CN115833769B - 声表面波器件的制造方法、声表面波器件以及射频模组 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种声表面波器件及其制造方法和射频模组，其中制造方法包括如下步骤：晶圆具有两个晶圆表面，晶圆表面具有响应于声表面波的功能区与非功能区；在非功能区形成多个焊球。对第二晶圆表面进行减薄。在非功能区中相邻的焊球之间设置切割道，沿着切割道进行切割，形成多个晶粒。提供基板，基板具有两个基板表面，将晶粒通过焊球倒装焊接到第一基板表面上。采用封装树脂覆盖基板与晶粒远离基板的表面。采用树脂减薄装置对封装树脂进行减薄，形成封装体。切割封装体形成多个声表面波器件。采用以上设计，能够实现声表面波器件整体封装厚度较小，从而实现了超薄封装，提供了声表面波器件的性能并且实现了小型化。

Description

声表面波器件的制造方法、声表面波器件以及射频模组

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，具体而言涉及一种声表面波器件的制造方法、声表面波器件及射频模组。

背景技术

声表面波滤波器的市场随着通信频段的增加而快速增长，对器件的小型化、超薄化的要求日益提高。声表面波滤器目前主要的封装技术还是用引线键合陶瓷、金属、塑料封装、表面贴装和倒装焊等形式，现有的这类滤波器封装形式和结构存在以下缺点：现有部分封装形式厚度较厚，不满足当前射频模块的要求。现有的封装基板尺寸较大，不满足当前尺寸小型化的要求。现有封装对基板及密封盖平整度要求严苛，容易引起产品可靠性失效。器件安装准确性、信号导线的影响焊接角度等这一系列不定便造成了器件性能的不一致，甚至对滤波器造成破坏。

特别是针对CSP(Chip Scale Package)封装技术，现有的技术都是先采用覆晶的方式将芯片固定在封装基板上，接着在芯片背面贴附一层塑封料，再采用真空覆膜方式将塑封料压入切割道和芯片周边；整体方案基板层数较多且工艺复杂，整体厚度较大，无法实现超薄封装，且塑封料过多进入封装成的空腔内，影响电极性能；制约了声表面波滤波器的性能和产能。

发明内容

本申请的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够实现超薄封装且性能良好的声表面波滤波器的制造方法。

为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：

根据本申请的一个方面，提供了一种声表面波器件的制造方法，包括：

S1，晶圆植球步骤，提供晶圆，所述晶圆具有相背设置的第一晶圆表面和第二晶圆表面，所述第一晶圆表面具有响应于声表面波的功能区与在所述功能区之间间隔设置的非功能区；在所述晶圆的所述非功能区形成多个焊球；

