CN115885377A - 用于平面碳化硅基座的背侧设计 - Google Patents

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丛者澎
陈少锋
舒伯特·楚
詹姆斯·M·阿莫斯
菲利普·迈克尔·阿莫斯
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Abstract

一种在处理腔室中使用以用于支撑晶片的基座，包括基座基板，该基座基板具有前侧及与前侧相对的背侧，及沉积于基座基板上的涂层。前侧具有被配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中的口袋，该口袋以第一图案纹理化。该背侧以第二图案纹理化。

Description

用于平面碳化硅基座的背侧设计
技术领域
本文描述的示例大致涉及在半导体晶片处理中使用的基座，且更具体而言，涉及以碳化硅涂布的基座，该基座具有纹理化的背侧，以在外延沉积处理中使用。
背景技术
化学气相沉积(CVD)处理与其他处理一起在半导体晶片处理中使用，以用于在晶片上外延沉积薄层(通常，小于10微米)。CVD处理需要保持在基座中的晶片加热到升高的温度(举例而言，约1200℃)。晶片通常在大约30分钟之中从室温加热至升高的温度。对于高品质外延沉积，需要生产基座以具有精确尺寸且在重复的迅速加热处理及冷却处理期间维持其形状，特别是平坦度。即，基座需要具有卓越抗热震性、高机械强度，及高热稳定性。再者，基座的材料需要不透气且不释气，使得在CVD腔室中基座充当从基座及外侧环境两者释放的污染物的屏障。此材料的示例包括碳化硅(SiC)，且因此基座通常以石墨基板制成，该基座具有前侧和后侧，该前侧具有口袋，以用于在其中保持晶片，该后侧具有通过CVD处理用碳化硅(SiC)涂布的平坦且平面的表面，。然而，众所周知，通常SiC涂布的石墨基座在CVD处理期间会发生翘曲及弯曲。由于热膨胀系数(CTE)的不匹配及基座的前侧及背侧之间的设计差异，石墨基板及SiC涂层之间的界面应力会引发这种翘曲及弯曲。近来半导体晶片处理中的需要(例如用于处理更大尺寸的晶片的基座的增加的尺寸，用于轻量及耐用基座的SiC涂层及石墨基板的增加的厚度比例，及在基座的前侧上口袋的精致的设计)进一步增加了界面应力。
因此，需要能够减缓翘曲及弯曲，且同时符合尺寸、重量及设计的需求的基座。
发明内容
本公开内容的实施方式包括一种在处理腔室中使用以用于支撑晶片的基座。基座包括基座基板，基座基板具有前侧及与前侧相对的背侧，及沉积于基座基板上的涂层。前侧具有被配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中口袋，口袋以第一图案纹理化，且背侧以第二图案纹理化。
本公开内容的实施方式还包括一种处理腔室。处理腔室包括与一个或多个气源流体连通的腔室主体；包括基座的基板支撑组件，。基座包括基座基板，基座基板具有前侧及与前侧相对的背侧，及沉积于基座基板上的涂层。前侧具有配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中的口袋，口袋以第一图案纹理化，且背侧以第二图案纹理化。
本公开内容的实施方式进一步包括一种用于制造在处理腔室中使用以用于支撑晶片的基座的方法。方法包括形成基座基板，基座基板具有前侧及与前侧相对的背侧；形成被配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中的口袋；以第一图案纹理化口袋；以第二图案纹理化背侧；及在基座基板上形成涂层。
附图说明
为了可详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考示例获得以上简要概述的更具体说明，示例中的一些图示于附图中。然而，应理解，附图仅图示某些示例，且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可认可其他均等效果的示例。
图1是根据本公开内容的某些示例的示例多重腔室处理系统的示意俯视图。
图2是根据本公开内容的某些示例的可用以执行外延成长的热处理腔室的截面图。
图3A及图3B是根据一个实施方式的基座的截面图扫描电子显微镜(SEM)影像及俯视图SEM影像。
图4是根据一个实施方式的可用于制造基座的方法的流程图。
图5A、图5B及图5C是根据一个实施方式的基座500的一部分的示意截面图。
