CN115803846A - 用于去除含氮化物膜的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生氧等离子体流出物。方法可包括使容纳在处理区域中的基板与氧等离子体流出物接触。基板可限定氮化钛的暴露区域。接触可在氮化钛上产生氧化表面。方法可包括将含卤素前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生卤素等离子体流出物。方法可包括使氮化钛上的氧化表面与卤素等离子体流出物接触。方法可包括去除氮化钛上的氧化表面。

Description

用于去除含氮化物膜的系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年2月11日提交、标题为“SYSTEM AND METHODS FOR NITRIDE-CONTAINING FILM REMOVAL(用于去除含氮化物膜的系统和方法)”的美国临时申请第17/173,329号的权益和优先权，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本技术关于半导体工艺和设备。更具体而言，本技术关于选择性蚀刻含氮化物的结构。
背景技术
通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的处理使制造集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于去除暴露材料的受控方法。化学蚀刻用于多种目的，包括将光阻剂中的图案转移到下层中，使层变薄，或者使表面上已经存在的特征的横向尺寸变薄。通常需要使蚀刻一种材料比蚀刻另一种材料更快的蚀刻处理，从而便于进行例如图案转移处理。认为这种蚀刻处理对第一材料是选择性的。由于材料、电路和处理的多样性，已经开发出对各种材料具有选择性的蚀刻处理。
基于处理中使用的材料，蚀刻处理可称为湿式或干式处理。例如，湿式蚀刻可相对其他电介质和材料优先去除一些氧化物电介质。然而，湿式处理可能难以穿透一些受限的沟槽，并且有时还可能使剩余的材料变形。在基板处理区域内形成的本地等离子体中产生的干式蚀刻可穿透更受约束的沟槽，并且表现出精细剩余结构的更少变形。然而，本地等离子体在放电时会产生电弧，从而损坏基板。
因此，需要可用于生产高质量设备和结构的改进的系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。
发明内容
示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生氧等离子体流出物。方法可包括使容纳在处理区域中的基板与氧等离子体流出物接触。基板可限定氮化钛的暴露区域。所述接触可在氮化钛上产生氧化表面。方法可包括使含卤素的前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生卤素等离子体流出物。方法可包括使氮化钛上的氧化表面与卤素等离子体流出物接触。方法可包括去除氮化钛上的氧化表面。
在一些实施例中，含卤素前驱物可包括氟或氯。含氧前驱物可以是氧。含卤素前驱物可以是或包括三氟化氮。方法可包括使氢与含卤素前驱物一起流动。氢的流速可以是含卤素前驱物的流速的至少两倍。基板与氧等离子体流出物的接触可在第一温度执行。基板与卤素等离子体流出物的接触可在低于第一温度的第二温度执行。基板与氧等离子体流出物的接触可在第一处理腔室中执行。基板与卤素等离子体流出物的接触可在与第一处理腔室分隔的第二处理腔室中执行。当基板与氧等离子体流出物接触时，半导体处理腔室内的压力可保持低于或约5托。方法可包括在氮化钛上的氧化表面与卤素等离子体流出物接触之前，增加半导体处理腔室中的压力。蚀刻方法可执行多次循环。每次循环去除的氮化钛上的氧化表面可小于或约1nm。可在单个处理腔室中执行蚀刻方法。可在保持基板温度低于或约300℃的同时执行蚀刻方法。
本技术的一些实施例可包含蚀刻方法。所述方法可包括使容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板与含氧前驱物接触。基板可限定氮化钛的暴露区域。所述接触可在氮化钛上产生限于小于或约1nm深度的氧化表面。所述方法可包括停止含氧前驱物的流动。所述方法可包括使氮化钛上的氧化表面与含卤素前驱物接触。所述方法可包括去除氮化钛上的氧化表面。
在一些实施例中，所述方法可包括在接触基板之前，形成含氧前驱物或含卤素前驱物中的一者或两者的等离子体。含卤素前驱物可包括氟或氯。含卤素前驱物可为或包括三氟化氮。所述方法可包括使氢与含卤素前驱物一起流动。氢的流速可为含卤素前驱物的流速的至少两倍。基板与含氧前驱物的接触可在第一温度进行。基板与含卤素前驱物的接触可在低于第一温度的第二温度进行。当基板与含氧前驱物接触时，半导体处理腔室内的压力可保持低于或约5托。蚀刻方法可包括在氮化钛上的氧化表面与含卤素的前驱物接触之前，增加半导体处理腔室中的压力。
本技术的某些实施例可包含蚀刻方法。所述方法可包括在半导体处理腔室中产生氧等离子体流出物。所述方法可包括使容纳在处理区域中的基板与氧等离子体流出物接触。基板可限定氮化钛的暴露区域。所述接触可在氮化钛上产生氧化表面。所述方法可包括停止氧等离子体流出物流入半导体处理腔室。所述方法可包括将处理区域内的压力从第一压力增加到第二压力。所述方法可包括在半导体处理腔室中产生卤素等离子体流出物。所述方法可包括使氮化钛上的氧化表面与卤素等离子体流出物接触。所述方法可包括去除氮化钛上的氧化表面。在一些实施例中，基板与氧等离子体流出物的接触可在第一温度进行，而基板与卤素等离子体流出物的接触可在低于第一温度的第二温度进行。第二温度可低于或约300℃。
与常规系统和技术相比，这种技术可提供诸多优势。例如，处理可允许执行精确受控的干式蚀刻，这可保护基板上的各种材料。此外，处理可相对于基板上的其他暴露材料选择性地去除含钛膜或含钽膜。结合以下描述和附图，更详细地描述这些和其他实施例及其诸多优势和特征。
附图说明
通过参考说明书和附图的剩余部分，可实现对所公开技术的性质和优点的进一步理解。
图1示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理系统的一个实施例的俯视图。
图2A示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理腔室的示意性横截面视图。
图2B示出了根据本技术的一些实施例的图2A所示的处理腔室的一部分的详细视图。
图3示出了根据本技术一些实施例的示例性喷淋头的仰视图。
图4示出了根据本技术的一些实施例的方法中的示例性操作。
图5A-图5B示出了根据本技术的一些实施例的蚀刻的材料的示意性横截面视图。
其中包括多幅附图作为示意图。应当理解，附图是为了说明的目的，除非特别说明是按比例的，否则不应认为是按比例绘示。此外，提供附图作为示意图是为了帮助理解，与真实表征相比可能不包括所有方面或信息，并且可能包括额外或夸大的材料以用于说明目的。
在附图中，相似的部件和/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可通过在附图标记后跟随的字母来区分，该字母用于区分相似的部件。如果在本说明书中仅使用第一附图标记，则该描述适用于具有相同第一附图标记的任何一个类似部件，无论字母是什么。
具体实施方式
选择性蚀刻氮化钛和氮化钽有益于各种组件处理流程，包括动态随机存取存储器、FinFET和诸多其他组件的形成。当与线或通孔形式的导体组合时，氮化钛或氮化钽可用作阻障层来抑制扩散，同时保持显著的导电性。利用卤素前驱物或等离子体产物来蚀刻氮化钛或氮化钽的常规处理通常受限于这些材料对氮化钛或氮化钽的低蚀刻速率，可能仅限在相对较长的时间段内进行埃级蚀刻。这可能导致卤素材料(包括等离子体流出物)的滞留时间增加，可能增加与试图保留在基板上的暴露材料的接触。本技术通过执行选择性蚀刻处理克服了这些限制，该选择性蚀刻处理在执行蚀刻处理之前首先氧化部分氮化物，这可更快地去除氧化材料。蚀刻可优先去除氧化材料，这可有助于精确受控蚀刻处理，该蚀刻处理在每个循环中可大体上限制于被氧化的氮化钛或氮化钽的量。蚀刻处理相对于介电材料以及基板上的金属和其他材料可为选择性的。此外，本技术可促进在比常规技术更低的温度下去除，这可允许在低介电常数或其他热预算受限的材料暴露时执行该处理。
尽管剩余的公开内容将利用已公开的技术常规辨识特定材料和半导体结构，但容易理解的是，该系统、方法和材料同样适用于可受益于本技术各方面的许多其他结构。因此，该技术不应被认为仅限单独与任何特定的处理或材料一起使用。此外，尽管描述了示例性的腔室来为本技术提供基础，但是应当理解，本技术实际上可应用于允许描述的操作的实际上任何半导体处理腔室。
图1示出了根据实施例的沉积、蚀刻、烘焙和固化腔室的处理系统100的一个实施例的俯视图。在附图中，一对前开式统一晶匣102供应各种尺寸的基板，该基板由机器人臂104接收，并被放置到低压保持区域106中，随后被放置到位于串联区段109a-c中的基板处理腔室108a-f中的一个中。第二机器人臂110可用于将基板晶片从保持区域106移送往返于基板处理腔室108a-f。每个基板处理腔室108a-f可被配备以执行多个基板处理操作，包括本文描述的干式蚀刻处理，以及循环层沉积、原子层沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、蚀刻、预清洁、脱气、定向和其他基板处理。
基板处理腔室108a-f可包括一个或多个系统部件，用于在基板晶片上沉积、退火、固化和/或蚀刻介电膜。在一种配置中，两对处理腔室(例如108c-d和108e-f)可用于在基板上沉积介电材料，而第三对处理腔室(例如108a-b)可用于蚀刻沉积的电介质。在另一种配置中，所有三对腔室，例如108a-f，可被配置为蚀刻基板上的介电膜。所描述的任何一个或多个处理可在与不同实施例中所示的制造系统分离的腔室中进行。应该理解，系统100可设想用于介电膜的沉积、蚀刻、退火和固化腔室的额外配置。
