CN115786846A - 一种掩膜组件、蒸镀方法和蒸镀设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种掩膜组件、蒸镀方法和蒸镀设备，其中，掩膜组件包括：多行掩膜片以及x个掩膜框架；多行掩膜片对应蒸镀图案；多行掩膜片划分为x组；满足第i+nx行的掩膜片，按照行序号依次排布设置在第i掩膜框架上，形成第i掩膜板；同一掩膜框架上的相邻行掩膜片之间设置有第一遮挡部；同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和；其中，i以及x均为正整数，且i小于等于x；x大于1；n为非负整数。本公开实现了减小相邻掩膜片的有效蒸镀区域之间的间隙，提高了目标基板的利用率。

Description

一种掩膜组件、蒸镀方法和蒸镀设备

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜组件、蒸镀方法和蒸镀设备。

背景技术

OLED显示器相较于LCD显示器具有很多优势，例如低温特性好、响应时间短、色彩丰富更贴近显示，且厚度可以做到更薄、重量更轻，因此OLED显示器以其优异的性能正在取代已打下巨大市场的LCD显示器。

在OLED器件制造用的蒸镀机中，需要使用到精密金属掩膜板。精密金属掩膜板一般包括多个掩膜片，由于掩膜片受温度等环境影响容易发生变形，因此一般设置较宽的掩膜片的边缘，而这样设置导致相邻掩膜片的有效蒸镀区域之间的间隙较大，进而导致基板的利用率较低，并且该方法一般只能进行小尺寸OLED器件的制作。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种掩膜组件及其蒸镀方法和蒸镀设备。

本公开提供了一种掩膜组件，包括多行掩膜片以及x个掩膜框架；多行掩膜片对应蒸镀图案；

多行掩膜片划分为x组；

满足第i+nx行的掩膜片，按照行序号依次排布设置在第i掩膜框架上，形成第i掩膜板；

同一掩膜框架上的相邻行掩膜片之间设置有第一遮挡部；

同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和；

其中，i以及x均为正整数，且i小于等于x；x大于1；n为非负整数。

可选的，所述掩膜片与相邻所述第一遮挡部之间具有间隙；所述间隙大于等于所述掩膜片以及所述第一遮挡部的最大膨胀量之和。

可选的，所述间隙上放设置有第二遮挡部。

可选的，所述第二遮挡部包括磁性材料。

可选的，所述掩膜片与相邻某一边的所述第一遮挡部一体成型。

可选的，所述蒸镀图案包括阵列排布的多个蒸镀单元图形；每行掩膜片对应蒸镀图案的一行蒸镀单元图形。

可选的，所述蒸镀图案包括阵列排布的多个蒸镀单元图形；除第一行和最后一行所述掩膜片外，每行所述掩膜片对应蒸镀图案的前一行的部分蒸镀单元图形以及后一行的部分蒸镀单元图形。

可选的，所述蒸镀图案为一个蒸镀单元图形。

可选的，所述掩膜片与所述第一遮挡部的厚度相同。

本公开实施例还提供了一种采用掩膜组件的蒸镀方法，应用于上述中任一项所述的掩膜组件，所述方法包括：

依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀。

可选的，在采用第i掩膜板对目标基板进行蒸镀时，包括：

控制蒸发源与所述第i掩膜板之间相对移动，且移动方向平行于所述第i掩膜板所在平面且垂直于所述掩膜片的长度方向。

可选的，在依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀时，还包括：

控制蒸发源与掩膜板的相对移动速度在第一位置处小于第二位置处；

其中，所述第一位置处是指蒸发源在所述掩膜片下方的位置；所述第二位置处是指所述蒸发源未在所述掩膜片下方的位置。

本公开实施例还提供了一种蒸镀设备，包括蒸发源以及上述中任一项所述的掩膜组件，所述掩膜组件设置在所述蒸发源与目标基板之间。

可选的，包括至少一个蒸发室；

所述蒸发室包括多个蒸发区；在多个蒸发区中一一对应采用掩膜组件的多个掩膜板对目标基板进行蒸镀。

可选的，同一蒸发室的各个所述蒸发区之间联通，且共用同一所述蒸发源；采用所述蒸发源依次对各所述蒸发区扫描蒸镀。

可选的，包括掩模板缓存室；所述掩模板缓存室用于存放至少一个掩膜组件。

可选的，包括多个掩模板缓存室；不同掩模板缓存室中存放不同掩模组件；同一掩模板缓存室中用于存放同一掩模组件的多个掩膜板。

可选的，包括至少一个蒸发组；不同所述蒸发组对应不同掩膜组件；

每个所述蒸发组包括多个蒸发室以及多个掩模板缓存室；同一蒸发组的多个掩模板缓存室一一对应存储同一掩膜组件的多个掩模板；同一蒸发组的多个蒸发室一一对应采用同一蒸发组的各掩模板缓存室的多掩模板对目标基板进行蒸镀。

