CN115831942A - 厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统 - Google Patents

Abstract

厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统，结构包括多个导体层和位于相邻导体层的陶瓷基板；底层的导体层为金属地层，顶层的导体层设有欧姆微带线，中间导体层设有欧姆微带线，各欧姆微带线通过金属化过孔连通，并连通金属地层；相邻两个欧姆微带线宽度不同，金属化过孔孔径与欧姆微带线宽度匹配，相邻两个欧姆微带线所在导体层之间的金属化过孔孔径光滑渐变；金属化过孔周侧设有多个贯通的接地孔，接地孔连通金属地层；欧姆微带线均连接有阻抗调节枝节。采用渐变孔径的金属化过孔实现不同阻抗之间连接的阻抗匹配，并设阻抗匹配枝节，解决由于厚膜电路烧制出现的热胀冷缩引起过孔和微带线之间连接错位而带来的阻抗失配问题。

Description

厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统

技术领域

本申请涉及厚膜电路工艺及射频微波技术领域，尤其涉及一种厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统。

背景技术

现代雷达、卫星通信等领域中涉及的发射信号功率越来越大，而系统的整体尺寸却越来越小，所以集成度越来越高，对厚膜电路的集成度要求越来越高。射频系统等的集成度提高意味着厚膜电路层数的增加，各层之间一般通过金属化过孔实现电气连接厚膜集成电路。

由于厚膜电路在烧制过程中存在受热不均匀等现象，使得陶瓷介质基板会发生热胀冷缩，导致其表面导体和其中埋设的金属化过孔扩散或者收缩，最终导致过孔和表面的导线连接会存在错位现象，同时也有孔径大小不一的现象，在高频时带来阻抗失配问题，引起高频信号的反射。此外，过孔还会产生寄生电感和寄生电容，改变其本身的特性阻抗；另外过孔在信号传输时表现为阻抗不连续的断点，造成信号反射。高频信号的多次反射可能在系统内部形成串扰信号和空间辐射等，除了不能实现信号的传输，还将带来严重的电磁兼容问题。

发明内容

为了解决上述现有技术的不足，本申请提供一种厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统，通过在陶瓷基板中采用渐变金属化过孔孔径实现不同阻抗之间连接的阻抗匹配，并在微带线处预设阻抗匹配枝节，解决厚膜电路烧制中出现热胀冷缩造成的过孔孔径变化、过孔和微带线之间连接错位、过孔带来的寄生电感、寄生电容等引起的阻抗失配问题，以及连接不同宽度即不同阻抗微带线的过孔阻抗不匹配问题。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术：

一种厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，包括通过厚膜工艺集成的多个导体层和多个陶瓷基板，相邻导体层之间有一个陶瓷基板；

位于底层的导体层为金属地层，位于顶层的导体层上设有欧姆微带线，位于中间的至少一个导体层上也设有欧姆微带线，各欧姆微带线的一端通过金属化过孔连通，并连通至金属地层；

相邻两个欧姆微带线宽度不同（即阻抗不同），欧姆微带线所在导体层的金属化过孔孔径与欧姆微带线宽度匹配，相邻的两个欧姆微带线所在导体层之间的金属化过孔孔径光滑渐变；

各导体层和陶瓷基板的金属化过孔周侧设有多个贯通的接地孔，接地孔连通至金属地层；

欧姆微带线连接有阻抗调节枝节，阻抗调节枝节靠近欧姆微带线与金属化过孔的连接处，即与欧姆微带线和金属化过孔的连接处具有预定间距。

金属化过孔用于形成等同于同轴线内导体的结构，接地孔用于形成等同于与所述同轴线内导体匹配的同轴线外导体的结构。

进一步，欧姆微带线沿导体层长度方向布置，阻抗调节枝节为直线状，垂直连接于欧姆微带线；或阻抗调节枝节为L型，一段垂直连接于欧姆微带线，另一段与欧姆微带线平行。

进一步，除底层的导体层以外的至少一个导体层上设有低频信号连接导线，低频信号连接导线的一端通过连接过孔连通，并连通至金属地层；也可以在多个导体层上均分别设置低频信号连接导线，不同导体层的低频信号连接导线为不同规格的电源线，用于为射频系统的不同有源器件供电。

