CN115707306A - 显示装置及其提供方法 - Google Patents
显示装置及其提供方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115707306A CN115707306A CN202210649070.4A CN202210649070A CN115707306A CN 115707306 A CN115707306 A CN 115707306A CN 202210649070 A CN202210649070 A CN 202210649070A CN 115707306 A CN115707306 A CN 115707306A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- protective layer
- support member
- substrate
- opening
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(2+) Chemical compound [O-2].[Ta+2] JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/129—Chiplets
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
- H01L2021/60195—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using dynamic pressure, e.g. ultrasonic or thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请涉及显示装置及其提供方法。显示装置包括显示区域和与显示区域相邻的焊盘区域。显示装置包括:衬底;显示部分,在衬底上在显示区域中;保护层,在衬底下方并限定与焊盘区域重叠的第一开口;刚性的支承构件,填充保护层的第一开口并包括玻璃;以及驱动电路芯片,在衬底上在焊盘区域中。
Description
技术领域
实施方式涉及显示装置及其提供(或制造)方法。更具体地,实施方式涉及柔性显示装置及其提供(或制造)方法。
背景技术
平坦面板显示装置由于其重量轻且薄的特性正取代阴极射线管显示装置作为显示装置。这种平坦面板显示装置的代表性示例有液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
显示装置的至少一部分可以是可弯曲的、可折叠的或可卷曲的。因此,可以改善显示装置的从各种角度的可见性,并且可以减小非显示区域的面积。在提供(或制造)其至少一部分是可弯曲的、可折叠的或可卷曲的显示装置的方法中,已研究了用于最小化或减少损坏和制造成本的方法。
发明内容
实施方式提供了具有改善的可靠性的显示装置。
实施方式还提供了以降低的成本提供(或制造)显示装置的方法。
本发明的其它特征将在下面的描述中进行阐述,并且将从该描述部分地显而易见,或者可以通过本发明构思的实践而习得。
显示装置(其包括显示区域和与显示区域相邻的焊盘区域)的实施方式可以包括:衬底;显示部分,在显示区域中在衬底上;保护层,在衬底下方并限定与焊盘区域重叠的第一开口;刚性的支承构件,填充保护层的第一开口并包括玻璃;以及驱动电路芯片,在焊盘区域中在衬底上。
在实施方式中,支承构件的厚度可以与保护层的第一开口的深度基本上相同。
在实施方式中,支承构件的厚度可以小于保护层的第一开口的深度。
在实施方式中,保护层可以包括可光固化树脂。
在实施方式中,保护层可以通过粘合剂层附接到衬底。
在实施方式中,显示装置还可以包括在显示区域和焊盘区域之间的弯曲区域。保护层还可以限定与弯曲区域重叠的第二开口。
显示装置(其包括显示区域和与显示区域相邻的焊盘区域)的实施方式可以包括:衬底;显示部分,在显示区域中在衬底上;保护层,在衬底下方并限定与焊盘区域重叠的第一开口;刚性的支承构件,填充保护层的第一开口;以及驱动电路芯片,在焊盘区域中在衬底上。支承构件的厚度可以小于保护层的第一开口的深度。
提供显示装置(其包括显示区域和与显示区域相邻的焊盘区域)的方法可以包括:在衬底下方提供保护层,保护层限定与焊盘区域重叠的第一开口;提供填充保护层的第一开口的刚性的支承构件;以及将台定位在保护层和支承构件下方;以及在焊盘区域中将驱动电路芯片结合到衬底。
在实施方式中,可以通过将液体玻璃喷射到保护层的第一开口中并将所喷射的液体玻璃固化来提供支承构件。
在实施方式中,保护层的第一开口可以暴露衬底的下表面。
在实施方式中,支承构件的厚度可以与保护层的第一开口的深度基本上相同。
在实施方式中,台可以具有基本上平坦的上表面。
在实施方式中,支承构件的厚度可以小于保护层的第一开口的深度。
在实施方式中,台可以包括突起部,所述突起部向上突出并且具有与保护层的第一开口对应的形状。台可以定位在保护层和支承构件下方,使得突起部插入到保护层的第一开口中。
在实施方式中,支承构件的厚度和台的突起部的厚度之和可以与保护层的第一开口的深度基本上相同。
在实施方式中,驱动电路芯片可以通过超声结合方法结合在衬底上。
在实施方式中,保护层可以通过喷墨方法提供。
在实施方式中,保护层可以包括可光固化树脂。
在实施方式中,保护层可以通过粘合剂层附接在衬底下方。
在实施方式中,显示装置还可以包括在显示区域和焊盘区域之间的弯曲区域。保护层还限定与弯曲区域重叠的第二开口。
根据一个或多个实施方式的显示装置可以包括显示面板、在显示面板下方并且限定与焊盘区域(或结合区域)重叠的开口的保护层、以及填充开口的刚性的支承构件。可以在将驱动电路芯片结合到显示面板的焊盘区域的结合工艺之前提供(或形成)支承构件。因此,可以以相对低的压力低压结合。因此,可以改善显示装置的可靠性。
此外,由于支承构件覆盖显示面板的由开口暴露于保护层外部的下表面,因此可以防止或减少由异物流入显示面板中而导致的缺陷。因此,可以改善显示装置的可靠性。
此外,当通过超声结合方法结合驱动电路芯片时,超声能量可以通过刚性的支承构件的支承充分地传递到驱动电路芯片,以有效地结合驱动电路芯片。因此,可以改善显示装置的可靠性。此外,可以使用具有基本上平坦的上表面的台来执行超声结合工艺。因此,可以简化提供(或制造)显示装置的工艺,并且可以降低成本。
将理解的是,前面的概述性描述和下面的详细描述两者都是示例性的和说明性的,并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解,并且将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分,附图示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用于说明本发明。
图1和图2是示出显示装置的实施方式的平面图。
图3是图1的显示装置的仰视图。
图4是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