本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：本公开提供了一种掩膜组件，包括多行掩膜片以及x个掩膜框架；多行掩膜片对应蒸镀图案，本公开将多行掩膜片划分为x组，并且将满足第i+nx行的掩膜片，按照行序号依次排布设置在第i掩膜框架上，形成第i掩膜板。并且设置同一掩膜框架上的相邻行掩膜片之间设置有第一遮挡部。由于同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和，因此在依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀后，可以减小相邻掩膜片的有效蒸镀区域之间的间隙，所以可以提高目标基板的利用率。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种掩膜板的结构示意图；

图2为本公开实施例提供的一种掩膜组件的结构示意图；

图3为采用图2所示掩膜组件在目标基板上蒸镀形成的蒸镀图案；

图4为本公开实施例提供的又一种掩膜组件的结构示意图；

图5为本公开实施例提供的又一种掩膜组件的结构示意图；

图6为沿图5中C1C2的截面结构示意图；

图7为本公开实施例提供的采用掩膜组件的某一掩膜板对目标基板进行蒸镀示意图；

图8为本公开实施例提供的又一种掩膜组件的结构示意图；

图9为本公开实施例提供的又一种掩膜组件的结构示意图；

图10为采用9所示掩膜组件的第1掩模板蒸镀后形成的蒸镀图案；

图11为采用图9所示掩膜组件的第2掩模板蒸镀后形成的蒸镀图案；

图12为本公开实施例提供的采用图2所示掩膜组件在第一次蒸镀后蒸镀图案示意图；

图13为本公开实施例提供的采用图2所示掩膜组件在第二次蒸镀后蒸镀图案示意图；

图14为本公开实施例提供的一种蒸镀设备结构示意图；

图15为本公开实施例提供的在蒸镀设备中某一蒸发室中蒸镀过程示意图；

图16为本公开实施例提供的又一种蒸镀设备结构示意图；

图17为本公开实施例提供的又一种蒸镀设备结构示意图；

图18为本公开实施例提供的又一种蒸镀设备结构示意图；

图19为本公开实施例提供的在蒸镀设备中某一蒸发组中蒸镀过程示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。

在OLED器件制造用的蒸镀机中，需要使用到精密金属掩膜板。精密金属掩膜板一般包括多个掩膜片，由于掩膜片受温度等环境影响容易发生变形，因此一般设置较宽的掩膜片的边缘，而这样设置导致相邻掩膜片的有效蒸镀区域之间的间隙较大，进而导致基板的利用率较低，并且该方法一般只能进行小尺寸OLED器件的制作。图1为现有技术中的一种掩膜板的结构示意图，如图1所述，包括多个掩膜片11，多个掩膜片11共同用于蒸镀形成蒸镀图案(蒸镀图案包括图1中右侧的多个矩形图案)。由于掩膜片11容易受温度等环境影响容易发生变形，因此需要将掩膜片11的边缘设置的较宽，即，将掩膜片11中的有效蒸镀区域111两侧的边缘设置较宽的宽度L。此外，相邻掩膜片11之间由于工艺原因不可避免的会有间隙112的存在。上述掩模板的设置导致相邻掩膜片的有效蒸镀区域111的间隙S较大，因此通过该种掩模板在基板12上形成的蒸镀图案中相邻两行蒸镀单元图形121之间的间隙S较大。因此采用现有的掩膜板对基板的利用率较低。

针对上述技术问题，本公开提供了一种掩膜组件、蒸镀方法和蒸镀设备，在依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀后，可以减小相邻掩膜片的有效蒸镀区域之间的间隙，所以可以提高目标基板的利用率。下面结合具体的实施例对该方法进行介绍。

本公开实施例提供的掩膜组件多行掩膜片以及x个掩膜框架。多行掩膜片对应在目标基板上形成的蒸镀图案。即，将多行掩膜片顺序排列后，顺序排列的多行掩膜片的有效蒸镀区域对应蒸镀图案。本公开实施例将多行掩膜片划分为x组，其中，满足第i+nx行的掩膜片，按照行序号依次排布设置在第i掩膜框架上，形成第i掩膜板。

例如，第1行的掩膜片、第1+x行的掩膜片、第1+2x行的掩膜片、…、第1+nx行的掩膜片按照行序号依次排布设置在第1掩膜框架上，形成第1掩膜板；第2行的掩膜片、第2+x行的掩膜片、第2+2x行的掩膜片、…、第2+nx行的掩膜片按照行序号依次排布设置在第2掩膜框架上，形成第1掩膜板；…；第x行的掩膜片、第x+x行的掩膜片、第x+2x行的掩膜片、…、第x+nx行的掩膜片按照行序号依次排布设置在第x掩膜框架上，形成第x掩膜板。