S2，晶圆减薄步骤，将所述晶圆的第一晶圆表面固定在晶圆夹持装置上，采用晶圆减薄装置对所述第二晶圆表面进行减薄；

S3，晶圆切割步骤，在所述非功能区中相邻的焊球之间设置切割道，沿着所述切割道进行晶圆切割，形成多个晶粒；

S4，晶粒倒装步骤，提供基板，所述基板具有相背设置的第一基板表面和第二基板表面，将所述晶粒通过所述焊球倒装焊接到所述第一基板表面上；

S5，树脂封装步骤，采用封装树脂覆盖所述基板与所述晶粒远离所述基板的表面；

S6，树脂减薄步骤，将所述基板的第二基板表面固定在基板夹持装置上，采用树脂减薄装置对所述封装树脂进行减薄，形成封装体；

S7，切割步骤，切割所述封装体形成多个所述声表面波器件。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S1中，在所述非功能区采用锡膏印刷方法形成焊球，所述锡膏印刷方法为：在所述第一晶圆表面设置钢网，所述钢网具有贯通槽，所述贯通槽的高度为10-90微米，将锡膏印刷于所述贯通槽，喷洒助焊剂，加热形成所述焊球。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S1中，在所述非功能区采用金丝球焊方法形成焊球，所述金丝球焊方法为：通过打火放电将焊丝熔化为预备焊球，将所述预备焊球移动到所述非功能区，热压超声焊接使得所述预备焊球与晶圆产生冶金连接，形成所述焊球。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S2中，所述晶圆减薄装置的减薄区域面积小于所述第二晶圆表面面积，减薄方法包括：沿所述第二晶圆表面设置运动轨迹，所述运动轨迹为同心圆、螺旋线、正弦线中的一种或几种，所述晶圆减薄装置沿所述运动轨迹运动并同时在自转。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S2中，减薄方法包括：采用第一晶圆减薄装置对所述第二晶圆表面进行初步减薄，采用第二晶圆减薄装置对所述第二晶圆表面进行二次减薄，二次减薄后的晶圆厚度为130-180μm。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S1与步骤S2之间还包括，S102，保护膜覆盖步骤，在所述第一晶圆表面与所述焊球表面覆盖所述保护膜，所述保护膜为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚氨酯、聚酯膜，亚克力胶中的一种或几种。

根据本申请的一实施方式，在步骤S2之后增加步骤S201，采用激光或者紫外线去除所述保护膜。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S3中，采用激光脉冲进行切割，所述激光脉冲的能量为2-4W，所述激光脉冲的能量密度为0.01-0.05J/cm2。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S5中，封装后，所述封装树脂的表面与所述第二晶圆表面之间的距离为30-180μm。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S5与S6之间还包括，步骤S501，基板打孔固定步骤，沿着所述基板的外周方向设置多个孔，所述基板夹持装置通过所述孔对所述基板进行限位固定，固定后采用加热装置对整体进行加热。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S6与S7之间还包括，步骤S601，性能测试步骤，在所述第二基板表面上设置基板电极，所述基板电极与所述声表面波器件对应，采用与所述基板电极行列数相同的测试探针与测试电路板对所述声表面波器件进行性能测试，标记性能不合格的所述声表面波器件的行列位置。

根据本申请的一实施方式，所述步骤S7之后还包括，步骤S701，不良品去除步骤，按照性能不合格的所述声表面波器件的所述行列位置进行不良品去除。

根据本申请的另一方面，提供一种声表面波器件，所述声表面波器件采用上述任一项所述的方法制造，所述声表面波器件的厚度H为245-450μm，其中，所述声表面波器件的厚度H是指：封装后所述封装树脂的表面与所述第二基板表面之间的距离。

根据本申请的一实施方式，封装后，所述封装树脂的表面与所述第二晶圆表面之间的距离为第一厚度H1，所述第一厚度H1为30-180μm；所述晶圆的厚度为第二厚度H2，其中所述第二厚度H2为130-180μm；所述第一晶圆表面和第一基板表面之间的距离为第三厚度H3，所述第三厚度H3为5-80μm；所述基板的厚度为第四厚度H4，所述第四厚度H4为80-160μm。

根据本申请的第三方面，提供一种射频模组，射频模组包括：射频模组焊球；射频模组基板；射频模组封装结构；声表面波器件和非声表面波器件，其中所述的声表面波器件采用上述的声表面波器件；其中所述的非声表面波器件为电感、电容、功率放大器、低噪声放大器中的一种或几种；其中，所述声表面波器件和所述非声表面波器件均通过所述射频模组焊球连接至所述射频模组基板；所述射频模组封装结构覆盖所述声表面波器件、所述非声表面波器件和所述射频模组基板。