图5是沿着图1的线II-II'截取的剖视图。
图6是沿着图1的线III-III'截取的剖视图。
图7是示出被弯曲的图6的显示装置的实施方式的剖视图。
图8至图12是示出提供图1的显示装置的方法的实施方式的剖视图。
图13是示出显示装置的实施方式的剖视图。
图14至图17是示出提供图13的显示装置的方法的实施方式的剖视图。
图18是示出显示装置的实施方式的剖视图。
图19是示出显示装置的实施方式的剖视图。
图20是示出电子装置的实施方式的框图。
具体实施方式
通过下面结合附图的详细描述,将会更清楚地理解说明性的、非限制性的实施方式。
现将在下文中参考示出了各种实施方式的附图更全面地描述本发明。然而,本发明可以以许多不同的形式来实现,并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式是为了使本公开透彻且完整的,并且将向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。相同的附图标记通篇表示相同的元件。
将理解的是,当元件被称为与另一元件相关,诸如“在”另一元件“上”的元件时,其可以直接在另一元件上,或者在它们之间可以存在中间元件。相反,当元件被称为与另一元件相关,诸如“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。
将理解的是,虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分,但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,在不背离本文中的教导的情况下,下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
本文中使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的,而非旨在进行限制。如本文中所使用的,“一”、“一个”、“该”和“至少一种”不表示数量的限制,并且旨在包括单数和复数两者,除非上下文另外清楚地指示。例如,“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义,除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限制“一”或“一个”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。还将理解的是,术语“包含”和/或“包含有”或者“包括”和/或“包括有”在本说明书中使用时,指定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
此外,诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语在本文中可以用于描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。还将理解的是,除了附图中描绘的取向之外,相对术语旨在包括装置的不同取向。例如,如果附图中的一个中的装置被翻转,则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随之取向在其它元件的“上”侧上。因此,取决于附图的特定取向,术语“下”可以包括“下”和“上”两种取向。类似地,如果附图中的一个中的装置被翻转,则被描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将随之取向在其它元件“上方”。因此,术语“下方”或“下面”可以包括上方和下方两种取向。
除非另有限定,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,术语,诸如在常用词典中限定的那些术语,应被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义,并且将不以理想化的或过于形式的含义来解释,除非在本文中明确地如此限定。
本文中参考作为理想化实施方式的示意性图示的剖视图来描述实施方式。由此,将预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的与图示的形状的偏差。因此,本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示的区域的特定形状,而将包括例如由制造而导致的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外,所示的尖角可以是圆润的。因此,图中所示的区域在本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在表示区域的精确形状,并且不旨在限制本权利要求的范围。
图1和图2是示出显示装置10的实施方式的平面图。图3是图1的显示装置10的仰视图。图4是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。图5是沿着图1的线II-II'截取的剖视图。图6是沿着图1的线III-III'截取的剖视图。图7是示出图6的显示装置10的弯曲配置的剖视图。
参考图1至图7,显示装置10可以包括显示面板100、驱动电路芯片210、电路板220、保护层300和支承构件400。
显示面板100可以包括衬底110、显示部分120、封装层130、第一焊盘部分140和第二焊盘部分150。
衬底110可以是柔性且绝缘的衬底。在实施方式中,例如,衬底110可以包括(或者可以是)透明树脂衬底。衬底110可以包括聚酰亚胺衬底。在这种情况下,衬底110可以具有多层结构,其中一个或多个聚酰亚胺层和一个或多个阻挡层交替堆叠。
衬底110(或显示面板100或显示装置10)可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。包括用于生成图像的多个像素的显示部分120可以在衬底110上设置在显示区域DA中。从像素中的每个发射的光可以被组合以生成图像。非显示区域NDA可以定位成与显示区域DA相邻,诸如在显示区域DA周围延伸。在实施方式中,例如,非显示区域NDA可以在平面图中围绕显示区域DA。
非显示区域NDA可以包括与显示区域DA相邻(诸如,定位在显示区域DA周围)的第一焊盘区域PA1和第二焊盘区域PA2。在实施方式中,例如,第一焊盘区域PA1可以在第一方向D1上(或沿着第一方向D1)与显示区域DA间隔开。第二焊盘区域PA2可以在第一方向D1上与第一焊盘区域PA1间隔开。
