CN115820257A - 一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法 - Google Patents
一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115820257A CN115820257A CN202111086500.8A CN202111086500A CN115820257A CN 115820257 A CN115820257 A CN 115820257A CN 202111086500 A CN202111086500 A CN 202111086500A CN 115820257 A CN115820257 A CN 115820257A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- silicon solar
- monocrystalline silicon
- protective solvent
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 15
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 48
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 43
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 11
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 206010037544 Purging Diseases 0.000 claims description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 7
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001924 cycloalkanes Chemical group 0.000 claims description 5
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 claims description 5
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000009194 climbing Effects 0.000 abstract description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明提供一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法，所述槽液包括保护溶剂以及氟化氢溶液，所述保护溶剂与水不互溶，且所述保护溶剂的密度小于所述氟化氢溶液的密度。所述槽液及方法能够改善目前去PSG过程中发生爬液的缺陷，能有效的保护硅片正面P‑N结不受腐蚀。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池领域，涉及一种去除磷硅玻璃的方法，尤其涉及一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法。
背景技术
目前PERC电池主要采用碱抛光的方式，相比于传统的酸刻蚀，背面进行碱抛光一方面大大地减小了比表面积，从而减少了悬挂键，提高了钝化能力，另一方面抛光面增加了背面的反射率，提高了电池对长波段光的吸收与利用，因此用碱抛的方式可以获得更高的电池转化效率。由于扩散后电池表面会形成一层磷硅玻璃(PSG)，PSG层会影响碱抛的效果，因此在进行碱抛之前，一般用HF去除背面的PSG。在进HF槽之前，硅片表面会铺设一层水膜进行保护，从而防止HF腐蚀正面的P-N结。但随着硅片在滚轮上的移动，正面的水膜有时无法完整的覆盖在表面上，从而产生爬液现象，造成电池片边缘漏电，影响硅太阳能电池的效率及A级率。
发明内容
为解决现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法，所述槽液及方法能够改善目前去PSG过程中发生爬液的缺陷，能有效的保护硅片正面P-N结不受腐蚀。
为达到上述技术效果，本发明采用以下技术方案：
本发明目的之一在于提供一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液，所述槽液包括保护溶剂以及氟化氢溶液，所述保护溶剂与水不互溶，且所述保护溶剂的密度小于所述氟化氢溶液的密度。
本发明中，所述槽液置于去PSG槽中对单晶硅太阳能电池片进行去除磷硅玻璃处理，该槽液选用与水不互溶且密度小于水的溶剂作为保护溶剂，故该槽液会在去PSG槽中分层，上层为保护溶剂下层为氟化氢溶液，当单晶硅太阳能电池片浸没于所述槽液中时，其正面覆盖所述保护溶剂，其侧面以及背面浸没与氟化氢溶液中进行PSG去除。由于其正面覆盖保护溶剂，而保护溶剂与水不互溶，因此在去除PSG的过程中几乎不会产生氟化氢溶液的爬液现象，有效保护单晶硅太阳能电池片正面的P-N结不受腐蚀。
作为本发明优选的技术方案，所述保护溶剂的化学式为CaHb，其中a≥5，2a-6≤b≤2a+2，a和b为整数。
其中，a可以是5、6、7、8、9、10、11或12等，b可以是4、6、8、10、12、18、20、22、24或26等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述保护溶剂为烷烃。
优选地，所述保护溶剂为C5～C8的烷烃，如C5、C6、C7或C8的烷烃等。
优选地，所述保护溶剂包括正戊烷、正己烷、正庚烷或正辛烷中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：正戊烷和正己烷的组合、正己烷和正庚烷的组合、正庚烷和正辛烷的组合、正辛烷和正戊烷的组合或正戊烷、正己烷和正庚烷的组合等。
作为本发明优选的技术方案，所述保护溶剂为环烷烃。
优选地，所述保护溶剂为C5～C8的环烷烃，如C5、C6、C7或C8的环烷烃等。
优选地，所述保护溶剂包括环戊烷、环己烷、甲基环己烷、环庚烷或环辛烷中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：环戊烷和环己烷的组合、环己烷和甲基环己烷的组合、甲基环己烷和环庚烷的组合、环庚烷和环辛烷的组合、环辛烷和环戊烷的组合或环戊烷、环己烷和甲基环己烷的组合等。
作为本发明优选的技术方案，所述保护溶剂为取代或未取代的芳香烃。
优选地，所述保护溶剂为C6～C9的取代或未取代的芳香烃，如C6、C7、C8或C9的芳香烃等。