由上述技术方案可知，本申请提出的声表面波器件的制造方法的优点和积极效果在于：

本申请提出的声表面波器件的制造方法，包括：S1，晶圆植球步骤，提供晶圆，晶圆具有相背设置的第一晶圆表面和第二晶圆表面，第一晶圆表面具有响应于声表面波的功能区与在功能区之间间隔设置的非功能区。将晶圆表面设置为功能区和非功能区，能够保证切割时的准确性和精确性，并且可以避免因切割位移而误切到功能区的问题。在所述晶圆的所述非功能区形成多个焊球；S2，晶圆减薄步骤，将所述晶圆的第一晶圆表面固定在晶圆夹持装置上，采用晶圆减薄装置对所述第二晶圆表面进行减薄。采用先晶圆植球再晶圆减薄的工艺步骤顺序，可以减少由于晶圆过薄在植球步骤中的强度不足问题，而且晶圆采用单面减薄工艺，相对于双面减薄，能够更好的控制晶圆背面的粗糙度和晶向，在一定程度上截断体声波的辐射路径，提高声表面波器件的带外抑制性能。S3，晶圆切割步骤，在所述非功能区中相邻的焊球之间设置切割道，沿着所述切割道进行晶圆切割，形成多个晶粒；S4，晶粒倒装步骤，提供基板，所述基板具有相背设置的第一基板表面和第二基板表面，将所述晶粒通过所述焊球倒装焊接到所述第一基板表面上；S5，树脂封装步骤，采用封装树脂覆盖所述基板与所述晶粒远离所述基板的表面；S6，树脂减薄步骤，将所述基板的第二基板表面固定在基板夹持装置上，采用树脂减薄装置对所述封装树脂进行减薄，形成封装体。采用树脂封装后减薄的方式，封装后整体厚度较小，能够实现超薄封装，且可以避免塑封料过多进入封装成的空腔内，提高电极性能。S7，切割步骤，切割封装体形成多个所述声表面波器件。上述声表面波器件的制造方法能够实现声表面波器件的超薄封装且性能良好，有利于器件的小型化。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本申请的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1是本申请的声表面波器件的制造方法的步骤框图。

图2是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S1的示意图。

图3是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S2的示意图。

图4是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S3的示意图。

图5是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S4的示意图。

图6是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S5的示意图。

图7是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S6的示意图。

图8是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S7的示意图。

图9是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S2中晶圆减薄装置的另一实施方式的示意图。

图10是图9中晶圆减薄装置的运动轨迹和运动方向的示意图。

图11是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S102的示意图。

图12是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S501的示意图。

图13是本申请的声表面波器件的制造方法中步骤S601的示意图。

图14A是本申请的声表面波器件的结构示意图。

图14B是本申请的声表面波器件的结构示意图。

图15是本申请的射频模组的结构示意图。

其中，附图标记说明如下：

1-晶圆；

2-焊球；

3-晶圆夹持装置；

4-晶圆减薄装置；

5-切割道；

6-晶粒；

7-基板；

8-封装树脂；

9-基板夹持装置；

10-树脂减薄装置；

11-探针；

12-测试电路板；

100-声表面波器件；

101-第一晶圆表面；

102-第二晶圆表面；

103-功能区；

104-非功能区；

401-晶圆减薄装置的公转运动轨迹；

402-晶圆减薄装置的自传运动方向；

701-第一基板表面；

702-第二基板表面；

703-孔；

801-封装树脂表面；

112-保护膜；

1101-电容/电感；

1102-功率放大器/低噪声放大器；1103-射频模组锡球；

1104-射频模组基板；

1105-射频模组封装结构。

H-声表面波器件的厚度；

H1-第一厚度；

H2-第二厚度；

H3-第三厚度；

H4-第四厚度。

具体实施方式

体现本申请特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本申请能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本申请的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本申请。

在对本申请的不同示例性实施例的下面描述中，参照附图进行，所述附图形成本申请的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本申请的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解的是，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本申请范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“上”、“中间”、“内”等来描述本申请的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本申请的范围内。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施例作详细的说明。

如图1至图7所示，本申请的声表面波器件的制造方法包括：

S1，晶圆植球步骤，提供晶圆1，晶圆1具有相背设置的第一晶圆表面101和第二晶圆表面102，第一晶圆表面101具有响应于声表面波的功能区103与在功能区103之间间隔设置的非功能区104；在晶圆1的非功能区104形成多个焊球2；