在实施方式中,衬底110(或显示面板100或显示装置10)可以包括第一区域1A、第二区域2A和弯曲区域BA。第二区域2A可以在第一方向D1上与第一区域1A间隔开。弯曲区域BA可以定位在第一区域1A和第二区域2A之间。衬底110的弯曲区域BA可以沿着在与第一方向D1交叉(诸如,与第一方向D1垂直)的第二方向D2上延伸的弯曲轴线弯曲。在实施方式中,例如,如图7中所示,衬底110的弯曲区域BA可以被弯曲,使得第二区域2A定位在第一区域1A下方。即,在弯曲区域BA处弯曲的显示装置10(或显示面板100)可以将第二区域2A设置成沿着显示装置10(或显示面板100)的厚度方向面对第一区域1A。厚度方向可以与第一方向D1和第二方向D2中的每个交叉,诸如与第一方向D1和第二方向D2中的每个正交。
如图1中所示,例如,第一区域1A可以包括显示区域DA、以及非显示区域NDA的一部分,且弯曲区域BA可以包括非显示区域NDA的另一部分,并且第二区域2A可以包括第一焊盘区域PA1、第二焊盘区域PA2和非显示区域NDA的又一部分。即,弯曲区域BA可以定位在显示区域DA和第一焊盘区域PA1之间。然而,这是示例性的,并且实施方式不限于此。
在实施方式中,如图1中所示,第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A可以在第二方向D2上具有基本上相同的宽度。即,衬底110可以在平面图中整体上具有矩形形状。
在实施方式中,如图2中所示,弯曲区域BA在第二方向D2上的宽度和第二区域2A在第二方向D2上的宽度中的每个可以小于第一区域1A在第二方向D2上的宽度。在实施方式中,例如,第一区域1A的与弯曲区域BA相邻(或最靠近弯曲区域BA)的部分的宽度可以比第一区域1A的剩余部分的宽度窄。在实施方式中,例如,弯曲区域BA在第二方向D2上的宽度可以与第二区域2A在第二方向D2上的宽度基本上相同。
显示部分120可以在衬底110上设置在显示区域DA中。显示部分120可以包括像素。在实施方式中,例如,像素可以沿着第一方向D1和第二方向D2以矩阵形式布置。像素中的每个可以包括至少一个薄膜晶体管TR和发光元件LED。
有源层AL可以设置在衬底110上。有源层AL可以包括氧化物半导体、硅半导体、有机半导体等。在实施方式中,例如,氧化物半导体可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种氧化物。硅半导体可以包括非晶硅、多晶硅等。有源层AL可以包括源区、漏区、以及定位在源区和漏区之间的沟道区。
在实施方式中,虽然在附图中未示出,但是缓冲层可以设置在衬底110和有源层AL之间。缓冲层可以防止或减少杂质从衬底110扩散到有源层AL中的情况。缓冲层可以包括无机绝缘材料,诸如硅化合物、金属氧化物等。无机绝缘材料的示例可以包括氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)、碳氮化硅(SiCN)、氧化铝(AlO)、氮化铝(AlN)、氧化钽(TaO)、氧化铪(HfO)、氧化锆(ZrO)、氧化钛(TiO)等。这些可以单独使用或以其组合使用。缓冲层可以具有单层结构或包括多个绝缘层的多层结构。在实施方式中,缓冲层可以在衬底110上设置在整个显示区域DA和整个非显示区域NDA中。
第一绝缘层111可以设置在有源层AL上。第一绝缘层111可以在衬底110上覆盖有源层AL。第一绝缘层111可以包括无机绝缘材料。在实施方式中,例如,第一绝缘层111可以设置在整个显示区域DA和整个非显示区域NDA中。
栅电极GE可以设置在第一绝缘层111上。栅电极GE可以与有源层AL的沟道区重叠。栅电极GE可以包括导电材料,诸如金属、合金、导电金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。导电材料的示例可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、含银合金、含铜合金、含钼合金、氮化铝(AlN)、氮化钨(WN)、氮化钛(TiN)、氮化铬(CrN)、氮化钽(TaN)、氧化锶钌(SrRuO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化铟(InO)、氧化镓(GaO)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或以其组合使用。栅电极GE可以具有单层结构或包括多个导电层的多层结构。
第二绝缘层112可以设置在栅电极GE上。第二绝缘层112可以在第一绝缘层111上覆盖栅电极GE。第二绝缘层112可以包括无机绝缘材料。在实施方式中,例如,第二绝缘层112可以设置在整个显示区域DA和整个非显示区域NDA中。
源电极SE和漏电极DE可以设置在第二绝缘层112上。源电极SE和漏电极DE可以分别连接到有源层AL的源区和漏区。源电极SE和漏电极DE中的每个可以包括导电材料。有源层AL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以一起形成薄膜晶体管TR。
第三绝缘层113可以设置在源电极SE和漏电极DE上。第三绝缘层113可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料的示例包括光致抗蚀剂、基于聚丙烯酰基的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于聚酰胺的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于环氧的树脂等。这些可以单独使用或以其组合使用。在实施方式中,第三绝缘层113可以具有包括一个或多个有机绝缘层和一个或多个无机绝缘层的多层结构。
阳极电极AE可以设置在第三绝缘层113上。阳极电极AE可以包括导电材料。阳极电极AE可以通过形成在第三绝缘层113中的接触孔连接到漏电极DE。因此,阳极电极AE可以电连接到薄膜晶体管TR。
第四绝缘层114可以设置在阳极电极AE上。第四绝缘层114可以覆盖阳极电极AE的外围部分(例如,外边缘),并且可以限定将阳极电极AE的中央部分暴露于第四绝缘层114外部的像素开口。第四绝缘层114可以包括有机绝缘材料。
发射层EL可以设置在阳极电极AE上。发射层EL可以设置在第四绝缘层114的像素开口中。在实施方式中,发射层EL可以包括有机发光材料和量子点中的至少一种。
在实施方式中,有机发光材料可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。低分子有机化合物的示例可以包括铜酞菁、N,N'-二苯基联苯胺、三(8-羟基喹啉)铝)等。高分子有机化合物的示例可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)、聚苯胺、聚对苯乙炔、聚芴等。这些可以单独使用或以其组合使用。
在实施方式中,量子点可以包括包含II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素和/或IV族化合物的核。在实施方式中,量子点可以具有包括核和围绕核的壳的核-壳结构。壳可以用作保护层,以防止核被化学变性从而保持半导体特性,并且可以用作充电层,以向量子点赋予电泳特性。
阴极电极CE可以设置在发射层EL上。阴极电极CE也可以设置在第四绝缘层114上。阴极电极CE可以包括导电材料。阳极电极AE、发射层EL和阴极电极CE可以一起形成发光元件LED。