其中，i以及x均为正整数，且i小于等于x；x大于1；n为非负整数。

本公开实施例中同一掩膜框架上的相邻行掩膜片之间设置有第一遮挡部，第一遮挡部用于在使用该掩模板进行蒸镀时，将相邻行掩膜片之间的间隙进行遮挡，避免蒸镀上膜层材料。

同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和。本公开实施例包括x个掩模板，在目标基板上进行蒸镀时，依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀，由于同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和，因此相邻两次蒸镀采用的掩模板，相邻行序号的掩膜片可以具有重叠区。例如第1掩膜板的第1+2x行的掩膜片，与第2掩膜板的第2+2x行的掩膜片具有重叠设置区域。据此，采用本公开的掩膜组件蒸镀，可以减小相邻行序号掩膜片的有效蒸镀区域之间的间隙，提高目标基板的利用率。

下面以x等于2为例进行介绍。图2为本公开实施例提供的一种掩膜组件的结构示意图。本公开实施例提供掩膜组件包括多行掩膜片21(图2示例性的设置5行)以及2个掩膜框架。多行掩膜片21对应在目标基板上形成的蒸镀图案，即第1行至第5行掩膜片对应在目标基板上形成的蒸镀图案。图2中左侧图中从上至下依次为第1行掩膜片211、第3行掩膜片213、第5行掩膜片215。图2中右侧图中从上至下依次为第2行掩膜片212、第4行掩膜片214。

本公开实施例将多行掩膜片21划分为2组。将第1行掩膜片、第3行掩膜片、第5行掩膜片依次排布设置在第1掩膜框架22上，形成第1掩膜板(如图2中的左侧掩模板)。将第2行掩膜片、第4行掩膜片依次排布设置在第2掩膜框架23上，形成第2掩膜板(如图2中的右侧掩模板)。即，将奇数行掩膜片设置在第1掩膜框架22上，将偶数行掩膜片设置在第2掩膜框架23上。

本公开实施例还在同一掩膜框架上的相邻行掩膜片之间设置有第一遮挡部24。具体的，由于掩膜片分组后，第一组(图2中奇数行掩膜片)和第二组(图2中偶数行掩膜片)的掩膜片分别位于不同的掩膜框架上，这样第1掩膜板上原本应该放有第二组掩膜片的位置没有掩膜片放置，第2掩膜板上原本应该放有第一组掩膜片的位置也没有掩膜片放置，如果不设置第一遮挡部24对缺少掩膜片的空白部分进行遮挡，蒸镀时这些空白部分也会被镀膜，从而影响蒸镀图案的正确。因此需要设置第一遮挡部24，用于对缺少掩膜片的位置进行遮挡，防止蒸镀时错误的将蒸镀单元图形以外的部分镀膜。

同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和。

示例性的，如图2所示，以第1行至第3行掩膜片为例进行介绍。第1掩膜框架上的第1行掩膜片的下边缘和第3行掩膜片的上边缘之间的距离为A1。第1掩膜框架上的第1行掩膜片和第3行掩膜片行序号之间的掩膜片为第2行掩膜片，该第2行掩膜片位于第2掩膜框架上。第2行掩膜片的宽度为A2。

由于同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和，在采用掩膜组件进行蒸镀时，依次采用第1掩膜板和第2掩膜板蒸镀，因此采用第1掩膜板蒸镀时第1行掩膜片和第3行掩膜片的设置位置，与采用第2掩膜板蒸镀时的第2行掩膜片的设置位置可以部分交叠。如图2，采用第1掩膜板蒸镀时第1行掩膜片的下边缘与采用第2掩膜板蒸镀时的第2行掩膜片上边缘设置位置可以具有交叠区域X1，采用第1掩膜板蒸镀时第3行掩膜片的上边缘与采用第2掩膜板蒸镀时的第2行掩膜片下边缘设置位置可以具有交叠区域X2。因此，第1行掩膜片的有效蒸镀区2111蒸镀的图形下边缘与第2行掩膜片的有效蒸镀区2121蒸镀的图形上边缘之间可以无缝衔接。第2行掩膜片的有效蒸镀区2121蒸镀的图形下边缘与第3行掩膜片的有效蒸镀区2131蒸镀的图形上边缘之间也可以无缝衔接，不受各掩膜片有效蒸镀区域外的边缘距离的限制。图3为采用图2所示掩膜组件在目标基板25上蒸镀形成的蒸镀图案。图3中，B1表示采用第1掩模板蒸镀时，第1行掩膜片对应的设置位置，B3表示采用第1掩模板蒸镀时，第3行掩膜片对应的设置位置，B2表示采用第2掩模板蒸镀时，第2行掩膜片对应的设置位置，C1表示采用第1掩模板蒸镀时，第1行掩膜片的有效蒸镀区2111蒸镀的图形位置，C3表示采用第1掩模板蒸镀时，第3行掩膜片的有效蒸镀区2131蒸镀的图形位置，C2表示采用第2掩模板蒸镀时，第2行掩膜片的有效蒸镀区2121蒸镀的图形位置。如图3所示，第1行掩膜片的有效蒸镀区蒸镀的图形下边缘与第2行掩膜片的有效蒸镀区蒸镀的图形上边缘之间的距离减小为0。第2行掩膜片的有效蒸镀区蒸镀的图形下边缘与第3行掩膜片的有效蒸镀区蒸镀的图形上边缘之间的距离减小为0，因此提高了目标基板的利用率。比较图3和图1(图1中的右侧图)可知，相同面积的目标基板，采用本公开实施例的方案，目标基板的利用率更高。