图6A、图6B、图6C及图6D是根据一个实施方式的基座的等距视图、前视图、放大前视图及后视图。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F及图7G图示了根据一个实施方式的可施加至基座的背侧的各种图案。
为了促进理解，已尽可能地使用相同的附图标记表示共通附图中相同的元件。
具体实施方式
通常，本文描述的示例涉及基座，以在其上保持用于半导体晶片处理的晶片，且更具体而言，涉及碳化硅涂布的基座，该基座具有纹理化的背侧以在外延沉积处理中使用。由于基座的背侧上的纹理化，在外延沉积处理期间基座基板及涂层之间的界面应力降低，从而降低基座的翘曲及弯曲，且增加基座的平坦度。
图1是根据本公开内容的某些实施方式的多重腔室处理系统100的示例的示意俯视图。处理系统100大致包括工厂接口102，装载锁定腔室104、106，具有相应传送机器人112、114的传送腔室108、110，保持腔室116、118，及处理腔室120、122、124、126、128、130。如本文详述，在处理系统100中的晶片可在各种腔室之间处理并传送，而不会将晶片暴露至处理系统100外部的周边环境(举例而言，诸如可在工厂中存在的大气周边环境)。举例而言，晶片可以在低压(例如，小于或等于约300Torr)或真空环境中在各种腔室之间处理并传送，而在处理系统100中在晶片上执行各种处理之间不破坏低压或真空环境。因此，处理系统100可提供用于晶片的某些处理的整合的解决方案。
可适合根据本文提供的技术修改的处理系统的示例包括
Figure BDA0004085014250000031
Figure BDA0004085014250000032
或/>
Figure BDA0004085014250000033
整合的处理系统，或可从位于美国加州圣克拉拉市的应用材料公司购得的其他适合的处理系统。预期其他处理系统(包括来自其他制造商者)可适于从本文描述的方面获益。
在图1的图示的示例中，工厂接口102包括对接站140及工厂接口机器人142，以促进晶片的传送。对接站140被配置成接收一个或多个前开式标准舱(FOUP)144。在某些示例中，各个工厂接口机器人142通常包含设置于相应的工厂接口机器人142的一端上的叶片148，被配置成从工厂接口102传送晶片至装载锁定腔室104、106。
装载锁定腔室104、106具有耦接至工厂接口102的相应的端口150、152，及耦接至传送腔室108的相应的端口154、156。传送腔室108进一步具有耦接至保持腔室116、118的相应的端口158、160，及耦接至处理腔室120、122的相应的端口162、164。类似地，传送腔室110具有耦接至保持腔室116、118的相应的端口166、168，及耦接至处理腔室124、126、128、130的相应的端口170、172、174、176。端口154、156、158、160、162、164、166、168、170、172、174、176可以例如是具有狭缝阀的狭缝阀开口，用于通过传送机器人112、114通过其中传送晶片，并用于在相应的腔室之间提供密封，以避免气体在相应的腔室之间通过。通常，任何端口被开启，以用于传送晶片通过其中；否则端口关闭。
装载锁定腔室104、106、传送腔室108、110、保持腔室116、118及处理腔室120、122、124、126、128、130可流体耦接至气体及压力控制器统(未特定图示)。气体及压力控制系统可包括流体耦接至各种腔室的一个或多个气体泵(例如，涡轮泵、低温泵、粗抽泵)、气源、各种阀门及导管。在操作中，工厂接口机器人142从FOUP 144传送晶片通过端口150或152至装载锁定腔室104或106。气体及压力控制系统接着抽空装载锁定腔室104或106。气体及压力控制系统进一步将传送腔室108、110及保持腔室116、118维持在低压或真空环境(可包括惰性气体)。因此，抽空装载锁定腔室104或106促进晶片例如在工厂接口102的大气环境及传送腔室108的低压或真空环境之间通过。
在晶片位于已被抽空的装载锁定腔室104或106之中的情况下，传送机器人112从装载锁定腔室104或106通过端口154或156传送晶片至传送腔室108。传送机器人112接着能够通过相应的端口162、164将晶片传送至任何处理腔室120、122和/或在任何处理腔室120、122之间传送晶片以用于处理，及通过相应的端口158、160将晶片传送至任何保持腔室116、118和/或在任何保持腔室116、118之间传送晶片，以用于保持来等待进一步的传送。类似地，传送机器人114能够通过端口166或168接取(access)保持腔室116或118中的晶片，且能够通过相应的端口170、172、174、176将晶片传送至任何处理腔室124、126、128、130和/或在任何处理腔室124、126、128、130之间传送剪片，以用于处理，且通过相应的端口166、168将晶片传送至任何保持腔室116、118和/或在任何保持腔室116、118之间传送晶片，以用于保持来等待进一步传送。可在由气体及压力控制系统提供的低压或真空环境中在各个腔室之中及之间传送及保持晶片。
