CN115711856A - 一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统 - Google Patents
一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115711856A CN115711856A CN202211328627.0A CN202211328627A CN115711856A CN 115711856 A CN115711856 A CN 115711856A CN 202211328627 A CN202211328627 A CN 202211328627A CN 115711856 A CN115711856 A CN 115711856A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- area
- theoretical spectrum
- calculating
- physical model
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 109
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 60
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 25
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明提供一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统，计算方法包括：获取测量样件微区内部和微区外部的膜层结构以及微区内部关键参数准确度指标；建立微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差；建立微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱；基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱；基于微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数。本发明能够根据微区内部关键参数准确度指标，给出落在微区内部的光斑比例系数的指标，为几何光路系统设计提供指导与约束。
Description
技术领域
本发明涉及光学散射测量领域，更具体地，涉及一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统。
背景技术
椭偏测量技术相较于扫描电子显微镜、原子力显微镜等微观形貌测量方法，具有速度快、成本低、无接触、非破坏等优点，因而在先进工艺在线监测领域获得了广泛应用。椭偏测量技术测得的原始信号是待测样件的反射光强，典型的分析过程包括：首先，利用椭偏测量系统的系统模型将光强信号转化为测量光谱(如斯托克斯向量、反射率、椭偏参数、穆勒矩阵等)；接着，利用一定的数据分析手段从测量光谱中提取出关键参数，如膜层厚度、材料折射率等。由此可见，获得高准确度关键参数提取结果的前提，是获得高准确度的原始测量光强信号。
在半导体制造过程中，通常在晶圆上的数十个微区内进行加工制造，为了监控工艺良率，需要利用椭偏测量技术对微区内部膜层进行精确测量。然而，如果测量光斑尺寸过大，则微区外部的反射光将混叠到微区内部膜层的反射光中，会对最终的测量光强造成干扰，进而影响关键参数分析结果。尽管可以通过先进的几何光学设计技术尽可能减小测量光斑尺寸，但面对14/28nm技术节点下尺寸仅有数十微米的微区，仍然难以令测量光斑完全照射在微区内部，即部分光斑不可避免地照射在微区外部。因此，有必要根据关键参数准确度指标，给出落在微区内部的光斑比例系数的指标，为几何光路系统设计提供指导与约束。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的技术问题，提供一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统。
根据本发明的第一方面，提供了一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法，包括：
获取测量样件微区内部和微区外部的膜层结构以及微区内部关键参数准确度指标；
建立微区内部膜层的物理模型，基于所述微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱，并计算微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差；
建立微区外部膜层的物理模型，基于所述微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱；
基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱；
基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以作出如下改进。
可选的，所述建立微区内部膜层的物理模型，基于所述微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱，并计算微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，包括：
利用菲尼尔原理、薄膜传输矩阵理论、严格耦合波分析方法建立微区内部膜层的物理模型f；
基于微区内部膜层形貌参数名义值x0，计算对应的微区内部理论光谱Signalin＝f(x0)；
根据微区内部关键参数准确度指标Δx，计算对应的光谱误差:
Signaltol＝|f(x0±Δx)-f(x0)|。
可选的，所述理论光谱包括斯托克斯向量、反射率、椭偏参数和穆勒矩阵。
可选的，所述建立微区外部膜层的物理模型，基于所述微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱，包括：
利用菲尼尔原理、薄膜传输矩阵理论、严格耦合波分析方法，建立微区外部膜层的物理模型g；
根据外部膜层形貌参数名义值y0，计算对应的微区外部理论光谱Signalout＝g(y0)。
可选的，所述基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱，包括：
根据微区内部理论光谱、微区外部理论光谱以及光斑落在微区内部的比例系数，建立微区测量物理模型；
基于所述微区测量物理模型，计算微区理论光谱：
Signal＝w*Signalin+(1-w)*Signalout；
其中，Signalin为微区内部理论光谱，Signalout为微区外部理论光谱，w为光斑落在微区内部的比例系数，Signal为微区理论光谱。
可选的，基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数，包括：
计算所述微区理论光谱与微区内部理论光谱之差Signalerr＝|Signal-Signalin|；
基于Signalerr不大于微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差Signaltol的条件，计算光斑落在微区内部的比例系数w。
可选的，所述基于Signalerr不大于微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差Signaltol的条件，计算光斑落在微区内部的比例系数w，包括：
如果Signalin<Signalout，则
如果Signalin>Signalout，则
根据本发明的第二方面，提供一种椭偏测量光斑尺寸指标计算系统，包括：
获取模块，用于获取测量样件微区内部和微区外部的膜层结构以及微区内部关键参数准确度指标；