优选地，所述保护溶剂包括苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯以及均三甲苯中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：苯和甲苯的组合、甲苯和邻二甲苯的组合、邻二甲苯和间二甲苯的组合、间二甲苯和对二甲苯的组合、对二甲苯和均三甲苯的组合、均三甲苯和苯的组合或苯、间二甲苯和均三甲苯的组合等。
本发明目的之二在于提供一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的方法，所述方法使用上述任一种槽液浸没所述单晶硅太阳能电池片。
作为本发明优选的技术方案，所述单晶硅太阳能电池片正面覆盖所述保护溶剂，所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面浸没于所述氟化氢溶液。
作为本发明优选的技术方案，所述槽液填充于去PSG槽中，所述去PSG槽中设置有传送装置，所述单晶硅太阳能电池片通过所述传送装置进出所述去PSG槽。
本发明中，去PSG槽中的槽液中保护溶剂的高度、氟化氢溶液的高度以及传送装置在去PSG槽中的高度均可以根据单晶硅太阳能电池片的厚度进行调整，因此不作出具体限定。
作为本发明优选的技术方案，所述单晶硅太阳能电池片通过所述去PSG槽后通过后处理去除残留的槽液。
优选地，所述后处理包括通过吹扫处理去除所述单晶硅太阳能电池片正面残留的保护溶剂。
优选地，所述后处理包括通过第一水洗处理去除所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面残留的氟化氢溶液。
优选地，所述后处理包括对所述单晶硅太阳能电池片的正面、侧面以及背面进行第二水洗处理以及烘干处理。
本发明中，吹扫处理、水洗处理以及烘干处理的时间以及温度等的选择，均可根据去PSG槽液中保护溶剂具体种类的选择以及单晶硅太阳能电池片在去PSG槽液中的停留时间做出具体选择，因此不作出具体限定。
作为本发明优选的技术方案，所述单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的方法包括以下步骤：
所述单晶硅太阳能电池片通过所述传送装置进入所述去PSG槽；
所述单晶硅太阳能电池片正面覆盖所述保护溶剂，所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面浸没于所述氟化氢溶液；
所述单晶硅太阳能电池片通过所述传送装置离开所述去PSG槽，并对所述单晶硅太阳能电池片进行后处理；
所述后处理包括通过吹扫处理去除所述单晶硅太阳能电池片正面残留的保护溶剂，通过第一水洗处理去除所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面残留的氟化氢溶液，对所述单晶硅太阳能电池片的正面、侧面以及背面进行第二水洗处理以及烘干。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明提供一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法，所述槽液及方法能够改善目前去PSG过程中发生爬液的缺陷，能有效的保护硅片正面P-N结不受腐蚀。
附图说明
图1为本发明具体实施方式中单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的方法的流程示意图；
图中：1-保护溶剂，2-氟化氢溶液，3-传送装置，4-单晶硅太阳能电池片，5-吹扫装置。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：
实施例1
本实施例提供一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的方法，所述方法包括以下步骤：
所述单晶硅太阳能电池片通过所述传送装置进入所述去PSG槽，所述去PSG槽中槽液为正己烷以及氟化氢溶液；
所述单晶硅太阳能电池片正面覆盖所述正己烷，所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面浸没于所述氟化氢溶液中；
所述单晶硅太阳能电池片通过所述传送装置离开所述去PSG槽，并对所述单晶硅太阳能电池片进行后处理；
所述后处理包括通过吹扫处理去除所述单晶硅太阳能电池片正面残留的保护溶剂，通过第一水洗处理去除所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面残留的氟化氢溶液，对所述单晶硅太阳能电池片的正面、侧面以及背面进行第二水洗处理以及烘干。
实施例2-15采用与实施例1相同的方法，区别仅在于去PSG槽中的槽液的保护溶剂的选择不同，具体如表1所示。
表1
| 保护溶剂 | |
| 实施例2 | 正戊烷 |
| 实施例3 | 正庚烷 |
| 实施例4 | 正辛烷 |
| 实施例5 | 环戊烷 |
| 实施例6 | 环己烷 |
| 实施例7 | 甲基环己烷 |
| 实施例8 | 环庚烷 |
| 实施例9 | 环辛烷 |
| 实施例10 | 苯 |
| 实施例11 | 甲苯 |
| 实施例12 | 邻二甲苯 |
| 实施例13 | 间二甲苯 |
| 实施例14 | 对二甲苯 |
| 实施例15 | 间三甲苯 |
对比例1
本对比例中，除了去PSG槽中的槽液仅含有氟化氢溶液，所述单晶硅太阳能电池片正面采用水膜进行保护外，其余条件均与实施例1相同。
对比例2-5采用与实施例1相同的方法，区别仅在于去PSG槽中的槽液的保护溶剂的选择不同，具体如表2所示。
表2
| 保护溶剂 | |
| 对比例2 | 乙醚 |
| 对比例3 | 乙酸乙酯 |
| 对比例4 | 环己酮 |
| 对比例5 | 正丁醇 |
本发明实施例1-15以及对比例1-5中各具体条件如表3所示。
表3
对实施例1-15以及对比例1-5处理后的单晶硅太阳能电池片进行测试，测试其有无漏电现象以及A级率进行测试，其结果如表4所示。
所有单晶硅太阳能电池片用IV测试仪一一进行测试，测试所得数据包括电池效率、开压、短路电流、FF、Rs、Rsh和漏电流等参数。通过IV测试的结果可以获得符合要求的A级电池片(电池效率＞22.2％且漏电流＜1A)，A级电池片的占比就为A级率。
一般漏电流值≥1A，我们则认为该电池片漏电。再将漏电的电池片用IR测试仪进行测试，可观察电池片的漏电区域，来判断是否为边缘漏电。
表4
从表4的测试结果可以看出，本发明实施例1-15提供的单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的方法，可以有效改善目前去PSG过程中发生爬液的缺陷，能有效的保护硅片正面P-N结不受腐蚀，处理后的单晶硅太阳能电池片的边缘漏电率不超过0.20％，A级率在98.80％以上。对比例1采用水膜进行保护，而对比例2-5将保护溶剂分别替换为乙醚、乙酸乙酯、环己酮以及正丁醇，处理后的单晶硅太阳能电池片相比于实施例1，边缘漏电率上升，而A级率降低。显然，相比于对比例1-5，实施例1-15提供的单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的方法的效果更为有益。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (10)
