CN115707312A - 显示装置和包括该显示装置的电子装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种显示装置和包括该显示装置的电子装置。显示装置包括显示面板，在显示面板中设置有第一发光元件和与第一发光元件相邻的第二发光元件。包括触摸电极的传感器层设置在显示面板上。触摸电极包括具有第一宽度的第一部分、具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分以及将第一部分连接到第二部分的第三部分。第一部分、第二部分和第三部分各自设置在第一发光元件和第二发光元件之间。

Description

显示装置和包括该显示装置的电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月10日提交的第10-2021-0105431号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开在本文中涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括透射区域的显示装置和包括该显示装置的电子装置。

背景技术

电子装置可以包括多个电子部件，诸如显示面板和电子模块。电子模块可以包括相机、红外传感器、接近传感器等。电子模块可以放置在显示面板下方(即，显示面板后面)。显示面板的一区域可以具有比显示面板的另一区域更高的透射率。电子模块可以通过具有高透射率的区域接收或输出光信号。

发明内容

显示装置包括在其中设置有第一发光元件和与第一发光元件相邻的第二发光元件的显示面板。传感器层包括设置在显示面板上的触摸电极。触摸电极包括具有第一宽度的第一部分、具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分以及将第一部分与第二部分连接的第三部分。第一部分、第二部分和第三部分设置在第一发光元件和第二发光元件之间。

第三部分可以具有在从第一部分到第二部分的方向上从第一宽度逐渐减小到第二宽度的宽度。

第一部分沿其延伸的方向可以不同于第二部分沿其延伸的方向。

显示装置还可以包括设置在传感器层上的抗反射层。抗反射层可以包括滤色器，滤色器包括至少部分地与第一发光元件重叠的第一滤色器和至少部分地与第二发光元件重叠的第二滤色器。光阻挡层包括光阻挡材料。

包括至少部分地与第一发光元件重叠的第一光阻挡层开口和至少部分地与第二发光元件重叠的第二光阻挡层开口的光阻挡层开口可以限定在光阻挡层中。

显示面板可以包括：第一像素区域，至少部分地与第一光阻挡层开口和第一滤色器重叠；第二像素区域，至少部分地与第二光阻挡层开口和第二滤色器重叠；光阻挡层开口区域，至少部分地与第一光阻挡层开口重叠并且不与滤色器重叠；以及外围区域，至少部分地围绕第一像素区域、第二像素区域和光阻挡层开口区域中的每个。

触摸电极可以至少部分地与外围区域重叠。

触摸开口可以限定在触摸电极中。触摸开口中的任何一个可以至少部分地与第一像素区域和光阻挡层开口区域中的每个重叠。触摸开口中的另一个可以至少部分地与第二像素区域重叠。触摸电极可以至少部分地与外围区域重叠。

显示面板还可以包括像素限定层，在像素限定层中限定有第一像素开口和第二像素开口。第一发光元件和第二发光元件可以至少部分地与第一像素开口中的任何一个重叠。第二像素开口可能不与第一发光元件或第二发光元件重叠。

光阻挡层开口区域可以包括至少部分地与第二像素开口中的任何一个重叠的透射区域。

光阻挡层开口区域还可以包括至少部分地与像素限定层重叠的边缘区域。

显示面板可以包括与第一像素开口对应的发光区域、与第二像素开口对应的像素限定层开口区域以及至少部分地围绕发光区域和像素限定层开口区域的非发光区域。

透射区域可以与像素限定层开口区域的一部分重叠。

显示装置包括显示面板，显示面板包括：第一像素区域，在其中设置有第一发光元件；第二像素区域，在第一方向上与第一像素区域相邻并且在其中设置有第二发光元件；以及光阻挡层开口区域，允许光透射穿过光阻挡层开口区域并且光阻挡层开口区域在与第一方向交叉的第二方向上与第一像素区域相邻。传感器层包括触摸电极，触摸电极设置在显示面板上，并且在其中限定有暴露第一像素区域和光阻挡层开口区域的第一触摸开口和暴露第二像素区域的第二触摸开口。触摸电极的与光阻挡层开口区域相邻的部分的宽度小于触摸电极的与第一像素区域和第二像素区域相邻的部分的宽度。

显示装置还可以包括抗反射层，抗反射层包括滤色器和光阻挡层，并且设置在传感器层上。至少部分地与第一像素区域和第二像素区域中的每个重叠的光阻挡层开口可以限定在光阻挡层中。显示面板还可以包括至少部分地与光阻挡层重叠的边缘区域。

滤色器可以与外围区域的至少一部分、第一像素区域和第二像素区域重叠，并且可能不与光阻挡层开口区域重叠。

显示面板还可以包括像素限定层，并且在像素限定层中，可以限定有各自暴露第一发光元件和第二发光元件的第一像素开口以及与第一像素开口间隔开的第二像素开口。

显示面板可以包括至少部分地与第一像素开口重叠的发光区域、至少部分地与像素限定层重叠的非发光区域以及至少部分地与第二像素开口重叠的像素限定层开口区域。光阻挡层开口区域可以包括至少部分地与像素限定层开口区域重叠的透射区域以及至少部分地与非发光区域重叠的边缘区域。

电子装置包括显示装置，显示装置包括第一有效区域和第二有效区域，第一有效区域包括光阻挡层开口区域、像素区域和外围区域，并且允许光信号透射穿过第一有效区域，第二有效区域具有像素区域和外围区域，并且与第一有效区域相邻。电子模块至少部分地与第一有效区域重叠并且设置在显示装置下方。显示装置包括其中设置有第一发光元件和与第一发光元件相邻的第二发光元件的显示面板。传感器层包括设置在显示面板上的触摸电极。触摸电极包括具有第一宽度的第一部分、具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分以及将第一部分与第二部分连接的第三部分。第一部分、第二部分和第三部分设置在第一发光元件和第二发光元件之间。第一发光元件和第二发光元件至少部分地与第一有效区域的像素区域重叠。第一部分、第二部分和第三部分至少部分地与第一有效区域的外围区域重叠。

电子模块可以是照度传感器。

附图说明

包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且附图被并入在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出本发明构思的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：

图1是根据本发明构思的实施方式的电子装置的立体图；

图2是示出根据本发明构思的实施方式的电子装置的部件的分解立体图；

图3是根据本发明构思的实施方式的显示装置的剖视图；

图4是根据本发明构思的实施方式的显示面板的平面图；

图5是根据本发明构思的实施方式的传感器层的平面图；

图6是根据本发明构思的实施方式的电子面板的平面图；

图7是放大图6的区域AA的平面图；

图8是与图7的I-I'对应的剖视图；

图9是与图7的II-II'对应的剖视图；

图10是与图7的III-III'对应的剖视图；

图11是放大图6的区域BB的剖视图；以及

图12是与图11的IV-IV'对应的剖视图。

具体实施方式

在本说明书中，当元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，这可以意味着该元件可以直接设置在另一元件上/直接连接到另一元件/直接联接到另一元件，或可以在它们之间设置第三元件。

在整个说明书和附图中，相同的附图标号可以指代相同的元件。另外，在附图中，为了有效地描述技术内容，元件的厚度、比率和尺寸可以被夸大。然而，将理解的是，各种描绘的结构的厚度、相对比例、所示角度等可以指示本公开的至少一个实施方式。术语“和/或”可以包括可限定相关配置的内容中的一个或多个的所有组合。

将理解，尽管术语第一、第二等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不一定受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不脱离本公开的教导。除非上下文另有明确指示，单数形式旨在也包括复数形式。

此外，诸如“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等术语用于描述附图中所示的配置的关系。这些术语用作相对概念并且参考附图中指示的方向进行描述。

应当理解，术语“包括”或“具有”旨在指定在本公开中所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加。

在下文中，将参考附图描述本发明构思的实施方式。

图1是根据本发明构思的实施方式的电子装置1000的立体图。

参考图1，电子装置1000可以包括显示装置，并且在该实施方式中，移动电话作为示例被示出。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且电子装置1000可以是平板计算机、计算机显示屏、电视机、汽车导航系统、游戏机或可穿戴装置。