处理腔室120、122、124、126、128、130可以是用于处理晶片的任何适当的腔室。在某些示例中，处理腔室122能够执行清洁处理；处理腔室120能够执行蚀刻处理；且处理腔室124、126、128、130能够执行相应的外延成长处理。处理腔室122可以是可从美国加州圣克拉拉市的应用材料公司取得的SiCoNiTM预清洁腔室。处理腔室120可以是可从美国加州圣克拉拉市的应用材料公司取得的SelectraTM蚀刻腔室。
系统控制器190耦接至处理系统100，以用于控制处理系统100或其部件。举例而言，系统控制器190可使用对处理系统100的腔室104、106、108、116、118、110、120、122、124、126、128、130的直接控制或通过控制与腔室104、106、108、116、118、110、120、122、124、126、128、130相关联的控制器来控制处理系统100的操作。在操作中，系统控制器190能够从各个腔室收集数据和反馈，以协调处理系统100的性能。
系统控制器190通常包括中央处理单元(CPU)192、存储器194及支援电路196。CPU192可以是可在工业设定中使用的任何形式的通用处理器的一者。存储器194或非暂态计算机可读取介质可由CPU 192访问，且可以是一个或多个存储器，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的数字储存，本地或远程的。支援电路196耦接至CPU 192且可包含高速缓存、时钟电路、输入/输出子系统、电源供应器及类似者。本文所公开的各种方法通常可在CPU 192的控制下通过CPU 192执行储存于存储器194(或具体处理腔室的存储器)中的计算机指令代码以作为例如软件例程来实施。当由CPU 192执行计算机指令代码时，CPU 192控制腔室以执行根据各种方法的处理。
其他处理系统可以是其他配置。举例而言，更多或更少的处理腔室可耦接至传送装置。在图示的示例中，传送装置包括传送腔室108、110及保持腔室116、118。在其他示例中，可实施更多或更少的传送腔室(例如，一个传送腔室)和/或更多或更少的保持腔室(例如，无保持腔室)，以作为处理系统中的传送装置。
图2是可用于执行外延成长的处理腔室200的截面图。处理腔室200可以是来自图1的处理腔室120、122、124、126、128、130的任一者。根据本文所公开的实施方式可修改的适合的处理腔室的非限制示例可包括RP EPI反应器、Elvis腔室及Lennon腔室，它们均可从美国加州圣克拉拉市的应用材料公司商业取得。处理腔室200可添加至可从美国加州圣克拉拉市的应用材料公司取得的
Figure BDA0004085014250000061
整合的处理系统。尽管以下说明处理系统200用以执行本文描述的各种实施方式，来自不同制造商的其他半导体处理腔室亦可用于执行在本公开内容中所述的实施方式。
处理腔室200包括腔室主体202、支撑系统204及控制器206。腔室主体202包括上部分208及下部分210。上部分208包括腔室主体202之中位于上部圆顶212及晶片W之间的区域。下部分210包括腔室主体202之中位于下部圆顶214及晶片W的底部之间的区域。沉积处理大致在上部分208之中发生于晶片W的上部表面。
支撑系统204包括用以执行且监控预定的处理的部件，例如在处理腔室200中外延膜的成长。控制器206耦接至支撑系统204且适于控制处理腔室200及支撑系统204。控制器206可以是系统控制器190或由系统控制器190控制的控制器，用于控制处理腔室200之中的处理。
处理腔室200包括多个加热源，例如灯216，其适于提供热能量至定位于处理腔室200之中的部件。举例而言，灯216可适于提供热能量至晶片W、基座218和/或预热环220。下部圆顶214可由光学透明的材料形成，例如石英，以促进热辐射从中通过。设想灯216可定位为提供热能量通过上部圆顶212以及下部圆顶214。
腔室主体202包括形成于其中的多个气室。气室与一个或多个气源222(例如载体气体)及一个或多个前驱物源224(例如沉积气体及掺杂气体)流体连通。举例而言，第一气室226可适于提供沉积气体228通过其进入腔室主体202的上部部分208中，同时第二气室230可适于从上部部分208排出沉积气体228。以此方式，沉积气体228可平行于晶片W的上部表面流动。
