CN115715119A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种显示装置，所述显示装置包括基底、导电层和像素限定层。所述基底包括包含像素的第一显示区域、包含像素的第二显示区域以及形成在所述第二显示区域的所述像素之间的透射区域。所述导电层在所述第二显示区域中设置在所述透射区域的外部。所述像素限定层与所述导电层重叠，并且设置为使得所述像素限定层的与所述透射区域相邻的端部和所述导电层的与所述透射区域相邻的端部基本上对齐。
Description
技术领域
本发明构思涉及一种显示装置。更具体地，本发明构思涉及一种包括导电层的显示装置。
背景技术
显示装置以各种方式被制造和使用。显示装置可以显示图像以将视觉信息提供给用户。显示装置可以包括使用液晶层来发射光的液晶显示装置、使用无机发光材料来发射光的无机发光显示装置以及使用有机发光材料来发射光的有机发光显示装置。
显示装置不仅通过发射光来显示图像，而且识别光并将光的信息存储为图像。例如，设置在显示装置中的功能模块可以识别光和存储光的信息。在这种情况下，可以在显示装置中形成用于功能模块以识别光的空间，并且因此，显示装置的发射光的显示区域的面积可能减小。
近来，已经进行了研究以在不减小显示装置的发射光的显示区域的面积的情况下通过功能模块识别外部光。
发明内容
显示装置的实施例可以包括：基底，包括包含像素的第一显示区域、包含像素的第二显示区域和形成在所述第二显示区域的所述像素之间的透射区域；导电层，在所述第二显示区域中设置在所述透射区域的外部；以及像素限定层，与所述导电层重叠，并且设置为使得所述像素限定层的与所述透射区域相邻的端部和所述导电层的与所述透射区域相邻的端部基本上对齐。
在实施例中，所述像素限定层可以包括黑色有机颜料。
在实施例中，所述黑色有机颜料可以包括内酰胺基颜料。
在实施例中，所述像素限定层的所述端部和所述导电层的所述端部可以与从所述基底以直角延伸的线对齐。
在实施例中，所述像素限定层的所述端部可以相对于与所述导电层的所述端部对齐且从所述基底以直角延伸的线突出到所述透射区域中。
在实施例中，所述像素限定层的所述端部的可以突出到所述透射区域中的部分的长度不超过大约2微米。
在实施例中，所述像素限定层的所述端部可以相对于与所述导电层的所述端部对齐且从所述基底以直角延伸的线与所述透射区域间隔开。
在实施例中，所述像素限定层的所述端部的可以与所述透射区域间隔开的部分的长度不超过大约2微米。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：阴极电极，设置在所述像素限定层上，以与所述第二显示区域重叠并且不与所述透射区域重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：多个无机绝缘层，设置在所述导电层上，以与所述第二显示区域重叠并且不与所述透射区域重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：第一有机绝缘层，设置在所述多个无机绝缘层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸以也与所述透射区域重叠；以及第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，以与所述第二显示区域和所述透射区域重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：多个无机绝缘层，设置在所述导电层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸使得所述多个无机绝缘层的端部与所述透射区域的一部分重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：第一有机绝缘层，设置在所述多个无机绝缘层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸以也与所述透射区域重叠；以及第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，以与所述第二显示区域和所述透射区域重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：第一无机绝缘层，设置在所述导电层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸使得所述第一无机绝缘层的端部与所述透射区域的一部分重叠；以及第二无机绝缘层，设置在所述第一无机绝缘层上，以与所述第二显示区域重叠并且不与所述透射区域重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：第一有机绝缘层，设置在所述第二无机绝缘层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸以也与所述透射区域重叠；以及第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，以与所述第二显示区域和所述透射区域重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：驱动元件，设置在所述基底的第一显示区域和第二显示区域上；以及发光元件，设置在所述驱动元件上，并且电连接到所述驱动元件。
