CN115816267A - 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置 - Google Patents

硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115816267A
CN115816267A CN202211718365.9A CN202211718365A CN115816267A CN 115816267 A CN115816267 A CN 115816267A CN 202211718365 A CN202211718365 A CN 202211718365A CN 115816267 A CN115816267 A CN 115816267A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
carrier
polishing
flow guide
liner
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211718365.9A
Other languages
English (en)
Inventor
张舸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Original Assignee
Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Eswin Material Technology Co Ltd filed Critical Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Priority to CN202211718365.9A priority Critical patent/CN115816267A/zh
Priority to TW112105940A priority patent/TW202330178A/zh
Publication of CN115816267A publication Critical patent/CN115816267A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置,所述承载件包括:形成有通孔的本体;衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬,所述内衬用于容置硅片,其中,所述内衬形成有导流通道,使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述导流通道排出。能够降低硅片的周缘处的抛光程度,从而减小硅片的周缘处与中央处的抛光程度之间的差异,改善硅片表面平坦度。

Description

硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置
技术领域
本发明涉及半导体硅片生产领域,尤其涉及一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置。
背景技术
在半导体硅片的生产工艺中,通常需要对硅片进行双面抛光,以去除硅片成型处理过程中产生在硅片表面的损伤并将硅片表面形成为镜面状,这一处理过程通常是利用硅片双面抛光装置来完成的。
在硅片双面抛光装置中,硅片承载在承载件中。具体地,承载件可以设置在上下抛光垫之间并且可以形成有将承载件贯穿的容置部,硅片可以容置在该容置部中,以随承载件一起相对于上下抛光垫运动,由此实现使硅片的两个圆形主表面都被上下抛光垫抛光。
在上述抛光过程中,来自抛光垫的抛光液会聚集在硅片的外周面与容置部的内周壁之间的间隙中,从而使硅片的周缘处的抛光液的量增大,导致硅片的两个圆形主表面中靠近于硅片的周缘处的部分的抛光程度增大,从而导致硅片的表面平坦度恶化。
随着半导体技术的不断发展,对硅片表面平坦度要求越来越高,由于上述问题的存在,常规的硅片双面抛光装置已无法满足这样的要求。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例期望提供一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置,能够降低硅片的周缘处的抛光程度,从而减小硅片的周缘处与中央处的抛光程度之间的差异,改善硅片表面平坦度。
本发明的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置的承载件,所述承载件包括:
形成有通孔的本体;
衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬,所述内衬用于容置硅片,其中,所述内衬形成有导流通道,使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述导流通道排出。
第二方面,本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置,所述硅片双面抛光装置包括根据第一方面所述的承载件。
本发明实施例提供了一种,硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置,由于内衬形成有导流通道,因此聚集在上述的间隙中的抛光液能够通过导流通道被逐渐地排出,使得间隙处始终保持少量的抛光液,由此降低硅片的周缘处的抛光程度,改善硅片表面平坦度。
附图说明
图1为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的承载件的俯视示意图;
图2为沿着图1中的线A-A剖切的局部剖视示意图;
图3为根据本发明的优选实施例的承载件的内衬的局部剖视示意图;
图4为根据本发明的另一优选实施例的承载件的内衬的局部剖视示意图;
图5为根据本发明的更优选实施例的承载件的内衬的局部剖视示意图;
图6为根据本发明的另一实施例的承载件的俯视示意图;
图7为根据本发明的实施例的承载件的内衬的俯视示意图;
图8为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的俯视示意图;
图9为根据本发明的实施例的硅片双面抛光装置的正视示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参见图1和图2并结合图8和图9,本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置的承载件10,所述承载件10可以包括:
形成有通孔11H的本体11;
衬入在所述本体11的通孔11H中的环状的内衬12,所述内衬12用于容置硅片W,其中,所述内衬12形成有导流通道12P,如在图2中示出的,使得聚集在所述硅片W的外周面WS与所述内衬12的内周面12S之间的间隙G中的抛光液PL能够经由所述导流通道12P排出,如在图2中通过直线箭头示意性地示出的,比如排出至将在下文中进一步详细描述的下抛光垫50。