在使用液体前驱物的情况中，处理腔室200可包括与液体前驱物源234流体连通的液体蒸发器232。液体蒸发器232用于蒸发待传输至处理腔室200的液体前驱物。尽管未显示，设想液体前驱物源234可包括例如前驱物液体及溶剂液体的一个或多个安瓿、截止阀及液体流量计(LFM)。
基板支撑组件236定位于腔室主体202的下部分210中。基板支撑组件236图示为在处理位置中支撑晶片W。基板支撑组件236包括由光学透明材料形成的基座支撑杆238及由基座支撑杆238支撑的基座218。基座支撑杆238的杆240定位于护罩242内，升降销触点244耦接至护罩242。基座支撑杆238是可旋转的，以便在处理期间促进晶片W的旋转。基座支撑杆238的旋转由耦接至基座支撑杆238的致动器246促进。护罩242大致固定就位，且因此在处理期间不会旋转。支撑销248将基座支撑杆238耦接至基座218。
升降销250设置为通过形成在基座支撑杆238中的开口(未标记)。升降销250是可垂直致动的，且适于接触基板W的下侧，以将基板W从处理位置(如图所示)提升至基板移除位置。
预热环220可移除地设置于耦接至腔室主体202的下部衬垫252上。预热环220围绕腔室主体202的内部空间设置，且当基板W在处理位置中时环绕基板W。随着处理气体通过与预热环220相邻的第一气室226进入处理腔室202，预热环220促进处理气体的预加热。
上部圆顶212的中心窗部分254及下部圆顶214的底部部分256可由光学透明材料形成，例如石英。围绕中心窗部分254的圆周接合中心窗部分254的上部圆顶212的周边凸缘258，围绕底部部分256的圆周接合底部部分256的下部圆顶214的周边凸缘260，均可由不透明石英形成，以保护靠近周边凸缘的O形环262不直接暴露至加热辐射。周边凸缘258可以由光学透明材料形成，例如石英。
图3A及图3B是根据一个实施方式的基座300的截面图扫描电子显微镜(SEM)影像及俯视图SEM影像。基座300可以是来自图2的设置在处理腔室200中的基座218。基座300包括基座基板302及涂层304。基座基板302由石墨形成。涂层304由碳化硅(SiC)形成。石墨基板302可以是多孔的，具有其中形成碳化硅(SiC)卷须的孔隙306。这种碳化硅(SiC)的形成在基座300中提供强化的机械特性。
图4根据一个实施方式的方法400的流程图，方法400可用于制造具有前侧508及与前侧508相对的背侧510的基座500。图5A、图5B及图5C是与方法400的各种阶段相对应的基座500的一部分的示意截面图。图6A、图6B、图6C及图6D是根据方法400制造的基座500的等距视图、前视图、放大前视图及后视图。图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F及图7G图示可根据方法400施加至基座500的背侧510的各种图案。基座500可以是来自图2的设置于处理腔室200中的基座218。
在方块402中，形成基座基板502。首先，如图5A中所显示，通过将任何适合的石墨坯锯切成圆盘状板并研磨圆盘状板的表面，来准备基座基板502。基座基板502可以由具有至少99％纯度的石墨形成。基座基板502可具有介于约150mm及约400mm之间的直径，例如约370mm，及介于约1mm及约15mm之间的厚度，例如约3.70mm。
在方块404中，基座基板502可接着经历表面处理，例如精确加工以用于将特定表面结构施加至基座基板502的表面。表面结构可使用本领域中已知的传统方法施加。在表面处理期间，如图5B中所显示，在基座500的前侧508上形成口袋512，以将晶片(未显示)保持在基座凸耳514之中。口袋512可以是圆柱形凹槽，具有介于约150mm及约300mm之间的直径，例如约300mm，及介于约0.30mm及约1.00mm之间的深度，例如约0.40mm。基座凸耳514可具有介于约15mm及约70mm之间的宽度，例如约35mm。基座的背侧510加工成平坦及平面表面。
接着，如图6B及图6C中所显示，通过精确加工，以网格图案518纹理化前侧508上的口袋512的表面516。网格图案518可具有介于约0.20mm及约3.00mm之间的宽度，例如约0.43mm，介于约0.80mm及约3.00mm之间的间距，例如约1.14mm，及介于约0.10mm及约5.00mm之间的深度，例如约0.31mm。