电子装置1000可以通过显示区域DA显示图像IM。显示区域DA可以包括由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。然而，显示区域DA的形状不一定限于此。例如，显示区域DA可以如示出的那样是基本上平坦的，或显示区域DA还可以包括从平面的至少两侧弯曲的曲形表面。

电子装置1000可以通过显示表面DS(或前表面)显示图像IM。如图1中所示，显示表面DS可以包括在其中显示图像IM的显示区域DA、以及定位成与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。非显示区域NDA是显示表面DS的在其中不显示图像IM的区域。在图1中，非显示区域NDA示出为至少部分地围绕显示区域DA的形式。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的一侧上，或可以省略非显示区域NDA。

显示区域DA包括第一区域1000SA和定位成与第一区域1000SA相邻的第二区域1000AA。

第一区域1000SA是显示区域DA的针对光信号可具有比第二区域1000AA更高的透射率的部分。因此，电子装置1000可以通过第一区域1000SA显示图像IM，并且也可以通过第一区域1000SA接收或传输光信号。

在实施方式中，电子装置1000可以包括第三区域1000CM。第三区域1000CM是显示区域DA的针对光信号可具有比第二区域1000AA更高的透射率的部分。因此，电子装置1000可以通过第三区域1000CM显示图像IM，并且也可以通过第三区域1000CM接收或传输光信号。

在图1中，尽管示出单个第一区域1000SA和单个第三区域1000CM作为示例，但是第一区域1000SA和第三区域1000CM的数量不一定限于此。

电子装置1000可以包括至少部分地与第一区域1000SA和第三区域1000CM重叠的电子模块。电子模块可以通过第一区域1000SA和第三区域1000CM接收从外部提供的光信号或向外部输出光信号。例如，电子模块可以是传感器模块(诸如，照度传感器或测量物体和移动电话之间的距离的接近传感器)、相机模块、用于识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜或脸)的传感器、或输出光的小灯，但不特别限于此。

电子装置1000的厚度方向可以是垂直于显示表面DS的第三方向DR3。构成电子装置1000的构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)可以相对于第三方向DR3限定。

图2是示出根据本发明构思的实施方式的电子装置1000的部件的分解立体图。

参考图2，电子装置1000可以包括显示装置DD、传感器模块SM和相机模块CM。显示装置DD可以产生图像并且可以检测外部输入。传感器模块SM和相机模块CM设置在显示装置DD下方(例如，相对于第三方向DR3设置在显示装置DD后面)。传感器模块SM和相机模块CM可以是以上描述的电子模块。

显示装置DD可以包括有效区域100A和非有效区域100N。有效区域100A可以与图1中所示的显示区域DA对应，并且非有效区域100N可以与图1中所示的非显示区域NDA对应。

有效区域100A可以包括第一有效区域100SA、第二有效区域100AA和第三有效区域100CM。第一有效区域100SA、第二有效区域100AA和第三有效区域100CM可以分别与图1中所示的第一区域1000SA、第二区域1000AA和第三区域1000CM对应。

第一有效区域100SA和第三有效区域100CM可以具有比第二有效区域100AA更高的透光率。因此，第一有效区域100SA和第三有效区域100CM可以分别向传感器模块SM和相机模块CM提供外部自然光。第一有效区域100SA和第三有效区域100CM是有效区域100A的一部分，并且因此可以显示图像。

像素PX设置在有效区域100A中。例如，发光元件可以设置在有效区域100A中，并且发光元件可能不设置在非有效区域100N中。像素PX分别设置在第一有效区域100SA、第二有效区域100AA和第三有效区域100CM中。

在下文中，将主要讨论第一有效区域100SA和第二有效区域100AA。

图3是根据本发明构思的实施方式的显示装置DD的剖视图。

参考图3，显示装置DD可以包括显示面板100、传感器层200、抗反射层300和窗400。抗反射层300和窗400可以通过粘合层AD彼此结合。

显示面板100可以是用于产生图像的部件。显示面板100可以是发光显示面板，并且例如，显示面板100可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、微米LED显示面板或纳米LED显示面板。显示面板100也可以被称为显示层。

显示面板100可以包括基础层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。

基础层110可以是提供在其上设置电路层120的基础表面的构件。基础层110可以是刚性衬底，或是可弯曲、可折叠、可卷曲等的柔性衬底。基础层110可以是玻璃衬底、金属衬底或聚合物衬底。然而，本发明构思的实施方式不一定限于此，并且基础层110可以是无机层、有机层或复合材料层。

基础层110可以具有多层结构。例如，基础层110可以包括第一合成树脂层、多层无机层或单层无机层以及设置在多层无机层或单层无机层上的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层各自可以包括聚酰亚胺基树脂，但不特别限于此。

电路层120可以设置在基础层110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。

发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微米LED或纳米LED。

封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以用于保护发光元件层130不受水分、氧气和诸如尘埃颗粒的异物的影响。封装层140可以包括至少一个无机层。封装层140可以包括无机层/有机层/无机层的堆叠结构。

传感器层200可以设置在显示面板100上。传感器层200可以检测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括各种类型的外部输入，诸如来自用户的身体的一部分的触摸、光、热、来自触控笔/笔的触摸或由任何工具施加的压力。

传感器层200可以通过连续工艺形成在显示面板100上。在这种情况下，传感器层200可以直接设置在显示面板100上。如本文中描述的“直接设置”可以指示在传感器层200和显示面板100之间没有设置第三部件。例如，在传感器层200和显示面板100之间可能不设置单独的粘合构件。

抗反射层300可以直接设置在传感器层200上。抗反射层300可以降低从显示装置DD的外部入射的外部光的反射率。抗反射层300可以通过连续工艺形成在传感器层200上。抗反射层300可以包括滤色器。滤色器可以具有预定的布置。例如，可以考虑包括在显示面板100中的像素的发光颜色来布置滤色器。此外，抗反射层300还可以包括定位成与滤色器相邻的光阻挡层。光阻挡层可以包括具有光吸收性质的光阻挡材料，并且例如，光阻挡层的颜色可以是黑色。

抗反射层300的结构的细节将稍后参考图8至图10和图12进行描述。

在本说明书中，电子面板EP可以被理解为包括显示面板100、传感器层200和抗反射层300的配置。

在本发明构思的实施方式中，可以省略传感器层200。在这种情况下，抗反射层300可以直接设置在显示面板100上。在本发明构思的实施方式中，传感器层200和抗反射层300的位置可以颠倒。

在本发明构思的实施方式中，显示装置DD还可以包括设置在抗反射层300上的光学层。例如，光学层可以通过连续工艺形成在抗反射层300上。光学层可以控制从显示面板100入射的光的方向，以增加显示装置DD的前向亮度。例如，光学层可以包括有机绝缘层和高折射层，其中，在有机绝缘层中限定有分别与包括在显示面板100中的像素的发光区域对应的开口，高折射层覆盖有机绝缘层并且填充所述开口。高折射层可以具有比有机绝缘层更高的折射率。

窗400可以提供电子装置1000的前表面。窗400可以包括玻璃膜或合成树脂膜作为基础膜。窗400还可以包括抗反射层或抗指纹层。窗400还可以包括至少部分地与显示面板100的非有效区域100N重叠的边框图案。

图4是根据本发明构思的实施方式的显示面板100的平面图。

参考图4，如上所述，显示面板100可以包括基础层110并且可以被划分成有效区域100A和非有效区域100N。显示面板100可以包括设置在有效区域100A中的像素PX、以及电连接到像素PX的信号线SGL。显示面板100可以包括设置在非有效区域100N中的驱动电路GDC和焊盘部分PLD。

像素PX各自包括发光元件和连接到发光元件的像素驱动电路，这将稍后进行描述。信号线SGL可以包括栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。栅极线GL各自连接到像素PX中的相应像素PX，并且数据线DL各自连接到像素PX中的相应像素PX。电力线PL可以连接到像素PX。控制信号线CSL可以连接到驱动电路GDC以向驱动电路GDC提供控制信号。