S2，晶圆减薄步骤，将晶圆1的第一晶圆表面101固定在晶圆夹持装置3上，采用晶圆减薄装置4对第二晶圆表面102进行减薄；

S3，晶圆切割步骤，在非功能区104中相邻的焊球2之间设置切割道5，沿着切割道5进行晶圆切割，形成多个晶粒6；

S4，晶粒倒装步骤，提供基板7，基板7具有相背设置的第一基板表面701和第二基板表面702，将晶粒6通过焊球2倒装焊接到第一基板表面701上；

S5，树脂封装步骤，采用封装树脂8覆盖基板7与晶粒6远离基板的表面；

S6，树脂减薄步骤，将基板7的第二基板表面702固定在基板夹持装置9上，采用树脂减薄装置10对封装树脂进行减薄，形成封装体；

S7，切割步骤，切割封装体形成多个声表面波器件100。

与半导体制备领域常用的单晶硅相比，声表面波器件的晶圆可以为单晶铌酸锂、钽酸锂、蓝宝石等，其断裂韧性和硬度较低，例如铌酸锂的断裂韧性是单晶硅的三分之一，在晶圆减薄的过程中，容易发生晶圆碎裂、边缘缺角、平坦度不足的问题。晶圆减薄前，厚度一般为大约200-800微米，现有技术采用紫外线保护膜，晶圆减薄装置采用匀速旋转运动，由于晶圆中心与外周的研磨速率不同，获得的晶圆平坦度差且最终厚度大于250微米的晶圆，无法加工厚度200微米以下的晶圆。本申请采用先晶圆植球再晶圆减薄的工艺步骤顺序，首先可以减少由于晶圆过薄在植球步骤中的强度不足问题，其次晶圆采用单面减薄工艺，相对于双面减薄，能够更好的控制晶圆背面的粗糙度和晶向，在一定程度上截断体声波的辐射路径，能够提高声表面波器件的带外抑制性能。实现了声表面波器件的超薄封装且性能良好，有利于器件的小型化。

在本实施例中，步骤S1中，在非功能区104采用锡膏印刷方法形成焊球2，锡膏印刷方法为：在第一晶圆表面101设置钢网，钢网具有贯通槽，贯通槽的高度为10-90微米，将锡膏印刷于贯通槽，喷洒助焊剂，加热形成焊球2。贯通槽的高度为10-90微米，贯通槽厚度较小，能够使得锡膏脱模容易，脱模时不易产生锡膏拉间等印刷异常，提高晶圆植球的均匀性。

在本实施例中，步骤S1中，在非功能区104采用金丝球焊方法形成焊球2，金丝球焊方法为：通过打火放电将焊丝熔化为预备焊球，将预备焊球移动到非功能区104，热压超声焊接使得预备焊球与晶圆产生冶金连接，形成焊球2。金丝球焊方法为焊接面提供了良好的接触界面和金属结构，提高了植球的键合强度。

在本实施例中，如图9至图10所示，步骤S2中，晶圆减薄装置4的减薄区域面积小于第二晶圆表面102面积，减薄方法包括：沿第二晶圆表面102设置运动轨迹401，运动轨迹401为同心圆周、螺旋线、正弦线中的一种或几种，晶圆减薄装置4沿运动轨迹运动并同时在沿自转方向402自转。运动轨迹依照晶圆的材料、晶向、尺寸而不同。采用公转并自传的减薄方式进行减薄，能够使得晶圆的减薄平稳，晶圆表面精度高。

在本实施例中，步骤S2中，减薄方法包括：采用第一晶圆减薄装置对第二晶圆表面102进行初步减薄，采用第二晶圆减薄装置对第二晶圆表面102进行二次减薄，二次减薄后的晶圆厚度为130-180μm。

第一晶圆减薄装置为300-1000#磨轮，所述第二晶圆减薄装置为3000-6000#磨轮。由此，可以在提高减薄效率的同时提高减薄精度，相对于双面减薄，能够更好的控制晶圆背面的粗糙度和晶向，在一定程度上截断体声波的辐射路径，提高声表面波器件的带外抑制性能。

在本实施例中，如图11所示，步骤S1与步骤S2之间还包括：

S102，保护膜覆盖步骤，在第一晶圆表面101与焊球2表面覆盖保护膜112，保护膜112为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚氨酯、聚酯膜，亚克力胶中的一种或几种。在步骤S2之后增加步骤S201，激光或者紫外线去除保护膜112。