在方块404中，背侧510也通过精确加工被纹理化。在某些实施方式中，背侧510的表面520以图案均匀地纹理化。图案的一个示例是与施加至前侧508上的口袋512的表面516的网格图案518匹配的网格图案。图案的另一示例是条带图案，例如具有介于约0.50mm及约30.00mm之间的宽度，例如约3mm，介于约0.50mm及约3.00mm之间的间距，例如约0.8mm，及介于约0.10mm及约5.00mm之间的深度，例如约0.3mm。在某些其他实施方式中，环状图案522形成于背侧510的表面520的外部边缘。环状图案522可具有介于约0.10mm及约5.00mm之间的厚度，例如约0.30mm，及介于约5.00mm及约50.00mm之间的宽度，例如约35.00mm。环状图案522的宽度可类似于前侧508上的基座凸耳514的宽度，以补偿由前侧508及背侧510之间的结构差异引发的界面应力。在一个示例中，如图7A中所显示，环状图案522包括切口524。切口524可具有介于约5mm及约45mm之间的宽度，例如约30mm，介于约50mm及约120mm之间的长度，例如约100mm。在另一示例中，如图7B中所显示，环状图案522由在背侧510的表面520的外部边缘上径向设置的条形部分526的阵列形成。各个条形部分526可具有介于约10mm及约50mm之间的长度，例如约30mm，及介于约0.50mm及约5.00mm之间的宽度，例如约1.00mm。环状图案522可包括如图7C及图7D中所显示的其他形状。在某些其他实施方式中，如图7E中所显示的多重环状图案528，如图7F中所显示的多重径向线图案530，及如图7G中所显示的多重环状图案528及多重径向线图案530的组合可形成于背侧510的表面520上。多重环状图案528的各者可具有介于约1mm及约20mm之间的宽度，例如约1.60mm，介于约0.1mm及约5mm之间的深度，例如约0.30mm，在约150mm及约300mm之间变化的直径，并且相邻环状图案528之间的径向距离介于约1mm及约20mm之间，例如约1.60mm。多重径向线图案530的各者可具有介于约1mm及约20mm之间的宽度，例如约1.60mm，介于约0.1mm及约5mm之间的深度，例如约0.30mm，约150mm及约300mm的长度，例如约300mm，相邻径向线图案530之间的角度介于约0.5°及约45°之间，例如约5°。
在方块406中，基座基板502可接着经历净化处理及氯化处理。基座基板502可在炉中加热且在高达约2000℃的温度下用氮气净化。氯气吹扫至炉中以通过氯化含碳材料(例如石墨)以移除金属元素杂质，从而从基座基板502移除金属元素杂质。在净化处理及氯化处理中，基座基板502的杂质水平可降低为低于约5ppm。
在方块408中，通过CVD处理在基座基板502上共形沉积碳化硅(SiC)，从而在基座基板502上形成涂层504。碳化硅(SiC)使用有机硅前驱物来沉积。涂层504可具有介于约40μm及约300μm之间的厚度，例如约80μm。
在方块410中，具有涂层504在基座基板502上的基座500接着经历品质保证(QA)检测。基座500的最终尺寸由通过感测在基座500的表面上的离散点进行的坐标测量机器(CMM)测量来确定。
发明人已观察到根据以上描述的方法400的方块402至410(即，不包括方块410用于纹理化基座500的背侧510)制造的在背侧510上具有平坦及平面表面的约3.70mm厚的基座500的翘曲及弯曲，且分别为约5.00mm厚及约6.35mm厚的基座500的翘曲及弯曲并未降低，其各者在背侧上具有平坦及平面表面。发明人已观察到，相较于在背侧510上具有平坦及平面表面的约3.70mm厚的基座500，在背侧510纹理化有与施加至前侧508上的口袋512的表面516的网格图案518匹配的网格图案的约3.70mm厚的基座中的翘曲及弯曲降低了约75.5％，且背侧510纹理化有条带图案的约3.70mm厚的基座500中的翘曲及弯曲降低了约64.6％。
在本文描述的实施方式中，在外延沉积处理中将晶片保持在其上的碳化硅涂布的基座具有纹理化的背侧。归因于基座的背侧上的纹理化，在外延沉积处理期间降低基座基板及涂层之间的界面应力，降低基座的翘曲及弯曲，且增加基座的平坦度。
应理解，以上描述的具体配置在根据本公开内容的平坦基座的数个可能示例设计之中，且并非限制根据本公开内容的图案的可能的配置、规格或类似者。举例而言，在基座的背侧上的纹理化并非限于以上描述的图案。在其他示例中，基座的背侧可以以其他图案进行纹理化，以降低在外延处理期间导致的基座基板及涂层之间的界面应力。
尽管上文涉及特定实施方式，但可在不背离本公开内容的基本范围的情况下设计其他及进一步实施方式，且本公开内容的范围由随附权利要求书确定。

Claims (20)

1.一种在处理腔室中使用以用于支撑晶片的基座，所述基座包含：
基座基板，所述基座基板具有前侧及与所述前侧相对的背侧；及
涂层，所述涂层沉积于所述基座基板上，其中
所述前侧具有被配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中的口袋，所述口袋以第一图案纹理化，并且
所述背侧以第二图案纹理化。
2.根据权利要求1所述的基座，其中所述第一图案为网格图案，所述网格图案具有介于0.20mm及3.00mm之间的宽度，介于0.80mm及3.00mm之间的间距，及介于0.10mm及5.00mm之间的深度。
3.根据权利要求2所述的基座，其中所述第二图案与所述第一图案相同。
4.根据权利要求2所述的基座，其中所述第二图案为条带图案，所述条带图案具有介于0.50mm及30.00mm之间的宽度，介于0.50mm及3.00mm之间的间距，及介于0.10mm及5.00mm之间的深度。
5.根据权利要求2所述的基座，其中所述第二图案包含形成于所述背侧的表面的外部边缘上的凸耳。
6.根据权利要求1所述的基座，其中所述基座基板包含石墨。
7.根据权利要求1所述的基座，其中所述基座基板为圆盘状板，所述圆盘状板具有介于150mm及400mm之间的直径及介于1mm及15mm之间的厚度。
8.根据权利要求1所述的基座，其中所述口袋为圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽具有介于150mm及300mm之间的直径及介于0.30mm及1.00mm之间的深度。
9.根据权利要求1所述的基座，其中所述涂层包含碳化硅(SiC)。
10.一种处理腔室，包含：
腔室主体，所述腔室主体与一个或多个气源流体连通；
基板支撑组件，所述基板支撑组件包含基座，其中所述基座包含：
基座基板，所述基座基板具有前侧及与所述前侧相对的背侧；及
涂层，所述涂层沉积于所述基座基板上，其中
所述前侧具有被配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中的口袋，所述口袋以第一图案纹理化，并且
所述背侧以第二图案纹理化。
11.根据权利要求10所述的处理腔室，其中所述第一图案为网格图案，所述网格图案具有介于0.20mm及3.00mm之间的宽度，介于0.80mm及3.00mm之间的间距，及介于0.10mm及5.00mm之间的深度。
12.根据权利要求11所述的处理腔室，其中所述第二图案与所述第一图案相同。
13.根据权利要求11所述的处理腔室，其中所述第二图案为条带图案，所述条带图案具有介于0.50mm及30.00mm之间的宽度，介于0.50mm及3.00mm之间的间距，及介于0.10mm及5.00mm之间的深度。
14.根据权利要求11所述的处理腔室，其中所述第二图案包含形成于所述背侧的表面的外部边缘上的凸耳。
15.根据权利要求1所述的基座，其中
所述基座基板包含石墨；且
所述涂层包含碳化硅(SiC)。
16.一种用于制造在处理腔室中使用以用于支撑晶片的基座的方法，所述方法包含以下步骤：
形成基座基板，所述基座基板具有前侧及与所述前侧相对的背侧；
形成口袋，所述口袋被配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中；
以第一图案纹理化所述口袋；
以第二图案纹理化所述背侧；及
在所述基座基板上形成涂层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一图案为网格图案，所述网格图案具有介于0.20mm及3.00mm之间的宽度，介于0.80mm及3.00mm之间的间距，及介于0.10mm及5.00mm之间的深度。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二图案与所述第一图案相同。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二图案为条带图案，所述条带图案具有介于0.50mm及30.00mm之间的宽度，介于0.50mm及3.00mm之间的间距，及介于0.10mm及5.00mm之间的深度。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二图案包含形成于所述背侧的表面的外部边缘上的凸耳。
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