CN115832862B - 一种半导体激光器阵列及其组装方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种半导体激光器阵列及其组装方法，其中阵列包括第一微通道单巴，第一微通道单巴的第一面具有第一负极片；第二微通道单巴，第二微通道单巴的第一面具有第二负极片，第二负极片与第一负极片相对设置，其中第二负极片与第一负极片之间的间距不大于单个微通道单巴的厚度；准直透镜，用于将第一微通道单巴和第二微通道单巴射出的两个光斑汇聚成一个光斑；封装结构，用于封装第一微通道单巴和第二微通道单巴，引出第一微通道单巴和第二微通道单巴的正负极。本发明将第一微通道单巴的第一负极片与第二微通道单巴的第二负极片相对设置，缩小了两个微通道单巴射出光斑的间距，利用准直透镜将其射出两个光斑汇聚成一个光斑，提高光斑能量密度。

Description

一种半导体激光器阵列及其组装方法

技术领域

本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种半导体激光器阵列及其组装方法。

背景技术

尽管单个巴条激光器已经实现了数百瓦激光输出，但是仍不能满足大功率泵浦的要求。通过单巴条激光器的阵列封装可以获得更高功率的激光输出。目前，多巴条组装的高功率垂直叠阵主要是以微通道热沉封装的单巴条半导体激光器堆叠而成。

在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在以下问题：单巴条激光器输出的光斑能量密度较低。多巴条组装的垂直叠阵由正极朝同一方向的多个单巴条激光器依序垂直叠加，形成一个串联叠阵。垂直叠阵中相邻两个单巴条激光器受微通道热沉厚度、负极片厚度的影响，输出的两个光斑的间距较大，因此垂直叠阵中每一个单巴条激光器输出的光斑能量密度同样较低，存在改进空间。

发明内容

本发明旨至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的目的在于提出一种输出光斑能量密度较高的半导体激光器阵列及其组装方法。

为达到上述目的，本发明的第一方面提出的一种半导体激光器阵列，包括：

第一微通道单巴，所述第一微通道单巴的第一面具有第一负极片；

第二微通道单巴，所述第二微通道单巴的第一面具有第二负极片，所述第二负极片与所述第一负极片相对设置，其中所述第二负极片与所述第一负极片之间的间距不大于单个微通道单巴的厚度；

准直透镜，用于将所述第一微通道单巴和所述第二微通道单巴射出的两个光斑汇聚成一个光斑；

封装结构，用于封装所述第一微通道单巴和所述第二微通道单巴，引出所述第一微通道单巴和所述第二微通道单巴的正负极。

根据本发明实施例的半导体激光器阵列，将第一微通道单巴的第一负极片与第二微通道单巴的第二负极片相对设置，使第一、第二负极片的间距不大于单个微通道单巴的厚度，缩小了两个微通道单巴射出光斑的间距，从而使得输出的两个光斑通过准直透镜可以汇聚成单个光斑。本发明实施例利用准直透镜将第一、第二微通道单巴射出的两个光斑汇聚成一个光斑，与现有技术中的单个巴条激光器或垂直叠阵的单个巴条激光器输出的光斑相比，其功率是单个巴条激光器功率的两倍，能量密度得以提高。

根据本发明的一个实施例，所述第一负极片和所述第二负极片之间设置有负极连接片，所述负极连接片的上表面与所述第一负极片抵靠，所述负极连接片的下表面与第二负极片抵靠。

根据本发明的一个实施例，所述封装结构包括：

绝缘底座；

正极底座，设置在所述绝缘底座的上表面；

第一绝缘垫块，设置在所述绝缘底座的上表面；

负极盖板，设置在所述负极连接片的上表面；

第二绝缘垫块，设置在所述负极盖板的上表面；

正极盖板，所述正极盖板为阶梯结构，具有第一台阶和第二台阶，第二台阶沿其长度方向贯穿形成凹陷部，所述凹陷部用于容纳所述第一微通道单巴、所述负极连接片和所述第二微通道单巴，所述第一台阶设置在所述第二绝缘垫块的上表面，所述第二台阶设置在所述正极底座的上表面。

