KR20240104283A - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240104283A KR20240104283A KR1020220186429A KR20220186429A KR20240104283A KR 20240104283 A KR20240104283 A KR 20240104283A KR 1020220186429 A KR1020220186429 A KR 1020220186429A KR 20220186429 A KR20220186429 A KR 20220186429A KR 20240104283 A KR20240104283 A KR 20240104283A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- color filter
- light
- layer
- emitting device
- sub
- Prior art date
Links
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 20
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000001052 yellow pigment Substances 0.000 claims description 8
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 claims description 5
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 claims description 5
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 claims description 5
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 285
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 7
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 101150080924 CNE1 gene Proteins 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100491817 Caenorhabditis elegans evl-20 gene Proteins 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710123675 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 1
- 101710123669 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 moisture Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
Abstract
본 발명의 표시 장치는 제1 발광 개구부, 제2 발광 개구부, 및 제3 발광 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 제1 내지 제3 발광 개구부들에 배치되며 서로 상이한 색의 광을 제공하는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자, 및 제3 발광 소자를 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 제1 컬러 필터 및 제2 컬러 필터를 포함하는 반사 방지층을 포함할 수 있다. 상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자와 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자와 중첩할 수 있다.
Description
본 발명은 복수의 컬러 필터들을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 표시화면에 다양한 이미지를 표시하여 사용자에게 정보를 제공한다. 일반적으로 표시 장치는 할당된 화면 내에서 정보를 표시한다. 표시 장치는 표시 패널, 반사 방지층, 및 윈도우를 포함할 수 있다.
본 발명은 공정 효율이 향상된 표시 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 발광 개구부, 제2 발광 개구부, 및 제3 발광 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 제1 내지 제3 발광 개구부들에 배치되며 서로 상이한 색의 광을 제공하는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자, 및 제3 발광 소자를 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 제1 컬러 필터 및 제2 컬러 필터를 포함하는 반사 방지층을 포함할 수 있다. 상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자와 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자와 중첩할 수 있다.
상기 제1 컬러 필터는 제1 색을 투과시키고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 색과 상이한 제2 색 및 제3 색을 투과시킬 수 있다.
상기 제2 컬러 필터는 청색 안료를 포함할 수 있다.
상기 제2 컬러 필터는 녹색 안료를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 컬러 필터는 청자색 안료 및 황색 안료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 반사 방지층은 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제2 컬러 필터를 커버하는 오버코트층을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제1 서브 컬러 필터 및 상기 제3 발광 소자와 중첩하는 제2 서브 컬러 필터를 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 컬러 필터와 상기 제2 서브 컬러 필터는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 서브 컬러 필터와 상기 제2 서브 컬러 필터는 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 반사 방지층은 상기 화소 정의막과 중첩하여 배치되는 차광 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 컬러 필터는 제1 두께를 갖고, 상기 제2 서브 컬러 필터는 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖을 수 있다.
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자 및 상기 화소 정의막과 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자, 및 상기 화소 정의막과 중첩할 수 있다.
상기 제1 컬러 필터 일부와 상기 제2 컬러 필터 일부는 상기 화소 정의막이 배치되는 영역에서 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 발광 개구부, 제2 발광 개구부, 및 제3 발광 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 제1 내지 제3 발광 개구부들에 배치되며 서로 상이한 색의 광을 제공하는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자, 및 제3 발광 소자를 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 상에 배치되는 반사 방지층을 포함할 수 있다. 상기 반사 방지층은, 제1 색을 투과시키는 제1 컬러 필터, 및 상기 제1 색과 상이한 제2 색, 및 상기 제1 색 및 상기 제2 색과 상이한 제3 색을 투과시키고, 청색 안료를 포함하는 제2 컬러 필터를 포함할 수 있다.
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자와 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자와 중첩할 수 있다.
상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제1 서브 컬러 필터 및 상기 제3 발광 소자와 중첩하는 제2 서브 컬러 필터를 포함하고, 상기 제1 서브 컬러 필터와 상기 제2 서브 컬러 필터는 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 반사 방지층은 상기 화소 정의막과 중첩하여 배치되는 차광 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 서브 컬러 필터와 상기 제2 서브 컬러 필터는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 서브 컬러 필터는 제1 두께를 갖고, 상기 제2 서브 컬러 필터는 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖을 수 있다.
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자 및 상기 화소 정의막과 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자, 및 상기 화소 정의막과 중첩하여 배치될 수 있다.
상기 제1 컬러 필터 일부와 상기 제2 컬러 필터 일부는 상기 화소 정의막이 배치되는 영역에서 중첩할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 표시 장치는 제2 발광 소자와 중첩하는 제1 서브 컬러 필터 및 제3 발광 소자와 중첩하는 제2 서브 컬러 필터를 포함할 수 있다. 제1 서브 컬러 필터와 제2 서브 컬러 필터는 동일한 마스크를 이용하여 패터닝 될 수 있다. 따라서, 표시 장치를 형성하는데 필요한 마스크의 개수가 감소될 수 있고, 표시 장치 제조 공정 효율이 향상될 수 있다.
또한, 컬러 필터의 두께, 안료의 농도, 또는 안료의 조합을 조절하여 컬러 필터의 파장별 투과도를 조절할 수 있다. 제1 서브 컬러 필터의 제1 두께 보다 제2 서브 컬러 필터의 제2 두께가 더 큼에 따라, 제1 서브 컬러 필터와 중첩하는 제2 발광 영역의 제2 색의 투과도가 향상될 수 있고, 제2 서브 컬러 필터와 중첩하는 제3 발광 영역의 반사율은 감소될 수 있다. 따라서, 표시 장치의 품질이 향상될 수 있다.
