KR20230028623A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230028623A
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최낙초
권대기
김지희
손동현
인윤경
최정민
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 복수의 화소들을 포함하는 제1 표시 영역, 및 복수의 화소들 및 복수의 화소들 사이에 형성되는 투과 영역을 포함하는 제2 표시 영역을 포함하는 기판, 기판의 제2 표시 영역 상에 배치되고, 투과 영역 상에는 배치되지 않는 도전층 및 도전층 상에서 도전층과 중첩하고, 투과 영역과 인접한 끝 단이 도전층 중 투과 영역과 인접한 끝 단과 정렬되도록 배치되는 화소 정의막을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 도전층을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 방식으로 제조되어 사용되고 있다. 표시 장치는 광을 표시하여 사용자에게 시각적인 정보를 제공할 수 있다. 이러한 표시 장치는 액정층을 이용하여 발광하는 액정 표시 장치, 무기 발광 물질을 이용하여 발광하는 무기 발광 표시 장치, 유기 발광 물질을 이용하여 발광하는 유기 발광 표시 장치 등을 포함할 수 있다.
표시 장치는 광을 방출하여 영상을 표시할 뿐만 아니라, 광을 인식하여 이미지로 저장할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치 내에 배치되는 기능성 모듈이 광을 인식하여 저장할 수 있다. 이 때, 표시 장치에 기능성 모듈이 광을 인식하기 위한 공간이 형성될 수 있고, 이로 인해, 표시 장치가 광을 방출하는 표시 영역의 면적이 줄어들 수 있다.
최근에는, 표시 장치가 광을 방출하는 표시 영역의 면적을 줄이지 않으면서 기능성 모듈을 통해 외부의 광을 인식하기 위해 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 기능성 모듈을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다. 특히 카메라 홀 구조를 패널 내에 형성할 때, 투과창의 투과율을 올리기 위해 레이저를 이용하여 캐소드 전극을 제거 시 끝 단 파티클이 남아 화소 암점을 발생시키는 문제를 해결하기 위함이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하는 제1 표시 영역, 및 상기 복수의 화소들 및 상기 복수의 화소들 사이에 형성되는 투과 영역을 포함하는 제2 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 상기 제2 표시 영역 상에 배치되고, 상기 투과 영역 상에는 배치되지 않는 도전층 및 상기 도전층 상에서 상기 도전층과 중첩하고, 상기 투과 영역과 인접한 끝 단이 상기 도전층 중 상기 투과 영역과 인접한 끝 단과 정렬되도록 배치되는 화소 정의막을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막은 블랙 유기 안료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 블랙 유기 안료는 락탐계 안료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단은 상기 도전층의 상기 끝 단과 동일선 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단은 상기 도전층의 상기 끝 단보다 상기 투과 영역으로 돌출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단이 돌출되는 부분의 길이는 2 마이크로미터 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단은 상기 도전층의 상기 끝 단보다 상기 투과 영역으로부터 이격될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단이 이격되는 부분의 길이는 2 마이크로미터 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 화소 정의막 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하고, 상기 투과 영역과는 중첩하지 않도록 배치되는 캐소드 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 도전층 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 끝 단이 상기 투과 영역 중 일부와 중첩하도록 연장되는 복수의 무기 절연층들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 복수의 무기 절연층들 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과도 중첩하게 배치되도록 연장되는 제1 유기 절연층 및 상기 제1 유기 절연층 상에서 상기 제2 표시 영역 및 상기 투과 영역과 중첩하도록 배치되는 제2 유기 절연층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 도전층 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과는 중첩하지 않는 복수의 무기 절연층들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 복수의 무기 절연층들 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과도 중첩하게 배치되도록 연장되는 제1 유기 절연층 및 상기 제1 유기 절연층 상에서 상기 제2 표시 영역 및 상기 투과 영역과 중첩하도록 배치되는 제2 유기 절연층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 도전층 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 끝 단이 상기 투과 영역 중 일부와 중첩하도록 연장되는 제1 무기 절연층 및 상기 제1 무기 절연층 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과는 중첩하지 않는 제2 무기 절연층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 무기 절연층 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과도 중첩하게 배치되도록 연장되는 제1 유기 절연층 및 상기 제1 유기 절연층 상에서 상기 제2 표시 영역 및 상기 투과 영역과 중첩하도록 배치되는 제2 유기 절연층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판의 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역 상에 배치되는 구동 소자 및 상기 구동 소자 상에 배치되고, 상기 구동 소자와 전기적으로 연결되는 발광 소자를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 구동 소자와 전기적으로 연결되는 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역에서 상기 화소 정의막과 중첩하며, 상기 투과 영역과는 중첩하지 않는 캐소드 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하는 제1 표시 영역, 및 상기 복수의 화소들 및 상기 복수의 화소들 사이에 형성되는 투과 영역을 포함하는 제2 표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 상기 제2 표시 영역 상에 배치되고, 상기 투과 영역 상에는 배치되지 않는 도전층 및 상기 도전층 상에서 상기 도전층과 중첩하고, 상기 투과 영역과 인접한 끝 단이 상기 도전층 중 상기 투과 영역과 인접한 끝 단과 정렬되도록 배치되는 화소 정의막을 포함할 수 있다.