对于根据本发明的实施例的承载件10而言,由于内衬12形成有导流通道12P,因此聚集在上述的间隙G中的抛光液PL能够通过导流通道12P被逐渐地排出,使得间隙G处始终保持少量的抛光液PL,由此降低硅片W的周缘处的抛光程度,改善硅片表面平坦度。
对于上述间隙G中的抛光液PL流入到导流通道12P中的入口而言,在本发明的优选实施例中,参见图3,所述导流通道12P的入口12P-I可以形成在所述内衬12的底部12B处,这里的底部12B例如为在图3中通过虚线方框框出的部分,这样,能够尽最大可能地将上述间隙G中的抛光液PL排除干净,另外,在入口12P-I形成在底部12B处的情况下,处于该入口12P-I上方的抛光液PL的高度得到最大化,由此能够促进抛光液PL以更为快速的方式从间隙G排出。
对于上述间隙G中的抛光液PL从导流通道12P流出的出口而言,在本发明的优选实施例中,参见图4,所述导流通道12P的出口12P-O可以形成在所述内衬12的底面12BS上。这样,排出的抛光液PL能够如前文所述的排出至下抛光垫50,而比如出口12P-O形成在内衬12的外周面上的话,参见图1容易理解的是,流出的抛光液PL又会进入到内衬12的外周面与通孔11H之间的间隙中,在这样的间隙较小的情况下,不利于抛光液PL的排出。
在本发明更优选的实施例中,参见图5,所述导流通道12P可以为从所述内衬12的底面12BS凹入的凹槽12R。这样,能够同时获得上述的导流通道12P的入口12P-I形成在内衬12的底部12B处以及导流通道12P的出口12P-O形成在内衬12的底面12BS上的优点。
如在下文中对硅片双面抛光装置1详细描述的,在抛光过程中,硅片W会随着承载件10一起相对于上抛光垫40和下抛光垫50运动以实现抛光,在硅片W的外周面WS与内衬12的内周面12S存在有间隙G的情况下,上述的运动会导致承载件10对硅片W产生冲击,导致碎片等不利影响。对此,在本发明的优选实施例中,参见图6,在所述承载件10还可以包括设置在所述本体11与所述内衬12之间的缓冲层13,这样,在上述的运动对硅片W产生冲击的情况下,缓冲层13可以对冲击起到缓冲作用,使比如碎片率降低。
优选地,参见图7,所述内衬12可以形成有多个导流通道12P,比如图7中示出例性示出的8个导流通道12P,所述多个导流通道12P可以在所述内衬12的周向上均匀分布。这样,能够使硅片W的周向上的各个位置处的抛光液PL都能够得到有效的排出,进而确保表面平坦度。
参见图8,本发明实施例还提供了一种硅片双面抛光装置1,所述硅片双面抛光装置1可以包括根据本发明上述各实施例的承载件10。
参见图8,所述本体11可以呈圆盘状并且具有本体外齿11T,如在图8中通过粗实线示意性地示出的,并且硅片双面抛光装置1还可以包括:
内齿圈20,所述内齿圈20具有内齿圈外齿20T,如在图8中同样通过粗实线示意性地示出的;
设置在所述内齿圈20外围的外齿圈30,所述外齿圈30具有外齿圈内齿30T,如在图8中同样通过粗实线示意性地示出的;
其中,所述本体外齿11T用于与所述内齿圈外齿20T以及所述外齿圈内齿30T啮合,这样,当内齿圈20和外齿圈30各自进行旋转时,便可以驱动承载件10以及承载在该承载件10中的硅片W运动。
参见图9,所述硅片双面抛光装置1还可以包括分别设置在所述承载件10的上方和下方以夹持所述承载件10的上抛光垫40和下抛光垫50。
参见图9,所述硅片双面抛光装置1还可以包括设置在所述上抛光垫40的上方的上定盘60和设置在所述下抛光垫50下方的下定盘70,所述上定盘60和所述下定盘70用于提供使所述上抛光垫40和所述下抛光垫50夹持所述承载件10的夹持力。
需要说明的是:本发明实施例所记载的技术方案之间,在不冲突的情况下,可以任意组合。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种硅片双面抛光装置的承载件,其特征在于,所述承载件包括:
形成有通孔的本体;
衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬,所述内衬用于容置硅片,其中,所述内衬形成有导流通道,使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述导流通道排出。
2.根据权利要求1所述的承载件,其特征在于,所述导流通道的入口形成在所述内衬的底部处。
3.根据权利要求1所述的承载件,其特征在于,所述导流通道的出口形成在所述内衬的底面上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的承载件,其特征在于,所述导流通道为从所述内衬的底面凹入的凹槽。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的承载件,其特征在于,所述承载件还包括设置在所述本体与所述内衬之间的缓冲层。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的承载件,其特征在于,所述内衬形成有多个导流通道,所述多个导流通道在所述内衬的周向上均匀分布。
7.一种硅片双面抛光装置,其特征在于,所述硅片双面抛光装置包括权利要求1至6中任一项所述的承载件。
8.根据权利要求7所述的硅片双面抛光装置,其特征在于,所述本体呈圆盘状并且具有本体外齿,并且硅片双面抛光装置还包括:
内齿圈,所述内齿圈具有内齿圈外齿;
设置在所述内齿圈外围的外齿圈,所述外齿圈具有外齿圈内齿;
其中,所述本体外齿用于与所述内齿圈外齿以及所述外齿圈内齿啮合。
9.根据权利要求8所述的硅片双面抛光装置,其特征在于,所述硅片双面抛光装置还包括分别设置在所述承载件的上方和下方以夹持所述承载件的上抛光垫和下抛光垫。
10.根据权利要求9所述的硅片双面抛光装置,其特征在于,所述硅片双面抛光装置还包括设置在所述上抛光垫的上方的上定盘和设置在所述下抛光垫下方的下定盘,所述上定盘和所述下定盘用于提供使所述上抛光垫和所述下抛光垫夹持所述承载件的夹持力。
CN202211718365.9A 2022-12-29 2022-12-29 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置 Pending CN115816267A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211718365.9A CN115816267A (zh) 2022-12-29 2022-12-29 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置
TW112105940A TW202330178A (zh) 2022-12-29 2023-02-18 矽片雙面拋光裝置的承載件及矽片雙面拋光裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211718365.9A CN115816267A (zh) 2022-12-29 2022-12-29 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115816267A true CN115816267A (zh) 2023-03-21

Family

ID=85519502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211718365.9A Pending CN115816267A (zh) 2022-12-29 2022-12-29 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN115816267A (zh)
TW (1) TW202330178A (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1138745A (zh) * 1995-04-10 1996-12-25 松下电器产业株式会社 被研磨基板的保持装置基板的研磨装置及基板的研磨方法
JP2002113653A (ja) * 2000-07-31 2002-04-16 Ebara Corp 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置
CN2517109Y (zh) * 2001-12-06 2002-10-16 陈水源 一种晶片研磨用定位环
US20050113002A1 (en) * 2003-11-24 2005-05-26 Feng Chen CMP polishing heads retaining ring groove design for microscratch reduction
CN1890054A (zh) * 2003-12-10 2007-01-03 应用材料公司 带有浆液输送槽的保持环
CN1901142A (zh) * 2005-07-21 2007-01-24 硅电子股份公司 机加工半导体晶片的方法、载具和由此制造的半导体晶片
CN1993206A (zh) * 2004-08-02 2007-07-04 昭和电工株式会社 用于磁记录介质的抛光托架和硅基底的制造方法以及用于磁记录介质的硅基底
CN101905442A (zh) * 2009-06-03 2010-12-08 不二越机械工业株式会社 晶圆的双面研磨装置、双面研磨方法及该装置的载体
CN104011795A (zh) * 2011-12-29 2014-08-27 Hoya株式会社 磁盘用玻璃基板的制造方法
TWM514104U (zh) * 2015-07-03 2015-12-11 Sch Power Tech Co Ltd 晶圓加工結構
TWI602650B (zh) * 2016-07-22 2017-10-21 力晶科技股份有限公司 化學機械研磨之固定環
CN108602173A (zh) * 2015-12-22 2018-09-28 胜高股份有限公司 晶圆的双面抛光方法及使用该双面抛光方法的外延晶圆的制造方法以及外延晶圆
TWM584536U (zh) * 2019-06-28 2019-10-01 楷豐科技股份有限公司 化學機械研磨環
CN211103391U (zh) * 2019-04-18 2020-07-28 楷丰科技股份有限公司 化学机械研磨环

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1138745A (zh) * 1995-04-10 1996-12-25 松下电器产业株式会社 被研磨基板的保持装置基板的研磨装置及基板的研磨方法
JP2002113653A (ja) * 2000-07-31 2002-04-16 Ebara Corp 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置
CN2517109Y (zh) * 2001-12-06 2002-10-16 陈水源 一种晶片研磨用定位环
US20050113002A1 (en) * 2003-11-24 2005-05-26 Feng Chen CMP polishing heads retaining ring groove design for microscratch reduction
CN1890054A (zh) * 2003-12-10 2007-01-03 应用材料公司 带有浆液输送槽的保持环
CN1993206A (zh) * 2004-08-02 2007-07-04 昭和电工株式会社 用于磁记录介质的抛光托架和硅基底的制造方法以及用于磁记录介质的硅基底
CN1901142A (zh) * 2005-07-21 2007-01-24 硅电子股份公司 机加工半导体晶片的方法、载具和由此制造的半导体晶片
CN101905442A (zh) * 2009-06-03 2010-12-08 不二越机械工业株式会社 晶圆的双面研磨装置、双面研磨方法及该装置的载体
CN104011795A (zh) * 2011-12-29 2014-08-27 Hoya株式会社 磁盘用玻璃基板的制造方法
TWM514104U (zh) * 2015-07-03 2015-12-11 Sch Power Tech Co Ltd 晶圓加工結構
CN108602173A (zh) * 2015-12-22 2018-09-28 胜高股份有限公司 晶圆的双面抛光方法及使用该双面抛光方法的外延晶圆的制造方法以及外延晶圆
TWI602650B (zh) * 2016-07-22 2017-10-21 力晶科技股份有限公司 化學機械研磨之固定環
CN211103391U (zh) * 2019-04-18 2020-07-28 楷丰科技股份有限公司 化学机械研磨环
TWM584536U (zh) * 2019-06-28 2019-10-01 楷豐科技股份有限公司 化學機械研磨環

Also Published As

Publication number Publication date
TW202330178A (zh) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7541287B2 (en) Method for machining a semiconductor wafer on both sides in a carrier, carrier, and a semiconductor wafer produced by the method
KR101230112B1 (ko) 반도체 웨이퍼 제조 방법
US6089966A (en) Surface polishing pad
EP1808887B1 (en) Production method of semiconductor wafer
KR101316364B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조 방법
US8389409B2 (en) Method for producing a semiconductor wafer
US8529315B2 (en) Method for producing a semiconductor wafer
TW201700558A (zh) 研磨墊的研磨層及其製造方法以及研磨方法
CN102848303A (zh) 半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片
JP2008062367A (ja) 研磨装置、研磨パッド、研磨方法
KR20100138736A (ko) 반도체 웨이퍼의 양면 폴리싱 가공 방법
KR101739943B1 (ko) 웨이퍼 다이싱 블레이드 및 이를 포함하는 웨이퍼 다이싱 장비
CN115070606B (zh) 一种用于对硅片进行抛光的抛光垫和抛光设备
CN115816267A (zh) 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置
CN110744440A (zh) 一种双面研磨装置及方法
KR101255454B1 (ko) 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법
US11524389B2 (en) Polishing pad and polishing method
CN212601122U (zh) 一种抛光垫及抛光设备
JP2003300150A (ja) 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
US7131901B2 (en) Polishing pad and fabricating method thereof
CN106607749A (zh) 一种阻挡型化学机械研磨垫及研磨装置
KR20100138734A (ko) 반도체 웨이퍼의 국지적 연마 방법
TW202327798A (zh) 矽片雙面拋光裝置的承載件及矽片雙面拋光裝置
JP4241164B2 (ja) 半導体ウェハ研磨機
JP2005238413A (ja) ラップ盤用回転定盤

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065

Applicant after: Xi'an Yisiwei Material Technology Co.,Ltd.

Address before: Room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065

Applicant before: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information