图2A示出了示例性处理腔室系统200的横截面视图，该系统在处理腔室内具有分隔的等离子体产生区域。在例如氮化钛、氮化钽、钨、硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅等的膜蚀刻期间，处理气体可通过气体入口组件205流入第一等离子体区域215。远程等离子体系统201可以可选地包括在该系统中，并可处理第一气体，该第一气体随后穿过气体入口组件205。入口组件205可包括两个或多个不同的气体供应通道，其中第二通道(未示出)可绕过远程等离子体系统201(如果包括)。
示出了冷却板203、面板217、离子抑制器223、喷淋头225和基座265或基板支撑件(其上设置有基板255)，可根据实施例而包括上述每一者。基座265可具有热交换通道，热交换流体流经该热交换通道以控制基板的温度，该热交换通道可被操作以在处理操作期间加热和/或冷却基板或晶片。可包括铝、陶瓷或其组合的基座265的晶片支撑盘还可被电阻加热，以便使用嵌入式电阻加热组件实现相对高的温度，如从高达或约100℃到高于或约1100℃。
面板217可为角锥形、圆锥形或其他类似的以窄顶部延伸至宽底部的结构。此外，面板217可如图所示为平坦的，并包括多个用于分配处理气体的贯穿通道。取决于远程等离子体系统201的使用，等离子体产生气体和/或等离子体激发物质可穿过面板217中的多个孔，如图2B所示，以更均匀地输送到第一等离子体区域215中。
示例性配置可包括使气体入口组件205通入由面板217与第一等离子体区域215隔开的气体供应区域258，以使气体/物质通过面板217中的孔流入第一等离子体区域215。可选择结构和操作特征来防止等离子体从第一等离子体区域215显著回流到供应区域258、气体入口组件205和流体供应系统210中。面板217或腔室的导电顶部和喷淋头225被示出为具有位于特征之间的绝缘环220，其允许AC电势相对于喷淋头225和/或离子抑制器223而被施加到面板217。绝缘环220可位于面板217与喷淋头225和/或离子抑制器223之间，使得电容耦合等离子体能够在第一等离子体区域中形成。挡板(未示出)可附加地位于第一等离子体区域215中，或者以其他方式与气体入口组件205耦合，以影响流体通过气体入口组件205向该区域的流动。
离子抑制器223可包括板状或其他几何形状，其在整个结构中界定多个孔，该孔被配置成抑制离子带电物质迁移出第一等离子体区域215，同时允许不带电荷的中性或自由基物质穿过离子抑制器223进入抑制器与喷淋头之间的活化气体输送区域。在实施例中，离子抑制器223可包括具有各种孔配置的穿孔板。这些不带电的物质可包括高反应性物质，其与低反应性载气一起传输通过孔。如上所述，可减少离子物质通过孔的迁移，并在一些情况下完全抑制。控制穿过离子抑制器223的离子物质的量可有利地增强对与下面的晶片基板接触的气体混合物的控制，这继而可增强对气体混合物的沉积和/或蚀刻特性的控制。例如，调整气体混合物的离子浓度可显著改变其蚀刻选择性，例如SiNx:SiOx蚀刻比、Si:SiOx蚀刻比等。在执行沉积的替代实施例中，还可改变介电材料的共形对可流动型沉积的平衡。
离子抑制器223中的多个孔可配置为控制活化气体(即离子、自由基和/或中性物质)通过离子抑制器223。例如，可控制孔的深宽比，或孔的直径对长度比，和/或孔的几何形状，使得通过离子抑制器223的活化气体中的离子带电物质的流量减少。离子抑制器223中的孔可包括面向等离子体激发区域215的锥形部分和面向喷淋头225的圆柱形部分。圆柱形部分可以被调整形状和尺寸以控制离子物质流向喷淋头225的流量。可调节的电偏压也可施加到离子抑制器223，作为控制离子物质穿过抑制器的流动的附加手段。
离子抑制器223可用于减少或消除从等离子体产生区域向基板行进的离子带电物质的量。不带电的中性和自由基物质仍然可通过离子抑制器中的开口以与基板反应。应当注意，在实施例中，可能不会执行完全消除基板周围的反应区域中的离子带电物质。在某些情况下，为了进行蚀刻和/或沉积处理，离子物质预期会到达基板。在这些情况下，离子抑制器可协助将反应区域中的离子物质的浓度控制在有助于该处理的水平。
与离子抑制器223组合的喷淋头225可允许第一等离子体区域215中存在的等离子体避免直接激发基板处理区域233中的气体，同时仍允许受激发的物质从腔室等离子体区域215行进至基板处理区域233。以此方式，该腔室可被配置成防止等离子体接触正在被蚀刻的基板255。这可有利地保护基板上图案化的各种复杂结构和膜，若直接接触产生的等离子体，该结构和膜可能被损坏、错位或以其他方式扭曲。此外，当允许等离子体接触基板或接近基板水平时，氧化物物质蚀刻的速率可能会增加。因此，如果材料的暴露区域是氧化物，则可通过保持等离子体远离基板来进一步保护该材料。
处理系统可进一步包括与处理腔室电耦接的电源240，以向面板217、离子抑制器223、喷淋头225和/或基座265提供电能，从而在第一等离子体区域215或处理区域233中产生等离子体。电源可被配置为取决于所执行的处理而向腔室输送可调节的功率量。这种配置可允许在正在执行的处理中使用可调谐等离子体。不同于通常呈现有开或关功能的远程等离子体单元，可调谐等离子体可被配置为向等离子体区域215输送特定量的功率。这继而可允许开发特定的等离子体特性，使得前驱物可以以特定的方式分解，以增强由这些前驱物产生的蚀刻分布。