이에 따라, 상기 기판의 하부에서 레이저 장치가 레이저를 조사할 때, 상기 화소 정의막이 상기 제2 표시 영역으로 회절되어 조사되는 레이저가 상기 화소 정의막보다 상부로 전달되는 것을 차단할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역 중 일부분(A)을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 10 내지 도 13은 캐소드 전극에 레이저가 조사되는 일 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 14, 도 15 및 도 16은 도 2의 II-II' 라인과 인접한 영역을 개략적으로 나타내는 평면도들이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 18은 도 17의 전자 기기가 컴퓨터 모니터로 구현되는 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 19는 도 17의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 실시예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 표시 영역들(DA1, DA2) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 장치는 표시 영역들(DA1, DA2)에서 영상을 표시할 수 있다. 이를 위해, 표시 영역들(DA1, DA2)에는 복수의 화소들(P)이 배치될 수 있다. 복수의 화소들(P)은 다양한 방식으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소들(P)은 매트릭스 형태로 표시 영역들(DA1, DA2)에 전반적으로 배치될 수 있다.
제1 표시 영역(DA1)의 단위 영역 당 배치되는 화소들(P)의 수와 제2 표시 영역(DA2)의 상기 단위 영역 당 배치되는 화소들(P)의 수는 서로 다를 수 있다. 실시예들에 있어서, 제2 표시 영역(DA2)은 기능성 모듈이 배치되는 영역일 수 있다. 상기 기능성 모듈로 광이 전달되어야 하기 때문에, 제2 표시 영역(DA2)의 상기 단위 영역 내에는 제1 표시 영역(DA1)의 상기 단위 영역보다 적은 수의 화소들이 배치될 수 있다. 제2 표시 영역(DA2) 중 화소들(P)이 배치되지 않는 영역은 투과 영역으로 정의될 수 있다. 이를 위해, 투과 영역의 배치 구조는 제2 표시 영역(DA2) 중 화소들(P)이 배치되는 영역의 구조와 서로 상이할 수 있다.
비표시 영역(NDA)에는 구동부들이 배치될 수 있다. 상기 구동부들은 화소들(P)을 구동하여 영상을 표시하기 위해 보조하는 구성들일 수 있다. 예를 들어, 상기 구동부들은 데이터 구동부, 스캔 구동부, 발광 구동부, 구동 칩 등을 포함할 수 있다.
도 1에서는 표시 장치의 각 코너가 라운드 된 형상으로 도시되었지만, 표시 장치의 형상을 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 표시 장치는 각 코너가 각진 형상을 가질 수도 있다. 또는, 표시 장치는 전체적으로 원형 형상을 가질 수도 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역 중 일부분(A)을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 제2 표시 영역(DA2)은 화소들이 배치되는 영역으로 정의될 수 있다. 제2 표시 영역(DA2) 중 화소들(P)이 배치되지 않는 영역은 투과 영역(TA)으로 정의될 수 있다.
투과 영역(TA)은 다른 영역들에 비해 투과성이 향상되어 있을 수 있다. 이를 위해, 투과 영역(TA)은 다른 영역들에 비해 구성들이 적게 배치될 수 있다.