根据本发明的一个实施例，所述绝缘底座在所述第二台阶的下方设有第一盲孔，所述绝缘底座在所述第一台阶的下方设有第一开孔，所述绝缘底座的两侧设有安装块。

根据本发明的一个实施例，所述第一绝缘垫块的形状为长方体，所述第一绝缘垫块的第一侧面设有第二盲孔，所述第一绝缘垫块设有竖直的第二开孔。

根据本发明的一个实施例，所述负极盖板的横截面为L型，所述负极盖板设有水平的第三开孔以及竖直的第四开孔，所述第二绝缘垫块设有竖直的第五开孔。

根据本发明的一个实施例，所述正极盖板的第一侧面设有第三盲孔，所述第三盲孔用于连接正极接头，所述第二台阶设有竖直的第六开孔，所述第一台阶设有竖直的第七开孔，所述凹陷部的表面设有第四盲孔和第五盲孔，所述凹陷部的表面与所述第一微通道单巴的热沉抵靠。

根据本发明的一个实施例，所述正极底座的两侧设有竖直的第八开孔，所述正极底座的中部设有与所述凹陷部相适应的凸起部，所述凸起部设有竖直的第九开孔，所述凸起部的上表面与所述第二微通道单巴的热沉抵靠。

根据本发明的一个实施例，所述负极连接片在靠近所述负极盖板的一端设有第十开孔和第十一开孔，所述第一微通道单巴、所述第二微通道单巴、所述负极连接片、所述正极底座和所述绝缘底座均贯穿设有进液孔和出液孔。

根据本发明的一个实施例，所述封装结构还包括第一紧固件、第二紧固件、负极接头和定位柱；

所述第一紧固件穿过所述第六开孔，其下端与所述第二绝缘垫块抵接；

所述第二紧固件依序穿过所述第七开孔和所述第八开孔，其下端与所述第一开孔连接，使所述正极底座和所述正极盖板电性连接；

所述负极接头安装在所述第三开孔中；

所述定位柱的底端与所述第一盲孔抵靠，所述定位柱包括第一定位柱和第二定位柱，所述第一定位柱的上端依序穿过所述第二开孔、所述第十开孔和所述第四开孔后伸入所述第五开孔中，所述第二定位柱的上端依序穿过所述第二微通道单巴、所述第十一开孔、所述第一微通道单巴后与所述第四盲孔抵靠。

本发明的第二方面提出一种如上述第一方面的半导体激光器阵列的组装方法，包括：

在绝缘底座上安装定位柱，将第一绝缘垫块穿过第一定位柱放置在绝缘底座上，将正极底座穿过第二定位柱放置在绝缘底座上；

将第二微通道单巴穿过第二定位柱放置在正极底座上，将负极连接片穿过定位柱放置在第一绝缘垫块和第二微通道单巴上，在负极连接片上放置第一微通道单巴；

将负极盖板穿过第一定位柱放置在负极连接片上，将第二绝缘垫块穿过第一定位柱放置在负极盖板上；

将正极盖板放置在第二绝缘垫块和第一微通道单巴上，利用第二紧固件依序穿过正极盖板和正极底座之后与绝缘底座固定，利用第一紧固件穿过正极盖板压紧第二绝缘垫块；

在第一微通道单巴和第二微通道单巴出光的前端安装准直透镜。

本发明半导体激光器阵列的组装方法，组装步骤简单，使生产成本得以降低，组装过程无需焊接，避免对微通道单巴造成损害。本发明方法利用定位柱提高了装配精度。本发明方法用第一紧固件抵接第二绝缘垫块，使负极盖板和负极连接片接触良好，传输电流效果好。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。其中：

图1是本发明一实施例提出的半导体激光器阵列的结构示意图。

图2是本发明一实施例提出的半导体激光器阵列的装配结构示意图。

图3是沿图1中A-A线的剖视图。

图4是本发明一实施例提出的半导体激光器阵列的第一微通道单巴的结构示意图。

图5是本发明一实施例提出的半导体激光器阵列的正极盖板的结构示意图。

图6是本发明一实施例提出的半导体激光器阵列的第一绝缘垫块的结构示意图。

图7是本发明一实施例提出的半导体激光器阵列的正极底座的结构示意图。

图8是本发明一实施例提出的半导体激光器阵列的组装方法的流程示意图。

附图标记说明：

1-第一微通道单巴，2-第二微通道单巴，3-准直透镜，4-负极连接片，5-绝缘底座，6-正极底座，7-第一绝缘垫块，8-负极盖板，9-第二绝缘垫块，11-正极盖板，12-托板，13-进液孔，14-出液孔，15-定位柱，101-热沉，102-第一负极片，103-第四密封圈，104-通孔，105-激光芯片，106-绝缘片，111-第一紧固件，112-第二紧固件，113-第七开孔，114-第六开孔，115-第三盲孔，116-正极接头，117-第四盲孔，118-第一台阶，119-第五盲孔，120-第二台阶，121-凹陷部，201-第二热沉，202-第二负极片，401-第三密封圈，402-第十开孔，403-第十一开孔，501-安装块，502-第一盲孔，503-第一开孔，504-第一密封圈，601-第八开孔，602-第九开孔，603-第二密封圈，701-第二盲孔，702-第二开孔，801-负极接头，802-第三开孔，803-第四开孔，901-第五开孔。

实施方式

下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。相反，本发明的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。

图1是本发明一实施例提出的半导体激光器阵列的结构示意图。

结合图1至图7所示，本发明实施例的第一方面，提出一种半导体激光器阵列。半导体激光器是指以一定的半导体材料作为工作物质通电使其受激发射产生激光的器件，又称为半导体激光二极管。

该半导体激光器阵列包括第一微通道单巴1、第二微通道单巴2、准直透镜3和封装结构。第一、第二微通道单巴1、2各自包括热沉（101，202）和负极片（102，202），热沉（101，202）和负极片（102，202）之间设有绝缘片106和激光芯片105。激光芯片为边发射激光器。第一、第二微通道单巴1、2贯穿设置有通孔104、进液孔13和出液孔14。通孔104是安装孔。负极片与激光芯片负极连接，用于连接电源的负极，热沉与激光芯片正极连接，被配置为微通道单巴的正极，用于连接电源的正极。

第一微通道单巴1的第一面具有第一负极片102。第二微通道单巴2的第一面具有第二负极片202，第二负极片202与第一负极片102相对设置，其中第二负极片202与第一负极片102之间的间距不大于单个微通道单巴（1，2）的厚度。例如现有技术中单个微通道单巴的厚度为1.7-2mm，而本实施例中两个负极片的间距只有0.3mm。两个负极片的间距越小，意味着第一微通道单巴1和第二微通道单巴2射出的两个光斑越接近，越容易汇聚成单个光斑。准直透镜3用于将第一微通道单巴1和第二微通道单巴2射出的两个光斑汇聚成一个光斑。在一个实施方式中，准直透镜3为快轴准直透镜，在快轴方向对微通道单巴射出的光束准直。准直透镜3在靠近微通道单巴的侧面覆盖激光芯片105的出光面。为了稳定支撑准直透镜3，在第二热沉201的侧面固定有托板12，准直透镜3安装在托板12上。

封装结构用于封装第一微通道单巴1和第二微通道单巴2，引出第一微通道单巴1和第二微通道单巴2的正负极。封装结构具有与进液孔13和出液孔14相匹配的液道，完成冷却液的循环。

根据本发明实施例的半导体激光器阵列，将第一微通道单巴的第一负极片与第二微通道单巴的第二负极片相对设置，使第一、第二负极片的间距不大于单个微通道单巴的厚度，缩小了两个微通道单巴射出光斑的间距，从而使得输出的两个光斑通过准直透镜可以汇聚成单个光斑。本发明实施例利用准直透镜将第一、第二微通道单巴射出的两个光斑汇聚成一个光斑，与现有技术中的单个巴条激光器或垂直叠阵的单个巴条激光器的输出光斑相比，其功率是单个巴条激光器功率的两倍，能量密度得以提高。

在一个示例中，结合图2、图3所示，第一负极片102和第二负极片202之间设置有负极连接片4，负极连接片4的上表面与第一负极片102抵靠，负极连接片4的下表面与第二负极片202抵靠。负极连接片4将第一负极片102和第二负极片202连接在一起进而传导电流，两个微通道单巴形成了并联连接。优点是两个微通道单巴采用并联连接的结构，即使其中一个微通道单巴损坏，剩余的微通道单巴还可以继续工作，可靠性得以提高。

在一个示例中，封装结构包括绝缘底座5、正极底座6、第一绝缘垫块7、负极盖板8、第二绝缘垫块9和正极盖板11。其中：

绝缘底座5主要起固定支撑作用，绝缘底座5的两侧设有安装块501。安装块501内有定位孔，定位孔用来和其他液冷设备连接，保障半导体激光器阵列的液冷循环。正极底座6设置在绝缘底座5的上表面，正极底座6使用导电材料制作，正极底座6一方面起到支撑微通道巴条的作用，另一方面作为微通道巴条正极的导电路径。第一绝缘垫块7设置在绝缘底座5的上表面，避免微通道巴条正负极短接。可选地，第一绝缘垫块7和正极底座6覆盖绝缘底座5的上表面。负极盖板8设置在负极连接片4的上表面，负极盖板8作为微通道巴条负极的导电路径。第二绝缘垫块9设置在负极盖板8的上表面，避免微通道巴条正负极短接。正极盖板11为阶梯结构，使用导电材料制作，具有第一台阶118和第二台阶120，第二台阶120沿其长度方向贯穿形成凹陷部121，凹陷部121位于正极盖板的下侧，凹陷部121用于容纳第一微通道单巴1、负极连接片4和第二微通道单巴2，第一台阶118设置在第二绝缘垫块9的上表面，第二台阶120设置在正极底座6的上表面。

第一绝缘垫块7和第二绝缘垫块9使用绝缘材料制作，可选地，利用PEEK（聚醚醚酮）制成，具有机械强度高、耐高温、耐冲击、阻燃、耐酸碱、耐水解、耐磨、耐疲劳、耐辐照及良好的电绝缘性能。正极底座和正极盖板均使用无氧铜制作。

在一个示例中，绝缘底座5在第二台阶120的下方设有第一盲孔502，绝缘底座5在第一台阶118的下方设有第一开孔503。第一绝缘垫块7的形状为长方体，第一绝缘垫块7的第一侧面设有第二盲孔701，第一绝缘垫块7设有竖直的第二开孔702。负极盖板8的横截面为L型，负极盖板8设有水平的第三开孔802以及竖直的第四开孔803，第二绝缘垫块9设有竖直的第五开孔901。正极盖板11的第一侧面设有第三盲孔115，第三盲孔115用于连接正极接头116，第二台阶120设有竖直的第六开孔114，第一台阶118设有竖直的第七开孔113，凹陷部121的表面设有第四盲孔117和第五盲孔119，凹陷部121的表面与第一微通道单巴1的热沉抵靠。正极底座6的两侧设有竖直的第八开孔601，正极底座6的中部设有与凹陷部121相适应的凸起部，凸起部设有竖直的第九开孔602，凸起部的上表面用于与第二微通道单巴2的热沉抵靠。

负极连接片4在靠近负极盖板8的一端设有第十开孔402和第十一开孔403。可选地，第十开孔402为沿负极连接片4长度方向排布的条形孔，条形孔的作用为了给负极连接片4有一个活动空间，避免做成与定位柱一样大小的孔在组装中第一、第二负极片102、202只要略微有活动，容易把负极连接片拉扯变形的问题。第一微通道单巴1、第二微通道单巴2、负极连接片4、正极底座6和绝缘底座5均贯穿设有进液孔13和出液孔14，组成冷却液道的一部分。为了保持各部件之间冷却液道的密封，绝缘底座5和正极底座6之间安装有第一密封圈504，第二微通道单巴2和正极底座6之间安装有第二密封圈603，第一微通道单巴1和第二微通道单巴2之间安装有第三密封圈401，第一微通道单巴1和正极盖板11之间安装有第四密封圈103。为了更好的密封，第一密封圈504、第二密封圈603和第四密封圈103使用双层密封圈。

封装结构还包括第一紧固件111、第二紧固件112、负极接头801和定位柱15。其中：第一紧固件111穿过第六开孔114，其下端与第二绝缘垫块9抵接。第二紧固件112依序穿过第七开孔113和第八开孔601，其下端与第一开孔503连接，使正极底座6和正极盖板11电性连接。负极接头801安装在第三开孔802中，引出两个微通道单巴的负极。定位柱15的底端与第一盲孔502抵靠，定位柱15包括第一定位柱和第二定位柱，第一定位柱的上端依序穿过第二开孔702、第十开孔402和第四开孔803后伸入第五开孔901中，第二定位柱的上端依序穿过第二微通道单巴2的通孔104、第十一开孔403、第一微通道单巴1的通孔104后与第四盲孔117抵靠。

定位柱使用绝缘材料制作，可选的，使用陶瓷制作，硬度高，绝缘性好。第一紧固件111为顶丝，第二紧固件112还作为微通道单巴正极电流传导路径，使用导体材料制作，例如螺丝。为了美观，第七开孔113为沉孔，第二紧固件112旋入后，正极盖板表面平整无凸起。正极接头116和负极接头801使用导体材料制作。

基于上述目的，本发明实施例的第二方面，提出一种半导体激光器阵列的组装方法，结合图1至图8所示，包括以下步骤：

步骤S102，在绝缘底座5上安装定位柱15，将第一绝缘垫块7穿过第一定位柱放置在绝缘底座5上，将正极底座6穿过第二定位柱放置在绝缘底座5上。

本实施例中，定位柱是竖直固定在绝缘底座5上，定位柱与第一绝缘垫块7和正极底座6抵靠，定位柱由陶瓷制成，硬度高，绝缘性好。正极底座6和第一绝缘垫块7的组合将绝缘底座5的上表面全部覆盖。

步骤S104，将第二微通道单巴2穿过第二定位柱放置在正极底座6上，将负极连接片4穿过定位柱15放置在第一绝缘垫块7和第二微通道单巴2上，在负极连接片4上放置第一微通道单巴1。

本实施例中，第一绝缘垫块7和第二微通道单巴2的上表面是平齐的，形成一个平面。负极连接片4将第一微通道单巴1和第二微通道单巴2的负极连接在一起。

步骤S106，将负极盖板8穿过第一定位柱放置在负极连接片4上，将第二绝缘垫块9穿过第一定位柱放置在负极盖板8上。

本实施例中，负极盖板8与负极连接片4抵接后，通过在负极盖板8上固定负极接头801作为该半导体激光器阵列的负极接线柱。第二绝缘垫块9避免该半导体激光器阵列的负极与正极短接。

步骤S108，将正极盖板11放置在第二绝缘垫块9和第一微通道单巴1上，利用第二紧固件112依序穿过正极盖板11和正极底座6之后与绝缘底座5固定，利用第一紧固件111穿过正极盖板11压紧第二绝缘垫块9。

本实施例中，第一紧固件111的作用是通过挤压第二绝缘垫块9，将第二绝缘垫块9下方的负极盖板8和负极连接片4抵接牢靠，提高导电的可靠性。第二紧固件112的作用是将正极盖板11和正极底座6电性连接，将第一微通道单巴1和第二微通道单巴2的正极引出至正极盖板11，正极盖板11上能够安装正极接头116。

步骤S110，在第一微通道单巴1和第二微通道单巴2出光的前端安装准直透镜3。

本实施例中，准直透镜3能够使第一微通道单巴1和第二微通道单巴2射出的两个光斑合束，进而获得一个高能量密度的光斑。

根据本发明实施例半导体激光器阵列的组装方法，组装步骤简单，使生产成本得以降低，组装过程无需焊接，避免对微通道单巴造成损害。本发明实施例方法利用定位柱提高了装配精度。本发明实施例方法用第一紧固件抵接第二绝缘垫块，使负极盖板和负极连接片接触良好，传输电流效果好。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本发明的描述中，术语“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种半导体激光器阵列，其特征在于，包括：

第一微通道单巴（1），所述第一微通道单巴（1）的第一面具有第一负极片（102）；

第二微通道单巴（2），所述第二微通道单巴（2）的第一面具有第二负极片（202），所述第二负极片（202）与所述第一负极片（102）相对设置，其中所述第二负极片（202）与所述第一负极片（102）之间的间距不大于单个微通道单巴（1，2）的厚度；

准直透镜（3），用于将所述第一微通道单巴（1）和所述第二微通道单巴（2）射出的两个光斑汇聚成一个光斑；

封装结构，用于封装所述第一微通道单巴（1）和所述第二微通道单巴（2），引出所述第一微通道单巴（1）和所述第二微通道单巴（2）的正负极；

所述第一负极片（102）和所述第二负极片（202）之间设置有负极连接片（4），所述负极连接片（4）的上表面与所述第一负极片（102）抵靠，所述负极连接片（4）的下表面与第二负极片（202）抵靠；

所述封装结构包括：

绝缘底座（5）；

正极底座（6），设置在所述绝缘底座（5）的上表面；

第一绝缘垫块（7），设置在所述绝缘底座（5）的上表面；

负极盖板（8），设置在所述负极连接片（4）的上表面；

第二绝缘垫块（9），设置在所述负极盖板（8）的上表面；

正极盖板（11），所述正极盖板（11）为阶梯结构，具有第一台阶（118）和第二台阶（120），第二台阶（120）沿其长度方向贯穿形成凹陷部（121），所述凹陷部（121）用于容纳所述第一微通道单巴（1）、所述负极连接片（4）和所述第二微通道单巴，所述第一台阶（118）设置在所述第二绝缘垫块（9）的上表面，所述第二台阶（120）设置在所述正极底座（6）的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列，其特征在于，所述绝缘底座（5）在所述第二台阶（120）的下方设有第一盲孔（502），所述绝缘底座（5）在所述第一台阶（118）的下方设有第一开孔（503），所述绝缘底座（5）的两侧设有安装块（501）。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器阵列，其特征在于，所述第一绝缘垫块（7）的形状为长方体，所述第一绝缘垫块（7）的第一侧面设有第二盲孔（701），所述第一绝缘垫块（7）设有竖直的第二开孔（702）。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器阵列，其特征在于，所述负极盖板（8）的横截面为L型，所述负极盖板（8）设有水平的第三开孔（802）以及竖直的第四开孔（803），所述第二绝缘垫块（9）设有竖直的第五开孔（901）。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器阵列，其特征在于，所述正极盖板（11）的第一侧面设有第三盲孔（115），所述第三盲孔（115）用于连接正极接头（116），所述第二台阶（120）设有竖直的第六开孔（114），所述第一台阶（118）设有竖直的第七开孔（113），所述凹陷部（121）的表面设有第四盲孔（117）和第五盲孔（119），所述凹陷部（121）的表面与所述第一微通道单巴（1）的热沉抵靠。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器阵列，其特征在于，所述正极底座（6）的两侧设有竖直的第八开孔（601），所述正极底座（6）的中部设有与所述凹陷部（121）相适应的凸起部，所述凸起部设有竖直的第九开孔（602），所述凸起部的上表面与所述第二微通道单巴（2）的热沉抵靠。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器阵列，其特征在于，所述负极连接片（4）在靠近所述负极盖板（8）的一端设有第十开孔（402）和第十一开孔（403），所述第一微通道单巴（1）、所述第二微通道单巴（2）、所述负极连接片（4）、所述正极底座（6）和所述绝缘底座（5）均贯穿设有进液孔（13）和出液孔（14）。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器阵列，其特征在于，所述封装结构还包括第一紧固件（111）、第二紧固件（112）、负极接头（801）和定位柱（15）；

所述第一紧固件（111）穿过所述第六开孔（114），其下端与所述第二绝缘垫块（9）抵接；

所述第二紧固件（112）依序穿过所述第七开孔（113）和所述第八开孔（601），其下端与所述第一开孔（503）连接，使所述正极底座（6）和所述正极盖板（11）电性连接；

所述负极接头（801）安装在所述第三开孔（802）中；

所述定位柱（15）的底端与所述第一盲孔（502）抵靠，所述定位柱（15）包括第一定位柱和第二定位柱，所述第一定位柱的上端依序穿过所述第二开孔（702）、所述第十开孔（402）和所述第四开孔（803）后伸入所述第五开孔（901）中，所述第二定位柱的上端依序穿过所述第二微通道单巴（2）、所述第十一开孔（403）、所述第一微通道单巴（1）后与所述第四盲孔（117）抵靠。

9.一种权利要求1至8任意一项所述的半导体激光器阵列的组装方法，其特征在于，包括：

在绝缘底座（5）上安装定位柱（15），将第一绝缘垫块（7）穿过第一定位柱放置在绝缘底座（5）上，将正极底座（6）穿过第二定位柱放置在绝缘底座（5）上；

将第二微通道单巴（2）穿过第二定位柱放置在正极底座（6）上，将负极连接片（4）穿过定位柱（15）放置在第一绝缘垫块（7）和第二微通道单巴（2）上，在负极连接片（4）上放置第一微通道单巴（1）；

将负极盖板（8）穿过第一定位柱放置在负极连接片（4）上，将第二绝缘垫块（9）穿过第一定位柱放置在负极盖板（8）上；

将正极盖板（11）放置在第二绝缘垫块（9）和第一微通道单巴（1）上，利用第二紧固件（112）依序穿过正极盖板（11）和正极底座（6）之后与绝缘底座（5）固定，利用第一紧固件（111）穿过正极盖板（11）压紧第二绝缘垫块（9）；

在第一微通道单巴（1）和第二微通道单巴（2）出光的前端安装准直透镜（3）。

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