第一计算模块，用于建立微区内部膜层的物理模型，基于所述微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱，并计算微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差；
第二计算模块，用于建立微区外部膜层的物理模型，基于所述微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱；
第三计算模块，用于基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱；
第四计算模块，用于基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数。
本发明提供的一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统，能够根据微区内部关键参数准确度指标，给出落在微区内部的光斑比例系数的指标，为几何光路系统设计提供指导与约束。
附图说明
图1为本发明提供的一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法流程图；
图2为微区测量原理示意图；
图3为本发明提供的一种椭偏测量光斑尺寸指标计算系统的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。另外，本发明提供的各个实施例或单个实施例中的技术特征可以相互任意结合，以形成可行的技术方案，这种结合不受步骤先后次序和/或结构组成模式的约束，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时，应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
图1为本发明提供的一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法流程图，如图1所示，方法主要包括如下步骤：
S1，获取测量样件微区内部和微区外部的膜层结构以及微区内部关键参数准确度指标。
可理解的是，根据加工样件设计文件，可以获得微区内部和外部的膜层结构，以及微区内部关键参数的准确度指标。
其中，图2为微区测量原理示意图，在测量过程中，如果测量光斑尺寸过大，则微区外部的反射光将混叠到微区内部膜层的反射光中，会对最终的测量光强造成干扰，进而影响关键参数分析结果。因此，有必要根据关键参数准确度指标，给出落在微区内部的光斑比例系数的指标。
S2，建立微区内部膜层的物理模型，基于所述微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱，并计算微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差。
可理解的是，可利用菲尼尔原理、薄膜传输矩阵理论、严格耦合波分析等方法，建立微区内部膜层的物理模型f，其中，微区内部膜层的物理模型f表征的是微区内部膜层形貌参数与理论光谱之间的函数关系式。针对内部膜层形貌参数名义值x0，计算对应的微区内部理论光谱Signalin＝f(x0)。
微区内部理论光谱包括斯托克斯向量、反射率、椭偏参数、穆勒矩阵等；以及根据关键参数准确度指标Δx，计算对应的光谱误差:
Signaltol＝|f(x0±Δx)-f(x0)|。
S3，建立微区外部膜层的物理模型，基于所述微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱。
可理解的是，可利用菲尼尔原理、薄膜传输矩阵理论、严格耦合波分析等方法，建立微区外部膜层的物理模型g；针对外部膜层形貌参数名义值y0，计算对应的理论光谱Signalout＝g(y0)。
S4，基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱。
可理解的是，根据微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立包含光斑比例系数的微区测量物理模型，仿真同时包含微区内部和外部信息的光谱。
典型地，微区测量物理模型可以是微区内部理论光谱和微区外部理论光谱的加权之和Signal＝w*Signalin+(1-w)*Signalout；其中，w为光斑落在微区内部的比例系数。
S5，基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑比例系数，所述光斑比例系数是指光斑落在微区内部的比例系数。
作为实施例，基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数，包括：计算所述微区理论光谱与微区内部理论光谱之差Signalerr＝|Signal-Signalin|；基于Signalerr不大于微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差Signaltol的条件，计算光斑落在微区内部的比例系数w。
根据上述条件，可得出光斑比例系数w满足如下表达式：
如果Signalin<Signalout，则
如果Signalin>Signalout，则
此即为计算所得椭偏测量光斑落在微区内部比例系数的指标。
图3为本发明实施例提供的一种椭偏测量光斑尺寸指标计算系统结构图，如图3所示，一种椭偏测量光斑尺寸指标计算系统，包括获取模块301、第一计算模块302、第二计算模块303、第三计算模块304和第四计算模块305，其中：
获取模块301，用于获取测量样件微区内部和微区外部的膜层结构以及微区内部关键参数准确度指标；
第一计算模块302，用于建立微区内部膜层的物理模型，基于所述微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱，并计算微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差；
第二计算模块303，用于建立微区外部膜层的物理模型，基于所述微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱；
第三计算模块304，用于基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱；
第四计算模块305，用于基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数。
可以理解的是，本发明提供的一种椭偏测量光斑尺寸指标计算系统与前述各实施例提供的椭偏测量光斑尺寸指标计算方法相对应，椭偏测量光斑尺寸指标计算系统的相关技术特征可参考椭偏测量光斑尺寸指标计算方法的相关技术特征，在此不再赘述。
本发明实施例提供的一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统，获取微区内部和微区外部的膜层结构以及微区内部关键参数准确度指标，分别建立微区内部膜层的物理模型和微区外部膜层的物理模型，并分别计算对应的理论光谱，最后根据微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑比例系数，能够根据微区内部关键参数准确度指标，给出落在微区内部的光斑比例系数的指标，为几何光路系统设计提供指导与约束。
需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式计算机或者其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法，其特征在于，包括：
获取测量样件微区内部和微区外部的膜层结构以及微区内部关键参数准确度指标；