需要说明的是，图2中各行掩膜片有效蒸镀区域具有精密蒸镀图案，在此不对精密蒸镀图案的具体形式进行限定。

此外，本公开实施例将掩膜片分组，相比于现有技术在一个掩膜框架上依次设置各掩膜片的方式，可以减小单个掩膜片的尺寸，因此单个掩膜片受温度等环境影响发生绝对膨胀量变小，使掩膜板与目标基板的对位变得容易，可以提高对位成功率。例如采用上述掩膜组件蒸镀制备OLED显示面板时，形成的类似图3中的阵列排布的多个蒸镀单元图形(图3示例性的展示4行4列共16个蒸镀单元图形)。每个蒸镀单元图形对应一个OLED显示面板区域。通后续切割图3所示大版形成单个OLED显示面板。由于单个掩膜片的尺寸减小，单个掩膜片受温度等环境影响发生绝对膨胀量变小，因此可以减小掩膜片有效蒸镀区域中OLED显示面板单位像素蒸镀图案的尺寸，所以还可以提高制备的OLED显示面板的分辨率。

需要说明的是，多行掩膜片还可以划分为三组、四组或者更多组，在此不作具体限定。划分为三组、四组或者更多组，从而实现提高目标基板的利用率的原理与上述分为两组的原理类似，在此不做赘述。

在一些实施例中，掩膜片与相邻第一遮挡部之间具有间隙；间隙大于等于掩膜片以及第一遮挡部的最大膨胀量之和。

示例性的，图4为本公开实施例提供的又一种掩膜组件的结构示意图，如图4所示，掩膜片21与相邻第一遮挡部24之间具有间隙26。由于掩膜片与第一遮挡部在受到温度等环境因素影响时会发生膨胀，当二者相互接触并发生挤压时会导致掩膜片以及第一遮挡部产生褶皱，影响蒸镀图案的准确性。因此本公开实施例在掩膜片与相邻第一遮挡部之间设置间隙，并且设置间隙大于等于掩膜片以及第一遮挡部的最大膨胀量之和，以防止掩膜片与第一遮挡部在膨胀时互相挤压。

可选的，间隙26沿掩膜片的延伸方向上宽度一致。

在一些实施例中，间隙上放设置有第二遮挡部27。图5为本公开实施例提供的又一种掩膜组件的结构示意图。图6为沿图5中C1C2的截面结构示意图。具体的，如图5以及图6所示，由于掩膜片与第一遮挡部之间设置有间隙，因此在蒸镀时，该间隙所在位置在进行蒸镀时会被蒸镀上膜层材料，影响蒸镀图案。因此本公开实施例在间隙位置设置有用于遮挡间隙的第二遮挡部27。如图5所示，在掩膜片21和第一遮挡部24之间的间隙26上方设置第二遮挡部27。第二遮挡部27具体用于防止间隙部分在蒸镀时，将蒸镀图案以外的部分蒸镀上膜层材料。

在一些实施例中，第二遮挡部包括磁性材料。

示例性的，图7为本公开实施例提供的采用一种第1掩膜板对目标基板进行蒸镀示意图，如图7所示(掩膜框架未画出)，在对目标基板20进行蒸镀时，目标基板20的背面一般设置有磁性板29。本公开实施例将设置第二遮挡部27包括磁性材料，在蒸镀时，将掩模板置于目标基板20上，由于第二遮挡部27包括磁性材料，目标基板20的背面设置有磁性板29，因此目标基板背面的磁性板与第二遮挡部相互吸引，可以将掩膜板的掩膜片以及第一遮挡部稳定吸附在目标基板上。

示例性的，继续参见图7，还可以在目标基板20和磁性板29之间设置有压板30，压板的设置可以使磁性板29贴合时不易造成目标基板与掩膜片之间贴合的错位。

需要说明的是，图7只是示例性的做出结构的展示，各部分尺寸、厚度、大小可以根据实际需求进行调整，在此不做具体限定。

在一些实施例中，掩膜片与相邻某一边的第一遮挡部一体成型。

示例性的，掩膜片与相邻某一边的第一遮挡部可以一体成型。掩膜片与相邻某一边的第一遮挡部一体成型，可以使掩膜片与相邻某一边的第一遮挡部之间没有间隙。既防止掩膜片与相邻某一边的第一遮挡部在由于温度等环境因素影响发生膨胀时，二者接触并发生挤压，导致掩膜片以及第一遮挡部产生褶皱，也防止因为需要在二者之间设置间隙导致的在蒸镀时将蒸镀单元图形以外的部分蒸镀上膜层材料。

在一些实施例中，蒸镀图案包括阵列排布的多个蒸镀单元图形；每行掩膜片对应蒸镀图案的一行蒸镀单元图形。

图8为本公开实施例提供的又一种掩膜组件的结构示意图，如图8所示，每行掩膜片21对应蒸镀图案的一行蒸镀单元图形28。即，每行掩膜片的有效蒸镀区对应蒸镀图案的一行蒸镀单元图形。

