CN1158184A - 彩色阴极射线管 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种不改变以住的电子枪、发光体层等，但可提高亮度的CRT。本发明涉及的阴极射线管的特征在于，在彩色阴极射线管前面使用的屏面玻璃和安全玻璃中的两者或其中任一个，采用有下列特征的玻璃：对波长为580～700nm附近的电磁波的光谱透射率相对高于对波长为430nm附近和530nm附近的电磁波的光谱透射率。

Description

彩色阴极射线管
本发明涉及适合于彩色显示装置中用的彩色阴极射线管(以下，称为彩色CRT)。
对于彩色CRT，特别是用于计算机显示器那样的高精细度显示装置和大画面显示装置的彩色CRT，一直有提高亮度的问题。
为提高CRT的亮度，现有技术采用下列方法，即提高CRT阳极电压的方法，增大来自电子枪阴极的电子束电流的方法和改良荧光屏荧光体本身的发光效率等方法。
可是，提高CRT阳极电压的方法使耗电增多，并且因放电易产生对CRT的致命故障。此外还产生下列问题，即降低了偏转线圈(DY)的偏转率，特别是使高精细度CRT中的偏转线圈发热的问题。
增大来自电子枪阴极的电子束电流的方法有下列问题：通常使聚焦劣化，阴极的发射寿命缩短，进而缩短电子枪寿命。并且，高精细度CRT中，电子束电流放大电路本身在高频部分，使电子束电流增大变得困难。
彩色CRT中，有基本的R(红)、G(绿)、B(蓝)三种类型的荧光体线条(或点)，受来自电子枪的电子束轰击，荧光体就发光。实际上，在所用的可见光发光区域，轰击荧光面的电子束电子越多，相应的亮度就越高。也就是说，特定的荧光体亮度与电子束电流成比例。
然而，R、G和B各荧光体的发光效率(相对于相同电子束流的明亮程度，即亮度)不同。目前正在开发使用的荧光体中，一般来说R荧光体的发光效率最差。因此，为提高R的亮度，必须增大电子束流。可是，因束电流还受上述电路或电子枪寿命决定的制约，因此对通过的束电流有限制。所以，在可能的范围内增大R的束电流，并设定对G、B的束电流，使得在这种条件下的R、G和B保持平衡。也就是说，设定对G、B的束电流，使其低于可能的最大电流。这样一来，目前的状况是：CRT整体的亮度取决于R的发光效率。
改良荧光屏的荧光体本身的发光效率的方法，虽然一直在继续进行研究，但目前已处于顶点状态。
一种想法是，依靠涂敷较厚的荧光体层，相对地增多荧光剂的量来提高亮度。可是，近来为实现CRT的高精细度化，要使荧光屏的荧光体条变细，必然使荧光体层变薄，荧光体的量就减少，于是亮度降低。图3B给出了尺寸为20英寸的计算机显示器的典型荧光体层。荧光体R与相邻荧光体R之间的间距约0.3mm。通过屏面玻璃看的R(红)、G(绿)和B(蓝)各荧光体条的宽度Wp和碳条的宽度Wc都大约相同，为0.05mm(50μm)量级。涂敷50μm这样极细的荧光体，对荧光体层的厚度也是有一定限制的。
为提高亮度，可改变荧光屏的碳条宽度Wc与荧光体条宽度Wp之比，使碳条宽度Wp变小，这样可认为荧光体条宽度Wp变大。可是，这时易因微小失准的着屏点(电子束与荧光体条的位置偏移)而产生颜色改变，从而降低了图像质量。特别是高精细度CRT因荧光体条宽度Wp和碳条宽度Wc较小，因此对失准的着屏点的允许量变得更小，难以实现增大该荧光体条宽度的尝试。
下面讨论使用与上述相同的荧光体，但依靠提高图3A所示在荧光体与人眼之间的CRT屏面玻璃和安全玻璃(SP安全玻璃)1的透射率，来提高CRT亮度的尝试，此时，因伴随有对比度按透射率2次方劣化的问题，而难以实施。因此，安全玻璃1和屏面玻璃3的总透射率一般在40～80％量级的范围内(下面将参照图3c详细说明)。
本发明的目的是针对上述问题，提供不改变以往的电子枪、发光体层等，但能提高亮度的CRT。
按照本发明的CRT，在玻璃阴极射线管前面使用的屏面玻璃和安全玻璃中之任一个或者两者，采用有下列特性的玻璃：对波长为580～700nm附近的电磁波的光谱透射率相对高于对波长为430nm附近和对波长为530nm附近的电磁波的光谱透射率。
R、G、B各荧光体的发光效率不同，目前使用的荧光体中，R荧光体的发光效率最差。由于上述屏面玻璃和安全屏面玻璃中的两者或者任一方，使用对于波长为580～700nm附近的电磁波有相对较高光谱透射率特性的玻璃，该玻璃在R区域的发光效率高，因而可提高亮度。再者，G和B的发光区域中，由于束电流有裕量，因而增加束电流来获取RGB间的平衡。
图1是展示与本实施例有关的CRT的图，图1A示出CRT的横截面图，图1B示出其安全玻璃的光谱透射率的特性曲线。
图2是在涉及本实施例的CRT中使用的安全玻璃的作用、效果的说明图，图2A示出玻璃荧光体RGB的光谱与相对能量之间关系的特性，图2B示出与图1相同的安全玻璃的光谱透射率特性。
图3是展示CRT的图，图3A是CRT的横截面图，图3B是安全玻璃、屏面玻璃和荧光体层的局部放大图，图3c是说明反射外部光线的状态的图。
下面，参照附图说明本发明CRT的一实施例。图1是说明涉及本实施例的CRT的示意图。图1A所示的本实施例的CRT在荧光屏前面的位置的安全玻璃1采用“青铜色玻璃”。本实施例中用的青铜色玻璃是薄板玻璃，玻璃种类是热吸收板玻璃，玻璃品种是青铜色片，品种标号为BZFL3，可见光总透射率特别指定为72.9％(板厚3mm时)。另外，构成CRT的电子枪(未图示)、荧光体5等其它部件与以往的CRT相同。
与此相反，以往的CRT用“灰色玻璃”作安全玻璃。灰色玻璃是薄板玻璃，种类是热吸收板玻璃，玻璃品种为灰色片，品种标号为GRFL3，可见光总透射率特别指定在72.4％(板厚3mm时)。
青铜色玻璃(本实施例)及灰色玻璃(现有技术)都可从例如日本平板玻璃株式会社商业购得。
图1B示出本实施例的CRT中用作安全玻璃的青铜色玻璃的光谱透射率特性(虚线)，其中横轴表示波长λ(nm)，纵轴表示透射率(％)。再者，为比较，图中同时示出了以往CRT用的灰色玻璃的光谱透射率特性(实线)。
如图1所示，有关青铜色玻璃和灰色玻璃的RGB各发光区的透射率(％)如下所示。玻璃种类        B(430nm) G(530nm) R(580～700nm)青铜色(本实施例)  71.0     71.0   74.0～80.7灰色(比较例)      73.3     72.0   71.2～80.7
由图1B可知，无论G的发光区还是B的发光区，青铜色玻璃的透射率都相对地低于灰色玻璃的透射率。并且，在R的整个发光区，青铜色玻璃的透射率都相对地高于灰色玻璃的透射率。
以往，都认为应选择在RGB发光区上安全玻璃的光谱透射率特性大致均等的不带特定颜色的玻璃材料。可是，本实施例的特征在于，选择如图1B所示，相应于RGB各荧光体的发光，具有预定的RGB发光区的光谱透射率特性的安全玻璃。
利用图2，说明用这种青铜色玻璃作CRT安全玻璃的CRT的作用和效果。图2A是表示R、G、B各玻璃荧光体的光谱特性(光谱形状)的图。横轴表示来自荧光体发光的波长λ(nm)纵轴表示该发光体的相对能量e。此外，因为R、G、B荧光体本身与以往的相同，所以该荧光体的光谱特性也与以往的CRT相同。
第2图B与第1图B相同，即表示安全玻璃1的光谱透射率特性，横轴表示波长λ(nm)，纵轴表示透射率(％)。此外，合适地调整图2A和2B的横轴上的波长λ值的位置，以便相对于各荧光体每一种发光波长λ便于读取荧光体的相对能量e和安全玻璃的透射率t。
请参照图2A。首先，图示的横轴上的波长λ(nm)范围大体是人眼感光的可见光线(波长380nm～780nm的电磁波)。该波长λ的范围内，根据示于纵轴上的各荧光体发光的相对能量感觉色彩。人眼将波长在430nm附近的电磁波感觉为B(青)色，将波长为530nm附近的电磁波感觉为G(绿)色，将波长为580～700nm附近的电磁波感觉为R(红)色。
因此，在430nm附近有相对能量峰值的特性曲线是B荧光体的光谱特性，在530nm附近有相对能量峰值的特性曲线是G荧光体的光谱特性，在580～700nm附近有多个相对能量峰值的特性曲线是R荧光体的光谱特性。
图2A中，一般来说，假若各峰的面积(光谱特性曲线的积分值)大，则感觉越亮，即亮度高。并且，假若各峰细瘦，则看起来鲜明，即色纯度高，反之，假若峰粗胖，则颜色就不鲜明，R的荧光体为浅红色，G的荧光体为浅绿色、B的荧光体为浅蓝色，即色纯度降低。
下面，请参照图2B所示的安全玻璃的光谱透射率特性。由于本实施例中采用青铜色玻璃作安全玻璃，因而其光谱特性与以往的玻璃不同。按照图1的说明可知，关于青铜色玻璃(本实施例)在RGB各发光区域的透射率无论在G的发光区还是在B的发光区，其透射率都相对低于灰色玻璃(现有技术例)。并且，也可以知道在整个R的发光区，青铜色玻璃的透射率都相对高于灰色玻璃的透射率。
由于使用了具有图2B的光谱透射率特性的安全玻璃，对于通过该安全玻璃观看RGB荧光体发光的观察者而言，有如下所示的效果。
(1)在发光效率最差的R的发光区域，由于R的荧光体本身与以往的相同，其发光能量eR也与以往的相同，但与通过以往的灰色玻璃观看时相比，通过R的发光区透射率tR相对较高的青铜色玻璃观看其发光时，可以看得相对明亮些。
(2)在发光效率较好的G、B两个发光区域，由于G、B的荧光体与以往的相同，其发光能量eG、eB也分别与以往的相同，但通过G、B发光区的透射率tG、tB都较低的青铜色玻璃观看其发光时，与通过以往的灰色玻璃观看时相比，看起来相对暗些。
以往，在R的发光区使束电流尽可能地设定为最大，在G、B的发光区则较低地设定它们各自的束电流，以对这时的R的亮度取得平衡。本实施例中，对观测者的眼睛来说，与以往相比，看到R的亮度提高，而G、B的亮度降低。因此，为获得R、G、B各亮度的平衡，与以往相比显然应当增大G、B的各束电流。G、B的束电流并不是像上述那样可能的最大电流，此外，因为有富裕还可能提高各束电流。因此，(观测者的眼睛所见)仅因为R的亮度提高部分和(为了补偿由于R发光区青铜色玻璃的透射率提高而亮度提高部分以及由于在G、B发光区青铜色玻璃的透射率降低而亮度降低部分)增加G、B的束电流使亮度提高部分，R、G、B的各亮度就提高，从而提高彩色CRT整体的亮度。
下面，通过计算可确认该亮度的提高。NTSC制式的基准白色设在D65(太阳光的平均白色，色温约6500K)和D93(一般流行的看法带一点蓝的白色，色温约9300K)。用D93计算的结果如下：无安全板时的透射率为1.0，使用青铜色玻璃(本实施例)时的透射率为0.739，使用灰色玻璃(现有技术)时，透过率为0.715。因此，结果为0.739/0.715＝1.0336，则R，即白色(white)的亮度提高。
下面，就本实施例比现有技术的色纯度相对地更好进行说明。该色纯度的提高正是由于在R的发光区变好。如图2A的荧光体的光谱特性曲线所示，在R的发光区580～700(nm)附近有多个相对能量eR的峰值。如上所示，峰看起来越细窄，色纯度就越高，因此，如果对于波长580～640(nm)上的峰，透射率tR能提高，或者对于波长680～710(nm)的峰，透射率tR能降低，则R的色纯度就提高。
如图2B所示，使用本实施例的青铜色玻璃作安全玻璃的CRT，对波长为680～720(nm)区域上峰的透射率(约80～81.5％)，与以往的灰色玻璃的透射率相同，对波长为590～640(nm)区域上峰的透射率(约74.0～74.5％)，比以往的灰色玻璃的透射率(约71.0～71.6％)高。即与灰色玻璃相比，本实施例用的青铜色玻璃由于在590～640(nm)区域上荧光体R的透射光较大，因而波长580～640(nm)区域上的荧光体R的透射光的影响就相对较低。其结果，在R的发光区上色纯度提高。
通常用D93或D65规定的白色(white)测量CRT的亮度。以往，大体上按R∶G∶B＝2∶7∶1的比例发光，则可得到白色。若像本实施例这样提高了R的色纯度，则由于红色有效的部分增多，可以相对地减小R的比例。例如假定用1.8∶7.1∶1.1的比例得到相同的白色。不过，因为以往的R能发出相当于值2亮度的光，可能成为(1.8∶7.1∶1.1)的比例总体的2/1.8＝1.1倍。因此，这时由于色纯度的提高，总的亮度即白色的亮度成为1.1倍。
这样一来，使用在R的发光区有较高透射率的青铜色玻璃，恰如使用对R发光体光谱的带通滤波器一样，使R的色纯度提高，结果是提高了亮度。
根据计算确认了伴随这种色纯度的提高而亮度增加。着眼于色度计算了D93的白色(white)100(cd/m2)时的R亮度。青铜色玻璃是21.3，灰色玻璃是21.8。因此，若使用以往的灰色玻璃时为100(cd/m2)，则用青铜色玻璃时为100×(21.8/21.3)＝102.35(cd/m2)，亮度提高2.35％。
假若合计这种透射率提高以及色纯度上升的效果，则为102.35(cd/m2)×1.0336＝105.7(cd/m2)，结果亮度提高5.7％，即根据计算也确认了亮度的增加。D65时，按照同样的计算，可确认亮度增加5.0％。
下面，附带讨论对比度。CRT图象质量的好坏取决于图像的最高亮度与黑色信号电平亮度之比，即对比度的大小。假若(例如)就是亮度提高，而对比度C下降，而图像质量仍较低。对比度C可表示为：
C＝CRT亮度/反射光照在CRT画像上的亮度
＝CRT亮度/(外来光×反射率)
如图3c所示，观看装有安全玻璃的CRT的场合，一旦室内照明等外部环境光(外来光线)射入画面时，产生三种反射光，即：由安全玻璃表面反射的反射光(1)，由荧光体层一侧的屏面玻璃1表面反射的反射光(2)和由荧光体反射的反射光(3)。其中，由于反射光(2)和反射光(3)与荧光屏的发光相混，增大了黑色信号电平亮度，因此存在表观上对比度下降的问题。
这时由于CRT屏面玻璃和安全玻璃1的透射率降低，往复二次通过屏面玻璃和安全玻璃的反射光(2)、(3)按透射率的二次方衰减(即减小反射率)，从而提高了对比度C(因此，一般使用使安全玻璃和屏面玻璃的总透射率降低至40～80％量级的。并且，这是使用降低称为黑底(black face)透射率的CRT的原因。)。本实施例中，青铜色玻璃和灰色玻璃的总透射率大致相同。因此，只靠上述CRT亮度上升部分，也就能提高对比度C。更具体地说，由于青铜色玻璃的透射率高0.33％，可以期望亮度提高5％左右，认为没有影响。
仿照上述说明，本实施例中，由于目前开发的RGB荧光体中R的发光效率低于G、B的发光效率，因此使用R发光区域的光谱透射率高于G、B发光区域的各光谱透射率的玻璃，对R荧光体的束电流在可能范围内设定高一些，并对G和B荧光体的各束电流的设定要与R的亮度取得平衡。以此来说明实施例。
此外，作为本实施例有关安全玻璃已作了说明，然而在屏面玻璃及荧光体层5与观测者之间存在的玻璃这一点，都具有与安全玻璃同样的问题。因此，有关说明本实施例的玻璃透射率的事项，可以适用于安全玻璃和屏面玻璃。
此外，以往认为有关CRT亮度的参数有两种，即束电流(iR、iG、iB)和荧光体发光能量(亮度)(eR、eG、eB)，但本实施例的特征在于，发现可以通过调整安全玻璃的透射率(tR、tG、tB)来达到亮度提高。本实施例可以说是对目前荧光体发光能量(亮度)eR、eG、eB间的参差不齐依靠安全玻璃透射率tR、tG、tB进行补偿的技术。下面说明本发明的实质。
也许在将来，出现与目前的现状不同的情况，即通过本领域的技术人员推进了有关提高RGB各荧光体本身的亮度的开发，RGB各荧光体发光效率的平衡，甚至在将来，例如R荧光体的发光能量eR还可能高于G、B荧光体的发光能量eG、eB。在这种场合，通过选择一种安全玻璃，它的透射率之比tR∶tG∶tB大致相当于各荧光体发光能量(亮度)值的倒数之比1/eR∶1/eG∶1/eB，以此来提高CRT的亮度。
将来，如果可任意控制玻璃的光学特性，则可以考虑进行如下操作。对比度C：可以用C＝CRT的亮度/(外来光×反射率)来表示。一般，对比度高的，图象质量就好。迄此所述的实施例，通过提高反射率大致相同的CRT的亮度来提高对比度。可是在将来(由于CRT的亮度、外来光、反射率都是各自独立的变量)，假若能够不改变对比度C而能获得透射率提高5％的玻璃，则因为如图3C的说明那样，反射率与透射率的二次方成比例，可以依据CRT的亮度＝对比度C×(外来光×反射率)，得到1.052＝1.10，即可以得到亮度提高10％的CRT。
关于提高CRT亮度的问题，就是在上述束电流、发光能量(亮度)和安全玻璃的透射率三种参数之间进行调整和控制。其中，从电子枪寿命观点来看，希望各束电流iR、iG、iB彼此相同或尽可能接近的值。从生成白色等各种颜色的观点来看，希望荧光体的发光能量(亮度)eR、eG、eB能有尽可能接近的值或有所期望的比值。此外，从透过玻璃而不改变颜色的观点来看，希望安全玻璃的透射率tR、tG、tB彼此相同或者尽可能接近的值。
结果，开发CRT时，采用下列技术：在这三种参数之间，按照当时的需要及玻璃、荧光体等的技术状况等，给出参数的优先顺序，固定优先顺序较高的参数，改变优先顺序较低的参数，从而调整该参数在RGB间的值，实现预定的RGB间亮度的平衡。
以上虽然对本发明进行了说明，但本发明并不限于上述实施例。本发明的技术范围根据记载的权利要求的范围来决定。
按照本发明，可以进一步提高了CRT的亮度。

Claims (3)

1.一种彩色阴极射线管，其特征在于在彩色阴极射线管前面使用的屏面玻璃和安全玻璃中之任一个或者两者，采用有下列特性的玻璃：对波长为580～700nm附近的电磁波的光谱透射率相对高于对波长为430nm附近和对波长为530nm附近的电磁波的分谱透射率。
2.如权利要求1所述的彩色阴极射线管，其特征在于所述玻璃为青铜色玻璃。
3.一种彩色阴极射线管，在荧光体层的RGB各荧光体的相对能量之比为eR∶eG∶eB时，选择作为屏面玻璃和安全玻璃或者作两者中之任一种的玻璃，它们在RGB各发光区域的透射率tR、tG、tB大体上与所述荧光体的各相对能量值的倒数之比1/eR∶1/eG∶1/eB成比例。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6511810B2 (ja) * 2014-12-26 2019-05-15 Ａｇｃ株式会社 表示装置用前面ガラス及び表示装置付き機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4065697A (en) * 1969-02-17 1977-12-27 Owens-Illinois, Inc. Cathode-ray tube
JPS5462770A (en) * 1977-10-28 1979-05-21 Hitachi Ltd Color picture tube
DE3165371D1 (en) * 1980-05-29 1984-09-13 Mitsubishi Electric Corp Color cathode ray tube
JPS56168324A (en) * 1980-05-29 1981-12-24 Mitsubishi Electric Corp Color cathode-ray tube
JPS575251A (en) * 1980-06-12 1982-01-12 Nippon Electric Glass Co Ltd Cathode ray tube glass
US4390637A (en) * 1980-09-10 1983-06-28 Nippon Electric Glass Company, Limited X-Ray absorbing glass for a color cathode ray tube having a controlled chromaticity value and a selective light absorption
GB2093268B (en) * 1981-02-13 1984-09-26 Mitsubishi Electric Corp Cathode ray tube
JPS60168324A (ja) * 1984-02-10 1985-08-31 株式会社みかど育種農場 蔓性果菜植物の栽培方法
DE4311180C1 (de) * 1993-04-06 1995-01-12 Flachglas Ag Bronzefarbenes oder graufarbenes Kalknatron-Silikatglas
JPH0729531A (ja) * 1993-07-12 1995-01-31 Futaba Corp 蛍光表示管

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