도 3은 도 1의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치는 기판(SUB), 도전층(BML), 버퍼층(BUF), 게이트 절연층(GI), 트랜지스터, 제1 층간 절연층(ILD1), 제2 층간 절연층(ILD2), 제2 게이트 전극(GAT2), 제1 비아 절연층(VIA1), 제2 비아 절연층(VIA2), 제1 연결 전극(CE1), 화소 정의막(PDL) 및 발광 소자(EE)를 포함할 수 있다. 상기 트랜지스터는 액티브층(ACT), 제1 게이트 전극(GAT1), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 발광 소자(EE)는 애노드 전극(ANO), 발광층(EL) 및 캐소드 전극(CATH)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 글래스 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)이 글래스를 포함할 경우, 표시 장치는 리지드한 특성을 가질 수 있다. 또는, 기판(SUB)이 플라스틱을 포함할 경우, 표시 장치는 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 상기 플라스틱의 예로는 폴리이미드 등을 들 수 있다. 기판(SUB)은 복수의 층들이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 제1 베이스 기판, 제1 베리어층, 제2 베이스 기판 및 제2 베리어층이 순서대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 이를 통해, 기판(SUB)은 외부의 이물이나 충격으로부터 상부에 배치되는 구성들을 보호할 수 있다. 이 때, 상기 제1 베이스 기판 및 상기 제2 베이스 기판은 글래스 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 상기 제1 베리어층 및 상기 제2 베리어층은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 기판(SUB)은 제1 표시 영역(DA1)을 포함할 수 있다.
기판(SUB) 상에 도전층(BML)이 배치될 수 있다. 도전층(EML)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도전층(EML)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다. 도전층(EML)은 액티브층(ACT)과 중첩하게 배치되어, 상기 트랜지스터를 구성하는 액티브층(ACT)의 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하는 보호층으로서 작용할 수 있다. 예를 들면, 표시 장치의 제조 공정에서 기판(SUB)의 하부에서 유입되는 레이저(L) 또는 수분으로부터 상기 트랜지스터를 보호할 수 있다. 구체적으로, 도전층(EML)은 기판(SUB)의 하부에서 조사되는 레이저(L)가 상기 트랜지스터의 액티브층(ACT)에 유입되어 상기 트랜지스터의 문턱 전압이 변동되는 것을 최소화할 수 있다. 도전층(BML)은 광 투과율이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 도전층(EML)은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 도전층(BML)은 도전층(BML)은 기판(SUB) 상에서 전반적으로 배치되어, 하부에서 입사하는 광을 차단하는 역할을 수행할 수 있다.
도전층(EML) 상에 버퍼층(BUF)이 배치될 수 있다. 버퍼층(BUF)을 절연 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(BUF)으로 사용될 수 있는 상기 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 기판(SUB)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 트랜지스터로 확산되지 않도록 할 수 있다. 실시예들에 있어서, 버퍼층(BUF)은 액티브층(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절할 수 있다.
액티브층(ACT)은 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 액티브층(ACT)은 실리콘 반도체 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있다.
상기 실리콘 반도체에 사용될 수 있는 물질의 예로는, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 산화물 반도체로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 아연　산화물(ZnOx), 갈륨　산화물(GaOx), 티타늄　산화물(TiOx), 주석　산화물(SnOx), 인듐　산화물(InOx), 인듐-갈륨　산화물(IGO), 인듐-아연　산화물(IZO), 인듐-주석　산화물(ITO), 갈륨-아연　산화물(GZO), 아연-마그네슘　산화물(ZMO), 아연-주석　산화물(ZTO), 아연-지르코늄　산화물(ZnZrxOy), 인듐-갈륨-아연　산화물(IGZO), 인듐-아연-주석　산화물(IZTO), 인듐-갈륨-하프늄　산화물(IGHO), 주석-알루미늄-아연　산화물(TAZO), 인듐-갈륨-주석　산화물(IGTO) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(GI)은 액티브층(ACT)을 커버하며, 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(GI)으로 사용될 수 있는 상기 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 게이트 전극(GAT1)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(GAT1)에 신호가 인가될 경우, 액티브층(ACT)이 활성화되어 상기 트랜지스터를 통해 신호가 흐를 수 있다. 제1 게이트 전극(GAT1)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 층간 절연층(ILD1)은 제1 게이트 전극(GAT1)을 커버하며, 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(ILD1)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 제1 층간 절연층(ILD1)은 게이트 절연층(GI)과 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다.