可在喷淋头225上方的腔室等离子体区域215或喷淋头225下方的基板处理区域233中点燃等离子体。等离子体可存在于腔室等离子体区域215中，以从例如含氟前驱物或其他前驱物的流入物产生自由基前驱物。通常在射频(radio frequency；RF)范围内的AC电压可施加在处理腔室的导电顶部(如面板217)与喷淋头225和/或离子抑制器223之间，以在沉积期间点燃腔室等离子体区域215中的等离子体。RF电源可产生13.56MHz的高RF频率，但是也可单独产生其他频率或者产生与13.56MHz频率组合的其他频率。
图2B示出了影响通过面板217的处理气体分布的特征的详情视图253。如图2A和图2B所示，面板217、冷却板203和气体入口组件205相交以限定气体供应区域258，处理气体可从气体入口205输送到气体供应区域258中。气体可填充气体供应区域258，并通过面板217中的孔259流向第一等离子体区域215。孔259可被配置成以基本上单向的方式引导流动，使得处理气体可流入处理区域233，但是可部分或完全防止处理气体在穿过面板217之后回流到气体供应区域258中。
处理腔室区段200中使用的气体分配组件(如喷淋头225)可称为双通道喷淋头，并且另外在图3所述的实施例中详细说明。双通道喷淋头可提供允许处理区域233外部的蚀刻剂分离的蚀刻处理，以在传送到处理区域之前提供与腔室部件以及彼此之间的受限相互作用。
喷淋头225可包括上板214和下板216。板可彼此耦合以在板之间限定容积218。板的耦合可提供穿过上板和下板的第一流体通道219，以及穿过下板216的第二流体通道221。所形成的通道可被配置为提供仅经由第二流体通道221从容积218通过下板216的流体通路，并且第一流体通道219可与板和第二流体通道221之间的容积218流体隔离。可通过喷淋头225的侧面流体进出容积218。
图3为根据实施例的与处理腔室一起使用的喷淋头325的仰视图。喷淋头325可对应于图2A所示的喷淋头225。示出第一流体通道219的视图的通孔365可具有多种形状和配置，以便控制和影响前驱物通过喷淋头225的流动。示出第二流体通道221的视图的小孔375可大体上均匀地分布在喷淋头的表面上，甚至分布在通孔365之间，并可有助于在前驱物离开喷淋头时相较于其他配置提供前驱物的更均匀混合。
可在执行示例性方法中使用前述腔室，包括蚀刻方法。转到图4，该图示出了根据本发明技术的实施例的方法400中的示例性操作。方法400可包括在该方法开始之前的一个或多个操作，包括前端处理、沉积、蚀刻、抛光、清洁或可在所述操作之前执行的任何其他操作。方法可包括多个可选操作，该操作可以或可以不与根据本技术的实施例的方法的一些实施例具体相关联。例如，描述了许多操作，以便提供所执行的处理的更大范围，但是该操作对于本技术来说并不关键，或者可通过下文将进一步论述的替代方法来执行。方法400可描述图5A-5B中示意性示出的操作，其图示说明将结合方法400的操作来描述。应理解，附图仅示出了部分示意图，并且基板可包含任何数量的附加的材料和特征，该材料和特征具有如图所示的各种特性和方面。
方法400可涉及或不涉及将半导体结构开发为特定制造操作的可选操作。应当理解，方法400可在任何数量的半导体结构或基板505上执行，如图5A所示，包括可在其上执行氮化钛或钽去除操作的示例性结构。示例性半导体结构可包括沟槽、通孔或其他凹陷特征，其可包括一种或多种暴露的材料。例如，示例性基板可包含硅或一些其他半导体基板材料以及层间介电材料，通过层间介电材料可形成凹槽、沟槽、通孔或隔离结构。在蚀刻处理期间的任何时间暴露的材料可以是或包括金属材料、一种或多种介电材料、接触材料、晶体管材料或可在半导体处理中使用的任何其他材料。
例如，尽管示出为普通层，但图5A可图示覆盖基板505或一些其他半导体材料的氮化钛层510。尽管剩余的公开内容将参考氮化钛，但是应当理解，在本技术的实施例中，材料510也可以是氮化钽，并且处理可涉及用氮化钛来去除氮化钽或者替换为氮化钛。基板505可示出覆盖基板上的一个或多个其他结构的介电材料，并且应当理解，可在所示结构下形成任何数量的材料。在一些实施例中，介电材料可以是或包括氧化硅、或任何其他氧化物或氮化物，可穿过该介电材料发生图案化。应当理解，所提到的结构并不旨在限制，并且包括含钛材料或其他含金属材料的多种其他半导体结构中的任何一者都同样被包含在内。其他示例性结构可包括在半导体制造中常见的二维和三维结构，并且在该结构中，将相对于一种或多种其他材料去除诸如氮化钛的含钛材料，因为本技术可相对于其他暴露的材料(如含硅材料和文中其他部分论述的任何其他材料)选择性地去除含钛材料。此外，尽管高深宽比结构可受益于本技术，但是本技术同样适用于较低深宽比和任何其他结构。
例如，根据本技术的材料层的特征可在于结构的任何深宽比或高宽比，但在一些实施例中，材料的特征可在于可能无法利用常规技术或方法进行充分蚀刻的较大的深宽比。例如，在一些实施例中，示例性结构的任何层的深宽比可大于或约10：1、大于或约20：1、大于或约30：1、大于或约40：1、大于或约50：1或更大。此外，每层的特征可在于小于或约100纳米、小于或约80纳米、小于或约60纳米、小于或约50纳米、小于或约40纳米、小于或约30纳米、小于或约20纳米、小于或约10纳米、小于或约5纳米、小于或约1纳米或更小的减小的宽度或厚度。高深宽比和最小厚度的这种组合可能阻碍许多常规蚀刻操作，或者需要实质上更多蚀刻时间来沿着垂直或水平距离通过有限的宽度去除层。此外，如前所述，常规技术可能会损坏或去除其他暴露层。