在目标基板上进行蒸镀时，依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀，由于同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和，因此相邻两次蒸镀采用的掩模板，相邻行序号的掩膜片可以具有重叠区。这样设置可以减小相邻行序号掩膜片的有效蒸镀区域之间的间隙，提高目标基板的利用率。

在一些实施例中，蒸镀图案包括阵列排布的多个蒸镀单元图形；除第一行和最后一行掩膜片外，每行掩膜片对应蒸镀图案的前一行的部分蒸镀单元图形以及后一行的部分蒸镀单元图形。

示例性的，如图2所示，图2中左侧掩膜板的第1行掩膜片为首行掩膜片，第5行掩膜片为最后一行掩膜片。第1行掩膜片仅对应蒸镀图案的一行蒸镀单元图形的部分，第5行掩膜片仅对应蒸镀图案一行蒸镀单元图形的部分。而图2中左侧掩膜板的第3行掩膜片以及图2中右侧掩膜板的第2行掩膜片和第4行掩膜片，均对应蒸镀图案的前一行的部分蒸镀单元图形以及后一行的部分蒸镀单元图形。因此，除第一行和最后一行掩膜片外，每行掩膜片对应蒸镀图案的前一行的部分蒸镀单元图形以及后一行的部分蒸镀单元图形。这样设置可以使相邻行序号的掩膜片蒸镀的图形边缘距离为0，进一步提高目标基板的利用率。

在一些实施例中，蒸镀图案为一个蒸镀单元图形。

示例性的，图9为本公开实施例提供的又一种掩膜组件的结构示意图；图10为采用图9所示掩膜组件的第1掩模板蒸镀后形成的蒸镀图案。图11为采用图9所示掩膜组件的第2掩模板蒸镀后形成的蒸镀图案。图9的左侧图为第1掩模板的结构示意图，图9右侧图为第2掩模板的结构示意图。采用图9所示掩膜组件依次经过第1掩模板和第2掩模板进行蒸镀后，可以形成一个完成的蒸镀单元图形，因此采用本公开实施例提供的掩膜组件进行蒸镀，可以实现大尺寸器件的制作，例如大尺寸OLED显示面板的蒸镀。

在一些实施例中，掩膜片与第一遮挡部的厚度相同。

示例性的，掩膜片与第一遮挡部安装于同一掩膜框架上，蒸镀时，掩膜板会与目标基板贴合。若掩膜片的厚度与第一遮挡部的厚度不同，会影响掩膜板与目标基板的贴合平整性，进而影响在目标基板上的蒸镀图案。

本公开实施例还提供了一种采用掩膜组件的蒸镀方法，该方法可以采用上述任意实施例所述的掩膜组件，该方法包括：

依次采用第一至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀。

示例性的，下面以x等于2为例进行介绍，如图2所示，依次采用图2中左侧掩膜板(记为第1掩膜板)和图2中右侧掩膜板(记为第2掩膜板)对目标基板进行蒸镀，由于第1掩膜板与第2掩膜板图案互补，因此先后进行蒸镀可以完成对目标蒸镀图案的蒸镀。

可选的，图12为本公开实施例提供的采用图2所示掩膜组件在第一次蒸镀后蒸镀图案示意图，图13为本公开实施例提供的采用图2所示掩膜组件在第二次蒸镀后蒸镀图案示意图。以第1行至第3行掩膜片为例进行介绍。采用第1掩膜板蒸镀时第1行掩膜片和第3行掩膜片的设置位置，与采用第2掩膜板蒸镀时的第2行掩膜片的设置位置可以部分交叠。如图2，采用第1掩膜板蒸镀时第1行掩膜片的下边缘与采用第2掩膜板蒸镀时的第2行掩膜片上边缘设置位置可以具有交叠区域X1，采用第1掩膜板蒸镀时第3行掩膜片的上边缘与采用第2掩膜板蒸镀时的第2行掩膜片下边缘设置位置可以具有交叠区域X2。因此，第1行掩膜片的有效蒸镀区2111蒸镀的图形下边缘与第2行掩膜片的有效蒸镀区2121蒸镀的图形上边缘之间的距离显著减小，例如可以实现无缝衔接。第2行掩膜片的有效蒸镀区2121蒸镀的图形下边缘与第3行掩膜片的有效蒸镀区2131蒸镀的图形上边缘之间的距离显著减小，例如也可以无缝衔接，不受各掩膜片有效蒸镀区域外的边缘距离的限制。如图13所示第1行掩膜片的有效蒸镀区蒸镀的图形下边缘与第2行掩膜片的有效蒸镀区蒸镀的图形上边缘之间的距离减小为0。第2行掩膜片的有效蒸镀区蒸镀的图形下边缘与第3行掩膜片的有效蒸镀区蒸镀的图形上边缘之间的距离减小为0，因此提高了目标基板的利用率。

基于此，继续参见图1和图13，如图1所示，右侧为现有技术的蒸镀图案，除所需的蒸镀图案以外还有由于间隙112的存在而蒸镀上的膜层材料，因此在对蒸镀图案进行切割时需要在横向上切割两次，这样才能将不同行的蒸镀单元图形分离。如图13所示，本实施例经过两次蒸镀后的蒸镀图案中，由于横向上每个蒸镀单元图形之间在掩膜片上没有间隙或间隙很小，因此只需切割一次即可。基于上述设置在分割工艺切割时入刀数少，提高了生产效率。

在一些实施例中，在采用第i掩膜板对目标基板进行蒸镀时，包括：

控制蒸发源与第i掩膜板之间相对移动，且移动方向平行于第i掩膜板所在平面且垂直于掩膜片的长度方向。

示例性的，如图7所示，控制蒸发源200与第1掩膜板之间的相对运动可以是，第1掩膜板固定，控制蒸发源200沿平行于第1掩膜板所在平面且垂直于掩膜片21的长度方向上移动。控制蒸发源200与第1掩膜板之间的相对运动还可以是，蒸发源200固定，控制第1掩膜板沿平行于第1掩膜板所在平面且垂直于掩膜片21的长度方向上移动。

在一些实施例中，在依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀时，还包括：

控制蒸发源与掩膜板的相对移动速度在第一位置处小于第二位置处；

其中，第一位置处是指蒸发源在掩膜片下方的位置；第二位置处是指蒸发源未在所述掩膜片下方的位置。

具体的，蒸镀时只需要对掩膜片上的蒸镀单元图形进行蒸镀，不需要对掩膜组件中未设置有掩膜片的位置(例如第一遮挡部)进行蒸镀，但无法避免蒸发源在经过第一遮挡部时会进行蒸镀。因此需要在蒸发源经过不需要蒸镀的位置时加快移动速度，经过需要蒸镀的掩膜片时为正常移动速度。

基于此，将蒸发源在掩膜片下方的位置称为第一位置，蒸发源未在掩膜片下方的位置称为第二位置，蒸发源与掩膜板的相对移动速度在第一位置处应当小于第二位置处。这样设置可以避免在第二位置的蒸镀浪费蒸镀材料，且由于在第二位置时相对移动速度增加，因此整体移动时间减少，节约了蒸镀的时间以及避免了蒸镀材料的浪费。

本公开还提供了一种蒸镀设备，该方法包括蒸镀源以及上述任意实施例所述的掩膜组件，掩膜组件设置在蒸发源与目标基板之间。

在一些实施例中，蒸镀设备包括至少一个蒸发室；蒸发室包括多个蒸发区；在多个蒸发区中一一对应采用掩膜组件的多个掩膜板对目标基板进行蒸镀。

图14为本公开实施例提供的一种蒸镀设备结构示意图，示例性的，以蒸镀设备包括三个蒸发室为例进行介绍。如图14所示，三个蒸发室分别为蒸发室R、蒸发室G以及蒸发室B。不同蒸发室采用相对应的掩膜组件进行蒸镀。对于OLED显示面板的蒸镀，本公开实施例提供的蒸镀设备，可以在蒸发室R中蒸镀形成红色像素对应的发光层图案，在蒸发室G中蒸镀形成绿色像素对应的发光层图案，在蒸发室B中蒸镀形成蓝色像素对应的发光层图案。

示例性的，设置每个蒸发室中均包括两个蒸发区，分别为第1蒸发区201和第2蒸发区202。在每个蒸发室，依次在第1蒸发区201和第2蒸发区202进行蒸镀。其中，在蒸发室R中的第1蒸发区201采用蒸发室R所对应掩膜组件的第1掩模板进行蒸镀，在蒸发室R中的第2蒸发区202采用蒸发室R所对应掩膜组件的第2掩模板进行蒸镀。类似的，在蒸发室G中的第1蒸发区201采用蒸发室G所对应掩膜组件的第1掩模板进行蒸镀，在蒸发室G中的第2蒸发区202采用蒸发室G所对应掩膜组件的第2掩模板进行蒸镀。在蒸发室B中的第1蒸发区201采用蒸发室B所对应掩膜组件的第1掩模板进行蒸镀，在蒸发室B中的第2蒸发区202采用蒸发室B所对应掩膜组件的第2掩模板进行蒸镀。本公开实施例在蒸发室设置多个蒸发区，在多个蒸发区中一一对应采用掩膜组件的多个掩膜板对目标基板进行蒸镀，这样设置可以节省蒸发室的数量，降低设备成本。

在一些实施例中，可以设置同一蒸发室的各个蒸发区之间联通，且共用同一蒸发源；采用蒸发源依次对各蒸发区扫描蒸镀。

例如参见图15，以某一蒸发室包括2个蒸发区为例，如图15中的第1蒸发区201和第2蒸发区202，同一蒸发室的2个蒸发区(第1蒸发区201和第2蒸发区202)之间联通。2个蒸发区共用同一蒸发源200。在蒸发室，采用蒸发源200依次对第1蒸发区201和第2蒸发区202进行扫描蒸镀。这样可以减小两次蒸镀形成的蒸镀膜层的差异，还可以减少蒸发源和真空元器件的数量，节省成本。