제2 게이트 전극(GAT2)은 제1 층간 절연층(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 제2 게이트 전극(GAT2)은 제1 게이트 전극(GAT1)과 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제2 게이트 전극(GAT2)은 상기 구동부들로부터 전달되는 신호를 전달하는 역할을 수행할 수 있다. 또는, 제2 게이트 전극(GAT2)은 제1 게이트 전극(GAT1)과 동일한 층에 배치되는 전극과 커패시터를 구성할 수 있다. 전술한 트랜지스터와 커패시터는 각각 발광 소자를 구동하기 위한 구동 소자로 정의될 수 있다.
제2 층간 절연층(ILD2)은 제2 게이트 전극(GAT2)을 커버하며, 제1 층간 절연층(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(ILD1)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 제2 층간 절연층(ILD2)은 제1 층간 절연층(ILD1)과 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 제2 층간 절연층(ILD2) 상에 배치될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 액티브층(ACT)과 접촉할 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다.
제1 비아 절연층(VIA1)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 커버하며, 제1 층간 절연층(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 제1 비아 절연층(VIA1)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 비아 절연층(VIA1)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacrylic resin), 폴리이미드계 수지(polyimide resin), 아크릴계 수지(acrylic resin) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 연결 전극(CE1)은 제1 비아 절연층(VIA1) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CE1)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다. 제1 연결 전극(CE1)은 드레인 전극(DE)과 발광 소자(EE)를 연결하는 역할을 수행할 수 있다.
제2 비아 절연층(VIA2)은 제1 연결 전극(CE1)을 커버하며, 제1 비아 절연층(VIA1) 상에 배치될 수 있다. 제2 비아 절연층(VIA2)은 제1 비아 절연층(VIA1)과 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다.
제1 비아 절연층(VIA1) 및 제2 비아 절연층(VIA2)이 함께 배치됨으로써, 제1 비아 절연층(VIA1) 및 제2 비아 절연층(VIA2)이 배치된 영역에서 투과율을 감소시킬 수 있다. 이를 통해, 표시 장치에는 편광층이 추가로 배치되지 않을 수 있다.
애노드 전극(ANO)은 제2 비아 절연층(VIA2) 상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(ANO)은 제2 비아 절연층(VIA2)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀에 의해 제1 연결 전극(CE1)과 연결됨으로써, 상기 트랜지스터와 연결될 수 있다. 애노드 전극(ANO)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다.
화소 정의막(PDL)이 제2 비아 절연층(VIA2) 상에서 애노드 전극(ANO)을 노출시키며 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 애노드 전극(ANO)을 노출시키는 개구를 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 물질으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacrylic resin), 폴리이미드계 수지(polyimide resin)(특히, 감광성 폴리이미드계 수지(PSPI)), 아크릴계 수지(acrylic resin), 블랙 유기 안료 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 바람직하게는, 화소 정의막(PDL)의 재료로는 블랙 유기 안료가 사용될 수 있고, 상기 블랙 유기 안료의 예로는 락탐계 안료를 들 수 있다.
애노드 전극(ANO) 상에 발광층(EL)이 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 상기 개구에서 애노드 전극(ANO)과 접촉할 수 있다. 실시예들에 있어서, 발광층(EL)은 적색 광을 방출하는 유기 발광층, 녹색 광을 방출하는 유기 발광층 또는 청색 광을 방출하는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EL)은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층을 더 포함할 수 있다.
캐소드 전극(CATH)은 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 캐소드 전극(CATH)은 발광층(EL) 및 화소 정의막(PDL)을 덮으며 배치될 수 있다. 캐소드 전극(CATH)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2) 상에 전반적으로 배치될 수 있다. 다만, 캐소드 전극(CATH)은 투과 영역(TA)에는 배치되지 않을 수 있다. 캐소드 전극(CATH)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다.
설명의 편의상 도시하지는 않았지만, 표시 장치는 이 외에도 발광 소자(EE) 상에서 발광 소자(EE)를 외부의 충격으로부터 보호하는 봉지층, 터치를 감지하는 터치 감지층, 최외곽에 배치되는 커버 윈도우 등을 더 포함할 수 있다.
도 4는 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 장치는 기판(SUB), 도전층(BML), 버퍼층(BUF), 게이트 절연층(GI), 제2 연결 전극(CE2), 제3 연결 전극(CE3), 제4 연결 전극(CE4), 제1 층간 절연층(ILD1), 제2 층간 절연층(ILD2), 제1 비아 절연층(VIA1), 제2 비아 절연층(VIA2), 화소 정의막(PDL) 및 캐소드 전극(CATH)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 제2 표시 영역(DA2) 및 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다. 기판(SUB)은 제1 표시 영역(DA1)도 포함할 수 있고, 제1 표시 영역(DA1)은 제2 표시 영역(DA2)과 인접할 수 있으나, 도 4 내지 도 9에서는 제2 표시 영역(DA2) 및 투과 영역(TA)만 도시되었다.
기판(SUB) 상에 도전층(BML)이 배치될 수 있다. 도전층(BML)은 광 투과율이 낮은 물질로 구성될 수 있고, 이에 따라, 투과 영역(TA)과 제2 표시 영역(DA2)의 경계는 도전층(BML)에 의해 결정될 수 있다. 도전층(BML)의 끝 단이 배치되는 영역이 제2 표시 영역(DA2)과 투과 영역(TA)의 경계로 정의될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 투과 영역(TA)에는 버퍼층(BUF)을 제외한 무기 절연층들(GI, ILD1, ILD2)이 배치되지 않을 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 버퍼층(BUF) 또한 투과 영역(TA)에 배치되지 않도록 형성될 수 있다. 투과 영역(TA)은 투과율이 높아야 하는 영역이기 때문에, 무기 절연층들이 배치되지 않을 수 있다.
기판(SUB) 상에 배치되는 도전층(BML), 버퍼층(BUF) 및 절연층들(GI, ILD1, ILD2, VIA1, VI2)은 도 3을 참조하여 설명하였는바, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
제2 연결 전극(CE2)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CE2)은 신호를 전달하는 역할을 할 수 있다. 제2 연결 전극(CE2)은 도 3을 참조하여 설명한 제1 게이트 전극(GAT1)과 동일한 층에 배치되고 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.
제3 연결 전극(CE3)은 제1 층간 절연층(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 제3 연결 전극(CE3)은 신호를 전달하는 역할을 수행할 수 있다. 제3 연결 전극(CE3)은 도 3을 참조하여 설명한 제2 게이트 전극(GAT2)과 동일한 층에 배치되고 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.
제4 연결 전극(CE4)은 제2 층간 절연층(ILD2) 상에 배치될 수 있다. 제4 연결 전극(CE4)은 신호를 전달하는 역할을 수행할 수 있다. 제4 연결 전극(CE4)은 도 3을 참조하여 설명한 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 층에 배치되고 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.
표시 장치의 제조 과정에서, 레이저 장치가 기판(SUB)의 하부에서 레이저(L)를 조사하여 투과 영역(TA) 상에 배치되어 있는 캐소드 전극(CATH)을 제거할 수 있다. 이 때, 제2 표시 영역(DA2)과 중첩하는 영역에는 도전층(BML)이 배치되어 있어서, 레이저(L)가 도전층(BML)에 의해 차단될 수 있다. 다만, 투과 영역(TA)와 제2 표시 영역(DA2)의 경계에서 레이저(L)가 제2 표시 영역(DA2)으로 회절될 수 있다. 이 때, 회절된 레이저(L)는 광의 세기가 약해져서 캐소드 전극(CATH)을 완전하게 제거하지 못할 수 있다. 이에 따라, 캐소드 전극(CATH)의 잔여물이 남아서 표시 장치에 쇼트, 갭 불량 등의 문제를 야기할 수 있다.