封装层130可以设置在阴极电极CE上。封装层130可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中,封装层130包括设置在阴极电极CE上的第一无机封装层131、设置在第一无机封装层131上的有机封装层132、以及设置在有机封装层132上的第二无机封装层133。
第一焊盘部分140可以在衬底110上设置在第一焊盘区域PA1中。第二焊盘部分150可以在衬底110上设置在第二焊盘区域PA2中。第一焊盘部分140和第二焊盘部分150中的每个可以包括在第二方向D2上布置的多个焊盘电极。焊盘电极可以通过多个布线电连接到显示部分120的像素。在实施方式中,例如,焊盘电极可以设置在与源电极SE和漏电极DE相同的层上。然而,实施方式不限于此,并且焊盘电极可以设置在与诸如栅电极GE、阳极电极AE等的另外的导电层相同的层上。此外,焊盘电极可以具有包括多个导电层的多层结构。当在同一层上时,元件可以在彼此相同的层中作为同一材料层的相应部分、可以与同一下面层或同一上面层形成界面等,但不限于此。
驱动电路芯片210可以在显示面板100上设置在第一焊盘区域PA1中。即,驱动电路芯片210可以设置在显示面板100的第二区域2A上。在实施方式中,例如,驱动电路芯片210可以以塑料上芯片(COP)方法直接安装在显示面板100上。驱动电路芯片210可以电连接到第一焊盘部分140。
电路板220可以在显示面板100上设置在第二焊盘区域PA2中。即,电路板220可以在显示面板100的第二区域2A上设置成在第一方向D1上与驱动电路芯片210间隔开。电路板220可以电连接到第二焊盘部分150。
在实施方式中,电路板220可以是柔性印刷电路板(FPCB)。电路板220的第一端可以在第二焊盘区域PA2处附接到显示面板100。印刷电路板(PCB)(未示出)可以附接到电路板220的与第一端相对的第二端。
驱动电路芯片210、电路板220和印刷电路板可以向显示面板100提供驱动信号。驱动信号可以包括用于驱动显示面板100的各种电信号,诸如驱动电压、栅极信号、数据信号等。
保护层300可以设置在显示面板100下方,以保护显示面板100免受外部冲击的影响。保护层300可以限定第一开口OP1和第二开口OP2。保护层300的侧壁可以限定第一开口OP1和第二开口OP2。
第一开口OP1可以与第一焊盘区域PA1重叠(或对应于第一焊盘区域PA1)。在实施方式中,例如,保护层300可以在第一开口OP1处将衬底110的下表面暴露于保护层300的外部。
第二开口OP2可以与弯曲区域BA重叠并且在第二方向D2上延伸。保护层300可以通过第二开口OP2在其沿着第二方向D2的相对端处敞开,但不限于此。保护层300可以包括通过第二开口OP2彼此间隔开的第一部分和第二部分。即,保护层300通过第二开口OP2在弯曲区域BA处断开。保护层300的第一部分可以与第一区域1A重叠。保护层300的第二部分可以与第二区域2A重叠,并且可以在第一方向D1上与第一部分间隔开。保护层300的第二部分可以限定第一开口OP1,并且在平面图中围绕第一开口OP1(参考图3)。即,第一开口OP1可以是由保护层300的第二部分的实体部分限定的封闭开口。
在实施方式中,保护层300的上表面可以最靠近衬底110,并且可以直接接触衬底110的最远离显示部分120的下表面。在实施方式中,例如,保护层300可以通过喷墨方法形成。
在实施方式中,保护层300可以包括可光固化树脂。可光固化树脂的示例可以包括环氧丙烯酸酯树脂、聚酯丙烯酸酯树脂、氨基甲酸酯丙烯酸酯树脂、聚醚丙烯酸酯树脂、硅酮丙烯酸酯树脂、丙烯酸烷基酯树脂等,但实施方式不限于此。这些可以单独使用或以其组合使用。在实施方式中,保护层300可以包括可热固化树脂。
支承构件400可以设置在保护层300的第一开口OP1中。支承构件400可以填充保护层300的第一开口OP1。即,支承构件400可以覆盖衬底110的由第一开口OP1暴露于保护层300外部的下表面。因此,支承构件400可以防止或减少由异物通过衬底110的由第一开口OP1暴露的下表面流入显示面板100中而导致的缺陷。
支承构件400可以包括刚性材料并且可以具有刚性。在实施方式中,支承构件400可以包括玻璃。支承构件400可以包括二氧化硅玻璃。然而,实施方式不限于此,支承构件400可以包括诸如金属、合金等的另外的刚性材料。在实施方式中,衬底110和支承构件400中的每个可以具有刚性,并且支承构件400的刚性可以大于衬底110的刚性,但不限于此。
如稍后将描述的,刚性的支承构件400可以在驱动电路芯片210的结合工艺之前形成(或提供)。因此,在驱动电路芯片210的结合工艺期间,刚性的支承构件400可以在第一焊盘区域PA1处支承显示面板100,以实现低压结合。此外,当通过超声结合方法来结合驱动电路芯片210时,超声能量可以通过刚性的支承构件400充分地传递到驱动电路芯片210,并且可以使用具有基本上平坦的上表面的台(例如,图10中的刚性台500)来执行超声结合工艺。
在实施方式中,支承构件400的厚度可以与保护层300的第一开口OP1在厚度方向(例如,第三方向)上所取的深度基本上相同。即,支承构件400可以完全填充保护层300的第一开口OP1。支承构件400的厚度可以与保护层300的厚度基本上相同。保护层300和支承构件400的最远离衬底110的下表面可以彼此共面,但不限于此。在实施方式中,例如,支承构件400可以通过使用喷墨方法将液态刚性材料(例如,液体玻璃)喷射到保护层300的第一开口OP1中并固化喷射的刚性材料来形成,从而形成玻璃的支承构件。
图8至图12是示出制造(或提供)图1的显示装置10的方法中的过程的实施方式的剖视图。
参考图8,可以在包括衬底110、显示部分120、封装层130、第一焊盘部分140和第二焊盘部分150的显示面板100下方形成保护层300。
在实施方式中,保护层300可以通过喷墨方法形成在衬底110的下表面上。在实施方式中,例如,保护层300可以通过喷墨方法在显示面板100翻转使得衬底110的下表面面朝上的状态下形成,但是下面的描述将基于图8。
可以将包括可光固化树脂的油墨组合物作为喷墨提供的材料提供在衬底110的下表面上。油墨组合物可以选择性地提供在衬底110的不包括弯曲区域BA和第一焊盘区域PA1的区域中。然后,可以通过向油墨组合物照射光(例如,紫外(“UV”)光)来固化油墨组合物。因此,可以形成限定与第一焊盘区域PA1重叠的第一开口OP1和与弯曲区域BA重叠的第二开口OP2的保护层300。保护层300的最靠近衬底110的上表面可以直接接触衬底110的最远离显示部分120的下表面。
参考图9,可以在保护层300的第一开口OP1中形成刚性的支承构件400。
在实施方式中,支承构件400可以通过喷墨方法形成在保护层300的第一开口OP1中。在实施方式中,例如,支承构件400可以通过喷墨方法在显示面板100和保护层300翻转使得保护层300的下表面面朝上的状态下形成,但是下面的描述将基于图9。
可以将包括液态刚性材料的油墨组合物作为喷墨提供的材料提供到保护层300的第一开口OP1中。在实施方式中,例如,油墨组合物可以包括液体玻璃、液体金属糊剂等。
在实施方式中,可以将油墨组合物提供到第一开口OP1中以完全填充保护层300的第一开口OP1。即,设置在第一开口OP1中的油墨组合物的厚度可以与第一开口OP1的深度基本上相同。随后,可以固化油墨组合物以形成刚性的支承构件400。支承构件400的厚度可以与第一开口OP1的深度基本上相同。即,保护层300的最远离衬底110的下表面和支承构件400的最远离衬底110的下表面可以定位在基本上相同的平面上(例如,彼此共面)。
在实施方式中,支承构件400可以包括玻璃。支承构件400可以包括二氧化硅玻璃。然而,实施方式不限于此,支承构件400可以包括诸如金属、合金等的另外的刚性材料。支承构件400可以具有比衬底110和/或保护层300的刚性高的刚性,但不限于此。
参考图10,可以在第一焊盘区域PA1中将驱动电路芯片210结合在显示面板100上。
可以将刚性台500定位在保护层300和支承构件400下方。在实施方式中,刚性台500可以具有基本上平坦的上表面。刚性台500可以具有比衬底110和/或保护层300的刚性高的刚性,但不限于此。
随后,可以通过使用压缩头(未示出)将压力(或压力和热)施加到驱动电路芯片210的上表面,将驱动电路芯片210结合在显示面板100的第一焊盘区域PA1上。
在实施方式中,驱动电路芯片210可以通过超声结合方法结合在显示面板100的第一焊盘区域PA1上。在实施方式中,例如,对应于驱动电路芯片210的凸起电极(未示出)的相对窄的间距(例如,小间距),驱动电路芯片210可以通过具有高结合可靠性的超声结合方法来结合。在传统的显示装置中,如果保护层300没有限定第一开口OP1并且在衬底110下方延伸跨过第一焊盘区域PA1,由于保护层300吸收来自超声结合方法的超声能量,可能出现第一焊盘部分140的焊盘电极和驱动电路芯片210的凸起电极未与彼此结合的结合缺陷。
然而,根据一个或多个实施方式,保护层300可以限定与第一焊盘区域PA1重叠的第一开口OP1,并且刚性的支承构件400可以设置在第一开口OP1中。因此,来自超声结合方法的超声能量可以通过刚性的支承构件400在衬底110下方在第一焊盘部分140处提供的支承而被充分地传递到第一焊盘部分140的焊盘电极和驱动电路芯片210的凸起电极,从而第一焊盘部分140的焊盘电极和驱动电路芯片210的凸起电极可以被充分地结合。因此,可以改善显示装置10的可靠性。
此外,当在刚性的支承构件400填充保护层300的第一开口OP1的状态下执行驱动电路芯片210的结合工艺时,可以使用具有基本上平坦的上表面的刚性台500来执行超声结合工艺。因此,可以省略准备具有与保护层300的第一开口OP1对应的突起部的台并将该台对准成使得突起部插入到第一开口OP1中的工艺。因此,可以简化提供显示装置10的工艺,并且可以降低成本。
此外,与在具有相对低硬度(或低刚度)的保护层300支承显示面板100的第一焊盘区域PA1的状态下执行驱动电路芯片210的结合工艺时相比,当在刚性的支承构件400支承显示面板100的第一焊盘区域PA1的状态下执行驱动电路芯片210的结合工艺时,可以以相对低的压力低压结合。因此,可以防止或减少由于高压在第一焊盘区域PA1处对显示面板100造成损坏和由于高压对定位在第一焊盘区域PA1周围的部件(例如,布线)造成损坏。因此,可以改善显示装置10的可靠性。
在实施方式中,可以通过使用各向异性导电膜(ACF)的各向异性导电膜(ACF)结合方法,在第一焊盘区域PA1中将驱动电路芯片210结合在显示面板100上。即使在这种情况中,驱动电路芯片210的结合工艺可以在刚性的支承构件400支承显示面板100的第一焊盘区域PA1的状态下执行。因此,可以以相对低的压力低压结合。
参考图11,可以在第二焊盘区域PA2处将电路板220结合到显示面板100。
电路板220的第一端可以定位在第二焊盘部分150上,并且可以通过诸如通过使用压缩头(未示出)将压力(或压力和热)施加到电路板220的第一端,在第二焊盘区域PA2处将电路板220结合到显示面板100。
在实施方式中,电路板220可以通过ACF结合方法结合在显示面板100的第二焊盘区域PA2上。在实施方式中,例如,对应于电路板220的凸起电极的相对宽的间距,电路板220可以通过相对容易处理的ACF结合方法来结合。在实施方式中,当电路板220的凸起电极具有相对窄的间距(例如,小间距)时,可以通过类似于以上描述的用于结合驱动电路芯片210的超声结合方法来结合电路板220。
参考图12,可以在弯曲区域BA处将显示面板100弯曲。可以在弯曲区域BA处沿着弯曲轴线将显示面板100弯曲,使得第二区域2A沿着厚度方向定位在第一区域1A下方并且面对第一区域1A。因此,保护层300的第二部分和支承构件400可以面对保护层300的第一部分。
根据实施方式,刚性的支承构件400可以在驱动电路芯片210的结合工艺之前形成。即,可以在具有比保护层300的硬度高的硬度的刚性的支承构件400支承显示面板100的第一焊盘区域PA1的状态下执行驱动电路芯片210的结合工艺。因此,可以以相对低的压力低压结合。因此,可以改善显示装置10的可靠性。保护层300和支承构件400可以一起提供面对显示面板100的部件(例如,相应的焊盘部分、显示部分120等)且衬底110在其间的支承层。支承层可以包括与相应的焊盘部分对应的支承部分(例如,支承构件400),其具有比支承层的剩余部分(例如,保护层300的部分)的硬度(或刚度)高的硬度(或刚度)。支承部分可以与支承层的剩余部分共面。
此外,由于支承构件400覆盖显示面板100的由保护层300的第一开口OP1暴露的下表面,因而可以防止或减少由异物流入显示面板100中而导致的缺陷。因此,可以改善显示装置10的可靠性。
此外,当驱动电路芯片210通过超声结合方法结合时,超声能量可以通过在其下方刚性的支承构件400充分地传递到驱动电路芯片210,以有效地结合驱动电路芯片210。因此,可以改善显示装置10的可靠性。此外,可以使用具有基本上平坦的上表面(例如,不具有突起部501b(参见图15))的台来执行超声结合工艺。因此,可以简化提供显示装置10的工艺,并且可以降低成本。
图13是示出显示装置11的实施方式的剖视图。
除了支承构件401之外,参考图13描述的显示装置11可以与参考图1至图7描述的显示装置10基本上相同或类似。因此,将省略重复的描述。
参考图13,显示装置11可以包括显示面板100、驱动电路芯片210、电路板220、保护层300和支承构件401。
支承构件401可以设置在保护层300的第一开口OP1中。支承构件401可以包括刚性材料并且可以具有刚性。在实施方式中,支承构件401可以包括玻璃。支承构件401可以包括二氧化硅玻璃。然而,实施方式不限于此,支承构件401可以包括诸如金属、合金等的另外的刚性材料。
在实施方式中,支承构件401的厚度可以小于保护层300的第一开口OP1的深度。即,支承构件401可以部分地填充保护层300的第一开口OP1。支承构件401的厚度可以小于保护层300的厚度。支承构件401可以相对于保护层300的第二部分形成与第一焊盘区域PA1对应的凹陷部。
图14至图17是示出制造(或提供)图13的显示装置11的方法中的过程的实施方式的剖视图。
参考图8,可以在包括衬底110、显示部分120、封装层130、第一焊盘部分140和第二焊盘部分150的显示面板100下方形成保护层300。保护层300可以通过与参考图8描述的方法相同的方法形成。
随后,可以在保护层300的第一开口OP1中形成刚性的支承构件401。
在实施方式中,支承构件401可以通过喷墨方法形成在保护层300的第一开口OP1中。在实施方式中,例如,支承构件401可以通过喷墨方法在显示面板100和保护层300翻转使得保护层300的下表面面朝上的状态下形成,但是下面的描述将基于图14。
可以将包括液态刚性材料的油墨组合物提供到保护层300的第一开口OP1中。在实施方式中,例如,油墨组合物可以包括液体玻璃、液体金属糊剂等。
在实施方式中,可以将油墨组合物提供到第一开口OP1中以部分地填充保护层300的第一开口OP1。即,设置在第一开口OP1中的油墨组合物的厚度可以小于第一开口OP1的深度。随后,可以固化油墨组合物以形成刚性的支承构件401。支承构件401的厚度可以小于第一开口OP1的深度。即,第一开口OP1的最远离衬底110的下部分可以不被支承构件401填充。在第一焊盘区域PA1处,支承构件401的下表面可以比保护层300的下表面更靠近衬底110。即,支承层的支承部分(例如,支承构件401)可以相对于支承层的剩余部分(例如,保护层300的部分)在第一焊盘区域PA1处凹陷。
在实施方式中,支承构件401可以包括玻璃。支承构件401可以包括二氧化硅玻璃。然而,实施方式不限于此,并且支承构件401可以包括诸如金属、合金等的另外的刚性材料。
参考图15,可以在第一焊盘区域PA1中将驱动电路芯片210结合在显示面板100上。
可以将刚性台501定位在保护层300和支承构件401下方。
在实施方式中,刚性台501可以包括主体501a和从主体501a向上且朝向衬底110突出的突起部501b。刚性台501的突起部501b可以具有与第一开口OP1对应的形状,以便可插入到保护层300的第一开口OP1中。刚性台501可以在保护层300和支承构件401下方定位成使得突起部501b在第一开口OP1处与保护层300接合。刚性台501的突起部501b的上表面(例如,突起部501b的远端)可以接触支承构件401的下表面,其中支承构件401的下表面沿着厚度方向与保护层300的下表面间隔开。
在实施方式中,例如,支承构件401的厚度和刚性台501的突起部501b的厚度之和可以与保护层300的第一开口OP1的深度基本上相同。即,当刚性台501的突起部501b插入到保护层300的第一开口OP1中,使得突起部501b的上表面接触支承构件401的下表面时,主体501a的上表面可以接触保护层300的下表面。
随后,可以将驱动电路芯片210定位在第一焊盘部分140上,并且可以通过使用压缩头(未示出)将压力(或压力和热)施加到驱动电路芯片210的上表面,在第一焊盘区域PA1中将驱动电路芯片210结合在显示面板100上。在实施方式中,驱动电路芯片210可以通过超声结合方法在第一焊盘区域PA1中结合在显示面板100上。在实施方式中,可以通过ACF结合方法在第一焊盘区域PA1中将驱动电路芯片210结合在显示面板100上。
参考图16,可以在第二焊盘区域PA2中将电路板220结合在显示面板100上。
电路板220的第一端可以定位在第二焊盘部分150上,并且可以通过使用压缩头(未示出)将压力(或压力和热)施加到电路板220的第一端,在第二焊盘区域PA2中将电路板220结合在显示面板100上。
参考图17,可以将显示面板100弯曲。可以沿着弯曲轴线将显示面板100的弯曲区域BA弯曲,使得第二区域2A定位在第一区域1A下方。因此,保护层300的第二部分和支承构件401可以面对保护层300的第一部分。
根据实施方式,刚性的支承构件401可以形成为部分地填充保护层300的第一开口OP1。因此,可以减少用于形成支承构件401的刚性材料的量,从而可以降低成本。此外,可以确保用于支承构件401的厚度管理的工艺裕量。
此外,刚性的支承构件401可以在驱动电路芯片210的结合工艺之前形成。即,可以在具有比保护层300相对高的硬度的刚性的支承构件401支承显示面板100的第一焊盘区域PA1的状态下执行驱动电路芯片210的结合工艺。因此,可以以相对低的压力低压结合。因此,可以改善显示装置11的可靠性。
此外,由于支承构件401覆盖显示面板100的由保护层300的第一开口OP1暴露的下表面,因此可以防止或减少由异物流入显示面板100中而导致的缺陷。因此,可以改善显示装置11的可靠性。
此外,当驱动电路芯片210通过超声结合方法结合时,超声能量可以通过刚性的支承构件401在其下方的支承充分地传递到驱动电路芯片210,以有效地结合驱动电路芯片210。因此,可以改善显示装置11的可靠性。
图18是示出显示装置12的实施方式的剖视图。
除了保护膜PF之外,参考图18描述的显示装置12可以与参考图1至图7描述的显示装置10基本上相同或类似。因此,将省略重复的描述。
参考图18,显示装置12可以包括显示面板100、驱动电路芯片210、电路板220、保护膜PF和支承构件400。
保护膜PF可以附接在显示面板100下方,以保护显示面板100免受外部冲击的影响。保护膜PF可以包括保护层301和粘合剂层ADL。
在实施方式中,保护层301可以包括柔性聚合物材料。聚合物材料的示例可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚砜(PSul)、聚乙烯(PE)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚氧化亚碳酸酯(PCO)、改性聚苯醚(MPPO)等,但实施方式不限于此。这些可以单独使用或以其组合使用。
保护层301可以通过粘合剂层ADL附接在衬底110下方。即,保护层301可以与衬底110间隔开,且粘合剂层ADL插置在其间。粘合剂层ADL的上表面可以接触衬底110的下表面,并且粘合剂层ADL的下表面可以接触保护层301的上表面。在实施方式中,例如,粘合剂层ADL可以包括压敏粘合剂(PSA)、光学透明粘合剂(OCA)、光学透明树脂(OCR)等。
保护膜PF可以限定第一开口OP1和第二开口OP2。在实施方式中,例如,保护层301和粘合剂层ADL中的每个可以限定第一开口OP1的一部分和第二开口OP2的一部分。即,保护层301和粘合剂层ADL可以具有基本上相同的平面形状。在实施方式中,例如,可以切割保护层301和粘合剂层ADL中的每个并将其附接在衬底110下方。
支承构件400可以设置在保护膜PF的第一开口OP1中。支承构件400的上表面可以接触衬底110的下表面。支承构件400的外表面可以接触粘合剂层ADL的限定第一开口OP1的内表面(例如,侧壁)和保护层301的限定第一开口OP1的内表面(例如,侧壁)。
在实施方式中,如图18中所示,支承构件400的厚度可以与保护膜PF的第一开口OP1的深度基本上相同。即,支承构件400可以完全填充保护膜PF的第一开口OP1。支承构件400的厚度可以与保护层301的厚度和粘合剂层ADL的厚度之和基本上相同。
在实施方式中,虽然在附图中未示出,但是支承构件400的厚度可以小于保护膜PF的第一开口OP1的深度。即,支承构件400可以部分地填充保护膜PF的第一开口OP1。支承构件400的厚度可以小于保护层301的厚度和粘合剂层ADL的厚度之和。
图19是示出显示装置13的实施方式的剖视图。
除了保护层302、第一支承构件410和第二支承构件420之外,参考图19描述的显示装置13可以与参考图1至图7描述的显示装置10基本上相同或类似。因此,将省略重复的描述。
参考图19,显示装置13可以包括显示面板100、驱动电路芯片210、电路板220、保护层302、第一支承构件410和第二支承构件420。
保护层302可以限定第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3(例如,多个开口)。第一开口OP1可以与第一焊盘区域PA1重叠。第二开口OP2可以与弯曲区域BA重叠。第三开口OP3可以与第二焊盘区域PA2重叠。即,多个开口可以分别对应于多个焊盘区域。
第一支承构件410可以设置在保护层302的第一开口OP1中。第二支承构件420可以设置在保护层302的第三开口OP3中。
第一支承构件410和第二支承构件420中的每个可以包括刚性材料并且可以具有刚性。在实施方式中,第一支承构件410和第二支承构件420可以包括相同的材料。在实施方式中,例如,第一支承构件410和第二支承构件420中的每个可以包括玻璃。第一支承构件410和第二支承构件420中的每个可以包括二氧化硅玻璃。然而,实施方式不限于此,并且第一支承构件410和第二支承构件420中的每个可以包括诸如金属、合金等的另外的刚性材料。
在实施方式中,第一支承构件410和第二支承构件420可以基本上同时形成。在实施方式中,例如,第一支承构件410和第二支承构件420可以通过使用喷墨方法将液态刚性材料(例如,液体玻璃)分别喷射到保护层302的第一开口OP1和第三开口OP3中并固化喷射的材料而基本上同时形成。第一支承构件410和第二支承构件420可以在将驱动电路芯片210和电路板220结合到显示面板100的结合工艺之前形成。
根据实施方式,可以在刚性的第一支承构件410支承显示面板100的第一焊盘区域PA1的状态下执行驱动电路芯片210的结合工艺,并且可以在刚性的第二支承构件420支承显示面板100的第二焊盘区域PA2的状态下执行电路板220的结合工艺。因此,在电路板220的结合工艺中,可以以相对低的压力低压结合。此外,电路板220可以通过超声结合方法结合。
图20是示出电子装置900的实施方式的框图。
参考图20,在实施方式中,电子装置900可以包括处理器910、存储器装置920、储存装置930、输入/输出(“I/O”)装置940、电源950和显示装置960。这里,显示装置960可以对应于参考图1至图7描述的显示装置10、参考图13描述的显示装置11、参考图18描述的显示装置12、或参考图19描述的显示装置13。电子装置900还可以包括用于与视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(USB)装置等通信的多个端口。在实施方式中,电子装置900可以实施为电视。在实施方式中,电子装置900可以实施为智能电话。然而,实施方式不限于此,在实施方式中,电子装置900可以实施为蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板个人计算机(“PC”)、汽车导航系统、计算机显示屏、膝上型计算机、头戴式(例如,头部安装式)显示器(“HMD”)等。
处理器910可以执行各种计算功能。在实施方式中,处理器910可以是微处理器、中央处理单元(“CPU”)、应用处理器(“AP”)等。处理器910可以经由地址总线、控制总线、数据总线等联接到其它部件。在实施方式中,处理器910可以联接到扩展总线,诸如外围部件互连(“PCI”)总线。
存储器装置920可以存储用于电子装置900的操作的数据。在实施方式中,存储器装置920可以包括至少一个非易失性存储器装置(诸如,可擦除可编程只读存储器(“EPROM”)装置、电可擦除可编程只读存储器(“EEPROM”)装置、闪速存储器装置、相变随机存取存储器(“PRAM”)装置、电阻随机存取存储器(“RRAM”)装置、纳米浮栅存储器(“NFGM”)装置、聚合物随机存取存储器(“PoRAM”)装置、磁随机存取存储器(“MRAM”)装置、铁电随机存取存储器(“FRAM”)装置等)和/或至少一个易失性存储器装置(诸如,动态随机存取存储器(“DRAM”)装置、静态随机存取存储器(“SRAM”)装置、移动DRAM装置等)。
在实施方式中,储存装置930可以包括固态驱动(“SSD”)装置、硬盘驱动(“HDD”)装置、CD-ROM装置等。在实施方式中,I/O装置940可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等的输入装置、以及诸如打印机、扬声器等的输出装置。
电源950可以为电子装置900的操作提供电力。显示装置960可以经由总线或其它通信链路联接到其它部件。在实施方式中,显示装置960可以包括在I/O装置940中。
虽然本文中已经描述了实施方式和实现方式,但是根据该描述,其它实施方式和修改将是显而易见的。因此,本发明不限于这些实施方式,而是受限于所附权利要求和多种明显修改以及如将对本领域普通技术人员显而易见的等同布置的更宽泛范围。
Claims (10)
1.显示装置,包括显示区域和与所述显示区域相邻的焊盘区域,所述显示装置包括:
衬底;
显示部分,在所述衬底上,在所述显示区域中;
驱动电路芯片,在所述衬底上,在所述焊盘区域中;
保护层,面对所述显示部分且所述衬底在所述保护层和所述显示部分之间,并且限定与所述焊盘区域对应的第一开口;以及
支承构件,包括玻璃,在所述保护层的所述第一开口中,并且面对所述驱动电路芯片且所述衬底在所述支承构件和所述驱动电路芯片之间。
2.提供显示装置的方法,所述方法包括:
提供衬底,在所述衬底上在显示区域中设置有显示部分并且在与所述显示区域相邻的焊盘区域中设置有驱动电路芯片;
提供保护层,所述保护层面对所述显示部分且所述衬底在所述保护层和所述显示部分之间,所述保护层具有刚性并限定与所述焊盘区域对应的第一开口;
提供支承构件,所述支承构件在所述保护层的所述第一开口中,并且面对所述驱动电路芯片且所述衬底在所述支承构件和所述驱动电路芯片之间,所述支承构件具有比所述保护层的所述刚性大的刚性;以及
提供所述驱动电路芯片与所述衬底在所述焊盘区域中的结合,所述驱动电路芯片面对所述支承构件且所述衬底在所述支承构件和所述驱动电路芯片之间。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,提供所述支承构件包括:将液体玻璃提供到所述保护层的所述第一开口中并将所提供的液体玻璃固化。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述保护层的所述第一开口将所述衬底暴露于所述保护层的外部。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,
所述保护层的所述第一开口具有深度,
所述支承构件具有厚度,以及
所述支承构件的所述厚度与所述保护层的所述第一开口的所述深度相同。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括提供面对所述衬底的台,且所述保护层和所述支承构件两者在所述衬底和所述台之间,
其中,所述台的最靠近所述衬底的上表面是平坦的。
7.根据权利要求2所述的方法,其中,
所述保护层的所述第一开口具有深度,
所述支承构件具有厚度,以及
所述支承构件的所述厚度小于所述保护层的所述第一开口的所述深度。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括提供面对所述衬底的台,且所述保护层和所述支承构件两者在所述衬底和所述台之间,
其中,
所述第一开口具有形状;
所述台包括具有与所述保护层的所述第一开口的所述形状对应的形状的突起部,以及
提供面对所述衬底的所述台包括:将所述突起部插入到所述保护层的所述第一开口中。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,
所述台的所述突起部具有厚度,以及
所述支承构件的所述厚度和所述台的所述突起部的所述厚度之和与所述保护层的所述第一开口的所述深度相同。
10.根据权利要求2所述的方法,其中,提供所述驱动电路芯片的所述结合包括:在所述焊盘区域中将所述驱动电路芯片超声结合到所述衬底。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0106515 | 2021-08-12 | ||
KR1020210106515A KR20230025547A (ko) | 2021-08-12 | 2021-08-12 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115707306A true CN115707306A (zh) | 2023-02-17 |
Family
ID=85176568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210649070.4A Pending CN115707306A (zh) | 2021-08-12 | 2022-06-09 | 显示装置及其提供方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230051284A1 (zh) |
KR (1) | KR20230025547A (zh) |
CN (1) | CN115707306A (zh) |
-
2021
- 2021-08-12 KR KR1020210106515A patent/KR20230025547A/ko active Search and Examination
-
2022
- 2022-06-09 CN CN202210649070.4A patent/CN115707306A/zh active Pending
- 2022-06-14 US US17/839,910 patent/US20230051284A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230025547A (ko) | 2023-02-22 |
US20230051284A1 (en) | 2023-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11687199B2 (en) | Touch sensing unit and display device including the same | |
CN112687702A (zh) | 显示设备 | |
KR102555446B1 (ko) | 표시 장치 | |
US11237688B2 (en) | Touch sensing unit, display device including the touch sensing unit, and method of aging the touch sensing unit | |
US12106721B2 (en) | Display device | |
US11150753B2 (en) | Display device including a touch detecting unit having an insulating pattern | |
US20240179977A1 (en) | Display device and method of providing the same | |
US20220231110A1 (en) | Display device | |
JP2008090147A (ja) | 接続端子基板及びこれを用いた電子装置 | |
US20230051284A1 (en) | Display device and method of providing the same | |
KR20210057856A (ko) | 표시 장치 | |
CN113035908B (zh) | 有机发光显示装置 | |
CN113875014A (zh) | 显示面板和包括该显示面板的显示装置 | |
US20230063225A1 (en) | Display panel and display device including the same | |
CN218649159U (zh) | 显示设备 | |
US20220344618A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US20230180556A1 (en) | Display panel and display device including the same | |
US11793025B2 (en) | Display device including cavity at border portion | |
US20230189585A1 (en) | Display panel and method for fabricating the same | |
KR20220043560A (ko) | 플렉서블 표시장치 | |
CN115720462A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
CN115715119A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |