CN116365354A - 一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 11
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
- B07C5/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material being sorted, e.g. by control effected by devices which detect or measure such characteristic or feature; Sorting by manually actuated devices, e.g. switches
- B07C5/34—Sorting according to other particular properties
- B07C5/342—Sorting according to other particular properties according to optical properties, e.g. colour
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明涉及一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法,属于半导体激光器叠阵封装技术领域。系统包括半导体激光器侧泵单元,半导体激光器侧泵单元组合为叠阵系统,半导体激光器侧泵单元包括方形热沉、次级热沉和半导体激光器,方形热沉内设置有凹槽,凹槽内设置有次级热沉,次级热沉上设置有半导体激光器。本发明利用巴条波长随温度的变化关系,在室温下筛选具有梯度波长的巴条进行半导体激光器叠阵封装,再根据具体的应用需求将其装配成叠阵系统,使叠阵系统的泵浦效率、灵活性和稳定性显著提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法,属于半导体激光器叠阵封装技术领域。
背景技术
半导体激光器叠阵具有体积小、效率高、可靠性高等优点,已经广泛地应用于Nd:YAG、Nd:YVO4、Yb:YAG、Tm:YAG等常见固体激光器的泵浦领域,Nd:YAG、Nd:YVO4等晶体在808nm达到吸收峰值,Yb:YAG晶体在940nm达到吸收峰值,Tm:YAG晶体在783nm达到吸收峰值;YAG晶体、YVO4晶体作为增益介质,产生1030nm-1064nm的激光,广泛应用与医疗、材料加工、军事等领域,通常晶体的尺寸较小,吸收带宽较窄,约为3nm,对泵源的波长要求、体积要求及可靠性要求较高,若泵源分布不均匀,会导致泵浦效率降低。
侧面泵浦指的是泵源围绕晶体棒一周提供稳定的光源,常见的有正三角、正五角、正七角等分布于晶体棒周围的结构,中国专利CN102570267A和CN101834402B所公开的半导体激光器侧泵模块,均采用了上述结构。随着全固态激光器在工业、医疗、军事等领域的应用需求越来越多,这对半导体激光器泵浦源也提出了更高的要求。
此外,传统侧泵模块的半导体激光器只能满足单一的泵浦需求,在多需求的应用中缺少灵活性,不利于模块的产业化,后期维护更换也较为复杂。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种方形半导体激光器叠阵系统,利用巴条波长随温度的变化关系,在室温下筛选具有梯度波长的巴条进行半导体激光器叠阵封装,再根据具体的应用需求将其装配成叠阵系统。
本发明还提供上述方形半导体激光器叠阵系统的装配方法。
术语解释:
晶体:常见的用于固体激光器的Nd:YAG、Nd:YVO4、Yb:YAG、Tm:YAG晶体,通常为圆柱状。
吸收峰值:指晶体在某一吸收波段达到转换效率的最高点。
激光巴条:用于封装半导体激光器泵源的激光芯片。
本发明的技术方案如下:
一种方形半导体激光器叠阵系统,包括半导体激光器侧泵单元,半导体激光器侧泵单元组合为叠阵系统,半导体激光器侧泵单元包括方形热沉、次级热沉和半导体激光器,方形热沉内设置有凹槽,凹槽内设置有次级热沉,次级热沉上设置有半导体激光器。
优选的,凹槽为多边形凹槽,多边形凹槽内壁上均布设置有次级热沉。
优选的,半导体激光器包括激光巴条、钨铜热沉、电极压片、电极片、绝缘片和热沉底座,热沉底座两侧分别设置有电极片,热沉底座顶端均布设置有钨铜热沉,钨铜热沉和电极片与热沉底座之间均设置有绝缘片,钨铜热沉之间设置有激光巴条,电极片上设置有电极压片,通过电极压片为激光巴条供电。