1.一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液，其特征在于，所述槽液包括保护溶剂以及氟化氢溶液，所述保护溶剂与水不互溶，且所述保护溶剂的密度小于所述氟化氢溶液的密度。
2.根据权利要求1所述的槽液，其特征在于，所述保护溶剂的化学式为CaHb，其中a≥5，2a-6≤b≤2a+2，a和b为整数。
3.根据权利要求1或2所述的槽液，其特征在于，所述保护溶剂为烷烃；
优选地，所述保护溶剂为C5～C8的烷烃；
优选地，所述保护溶剂包括正戊烷、正己烷、正庚烷或正辛烷中的任意一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1或2所述的槽液，其特征在于，所述保护溶剂为环烷烃；
优选地，所述保护溶剂为C5～C8的环烷烃；
优选地，所述保护溶剂包括环戊烷、环己烷、甲基环己烷、环庚烷或环辛烷中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据权利要求1或2所述的槽液，其特征在于，所述保护溶剂为取代或未取代的芳香烃；
优选地，所述保护溶剂为C6～C9的取代或未取代的芳香烃；
优选地，所述保护溶剂包括苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯以及均三甲苯中的任意一种或至少两种的组合。
6.一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的方法，其特征在于，所述方法使用权利要求1-5任一项所述的槽液浸没所述单晶硅太阳能电池片。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述单晶硅太阳能电池片正面覆盖所述保护溶剂，所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面浸没于所述氟化氢溶液。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述槽液填充于去PSG槽中，所述去PSG槽中设置有传送装置，所述单晶硅太阳能电池片通过所述传送装置进出所述去PSG槽。
9.根据权利要求6-8任一项所述的方法，其特征在于，所述单晶硅太阳能电池片通过所述去PSG槽后通过后处理去除残留的槽液；
优选地，所述后处理包括通过吹扫处理去除所述单晶硅太阳能电池片正面残留的保护溶剂；
优选地，所述后处理包括通过第一水洗处理去除所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面残留的氟化氢溶液；
优选地，所述后处理包括对所述单晶硅太阳能电池片的正面、侧面以及背面进行第二水洗处理以及烘干处理。
10.根据权利要求6-9任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
所述单晶硅太阳能电池片通过所述传送装置进入所述去PSG槽；
所述单晶硅太阳能电池片正面覆盖所述保护溶剂，所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面浸没于所述氟化氢溶液；
所述单晶硅太阳能电池片通过所述传送装置离开所述去PSG槽，并对所述单晶硅太阳能电池片进行后处理；
所述后处理包括通过吹扫处理去除所述单晶硅太阳能电池片正面残留的保护溶剂，通过第一水洗处理去除所述单晶硅太阳能电池片背面以及侧面残留的氟化氢溶液，对所述单晶硅太阳能电池片的正面、侧面以及背面进行第二水洗处理以及烘干处理。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111086500.8A CN115820257B (zh) | 2021-09-16 | 一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111086500.8A CN115820257B (zh) | 2021-09-16 | 一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115820257A true CN115820257A (zh) | 2023-03-21 |
| CN115820257B CN115820257B (zh) | 2024-04-30 |
Family
ID=
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1678961A (zh) * | 2002-08-22 | 2005-10-05 | 大金工业株式会社 | 剥离液 |
| CN101223632A (zh) * | 2005-05-13 | 2008-07-16 | 塞克姆公司 | 氧化物的选择性湿蚀刻 |
| TW200839008A (en) * | 2006-11-07 | 2008-10-01 | Advanced Tech Materials | Formulations for cleaning memory devices structures |
| CN102361040A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-02-22 | 天威新能源控股有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
| CN102820379A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-12-12 | 天威新能源控股有限公司 | 一种采用石蜡外边框掩膜法制备太阳电池的方法 |
| CN103618020A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-03-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法 |
| CN104051564A (zh) * | 2013-03-14 | 2014-09-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 湿法刻蚀工艺、设备和太阳能电池及其制造方法 |
| CN106486566A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-03-08 | 太极能源科技（昆山）有限公司 | 一种太阳能电池片的制作方法 |