一种射频系统，包括所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构。

一种厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配方法，包括如下步骤：

S100、准备多个陶瓷基板，在每个陶瓷基板顶面印刷形成导体层，在其中一个陶瓷基板底面印刷形成金属地层；

S200、对各陶瓷基板贯通加工金属化过孔，金属化过孔同时也在各导体层上形成，陶瓷基板的金属化过孔的孔径光滑渐变；

S300、对各陶瓷基板贯通加工多个接地孔，接地孔同时贯通导体层，并沿金属化过孔周侧布置；

S400、在至少两个陶瓷基板的导体层上分别设置欧姆微带线，不同导体层的欧姆微带线宽度不同，并在与欧姆微带线和金属化过孔的连接处具有预定间距的位置设置阻抗调节枝节，并使阻抗调节枝节连接欧姆微带线；使欧姆微带线一端与其所在导体层的金属化过孔连接，欧姆微带线所在导体层的金属化过孔孔径与欧姆微带线宽度匹配；

S500、将具有金属地层的陶瓷基板置于底层，将其中一个具有欧姆微带线的陶瓷基板置于顶层，其余陶瓷基板依次叠于顶层和底层之间；

S600、烧制成型，使各接地孔对应连通并连通至金属地层，并使各金属化过孔依次连通并连通至金属地层，其中，相邻的两个欧姆微带线所在导体层之间的金属化过孔孔径光滑渐变。

本发明有益效果在于：

1、通过渐变的金属化过孔设置，实现不同宽度微带线（不同阻抗的欧姆微带线）之间连接的阻抗平滑过渡；并设置与欧姆微带线连接的阻抗调节枝节，用于调节过孔寄生电感、寄生电容和过孔连接错位带来的阻抗失配；并于渐变金属化过孔周围布置接地孔，形成类似于同轴线结构，将射频信号限制在渐变的金属化过孔和接地孔之间传输，同时减小射频信号辐射；

2、阻抗调节枝节为直线状，垂直连接欧姆微带线，通过调节长度可改变电感，或阻抗调节枝节为L型，弯折平行连接阻抗调节枝节，利用平行金属线之间产生的电容，实现通过改变长度可以同时改变电感和电容的目的。

附图说明

图1是本申请实施例的阻抗匹配结构立体爆炸图。

图2是本申请实施例的阻抗匹配结构侧视爆炸图。

图3是本申请实施例的入射端口回波损耗曲线图。

图4是本申请实施例的阻抗匹配结构另一示例的立体爆炸图。

图5是本申请实施例的阻抗匹配结构又一示例的立体爆炸图。

附图标记说明：1-陶瓷基板，2-导体层，3-欧姆微带线，31-阻抗调节枝节，4-金属化过孔，5-低频信号连接导线，6-连接过孔，7-接地孔。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的实施方式进行详细说明，但本发明所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

在厚膜电路中，各层电路之间通过金属化过孔连接，金属化过孔的直径和其要连接的金属层上的导带/微带线的宽度相同，即可保持连接之间的信号传输和阻抗匹配，过孔圆心和表层金属导带的中心需重合；但是层数太多，烧制过程中由于各层受热不均匀产生过孔错位的现象，并且还可能产生过孔和连接的金属导带也错位的现象，或者各层受热不均，各层孔径不一致，带来阻抗不匹配，而在高频或者射频连接中，需要阻抗匹配。

针对此，本申请实施例的一个方面，提供一种厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，改善此类射频系统连接中的阻抗匹配问题，如图1~图2、图4~图5所示，包括通过厚膜工艺集成的多个导体层2和多个陶瓷基板1，相邻导体层2之间有一个陶瓷基板1。

位于底层的导体层2为金属地层，位于顶层的导体层2上设有欧姆微带线3，位于中间的至少一层导体层2上也设有欧姆微带线3，各欧姆微带线3的一端通过金属化过孔4连通，并连通至金属地层。欧姆微带线3沿导体层2长度方向布置。

相邻两个欧姆微带线3宽度不同，欧姆微带线3所在导体层2的金属化过孔4孔径与欧姆微带线3宽度匹配，相邻的两个欧姆微带线3所在导体层2之间的金属化过孔4孔径光滑渐变。具体的，比如在如图1所示的示例中，自上而下，欧姆微带线3宽度逐级变小，即顶层的导体层2上的欧姆微带线3宽度大于第3个导体层2上的欧姆微带线3宽度，对应的，顶层的导体层2上的金属化过孔4孔径大于第3个导体层2上的金属化过孔4孔径，而之间的各金属化过孔4光滑渐变，实现这两个欧姆微带线3所在层的不同孔径的金属化过孔4光滑连接。又比如在如图5所示的示例中，自上而下，有三个欧姆微带线3，分别在顶层的导体层2、第3个的导体层2、第4个导体层2上，其中，最上方的欧姆微带线3宽度大于位于中间的欧姆微带线3宽度，位于中间的欧姆微带线3又小于最下方的欧姆微带线3宽度，即呈现先变小后变大的变化趋势，对应的，每两个欧姆微带线3之间的各金属化过孔4也是光滑渐变，实现两个欧姆微带线3所在导体层2的金属化过孔4能够光滑连接。即金属化过孔4在两个欧姆微带线3之间的变化趋势可以是，自上而下光滑渐变缩小，或光滑渐变增大，或先光滑渐变缩小而后光滑渐变增大，或先光滑渐变增大而后光滑渐变缩小，或呈连续的变大、变小交错/变小、变大交错形式。

具体的，光滑渐变主要在于陶瓷基板1中的光滑变化，由于陶瓷基板1厚度本身很薄，进一步的，导体层2厚度远小于陶瓷基板1，导体层2的金属化过孔4的渐变可以忽略。即在一个陶瓷基板1中，根据渐变趋势，金属化过孔4的孔壁是倾斜光滑内壁。

各欧姆微带线3均连接有阻抗调节枝节31，阻抗调节枝节31位于欧姆微带线3与金属化过孔4的连接处。

各导体层2和陶瓷基板1的金属化过孔4周侧设有多个贯通的接地孔7，接地孔7连通至金属地层；渐变的金属化过孔4用于形成等同于同轴线内导体的结构，各接地孔7用于形成等同于与所述同轴线内导体匹配的同轴线外导体的结构。

本实例通过调节埋设在陶瓷基板1中的金属化过孔4的直径来实现不同阻抗高频信号传输导带之间的连接，采用渐变的金属化过孔4实现阻抗的渐变式匹配。

另外，金属化过孔4表现出寄生电容和寄生电感特性，例如金属化过孔4直径为D2，金属化过孔4焊盘直径为D1，T为陶瓷基板1厚度，陶瓷基板1的寄生电容近似为：C=1.41ε _r *T*D1/(D2-D1)，单位为pF，其中，ε _r 为陶瓷基板相对介电常数；而过孔的寄生电感近似为：L=5.08T[ln(4T/D2)+1]，单位为nH。在陶瓷基板1表面的欧姆微带线3与金属化过孔4连接处预设阻抗调节枝节31，阻抗调节枝节31为金属材质，通过调节阻抗调节枝节31，可解决因为烧制过程中厚膜电路的热胀冷缩带来的连接错位或者孔径大小变化而引起的阻抗失配，同时也可以实现金属化过孔4的寄生容性和感性阻抗的重新匹配。

具体的，在如图1所示的举例中，有四个导体层2和三个陶瓷基板1。自上而下，第一个导体层2的欧姆微带线3为50欧姆微带线，第三个导体层2也设有欧姆微带线3，为70欧姆微带线。在除底层的导体层2以外的各导体层2上均设有低频信号连接导线5，低频信号连接导线5的一端通过连接过孔6连通，并连通至金属地层。各导体层2的低频信号连接导线5为不同规格的电源线，用于为射频系统的不同有源器件供电。实际根据应用需求，也可以只在其中一个非金属地层的导体层2上设置低频信号连接导线5，仅提供一种规格电源线；也可以在其中任意多个非金属地层的导体层2上设置低频信号连接导线5，以提供需要数量种类规格的电源线。

作为可选的实例，陶瓷基板1为Al₂O₃材质，其相对介电常数为9.8，每层陶瓷基板1厚度为0.2mm。导体层2为金属钨材质，厚度约为0.015mm。

在2GHz，阻抗为50欧姆时，50欧姆微带线的宽度可以设置为0.181mm，那么与其相连的导体层2中的金属化过孔4的直径也设为0.181mm，而如果阻抗为70欧姆，70欧姆微带线的宽度设置为0.0746mm，那么对应的与其相连的导体层2中的金属化过孔4的直径也设为0.0746mm。

因此第一层的导体层2和第三层的导体层2中欧姆微带线3相连时，采用直径不同的金属化过孔4，再连接到金属地层，实现金属化过孔4阻抗平滑过渡。

通过金属化过孔4周围均匀布置的接地孔7，接地孔7和渐变的金属化过孔4共同构成类似于同轴线的传输系统，渐变的金属化过孔4类似于同轴线内导体，接地孔7类似于同轴线外导体。由于射频信号只能在同轴线内外导体之间传输，类似的结构就可以将射频信号限制在渐变的金属化过孔4和接地孔7之间传输，实现信号的良好传输，同时还可以减小射频信号的辐射。

将本实例中的过孔连接的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配应用于只有1个输入和1个输出的二端口微波射频网络中，当入射端也就是输入信号源端的输入信号确定时，输入端电压Us和阻抗Z _s =R _s +jX _s 也就给定，其中，R _s 是输入端阻抗实部，j表示虚数，X _s 是输入端阻抗虚部，输出端作为负载端，其阻抗为Z _L =R _L +jX _L 时，其中，R _L 是输出端阻抗实部，X _L 是输出端阻抗虚部，输出端获取的功率由下式计算:

可以看出，只有当设计的输入端与输出端阻抗共轭匹配时，即R _s =R _L ，X _s =-X _L 时负载可从源端获得最大功率。由于金属化过孔4带来寄生电容和寄生电感，引起容性和感性阻抗，而布置在欧姆微带线3上的阻抗调节枝节31呈现感性阻抗，枝节和地之间形成容性阻抗，可以通过调节阻抗调节枝节31实现和金属化过孔4之间的共轭阻抗匹配，保证信号实现最大传输。

定义S ₁₁为信号入射端口的反射电压Ur和入射电压Ui的比值的分贝数，即S ₁₁(dB)=10lg(Ur/Ui)可以反映入射端口的反射情况，该反射就是由于阻抗不匹配带来的，一般而言S ₁₁＜-10dB表示端口反射较小，两个连接端口之间的阻抗匹配较好。

如图3所示的入射端口回波损耗曲线，若在图1所示的多层厚膜电路结构中，采用的金属化过孔4都是直径相同的0.181mm，则入射端口的反射较大；如果金属化过孔4使用0.181mm到0.0746mm的孔径渐变方式设置，入射端口的反射将减小，表示端口之间阻抗匹配较好；在此基础上，添加阻抗调节枝节31后，进一步减小端口反射，实现不同阻抗之间的良好匹配。

作为可选的方式，阻抗调节枝节31可以有多种形态，比如直线状或L型，如图1所示，为阻抗调节枝节31呈直线状的示例，其垂直连接于欧姆微带线3，通过调节长度可改变电感，如图4所示，为阻抗调节枝节31呈L型，L型的一段垂直连接于欧姆微带线3，另一段则与欧姆微带线3平行，即弯折平行，利用平行金属线之间的产生电容，实现通过改变长度可以同时改变电感和电容的目的。

作为可选的方式，不同导体层2上的阻抗调节枝节31在竖向投影上互不交叉，或至少相邻两个阻抗调节枝节31朝向欧姆微带线3的不同侧，避免带来新的寄生电容。进一步的可选方式，不同欧姆微带线3在竖向的投影也可以设置为尽量不重合，同样避免带来寄生电容而改变系统的工作频段。

对于如图5的示例，则展示了有五个导体层2和四个陶瓷基板1的结构形式。自上而下，第1个/顶层的导体层2的欧姆微带线3为50欧姆微带线，第3个导体层2也设有欧姆微带线3，为70欧姆微带线，第4个导体层2也设有欧姆微带线3，为50欧姆微带线，根据前文实施例的描述，则可呈现金属化过孔4先光滑渐变缩小，而后又光滑渐变增大的变化趋势。对于其他数量的导体层2及陶瓷基板1的情况，以及其他数量的欧姆微带线3的情况，以此类推，不再赘述。

本申请实施例的又一个方面，提供一种厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配方法，包括如下步骤：

S100、准备多个陶瓷基板1，在每个陶瓷基板1顶面印刷形成导体层2，在其中一个陶瓷基板1底面印刷形成金属地层。

S200、对各陶瓷基板1贯通加工金属化过孔4，金属化过孔4同时也在各导体层2上形成，陶瓷基板1的金属化过孔4的孔径光滑渐变。

S300、对各陶瓷基板1贯通加工多个接地孔7，接地孔7同时贯通导体层2，并沿金属化过孔4周侧布置。

S400、在至少两个陶瓷基板1的导体层2上分别设置欧姆微带线3，不同导体层2的欧姆微带线3宽度不同，并在与欧姆微带线3和金属化过孔4的连接处具有预定间距的位置设置阻抗调节枝节31，并使阻抗调节枝节31连接欧姆微带线3；使欧姆微带线3一端与其所在导体层2的金属化过孔4连接，欧姆微带线3所在导体层2的金属化过孔4孔径与欧姆微带线3宽度匹配。

S500、将具有金属地层的陶瓷基板1置于底层，将其中一个具有欧姆微带线3的陶瓷基板1置于顶层，其余陶瓷基板1依次叠于之间。

S600、烧制成型，使各接地孔7对应连通并连通至金属地层，并使各金属化过孔4依次连通并连通至金属地层，其中，相邻的两个欧姆微带线3所在导体层2之间的金属化过孔4孔径光滑渐变。

其中，在不影响实施效果的前提下，部分步骤可以调换顺序实施，比如先加工接地孔7，而后再加工金属化过孔4。

具体的，在上述步骤实施时，在步骤S400之前，进行连接过孔6的加工，对各陶瓷基板1贯通加工连接过孔6，连接过孔6同时贯通各导体层2，然后在步骤S400之前、或同时、或之后进行低频信号连接导线5的设置，可选择除最底层的导体层2以外的至少一个导体层2上设置低频信号连接导线5为电源线，用于为射频系统的有源器件供电；也可以在除最底层的导体层2以外的多个导体层2上设置低频信号连接导线5，不同导体层2的低频信号连接导线5为不同规格的电源线，可以为射频系统的不同有源器件供电。而后，再进行步骤S500。

具体的，在实施步骤S400时，可使欧姆微带线3沿导体层2长度方向布置，采用直线状的阻抗调节枝节31，使其垂直连接于欧姆微带线3，或采用L型阻抗调节枝节31，使L型的一段垂直连接于欧姆微带线3，另一段与欧姆微带线3平行。

通过上述步骤的实施，可以实现厚膜电路多层过孔连接的阻抗匹配。

本申请实例的另一方面，提供一种射频系统，包括前文实施例所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，可以改善射频系统的端口之间阻抗匹配，实现较好的阻抗匹配。

以上所述仅为本申请的优选实施例，并不用于限制本申请，显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，包括通过厚膜工艺集成的多个导体层（2）和多个陶瓷基板（1），相邻导体层（2）之间有一个陶瓷基板（1），其特征在于：

位于底层的导体层（2）为金属地层，位于顶层的导体层（2）上设有欧姆微带线（3），位于中间的至少一个导体层（2）上也设有欧姆微带线（3），各欧姆微带线（3）的一端通过金属化过孔（4）连通，并连通至金属地层；

相邻两个欧姆微带线（3）宽度不同，欧姆微带线（3）所在导体层（2）的金属化过孔（4）孔径与欧姆微带线（3）宽度匹配，相邻的两个欧姆微带线（3）所在导体层（2）之间的金属化过孔（4）孔径光滑渐变；

各导体层（2）和陶瓷基板（1）的金属化过孔（4）周侧设有多个贯通的接地孔（7），接地孔（7）连通至金属地层；

各欧姆微带线（3）均连接有阻抗调节枝节（31），阻抗调节枝节（31）与欧姆微带线（3）和金属化过孔（4）的连接处具有预定间距。

2.根据权利要求1所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，其特征在于，金属化过孔（4）用于形成等同于同轴线内导体的结构，接地孔（7）用于形成等同于与所述同轴线内导体匹配的同轴线外导体的结构。

3.根据权利要求1所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，其特征在于，欧姆微带线（3）沿导体层（2）长度方向布置，阻抗调节枝节（31）为直线状，垂直连接于欧姆微带线（3）。

4.根据权利要求1所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，其特征在于，欧姆微带线（3）沿导体层（2）长度方向布置，阻抗调节枝节（31）为L型，一段垂直连接于欧姆微带线（3），另一段与欧姆微带线（3）平行。

5.根据权利要求1所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，其特征在于，不同导体层（2）上的阻抗调节枝节（31）在竖向投影上互不交叉。

6.根据权利要求1所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，其特征在于，除底层的导体层（2）以外的至少一个导体层（2）上设有低频信号连接导线（5），低频信号连接导线（5）的一端通过连接过孔（6）连通，并连通至金属地层。

7.根据权利要求6所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，其特征在于，除底层的导体层（2）以外的多个导体层（2）上均设有低频信号连接导线（5），各导体层（2）的低频信号连接导线（5）为不同规格的电源线，用于为射频系统的不同有源器件供电。

8.根据权利要求1所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构，其特征在于，陶瓷基板（1）为Al₂O₃材质，导体层（2）为金属钨材质。

9.一种射频系统，其特征在于，包括如权利要求1~8所述的厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构。

10.一种厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配方法，其特征在于，包括步骤：

S100、准备多个陶瓷基板（1），在每个陶瓷基板（1）顶面印刷形成导体层（2），在其中一个陶瓷基板（1）底面印刷形成金属地层；

S200、对各陶瓷基板（1）贯通加工金属化过孔（4），金属化过孔（4）同时也在各导体层（2）上形成，陶瓷基板（1）的金属化过孔（4）的孔径光滑渐变；

S300、对各陶瓷基板（1）贯通加工多个接地孔（7），接地孔（7）同时贯通导体层（2），并沿金属化过孔（4）周侧布置；

S400、在至少两个陶瓷基板（1）的导体层（2）上分别设置欧姆微带线（3），不同导体层（2）的欧姆微带线（3）宽度不同，并在与欧姆微带线（3）和金属化过孔（4）的连接处具有预定间距的位置设置阻抗调节枝节（31），并使阻抗调节枝节（31）连接欧姆微带线（3）；使欧姆微带线（3）一端与其所在导体层（2）的金属化过孔（4）连接，欧姆微带线（3）所在导体层（2）的金属化过孔（4）孔径与欧姆微带线（3）宽度匹配；

S500、将具有金属地层的陶瓷基板（1）置于底层，将其中一个具有欧姆微带线（3）的陶瓷基板（1）置于顶层，其余陶瓷基板（1）依次叠于顶层和底层之间；

S600、烧制成型，使各接地孔（7）对应连通并连通至金属地层，并使各金属化过孔（4）依次连通并连通至金属地层，其中，相邻的两个欧姆微带线（3）所在导体层（2）之间的金属化过孔（4）孔径光滑渐变。

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