进一步优选的,电极片上设置有固定孔,相邻半导体激光器之间在固定孔上固定安装连接电极,通过连接电极实现半导体激光器的通电连接。
优选的,方形热沉一侧设置有电极槽,电极槽内设置有通电电极,通电电极为L型,通过电极槽内放置通电电极,实现叠加的半导体激光器通电。
优选的,凹槽边侧外的方形热沉上均设置有通水孔,保证良好的散热性。
优选的,方形热沉两侧设置有拆卸槽,方形热沉四角分别设置有安装孔,方便多个半导体激光器侧泵单元的组合拆卸。
上述方形半导体激光器叠阵系统的装配方法,操作步骤如下:
(1)在室温下筛选具有梯度波长的激光巴条,然后热沉底座两侧分别设置电极片,热沉底座顶端均布设置钨铜热沉,钨铜热沉和电极片与热沉底座之间均设置绝缘片,钨铜热沉之间安装激光巴条,电极片上设置电极压片,组成半导体激光器;
(2)将半导体激光器安装于次级热沉,次级热沉安装于方形热沉的凹槽内,然后方形热沉叠加组合为叠阵系统,方形热沉的叠加组合数量可根据功率需求调整;
(3)通水孔连接厂务冷却水,通电电极依次连接通电,进行侧面泵浦。
优选的,步骤(1)中,激光巴条的筛选要求为,温度每升1℃激光巴条波长上升0.3nm,筛选出符合要求的激光巴条。
本发明的有益效果在于:
1、本发明利用巴条波长随温度的变化关系,在室温下筛选具有梯度波长的巴条进行半导体激光器叠阵封装,再根据具体的应用需求将其装配成叠阵系统,使叠阵系统的泵浦效率、灵活性和稳定性显著提高。
2、本发明凹槽边侧外的方形热沉上均设置有通水孔,保证良好的散热性,而且凹槽内分开固定有多个次级热沉,方便后期维修。
3、本发明的方形热沉两侧设置有拆卸槽,方形热沉四角分别设置有固定孔,方便多个半导体激光器侧泵单元的组合拆卸。
附图说明
图1为本发明的半导体激光器侧泵单元背面结构示意图。
图2为本发明的半导体激光器侧泵单元正面结构示意图。
图3为本发明的方形热沉结构示意图;
图4为本发明的半导体激光器结构示意图。
其中,1-半导体激光器,2-次级热沉,3-通电电极,4-安装孔,5-定位孔,6-通水孔,7-凹槽,8-拆卸槽,9-激光巴条,10-钨铜热沉,11-电极压片,12-电极片,13-绝缘片,14-热沉底座,15-连接电极,16-固定孔,17-方形热沉,18-电极槽。
具体实施方式
下面通过实施例并结合附图对本发明做进一步说明,但不限于此。
实施例1
如图1-4所示,本实施例提供一种方形半导体激光器叠阵系统,包括半导体激光器侧泵单元,半导体激光器侧泵单元组合为叠阵系统,半导体激光器侧泵单元包括方形热沉17、次级热沉2和半导体激光器1,方形热沉17内设置有凹槽7,凹槽7内设置有次级热沉2,次级热沉2底部放置焊片,通过焊接加螺栓的方式固定于凹槽7内,次级热沉2上设置有半导体激光器1。
凹槽7为五边形凹槽,五边形凹槽内壁上均布设置有次级热沉2。
半导体激光器1包括激光巴条9、钨铜热沉10、电极压片11、电极片12、绝缘片13和热沉底座14,热沉底座14两侧分别设置有电极片12,热沉底座14顶端均布设置有钨铜热沉10,钨铜热沉10和电极片12与热沉底座14之间均设置有绝缘片13,钨铜热沉14之间设置有激光巴条9,电极片12上设置有电极压片11,通过电极压片11为激光巴条供电。
方形热沉17一侧设置有电极槽18,电极槽18内设置有通电电极3,通电电极为L型,通过电极槽内放置通电电极,实现叠加的半导体激光器通电。
凹槽7边侧外的方形热沉17上设置有4组通水孔6,共计20个通水孔,保证良好的散热性。
上述方形半导体激光器叠阵系统的装配方法,操作步骤如下:
(1)在室温下筛选具有梯度波长的激光巴条,然后热沉底座两侧分别设置电极片,热沉底座顶端均布设置钨铜热沉,钨铜热沉和电极片与热沉底座之间均设置绝缘片,钨铜热沉之间安装激光巴条,电极片上设置电极压片,组成半导体激光器;
(2)将半导体激光器安装于次级热沉,次级热沉安装于方形热沉的凹槽内,然后方形热沉叠加组合为叠阵系统,方形热沉的叠加组合数量可根据功率需求调整;
(3)通水孔连接厂务冷却水,通电电极依次连接通电,进行侧面泵浦。
实施例2
一种方形半导体激光器叠阵系统,结构如实施例1所述,不同之处在于,电极片12上设置有固定孔16,相邻半导体激光器1之间在固定孔16上固定安装连接电极15,通过连接电极15实现半导体激光器的通电连接。
实施例3
一种方形半导体激光器叠阵系统,结构如实施例1所述,不同之处在于,方形热沉17两侧设置有拆卸槽8,方形热沉17四角分别设置有安装孔4,方便多个半导体激光器侧泵单元的组合拆卸,安装孔4两侧设置有定位孔,方便多个半导体激光器叠合组装定位。凹槽7为六边形凹槽。
实施例4
一种方形半导体激光器叠阵系统的装配方法,操作步骤如实施例1所述,不同之处在于,步骤(1)中,激光巴条的筛选要求为,温度每升1℃激光巴条波长上升0.3nm,筛选出符合要求的激光巴条。
Claims (9)
1.一种方形半导体激光器叠阵系统,其特征在于,包括半导体激光器侧泵单元,半导体激光器侧泵单元组合为叠阵系统,半导体激光器侧泵单元包括方形热沉、次级热沉和半导体激光器,方形热沉内设置有凹槽,凹槽内设置有次级热沉,次级热沉上设置有半导体激光器。
2.如权利要求1所述的方形半导体激光器叠阵系统,其特征在于,凹槽为多边形凹槽,多边形凹槽内壁上均布设置有次级热沉。
3.如权利要求2所述的方形半导体激光器叠阵系统,其特征在于,半导体激光器包括激光巴条、钨铜热沉、电极压片、电极片、绝缘片和热沉底座,热沉底座两侧分别设置有电极片,热沉底座顶端均布设置有钨铜热沉,钨铜热沉和电极片与热沉底座之间均设置有绝缘片,钨铜热沉之间设置有激光巴条,电极片上设置有电极压片。
4.如权利要求3所述的方形半导体激光器叠阵系统,其特征在于,电极片上设置有固定孔,相邻半导体激光器之间在固定孔上固定安装连接电极。
5.如权利要求4所述的方形半导体激光器叠阵系统,其特征在于,方形热沉一侧设置有电极槽,电极槽内设置有通电电极,通电电极为L型。
6.如权利要求5所述的方形半导体激光器叠阵系统,其特征在于,凹槽边侧外的方形热沉上均设置有通水孔。
7.如权利要求1所述的方形半导体激光器叠阵系统,其特征在于,方形热沉两侧设置有拆卸槽,方形热沉四角分别设置有安装孔。
8.一种如权利要求6所述的方形半导体激光器叠阵系统的装配方法,其特征在于,操作步骤如下:
(1)在室温下筛选具有梯度波长的激光巴条,然后热沉底座两侧分别设置电极片,热沉底座顶端均布设置钨铜热沉,钨铜热沉和电极片与热沉底座之间均设置绝缘片,钨铜热沉之间安装激光巴条,电极片上设置电极压片,组成半导体激光器;
(2)将半导体激光器安装于次级热沉,次级热沉安装于方形热沉的凹槽内,然后方形热沉叠加组合为叠阵系统;
(3)通水孔连接厂务冷却水,通电电极依次连接通电,进行侧面泵浦。
9.如权利要求8所述的方形半导体激光器叠阵系统的装配方法,其特征在于,步骤(1)中,激光巴条的筛选要求为,温度每升1℃激光巴条波长上升0.3nm,筛选出符合要求的激光巴条。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111625317.0A CN116365354A (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111625317.0A CN116365354A (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116365354A true CN116365354A (zh) | 2023-06-30 |
Family
ID=86928921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111625317.0A Pending CN116365354A (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 一种方形半导体激光器叠阵系统及其装配方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116365354A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117559226A (zh) * | 2024-01-12 | 2024-02-13 | 北京凯普林光电科技股份有限公司 | 一种环状半导体激光器 |
-
2021
- 2021-12-28 CN CN202111625317.0A patent/CN116365354A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117559226A (zh) * | 2024-01-12 | 2024-02-13 | 北京凯普林光电科技股份有限公司 | 一种环状半导体激光器 |
CN117559226B (zh) * | 2024-01-12 | 2024-04-23 | 北京凯普林光电科技股份有限公司 | 一种环状半导体激光器 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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