保护膜为树脂类保护膜，能够更好的克服晶圆制作弯曲或破片的问题，但树脂附着于晶圆后面临后续制造高真空制程中无法完全除气的问题，因此需要增加激光去除步骤。

保护膜为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚氨酯、聚烯烃共聚物中的一种或几种。现有技术主要采用聚氯乙烯为保护膜，但使用聚氯乙烯膜不可避免产生增塑剂迁移的问题，影响保护膜的胶粘层对晶圆的附着力，产生剥离残胶，并且增塑剂会迁移至被保护的晶圆表面造成晶圆污染。本申请中采用聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚氨酯中的一种或几种作为保护膜，可以避免增塑剂对晶圆的污染问题，有效提高保护膜对晶圆的附着力，满足晶圆保护膜的柔韧性和延展性要求，同时容易激光去除，减少剥离残胶对声表面波器件性能的影响。

在上述的实施例中，步骤S3中，采用激光脉冲进行切割，激光脉冲的能量为2-4W，激光脉冲的能量密度为0.01-0.05J/cm2。能够减少晶圆切割时晶圆崩边，提高良品率。也可以采用金属片刀具进行切割。

在上述的实施例中，步骤S5中，封装后，封装树脂8的表面与第二晶圆表面102之间的距离为30-180μm。实现了整体封装结构的薄型化。

在上述的实施例中，如图12所示，步骤S5与S6之间还包括：

步骤S501，基板打孔固定步骤，沿着基板7的外周方向设置多个孔703，基板夹持装置9通过孔703对基板7进行限位固定，固定后采用加热装置对整体进行加热。能够有效改善基板与封装树脂由于热膨胀系数不同而导致的基板翘曲。孔可以为盲孔或通孔。加热温度可以为100～200℃，加热时间优选为1～6小时。

在上述的实施例中，如图13所示，步骤S6与S7之间还包括：

步骤S601，性能测试步骤，在第二基板表面702上设置基板电极，基板电极与声表面波器件对应，采用与基板电极行列数相同的测试探针11与测试电路板12对声表面波器件进行性能测试，标记性能不合格的声表面波器件的行列位置。步骤S7之后还包括，步骤S701，不良品去除步骤，按照性能不合格的声表面波器件的行列位置进行不良品去除。性能测试时针对整张基板进行测试，能够保证测试精度，测试后分割，将不良品按位置去除，能够增加产品的良品率和可靠性。

如图14A和图14B所示，本申请还提供一种声表面波器件，声表面波器件采用上述的方法制造，声表面波器件的厚度H为245-450μm，可以为：300μm、350μm、380μm等等，其中，声表面波器件的厚度H是指：封装后封装树脂的表面801与第二基板表面702之间的距离。采用本申请的方法制造的声表面波器件，厚度较小，性能稳定，能够满足目前对器件小型化的要求。

在本实施例中，封装后，封装树脂的表面801与第二晶圆表面102之间的距离为第一厚度H1，第一厚度H1为30-180μm；例如50μm、80μm、120μm等等。晶圆1的厚度为第二厚度H2，其中第二厚度H2为130-180μm；例如150μm、160μm、170μm等等。第一晶圆表面101和第一基板表面701之间的距离为第三厚度H3，第三厚度H3为5-80μm；例如20μm、40μm、60μm等等。基板7的厚度为第四厚度H4，第四厚度H4为80-160μm，例如90μm、100μm、120μm等等。

如图15所示，本申请还提供一种射频模组，包括：射频模组焊球1103；射频模组基板1104；射频模组封装结构1105；声表面波器件100，其中的声表面波器件采用上述的声表面波器件；非声表面波器件，其中的非声表面波器件为电感1101、电容1101、功率放大器1102、低噪声放大器1102中的一种或几种；其中，声表面波器件100和非声表面波器件均通过射频模组焊球1103连接至射频模组基板1104；射频模组封装结构1105覆盖声表面波器件100、非声表面波器件(1101、1102)和射频模组基板1104。