在实施例中，所述发光元件可以包括：阳极电极，电连接到所述驱动元件；发光层，设置在所述阳极电极上；以及阴极电极，设置在所述发光层和所述像素限定层上，在所述第一显示区域和所述第二显示区域中与所述像素限定层重叠，并且不与所述透射区域重叠。
显示装置的实施例可以包括：基底，包括包含多个像素的第一显示区域、以及包含多个像素的第二显示区域和形成在所述第二显示区域的所述多个像素之间的透射区域；导电层，设置在所述基底的所述第二显示区域上，并且不设置在所述透射区域上；以及像素限定层，在所述导电层上与所述导电层重叠，并且设置为使得所述像素限定层的与所述透射区域相邻的端部和所述导电层的与所述透射区域相邻的端部对齐。
将理解的是，前述一般描述和以下详细描述两者是说明性的，并且旨在提供对本发明构思的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明构思的实施例，并且与本描述一起用于说明实施例。
图1是示出显示装置的实施例的平面图。
图2是图1的显示装置的显示区域的部分A的放大图。
图3是示出沿着图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
图4是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。
图5是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。
图6是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。
图7是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。
图8是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。
图9是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。
图10、图11、图12和图13是示出激光照射到阴极电极的实施例的截面图。
图14、图15和图16是示意性地示出与图2的线II-II'相邻的区域的平面图。
图17是示出根据实施例的电子装置的框图。
图18是示出图17的电子装置被实现为电视机的实施例的视图。
图19是示出图17的电子装置被实现为智能电话的实施例的视图。
具体实施方式
显示装置的实施例包括用于诸如相机的功能模块的透射区域，其中，所述透射区域具有改善的光透射。在制造期间，可以使用激光通过照射透射区域中的阴极电极来去除延伸到透射区域中或覆盖透射区域的阴极电极。通过使像素限定层的端部和导电层的端部在透射区域的边缘处基本上对齐，可以改善光透射。
现在将在下文中参照附图更充分地描述本发明构思的实施例。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为局限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明构思的范围。同样的附图标记始终指代同样的元件。如本文中所使用的，附图标记可以指示单数元件或多个元件。例如，在附图内标记单数形式的元件的附图标记可以在说明书的文本内用于引用多个单数元件。
从以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
图1是示出显示装置的实施例的平面图。
参照图1，显示装置可以包括显示区域DA1和DA2以及非显示区域NDA。
显示装置可以在显示区域DA1和DA2中显示图像。为此，多个像素P可以设置在显示区域DA1和DA2中。多个像素P可以以各种方式布置。例如，多个像素P通常可以以矩阵形式设置在显示区域DA1和DA2中。
第一显示区域DA1的每单位面积设置的像素P的数量可以不同于第二显示区域DA2的每单位面积设置的像素P的数量。在一些实施例中，第二显示区域DA2可以是设置有功能模块的区域。由于光需要被传输到功能模块，因此与设置在第一显示区域DA1的单位面积中的像素P的数量相比，较小数量的像素P可以设置在第二显示区域DA2的单位面积中。第二显示区域DA2之中的未设置有像素P的区域可以被限定为透射区域TA(参见图2)。为此，透射区域TA的布置结构可以不同于第二显示区域DA2中的布置有像素P的区域的结构。
驱动器可以设置在非显示区域NDA中。驱动器可以是辅助驱动像素P以显示图像的组件。例如，驱动器可以包括数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和驱动芯片等。
尽管在图1中以倒圆的形状示出了显示装置的每个角，但是显示装置的形状可以不限于此。例如，显示装置的每个角可以具有成角度的形状。可选地，显示装置可以具有整体圆形的形状。
图2是图1的显示装置的显示区域的部分A的放大图。