| CN108269884A (zh) * | 2018-01-25 | 2018-07-10 | 浙江大学 | 一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法 |
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1678961A (zh) * | 2002-08-22 | 2005-10-05 | 大金工业株式会社 | 剥离液 |
| CN101223632A (zh) * | 2005-05-13 | 2008-07-16 | 塞克姆公司 | 氧化物的选择性湿蚀刻 |
| US20080210900A1 (en) * | 2005-05-13 | 2008-09-04 | William Wojtczak | Selective Wet Etchings Of Oxides |
| TW200839008A (en) * | 2006-11-07 | 2008-10-01 | Advanced Tech Materials | Formulations for cleaning memory devices structures |
| CN102361040A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-02-22 | 天威新能源控股有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
| CN102820379A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-12-12 | 天威新能源控股有限公司 | 一种采用石蜡外边框掩膜法制备太阳电池的方法 |
| CN104051564A (zh) * | 2013-03-14 | 2014-09-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 湿法刻蚀工艺、设备和太阳能电池及其制造方法 |
| CN103618020A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-03-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法 |
| CN106486566A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-03-08 | 太极能源科技（昆山）有限公司 | 一种太阳能电池片的制作方法 |
| CN108269884A (zh) * | 2018-01-25 | 2018-07-10 | 浙江大学 | 一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 唐玉萍;: "太阳能电池生产项目污染产生与处理措施", 广东化工, no. 10 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9328427B2 (en) | Edgeless pulse plating and metal cleaning methods for solar cells | |
| JP5421701B2 (ja) | 結晶シリコン太陽電池及びその製造方法 | |
| CN107331734B (zh) | 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法 | |
| CN111962047A (zh) | 一种提高石墨舟处理效果的方法 | |
| CN102185015A (zh) | 硅片的返工处理方法 | |
| WO2022016920A1 (zh) | TOPCon 电池的制备方法 | |
| KR20210062674A (ko) | 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법 | |
| CN104505425A (zh) | 一种制备太阳能单晶背抛光电池片的方法 | |
| CN115820257A (zh) | 一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法 | |
| US10847662B2 (en) | Method of cleaning an exposed surface of a back contacted solar cell by depositing and removing a sacrificial layer | |
| CN103606595A (zh) | 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法 | |
| CN115820257B (zh) | 一种单晶硅太阳能电池片单面去除磷硅玻璃的槽液及方法 | |
| CN105355723A (zh) | 晶体硅太阳电池二氧化硅钝化膜的制备方法 | |
| CN208970515U (zh) | 双氧化层perc电池 | |
| CN112701187B (zh) | 一种切片电池边缘钝化方法及设备 | |
| CN110335919B (zh) | 一种改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法 | |
| Mahtani et al. | High quality amorphous–crystalline silicon heterostructure prepared by grid-biased remote radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| CN112713203A (zh) | 一种新型太阳能电池叠层钝化结构 | |
| CN109768116A (zh) | 一种砷化镓太阳电池的制备方法 | |
| CN113990981B (zh) | 一种单晶绒面光滑圆整处理工艺 | |
| CN104157739A (zh) | 对不合格硅片的处理方法 | |
| RU2614080C1 (ru) | Пассивация поверхности кремниевых пластин методом магнетронного распыления | |
| CN115602758B (zh) | 硅片制绒后不良片的处理方法 | |
| CN112599633B (zh) | 一种降低el黑点不良的方法 | |
| CN115117183B (zh) | 异质结电池的加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |