CN115810555A - 机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，能够在机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，根据机台的多个腔室内壁所沉积的膜层厚度，以及当前机台对晶圆的处理顺序，确定向机台送入的下一批晶圆的批次数量，从而在机台即将进行清洗处理时，能够及时减少送入机台的晶圆的批次数量，进而能够防止送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长而造成晶圆表面的缺陷，进而能够提高机台制造的晶圆的良品率。

Description

机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

技术领域

本申请涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

机台是一种用于在晶圆上制作半导体电路的设备，机台内设置有多个封闭腔室(chamber)，当晶圆送入机台，机台内的腔室可以被配置为对晶圆进行沉积膜层等处理，从而在晶圆上形成半导体电路。

由于在腔室内对晶圆进行沉积膜层处理时，腔室内壁也会沉积部分膜层，一定时间之后内壁上的膜层厚度过大时，会给在该腔室对晶圆的沉积膜层处理时造成膜厚不均匀等缺陷，降低机台制造的半导体的良品率。因此，机台被配置为当检测到腔室上的内壁膜层厚度大于一个阈值时，对该腔室进行清洗(clean)处理。而当多批(lot)晶圆被送入机台后，如果机台在完成部分批次晶圆的制作后，检测到多个腔室中的一个腔室上的内壁膜层厚度大于阈值，开始对该腔室进行清洗处理时，送入机台未制作的批次的晶圆将停留在机台内等待清洗处理完成，一旦等待的时间过长，会造成晶圆上膜层被污染或氧化等缺陷发生，降低机台制造的晶圆的良品率。

因此，如何防止已经送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长，而造成的缺陷，是本领域需要解决的技术问题。

发明内容

本申请提供一种机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，用于防止送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长而造成缺陷，来提高机台制造的晶圆的良品率。

本申请第一方面提供一种机台的控制方法，包括：在所述机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，获取所述机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度；获取所述机台对晶圆的处理顺序；其中，所述处理顺序为单线处理顺序或者多线处理顺序，所述单线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的一个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理，所述多线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的至少两个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理；根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量。

在本申请第一方面一实施例中，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，包括：当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值时，确定所述下一批晶圆的批次数量为1；其中，当所述目标腔室内壁所沉积的膜层厚度大于所述第二阈值时，所述机台对所述目标腔室进行清洗处理。

在本申请第一方面一实施例中，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，还包括：当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度小于所述第一阈值时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。

在本申请第一方面一实施例中，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，还包括：当所述处理顺序为多线处理顺序时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数

在本申请第一方面一实施例中，所述方法还包括：当所述机台通过所述多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定所述机台对所述目标腔室进行清洗处理，则控制所述机台通过多个腔室中除所述目标腔室之外的空闲腔室，代替所述目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。

在本申请第一方面一实施例中，所述第一阈值与所述第二阈值之差为两批所述晶圆的沉积膜层厚度之和。

在本申请第一方面一实施例中，所述确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量之后，还包括：向所述机台的派货控制系统RTD发送所述批次数量。

在本申请第一方面一实施例中，所述方法还包括：当所述机台完成对所述至少一个目标腔室的清洗处理，对所述机台进行调机和测机处理。

本申请第二方面提供一种机台的控制装置，包括：第一获取模块，用于在所述机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，获取所述机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度；第二获取模块，用于获取所述机台对晶圆的处理顺序；其中，所述处理顺序为单线处理顺序或者多线处理顺序，所述单线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的一个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理，所述多线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的至少两个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理；确定模块，用于根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量。

在本申请第二方面一实施例中，所述确定模块具体用于，当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值时，确定所述下一批晶圆的批次数量为1；其中，当所述目标腔室内壁所沉积的膜层厚度大于所述第二阈值时，所述机台对所述目标腔室进行清洗处理。

在本申请第二方面一实施例中，所述确定模块具体用于，当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度小于所述第一阈值时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。

在本申请第二方面一实施例中，所述确定模块具体用于，当所述处理顺序为多线处理顺序时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。

在本申请第二方面一实施例中，所述装置还包括：控制模块，用于当所述机台通过所述多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定所述机台对至少一个目标腔室进行清洗处理，则控制所述机台通过多个腔室中除所述目标腔室之外的空闲腔室，代替所述至少一个目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。

在本申请第二方面一实施例中，所述第一阈值与所述第二阈值之差为两批所述晶圆的沉积膜层厚度之和。

在本申请第二方面一实施例中，所述装置还包括：发送模块，用于向所述机台的派货控制系统RTD发送所述批次数量。

在本申请第二方面一实施例中，所述装置还包括：调机和测机模块，用于当所述机台完成对所述至少一个目标腔室的清洗处理，对所述机台进行调机和测机处理。

本申请第三方面提供一种电子设备，包括：处理器以及存储器；其中，存储器中存储有计算机程序，当处理器执行计算机程序时，处理器可用于执行如本申请第一方面任一项的机台的控制方法。

本申请第四方面提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被执行时可用于执行如本申请第一方面任一项的机台的控制方法。

综上，本申请提供的机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，能够在机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，根据机台的多个腔室内壁所沉积的膜层厚度，以及当前机台对晶圆的处理顺序，确定向机台送入的下一批晶圆的批次数量，从而在机台即将进行清洗处理时，能够及时减少送入机台的晶圆的批次数量，进而能够防止送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长而造成晶圆表面的缺陷，进而能够提高机台制造的晶圆的良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请所应用场景的示意图；

图2为一种机台的处理时序示意图；

图3为另一种机台的处理时序示意图；

图4为本申请提供的另一应用场景的示意图；

图5为本申请提供的机台的控制方法一实施例的流程示意图；

图6为本申请提供的机台的控制方法另一实施例的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

图1为本申请所应用场景的示意图，如图1所示，本申请应用于在晶圆上制作半导体的机台，其中，机台内设置有多个可用于在晶圆上进行沉积膜层等处理的腔室(chamber)，图1中以n个腔室作为示例。当至少一批晶圆送入机台，机台内的沉积单元可以在预设的腔室内对晶圆进行沉积膜层等处理，从而在晶圆上形成半导体电路。

在一些实施例中，当多批晶圆送入机台后，机台内的沉积单元可以在一个预设的目标腔室内，依次对多批晶圆进行沉积膜层处理。例如，在图1所示的示例中，当两批晶圆P1和P2送入机台，沉积单元可以在腔室1内对P1批的晶圆进行沉积膜层处理后，再对P2批的晶圆进行沉积膜层处理，这种处理顺序可以被称为“单线处理顺序”、“单线run”等。

在另一些实施例中，当多批晶圆送入机台后，机台内的沉积单元可以在多个预设的目标腔室内，分别对多批晶圆进行沉积膜层处理。例如，当两批晶圆P1和P2送入机台，沉积单元可以同时在腔室1内对P1批的晶圆进行沉积膜层处理、在腔室2内对P2批的晶圆进行沉积膜层处理，这种处理顺序可以被称为“多线处理顺序”、“多线run”等。

由于在腔室内对晶圆进行沉积膜层处理时，腔室内壁也会沉积部分膜层，一定时间之后内壁上的膜层厚度过大时，会给在该腔室对晶圆的沉积膜层处理时造成膜厚不均匀等缺陷，进而会降低机台制造的半导体的良品率。因此，一些机台内还设置有清洗单元，清洗单元被配置为在一个腔室完成对晶圆的沉积膜层处理后，若检测到腔室上的内壁膜层厚度大于一个阈值，则对该腔室进行清洗(clean)处理。

当多批晶圆被送入机台后，如果机台此时采用单线处理顺序依次对多个批次晶圆的进行制作，并完成其中一部分批次晶圆的沉积膜层处理后，若检测到目标腔室的内壁膜层厚度大于阈值，则由清洗单元开始对该腔室进行清洗处理。但是，此时送入机台但是还未进入目标腔室进行沉积膜层处理的另一部分批次的晶圆将停留在机台内等待清洗处理完成，由于一般清洗处理的时间为15-25小时，一旦晶圆在机台内等待停留的时间过长，会造成晶圆上膜层被污染或氧化等缺陷发生，进而降低机台制造的晶圆的良品率。其中，上述等待时间又可被称为硅片等待时间限制(Queue-Time，简称：Q-Time)等。

例如，图2为一种机台的处理时序示意图，示出了多批晶圆被送入机台后，机台采用单线处理顺序的处理时序，在t1时刻开始通过目标腔室对P1批次的晶圆进行沉积膜层处理，并在对P1批次的晶圆处理完成后，在t2时刻开始通过目标腔室对P2批次的晶圆进行沉积膜层处理，最终在t3时刻完成对P2批次的晶圆的处理。图3为另一种机台的处理时序示意图，示出了多批晶圆被送入机台后，机台采用单线处理顺序的处理时序，在t1时刻开始通过目标腔室对P1批次的晶圆进行沉积膜层处理，随后在对P1批次的晶圆处理完成后，在t2时刻清洗单元确定目标腔室内部沉积的膜层厚度大于阈值后，开始对目标腔室进行清洗处理。此时，虽然P1批次的晶圆已经完成了处理，但是同时被送入的P2批次的晶圆并没有进行沉积膜层处理，而只能怪停留在机台内，等待目标腔室清洗完成后的t4时刻，开始通过目标腔室对P2批次的晶圆进行沉积膜层处理，最终在t5时刻完成对P2批次的晶圆的处理，可以看出，在t2-t4时刻之间的较长时间段内，P2批次的晶圆都将处于停留等待的状态。

因此，本申请提供一种机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，以解决如图1所示的场景中，送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长而造成缺陷，进而降低机台制造的晶圆的良品率的技术问题。下面以具体地实施例对本申请的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

图4为本申请提供的另一应用场景的示意图，图4所示的场景在图1所示场景的基础上，为了实现对机台进行控制，在机台之外还包括有机台控制设备，该机台控制设备可以是电脑、服务器等电子设备，或者，更为具体地可以是机台派货系统(Tool control system简称：TCS)。本申请各实施例中，以TCS作为对机台进行控制的执行主体进行说明，而非进行限定，还可以使用设置在机台内部或者外部的其他电子设备执行控制。如图4所示的场景中还包括机台的实时派货系统(Real Time Dispatch，简称：RTD)，当TCS确定向机台送入的下一批晶圆的批次数量后，可以向RTD发送该批次数量，使得RTD控制将对应批次数量的晶圆送入机台。RTD也可以是其他设置在机台内部或者外部的电子设备。

图5为本申请提供的机台的控制方法一实施例的流程示意图，如图5所示的机台控制方法可应用于如图4所示的场景中，用于TCS对RTD送入机台的晶圆的批次数量进行控制。具体地，该方法包括：

S100：机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理。

其中，TCS在确定机台完成对送入机台的至少一批晶圆的沉积膜层处理之后，执行本申请实施例提供的机台的控制方法。假设机台按照预设的批次数量，每次送入2批次的晶圆。则在S100中TCS等待并确定机台已经完成对送入的2批次晶圆进行沉积膜层处理。

S101：在S100中机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理之后，TCS获取机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度。

在一些实施例中，TCS可以具体通过机台内的控制单元获取机台内多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度。其中，机台内的控制单元具体可以是机台自动化控制程序(Equipment Automation Program，简称：EPA)等，EPA可用于控制机台的生产流程，并即时得到机台的状态参数，该状态参数包括多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度等。例如，EAP可以使用其Thickness SVID等功能查询机台的多个腔室内壁的膜层厚度等，并在每一次机台完成对送入的晶圆的沉积膜层处理之后，将膜层厚度的数据更新到TCS中。

S102：TCS获取机台对晶圆的处理顺序。

其中，机台对晶圆的处理顺序包括单线处理顺序和多线处理顺序。单线处理顺序为机台通过其内部的多个腔室中的一个目标腔室，依次对送入的不同批次的晶圆进行沉积膜层处理。多线处理顺序为机台通过与送入的批次数量相同的目标腔室，同时分别对送入的不同批次的晶圆进行沉积膜层处理。

在一些实施例中，TCS可以具体通过机台内的EPA等控制单元获取机台对晶圆的处理顺序。

S103：TCS根据S102中获取的处理顺序，以及机台内S100中处理至少一批晶圆的目标腔室的膜层厚度，确定向机台送入的下一批晶圆的批次数量。

其中，TCS具体在机台为单线处理顺序，且当前处理晶圆的目标腔室的膜层厚度达到第一阈值，但还没有达到第二阈值时，提前减少送入机台的晶圆的批次数量。随后，当TCS向RTD发送S103中所确定的批次数量，使得RTD按照批次数量将晶圆送入机台中。

综上，本实施例提供的机台的控制方法，能够在机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，根据机台的多个腔室内壁所沉积的膜层厚度，以及当前机台对晶圆的处理顺序，确定向机台送入的下一批晶圆的批次数量，从而在机台即将进行清洗处理时，能够及时减少送入机台的晶圆的批次数量，进而能够减少送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的等待时间，例如最高能够减少95％的等待时间，防止晶圆在机台内部停留等待时间过长而造成晶圆表面的缺陷，最终提高了机台制造的晶圆的良品率。此外，本申请提供的机台控制方法通过TCS等机台控制设备以自动化形式进行，具有安全和稳定的特点，能够有效降低人为确定送入机台的晶圆批次数量的误差、减少安全隐患。

图6为本申请提供的机台的控制方法另一实施例的流程示意图，如图6示出了图5中S103的具体实现方式，即，TCS具体根据机台的处理顺序以及目标腔室的膜层厚度，确定下一批送入机台的晶圆的批次数量的方式。如图6所示，TCS将根据获取的处理顺序和膜层厚度，判断当前机台是否为单线处理顺序且目标腔室的膜层厚度大于第一阈值并小于第二阈值。

如图6所示的判断结果若为是，则TCS确定机台的处理顺序为单线处理顺序，且目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值，确定下一批晶圆的批次数量为1。其中，第二阈值为清洗单元确定对腔室进行清洗的膜层厚度，即，目标腔室内壁所沉积的膜层厚度大于第二阈值时，清洗单元将对目标腔室进行清洗处理。而第一阈值设置为略小于第二阈值，例如第二阈值为9500nm时，第一阈值可以设置为9200nm，第一阈值和第二阈值之差可以为两批晶圆的沉积膜层的厚度之和，例如每一批晶圆包括25片晶圆，则第二阈值和第一阈值之差可以是50片晶圆的沉积膜层厚度之和。则当第一阈值按照上述方式设置，在TCS确定当前目标腔室的膜层厚度已经大于第一阈值、但是小于第二阈值时，说明目标腔室的膜层厚度在该目标腔室继续进行至少两批晶圆的沉积膜层处理后，就将大于第二阈值，此时TCS及时减少送入机台的晶圆的批次数量，例如确定每次仅送入机台1批次的晶圆，使得即使对该1批次的晶圆进行沉积膜层处理后，被进行清洗，此时也没有更多批次的晶圆被送入机台而停留等待，从而防止了送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长而造成晶圆表面的缺陷。

在一些实施例中，只要能够在对送入机台的晶圆的批次数量进行减少的情况下，保证送入的晶圆不会因目标腔室清洗而停留等待，在目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值时时，确定送入机台的晶圆的批次数量还可以是2。

如图6所示的判断结果若为否，则TCS确定机台保持正常工作状态，不主动对下一批送入机台的晶圆的数量进行调整，此时RTD可以将预设数量的晶圆送入机台。

在判断为否的一种情况下，当TCS确定机台的处理顺序为单线处理，且目标腔室内壁的膜层厚度小于第一阈值，说明膜层厚度也小于第二阈值，目标腔室暂不会在下一批晶圆送入机台后被清洗处理，因此可以维持机台的正常工作。

在判断为否的另一种情况下，当TCS确定机台的处理顺序为多线处理，则此时无论目标腔室的膜层厚度是否小于第一阈值，都可以维持机台的正常工作。由于多线处理顺序时有多个目标腔室同时进行处理，即使一个目标腔室的膜层厚度大于第一阈值，而在处理一批晶圆之后被清洗，在该目标腔室之后也不会有处于停留等待的晶圆，因此不会出现晶圆因等待清洗处理而停留的时间过长的问题。

在一些实施例中，当TCS确定机台的处理顺序为多线处理顺序，则可以确定下一批送入机台的晶圆的批次数量为2或者3，从而能够在提升机台单位时间的产能，也不会导致送入机台的晶圆停留时间较长的问题。

在一些实施例中，本申请还提供一种机台的控制方法，当机台通过多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定机台对目标腔室进行清洗，则控制机台通过多个腔室中除了目标腔室之外的空闲腔室，代替该进行清洗的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。本实施例可应用于机台处于单线处理顺序的场景中，例如，当2批次的晶圆送入机台，机台使用多个腔室中的腔室1采用单线处理顺序，依次对2批次晶圆进行沉积膜层处理，而在腔室1对第1批次的晶圆进行沉积膜层处理后，腔室1需要进行清洗，则机台控制多个腔室中的腔室2继续对第2批次的晶圆进行沉积膜层处理，从而避免了第2批次的晶圆被送入机台后在机台内部的停留等待。

对于本申请所应用的机台，当机台内的目标腔室完成清洗处理后，通常在没有调机和测机的情况下，目标腔室就直接对下一的晶圆的处理，也会导致下一批次的晶圆的膜层厚度异常、降低机台生产的晶圆的良品率。因此，在一些实施例中，本申请还提供一种机台的控制方法，当机台完成对目标腔室的清洗处理之后，对机台进行调机和测机处理，并在调机和测机处理完成之后，再继续对晶圆进行沉积膜层处理，能够避免下一批次的晶圆的膜层厚度异常的情况发生，进一步提高机台生产的晶圆的良品率。

在前述实施例中，对本申请实施例提供的机台的控制方法进行了介绍，而为了实现上述本申请实施例提供的方法中的各功能，作为执行主体的TCS可以包括硬件结构和/或软件模块，以硬件结构、软件模块、或硬件结构加软件模块的形式来实现上述各功能。上述各功能中的某个功能以硬件结构、软件模块、还是硬件结构加软件模块的方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。

例如，本申请提供一种机台的控制装置，该装置可以具体是TCS等机台控制设备，该装置包括：第一获取模块、第二获取模块和确定模块。其中，第一获取模块，用于在机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，获取机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度；第二获取模块，用于获取机台对晶圆的处理顺序；其中，处理顺序为单线处理顺序或者多线处理顺序，单线处理顺序为机台通过多个腔室中的一个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理，多线处理顺序为机台通过多个腔室中的至少两个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理；确定模块，用于根据处理顺序，以及多个腔室中用于对至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向机台送入的下一批晶圆的批次数量。

在一些实施例中，机台的控制装置还包括：控制模块，用于当机台通过多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定机台对目标腔室进行清洗处理，则控制机台通过多个腔室中除目标腔室之外的空闲腔室，代替目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。

在一些实施例中，机台的控制装置还包括：发送模块，用于向机台的派货控制系统RTD发送批次数量。

在一些实施例中，机台的控制装置还包括：调机和测机模块，用于当机台完成对至少一个目标腔室的清洗处理，对机台进行调机和测机处理。

本申请提供的机台的控制装置各实施例中的具体实现及原理可以参照本申请前述实施例中提供的机台的控制方法，其具体实现方式及原理相同，不再赘述。

需要说明的是，应理解以上装置的各个模块的划分仅仅是一种逻辑功能的划分，实际实现时可以全部或部分集成到一个物理实体上，也可以物理上分开。且这些模块可以全部以软件通过处理元件调用的形式实现；也可以全部以硬件的形式实现；还可以部分模块通过处理元件调用软件的形式实现，部分模块通过硬件的形式实现。可以为单独设立的处理元件，也可以集成在上述装置的某一个芯片中实现，此外，也可以以程序代码的形式存储于上述装置的存储器中，由上述装置的某一个处理元件调用并执行以上确定模块的功能。其它模块的实现与之类似。此外这些模块全部或部分可以集成在一起，也可以独立实现。这里所述的处理元件可以是一种集成电路，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤或以上各个模块可以通过处理器元件中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。

例如，以上这些模块可以是被配置成实施以上方法的一个或多个集成电路，例如：一个或多个特定集成电路(application specific integrated circuit，ASIC)，或，一个或多个微处理器(digital signal processor，DSP)，或，一个或者多个现场可编程门阵列(field programmable gate array，FPGA)等。再如，当以上某个模块通过处理元件调度程序代码的形式实现时，该处理元件可以是通用处理器，例如中央处理器(centralprocessing unit，CPU)或其它可以调用程序代码的处理器。再如，这些模块可以集成在一起，以片上系统(system-on-a-chip，SOC)的形式实现。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘solid state disk(SSD))等。

本申还提供一种电子设备，包括：处理器以及存储器；其中，存储器中存储有计算机程序，当处理器执行计算机程序时，处理器可用于执行如本申请前述实施例中任一的机台的控制方法。

本申请还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被执行时可用于执行如本申请前述实施例中任一的机台的控制方法。

本申请实施例还提供一种运行指令的芯片，所述芯片用于执行如本申请前述任一的机台的控制方法。

本申请实施例还提供一种程序产品，所述程序产品包括计算机程序，所述计算机程序存储在存储介质中，至少一个处理器可以从所述存储介质读取所述计算机程序，所述至少一个处理器执行所述计算机程序时可实现如本申请前述任一的机台的控制方法。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (18)

1.一种机台的控制方法，其特征在于，包括：

在所述机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，获取所述机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度；

获取所述机台对晶圆的处理顺序；其中，所述处理顺序为单线处理顺序或者多线处理顺序，所述单线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的一个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理，所述多线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的至少两个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理；

根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，包括：

当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值时，确定所述下一批晶圆的批次数量为1；

其中，当所述目标腔室内壁所沉积的膜层厚度大于所述第二阈值时，所述机台对所述目标腔室进行清洗处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，还包括：

当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度小于所述第一阈值时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，还包括：

当所述处理顺序为多线处理顺序时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述机台通过所述多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定所述机台对至少一个目标腔室进行清洗处理，则控制所述机台通过多个腔室中除所述目标腔室之外的空闲腔室，代替所述至少一个目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述第一阈值与所述第二阈值之差为两批所述晶圆的沉积膜层厚度之和。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量之后，还包括：

向所述机台的派货控制系统RTD发送所述批次数量。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述机台完成对所述至少一个目标腔室的清洗处理，对所述机台进行调机和测机处理。

9.一种机台的控制装置，其特征在于，包括：

第一获取模块，用于在所述机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，获取所述机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度；

第二获取模块，用于获取所述机台对晶圆的处理顺序；其中，所述处理顺序为单线处理顺序或者多线处理顺序，所述单线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的一个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理，所述多线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的至少两个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理；

确定模块，用于根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述确定模块具体用于，

当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值时，确定所述下一批晶圆的批次数量为1；

其中，当所述目标腔室内壁所沉积的膜层厚度大于所述第二阈值时，所述机台对所述目标腔室进行清洗处理。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述确定模块具体用于，

当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度小于所述第一阈值时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。

12.根据权利要求9-11任一项所述的装置，其特征在于，所述确定模块具体用于，

当所述处理顺序为多线处理顺序时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。

13.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：

控制模块，用于当所述机台通过所述多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定所述机台对至少一个目标腔室进行清洗处理，则控制所述机台通过多个腔室中除所述目标腔室之外的空闲腔室，代替所述至少一个目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。

14.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第一阈值与所述第二阈值之差为两批所述晶圆的沉积膜层厚度之和。

15.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：

发送模块，用于向所述机台的派货控制系统RTD发送所述批次数量。

16.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：

调机和测机模块，用于当所述机台完成对所述至少一个目标腔室的清洗处理，对所述机台进行调机和测机处理。

17.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器以及存储器；其中，存储器中存储有计算机程序，当处理器执行计算机程序时，处理器可用于执行如权利要求1-8任一项的机台的控制方法。

18.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被执行时可用于执行如权利要求1-8任一项的机台的控制方法。

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