参照图2，第二显示区域DA2可以被限定为其中每单位面积的像素P少于第一显示区域DA1中的每单位面积的像素P的区域。第二显示区域DA2内的未设置有像素P的区域可以被限定为透射区域TA。
与其它区域相比，透射区域TA可以具有改善的透射率。为此，透射区域TA可以具有比其它区域少的组件。
图3是示出沿着图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
参照图3，显示装置可以包括基底SUB、导电层BML、缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、晶体管、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、第二栅极电极GAT2、第一贯通绝缘层VIA1、第二贯通绝缘层VIA2、第一连接电极CE1、像素限定层PDL和发光元件EE。晶体管可以包括有源层ACT、第一栅极电极GAT1、源极电极SE和漏极电极DE。发光元件EE可以包括阳极电极ANO、发光层EL和阴极电极CATH。
基底SUB可以包括玻璃或塑料。例如，当基底SUB包括玻璃时，显示装置可以具有刚性特性。可选地，当基底SUB包括塑料时，显示装置可以具有柔性特性。塑料的示例包括聚酰亚胺等。基底SUB可以具有多个层堆叠的结构。例如，基底SUB可以具有第一基体基底、第一阻挡层、第二基体基底和第二阻挡层依次堆叠的结构。通过这种方式，基底SUB可以保护设置在基底SUB上的组件免受外部异物的影响或免受冲击。在这种情况下，第一基体基底和第二基体基底可以包括玻璃或塑料。第一阻挡层和第二阻挡层可以包括无机绝缘材料。基底SUB可以包括第一显示区域DA1。
导电层BML可以设置在基底SUB上。导电层BML可以包括导电材料。例如，导电层BML可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。导电层BML可以设置为与有源层ACT重叠，并且可以用作保护层以防止构成晶体管的有源层ACT的电特性的劣化。例如，在显示装置的制造过程中，晶体管可以被保护免受从基底SUB的下部引入的激光L(参见图4)或湿气的影响。具体地，当从基底SUB的下部照射的激光L入射到晶体管的有源层ACT中时，导电层BML可以使晶体管的阈值电压中的波动最小化。导电层BML可以由具有低透光率的金属形成。例如，导电层BML可以包括钼(Mo)。导电层BML通常设置在基底SUB上，并且可以用于阻挡从底部入射的光。
缓冲层BUF可以设置在导电层BML上。缓冲层BUF可以包括绝缘材料。可以用作缓冲层BUF的绝缘材料的示例可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。缓冲层BUF可以防止金属原子或杂质从基底SUB扩散到晶体管。在一些实施例中，缓冲层BUF可以在用于形成有源层ACT的结晶工艺期间控制热传递率。
有源层ACT可以设置在缓冲层BUF上。在实施例中，有源层ACT可以由硅半导体或氧化物半导体形成。
可以用于硅半导体的材料的示例可以包括非晶硅和多晶硅等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。
可以用作氧化物半导体的材料的示例可以包括氧化锌(ZnOx)、氧化镓(GaOx)、氧化钛(TiOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌镁(ZMO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌锆(ZZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓铪(IGHO)、氧化锡铝锌(TAZO)、氧化铟镓锡(IGTO)等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。
栅极绝缘层GI可以覆盖有源层ACT并且可以设置在缓冲层BUF上。栅极绝缘层GI可以由绝缘材料形成。例如，可以用作栅极绝缘层GI的绝缘材料的示例可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。
第一栅极电极GAT1可以设置在栅极绝缘层GI上。当信号施加到第一栅极电极GAT1时，有源层ACT被激活以允许信号流过晶体管。第一栅极电极GAT1可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。例如，可以用作第一栅极电极GAT1的材料的示例可以包括银(Ag)、包含银的合金、钼(Mo)、包含钼的合金、铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。
第一层间绝缘层ILD1可以覆盖第一栅极电极GAT1并且可以设置在栅极绝缘层GI上。第一层间绝缘层ILD1可以由绝缘材料形成。第一层间绝缘层ILD1可以与栅极绝缘层GI由基本上相同的材料形成。
第二栅极电极GAT2可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。第二栅极电极GAT2可以与第一栅极电极GAT1由基本上相同的材料形成。第二栅极电极GAT2可以用于传输从驱动器传输的信号。可选地，第二栅极电极GAT2可以与同第一栅极电极GAT1设置在同一层上的电极一起构成电容器。上述晶体管和电容器可以分别被限定为用于驱动发光元件的驱动元件。
第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第二栅极电极GAT2并且可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。第一层间绝缘层ILD1可以由绝缘材料形成。第二层间绝缘层ILD2可以与第一层间绝缘层ILD1由基本上相同的材料形成。
源极电极SE和漏极电极DE可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。源极电极SE和漏极电极DE可以接触有源层ACT。源极电极SE和漏极电极DE可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。
第一贯通绝缘层VIA1可以覆盖源极电极SE和漏极电极DE，并且可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。第一贯通绝缘层VIA1可以由有机绝缘材料形成。例如，可以用作第一贯通绝缘层VIA1的材料的示例可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂和丙烯酸树脂等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。
第一连接电极CE1可以设置在第一贯通绝缘层VIA1上。第一连接电极CE1可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。第一连接电极CE1可以用于连接漏极电极DE和发光装置EE。
第二贯通绝缘层VIA2可以覆盖第一连接电极CE1并且可以设置在第一贯通绝缘层VIA1上。第二贯通绝缘层VIA2可以与第一贯通绝缘层VIA1由基本上相同的材料形成。
通过将第一贯通绝缘层VIA1和第二贯通绝缘层VIA2一起设置，可以在设置有第一贯通绝缘层VIA1和第二贯通绝缘层VIA2的区域中降低透射率。因此，偏振层可以不附加地设置在显示装置上。
阳极电极ANO可以设置在第二贯通绝缘层VIA2上。阳极电极ANO可以通过经由接触孔连接到第一连接电极CE1而连接到晶体管，该接触孔通过去除第二贯通绝缘层VIA2的一部分而形成。阳极电极ANO可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。
像素限定层PDL可以设置在第二贯通绝缘层VIA2上，以暴露阳极电极ANO。像素限定层PDL可以包括暴露阳极电极ANO的开口。像素限定层PDL可以由有机材料形成。例如，可以用作像素限定层PDL的材料的示例可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂(具体地，光敏聚酰亚胺树脂(PSPI))、丙烯酸树脂和黑色有机颜料等。这些材料可以单独使用或彼此组合使用。优选地，黑色有机颜料可以用作像素限定层PDL的材料，并且黑色有机颜料的示例可以包括内酰胺基颜料。
发光层EL可以设置在阳极电极ANO上。发光层EL可以在开口中接触阳极电极ANO。在一些实施例中，发光层EL可以包括发射红光的有机发光层、发射绿光的有机发光层或发射蓝光的有机发光层。此外，发光层EL可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层。
阴极电极CATH可以设置在发光层EL上。阴极电极CATH可以设置为覆盖发光层EL和像素限定层PDL。阴极电极CATH通常可以设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2(参见图4)中。然而，阴极电极CATH可以不设置在透射区域TA(参见图2)中。阴极电极CATH可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。
尽管为了便于说明而未示出，但是显示装置可以进一步包括保护发光元件EE免受对发光元件EE的外部冲击的封装层、检测触摸的触摸感测层以及设置在发光元件EE的最外侧上的覆盖窗。
图4是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。
参照图4，显示装置可以包括基底SUB、导电层BML、缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、第二连接电极CE2、第三连接电极CE3、第四连接电极CE4、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、第一贯通绝缘层VIA1、第二贯通绝缘层VIA2、像素限定层PDL和阴极电极CATH。
基底SUB可以包括第二显示区域DA2和透射区域TA。基底SUB还可以包括第一显示区域DA1(参见图3)，并且第一显示区域DA1可以与第二显示区域DA2相邻。但是，在图4至图9中，仅示出了第二显示区域DA2和透射区域TA。
导电层BML可以设置在基底SUB上。导电层BML可以由具有低透光率的材料形成，并且因此，透射区域TA和第二显示区域DA2的剩余部分/像素之间的边界可以由导电层BML确定。设置有导电层BML的端部的区域可以被限定为第二显示区域DA2的剩余部分/像素与透射区域TA之间的边界。
如图4中所示，除了缓冲层BUF之外的无机绝缘层(例如，绝缘层GI、ILD1、ILD2)可以不设置在透射区域TA中。然而，这仅是示例，并且缓冲层BUF也可以形成为不设置在透射区域TA中。由于透射区域TA是透射率应该高的区域，因此可以不设置无机绝缘层。
已经参照图3描述了设置在基底SUB上的导电层BML、缓冲层BUF和绝缘层GI、ILD1、ILD2、VIA1和VIA2，并且将省略重复的配置的描述。
第二连接电极CE2可以设置在栅极绝缘层GI上。第二连接电极CE2可以用于传输信号。第二连接电极CE2与参照图3描述的第一栅极电极GAT1可以设置在同一层上并且可以由相同的材料同时形成。
第三连接电极CE3可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。第三连接电极CE3可以用于传输信号。第三连接电极CE3与参照图3描述的第二栅极电极GAT2可以设置在同一层上并且可以由相同的材料同时形成。
第四连接电极CE4可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。第四连接电极CE4可以用于传输信号。第四连接电极CE4与参照图3描述的源极电极SE和漏极电极DE可以设置在同一层上并且可以由相同的材料同时形成。
在显示装置的制造工艺期间，激光装置可以从基底SUB的下部照射激光L以去除设置在透射区域TA中的阴极电极CATH。在这种情况下，由于导电层BML设置在与第二显示区域DA2重叠的区域中，因此激光L可以被导电层BML阻挡。然而，激光L可能在透射区域TA与第二显示区域DA2的剩余部分/像素之间的边界处衍射到第二显示区域DA2中。此时，由于光的强度减弱，因此衍射的激光L可能无法完全去除阴极电极CATH。因此，可能残留阴极电极CATH的残留物，这可能在显示装置中导致诸如短路和缺陷间隙的问题。
当像素限定层PDL延伸到第二显示区域DA2的剩余部分/像素与透射区域TA之间的边界使得像素限定层PDL的端部与导电层BML的端部基本上对齐时，可以防止衍射的激光L传播到阴极电极CATH。因此，可以防止产生阴极电极CATH的残留物。虽然图4示出了像素限定层PDL的端部和导电层BML的端部设置在同一条线上(例如，像素限定层PDL的端部和导电层BML的端部与从基底SUB以直角延伸的线对齐)的实施例，但是这是说明性的，并且像素限定层PDL的端部与导电层BML的端部基本上对齐的实施例不限于此。
图5是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。除了像素限定层PDL的端部突出到透射区域TA中之外，图5可以与图4基本上相同。因此，将省略重复的配置的描述。
参照图5，像素限定层PDL也可以部分地设置在透射区域TA中。在这种情况下，像素限定层PDL可以在比图4的像素限定层PDL的范围相对宽的范围中阻挡入射到透射区域TA的激光L之中的衍射的激光L。
在一些实施例中，作为像素限定层PDL的端部之中的与透射区域TA重叠的部分的第一长度D1可以是大约2微米或更小。在这种情况下，像素限定层PDL可以在确保透射区域TA的透射率的同时有效地阻挡衍射的激光L。
图6是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。除了像素限定层PDL的端部与透射区域TA间隔开之外，图6可以与图4基本上相同。因此，将省略重复的配置的描述。
参照图6，像素限定层PDL的端部可以与第二显示区域DA2重叠并且与透射区域TA间隔开第二长度D2。第二长度D2可以是大约2微米或更小。在这种情况下，即使当像素限定层PDL的端部由于工艺误差而进一步在朝向透射区域TA的方向上形成时，像素限定层PDL也可以不与透射区域TA重叠。因此，即使当发生工艺误差时，也可以防止透射区域TA的透射率降低。
图7是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。除了绝缘层GI、ILD1、ILD2也部分地设置在透射区域TA中之外，图7可以与图4基本上相同。因此，将省略重复的配置的描述。
图8是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。除了绝缘层GI、ILD1、ILD2也部分地设置在透射区域TA中之外，图8可以与图5基本上相同。因此，将省略重复的配置的描述。
图9是示出沿着图2的线II-II'截取的截面的实施例的截面图。除了绝缘层GI、ILD1、ILD2也部分地设置在透射区域TA中之外，图9可以与图6基本上相同。因此，将省略重复的配置的描述。
图10、图11、图12和图13是示出激光照射到阴极电极的实施例的截面图。
参照图10和图11，由于形成阴极电极CATH的工艺的特性，阴极电极CATH也可能形成在透射区域TA中。在这种情况下，阴极电极CATH可能降低透射区域TA的透射率。因此，激光装置照射单独的激光L以去除阴极电极CATH的与透射区域TA重叠的部分。
参照图12和图13，阴极电极CATH的被激光L照射到的部分可以被激光L去除。因此，如图13中所示，阴极电极CATH不残留在透射区域TA中，使得显示装置可以确保透射区域TA中的透射率。
图14、图15和图16是示意性地示出与图2的线II-II'相邻的区域的平面图。
参照图4和图14，导电层BML可以设置在第二显示区域DA2中。导电层BML可以用于阻挡入射光。因此，第二显示区域DA2和透射区域TA可以由导电层BML划分。也就是说，导电层BML的端部EDL2可以对应于第二显示区域DA2的剩余部分/像素与透射区域TA之间的边界。
像素限定层PDL可以设置为在平面图中与导电层BML重叠。像素限定层PDL的端部EDL1可以与导电层BML的端部EDL2重合。
阴极电极CATH可以设置在像素限定层PDL上。阴极电极CATH通常可以通过沉积工艺设置在第二显示区域DA2和透射区域TA中。此后，可以通过从透射区域TA入射的激光L来去除设置在透射区域TA中的阴极电极CATH。在这种情况下，激光L可能被导电层BML衍射。衍射的激光L的强度可能弱于非衍射的激光L的强度。因此，阴极电极CATH可能无法被衍射的激光L完全去除。在这种情况下，可能残留阴极电极CATH的残留物，这可能在显示装置中导致缺陷。因此，为了防止衍射的激光L行进到阴极电极CATH，像素限定层PDL需要阻挡衍射的激光L。根据实施例的像素限定层PDL设置为在导电层BML上与导电层BML重叠，使得像素限定层PDL可以阻挡来自导电层BML的端部EDL2的衍射的激光L。
参照图5和图15，在平面图中，像素限定层PDL可以在覆盖导电层BML的同时设置在透射区域TA中。在这种情况下，像素限定层PDL的端部EDL1与导电层BML的端部EDL2之间的距离D1(即，在图5中的第一长度D1)可以在大约2微米(μm)内。
参照图6和图16，在平面图中，像素限定层PDL可以设置为覆盖导电层BML并且与透射区域TA间隔开。即使在这种情况下，像素限定层PDL的端部EDL1与导电层BML的端部EDL2之间的距离D2(即，在图6中的第二长度D2)也可以在大约2微米(μm)内。
除了像素限定层PDL的端部EDL1离开导电层BML的端部EDL2与透射区域TA间隔开之外，图16可以与图14基本上相同。因此，将省略重复的配置的描述。在这种情况下，在平面图中，像素限定层PDL的端部EDL1可以离开导电层BML的端部EDL2与透射区域TA间隔开大约2微米(μm)。
如此，在平面图中，像素限定层PDL的端部EDL1可以设置为与导电层BML的端部EDL2相邻。因此，被导电层BML的端部EDL2衍射的激光L可以被像素限定层PDL阻挡，并且因此可以不到达阴极电极CATH。
图17是示出根据实施例的电子装置的框图。图18是示出图17的电子装置被实现为电视机的实施例的视图，并且图19是示出图17的电子装置被实现为智能电话的实施例的视图。
参照图17、图18和图19，电子装置DD的实施例可以包括处理器510、存储器装置520、存储装置530、输入/输出(I/O)装置540、电源550和显示装置560。在这样的实施例中，显示装置560可以对应于以上参照以上附图描述的显示装置。电子装置DD可以进一步包括数个能够与视频卡、声卡、存储器卡和USB装置等通信的端口。在实施例中，如图18中所示，电子装置DD可以被实现为电视机。在可选实施例中，如图19中所示，电子装置DD可以被实现为智能电话。然而，电子装置DD不限于此，并且例如，电子装置DD包括移动电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板个人计算机(“PC”)和车载导航系统，电子装置DD可以被实现为计算机监视器、笔记本计算机或头戴式显示器(“HMD”)等。
处理器510可以执行特定的计算或任务。在实施例中，处理器510可以是微处理器、中央处理单元(“CPU”)或应用处理器(“AP”)等。处理器510可以通过地址总线、控制总线或数据总线等连接到其它组件。在实施例中，处理器510还可以连接到诸如外围组件互连(“PCI”)总线的扩展总线。
存储器装置520可以存储用于电子装置DD的操作的数据。在一个实施例中，例如，存储器装置520可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(“EPROM”)装置、电可擦除可编程只读存储器(“EEPROM”)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(“PRAM”)装置、电阻随机存取存储器(“RRAM”)装置、纳米浮栅存储器(“NFGM”)装置、聚合物随机存取存储器(“PoRAM”)装置、磁性随机存取存储器(“MRAM”)装置和铁电随机存取存储器(“FRAM”)装置的非易失性存储器装置和/或诸如动态随机存取存储器(“DRAM”)装置、静态随机存取存储器(“SRAM”)装置和移动DRAM装置的易失性存储器装置。
存储装置530可以包括固态驱动器(“SSD”)、硬盘驱动器(“HDD”)或光盘只读存储器(“CD-ROM”)等。输入/输出(I/O)装置540可以包括诸如键盘、小键盘、触摸板、触摸屏和鼠标的输入工具以及诸如扬声器和打印机的输出工具。
电源550可以提供用于电子装置DD的操作所需的电力。显示装置560可以经由总线或其它通信链路耦接到其它组件。根据实施例，显示装置560可以被包括在输入/输出(I/O)装置540中。
尽管在本文中已经描述了实施例和实施方式，但是从本描述，其它实施例和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施例，而是限于所附权利要求的更广的范围和精神以及对于本领域普通技术人员而言将是显而易见的各种明显修改和等同布置。
Claims (15)
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，包括包含像素的第一显示区域、包含像素的第二显示区域和形成在所述第二显示区域的所述像素之间的透射区域；
导电层，在所述第二显示区域中设置在所述透射区域的外部；以及
像素限定层，与所述导电层重叠，并且设置为使得所述像素限定层的与所述透射区域相邻的端部和所述导电层的与所述透射区域相邻的端部对齐。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层包括黑色有机颜料。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述黑色有机颜料包括内酰胺基颜料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层的所述端部和所述导电层的所述端部与从所述基底以直角延伸的线对齐。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层的所述端部相对于与所述导电层的所述端部对齐且从所述基底以直角延伸的线突出到所述透射区域中。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述像素限定层的所述端部的突出到所述透射区域中的部分的长度不超过2微米。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层的所述端部相对于与所述导电层的所述端部对齐且从所述基底以直角延伸的线与所述透射区域间隔开。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述像素限定层的所述端部的与所述透射区域间隔开的部分的长度不超过2微米。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括：
阴极电极，设置在所述像素限定层上，以与所述第二显示区域重叠并且不与所述透射区域重叠。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括：
多个无机绝缘层，设置在所述导电层上，以与所述第二显示区域重叠并且不与所述透射区域重叠。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括：
第一有机绝缘层，设置在所述多个无机绝缘层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸以也与所述透射区域重叠；以及
第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，以与所述第二显示区域和所述透射区域重叠。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括：
多个无机绝缘层，设置在所述导电层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸使得所述多个无机绝缘层的端部与所述透射区域的一部分重叠。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括：
第一有机绝缘层，设置在所述多个无机绝缘层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸以也与所述透射区域重叠；以及
第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，以与所述第二显示区域和所述透射区域重叠。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括：
第一无机绝缘层，设置在所述导电层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸使得所述第一无机绝缘层的端部与所述透射区域的一部分重叠；以及
第二无机绝缘层，设置在所述第一无机绝缘层上，以与所述第二显示区域重叠并且不与所述透射区域重叠。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括：
第一有机绝缘层，设置在所述第二无机绝缘层上，以与所述第二显示区域重叠，并且延伸以也与所述透射区域重叠；以及
第二有机绝缘层，设置在所述第一有机绝缘层上，以与所述第二显示区域和所述透射区域重叠。
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