综上所述，本申请提出的声表面波器件的制造方法，包括：S1，晶圆植球步骤，提供晶圆，晶圆具有相背设置的第一晶圆表面和第二晶圆表面，第一晶圆表面具有响应于声表面波的功能区与在功能区之间间隔设置的非功能区。将晶圆表面设置为功能区和非功能区，能够保证切割时的准确性和精确性，并且可以避免因切割位移而误切到功能区的问题。在所述晶圆的所述非功能区形成多个焊球；S2，晶圆减薄步骤，将所述晶圆的第一晶圆表面固定在晶圆夹持装置上，采用晶圆减薄装置对所述第二晶圆表面进行减薄。采用先晶圆植球再晶圆减薄的工艺步骤顺序，可以减少由于晶圆过薄在植球步骤中的强度不足问题，而且晶圆采用单面减薄工艺，相对于双面减薄，能够更好的控制晶圆背面的粗糙度和晶向，在一定程度上截断体声波的辐射路径，提高声表面波器件的带外抑制性能。S3，晶圆切割步骤，在所述非功能区中相邻的焊球之间设置切割道，采用激光脉冲或者金属片刀具沿着所述切割道进行晶圆切割，形成多个晶粒；S4，晶粒倒装步骤，提供基板，所述基板具有相背设置的第一基板表面和第二基板表面，将所述晶粒通过所述焊球倒装焊接到所述第一基板表面上；S5，树脂封装步骤，采用封装树脂覆盖所述基板与所述晶粒远离所述基板的表面；S6，树脂减薄步骤，将所述基板的第二基板表面固定在基板夹持装置上，采用树脂减薄装置对所述封装树脂进行减薄，形成封装体。采用树脂封装后减薄的方式，封装后整体厚度较小，能够实现超薄封装，且可以避免塑封料过多进入封装成的空腔内，提高电极性能。S7，切割步骤，切割封装体形成多个所述声表面波器件。上述声表面波器件的制造方法能够实现声表面波器件的超薄封装且性能良好，有利于器件的小型化，提高生产效率和生产能力，满足市场对高品质电子器件的需求。

本申请提出的声表面波器件，声表面波器件采用上述的方法制造，声表面波器件的厚度H为245-450μm。采用本申请的方法制造的声表面波器件，厚度较小，性能稳定，能够满足目前对器件小型化的要求。

本申请提出的射频模组，包括：射频模组焊球；射频模组基板；射频模组封装结构；声表面波器件，其中的声表面波器件采用上述的声表面波器件；非声表面波器件，其中的非声表面波器件为电感、电容、功率放大器、低噪声放大器中的一种或几种；其中，声表面波器件和非声表面波器件均通过射频模组焊球连接至射频模组基板；射频模组封装结构覆盖声表面波器件、非声表面波器件和射频模组基板。采用本申请的声表面波器件制作的射频模组，尺寸较小，并且性能良好，有利于提高生产效率，降低成本。

以上详细地描述和/或图示了本申请提出的声表面波器件的制造方法、声表面波器件以及射频模组的示例性实施例。但本申请的实施例不限于这里所描述的特定实施例，相反，每个实施例的组成部分和/或步骤可与这里所描述的其它组成部分和/或步骤独立和分开使用。一个实施例的每个组成部分和/或每个步骤也可与其它实施例的其它组成部分和/或步骤结合使用。在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时，用语“一”、“第一”、“第二”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

本申请的实施例不限于这里所描述的特定实施例，相反，每个实施例的组成部分可与这里所描述的其它组成部分独立和分开使用。一个实施例的每个组成部分也可与其它实施例的其它组成部分结合使用。在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“其他实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为申请实施例的可选实施例而已，并不用于限制申请实施例，对于本领域的技术人员来说，申请实施例可以有各种更改和变化。凡在申请实施例的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在申请实施例的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种声表面波器件的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1，晶圆植球，提供晶圆，所述晶圆具有相背设置的第一晶圆表面和第二晶圆表面，所述第一晶圆表面具有响应于声表面波的功能区与在所述功能区之间间隔设置的非功能区；在所述晶圆的所述非功能区形成多个焊球；