建立微区内部膜层的物理模型，基于所述微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱，并计算微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差；
建立微区外部膜层的物理模型，基于所述微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱；
基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱；
基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数。
2.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述建立微区内部膜层的物理模型，基于所述微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱，并计算微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，包括：
利用菲尼尔原理、薄膜传输矩阵理论、严格耦合波分析方法建立微区内部膜层的物理模型f；
基于微区内部膜层形貌参数名义值x0，计算对应的微区内部理论光谱Signalin＝f(x0)；
根据微区内部关键参数准确度指标Δx，计算对应的光谱误差:
Signaltol＝|f(x0±Δx)-f(x0)|。
3.根据权利要求2所述的计算方法，其特征在于，所述建立微区外部膜层的物理模型，基于所述微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱，包括：
利用菲尼尔原理、薄膜传输矩阵理论、严格耦合波分析方法，建立微区外部膜层的物理模型g；
根据外部膜层形貌参数名义值y0，计算对应的微区外部理论光谱Signalout＝g(y0)。
4.根据权利要求3所述的计算方法，其特征在于，所述基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱，包括：
根据微区内部理论光谱、微区外部理论光谱以及光斑落在微区内部的比例系数，建立微区测量物理模型；
基于所述微区测量物理模型，计算微区理论光谱：
Signal＝w*Signalin+(1-w)*Signalout；
其中，Signalin为微区内部理论光谱，Signalout为微区外部理论光谱，w为光斑落在微区内部的比例系数，Signal为微区理论光谱。
5.根据权利要求4所述的计算方法，其特征在于，基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数，包括：
计算所述微区理论光谱与微区内部理论光谱之差Signalerr＝|Signal-Signalin|；
基于Signalerr不大于微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差Signaltol的条件，计算光斑落在微区内部的比例系数w。
6.根据权利要求5所述的计算方法，其特征在于，所述基于Signalerr不大于微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差Signaltoh的条件，计算光斑落在微区内部的比例系数w，包括：
如果Signalin＜Signalout，则
如果Signalin＞Signalout，则
7.根据权利要求1-6任一项所述的计算方法，其特征在于，所述理论光谱包括斯托克斯向量、反射率、椭偏参数和穆勒矩阵。
8.一种椭偏测量光斑尺寸指标计算系统，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取测量样件微区内部和微区外部的膜层结构以及微区内部关键参数准确度指标；
第一计算模块，用于建立微区内部膜层的物理模型，基于所述微区内部膜层的物理模型，计算微区内部理论光谱，并计算微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差；
第二计算模块，用于建立微区外部膜层的物理模型，基于所述微区外部膜层的物理模型，计算微区外部理论光谱；
第三计算模块，用于基于微区内部理论光谱和微区外部理论光谱，建立微区测量物理模型，计算微区理论光谱；
第四计算模块，用于基于所述微区理论光谱、微区内部理论光谱和微区内部关键参数准确度指标对应的光谱误差，计算光斑落在微区内部的比例系数。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211328627.0A CN115711856B (zh) | 2022-10-27 | 2022-10-27 | 一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211328627.0A CN115711856B (zh) | 2022-10-27 | 2022-10-27 | 一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115711856A true CN115711856A (zh) | 2023-02-24 |
| CN115711856B CN115711856B (zh) | 2024-05-28 |
Family
ID=85231508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211328627.0A Active CN115711856B (zh) | 2022-10-27 | 2022-10-27 | 一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115711856B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104568248A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-04-29 | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 | 一种非晶态光学薄膜微区应力的测量方法 |
| US20150134286A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-14 | International Business Machines Corporation | Method for quantification of process non-uniformity using model-based metrology |
| CN108801932A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-13 | 山东大学 | 一种对薄膜样品进行微区磁光椭偏光谱分析的装置及其应用 |
| CN109141259A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 华中科技大学 | 一种薄吸收膜的光学常数与厚度的测量装置及方法 |
| CN110376136A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-10-25 | 华中科技大学 | 高温加载下测量薄膜光学常数及形貌参数的装置及方法 |
| CN213209897U (zh) * | 2020-09-07 | 2021-05-14 | 张弓 | 一种半导体检测用基于磁光效应的成像椭偏仪 |
| CN115165317A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-10-11 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种获取光学计量系统入射光的光斑信息、测量焦面及拟合波段的方法 |