驱动电路GDC可以包括栅极驱动电路。栅极驱动电路可以产生栅极信号，并且将栅极信号顺序地输出到栅极线GL。栅极驱动电路可以进一步将另一控制信号输出到像素驱动电路。

焊盘部分PLD可以是连接到外部电路板的部分。焊盘部分PLD可以包括像素焊盘D-PD和输入焊盘I-PD。像素焊盘D-PD可以是被设计成将外部电路板连接到显示面板100的焊盘。输入焊盘I-PD可以是被设计成将外部电路板连接到传感器层200的焊盘。

像素焊盘D-PD各自可以连接到信号线SGL中的相应信号线。像素焊盘D-PD可以通过信号线SGL连接到相应像素PX。此外，驱动电路GDC可以连接到像素焊盘D-PD中的任何一个。

图5是根据本发明构思的实施方式的传感器层200的平面图。

参考图5，根据实施方式的传感器层200可以包括多个感测电极和多个信号线。传感器层200可以包括第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4。传感器层200可以包括连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、以及连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4。

第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以彼此交叉。第一感测电极IE1-1至IE1-5可以沿着第一方向DR1延伸并且沿着第二方向DR2布置。第二感测电极IE2-1至IE2-4可以沿着第二方向DR2延伸并且沿着第一方向DR1布置。第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以彼此电绝缘。

第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可以设置在非有效区域100N中。第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4各自可以连接到设置在非有效区域100N中的输入焊盘I-PD。

第一信号线SL1-1至SL1-5各自可以连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5中的相应第一感测电极的一端。第一信号线SL1-1至SL1-5中的一些可以连接到第一感测电极的一端，并且其余的第一信号线可以连接到第一感测电极的另一端。然而，本发明不一定限于这种特定的布置。

第二信号线SL2-1至SL2-4各自可以连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4中的相应第二感测电极的一端。传感器层200还可以包括连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的另一端的信号线。然而，本发明不一定限于这种特定的布置。

第一感测电极IE1-1至IE1-5各自可以包括设置在有效区域100A中的第一传感器部分YT1和第一连接部分CP1。在一个第一感测电极中，第一传感器部分YT1可以沿着第一方向DR1布置。第一连接部分CP1各自可以连接沿着第一方向DR1彼此相邻定位的第一传感器部分YT1。第一传感器部分YT1中的设置在该第一感测电极的两端上的两个第一传感器部分与设置在中心处的第一传感器部分相比可以具有较小的尺寸，例如，具有设置在中心处的第一传感器部分的1/2的尺寸。

第二感测电极IE2-1至IE2-4各自可以包括设置在有效区域100A中的第二传感器部分YT2和第二连接部分CP2。在一个第二感测电极中，第二传感器部分YT2可以沿着第二方向DR2布置。第二连接部分CP2各自可以连接沿着第二方向DR2彼此相邻定位的第二传感器部分YT2。第二传感器部分YT2中的设置在该第二感测电极的两端上的两个第二传感器部分与设置在中心处的第二传感器部分相比可以具有较小的尺寸，例如，具有设置在中心处的第二传感器部分的1/2的尺寸。

第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一传感器部分YT1、以及第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二传感器部分YT2和第二连接部分CP2可以形成在相同的层上。在一个第一感测电极中，第一传感器部分YT1可以彼此间隔开，且第二感测电极IE2-1至IE2-4在第一传感器部分YT1之间。第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一连接部分CP1可以形成在与第一传感器部分YT1不同的层上，并且因此电连接到第一传感器部分YT1，并且将第一传感器部分YT1电互连。

第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4各自具有网状形状，并且因此可能不与设置在显示面板100中的像素PX重叠。

具有网状形状的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可能从电子装置1000的外部是不可见的。

此外，网状形状的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以减少在相邻电极之间产生的寄生电容。

第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4各自可以包括银、铝、铜、铬、镍、钛和低温可加工的其它材料。

图5示出根据实施方式的第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4作为示例，但是其形状不一定限于此。例如，第一感测电极IE1-1至IE1-5和第二感测电极IE2-1至IE2-4可以是传感器部分YT1和YT2以及连接部分CP1和CP2被制成没有分离的形状(例如，棒状形状)。可选地，第一传感器部分YT1和第二传感器部分YT2的形状不一定限于所示的菱形形状，并且可以具有其它多边形形状。

图6是根据本发明构思的实施方式的电子面板EP的平面图。

如上所述的电子面板EP可以包括显示面板100、传感器层200和抗反射层300。在电子面板EP中，可以限定如上所述的有效区域100A和非有效区域100N。

参考图6，像素PX可以设置在有效区域100A中。在实施方式中，像素PX可以包括设置在第一有效区域100SA中的第一像素PX1和设置在第二有效区域100AA中的第二像素PX2。

尽管在图6中第一有效区域100SA示出为具有圆形形状，但是第一有效区域100SA可以具有各种形状，诸如多边形、椭圆形、具有至少一个曲形侧边的形状、或不规则的形状，并且不一定限于任何一个实施方式。

第一像素PX1和第二像素PX2各自可以设置成多个。在这种情况下，根据实施方式，第一像素PX1和第二像素PX2各自可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且还可以包括白色像素。

第一有效区域100SA和第二有效区域100AA可以根据透光率划分。在参考区域内测量透光率。

当基于透光率对所述区域进行分类时，第一有效区域100SA可以是具有比第二有效区域100AA更高的透光率的区域。这是因为与第二有效区域100AA相比，第一有效区域100SA的由光阻挡结构(将稍后描述)占据的区域的比率更低。未被光阻挡结构占据的区域与光信号的透射区域对应。光阻挡结构可以包括将稍后描述的电路层120的导电图案、发光元件层130的像素限定层、第一电极及发射层、以及光阻挡层。

图7是放大图6的区域AA的平面图。

例如，图7可以是图6中的电子面板EP的第一有效区域100SA的放大部分。

包括在电子面板EP(参见图6)中的显示面板100(参见图3)可以包括像素限定层PDL。可以在像素限定层PDL中限定彼此间隔开的第一像素开口PDL-OP1和第二像素开口PDL-OP2。第一像素开口PDL-OP1和第二像素开口PDL-OP2各自可以设置成多个。第一像素开口PDL-OP1可以至少部分地与发光元件重叠，并且第二像素开口PDL-OP2可能不与发光元件重叠。

在实施方式中，像素限定层PDL可以限定与第一像素开口PDL-OP1对应的发光区域LA、与第二像素开口PDL-OP2对应的像素限定层开口区域POP、以及至少部分地围绕发光区域LA和像素限定层开口区域POP的非发光区域NLA。

发光区域LA可以是在其中从发光元件产生光的区域。例如，可以在发光区域LA中产生红光R、绿光G或蓝光B。从发光区域LA发射的光可以通过第一像素开口PDL-OP1发射到显示面板100的外部。

像素限定层开口区域POP可以是至少部分地与电子模块(诸如以上在图2中描述的传感器模块SM)重叠的区域。传感器模块SM(图2)可以通过第二像素开口PDL-OP2接收外部光。

在本说明书中，显示面板100(参见图3)的发光区域、像素限定层开口区域和非发光区域可以分别与在像素限定层PDL中限定的发光区域LA、像素限定层开口区域POP和非发光区域NLA对应。

包括在电子面板EP(参见图6)中的抗反射层300(参见图3)可以包括光阻挡层310和滤色器CF。光阻挡层开口310-OP可以限定在光阻挡层310中。光阻挡层开口310-OP和滤色器CF各自可以设置成多个。光阻挡层开口310-OP中的至少一部分可以被滤色器CF覆盖。

在实施方式中，光阻挡层310可以限定至少部分地与光阻挡层开口310-OP和滤色器CF重叠的像素区域PXA、至少部分地与光阻挡层开口310-OP重叠并且不与滤色器CF重叠的光阻挡层开口区域TA、以及至少部分地围绕像素区域PXA和光阻挡层开口区域TA的外围区域NPXA。