需要说明的是，图15仅以蒸镀设备中某一蒸发室包括2个蒸发区为例进行介绍。蒸镀设备可以包括多个蒸发室，不同蒸发室包括的蒸发区的数量可以相同也可以不同，本公开对蒸发室包含的蒸发区的数量也不做限定。

可选的，参见图15，在同一蒸发室采用蒸发源200依次对第1蒸发区201和第2蒸发区202进行扫描蒸镀过程中，可以控制蒸发源200与掩膜板的相对移动速度在第一位置301处小于第二位置302处。其中，第一位置301处是指蒸发源在掩膜片下方的位置；第二位置302处是指蒸发源未在所述掩膜片下方的位置。

在一些实施例中，蒸镀设备还可以包括掩模板缓存室；掩模板缓存室用于存放至少一个掩膜组件。

示例性的，在蒸镀过程中，不同蒸发室所需的蒸镀图案可能不同，因此在不同蒸发室进行蒸镀时，采用的掩膜组件也可能不同。例如在OLED显示面板制作过程中，在蒸发室R采用第1掩膜组件蒸镀形成红色像素对应的发光层图案，第1掩膜组件包括x₁个掩膜板；在蒸发室G采用第2掩膜组件用于蒸镀形成绿色像素对应的发光层图案，第2掩膜组件包括x₂个掩膜板；在蒸发室B采用第3掩膜组件用于蒸镀形成蓝色像素对应的发光层图案，第3掩膜组件包括x₃个掩膜板。x₁、x₂、x₃可以相等也可以不相等。如图16所示，蒸镀设备中包括一个掩膜板缓存室204，掩膜板缓存室204用于存放蒸发室R所需的x₁个掩膜板，蒸发室G所需的x₂个掩膜板，蒸发室B所需的x₃个掩膜板。在使用时通过机械手203从掩膜板缓存室204将各掩膜板送至对应的蒸发室中镀膜。

在一些实施例中，蒸镀设备包括多个掩模板缓存室；不同掩模板缓存室中存放不同掩模组件；同一掩模板缓存室中用于存放同一掩模组件的多个掩膜板。

示例性的，图17为本公开实施例提供的又一种蒸镀设备结构示意图，如图17所示，蒸镀设备中包括有三个掩膜板缓存室，分别为掩膜板缓存室2041、掩膜板缓存室2042以及掩膜板缓存室2043。掩膜板缓存室2041用于存储蒸镀红色像素使用的掩膜组件。掩膜板缓存室2042用于存储蒸镀绿色像素使用的掩膜组件。掩膜板缓存室2043用于存储蒸镀蓝色像素使用的掩膜组件。在需要使用掩膜板蒸镀时，由搬送室205中的机械手203依次将掩膜板缓存室中的掩膜板搬入的蒸发室206镀膜。不同掩膜组件对应的蒸镀图案不同，可以根据实际情况设置掩膜组件包括的掩膜板的数量。

在一些实施例中，蒸镀设备包括至少一个蒸发组；不同所述蒸发组对应不同掩膜组件；

每个所述蒸发组包括多个蒸发室以及多个掩模板缓存室；同一蒸发组的多个掩模板缓存室一一对应存储同一掩膜组件的多个掩模板；同一蒸发组的多个蒸发室一一对应采用同一蒸发组的各掩模板缓存室的多个掩模板对目标基板进行蒸镀。

示例性的，图18为本公开实施例提供的又一种蒸镀设备结构示意图，如图18所示，蒸镀设备中包括三个蒸发组，分别为蒸发组2071、蒸发组2072以及蒸发组2073，蒸发组2071用于蒸镀形成红色像素对应的发光层图案，蒸发组2072用于蒸镀形成绿色像素对应的发光层图案，蒸发组2073用于蒸镀形成蓝色像素对应的发光层图案。

基于此，以蒸发组2071为例，蒸发组2071中包括蒸发室2061和蒸发室2062以及掩膜板缓存室2041和掩膜板缓存室2042。其中蒸发室2061在蒸镀时可以采用掩膜板缓存室2041中存储的第1掩膜板，蒸发室2062在蒸镀时可以采用掩膜板缓存室2042中存储的第2掩膜板。在需要使用掩膜板蒸镀时由搬送室205中的机械手203将掩膜板缓存室2041中的第1掩膜板放入蒸发室2061中镀膜，将掩膜板缓存室2042中的第2掩膜板放入蒸发室2062中镀膜。完成蒸发组2071中的蒸镀工作后送至蒸发组2072中进行下一步蒸镀，完成蒸发组2072中的蒸镀工作后送至蒸发组2073中进行下一步蒸镀。由于每个蒸发组只负责对一种颜色像素发光层的蒸镀，因此可以避免在蒸镀过程中不同颜色像素发光层蒸镀材料的污染。

图19为本公开实施例提供的在蒸镀设备中某一蒸发组中蒸镀过程示意图，参见图19，以图18中在蒸发组2071中蒸镀为例，蒸发室2061在蒸镀时可以采用掩膜板缓存室2041中存储的第1掩膜板，在蒸发室2061中蒸镀时，控制蒸发源200与第1掩膜板的相对移动速度在第一位置301处小于第二位置302处。其中，第一位置301处是指蒸发源在掩膜片下方的位置；第二位置302处是指蒸发源未在所述掩膜片下方的位置。蒸发室2062在蒸镀时可以采用掩膜板缓存室2042中存储的第2掩膜板，在蒸发室2062中蒸镀时，控制蒸发源200与第2掩膜板的相对移动速度在第一位置301处小于第二位置302处。其中，第一位置301处是指蒸发源在掩膜片下方的位置；第二位置302处是指蒸发源未在所述掩膜片下方的位置。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (18)

1.一种掩膜组件，其特征在于，包括多行掩膜片以及x个掩膜框架；多行掩膜片对应蒸镀图案；

多行掩膜片划分为x组；

满足第i+nx行的掩膜片，按照行序号依次排布设置在第i掩膜框架上，形成第i掩膜板；

同一掩膜框架上的相邻行掩膜片之间设置有第一遮挡部；

同一掩膜框架上的相邻行掩膜片的边缘之间的距离小于该相邻行掩膜片行序号之间的其它行掩膜片的宽度之和；

其中，i以及x均为正整数，且i小于等于x；x大于1；n为非负整数。

2.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述掩膜片与相邻所述第一遮挡部之间具有间隙；所述间隙大于等于所述掩膜片以及所述第一遮挡部的最大膨胀量之和。

3.根据权利要求2所述的掩膜组件，其特征在于，所述间隙上放设置有第二遮挡部。

4.根据权利要求3所述的掩膜组件，其特征在于，所述第二遮挡部包括磁性材料。

5.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述掩膜片与相邻某一边的所述第一遮挡部一体成型。

6.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述蒸镀图案包括阵列排布的多个蒸镀单元图形；每行掩膜片对应蒸镀图案的一行蒸镀单元图形。

7.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述蒸镀图案包括阵列排布的多个蒸镀单元图形；除第一行和最后一行所述掩膜片外，每行所述掩膜片对应蒸镀图案的前一行的部分蒸镀单元图形以及后一行的部分蒸镀单元图形。

8.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述蒸镀图案为一个蒸镀单元图形。

9.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述掩膜片与所述第一遮挡部的厚度相同。

10.一种采用掩膜组件的蒸镀方法，其特征在于，应用权利要求1-9中任一项所述的掩膜组件，所述方法包括：

依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀。

11.根据权利要求10所述的蒸镀方法，其特征在于，在采用第i掩膜板对目标基板进行蒸镀时，包括：

控制蒸发源与所述第i掩膜板之间相对移动，且移动方向平行于所述第i掩膜板所在平面且垂直于所述掩膜片的长度方向。

12.根据权利要求11所述的蒸镀方法，其特征在于，在依次采用第1至第x掩膜板对目标基板进行蒸镀时，还包括：

控制蒸发源与掩膜板的相对移动速度在第一位置处小于第二位置处；

其中，所述第一位置处是指蒸发源在所述掩膜片下方的位置；所述第二位置处是指所述蒸发源未在所述掩膜片下方的位置。

13.一种蒸镀设备，其特征在于，包括蒸发源以及权利要求1-9中任一项所述的掩膜组件，所述掩膜组件设置在所述蒸发源与目标基板之间。

14.根据权利要求13所述的蒸镀设备，其特征在于，包括至少一个蒸发室；

所述蒸发室包括多个蒸发区；在多个蒸发区中一一对应采用掩膜组件的多个掩膜板对目标基板进行蒸镀。

15.根据权利要求14所述的蒸镀设备，其特征在于，同一蒸发室的各个所述蒸发区之间联通，且共用同一所述蒸发源；采用所述蒸发源依次对各所述蒸发区扫描蒸镀。

16.根据权利要求13所述的蒸镀设备，其特征在于，包括掩模板缓存室；所述掩模板缓存室用于存放至少一个掩膜组件。

17.根据权利要求13所述的蒸镀设备，其特征在于，包括多个掩模板缓存室；不同掩模板缓存室中存放不同掩模组件；同一掩模板缓存室中用于存放同一掩模组件的多个掩膜板。

18.根据权利要求13所述的蒸镀设备，其特征在于，包括至少一个蒸发组；不同所述蒸发组对应不同掩膜组件；

每个所述蒸发组包括多个蒸发室以及多个掩模板缓存室；同一蒸发组的多个掩模板缓存室一一对应存储同一掩膜组件的多个掩模板；同一蒸发组的多个蒸发室一一对应采用同一蒸发组的各掩模板缓存室的多个掩模板对目标基板进行蒸镀。

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