-
2022
- 2022-10-27 CN CN202211328627.0A patent/CN115711856B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150134286A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-14 | International Business Machines Corporation | Method for quantification of process non-uniformity using model-based metrology |
| CN104568248A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-04-29 | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 | 一种非晶态光学薄膜微区应力的测量方法 |
| CN108801932A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-13 | 山东大学 | 一种对薄膜样品进行微区磁光椭偏光谱分析的装置及其应用 |
| CN109141259A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 华中科技大学 | 一种薄吸收膜的光学常数与厚度的测量装置及方法 |
| CN110376136A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-10-25 | 华中科技大学 | 高温加载下测量薄膜光学常数及形貌参数的装置及方法 |
| CN213209897U (zh) * | 2020-09-07 | 2021-05-14 | 张弓 | 一种半导体检测用基于磁光效应的成像椭偏仪 |
| CN115165317A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-10-11 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种获取光学计量系统入射光的光斑信息、测量焦面及拟合波段的方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| CHEN XIUGUO 等: "Nondestructive analysis of lithographic patterns with natural line edge roughness from Mueller matrix ellipsometric data", APPLIED SURFACE SCIENCE, vol. 388, 2 November 2016 (2016-11-02), pages 524 - 530, XP029744289, DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.10.167 * |
| 杭凌侠 等: "椭偏方法分析无氢DLC薄膜光学吸收特性", 西安工业大学学报, vol. 32, no. 10, 25 October 2012 (2012-10-25), pages 800 - 805 * |
| 陈修国 等: "基于Mueller矩阵成像椭偏仪的纳米结构几何参数大面积测量", 物理学报, vol. 65, no. 07, 31 December 2016 (2016-12-31), pages 070703 - 1 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115711856B (zh) | 2024-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107408519B (zh) | 基于模型的单个参数测量的系统和方法 | |
| US10352876B2 (en) | Signal response metrology for scatterometry based overlay measurements | |
| CN105324839B (zh) | 对参数追踪的计量系统优化 | |
| JP7412559B2 (ja) | 確率的ドメイン知識に基づく計測レシピ最適化及び物理的実現 | |
| CN112345464A (zh) | 一种椭偏仪优化校准方法 | |
| TW202401287A (zh) | 用於關鍵尺寸計量的方法及系統 | |
| US10732520B1 (en) | Measurement library optimization in semiconductor metrology | |
| US9347872B1 (en) | Meta-model based measurement refinement | |
| US20220114438A1 (en) | Dynamic Control Of Machine Learning Based Measurement Recipe Optimization | |
| CN115711856B (zh) | 一种椭偏测量光斑尺寸指标计算方法及计算系统 | |
| US11662197B2 (en) | Rapid measurement method for ultra-thin film optical constant | |
| CN114264632B (zh) | 一种角分辨式散射仪中物镜偏振效应的原位校准方法 | |
| US7375828B1 (en) | Modal method modeling of binary gratings with improved eigenvalue computation | |
| CN112345463B (zh) | 一种基于椭偏仪的待测样件参数测量方法 | |
| US7969573B2 (en) | Method and system for obtaining n and k map for measuring fly-height | |
| CN108344698B (zh) | 基于电磁第一性原理反演粗糙表面光学常数的椭偏方法 | |
| TW202142859A (zh) | 用於光學關鍵尺寸計量的方法和系統及機器可存取的儲存介質 | |
| CN107345788A (zh) | 一种平行光微光斑光学关键尺寸分析装置及检测方法 | |
| CN112964651B (zh) | 测量薄膜光学常数的方法、系统、计算设备和存储介质 | |
| CN113609687B (zh) | 一种椭偏仪实时测量结果优化方法 | |
| CN112880574B (zh) | 一种薄膜厚度测量方法 | |
| CN117760978A (zh) | 一种样件光学参数测量方法及测量系统 | |
| US20240186191A1 (en) | Measurements Of Semiconductor Structures Based On Spectral Differences At Different Process Steps | |
| Wang et al. | Neural network driven sensitivity analysis of diffraction-based overlay metrology performance to target defect features | |
| CN116519605A (zh) | 双旋转补偿器型穆勒矩阵椭偏仪的系统校准方法及装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |