装置中，绝缘膜11将半导体元件5a、5b、多个电极端子6、7、8中的具有彼此相邻的部分的电极端子6、7的一个端部6a、7a覆盖。
另外，实施方式3涉及的半导体装置的制造方法具有：工序(a)，将绝缘涂层材料涂敷于一个端部6a与电路图案3b中的搭载有半导体元件5a的第1部分的上表面接合且另一个端部6b被接合于壳体9的电极端子6、电路图案3b的第1部分；工序(b)，以具有与电极端子6相邻的前述部分的方式，将电极端子7的一个端部7a与电路图案3b中的搭载有半导体元件5b的第2部分的上表面接合，将另一个端部7b接合于壳体9；以及工序(c)，将绝缘涂层材料涂敷于电极端子7、电路图案3b的第2部分。
因此，半导体元件5a、5b与封装材料10、及电极端子6、7的一个端部6a、7a与封装材料10的密合性提高，所以进一步有助于半导体装置的可靠性提高。
<实施方式1～3的变形例>
半导体元件5a、5b也可以由包含碳化硅或氮化镓的宽带隙半导体构成。宽带隙半导体在高温下使用，但与硅相比具有容易发生振荡的倾向。在实施方式1～3中，由于能够减小半导体装置的自感，因此会发挥对振荡进行抑制的效果。
另外，在实施方式1～3中，也可以替代绝缘基板4a、4b，采用经由树脂绝缘层将基座板与电路图案一体成型的绝缘基板。接下来，以实施方式1的变形例为例对该结构进行说明。图7是实施方式1的变形例涉及的半导体装置的剖视图。
如图7所示，半导体装置具有绝缘基板15、半导体元件5a、5b、电极端子6、7、8、壳体9和封装材料10。这里，仅对绝缘基板15的结构进行说明。
绝缘基板15由基座板12、形成于基座板12的上表面的树脂绝缘层13、形成于树脂绝缘层13的上表面的电路图案14构成，该绝缘基板15被一体成型。基座板12例如以铜、铁、及铝等金属材料为主要材料而构成。树脂绝缘层13例如以环氧树脂为主要材料而构成。电路图案14例如以铜为主要材料而构成。
<实施方式4>
本实施方式将上述实施方式1～3涉及的半导体装置应用于电力变换装置。实施方式1～3涉及的半导体装置的应用并不限于特定的电力变换装置，但下面，作为实施方式4，对将实施方式1～3涉及的半导体装置应用于三相逆变器的情况进行说明。
图8是表示电力变换系统的结构的框图，该电力变换系统应用了本实施方式涉及的电力变换装置。
图8所示的电力变换系统由电源100、电力变换装置200和负载300构成。电源100为直流电源，将直流电力供给至电力变换装置200。电源100可以由各种电源构成，例如，能够由直流系统、太阳能电池、蓄电池构成，也可以由与交流系统连接的整流电路、AC/DC转换器构成。另外，也可以由将从直流系统输出的直流电力变换为规定电力的DC/DC转换器构成电源100。
电力变换装置200为连接于电源100和负载300之间的三相逆变器，将从电源100供给来的直流电力变换为交流电力，将交流电力供给至负载300。如图8所示，电力变换装置200具有：主变换电路201，其将直流电力变换为交流电力而输出；以及控制电路203，其将对主变换电路201进行控制的控制信号输出至主变换电路201。
负载300为由从电力变换装置200供给来的交流电力驱动的三相电动机。此外，负载300并不限于特定的用途，其为搭载于各种电气设备的电动机，例如，用作面向混合动力汽车、电动汽车、铁路车辆、电梯、或空调设备的电动机。
以下，对电力变换装置200的详情进行说明。主变换电路201具有开关元件(未图示)和续流二极管(未图示)，通过开关元件的通断，从而将从电源100供给的直流电力变换为交流电力，供给至负载300。主变换电路201的具体的电路结构是多种多样的，但本实施方式涉及的主变换电路201为2电平的三相全桥电路，能够由6个开关元件和分别与开关元件反并联的6个续流二极管构成。主变换电路201的各开关元件、各续流二极管中的至少任一者由与上述实施方式1～3中的任意者相当的半导体模块202构成。6个开关元件两个两个地串联连接而构成上下桥臂，各上下桥臂构成全桥电路的各相(U相、V相、W相)。而且，各上下桥臂的输出端子，即主变换电路201的3个输出端子与负载300连接。
另外，主变换电路201具有对各开关元件进行驱动的驱动电路(未图示)，但也可以将驱动电路内置于半导体模块202，还可以是具有与半导体模块202分体的驱动电路的结构。驱动电路生成对主变换电路201的开关元件进行驱动的驱动信号，供给至主变换电路201的开关元件的控制电极。具体而言，按照来自后述的控制电路203的控制信号，将使开关元件成为接通状态的驱动信号和使开关元件成为断开状态的驱动信号输出至各开关元件的控制电极。在将开关元件维持为接通状态的情况下，驱动信号为大于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(接通信号)，在将开关元件维持为断开状态的情况下，驱动信号为小于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(断开信号)。
控制电路203对主变换电路201的开关元件进行控制以将所期望的电力供给至负载300。具体而言，基于应该供给至负载300的电力对主变换电路201的各开关元件应该成为接通状态的时间(接通时间)进行计算。例如，能够通过与应该输出的电压对应地对开关元件的接通时间进行调制的PWM控制而对主变换电路201进行控制。而且，将控制指令(控制信号)输出至主变换电路201所具有的驱动电路，以使得在各时间点将接通信号输出至应该成为接通状态的开关元件，将断开信号输出至应该成为断开状态的开关元件。驱动电路按照该控制信号，将接通信号或断开信号作为驱动信号输出至各开关元件的控制电极。
在本实施方式涉及的电力变换装置中，由于将实施方式1～3涉及的半导体模块用作主变换电路201的开关元件和续流二极管，因此能够实现可靠性提高。
在本实施方式中，对将实施方式1～3涉及的半导体装置应用于2电平的三相逆变器的例子进行了说明，但实施方式1～3涉及的半导体装置的应用并不限于此，能够应用于各种电力变换装置。在本实施方式中，设为2电平的电力变换装置，但也可以是3电平、多电平的电力变换装置，在将电力供给至单相负载的情况下也可以将实施方式1～3涉及的半导体装置应用于单相逆变器。另外，在对直流负载等供给电力的情况下，可以将实施方式1～3涉及的半导体装置应用于DC/DC转换器、AC/DC转换器。
另外，应用了实施方式1～3涉及的半导体装置的电力变换装置并不限于上述负载为电动机的情况，例如，也能够用作放电加工机、激光加工机、或感应加热烹调器、非接触供电系统的电源装置，并且也能够用作太阳能发电系统、蓄电系统等的功率调节器。
此外，可以将各实施方式自由地组合，对各实施方式适当进行变形、省略。
下面，将本发明的各方式概括为附记。
(附记1)
一种半导体装置，其具有：
绝缘基板，其在上表面形成有电路图案；
半导体元件，其搭载于所述电路图案的上表面；以及
多个电极端子，它们的一个端部接合于所述电路图案的上表面，
多个所述电极端子中的具有彼此相邻的部分的所述电极端子至少在所述部分涂覆有厚度比100μm薄的绝缘膜。
(附记2)
根据附记1所述的半导体装置，还具有：
基座板，其接合于所述绝缘基板的下表面；以及
壳体，其固定于所述基座板的周缘部，
多个所述电极端子的另一个端部一体地形成于所述壳体。
(附记3)
根据附记1所述的半导体装置，还具有：
基座板，其接合于所述绝缘基板的下表面；
壳体，其固定于所述基座板的周缘部；以及
封装材料，其对所述壳体的内部进行封装，
所述绝缘膜由绝缘涂层材料构成，该绝缘涂层材料通过非共价键将多个所述电极端子中的具有彼此相邻的所述部分的所述电极端子与所述封装材料接合。
(附记4)
根据附记3所述的半导体装置，其中，
所述绝缘膜将所述半导体元件、多个所述电极端子中的具有彼此相邻的所述部分的所述电极端子的一个端部覆盖。
(附记5)
根据附记1所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板由基座板、形成于所述基座板的上表面的树脂绝缘层、形成于所述树脂绝缘层的上表面的所述电路图案构成，该绝缘基板被一体成型。
(附记6)
根据附记1至5中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件由包含碳化硅或氮化镓的宽带隙半导体构成。
(附记7)
一种半导体装置的制造方法，其对附记4所述的半导体装置进行制造，
在该制造方法中，多个所述电极端子包含具有彼此相邻的所述部分的第1电极端子和第2电极端子，
所述半导体元件包含第1半导体元件和第2半导体元件，
该半导体装置的制造方法具有：
工序(a)，将所述绝缘涂层材料涂敷于一个端部与所述电路图案中的搭载有所述第1半导体元件的第1部分的上表面接合且另一个端部与所述壳体接合的所述第1电极端子、所述电路图案的所述第1部分；
工序(b)，以具有与所述第1电极端子相邻的所述部分的方式，将所述第2电极端子的一个端部与所述电路图案中的搭载有所述第2半导体元件的第2部分的上表面接合，将另一个端部接合于所述壳体；以及
工序(c)，将所述绝缘涂层材料涂敷于所述第2电极端子、所述电路图案的所述第2部分。
(附记8)
一种电力变换装置，其具有：
主变换电路，其具有附记1至附记6中任一项所述的半导体装置，该主变换电路将输入进来的电力变换而输出；以及
控制电路，其将对所述主变换电路进行控制的控制信号输出至所述主变换电路。
标号的说明
1基座板，3b电路图案，4a、4b绝缘基板，5a、5b半导体元件，6、7、8电极端子，9壳体，10封装材料，11绝缘膜，12基座板，13树脂绝缘层，14电路图案，15绝缘基板，200电力变换装置，201主变换电路，202半导体模块，203控制电路。

Claims (8)

1.一种半导体装置，其具有：
绝缘基板，其在上表面形成有电路图案；
半导体元件，其搭载于所述电路图案的上表面；以及
多个电极端子，它们的一个端部接合于所述电路图案的上表面，
多个所述电极端子中的具有彼此相邻的部分的所述电极端子至少在所述部分涂覆有厚度比100μm薄的绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：
基座板，其接合于所述绝缘基板的下表面；以及
壳体，其固定于所述基座板的周缘部，
多个所述电极端子的另一个端部一体地形成于所述壳体。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：
基座板，其接合于所述绝缘基板的下表面；
壳体，其固定于所述基座板的周缘部；以及
封装材料，其对所述壳体的内部进行封装，
所述绝缘膜由绝缘涂层材料构成，该绝缘涂层材料通过非共价键将多个所述电极端子中的具有彼此相邻的所述部分的所述电极端子与所述封装材料接合。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述绝缘膜将所述半导体元件、多个所述电极端子中的具有彼此相邻的所述部分的所述电极端子的一个端部覆盖。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述绝缘基板由基座板、形成于所述基座板的上表面的树脂绝缘层、形成于所述树脂绝缘层的上表面的所述电路图案构成，该绝缘基板被一体成型。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件由包含碳化硅或氮化镓的宽带隙半导体构成。
7.一种半导体装置的制造方法，其对权利要求4所述的半导体装置进行制造，
在该制造方法中，多个所述电极端子包含具有彼此相邻的所述部分的第1电极端子和第2电极端子，
所述半导体元件包含第1半导体元件和第2半导体元件，
该半导体装置的制造方法具有：
工序(a)，将所述绝缘涂层材料涂敷于一个端部与所述电路图案中的搭载有所述第1半导体元件的第1部分的上表面接合且另一个端部与所述壳体接合的所述第1电极端子、所述电路图案的所述第1部分；
工序(b)，以具有与所述第1电极端子相邻的所述部分的方式，将所述第2电极端子的一个端部与所述电路图案中的搭载有所述第2半导体元件的第2部分的上表面接合，将另一个端部接合于所述壳体；以及
工序(c)，将所述绝缘涂层材料涂敷于所述第2电极端子、所述电路图案的所述第2部分。
8.一种电力变换装置，其具有：
主变换电路，其具有权利要求1至权利要求6中任一项所述的半导体装置，该主变换电路将输入进来的电力变换而输出；以及
控制电路，其将对所述主变换电路进行控制的控制信号输出至所述主变换电路。
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