화소 정의막(PDL)의 끝 단이 도전층(BML)의 끝 단과 정렬되도록 제2 표시 영역(DA2)과 투과 영역(TA)의 경계까지 연장되어 배치될 경우, 회절된 레이저(L)가 캐소드 전극(CATH)으로 전달되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 캐소드 전극(CATH)의 잔여물이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 도 4에서는 화소 정의막(PDL)의 끝 단이 도전층(BML)의 끝 단이 동일선 상에 배치되는 실시예를 나타내었으나, 이는 예시적인 것으로 화소 정의막(PDL)의 끝 단이 도전층(BML)의 끝 단과 정렬되는 실시예는 이에 제한되지 않는다.
도 5는 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 5는 화소 정의막(PDL)의 끝 단이 투과 영역(TA)으로 돌출된 것을 제외하면 도 4와 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 화소 정의막(PDL)은 투과 영역(TA)에도 일부 배치될 수 있다. 이 경우, 화소 정의막(PDL)은 투과 영역(TA)으로 입사되는 레이저(L) 중 회절되는 레이저(L)를 도 4의 화소 정의막(PDL)에 비해 상대적으로 넓은 범위에서 차단할 수 있다.
실시예들에 있어서, 화소 정의막(PDL)의 끝 단 중 투과 영역(TA)과 중첩하는 부분인 제1 길이(D1)는 약 2 마이크로미터 이하일 수 있다. 이 경우, 화소 정의막(PDL)은 투과 영역(TA)의 투과율을 확보하면서 동시에 회절되는 레이저(L)를 효과적으로 차단할 수 있다.
도 6은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 6은 화소 정의막(PDL)의 끝 단이 투과 영역(TA)으로부터 이격된 것을 제외하면 도 4와 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 화소 정의막(PDL)의 끝 단은 제2 표시 영역(DA2)과 중첩하면서, 투과 영역(TA)으로부터 제2 길이(D2)만큼 이격되어 배치될 수 있다. 제2 길이(D2)는 약 2 마이크로미터 이하일 수 있다. 이 경우, 화소 정의막(PDL)의 끝 단이 공정 오차에 의해 투과 영역(TA) 방향으로 더 형성될 경우에도, 투과 영역(TA)과 중첩하지 않을 수 있게 된다. 따라서, 공정 오차가 발생하더라도 투과 영역(TA)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 7은 절연층들(GI, ILD1, ILD2)이 투과 영역(TA)에도 일부 배치된 것을 제외하면, 도 4와 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 8은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 8은 절연층들(GI, ILD1, ILD2)이 투과 영역(TA)에도 일부 배치된 것을 제외하면, 도 5와 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 9는 도 1의 II-II' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 9는 절연층들(GI, ILD1, ILD2)이 투과 영역(TA)에도 일부 배치된 것을 제외하면, 도 6과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 10 내지 도 13은 캐소드 전극에 레이저가 조사되는 일 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 캐소드 전극(CATH)은, 캐소드 전극(CATH)이 형성되는 공정 특성상, 투과 영역(TA)에도 형성될 수 있다. 이 경우, 캐소드 전극(CATH)은 투과 영역(TA)의 투과율을 저하시킬 수 있다. 따라서, 레이저 장치가 별도의 레이저(L)를 조사하여 캐소드 전극(CATH) 중 투과 영역(TA)과 중첩하는 부분을 제거할 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 캐소드 전극(CATH)에 레이저(L)가 조사되는 부분은 레이저에 의한 효과에 의해 제거될 수 있다. 이를 통해, 도 13에 도시된 바와 같이, 투과 영역(TA)에는 캐소드 전극(CATH)이 잔존하지 않게 되어, 표시 장치는 투과 영역(TA)에서 투과율을 확보할 수 있다.
도 14, 도 15 및 도 16은 도 2의 II-II' 라인과 인접한 영역을 개략적으로 나타내는 평면도들이다.
도 4 및 도 14를 참조하면, 제2 표시 영역(DA2)에는 도전층(BML)이 배치될 수 있다. 도전층(BML)은 입사하는 광을 차단하는 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 도전층(BML)에 의해 제2 표시 영역(DA2)과 투과 영역(TA)이 구분될 수 있다. 즉, 도전층(BML)의 끝 단(EDL2)이 제2 표시 영역(DA2)과 투과 영역(TA)의 경계에 해당할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은, 평면도 상에서, 도전층(BML)과 중첩하게 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)의 끝 단(EDL1)은 도전층(BML)의 끝 단(EDL2)과 일치할 수 있다.
화소 정의막(PDL) 상에는 캐소드 전극(CATH)이 배치될 수 있다. 캐소드 전극(CATH)은 증착 공정에 의해 제2 표시 영역(DA2)과 투과 영역(TA)에 전반적으로 배치될 수 있다. 이 후, 투과 영역(TA)에서 입사되는 레이저에 의해 투과 영역(TA)에 배치된 캐소드 전극(CATH)은 제거될 수 있다. 이 때, 도전층(BML)에 의해 레이저가 회절될 수 있다. 회절된 레이저의 세기는 회절되지 않은 레이저의 세기보다 약할 수 있다. 이에 따라, 회절된 레이저에 의서는 캐소드 전극(CATH)이 완전히 제거되지 못할 수 있다. 이 경우, 캐소드 전극(CATH)의 잔여물이 남아 표시 장치의 불량을 야기할 수 있다. 이에 따라, 회절된 레이저가 캐소드 전극(CATH)으로 진행하는 것을 방지하기 위해 화소 정의막(PDL)이 회절된 레이저를 차단할 필요가 있다. 실시예들에 따른 화소 정의막(PDL)이 도전층(BML) 상에서 도전층(BML)과 중첩하게 배치됨으로써, 화소 정의막(PDL)이 도전층(BML)의 끝 단(EDL2)에서 회절된 레이저를 차단할 수 있다.
도 5 및 도 15를 참조하면, 화소 정의막(PDL)은, 평면도 상에서, 도전층(BML)을 덮으며 투과 영역(TA)에도 배치될 수 있다. 이 경우, 화소 정의막(PDL)의 끝 단(EDL1)과 도전층(BML)의 끝 단(EDL2) 사이의 거리(D1)는 약 2 um 이내 수 있다.
도 6 및 도 16을 참조하면, 화소 정의막(PDL)은, 평면도 상에서, 도전층(BML)은 덮으며 투과 영역(TA)과 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우에도, 화소 정의막(PDL)의 끝 단(EDL1)과 도전층(BML)의 끝 단(EDL2) 사이의 거리(D1)는 약 2 um 이내 수 있다.
도 16은 화소 정의막(PDL)의 끝 단(EDL1)이 도전층(BML)의 끝 단(EDL2)보다 투과 영역(TA)으로 이격된 것을 제외하면, 도 14와 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다. 이 때, 평면도 상에서, 화소 정의막(PDL)의 끝 단(EDL1)이 도전층(BML)의 끝 단(EDL2)보다 약 2um 정도 투과 영역(TA)으로부터 이격될 수 있다.
이와 같이, 평면도 상에서, 화소 정의막(PDL)의 끝 단(EDL1)이 도전층(BML)의 끝 단(EDL2)과 인접하게 배치됨으로써, 도전층(BML)의 끝 단(EDL2)에 의해 회절된 레이저가 화소 정의막(PDL)에 의해 차단됨으로써 캐소드 전극(CATH)까지 도달하지 못할 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다, 도 18은 도 17의 전자 기기가 컴퓨터 모니터로 구현되는 일 실시예를 나타내는 도면이며, 도 19는 도 17의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 17 내지 도 19를 참조하면, 전자 기기(DD)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550), 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 경우, 표시 장치(560)는 전술한 도면을 참조하여 설명한 표시 장치에 상응할 수 있다. 전자 기기(DD)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신할 수 있는 여러 포트들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 18에 도시된 바와 같이, 전자 기기(DD)는 컴퓨터 모니터로 구현될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 도 19에 도시된 바와 같이, 전자 기기(DD)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 그러나 전자 기기(DD)는 이에 한정되지 아니하고, 예를 들면, 전자 기기(DD)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 내비게이션, 텔레비전, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크들(tasks)을 수행할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(central processing unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(application processor; AP) 등일 수 있다. 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus), 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(peripheral component interconnect; PCI) 버스 등과 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(520)는 전자 기기(DD)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(520)는 이피롬(erasable programmable read-only memory; EPROM) 장치, 이이피롬(electrically erasable programmable read-only memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(phase change random access memory; PRAM) 장치, 알램(resistance random access memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(nano floating gate memory; NFGM) 장치, 폴리머램(polymer random access memory; PoRAM) 장치, 엠램(magnetic random access memory; MRAM), 에프램(ferroelectric random access memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(dynamic random access memory; DRAM) 장치, 에스램(static random access memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(hard disk drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치 패드, 터치 스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다.
파워 서플라이(550)는 전자 기기(DD)의 동작에 필요한 전원을 공급할 수 있다. 표시 장치(560)는 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 장치(560)는 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 다양한 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 다양한 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
DA1, DA2: 제1 및 제2 표시 영역 TA: 투과 영역
NDA: 비표시 영역 P: 화소
SUB: 기판 BML: 도전층
BUF: 버퍼층 GI: 게이트 절연층
ILD1, ILD2: 제1 및 제2 층간 절연층
GAT1, GAT2: 제1 및 제2 게이트 전극
SE: 소스 전극 DE: 드레인 전극
VIA1, VIA2: 제1 및 제2 비아 절연층
CE1, CE2, CE3, CE4: 제1 내지 제4 연결 전극
PDL: 화소 정의막 EE: 발광 소자
ANO: 애노드 전극 EL: 발광층
CATH: 캐소드 전극 L: 레이저

Claims (17)

  1. 복수의 화소들을 포함하는 제1 표시 영역, 및 상기 복수의 화소들 및 상기 복수의 화소들 사이에 형성되는 투과 영역을 포함하는 제2 표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 상기 제2 표시 영역 상에 배치되고, 상기 투과 영역 상에는 배치되지 않는 도전층; 및
    상기 도전층 상에서 상기 도전층과 중첩하고, 상기 투과 영역과 인접한 끝 단이 상기 도전층 중 상기 투과 영역과 인접한 끝 단과 정렬되도록 배치되는 화소 정의막을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 블랙 유기 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 블랙 유기 안료는 락탐계 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단은 상기 도전층의 상기 끝 단과 동일선 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단은 상기 도전층의 상기 끝 단보다 상기 투과 영역으로 돌출되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단이 돌출되는 부분의 길이는 2 마이크로미터 이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단은 상기 도전층의 상기 끝 단보다 상기 투과 영역으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 화소 정의막의 상기 끝 단이 이격되는 부분의 길이는 2 마이크로미터 이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 화소 정의막 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하고, 상기 투과 영역과는 중첩하지 않도록 배치되는 캐소드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 도전층 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과는 중첩하지 않는 복수의 무기 절연층들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 절연층들 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과도 중첩하게 배치되도록 연장되는 제1 유기 절연층; 및
    상기 제1 유기 절연층 상에서 상기 제2 표시 영역 및 상기 투과 영역과 중첩하도록 배치되는 제2 유기 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 도전층 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 끝 단이 상기 투과 영역 중 일부와 중첩하도록 연장되는 복수의 무기 절연층들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 절연층들 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과도 중첩하게 배치되도록 연장되는 제1 유기 절연층; 및
    상기 제1 유기 절연층 상에서 상기 제2 표시 영역 및 상기 투과 영역과 중첩하도록 배치되는 제2 유기 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 도전층 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 끝 단이 상기 투과 영역 중 일부와 중첩하도록 연장되는 제1 무기 절연층; 및
    상기 제1 무기 절연층 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과는 중첩하지 않는 제2 무기 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 무기 절연층 상에서 상기 제2 표시 영역과 중첩하도록 배치되고, 상기 투과 영역과도 중첩하게 배치되도록 연장되는 제1 유기 절연층; 및
    상기 제1 유기 절연층 상에서 상기 제2 표시 영역 및 상기 투과 영역과 중첩하도록 배치되는 제2 유기 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역 상에 배치되는 구동 소자; 및
    상기 구동 소자 상에 배치되고, 상기 구동 소자와 전기적으로 연결되는 발광 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 발광 소자는,
    상기 구동 소자와 전기적으로 연결되는 애노드 전극;
    상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역에서 상기 화소 정의막과 중첩하며, 상기 투과 영역과는 중첩하지 않는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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