像素区域PXA可以是从发光元件产生的光在其中被发射到外部的区域。滤色器CF可以阻挡从像素区域PXA发射的一些波段的光，从而增强从发光元件产生的光的色纯度。

在实施方式中，可以提供多个像素区域PXA。例如，像素区域PXA可以包括发射红光R的第一像素区域PXA-R、发射绿光G的第二像素区域PXA-G以及发射蓝光B的第三像素区域PXA-B。

光阻挡层开口区域TA可能不与光阻挡层310或滤色器CF重叠。因此，从外部入射的光可以通过光阻挡层开口区域TA穿过显示面板100(参见图2)而不被光阻挡层310或滤色器CF吸收。诸如传感器模块SM(参见图2)的电子模块可以设置成与光阻挡层开口区域TA重叠，以接收从外部入射的光。稍后将参考图9描述光阻挡层开口区域TA的结构的细节。

滤色器CF可以至少与像素区域PXA重叠。滤色器CF还可以至少部分地与外围区域NPXA重叠。滤色器CF的一部分可以设置在光阻挡层310上。滤色器CF可以阻挡从像素区域PXA发射的一些波段的光。因此，可以减小第一发光元件LD1(参见图8)的第一电极AE1或第二电极CE对外部光的反射。

可以提供多个滤色器CF，并且多个滤色器CF中的至少两个可以具有不同的颜色。

在本说明书中，显示面板100(参见图3)的像素区域、透射区域和外围区域可以分别与在光阻挡层310中限定的像素区域PXA、光阻挡层开口区域TA和外围区域NPXA对应。

电子面板EP(参见图6)包括设置在显示面板100(参见图3)上的传感器层200(参见图3)。

图7示出包括在传感器层200(参见图3)中的第一传感器部分YT1作为示例。在下文中，第一传感器部分YT1将被描述为触摸电极YT1。然而，实施方式不一定限于此，并且触摸电极YT1可以是以上描述的图5中的第一连接部分CP1、第二传感器部分YT2或第二连接部分CP2。

触摸电极YT1可能不与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B重叠，并且可以至少部分地与外围区域NPXA重叠。例如，可以在触摸电极YT1中限定至少部分地与像素区域PXA重叠的触摸开口MH1-R、MH1-B和MH1-G。

在实施方式中，可以提供多个触摸开口MH1-R、MH1-B和MH1-G。例如，触摸开口MH1-R、MH1-B和MH1-G可以包括与第一像素区域PXA-R对应的第一触摸开口MH1-R、与第二像素区域PXA-G对应的第二触摸开口MH1-G以及与第三像素区域PXA-B对应的第三触摸开口MH1-B。第一触摸开口MH1-R、第二触摸开口MH1-G和第三触摸开口MH1-B可以分别与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B重叠。

在实施方式中，触摸电极YT1包括触摸开口MH1-R、MH1-B和MH1-G，并且因此可以具有网状形状。然而，触摸电极YT1的形状不一定限于此。

例如，第一触摸开口MH1-R可以至少部分地与第一像素区域PXA-R和光阻挡层开口区域TA重叠。第二触摸开口MH1-G可以至少部分地与第二像素区域PXA-G重叠。第三触摸开口MH1-B可以至少部分地与第三像素区域PXA-B和光阻挡层开口区域TA重叠。

第一像素区域PXA-R和光阻挡层开口区域TA可以通过触摸电极YT1的在第一触摸开口MH1-R和第二触摸开口MH1-G之间的实体部分与第二像素区域PXA-G分开。第三像素区域PXA-B和光阻挡层开口区域TA可以通过触摸电极YT1的在第二触摸开口MH1-G和第三触摸开口MH1-B之间的实体部分与第二像素区域PXA-G分开。

根据本发明构思的实施方式，触摸电极YT1可以包括具有第一宽度的第一部分PT1、具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分PT2以及将第一部分PT1与第二部分PT2连接的第三部分PT3。第三部分PT3可以从第一部分PT1延伸，并且第二部分PT2可以从第三部分PT3延伸。例如，触摸电极YT1可以具有按照第一部分PT1、第三部分PT3和第二部分PT2的顺序的单个主体形状。在实施方式中，第一部分PT1、第二部分PT2和第三部分PT3各自可以具有不同的延伸方向。

第一部分PT1的宽度可以是第一宽度。例如，第一宽度可以是约3.5μm至约5.5μm。例如，第一宽度可以是约4.5μm。第二部分PT2的宽度可以是第二宽度。例如，第二宽度可以是约1μm至约3μm。例如，第二宽度可以是约2μm。然而，第一宽度和第二宽度不一定限于此。

第三部分PT3可以在与第一部分PT1相邻的部分处具有第一宽度，并且在与第二部分PT2相邻的部分处具有第二宽度。第三部分PT3可以具有在从第一部分PT1朝向第二部分PT2的方向上从第一宽度逐渐减小到第二宽度的宽度。

在实施方式中，第一像素区域PXA-R和光阻挡层开口区域TA可以通过触摸电极YT1与第二像素区域PXA-G分开，并且触摸电极YT1可以包括第一部分PT1、第三部分PT3和第二部分PT2。

例如，第一像素区域PXA-R和光阻挡层开口区域TA可以设置在第一像素列中，并且第二像素区域PXA-G可以设置在第二像素列中。第一部分PT1、第二部分PT2和第三部分PT3可以设置在第一像素列和第二像素列之间。

例如，第一部分PT1可以设置在第一像素区域PXA-R和第二像素区域PXA-G之间，并且第二部分PT2可以设置在光阻挡层开口区域TA和第二像素区域PXA-G之间。第三部分PT3可以将第一部分PT1与第二部分PT2连接。

第二部分PT2具有比第一部分PT1和第三部分PT3更小的宽度，并且因此可以确保靠近第二部分PT2的、用于光阻挡层开口区域TA的空间。具体地，第二部分PT2在与第一部分PT1和第三部分PT3不同的方向上延伸，并且具有较小的宽度，并且因此可以形成靠近第二部分PT2、用于光阻挡层开口区域TA的空间。光阻挡层开口区域TA的结构的细节将稍后描述。

图8是与图7的I-I'对应的剖视图。

图8是第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和外围区域NPXA的剖视图。

参考图8，第一发光元件LD1和第二发光元件LD2可以分别设置在第一像素区域PXA-R和第二像素区域PXA-G中。第三发光元件可以设置在第三像素区域PXA-B中，并且第一发光元件LD1的描述可以等同地应用于将稍后描述的第三发光元件。

第一硅晶体管S-TFT1和第一氧化物晶体管O-TFT1可以设置在第一像素区域PXA-R中。第一硅晶体管S-TFT1可以连接到第一发光元件LD1。可能仅部分地示出了连接到第一发光元件LD1的多个晶体管中的第一硅晶体管S-TFT1和第一氧化物晶体管O-TFT1。

第二硅晶体管S-TFT2和第二氧化物晶体管O-TFT2可以设置在第二像素区域PXA-G中。第二硅晶体管S-TFT2可以连接到第二发光元件LD2。可能仅部分地示出连接到第二发光元件LD2的多个晶体管中的第二硅晶体管S-TFT2和第二氧化物晶体管O-TFT2。

如上所述，显示面板100可以包括基础层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。

缓冲层10br可以设置在基础层110上。缓冲层10br可以防止金属原子或杂质从基础层110扩散到半导体图案SP1、SP2、SP3和SP4。

半导体图案SP1和SP3可以设置在缓冲层10br上，并且半导体图案SP2和SP4可以设置在第三绝缘层30上。半导体图案SP1、SP2、SP3和SP4可以包括硅半导体或氧化物半导体。

例如，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅，并且例如，半导体图案SP1和SP3可以包括低温多晶硅。

例如，氧化物半导体可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)。例如，半导体图案SP2和SP4可以包括氧化物半导体。

氧化物半导体可以包括根据透明导电氧化物是否被还原而划分的多个区域。其中透明导电氧化物被还原的区域(以下称为还原区域)具有比其中透明导电氧化物未被还原的区域(以下称为非还原区域)更大的导电性。还原区域基本上用作晶体管的源极/漏极或信号线。非还原区域基本上与晶体管的半导体区域(或有源区域或沟道)对应。例如，氧化物半导体的部分区域可以是晶体管的半导体区域，另一部分区域可以是晶体管的源极区域/漏极区域，并且其它区域可以是信号传输区域。

硅半导体可以根据是否已经在其中执行掺杂而具有不同的电性质。硅半导体可以包括具有高导电性的第一区域和具有低导电性的第二区域。第一区域可以利用N型掺杂剂或P型掺杂剂进行掺杂。P型晶体管可以包括利用P型掺杂剂进行掺杂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括利用N型掺杂剂进行掺杂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域，或可以以比第一区域低的浓度掺杂。

第一区域具有比第二区域更大的导电性，并且可以基本上用作电极或信号线。第二区域可以基本上与晶体管的有源区域(或沟道)对应。例如，硅半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且其它部分可以是连接电极或连接信号线。

第一硅晶体管S-TFT1和第一氧化物晶体管O-TFT1可以设置在第一像素区域PXA-R中。

第一背金属层BMLa可以设置在第一硅晶体管S-TFT1和第二硅晶体管S-TFT2下方，并且第二背金属层BMLb可以设置在第一氧化物晶体管O-TFT1和第二氧化物晶体管O-TFT2下方。

第一背金属层BMLa和第二背金属层BMLb分别与第一硅晶体管S-TFT1和第二硅晶体管S-TFT2的下部分和第一氧化物晶体管O-TFT1和第二氧化物晶体管O-TFT2的下部分重叠，并且因此保护第一硅晶体管S-TFT1和第二硅晶体管S-TFT2、以及第一氧化物晶体管O-TFT1和第二氧化物晶体管O-TFT2。第一背金属层BMLa和第二背金属层BMLb可以防止由基础层110的极化引起的电势影响半导体图案SP1、SP2、SP3和SP4。

第一背金属层BMLa可以设置在基础层110和缓冲层10br之间。在本发明构思的实施方式中，第一背金属层BMLa可以设置在有机层和无机层在其中交替堆叠的基础层110上，并且无机阻挡层可以进一步设置在第一背金属层BMLa和缓冲层10br之间。第一背金属层BMLa可以连接到电极或布线以从电极或布线接收恒定电压或脉冲信号。在实施方式中，第一背金属层BMLa可以设置成与其它电极或布线绝缘的形式。

第二背金属层BMLb可以与第一氧化物晶体管O-TFT1的下部分对应。第二背金属层BMLb可以设置在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间。第二背金属层BMLb可以设置在与上部电极UE相同的层上。第二背金属层BMLb可以连接到接触电极BML2-C以接收恒定电压或脉冲信号。接触电极BML2-C可以设置在与第一氧化物晶体管O-TFT1的第二栅极GT2相同的层上。

第一背金属层BMLa和第二背金属层BMLb各自可以包括反射金属。例如，第一背金属层BMLa和第二背金属层BMLb各自可以包括钛(Ti)、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)和/或p+掺杂的非晶硅。第一背金属层BMLa和第二背金属层BMLb可以包括相同的材料或不同的材料。

第一硅晶体管S-TFT1设置在缓冲层10br上。第一硅晶体管S-TFT1的源极区域SE1(或源极)、有源区域AC1(或沟道)和漏极区域DE1(或漏极)可以由第一半导体图案SP1形成。源极区域SE1和漏极区域DE1在截面上可以从有源区域AC1在相反方向上延伸。

第一氧化物晶体管O-TFT1设置在第三绝缘层30上。第一氧化物晶体管O-TFT1的源极区域SE2(或源极)、有源区域AC2(或沟道)和漏极区域DE2(或漏极)可以由第二半导体图案SP2形成。源极区域SE2和漏极区域DE2在截面上可以从有源区域AC2在相反方向上延伸。

第二硅晶体管S-TFT2和第二氧化物晶体管O-TFT2可以设置在第二像素区域PXA-G中。第二硅晶体管S-TFT2可以具有与第一硅晶体管S-TFT1相同的结构，并且可以由第三半导体图案SP3形成。第二氧化物晶体管O-TFT2可以具有与第一氧化物晶体管O-TFT1相同的结构，并且可以由第四半导体图案SP4形成。在下文中，将基于第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2进行描述，并且第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2的描述可以分别等同地应用于第三半导体图案SP3和第四半导体图案SP4。

第一绝缘层10可以设置在缓冲层10br上。第一绝缘层10可以公共地与多个像素重叠并且覆盖半导体图案SP1和SP3。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。在本实施方式中，第一绝缘层10可以是单层氧化硅层。电路层120的除第一绝缘层10之外的将稍后描述的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括以上描述的材料中的至少一种，但不一定限于此。

第一硅晶体管S-TFT1的第一栅极GT1设置在第一绝缘层10上。第一氧化物晶体管O-TFT1的第二栅极GT2设置在将稍后描述的第四绝缘层40上。第一栅极GT1和第二栅极GT2可以是金属图案的一部分。

栅极GT1和GT2至少部分地与有源区域AC1和AC2重叠。栅极GT1和GT2可以包括钛(Ti)、银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但不一定特别限于此。

第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖第一栅极GT1。第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。上部电极UE和第二背金属层BMLb可以设置在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间。

上部电极UE可以至少部分地与设置在上部电极UE下方的第一硅晶体管S-TFT1的第一栅极GT1重叠。上部电极UE可以是金属图案的一部分或掺杂的半导体图案的一部分。第一栅极GT1的一部分和至少部分地与该部分重叠的上部电极UE可以形成存储电容器。例如，第一栅极GT1的一部分可以是第一电容器电极，并且上部电极UE可以是第二电容器电极。然而，可以省略上部电极UE。

第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。例如，第四绝缘层40可以公共地与多个像素重叠并且覆盖半导体图案SP2和SP4。如上所述，第二栅极GT2可以设置在第四绝缘层40上。

第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上。第一连接电极CNE1可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE1可以通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔连接到第一硅晶体管S-TFT1的漏极区域DE1和第二硅晶体管S-TFT2的漏极区域DE1。

第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第六绝缘层60的接触孔连接到第一连接电极CNE1。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。

第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80各自可以是有机层。例如，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80各自可以包括苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的常规聚合物、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物和/或它们的共混物。

第一发光元件LD1可以包括第一电极AE1(或像素电极)、发射层EL1和第二电极CE(或公共电极)。第二发光元件LD2可以包括第一电极AE2(或像素电极)、发射层EL2和第二电极CE(或公共电极)。

在实施方式中，第二电极CE可以公共地设置在第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件中。可选地，在实施方式中，第二电极CE的一部分可以被图案化以与发射层EL1和EL2对应。

第一发光元件LD1的第一电极AE1和第二发光元件LD2的第一电极AE2可以设置在第八绝缘层80上。第一电极AE1和AE2各自可以是透射电极、半透反射式电极或反射电极。根据本发明构思的实施方式，第一电极AE1和AE2各自可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn和/或Zn、选自其的两种或更多种化合物、选自其的两种或更多种混合物、或其氧化物。

当第一电极AE1和AE2是透射电极时，第一电极AE1和AE2各自可以包括透明金属氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)。当第一电极AE1和AE2是半透反射式电极或反射电极时，第一电极AE1和AE2可以各自包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、其化合物或其混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或者各自包括LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)、LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)。可选地，第一电极AE1和AE2可以各自具有多层结构，多层结构包括由以上描述的材料形成的反射膜或半透反射式膜、以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜。例如，第一电极AE1和AE2可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但不一定限于此。

像素限定层PDL可以设置在第八绝缘层80上。像素限定层PDL可以具有光吸收性质，并且例如，像素限定层PDL的颜色可以是黑色。像素限定层PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。像素限定层PDL可以与具有光阻挡性质的光阻挡图案对应。

像素限定层PDL可以覆盖第一发光元件LD1的第一电极AE1的一部分和第二发光元件LD2的第一电极AE2的一部分。例如，在像素限定层PDL中，可以限定暴露第一发光元件LD1的第一电极AE1或第二发光元件LD2的第一电极AE2的第一像素开口PDL-OP1。然而，实施方式不一定限于此，并且可以提供三个或更多个发光元件，并且第一像素开口PDL-OP1可以各自暴露包括在多个发光元件中的第一电极。与第一像素开口PDL-OP1对应的区域可以被限定为发光区域LA。在发光区域LA中，可以发射从第一发光元件LD1或第二发光元件LD2产生的光。至少部分地围绕发光区域LA并且至少部分地与像素限定层PDL重叠的区域可以被限定为非发光区域NLA。非发光区域NLA可以是光吸收区域。

在实施方式中，显示面板100可以包括发光区域LA和非发光区域NLA。然而，实施方式不一定限于此，并且显示面板100还可以包括除发光区域LA和非发光区域NLA之外的附加区域。

空穴控制层可以设置在第一电极AE1和发射层EL1之间以及设置在第一电极AE2和发射层EL2之间。空穴控制层可以包括空穴传输层并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发射层EL1和EL2与第二电极CE之间。电子控制层可以包括电子传输层并且还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以使用开口掩模公共地形成在多个像素PX(参见图6)中。

第二电极CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn和/或Zn、选自其的两种或更多种化合物、选自其的两种或更多种混合物、或其氧化物。

第二电极CE可以是透射电极、半透反射式电极或反射电极。当第二电极CE是透射电极时，第二电极CE可以由透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等)形成。

当第二电极CE是半透反射式电极或反射电极时，第二电极CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Yb、Mo、Ti、W、其化合物或其混合物(例如，AgMg、AgYb或MgYb)，或者可以包括LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)、LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)。可选地，第二电极CE可以具有多层结构，多层结构包括由以上描述的材料形成的反射膜或半透反射式膜、以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜。例如，第二电极CE可以包括以上描述的金属材料、选自以上描述的金属材料的两种或更多种金属材料的组合、或以上描述的金属材料的氧化物。

封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括顺序地堆叠的无机层141、有机层142和无机层143，但形成封装层140的层不一定限于此。

无机层141和143可以保护发光元件层130不受水分和氧气的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130不受诸如尘埃颗粒的异物的影响。无机层141和143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层142可以包括丙烯酰基有机层，但是本发明构思的实施方式不一定限于此。

传感器层200可以设置在显示面板100上。传感器层200可以被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可以包括基础层210、第一导电层220、第一感测绝缘层230、第二导电层240和第二感测绝缘层250。

基础层210可以直接设置在显示面板100上。基础层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机层。可选地，基础层210可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺基树脂的有机层。基础层210可以具有单层结构，或可以具有沿着第三方向DR3堆叠的多层结构。

第一导电层220和第二导电层240各自可以具有单层结构，或可以具有沿着第三方向DR3堆叠的多层结构。第一导电层220和第二导电层240可以包括限定具有网状形状的感测电极的导电线。导电线可能不与将稍后描述的第一像素开口PDL-OP1和第二像素开口PDL-OP2重叠，并且可以至少部分地与像素限定层PDL重叠。

单层导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锌锡(IZTO)。此外，透明导电层可以包括导电聚合物，诸如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等。

具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。多层导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

第一感测绝缘层230可以设置在第一导电层220和第二导电层240之间。第一感测绝缘层230可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。

第一感测绝缘层230可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和/或二萘嵌苯基树脂。

第一导电层220或第二导电层240可以具有形成在图7中描述的触摸电极YT1中的触摸开口MH1-R和MH1-G。例如，在触摸电极YT1中，形成至少部分地与第一发光元件LD1重叠的第一触摸开口MH1-R，并且形成至少部分地与第二发光元件LD2重叠的第二触摸开口MH1-G。

在实施方式中，第二导电层240可以具有第一宽度L1。第二导电层240的第一宽度L1可以与图7中描述的第一部分PT1的宽度相同。

第二感测绝缘层250可以覆盖第二导电层240。第二感测绝缘层250可以使传感器层200的上表面平坦。

第二感测绝缘层250可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和/或氧化铪。

第二感测绝缘层250可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和/或二萘嵌苯基树脂。

抗反射层300可以设置在传感器层200上。抗反射层300可以包括光阻挡层310、滤色器CF(参见图7)和平坦化层330。

光阻挡层310设置在第二感测绝缘层250上。光阻挡层310的至少一部分可以至少部分地与第二导电层240重叠。

光阻挡层310可以覆盖第二导电层240。例如，第二导电层240可以具有第一宽度L1，并且覆盖第二导电层240的光阻挡层310可以具有第一光阻挡层宽度D1。光阻挡层310覆盖第二导电层240，并且因此可以防止从外部看到第二导电层240。

构成光阻挡层310的材料不受特别限制，只要该材料吸收光即可。光阻挡层310是其颜色是黑色的层，并且在实施方式中，光阻挡层310可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料和/或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。

光阻挡层310可以覆盖传感器层200的第二导电层240。

在实施方式中，光阻挡层开口310-OP可以限定在光阻挡层310中。光阻挡层开口310-OP可以设置成多个，并且例如，光阻挡层开口310-OP可以包括至少部分地与第一发光元件LD1重叠的第一光阻挡层开口310-OP1、以及至少部分地与第二发光元件LD2重叠的第二光阻挡层开口310-OP2。如上所述，在图7中，至少部分地与光阻挡层开口310-OP1和310-OP2重叠的区域可以被限定为像素区域PXA。至少部分地围绕像素区域PXA并且至少部分地与光阻挡层310重叠的区域可以被限定为外围区域NPXA。

显示面板100可以包括像素区域PXA和外围区域NPXA。然而，实施方式不一定限于此，并且显示面板100还可以包括除像素区域PXA和外围区域NPXA之外的附加区域。

在实施方式中，像素区域PXA可以包括至少部分地与第一发光元件LD1重叠的第一像素区域PXA-R和至少部分地与第二发光元件LD2重叠的第二像素区域PXA-G。外围区域NPXA可以设置成与第一像素区域PXA-R和第二像素区域PXA-G相邻。外围区域NPXA可以是至少部分地与光阻挡层310重叠的区域。外围区域NPXA可以是不向用户提供光的区域。

像素区域PXA可以大于发光区域LA，并且外围区域NPXA可以小于非发光区域NLA。

在实施方式中，滤色器CF(参见图7)可以包括第一滤色器321和第二滤色器322。第一滤色器321和第二滤色器322可以通过光阻挡层310彼此分开。

第一滤色器321可以至少部分地与第一像素区域PXA-R重叠。第一滤色器321可以至少部分地与第一发光元件LD1的第一电极AE1重叠并且覆盖第一光阻挡层开口310-OP1。例如，第一滤色器321可以覆盖第一光阻挡层开口310-OP1，并且可以接触光阻挡层310的至少一部分。第一滤色器321可以至少部分地与外围区域NPXA的一部分重叠。在实施方式中，第一滤色器321的颜色可以是红色。

第二滤色器322可以至少部分地与第二像素区域PXA-G重叠。第二滤色器322可以至少部分地与第二发光元件LD2的第一电极AE2重叠并且覆盖第二光阻挡层开口310-OP2。例如，第二滤色器322可以覆盖第二光阻挡层开口310-OP2，并且可以接触光阻挡层310的至少一部分。第二滤色器322可以至少部分地与外围区域NPXA的一部分重叠。在实施方式中，第二滤色器322的颜色可以是绿色。

滤色器CF(参见图7)还可以包括至少部分地与第三像素区域PXA-B(图7)重叠的第三滤色器。第三滤色器可以具有与第一滤色器321和第二滤色器322不同的颜色，并且例如，第三滤色器的颜色可以是蓝色。

平坦化层330可以覆盖光阻挡层310、第一滤色器321和第二滤色器322。平坦化层330可以包括有机材料，并且可以在平坦化层330的上表面上提供平坦表面。在本发明构思的实施方式中，可以省略平坦化层330。

图9是与图7的II-II'对应的剖视图。

图9是外围区域NPXA、第一像素区域PXA-R和光阻挡层开口区域TA的实施方式的剖视图。

参考图9，在像素限定层PDL中，可以限定暴露第一电极AE1和AE2的第一像素开口PDL-OP1以及与第一像素开口PDL-OP1间隔开的第二像素开口PDL-OP2。如上所述，在图8中，与第一像素开口PDL-OP1对应的区域可以被限定为发光区域LA。

与第二像素开口PDL-OP2对应的区域可以被限定为像素限定层开口区域POP。像素限定层开口区域POP可能不与发光元件LD1和LD2重叠，并且因此不发光。此外，像素限定层开口区域POP可能不与像素限定层PDL重叠，并且因此不吸收光。像素限定层开口区域POP可以是外部光通过第二像素开口PDL-OP2穿过显示面板100的区域。

根据实施方式，显示面板100可以包括发光区域LA、像素限定层开口区域POP和非发光区域NLA。

第一光阻挡层开口310-OP1可以限定在光阻挡层310中。在实施方式中，不与光阻挡层310重叠并且至少部分地与第一滤色器321重叠的区域可以被限定为第一像素区域PXA-R。第一像素区域PXA-R可以至少部分地与第一发光元件LD1以及覆盖第一发光元件LD1的第一滤色器321重叠。

在实施方式中，不与光阻挡层310和第一滤色器321重叠的区域可以被限定为光阻挡层开口区域TA。例如，第一像素区域PXA-R和光阻挡层开口区域TA可以至少部分地与第一光阻挡层开口310-OP1重叠。光阻挡层开口区域TA的一部分可以至少部分地与像素限定层开口区域POP的一部分重叠。在第二方向DR2上，像素限定层开口区域POP可以具有比光阻挡层开口区域TA更大的宽度。

至少部分地围绕第一像素区域PXA-R和光阻挡层开口区域TA的区域可以被限定为外围区域NPXA。外围区域NPXA可以是至少部分地与光阻挡层310重叠的区域。

一起参考图8和图9，外围区域NPXA可以是至少部分地围绕像素区域PXA(包括第一像素区域PXA-R和第二像素区域PXA-G)以及光阻挡层开口区域TA的区域。

在实施方式中，显示面板100可以包括像素区域PXA、光阻挡层开口区域TA和外围区域NPXA。光阻挡层开口区域TA可以包括透射区域TA1和边缘区域TA2。

在实施方式中，第一滤色器321可以至少部分地与第一像素区域PXA-R重叠，并且第一滤色器321的两端可以分别接触光阻挡层310和第二感测绝缘层250。

例如，第一滤色器321的一端可以在设置在第一像素区域PXA-R的左侧上的外围区域NPXA中接触光阻挡层310。

例如，第一滤色器321的另一端可以在第一像素区域PXA-R中接触第二感测绝缘层250。

光阻挡层开口区域TA可以是至少部分地与第一光阻挡层开口310-OP1重叠并且不与第一滤色器321重叠的区域。光阻挡层开口区域TA可以定位成与第一像素区域PXA-R相邻。

光阻挡层开口区域TA包括不与像素限定层PDL重叠的透射区域TA1。在实施方式中，除透射区域TA1之外，光阻挡层开口区域TA还可以包括至少部分地与像素限定层PDL重叠的边缘区域TA2。

透射区域TA1可以至少部分地与像素限定层开口区域POP重叠，并且边缘区域TA2可以至少部分地与非发光区域NLA重叠。例如，透射区域TA1可以至少部分地与像素限定层开口区域POP的一部分重叠，并且边缘区域TA2可以至少部分地与非发光区域NLA的一部分重叠。

透射区域TA1是在其中去除了导致透光率降低的所有结构(包括光阻挡结构)的区域。例如，在透射区域TA1中，可能不设置电路层120的晶体管S-TFT1、O-TFT1、S-TFT2和O-TFT2、发光元件层130的像素限定层PDL、第一电极AE1和AE2及发射层EL1和EL2、传感器层200的第一导电层220和第二导电层240、以及抗反射层300的滤色器321和322及光阻挡层310。第二电极CE可以设置在透射区域TA1中，并且可以设置功能层，诸如如上所述的空穴控制层和空穴传输层。

与透射区域TA1不同，边缘区域TA2至少部分地与像素限定层PDL重叠。例如，在边缘区域TA2中，可能不设置电路层120的晶体管S-TFT1、O-TFT1、S-TFT2和O-TFT2、发光元件层130的第一电极AE1和AE2及发射层EL1和EL2、传感器层200的第一导电层220和第二导电层240、以及抗反射层300的滤色器321和322及光阻挡层310。第二电极CE可以设置在边缘区域TA2中，并且可以设置功能层，诸如如上所述的空穴控制层和空穴传输层。

透射区域TA1可以通过边缘区域TA2与第一滤色器321间隔开。边缘区域TA2是被设计成防止第一滤色器321由于工艺误差等而与透射区域TA1重叠的区域。

本发明构思的显示装置DD包括边缘区域TA2，并且因此可以确保透射区域TA1不与第一滤色器321重叠。然而，本发明构思的实施方式不一定限于图9，并且在实施方式中，可以省略边缘区域TA2。在这种情况下，第一滤色器321可以在与第二方向DR2相反的方向上延伸，以具有与像素限定层PDL相同的边界。当省略边缘区域TA2时，光阻挡层开口区域TA可以是与透射区域TA1相同的区域，并且第一像素区域PXA-R可以延伸到透射区域TA1和边缘区域TA2之间的边界。

透射区域TA1可以是光学传感器的感测区域。例如，透射区域TA1可以是诸如传感器模块SM(图2)的光学传感器的感测区域。包括透射区域TA1的光阻挡层开口区域TA可以是光学传感器的感测区域。

本发明构思的显示装置DD包括在第一有效区域100SA(参见图2)中的透射区域TA1，并且因此可以增加第一有效区域100SA(参见图2)的透光率。

本发明构思的电子装置1000(参见图2)包括具有透射区域TA1的第一有效区域100SA(参见图2)，并且因此可以将更大量的光透射到诸如传感器模块SM(图2)的电子模块。

图10是与图7的III-III'对应的剖视图。

图10是透射区域TA1的实施方式的剖视图。

参考图10，透射区域TA1可以在第一方向DR1上设置在外围区域NPXA之间。

第一光阻挡层开口310-OP1可以限定在光阻挡层310中。至少部分地与第一光阻挡层开口310-OP1重叠并且不与像素限定层PDL重叠的区域可以限定为透射区域TA1。在透射区域TA1中可能不设置单独的滤色器。

可以在像素限定层PDL中限定第二像素开口PDL-OP2。至少部分地与第二像素开口PDL-OP2重叠的区域可以被限定为像素限定层开口区域POP。

透射区域TA1和像素限定层开口区域POP的描述可以与以上在图8和图9中描述的相同。

在第一方向DR1上，透射区域TA1可以具有比像素限定层开口区域POP更小的宽度。例如，透射区域TA1可以至少部分地与像素限定层开口区域POP的一部分重叠。

在实施方式中，设置成与透射区域TA1相邻的第二导电层240可以具有第二宽度L2。光阻挡层310可以覆盖第二导电层240，并且光阻挡层310可以具有第二光阻挡层宽度D2。

一起参考图8和图10，图10中所示的第二导电层240的第二宽度L2可以小于图8中所示的第二导电层240的第一宽度L1。

因此，覆盖第二导电层240的光阻挡层310可以具有小于第一光阻挡层宽度D1的第二光阻挡层宽度D2。当第二导电层240的宽度从第一宽度L1减小到第二宽度L2时，覆盖第二导电层240的光阻挡层310的宽度也可以从第一光阻挡层宽度D1减小到第二光阻挡层宽度D2。

图10中所示的第二导电层240的第二宽度L2可以与图7中所示的第二部分PT2的宽度相同。

当设置成与透射区域TA1相邻的第二导电层240的宽度具有小于第一宽度L1(参见图8)的第二宽度L2时，可以在第一有效区域100SA(参见图6)中确保用于透射区域TA1的空间。

然而，本发明构思的实施方式不一定限于此。

例如，可以省略图10中所示的两个导电层220和240中的任何一个。例如，可以省略相对于透射区域TA1在与第一方向DR1相反的方向上设置的第一导电层220和第二导电层240，并且可以保留相对于透射区域TA1在第一方向DR1上设置的第一导电层220。可选地，可以保留相对于透射区域TA1在与第一方向DR1相反的方向上设置的第一导电层220和第二导电层240，并且可以省略相对于透射区域TA1在第一方向DR1上设置的第一导电层220。因此，可以进一步扩展透射区域TA1。

透射区域TA1可以是不与晶体管S-TFT1、O-TFT1、S-TFT2和O-TFT2、像素限定层PDL、第一电极AE1和AE2、发射层EL1和EL2、第一导电层220、第二导电层240、第一滤色器321和光阻挡层310重叠的区域。因此，包括透射区域TA1的光阻挡层开口区域TA(参见图9)可以具有比第一像素区域PXA-R(参见图9)、第二像素区域PXA-G(参见图9)和外围区域NPXA更高的透光率。

本发明构思的显示装置DD包括透射区域TA1，并且因此可以增加第一有效区域100SA的透光率。

本发明构思的电子装置1000(参见图2)包括透射区域TA1，并且因此可以有效地将光透射到诸如传感器模块SM(参见图2)的电子模块。

图11是放大图6的区域BB的剖视图。

图11是放大图6中所示的第二有效区域100AA的一部分的视图。

参考图11，第二有效区域100AA(参见图6)可以包括第一像素区域PXA-R'、第二像素区域PXA-G'和第三像素区域PXA-B'。

第一触摸开口MH2-R、第二触摸开口MH2-G和第三触摸开口MH2-B可以限定在触摸电极YT1中。第一触摸开口MH2-R、第二触摸开口MH2-G和第三触摸开口MH2-B可以分别暴露第一像素区域PXA-R'、第二像素区域PXA-G'和第三像素区域PXA-B'。

与图7中所示的第一有效区域100SA相比，第二有效区域100AA(参见图6)可能不包括光阻挡层开口区域TA(参见图7)。

图12是与图11的IV-IV'对应的剖视图。

图12是包括在第二有效区域100AA(参见图6)中的第一像素区域PXA-R'、第二像素区域PXA-G'和外围区域NPXA的剖视图。

第二有效区域100AA(参见图6)不包括光阻挡层开口区域TA。

在实施方式中，可以在光阻挡层310中限定至少部分地与第一发光元件LD1和第二发光元件LD2重叠的光阻挡层开口310-OP。与光阻挡层开口310-OP对应的区域被限定为第一像素区域PXA-R'和第二像素区域PXA-G'。至少部分地与光阻挡层310重叠的区域被限定为外围区域NPXA。

在实施方式中，在像素限定层PDL中，可以限定暴露第一发光元件LD1的第一电极AE1和第二发光元件LD2的第一电极AE2的第一像素开口PDL-OP1。与第一像素开口PDL-OP1对应的区域限定为发光区域LA，并且与像素限定层PDL对应的区域限定为非发光区域NLA。

第二导电层240的第三宽度L3可以与第二导电层240的第一宽度L1(参见图8)相同。在本说明书中，第二有效区域100AA(参见图6)不包括光阻挡层开口区域TA(参见图7)，并且第二导电层240的第三宽度L3等于第二导电层240的第一宽度L1(参见图8)。

覆盖第二导电层240的光阻挡层310的第三光阻挡层宽度D3可以等于第一光阻挡层宽度D1。

在本说明书中，第二有效区域100AA(参见图6)不包括光阻挡层开口区域TA(参见图7)，并且因此可以具有比第一有效区域100SA(参见图6)更低的透光率。

第二有效区域100AA的分辨率可以等于或高于第一有效区域100SA的分辨率。

根据本发明构思的实施方式，显示装置包括具有透射区域TA1的第一有效区域100SA，并且因此可以在特定区域中呈现高透光率。

根据本发明构思的实施方式的电子装置包括具有透射区域TA1的第一有效区域100SA，并且因此可以增加透光率并且使得电子模块更可靠。

本公开的显示装置可以增加其中设置有传感器模块的区域的透射率。

本公开的电子装置可以具有增加的可靠性。

尽管已经参考本发明构思的优选实施方式描述了本发明构思，但是将理解的是，本发明构思不一定限于这些优选的实施方式，而是可以由本领域技术人员在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下做出各种改变和修改。

Claims (15)

1.显示装置，包括：

显示面板，在所述显示面板中设置有第一发光元件和与所述第一发光元件相邻的第二发光元件；以及

传感器层，设置在所述显示面板上，所述传感器层包括触摸电极，

其中，所述触摸电极包括具有第一宽度的第一部分、具有小于所述第一宽度的第二宽度的第二部分以及将所述第一部分连接到所述第二部分的第三部分，以及

其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分各自设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三部分具有在从所述第一部分到所述第二部分的方向上从所述第一宽度逐渐减小到所述第二宽度的宽度。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一部分延伸的方向不同于所述第二部分延伸的方向。

4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述传感器层上的抗反射层，

其中，所述抗反射层包括：

滤色器，包括至少部分地与所述第一发光元件重叠的第一滤色器和至少部分地与所述第二发光元件重叠的第二滤色器；以及

光阻挡层，包括光阻挡材料。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，限定在所述光阻挡层中的第一光阻挡层开口至少部分地与所述第一发光元件重叠，并且限定在所述光阻挡层中的第二光阻挡层开口至少部分地与所述第二发光元件重叠。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：

第一像素区域，至少部分地与所述第一光阻挡层开口和所述第一滤色器重叠；

第二像素区域，至少部分地与所述第二光阻挡层开口和所述第二滤色器重叠；

光阻挡层开口区域，至少部分地与所述第一光阻挡层开口重叠并且不与所述滤色器重叠；以及

外围区域，至少部分地围绕所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述光阻挡层开口区域。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述触摸电极至少部分地与所述外围区域重叠。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中：

在所述触摸电极中限定有多个触摸开口；

所述多个触摸开口中的任何一个至少部分地与所述第一像素区域和所述光阻挡层开口区域重叠；

所述多个触摸开口中的另一个至少部分地与所述第二像素区域重叠；以及

所述触摸电极至少部分地与所述外围区域重叠。

9.根据权利要求6所述的显示装置，其中：

所述显示面板还包括像素限定层，在所述像素限定层中限定有多个第一像素开口和多个第二像素开口；

所述第一发光元件和所述第二发光元件至少部分地与所述多个第一像素开口中的任何一个重叠；以及

所述多个第二像素开口中没有一个与所述第一发光元件或所述第二发光元件重叠。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述光阻挡层开口区域包括至少部分地与所述多个第二像素开口中的任何一个重叠的透射区域。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述光阻挡层开口区域还包括至少部分地与所述像素限定层重叠的边缘区域。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述显示面板包括与所述多个第一像素开口对应的发光区域、与所述多个第二像素开口对应的像素限定层开口区域以及至少部分地围绕所述发光区域和所述像素限定层开口区域的非发光区域。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述透射区域至少部分地与所述像素限定层开口区域的一部分重叠。

14.电子装置，包括：

显示装置，包括第一有效区域和第二有效区域，所述第一有效区域包括光阻挡层开口区域、像素区域和外围区域，并且允许光信号透射穿过所述第一有效区域，所述第二有效区域包括所述像素区域和所述外围区域，并且与所述第一有效区域相邻；以及

电子模块，至少部分地与所述第一有效区域重叠并且设置在所述显示装置下方，

其中，所述显示装置包括：

显示面板，在所述显示面板中设置有第一发光元件和与所述第一发光元件相邻的第二发光元件；以及

传感器层，包括设置在所述显示面板上的触摸电极，

其中，所述触摸电极包括具有第一宽度的第一部分、具有小于所述第一宽度的第二宽度的第二部分以及将所述第一部分连接到所述第二部分的第三部分，

其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分各自设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间，以及

其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件至少部分地与所述第一有效区域的所述像素区域重叠，并且所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分至少部分地与所述第一有效区域的所述外围区域重叠。

15.根据权利要求14所述的电子装置，其中，所述电子模块是照度传感器。

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