상술한 바에 따르면, 제1 컬러 필터의 일부와 제2 컬러 필터의 일부는 화소 정의막이 배치되는 영역에서 중첩할 수 있다. 제1 컬러 필터와 제2 컬러 필터가 중첩하여 배치됨에 따라 차광 패턴 역할을 함으로써, 차광 패턴을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 표시 장치를 형성하는데 필요한 마스크의 개수가 줄어듬에 따라 표시 장치 제조 공정 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 도 3의 제2 컬러 필터의 파장별 투과도 그래프와 도 7의 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터의 파장별 투과도 그래프를 도시한 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 도 3의 제2 컬러 필터의 파장별 투과도 그래프와 도 7의 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터의 파장별 투과도 그래프를 도시한 도면이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
“부(part)”, "유닛"이라는 용어는 특정 기능을 수행하는 소프트웨어 구성 요소(component) 또는 하드웨어 구성 요소를 의미한다. 하드웨어 구성 요소는 예를 들어, FPGA(field-programmable gate array) 또는 ASIC(application-specific integrated circuit)을 포함할 수 있다. 소프트웨어 구성 요소는 실행 가능한 코드 및/또는 어드레스 가능 저장 매체 내의 실행 가능 코드에 의해 사용되는 데이터를 지칭할 수 있다. 따라서 소프트웨어 구성 요소들은 예를 들어, 객체 지향 소프트웨어 구성 요소들, 클래스 구성 요소들 및 작업 구성 요소들일 수 있으며, 프로세스들, 기능들, 속성들, 절차들, 서브 루틴들, 프로그램 코드 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어들, 마이크로 코드들, 회로들, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 배열들 또는 변수들을 포함할 수 있다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 사시도이다.
일 실시예에서 표시 장치(DD)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자장치일 수 있다. 또한, 표시 장치(DD)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션 유닛, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 및 카메라와 같은 중소형 전자장치일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 표시 장치로도 채용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DD)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 표시면(DP-IS)에서 제3 방향(DR3)을 향해 영상을 표시할 수 있다. 영상은 동적인 영상은 물론 정지 영상을 포함할 수 있다. 영상이 표시되는 표시면(DP-IS)은 표시 장치(DD)의 전면(front surface)과 대응될 수 있다.
본 실시예에서는 영상이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 본 명세서에서 “평면 상에서”는 제3 방향(DR3)에서 보았을 때를 의미할 수 있다.
표시 장치(DD)는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에는 화소들(PX)이 배치되고, 비표시 영역(NDA)에는 화소들(PX)이 미-배치된다. 비표시 영역(NDA)은 표시면(DP-IS)의 테두리를 따라 정의된다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에서 비표시 영역(NDA)은 생략되거나 표시 영역(DA)의 일측에만 배치될 수도 있다. 또한, 도 1에서 평면형 표시 장치(DD)을 예시적으로 도시하였으나, 표시 장치(DD)는 커브드된 형상을 가질 수도 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 개략적인 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP), 반사 방지층(ARL), 및 윈도우(WM)를 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 표시층(DPL) 및 입력 센서층(ISL)을 포함할 수 있다.
표시층(DPL)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시층(DPL)은 유기발광 표시층, 무기발광 표시층, 유기-무기 발광 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층일 수 있다.
입력 센서층(ISL)은 표시층(DPL) 상에 배치될 수 있다. 입력 센서층(ISL)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
입력 센서층(ISL)은 연속된 공정을 통해 표시층(DPL) 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 입력 센서층(ISL)은 표시층(DPL) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "A 구성 상에 B 구성이 직접 배치된다는 것"은 A 구성과 B 구성 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 예컨대, 입력 센서층(ISL)과 표시층(DPL) 사이에 접착층이 배치되지 않을 수 있다.
반사 방지층(ARL)은 입력 센서층(ISL) 상에 배치될 수 있다. 반사 방지층(ARL)은 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층(ARL)은 연속된 공정을 통해 입력 센서층(ISL) 상에 직접 배치될 수 있다.
반사 방지층(ARL)은 후술하는 발광영역에 중첩하는 컬러 필터(CF, 도 3 참조)를 포함할 수 있다. 컬러 필터(CF)는 복수의 컬러 필터들을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 반사 방지층(ARL)은 차광 패턴(BM, 도 3 참조)을 더 포함할 수 있다. 차광 패턴(BM)은 표시층(DPL)의 비발광 영역(NLA)과 중첩할 수 있다. 또는, 차광 패턴(BM)은 반사 방지층(ARL)의 하측에 배치된 반사 구조물(예를 들어, 제2 도전층(200-CL2))과 중첩할 수 있다. 반사 방지층(ARL)에 대한 구체적인 설명은 후술한다.
윈도우(WM)는 반사 방지층(ARL) 상에 배치될 수 있다. 윈도우(WM)와 반사 방지층(ARL)은 접착층에 의해 결합될 수 있다. 접착층은 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film) 또는 광학 투명 접착부재(OCA, Optically Clear Adhesive)일 수 있다.
윈도우(WM)는 적어도 하나의 베이스층을 포함한다. 베이스층은 유리기판 또는 합성수지필름일 수 있다. 윈도우(WM)는 다층 구조를 가질 수 있다. 윈도우(WM)는 박막 유리기판과 박막 유리기판 상에 배치된 합성수지필름을 포함할 수 있다. 박막 유리기판과 합성수지필름은 접착층에 의해 결합될 수 있고, 접착층과 합성수지필름은 그것들의 교체를 위해 박막 유리기판으로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 접착층은 생략되고, 윈도우(WM)는 반사 방지층(ARL) 상에 직접 배치될 수도 있다. 유기물질, 무기물질, 또는 세라믹물질이 반사 방지층(ARL) 상에 코팅될 수 있다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도이다.
도 2b에는 하나의 발광영역(LA)과 주변의 비발광영역(NLA)에 대응하는 단면이 도시되었다. 도 2b에서는 1개의 발광영역(LA)만 예시적으로 도시되었으나, 발광영역(LA)은 복수 개 제공될 수 있다. 도 2b에는 발광 소자(ED) 및 그에 연결된 트랜지스터(TFT)가 도시되었다. 트랜지스터는 화소의 구동회로에 포함된 복수 개의 트랜지스터들 중 하나일 수 있다. 본 실시예에서 트랜지스터(TFT)는 실리콘 트랜지스터로 설명되나, 금속 산화물 트랜지스터일 수도 있다.
도 2b를 참조하면, 표시 패널(DP)은 표시층(DPL) 및 입력 센서층(ISL)을 포함할 수 있다. 표시층(DPL)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광소자층(130), 및 박막 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공할 수 있다. 베이스층(110)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 다층 또는 단층의 무기층, 상기 다층 또는 단층의 무기층 상에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함할 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
회로층(120)은 베이스층(110) 상에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 및 화소의 구동회로 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로층(120)은 버퍼층(10br), 제1 내지 제5 절연층(10, 20, 30, 40, 50), 신호 전달 영역(SCL), 및 복수의 연결 전극들(CNE1, CNE2)을 포함할 수 있다.
버퍼층(10br)은 베이스층(110) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(10br)은 베이스층(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상측의 반도체 패턴으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 반도체 패턴은 트랜지스터(TFT)의 액티브 영역(AC1)을 포함한다. 베이스층(110)과 버퍼층(10br) 사이에는 배면 금속층이 추가로 배치될 수 있다. 배면 금속층은 트랜지스터(TFT) 하부에 배치되며, 외부 광이 트랜지스터(TFT)에 도달하는 것을 차단할 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(10br) 상에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 패턴은 저온 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 제1 영역은 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
트랜지스터(TFT)는 소스 영역(SE1, 또는 소스), 액티브 영역(AC1, 또는 채널), 드레인 영역(DE1, 또는 드레인), 및 게이트(GT1)를 포함할 수 있다. 트랜지스터(TFT)의 소스 영역(SE1), 액티브 영역(AC1), 및 드레인 영역(DE1)은 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SE1) 및 드레인 영역(DE1)은 단면 상에서 액티브 영역(AC1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 2b에서는 반도체 패턴으로부터 형성된 신호 전달 영역(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 신호 전달 영역(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(TFT)의 드레인(DE1)에 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(10br) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 버퍼층(10br) 상에 배치된 트랜지스터(TFT)의 소스(SE1), 액티브(AC1), 드레인(DE1), 및 신호 전달 영역(SCL)을 커버할 수 있다.
제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(TFT)의 게이트(GT1)는 제1 절연층(10) 상에 배치될 수 있다. 게이트(GT1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT1)는 액티브 영역(AC1)에 중첩할 수 있다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT1)는 마스크로 기능할 수 있다. 게이트(GT1)는 티타늄(Ti), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 상에 배치되며, 게이트(GT1)를 커버할 수 있다. 제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치될 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 내지 제3 절연층들(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 신호 전달 영역(SCL)에 접속될 수 있다. 제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치되어 제1 연결 전극(CNE1)을 커버할 수 있다. 제4 절연층(40)은 유기층일 수 있다.
제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 상에 배치되어 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다. 제1 내지 제6 절연층(10, 20, 30, 40, 50, 60)의 적층 구조는 예시적인 것일 뿐이며, 제1 내지 제6 절연층(10, 20, 30, 40, 50, 60) 이외에 추가적인 도전층과 절연층이 더 배치될 수도 있다.
발광소자층(130)은 회로층(120) 상에 배치될 수 있다. 발광소자층(130)은 발광 소자(ED) 및 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다.
발광 소자(ED)는 유기 발광 소자, 무기 발광 소자, 유기-무기 발광 소자, 퀀텀닷 발광 소자, 마이크로 엘이디(micro LED) 발광 소자, 또는 나노 엘이디(nano LED) 발광 소자를 포함하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 소자(ED)는 전기적 신호에 따라 광이 발생되거나 광량이 제어될 수 있다면 다양한 실시예들을 포함할 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 전극(AE, 또는 애노드), 발광 패턴(EP), 및 제2 전극(CE, 또는 캐소드)을 포함할 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 투광성 전극, 반투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(AE)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 포함할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 아연 산화물(ZnO) 또는 인듐 산화물(In2O3), 및 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1 전극(AE)은 ITO/Ag/ITO의 적층 구조물을 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제6 절연층(60) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 화소 정의막(PDL)은 광을 흡수하는 성질을 가질 수 있으며, 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 블랙의 색상을 가질 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 차광 특성을 갖는 차광 패턴에 해당할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에는 제1 전극(AE)의 일부분을 노출시키는 개구(PDL-OP)가 정의될 수 있다. 화소 정의막(PDL)의 개구(PDL-OP)는 발광영역(LA)을 정의할 수 있다.
제1 전극(AE)과 발광 패턴(EP) 사이에는 정공 제어층이 더 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층 및/또는 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광 패턴(EP)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 더 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층 및/또는 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
발광소자층(130)은 캡핑층을 더 포함할 수 있다. 캡핑층은 발광 소자(ED) 상에 배치될 수 있고, 발광 소자(ED)의 제2 전극(CE)을 커버할 수 있다. 캡핑층은 유기물질을 포함할 수 있다. 캡핑층은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 캡핑층은 외부의 수분 침투나 오염으로부터 하부의 음금 및 유기 발광층을 충분히 보호할 수 있고, 그에 따라 수명이 향상된 발광 소자(ED)를 제공할 수 있다.
박막 봉지층(140)은 발광소자층(130) 상에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(140)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광소자층(130)을 보호할 수 있다. 박막 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 제1 무기층(141), 유기층(142), 및 제2 무기층(143)을 포함할 수 있으나, 박막 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들(141, 143)은 수분 및 산소로부터 발광소자층(130)을 보호하고, 유기층(142)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들(141, 143)은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(142)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
입력 센서층(ISL)은 표시층(DPL) 위에 배치될 수 있다. 입력 센서층(ISL)은 센서층, 입력 감지층, 또는 입력 감지 패널로 지칭될 수 있다. 입력 센서층(ISL)은 베이스 절연층(200-IL1), 제1 도전층(200-CL1), 감지 절연층(200-IL2), 제2 도전층(200-CL2), 및 커버층(200-IL3)을 포함할 수 있다.
베이스 절연층(200-IL1)은 표시층(DPL) 위에 직접 배치될 수 있다. 베이스 절연층(200-IL1)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스 절연층(200-IL1)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스 절연층(200-IL1)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(200-CL1) 및 제2 도전층(200-CL2) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 도전층(200-CL1) 및 제2 도전층(200-CL2) 각각은 메쉬 구조의 감지 패턴 또는 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 또는 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(200-IL2)은 제1 도전층(200-CL1)과 제2 도전층(200-CL2) 사이에 배치될 수 있다. 커버층(200-IL3)은 감지 절연층(200-IL2) 위에 배치되며 제2 도전층(200-CL2)을 커버할 수 있다. 커버층(200-IL3)은 후속 공정에서 제2 도전층(200-CL2)에 데미지가 발생될 확률을 감소 또는 제거할 수 있다. 본 발명의 일 실시예예서, 입력 센서층(ISL)은 커버층(200-IL3)을 포함하지 않을 수도 있다.
감지 절연층(200-IL2) 및 커버층(200-IL3)은 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는 감지 절연층(200-IL2) 및 커버층(200-IL3)은 유기막을 포함할 수 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 3을 설명함에 있어 도 2를 참조하여 설명하고, 동일한 도면 부호에 대한 설명은 생략한다. 도 3에서는 설명의 편의상 윈도우(WM, 도 2b 참조)가 생략된 표시 장치(DD)를 도시하였다. 도 3의 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3) 각각에 대한 설명은 도 2b의 발광 소자(ED)에 대한 설명과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)은 제1 내지 제3 발광 소자(ED1, ED2, ED3)를 포함할 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)는 제1 애노드(AE1), 제1 발광 패턴(EP1), 및 캐소드(CE) 일부를 포함할 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 제2 애노드(AE2), 제2 발광 패턴(EP2), 및 캐소드(CE) 일부를 포함할 수 있다. 제3 발광 소자(ED3)는 제3 애노드(AE3), 제3 발광 패턴(EP3), 및 캐소드(CE) 일부를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3)은 복수 개의 패턴들로 제공될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)이 정의될 수 있다. 제1 발광 개구부(OP1-E)는 제1 애노드(AE1)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 제2 발광 개구부(OP2-E)는 제2 애노드(AE2)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 제3 발광 개구부(OP3-E)는 제3 애노드(AE3)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
제1 내지 제3 발광 패턴들(EP1, EP2, EP3)은 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 발광 패턴들(EP1, EP2, EP3)은 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)에 배치될 수 있다. 제1 발광 패턴(EP1)은 제1 발광 개구부(OP1-E)에 배치될 수 있고, 제2 발광 패턴(EP2)은 제2 발광 개구부(OP2-E)에 배치될 수 있으며, 제3 발광 패턴(EP3)은 제3 발광 개구부(OP3-E)에 배치될 수 있다. 캐소드(CE)는 제1 내지 제3 발광 패턴들(EP1, EP2, EP3) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다.
도 2 및 도 3에서는 제1 내지 제3 발광 패턴들(EP1, EP2, EP3)은 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치되는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한 되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 패턴들(EP1, EP2, EP3)은 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 상에만 배치될 수 있다.
제1 내지 제3 발광 패턴들(EP1, EP2, EP3)은 서로 상이한 색을 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 패턴(EP1)은 레드광을 제공하고, 제2 발광 패턴(EP2)은 그린광을 제공하며, 제3 발광 패턴(EP3)은 블루광을 제공할 수 있다.
반사 방지층(ARL)은 차광 패턴(BM), 컬러 필터(CF), 및 오버코트층(OC)을 포함할 수 있다.
차광 패턴(BM)은 입력 센서층(ISL) 상에 배치될 수 있다. 차광 패턴(BM)은 블랙컬러를 갖는 층으로, 일 실시예에서 차광 패턴(BM)은 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 블랙 성분은 카본 블랙, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 차광 패턴(BM)을 구성하는 물질은 광을 흡수하는 물질이라면 특별히 한정되지 않는다.
차광 패턴(BM)은 제1 도전층(200-CL1, 도 2b 참조)과 제2 도전층(200-CL2, 도 2b 참조)에 의한 외부광 반사를 방지할 수 있다. 차광 패턴(BM)은 화소 정의막(PDL)과 중첩하여 배치될 수 있다. 차광 패턴(BM)에는 제1 내지 제3 개구들(BM-OP1, BM-OP2, BM-OP3)가 정의될 수 있다. 차광 패턴(BM)의 제1 내지 제3 개구들(BM-OP1, BM-OP2, BM-OP3)은 화소 정의막(PDL)의 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)과 중첩할 수 있다. 제1 개구(BM-OP1)는 제1 발광 개구부(OP1-E)와 중첩할 수 있고, 제2 개구(BM-OP2)는 제2 발광 개구부(OP2-E)와 중첩하며, 제3 개구(BM-OP3)는 제3 발광 개구부(OP3-E)와 중첩할 수 있다.
차광 패턴(BM)의 제1 내지 제3 개구들(BM-OP1, BM-OP2, BM-OP3)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 정의할 수 있다. 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)에서 생성된 광이 외부로 방출되는 영역으로 정의될 수 있다.
컬러 필터(CF)는 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)는 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)에 대응하여 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)에서 생성한 광은 투과시키고, 외부광 중 일부 파장대는 차단시킬 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 색을 투과시키고, 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 색 및 제3 색을 투과시킬 수 있다. 제2 색은 제1 색과 상이할 수 있고, 제3 색은 제1 색 및 제2 색과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 색은 적색일 수 있고, 제2 색은 녹색일 수 있고, 제3 색은 청색일 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)는 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 또는 캐소드(CE)에 의한 외부광 반사를 감소시킬 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)는 적어도 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 중첩할 수 있다. 자세하게는, 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 발광 소자(ED1)와 중첩하고, 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)와 중첩할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2) 일부는 비화소영역(NPXA)에 중첩할 수도 있다. 즉, 제1 컬러 필터(CF1) 및 제2 컬러 필터(CF2)의 일부분은 차광 패턴(BM) 상에 배치될 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2)는 청색 안료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2)는 청색 안료인 하기 화합물 B1을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
또한, 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색 안료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색 안료인 하기 화합물 G1, G2, 및 G3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
또한, 제2 컬러 필터(CF2)는 청자색 안료 및 황색 안료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2)는 하기 화합물 V1, Y1, Y2, 및 Y3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
제2 컬러 필터(CF2)는 청색 안료, 녹색 안료, 청자색 안료, 및 황색 안료 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2)는 청색 안료인 B1을 포함하고, G1, G2, G3, V1, Y1, Y2, 및 Y3 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 컬러 필터(CF2)의 두께, 제2 컬러 필터(CF2)에 포함된 안료의 조성비, 및 안료의 농도를 조절하여, 제2 컬러 필터(CF2)의 파장별 투과도를 조절할 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2)는 제1 서브 컬러 필터(SCF1) 및 제2 서브 컬러 필터(SCF2)를 포함할 수 있다. 제1 서브 컬러 필터(SCF1)와 제2 서브 컬러 필터(SCF2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 서브 컬러 필터(SCF1)는 제2 발광 소자(ED2)와 중첩할 수 있고, 제2 서브 컬러 필터(SCF2)는 제3 발광 소자(ED3)와 중첩할 수 있다. 제1 서브 컬러 필터(SCF1) 및 제2 서브 컬러 필터(SCF2)는 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 컬러 필터(SCF1)와 제2 서브 컬러 필터(SCF2)는 동일한 마스크를 이용하여 패터닝 될 수 있다. 따라서, 표시 장치(DD)를 형성하는데 필요한 마스크의 개수가 감소될 수 있고, 표시 장치 제조 공정 효율이 향상될 수 있다.
오버코트층(OC)은 차광 패턴(BM), 제1 컬러 필터(CF1), 및 제2 컬러 필터(CF2)를 커버할 수 있다. 오버코트층(OC)은 유기물을 포함할 수 있으며, 평탄한 상면을 제공할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DDa)의 단면도이다. 도 4에서는 설명의 편의상 윈도우(WM, 도 2b 참조)가 생략된 표시 장치(DDa)를 도시하였다. 도 4를 설명함에 있어 도 3을 참조하여 설명하고, 동일한 도면 부호에 대한 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 표시 장치(DDa)는 표시층(DPL), 입력 센서층(ISL), 및 반사 방지층(ARLa)을 포함할 수 있다. 반사 방지층(ARLa)은 차광 패턴(BM), 컬러 필터(CFa), 및 오버코트층(OC)을 포함할 수 있다.
컬러 필터(CFa)는 제1 컬러 필터(CF1a) 및 제2 컬러 필터(CF2a)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1a) 및 제2 컬러 필터(CF2a)는 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)에 대응하여 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)에서 생성한 광은 투과시키고, 외부광 중 일부 파장대는 차단시킬 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1a)는 제1 색을 투과시키고, 제2 컬러 필터(CF2a)는 제2 색 및 제3 색을 투과시킬 수 있다. 제2 색은 제1 색과 상이할 수 있고, 제3 색은 제1 색 및 제2 색과 상이할 수 있다. 제1 색은 적색일 수 있고, 제2 색은 녹색일 수 있고, 제3 색은 청색일 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1a) 및 제2 컬러 필터(CF2a)는 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 또는 캐소드(CE)에 의한 외부광 반사를 감소시킬 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1a) 및 제2 컬러 필터(CF2a)는 적어도 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 중첩할 수 있다. 자세하게는, 제1 컬러 필터(CF1a)는 제1 발광 소자(ED1)와 중첩하고, 제2 컬러 필터(CF2a)는 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)와 중첩할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1a) 및 제2 컬러 필터(CF2a) 일부는 비화소영역(NPXA)에 중첩할 수도 있다. 즉, 제1 컬러 필터(CF1a) 및 제2 컬러 필터(CF2a)의 일부분은 차광 패턴(BM) 상에 배치될 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2a)는 청색 안료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2a)는 청색 안료인 하기 화합물 B1을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
또한, 제2 컬러 필터(CF2a)는 녹색 안료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2a)는 녹색 안료인 하기 화합물 G1, G2, 및 G3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
또한, 제2 컬러 필터(CF2a)는 청자색 안료 및 황색 안료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2a)는 하기 화합물 V1, Y1, Y2, 및 Y3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
제2 컬러 필터(CF2a)는 청색 안료, 녹색 안료, 청자색 안료, 및 황색 안료 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2a)는 청색 안료인 B1을 포함하고, G1, G2, G3, V1, Y1, Y2, 및 Y3 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2a)는 제2 컬러 필터(CF2a)의 두께, 제2 컬러 필터(CF2a)에 포함된 안료의 조성비, 및 안료의 농도를 조절하여, 제2 컬러 필터(CF2a)의 파장별 투과도를 조절할 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2a)는 제1 서브 컬러 필터(SCF1a) 및 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)를 포함할 수 있다. 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)와 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)는 제2 발광 소자(ED2)와 중첩할 수 있고, 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)는 제3 발광 소자(ED3)와 중첩할 수 있다. 제1 서브 컬러 필터(SCF1a) 및 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)는 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
제1 서브 컬러 필터(SCF1a)는 제1 두께(T1)를 갖고, 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)는 제2 두께(T2)를 가질 수 있다. 제1 두께(T1)와 제2 두께(T2)는 서로 상이할 수 있다. 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)와 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)는 동일한 마스크를 이용하여 패터닝하되, 하프톤 마스크 또는 슬릿을 이용하여 두께가 상이한 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)와 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)가 패터닝 될 수 있다.
자세하게는, 마스크를 정렬한 상태에서 제2 컬러 필터(CF2a)를 노광할 수 있다. 노광 공정에서 빛을 받은 제2 컬러 필터(CF2a)의 일부분은 경화되고, 빛을 받지 못한 제2 컬러 필터(CF2a)의 일부분은 제거될 수 있다. 경화된 제2 컬러 필터(CF2a)의 일부분은 제1 서브 컬러 필터(SCF1a) 및 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)가 될 수 있고, 제2 컬러 필터(CF2a)의 제거된 부분은 차광 패턴(BM)과 중첩할 수 있다. 또한, 상기 노광 공정에서 하프톤 마스크 또는 슬릿을 이용하여 두께가 상이한 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)와 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)가 패터닝 될 수 있다. 하프톤 마스크 또는 슬릿은 광의 일부만 차단하는 특성을 가질 수 있다. 따라서, 광이 일부만 차단되는 영역과 중첩하는 부분의 제2 컬러 필터(CF2a)는 적어도 일부가 제거되어, 광이 일부만 차단되는 영역과 중첩하는 부분의 제2 컬러 필터(CF2a) 두께는 광이 전부가 투과되는 영역과 중첩하는 부분의 제2 컬러 필터(CF2a) 두께보다 작을 수 있다.
제2 두께(T2)는 제1 두께(T1)보다 클 수 있다. 광이 일부만 차단되는 영역과 중첩하는 부분의 제2 컬러 필터(CF2a)는 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)일 수 있다. 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)의 제1 두께(T1) 보다 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)의 제2 두께(T2)가 더 큼에 따라, 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)와 중첩하는 제2 발광 영역(PXA-G)의 제2 색의 투과도가 향상될 수 있고, 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)와 중첩하는 제3 발광 영역(PXA-B)의 반사율은 감소될 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)의 제1 두께(T1)보다 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)의 제2 두께(T2)가 더 큼에 따라, 녹색에 대응되는 530nm 근처의 파장대의 제2 발광 영역(PXA-G)의 투과도가 향상될 수 있고, 청색을 투과시키는 제3 발광 영역(PXA-B)의 반사율은 감소될 수 있다. 즉, 제1 서브 컬러 필터(SCF1a)와 제2 서브 컬러 필터(SCF2a)의 두께를 조절함으로써, 두께가 일정한 도 3의 제1 서브 컬러 필터(SCF1)와 제2 서브 컬러 필터(SCF2) 보다 반사율이 감소될 수 있다. 따라서, 표시 장치(DDa)의 품질이 향상될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DDb)의 단면도이다. 도 5에서는 설명의 편의상 윈도우(WM, 도 2b 참조)가 생략된 표시 장치(DDb)를 도시하였다. 도 5를 설명함에 있어 도 3을 참조하여 설명하고, 동일한 도면 부호에 대한 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(DDb)는 표시층(DPL), 입력 센서층(ISL), 및 반사 방지층(ARLb)을 포함할 수 있다. 반사 방지층(ARLb)은 컬러 필터(CFb), 및 오버코트층(OC)을 포함할 수 있다.
컬러 필터(CFb)는 제1 컬러 필터(CF1b) 및 제2 컬러 필터(CF2b)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1b) 및 제2 컬러 필터(CF2b)는 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)에 대응하여 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)에서 생성한 광은 투과시키고, 외부광 중 일부 파장대는 차단시킬 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1b)는 제1 색을 투과시키고, 제2 컬러 필터(CF2b)는 제2 색 및 제3 색을 투과시킬 수 있다. 제2 색은 제1 색과 상이할 수 있고, 제3 색은 제1 색 및 제2 색과 상이할 수 있다. 제1 색은 적색일 수 있고, 제2 색은 녹색일 수 있고, 제3 색은 청색일 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1b) 및 제2 컬러 필터(CF2b)는 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 또는 캐소드(CE)에 의한 외부광 반사를 감소시킬 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2b)는 청색 안료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2b)는 청색 안료인 하기 화합물 B1을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
또한, 제2 컬러 필터(CF2b)는 녹색 안료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2b)는 녹색 안료인 하기 화합물 G1, G2, 및 G3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
또한, 제2 컬러 필터(CF2b)는 청자색 안료 및 황색 안료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2b)는 하기 화합물 V1, Y1, Y2, 및 Y3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
제2 컬러 필터(CF2b)는 청색 안료, 녹색 안료, 청자색 안료, 및 황색 안료 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터(CF2b)는 청색 안료인 B1을 포함하고, G1, G2, G3, V1, Y1, Y2, 및 Y3 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2b)는 제2 컬러 필터(CF2b)의 두께, 제2 컬러 필터(CF2b)에 포함된 안료의 조성비, 및 안료의 농도를 조절하여, 제2 컬러 필터(CF2b)의 파장별 투과도를 조절할 수 있다.
하나의 컬러 필터(CF1b 또는 CF2b)와 중첩하는 영역은 화소 영역(PXA-Ra, PXA-Ga, PXA-Ba)으로 정의될 수 있고, 복수의 컬러 필터들(CF1b, CF2b)과 중첩하는 영역은 비화소영역(NPXA)으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러 필터(CF1b)와 중첩하는 영역은 제1 화소 영역(PXA-Ra)으로 정의될 수 있고, 제2 컬러 필터(CF2b)와 중첩하는 영역은 제2 화소 영역(PXA-Ga) 및 제3 화소 영역(PXA-Ba)으로 정의될 수 있다. 또한, 제1 컬러 필터(CF1b) 및 제2 컬러 필터(CF2b)와 중첩하는 영역은 비화소영역(NPXA)으로 정의될 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1b)는 제1 발광 소자(ED1) 및 화소 정의막(PDL)과 중첩하고, 제2 컬러 필터(CF2b)는 제2 발광 소자(ED2), 제3 발광 소자(ED3), 및 화소 정의막(PDL)과 중첩할 수 있다. 즉, 제1 컬러 필터(CF1b)의 일부와 제2 컬러 필터(CF2b)의 일부는 화소 정의막(PDL)이 배치되는 영역에서 중첩할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1b) 와 제2 컬러 필터(CF2b)가 중첩하여 배치되는 영역은 빛이 투과하지 못할 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1b) 와 제2 컬러 필터(CF2b)가 중첩하여 배치됨에 따라 차광 패턴(BM, 도 3 참조) 역할을 함으로써, 차광 패턴(BM)을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 표시 장치(DDb)를 형성하는데 필요한 마스크의 개수가 줄어듬에 따라 표시 장치 제조 공정 효율이 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치(DD-1)의 단면도이다. 도 6에서는 설명의 편의상 윈도우(WM, 도 2b 참조)가 생략된 표시 장치(DD-1)를 도시하였다. 도 6를 설명함에 있어 도 3을 참조하여 설명하고, 동일한 도면 부호에 대한 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(DD-1)는 표시층(DPL), 입력 센서층(ISL), 및 반사 방지층(ARL-1)을 포함할 수 있다. 반사 방지층(ARL-1)은 입력 센서층(ISL) 상에 배치될 수 있다. 반사 방지층(ARL-1)은 광학 부재일 수 있고, 외부로부터 입사된 광의 반사율을 낮출 수 있다. 반사 방지층(ARL-1)은 위상 지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 반사 방지층(ARL-1)은 적어도 편광필름을 포함할 수 있다. 이 경우, 반사 방지층(ARL-1)은 접착층(AL)을 통해 표시 패널(DP)에 부착될 수 있다. 상기 접착층(AL)은 광학 투명 접착부재(OCA, Optically Clear Adhesive), 또는 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film)일 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7은 본 발명의 비교예에 따른 표시 장치(DD-2)의 단면도이다. 도 7에서는 설명의 편의상 윈도우(WM, 도 2b 참조)가 생략된 표시 장치(DD-2)를 도시하였다. 도 7을 설명함에 있어 도 3을 참조하여 설명하고, 동일한 도면 부호에 대한 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 표시 장치(DD-2)는 표시층(DPL), 입력 센서층(ISL), 및 반사 방지층(ARL-2)을 포함할 수 있다. 반사 방지층(ARL-2)은 차광 패턴(BM), 복수의 컬러 필터들(CF-R, CF-G, CF-B), 및 오버코트층(OC)을 포함할 수 있다.
복수의 컬러 필터들(CF-R, CF-G, CF-B)은 적색 컬러 필터(CF-R), 녹색 컬러 필터(CF-G), 및 청색 컬러 필터(CF-B)를 포함할 수 있다. 적색 컬러 필터(CF-R), 녹색 컬러 필터(CF-G), 및 청색 컬러 필터(CF-B)는 입력 센서층(ISL) 및 차광 패턴(BM) 상에 배치될 수 있다. 적색 컬러 필터(CF-R)는 제1 발광 소자(ED1)와 중첩하여 배치되고, 제1 발광 소자(ED1)가 생성한 제1 색을 투과시킬 수 있다. 녹색 컬러 필터(CF-G)는 제2 발광 소자(ED2)와 중첩하여 배치되고, 제2 발광 소자(ED2)가 생성한 제2 색을 투과시킬 수 있다. 청색 컬러 필터(CF-B)는 제3 발광 소자(ED3)와 중첩하여 배치되고, 제3 발광 소자(ED3)가 생성한 제3 색을 투과시킬 수 있다. 제2 색은 제1 색과 상이할 수 있고, 제3 색은 제1 색 및 제2 색과 상이할 수 있다.
도 8은 도 3의 제2 컬러 필터(CF2)의 파장별 투과도 그래프(G_BG)와 도 7의 적색 컬러 필터(CF-R), 녹색 컬러 필터(CF-G), 및 청색 컬러 필터(CF-B)의 파장별 투과도 그래프(G_R, G_G, G_B)를 도시한 도면이다.
도 3, 도 7, 및 도 8을 참조하면, 가로축은 파장(nm)을 나타내었고, 세로축은 투과율을 나타내었다. 설명의 편의상 파장별 투과도 그래프들(G_R, G_G, G_B, G_BG) 각각을 제1 내지 제4 그래프(G_R, G_G, G_B, G_BG)로 지칭한다.
제1 그래프(G_R)는 도 7의 적색 컬러 필터(CF-R)의 투과율은 도시하였고, 제2 그래프(G_G)는 도 7의 녹색 컬러 필터(CF-G)의 투과율을 도시하였으며, 제3 그래프(G_B)는 도 7의 청색 컬러 필터(CF-B)의 투과율을 도시하였다. 도 7의 표시 장치(DD-2)는 본 발명의 비교예에 해당한다. 제4 그래프(G_BG)는 도 3의 제2 컬러 필터(CF2)의 투과율을 도시하였다. 도 3의 표시 장치(DD)는 본 발명의 일 실시예에 해당한다.
제2 컬러 필터(CF2)는 청색 컬러 필터(CF-B)의 두께, 안료의 농도, 또는 안료의 조합을 조절한 것일 수 있다. 제4 그래프(G_BG)는 제3 그래프(G_B)보다 투과율이 향상될 수 있다. 특히, 녹색에 대응되는 530nm 근처 투과율이 향상될 수 있다. 따라서, 제2 컬러 필터(CF2)는 청색과 녹색을 모두 투과 시킬 수 있다. 그 결과, 하나의 제2 컬러 필터(CF2)를 제2 발광 영역(PXA-G, 도 3 참조) 및 제3 발광 영역(PXA-B, 도 3 참조)에 동일한 마스크를 이용하여 패터닝 함에 따라, 표시 장치(DD)를 형성하는데 필요한 마스크의 개수가 감소될 수 있고, 표시 장치 제조 공정 효율이 향상될 수 있다. 또한, 제2 컬러 필터(CF2)를 포함하는 표시 장치(DD)는 편광필름을 포함하는 표시 장치(DD-1)보다 발광 효율이 향상될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시 장치
DP: 표시 패널
PDL: 화소 정의막 ARL: 반사 방지층
CF1: 제1 컬러 필터 CF2: 제2 컬러 필터
SCF1: 제1 서브 컬러 필터 SCF2: 제2 서브 컬러 필터
BM: 차광 패턴 OC: 오버코트층
PDL: 화소 정의막 ARL: 반사 방지층
CF1: 제1 컬러 필터 CF2: 제2 컬러 필터
SCF1: 제1 서브 컬러 필터 SCF2: 제2 서브 컬러 필터
BM: 차광 패턴 OC: 오버코트층
Claims (20)
- 제1 발광 개구부, 제2 발광 개구부, 및 제3 발광 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 제1 내지 제3 발광 개구부들에 배치되며 서로 상이한 색의 광을 제공하는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자, 및 제3 발광 소자를 포함하는 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 배치되고, 제1 컬러 필터 및 제2 컬러 필터를 포함하는 반사 방지층을 포함하고,
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자와 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자와 중첩하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터는 제1 색을 투과시키고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 색과 상이한 제2 색 및 제3 색을 투과시키는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 컬러 필터는 청색 안료를 포함하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제2 컬러 필터는 녹색 안료를 더 포함하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제2 컬러 필터는 청자색 안료 및 황색 안료 중 적어도 하나를 더 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제2 컬러 필터를 커버하는 오버코트층을 더 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제1 서브 컬러 필터 및 상기 제3 발광 소자와 중첩하는 제2 서브 컬러 필터를 포함하는 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 서브 컬러 필터와 상기 제2 서브 컬러 필터는 서로 이격되어 배치되는 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 서브 컬러 필터와 상기 제2 서브 컬러 필터는 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정을 통해 형성되는 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 상기 화소 정의막과 중첩하여 배치되는 차광 패턴을 더 포함하는 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 서브 컬러 필터는 제1 두께를 갖고, 상기 제2 서브 컬러 필터는 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자 및 상기 화소 정의막과 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자, 및 상기 화소 정의막과 중첩하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터 일부와 상기 제2 컬러 필터 일부는 상기 화소 정의막이 배치되는 영역에서 중첩하는 표시 장치. - 제1 발광 개구부, 제2 발광 개구부, 및 제3 발광 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 제1 내지 제3 발광 개구부들에 배치되며 서로 상이한 색의 광을 제공하는 제1 발광 소자, 제2 발광 소자, 및 제3 발광 소자를 포함하는 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 배치되는 반사 방지층을 포함하고,
상기 반사 방지층은,
제1 색을 투과시키는 제1 컬러 필터; 및
상기 제1 색과 상이한 제2 색, 및 상기 제1 색 및 상기 제2 색과 상이한 제3 색을 투과시키고, 청색 안료를 포함하는 제2 컬러 필터를 포함하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자와 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자와 중첩하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제1 서브 컬러 필터 및 상기 제3 발광 소자와 중첩하는 제2 서브 컬러 필터를 포함하고,
상기 제1 서브 컬러 필터와 상기 제2 서브 컬러 필터는 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정을 통해 형성되는 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 상기 화소 정의막과 중첩하여 배치되는 차광 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 서브 컬러 필터와 상기 제2 서브 컬러 필터는 서로 이격되어 배치되는 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 제1 서브 컬러 필터는 제1 두께를 갖고, 상기 제2 서브 컬러 필터는 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 발광 소자 및 상기 화소 정의막과 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제2 발광 소자, 상기 제3 발광 소자, 및 상기 화소 정의막과 중첩하여 배치되는 표시 장치 - 제14 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터 일부와 상기 제2 컬러 필터 일부는 상기 화소 정의막이 배치되는 영역에서 중첩하는 표시 장치.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240104283A true KR20240104283A (ko) | 2024-07-04 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102589750B1 (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| US11730018B2 (en) | Display panel having photorefractive portion and electronic device including the same | |
| US11616214B2 (en) | Display device | |
| US20220367772A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| US20230195272A1 (en) | Electronic device | |
| US20230105728A1 (en) | Display module having increased transmittance and electronic device including the display module | |
| KR20240104283A (ko) | 표시 장치 | |
| US20240219616A1 (en) | Display device | |
| KR20220165875A (ko) | 표시장치 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
| KR20220159550A (ko) | 표시 모듈, 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
| US20230185418A1 (en) | Display device and electronic device including the same | |
| CN218456643U (zh) | 显示装置和包括该显示装置的电子装置 | |
| US20240215415A1 (en) | Display device | |
| US20240164188A1 (en) | Display device | |
| US20230180515A1 (en) | Display device including inorganic insulating layers | |
| US20240188334A1 (en) | Display panel | |
| US20230305664A1 (en) | Display device capable of sensing user input | |
| US20230276681A1 (en) | Display device including a light control layer and an input sensor | |
| US11822169B2 (en) | Display device | |
| US20230189577A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| US20230284486A1 (en) | Display panel, method of manufacturing the same, and electronic device including the same | |
| US20240040915A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| EP4329460A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| US20240114734A1 (en) | Display device, electronic device including the same | |
| US20220336781A1 (en) | Display device |