步骤S2，晶圆减薄，将所述晶圆的第一晶圆表面固定在晶圆夹持装置上，采用晶圆减薄装置对所述第二晶圆表面进行减薄；

步骤S3，晶圆切割，在所述非功能区中相邻的焊球之间设置切割道，沿着所述切割道进行晶圆切割，形成多个晶粒；

步骤S4，晶粒倒装，提供基板，所述基板具有相背设置的第一基板表面和第二基板表面，将所述晶粒通过所述焊球倒装焊接到所述第一基板表面上；

步骤S5，树脂封装，采用封装树脂覆盖所述基板与所述晶粒远离所述基板的表面；

步骤S6，树脂减薄，将所述基板的第二基板表面固定在基板夹持装置上，采用树脂减薄装置对所述封装树脂进行减薄，形成封装体；

步骤S7，切割，切割所述封装体形成多个所述声表面波器件；

所述步骤S5中，封装后，所述封装树脂的表面与所述第二晶圆表面之间的距离为30-180μm；

所述步骤S2中，减薄方法包括：采用第一晶圆减薄装置对所述第二晶圆表面进行初步减薄，采用第二晶圆减薄装置对所述第二晶圆表面进行二次减薄，二次减薄后的晶圆厚度为130-180μm。

2.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中，在所述非功能区采用锡膏印刷方法形成焊球，所述锡膏印刷方法为：在所述第一晶圆表面设置钢网，所述钢网具有贯通槽，所述贯通槽的高度为10-90微米，将锡膏印刷于所述贯通槽，喷洒助焊剂，加热形成所述焊球。

3.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中，在所述非功能区采用金丝球焊方法形成焊球，所述金丝球焊方法为：通过打火放电将焊丝熔化为预备焊球，将所述预备焊球移动到所述非功能区，热压超声焊接使得所述预备焊球与晶圆产生冶金连接，形成所述焊球。

4.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述晶圆减薄装置的减薄区域面积小于所述第二晶圆表面面积，减薄方法包括：沿所述第二晶圆表面设置运动轨迹，所述运动轨迹为同心圆周、螺旋线、正弦线中的一种或几种，所述晶圆减薄装置沿所述运动轨迹运动并同时在自转。

5.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1与步骤S2之间还包括，

步骤S102，保护膜覆盖，在所述第一晶圆表面与所述焊球表面覆盖所述保护膜，所述保护膜为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚氨酯、聚酯膜，亚克力胶中的一种或几种。

6.根据权利要求5所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，在步骤S2之后增加步骤S201，采用激光或者紫外线去除所述保护膜。

7.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用激光脉冲进行切割，所述激光脉冲的能量为2-4W，所述激光脉冲的能量密度为0.01-0.05J/cm²。

8.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S5与S6之间还包括，

步骤S501，基板打孔固定，沿着所述基板的外周方向设置多个孔，所述基板夹持装置通过所述孔对所述基板进行限位固定，固定后采用加热装置对整体进行加热。

9.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S6与S7之间还包括，

步骤S601，性能测试，在所述第二基板表面上设置基板电极，所述基板电极与所述声表面波器件对应，采用与所述基板电极行列数相同的测试探针与测试电路板对所述声表面波器件进行性能测试，标记性能不合格的所述声表面波器件的行列位置。

10.根据权利要求9所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S7之后还包括，

步骤S701，不良品去除，按照性能不合格的所述声表面波器件的所述行列位置进行不良品去除。

11.一种声表面波器件，其特征在于，所述声表面波器件采用如权利要求1-10中任一项所述的方法制造，所述声表面波器件的厚度H为245-450μm，其中，所述声表面波器件的厚度H是指：封装后所述封装树脂的表面与所述第二基板表面之间的距离。

12.根据权利要求11所述的声表面波器件，其特征在于，封装后，所述封装树脂的表面与所述第二晶圆表面之间的距离为第一厚度H1，所述第一厚度H1为30-180μm；所述晶圆的厚度为第二厚度H2，其中所述第二厚度H2为130-180μm；所述第一晶圆表面和第一基板表面之间的距离为第三厚度H3，所述第三厚度H3为5-80μm；所述基板的厚度为第四厚度H4，所述第四厚度H4为80-160μm。

13.一种射频模组，其特征在于，包括：

射频模组焊球；

射频模组基板；

射频模组封装结构；

声表面波器件，其中所述的声表面波器件采用如权利要求11-12任一项所述的声表面波器件；

非声表面波器件，其中所述的非声表面波器件为电感、电容、功率放大器、低噪声放大器中的一种或几种；以及

其中，所述声表面波器件和所述非声表面波器件均通过所述射频模组焊球连接至所述射频模组基板；所述射频模组封装结构覆盖所述声表面波器件、所述非声表面波器件和所述射频模组基板。