在实施例中，可执行方法400以去除暴露的含钛材料，但在本技术的实施例中，可在任何数量的结构中去除任何数量的氮化物或含钛材料。该方法可包括去除氮化钛的特定操作。尽管剩余的公开内容将常规地论述氮化钛，但是应当理解，其他金属氮化物可类似地通过本技术的一些实施例来处理。在一些实施例中，该方法可包括多操作蚀刻处理，其可控制钛相对于其他暴露材料(诸如介电材料，例如氧化硅)和下方接触材料(如钛或结构中使用的一些其他导电材料)的蚀刻。
方法400可包括将含氧前驱物流入容纳所述基板的半导体处理腔室中。在一些实施例中，可直接流动含氧前驱物以接触基板，但在一些实施例中，可在可选操作405中由含氧前驱物形成等离子体。含氧前驱物可流动通过处理腔室的远程等离子体区域，如上述的区域215，并且可由含氧前驱物形成等离子体以产生等离子体流出物。尽管可产生基板水平的等离子体，但是在一些实施例中，等离子体可为远程等离子体，其可保护暴露的基板材料免受由于基板水平等离子体而可能发生的离子轰击。无论是否是等离子体增强的，在操作410，含氧前驱物或含氧前驱物的等离子体流出物可被输送到基板处理区域，流出物在此处可接触包括暴露的含钛材料的半导体基板，如氮化钛的暴露区域。该接触可诸如通过转化基板上暴露的氮化钛而产生氧化材料，如氮化钛或氮化钛氧化物材料上的氧化表面。在一些实施例中，在氧化之后，可熄灭等离子体，并可净化腔室。如图5A所示，氧材料或氧等离子体流出物515可流动以接触暴露的氮化钛材料，这可将氮化钛510的暴露表面转化为氧化的钛材料520，其可包括氧、钛及氮的方面。一部分氮也可作为一氧化二氮、一氧化氮或二氧化氮排气。
在氧化操作之后，可停止输送氧材料，并且含卤素前驱物可流入处理区域。此外，如下文将进一步论述的，在一些实施例中，基板可被移动到第二处理腔室，如在主机或平台上，该腔室可将基板保持在真空下。一旦在第二处理腔室中，即可输送含卤素前驱物。类似于含氧前驱物，可直接将含卤素前驱物传送至处理区域，或者可在可选操作415中首先形成为等离子体。在本技术的一些实施例中，也可在处理腔室的远程等离子体区域中产生等离子体。蚀刻剂前驱物可与氮化钛的氧化部分相互作用，以产生包括铵、钛和卤素的副产物，并且该副产物在某些处理条件下可以是挥发性的，并且可从基板中释放出来。因此，无论是否是等离子体增强的，在操作420，含卤素前驱物可接触氧化的材料，这可在操作425从下方的金属蚀刻或去除氮化钛材料的氧化区域。如图5B所示，含卤素前驱物或等离子体流出物525可接触氧化部分并产生挥发性副产物530，并且这可从氮化钛材料去除氧化材料。通过将氧化和蚀刻操作分开，并且通过限制或防止前驱物或等离子体流出物的相互作用，可执行受控的去除处理，确保仅去除氧化部分，该去除可基于氧的渗透深度来控制。
可停止含卤素前驱物或等离子体流出物，并随后可以以任何循环次数重复处理，以相对于附加的暴露的材料选择性地去除附加的氮化钛层。基于等离子体功率和处理条件，氧化可被限制到小于或约10埃的氮化钛深度，并可被限制到小于或约9埃、小于或约8埃、小于或约7埃、小于或约6埃、小于或约5埃、小于或约4埃、小于或约3埃、小于或约2埃或更小的深度。一旦产生氧化层，就不会发生进一步的氧化。然后，这可限制随后的蚀刻在氧化部分被去除之后基本上停止，从而可提供对氮化钛被去除的深度的精确控制，并且可允许受控的薄化和去除而不损坏下面的材料作为大体上自限制的蚀刻处理。因此，可执行根据本技术的各方面的技术，以从原本可能不适于湿式蚀刻或反应性离子蚀刻得窄特征、高深宽比特征和薄尺寸中去除氮化钛。
两步骤操作的每一步骤期间的前驱物可包括含氧前驱物，在一些实施例中，含氧前驱物可包括任何含氧材料。例如，非限制性含氧前驱物可包括双原子氧、臭氧、水、醇、过氧化氢、一氧化二氮或任何其他含氧材料。在一些实施例中，示例性的含卤素前驱物可包括氟或氯中的一者或多者，以及任何其他卤素。可用作第一前驱物的一些示例性前驱物可包括卤化物，包括氟化氢、三氟化氮或任何有机氟化物、双原子氟、三氟化溴、三氟化氯、六氟化硫、二氟化氙、三氯化硼、五氯化钨、六氯化钨、双原子氯或任何其他含氯或含氟的前驱物。前驱物也可以以各种组合一起流动。前驱物也可与任何数量的附加前驱物或载气一起流动，包括双原子氢或含氢前驱物、氮、氩、氦或任何数量的附加材料，但在一些实施例中，前驱物可仅限于控制副反应或可能影响选择性的其他方面。
根据本技术，处理条件可影响并促进蚀刻。例如，执行操作的温度可能影响反应可发生的程度。在氮化钛表面的氧化期间，升高的温度可促进反应，并且可允许执行无等离子体的反应，这可进一步保护其他暴露的材料免受轰击或与氧自由基的相互作用。因此，在本技术的一些实施例中，与氧前驱物或氧等离子体流出物的接触操作可在高于或约200℃的基板、基座和/或腔室温度下执行，并可在高于或约250℃、高于或约300℃、高于或约350℃、高于或约400℃、高于或约450℃或更高的温度下进行，该温度取决于基板上材料的热预算。温度野可保持在这些范围内、这些范围所包含的较小范围内，或这些范围之间的任何温度。
在一些实施例中，与卤素前驱物或卤素等离子体流出物的接触操作可在与氧的接触操作相同或不同的温度下执行。在实施例中，与卤素的接触操作也可以是等离子体增强的或无等离子体的，诸如取决于所使用的卤素前驱物。无论如何，在一些实施例中，可通过降低基板的温度来控制相互作用，但在卤素接触操作期间温度也可以更高。由于基板支撑件的热质量，在一些实施例中，与卤素前驱物或等离子体流出物的接触操作可在单独的处理腔室中执行，以允许使用不同的温度。该单独的腔室仍可在同一平台上，这可允许基板在整个处理中保持在真空条件下。在许多用含卤素材料去除氮化钛而无氧化的处理中，温度可保持在300℃以上，否则反应可能停止进行。然而，通过根据本技术的实施例执行受控氧化，接触操作和去除可在低于或约300℃的温度下执行，并且可在低于或约290℃、低于或约280℃、低于或约270℃、低于或约260℃、低于或约250℃、低于或约240℃、低于或约230℃、低于或约220℃、低于或约210℃、低于或约200℃，或更低的温度下执行。
腔室内的压力也可影响所执行的操作，并影响在何种温度下可从氮化钛表面产生副产物。为了促进可基于等离子体增强前驱物的氧化，处理压力可低于利用含卤素前驱物的第二去除操作中的压力。通过在第一操作(诸如在使用氧前驱物或氧等离子体流出物期间)中保持较低的压力，可促进在基板表面的增加的相互作用。该方法的第一部分中的较低压力可增加原子之间的平均自由程，这可增加膜表面的能量和相互作用。通过在该方法的第二部分(诸如在使用卤素前驱物或等离子体流出物期间)中利用更高的压力，可增加蚀刻速率，这可通过限制卤素材料在处理区域内和与其他暴露材料接触的滞留时间来增加选择性。
因此，在一些实施例中，在氧化期间，如在操作405-410期间，压力可保持低于约5托，并且压力可保持低于或约4托，低于或约3托，低于或约2托，低于或约1托，低于或约0.5托，或更低。随后，在该方法的第二部分期间，如在操作415-420期间，可增加压力，其中压力可保持在大于或约1托的压力，并可保持在大于或约2托、大于或约3托、大于或约4托、大于或约5托、大于或约6托、大于或约7托、大于或约8托、大于或约9托、大于或约10托或更高。压力也可保持在这些范围内、这些范围所包含的较小范围内，或这些范围之间的任何压力。
当在操作中的一者或两者期间使用等离子体流出物时，等离子体功率可保持在小于约500W。通过保持较低的等离子体功率，可控制溅射，并且可将相互作用限制在表面化学反应，这可更好地限制穿过氮化钛的氧化和/或蚀刻程度。因此，在一些实施例中，等离子体功率可维持在小于或约450W、小于或约400W、小于或约350W、小于或约300W、小于或约250W、小于或约200W、小于或约150W、小于或约100W或更小。
如前所述，在一些实施例中，氢可与卤素前驱物一起输送。通过包含氢，可降低或抑制氟或氯对材料的蚀刻速率，这可提供对去除程度的进一步控制。此外，由于下层材料可能至少部分与氟或氯自由基接触而蚀刻，因此，例如增加稀释度可进一步抑制与下层材料的反应。为了保护附加暴露的材料，以及保护氧化材料下方的氮化钛，可以以大于含卤素前驱物的流速的流速输送氢。例如，在其中含卤素前驱物可为三氟化氮或任何其他含卤素材料的一些实施例中，氢与卤素材料的流速比可大于或约为1.5：1，并且氢与卤素材料的流速比可大于或约为2.0：1，大于或约为2.5：1，大于或约为3.0：1，大于或约为3.5：1，大于或约为4.0：1，大于或约为4.5：1，大于或约为5.0：1，大于或约为10.0：1，或更高。当氟和/或氯与氧化材料相互作用时，氢自由基也可协助钝化其他暴露的材料。
增加对蚀刻处理的进一步控制，在一些实施例中，含卤素前驱物可为脉冲式，并且可在整个蚀刻处理中连续或以一系列脉冲输送，此输送可为恒定的或随时间变化的。脉冲输送的特征在于第一时间段(在第一时间段期间含卤素前驱物流动)和第二时间段(在第二时间段期间含卤素前驱物暂停或停止)。任何脉冲操作的时间段可彼此相似或不同(其中有任一时间段较长)。在实施例中，时间段或前驱物的连续流动可执行大于或约1秒的时间段，并且可大于或约2秒、大于或约3秒、大于或约4秒、大于或约5秒、大于或约6秒、大于或约7秒、大于或约8秒、大于或约9秒、大于或约10秒、大于或约11秒、大于或约12秒、大于或约13秒、大于或约14秒、大于或约15秒、大于或约20秒、大于或约30秒、大于或约45秒、大于或约60秒或更长。时间也可以是这些范围中的任何一者所包含的任何更小的范围。在一些实施例中，随着前驱物的输送持续更长时间段，蚀刻速率会增加。
通过执行根据本技术的实施例的操作，可相对于其他材料(包括其他氧化物、氮化物或暴露的金属材料)选择性蚀刻氮化钛。举例而言，本技术可相对于金属、包括含硅材料(例如氧化硅)的电介质或其他材料的暴露区域选择性地蚀刻氮化钛。本技术的实施例可以以至少约100：1的比率相对于氧化硅、氮化硅、钛或任何其他材料蚀刻氮化钛或其他金属氮化物，并可以以大于或约200：1、大于或约300：1或更高的选择性相对于氧化硅、氮化硅、钛或前述任何其他材料蚀刻氮化钛。例如，根据本技术的一些实施例执行的蚀刻可蚀刻氮化钛，同时基本上或实质上保留氧化硅、氮化硅、钛或其他材料。通过执行根据本技术的实施例的蚀刻操作，可执行基本上自限制的去除操作以精确地去除氮化钛，并且其可在比常规去除更低的温度下执行以保护热预算约束条件。
在前述说明中，出于解释目的，阐述了许多细节，以提供对本技术各种实施例的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，某些实施例可在没有这些细节中的一些或者具有额外细节的情况下实施。
已公开数个实施例，本领域技术人员将认识到，在不背离实施例精神的情况下，可使用各种修改、替代构造及等同物。此外，为了避免不必要地混淆本技术，没有描述许多公知的处理和组件。因此，以上描述不应被视为限制本技术的范围。此外，方法或处理可被描述为顺序的或分步骤的，但是应当理解，操作可同时执行，或者以与列出的顺序不同的顺序执行。
在提供数值范围的情况下，应理解，除非上下文另有明确规定，否则还公开了该范围的上限与下限之间的每个中介值，直至下限单位的最小分数。在说明的范围内的任何说明的值或未说明的中介值以及该说明的范围内的任何其他值或中介值之间的任何更窄的范围均包括在内。那些较小范围的上限和下限可独立地包括在该范围内或排除在外，并且较小范围中的包括任一个限值、两个限值，或者两个限值都不包括的每个范围皆包括在该技术内，收到在所说明的范围内的任何具体排除的限值。当所说明的范围包括一个或两个限值时，也包括排除那些所包括限值中的一个或两个限值的范围。
如本文和随附权利要求书中所用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”包括复数形式，除非上下文另有明确规定。因此，例如，对“前驱物”的引用包括复数个这种前驱物，并且对“该层”的引用包括对一个或多个层和及本领域技术人员已知的等同物的引用，等等。
此外，本说明书和随附权利要求书中使用的词语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(contain)”、“包含(containing)”、“包含(include)”和“包含(including)”旨在指出所说明的特征、整数、部件或操作的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、部件、操作、动作或组的存在或添加。

Claims (20)

1.一种蚀刻方法，包括：
使含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生氧等离子体流出物；
使容纳在处理区域中的基板与所述氧等离子体流出物接触，其中所述基板限定氮化钛或氮化钽的暴露区域，并且其中所述接触在所述氮化钛或氮化钽上产生氧化表面；
使含卤素前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生卤素等离子体流出物；
使所述氮化钛或氮化钽上的所述氧化表面与所述卤素等离子体流出物接触；以及
去除所述氮化钛或氮化钽上的所述氧化表面。
2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述含卤素前驱物包括氟或氯。
3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其中所述含氧前驱物是氧，其中所述含卤素前驱物包括三氟化氮，并且其中所述方法进一步包括：
使氢与所述含卤素前驱物一起流动。
4.如权利要求3所述的蚀刻方法，其中所述氢的流速是所述含卤素前驱物的流速的至少两倍。
5.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中使所述基板与所述氧等离子体流出物接触在第一温度执行，并且其中使所述基板与所述卤素等离子体流出物接触在低于所述第一温度的第二温度执行。
6.如权利要求5所述的蚀刻方法，其中在第一处理腔室中执行使所述基板与所述氧等离子体流出物接触，并且其中在与所述第一处理腔室分隔的第二处理腔室中执行使所述基板与所述卤素等离子体流出物接触。
7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中当使所述基板与所述氧等离子体流出物接触时，所述半导体处理腔室内的压力保持低于或约为5托。
8.如权利要求7所述的蚀刻方法，进一步包括：
在使所述氮化钛上的所述氧化表面与所述卤素等离子体流出物接触之前，增大所述半导体处理腔室中的所述压力。
9.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述蚀刻方法执行多次循环。
10.如权利要求9所述的蚀刻方法，其中每次循环去除的所述氮化钛或氮化钽上的所述氧化表面小于或约1纳米。
11.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中在单个处理腔室中执行所述蚀刻方法，并且其中在保持基板温度低于或约300℃的同时执行所述蚀刻方法。
12.一种蚀刻方法，包括：
使容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板与含氧前驱物接触，其中所述基板限定氮化钛的暴露区域，并且其中所述接触在所述氮化钛上产生限于小于或约1纳米的深度的氧化表面；
停止所述含氧前驱物的流动；
使所述氮化钛上的所述氧化表面与含卤素前驱物接触；以及
去除所述氮化钛上的所述氧化表面。
13.如权利要求12所述的蚀刻方法，进一步包括：
在接触所述基板之前，形成所述含氧前驱物或所述含卤素前驱物中的一者或两者的等离子体。
14.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中所述含卤素前驱物包括氟或氯。
15.如权利要求14所述的蚀刻方法，其中所述含卤素前驱物包括三氟化氮，所述方法进一步包括：
使氢与所述含卤素前驱物一起流动。
16.如权利要求15所述的蚀刻方法，其中所述氢的流速是所述含卤素前驱物的流速的至少两倍。
17.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中使所述基板与所述含氧前驱物接触在第一温度执行，并且其中使所述基板与所述含卤素前驱物接触在低于所述第一温度的第二温度执行。
18.如权利要求17所述的蚀刻方法，其中当使所述基板与所述含氧前驱物接触时，所述半导体处理腔室内的压力保持低于或约5托，所述蚀刻方法进一步包括：
在使所述氮化钛上的所述氧化表面与所述含卤素前驱物接触之前，增大所述半导体处理腔室中的所述压力。
19.一种蚀刻方法，包括：
在半导体处理腔室中产生氧等离子体流出物；
使容纳在处理区域中的基板与所述氧等离子体流出物接触，其中所述基板限定氮化钛的暴露区域，并且其中所述接触在所述氮化钛上产生氧化表面；
停止使所述氧等离子体流出物流动进入所述半导体处理腔室；
将所述处理区域内的所述压力从第一压力增大到第二压力；
在所述半导体处理腔室中产生卤素等离子体流出物；
使所述氮化钛上的所述氧化表面与所述卤素等离子体流出物接触；以及
去除所述氮化钛上的所述氧化表面。
20.如权利要求19所述的蚀刻方法，其中使所述基板与所述氧等离子体流出物接触在第一温度执行，其中使所述基板与所述卤素等离子体流出物接触在低于所述第一温度的第二温度执行，并且其中所述第二温度低于或约300℃。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018124576A1 (de) * 2018-10-05 2020-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit durchführung einer plasmabehandlung und halbleiterbauelement

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4931172B2 (ja) 2005-03-03 2012-05-16 株式会社アルバック タンタル窒化物膜の形成方法
US7618894B2 (en) 2007-07-26 2009-11-17 Unity Semiconductor Corporation Multi-step selective etching for cross-point memory
US8518486B2 (en) 2010-05-12 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Methods of forming and utilizing rutile-type titanium oxide
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
JP5887366B2 (ja) * 2013-03-26 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 遷移金属を含む膜をエッチングする方法
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10854426B2 (en) * 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10573527B2 (en) * 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
WO2020046547A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-05 Mattson Technology, Inc. Oxide removal from titanium nitride surfaces
JP7190938B2 (ja) * 2019-02-27 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

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