CN115706504A - 集成电路、电源电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够进一步降低功耗的集成电路。该集成电路为了使电源电路生成目标电平的输出电压而驱动所述电源电路的晶体管，包括：连接基于指示所述集成电路的动作模式的指示信号来进行导通或断开的第1开关的第1端子；基于所述第1端子的电压电平，判定所述集成电路是在第1模式下进行动作还是在比所述第1模式的功耗大的第2模式下进行动作的第1判定电路；当所述集成电路在所述第1模式下进行动作的情况下，停止第1电源电压的生成，当所述集成电路在所述第2模式下进行动作的情况下，生成所述第1电源电压的第1电源电压生成电路；以及被提供所述第1电源电压以驱动所述晶体管的驱动电路。

Description

集成电路、电源电路

技术领域

本发明涉及集成电路和电源电路。

背景技术

已有控制电源电路的集成电路(例如参照文献1至7)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-110173号公报

专利文献2：日本专利特开2013-038857号公报

专利文献3：日本专利特开2014-230377号公报

专利文献4：日本专利特开2016-111758号公报

专利文献5：日本专利特开2017-017767号公报

专利文献6：日本专利特开2017-060329号公报

专利文献7：日本专利特开2017-127109号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

有的集成电路会根据电源电路的负载状态而改变动作模式。

在这样的集成电路中，通常用来检测负载状态的负载检测电路始终进行动作。因此，即使假设负载是在无负载的状态下，集成电路也持续消耗恒定的功率，因此难以进一步减小集成电路的功耗。

本发明是鉴于上述以往的问题而完成的，其目的在于提供能够进一步降低功耗的集成电路。

用于解决技术问题的技术手段

主要用于解决上述问题的本发明的集成电路的第一方式是为了使电源电路生成目标电平的输出电压而驱动所述电源电路的晶体管的集成电路，包括：连接基于指示所述集成电路的动作模式的指示信号来进行导通或断开的第1开关的第1端子；基于所述第1端子的电压电平，判定所述集成电路是在第1模式下进行动作还是在比第1模式的功耗大的第2模式下进行动作的第1判定电路；所述集成电路在所述第1模式下进行动作的情况下，停止第1电源电压的生成，所述集成电路在所述第2模式下进行动作的情况下，生成所述第1电源电压的第1电源电压生成电路；以及被提供所述第1电源电压以驱动所述晶体管的驱动电路。

主要用于解决上述问题的本发明的电源电路是生成目标电平的输出电压的电源电路，包括：晶体管；驱动所述晶体管的集成电路；以及基于指示所述集成电路的动作模式的指示信号进行开关的第1开关，所述集成电路包括：连接所述第1开关的第1端子；基于所述第1端子的电压电平来判定所述集成电路是在第1模式下进行动作还是在比所述第1模式的功耗大的第2模式下进行动作的第1判定电路；所述集成电路在所述第1模式下进行动作的情况下，停止第1电源电压的生成，所述集成电路在所述第2模式下进行动作的情况下，生成所述第1电源电压的第1电源电压生成电路；以及被提供所述第1电源电压以驱动所述晶体管的驱动电路。

主要用于解决上述问题的本发明的集成电路的第2方式是为了使电源电路生成目标电平的输出电压而对所述电源电路的功率晶体管进行开关驱动的集成电路，包括：连接到设定所述集成电路的动作模式的外部电路的第1端子；基于所述第1端子的电压电平进行选择，以使所述集成电路在不进行开关动作的切断模式、连续地进行开关动作的通常模式、以及交替地重复开关动作期间和停止动作期间的低待机功率模式中的任意模式下进行动作的模式选择电路。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够进一步降低功耗的集成电路。

附图说明

图1是表示电源装置10的一个示例的图。

图2是表示AC-DC转换器12的概要的图。

图3是表示DC-DC转换器13的一个示例的图。

图4是表示控制IC50的一个示例的图。

图5是表示设定电路76的一个示例的图。

图6是表示电阻Rstb的电阻值和控制IC50的驱动形式切换方式之间的关系的图。

图7是表示“通常模式”时的驱动信号Vdr1、Vdr2的一个示例的图。

图8是表示“低待机功率模式”时的驱动信号Vdr1、Vdr2的一个示例的图。

图9是表示接口(IF)电路18a的一个示例的图。

图10是表示信号Wakeup以及信号ExtSTB的逻辑电平和电压Vstb之间的关系的图。

图11是表示信号Wakeup以及信号ExtSTB的逻辑电平和控制IC50的动作模式之间的关系的图。

图12是表示功率因素改善电路22的一个示例的图。

图13是表示功率因素改善IC175的一个示例的图。

图14是表示控制IC50的动作的一个示例的图。

图15是表示接口(IF)电路18b的一个示例的图。

图16是表示信号Wakeup的逻辑电平和电压Vstb之间的关系的图。

图17是表示信号Wakeup的逻辑电平和控制IC50及功率因数改善IC155的动作模式之间的关系的图。

图18是表示控制IC50以及功率因素改善IC175的动作的一个示例的图。

具体实施方式

根据本说明书及附图的记载，至少明确了以下事项。

＝＝＝＝＝本实施方式＝＝＝＝＝

<<<电源装置10的概要>>>

图1是表示电源装置10的一个示例的图。电源装置10例如是嵌入电视机的装置，从商用交流电压Vac生成输出电压Vout2，向规定的负载14供电。电源装置10由开关11、AC-DC转换器12、DC-DC转换器13、微控制器(MCU)15a、电容器16、光电二极管17以及接口(IF)电路18a构成。开关11被设置在节点N2和节点N3之间，并且根据来自微控制器15a的信号SW_sig导通或断开。

AC-DC转换器12在开关11导通的情况下，根据施加到节点N1、N2的交流电压Vac生成输出电压Vout1。另一方面，AC-DC转换器12在开关11断开的情况下，由于没有施加交流电压Vac，因此不生成输出电压Vout1。

DC-DC转换器13根据施加到节点N4、N5的输出电压Vout1生成输出电压Vout2。负载14连接到节点N6、N7，被施加输出电压Vout2，并被提供负载电流Iout进行动作。负载14是例如包含在电视机中的利用直流电压进行动作的电子设备。这里，“连接”在没有特别提及的情况下是指电连接的状态，也包括通过电阻连接的情况。

微控制器15a基于来自使用者的指示，控制电源装置10。微控制器15a从基于商用的交流电压Vac进行动作的电源电路(未图示)接收电压Vdd来进行动作，电容器16设置在端子VDD和接地之间以使电压Vdd稳定。

此外，光电二极管17设置在端子RCV与接地之间，例如接收来自电视机的遥控器(未图示)的使用红外线的信号。另外，微控制器15a基于光电二极管17接收到的信号来控制电源装置10以及电视机的各种设备(未图示)的动作。

另外，当光电二极管17接收到遥控器发送来的信号以接通负载14时，微控制器15a发送用于使作为继电器的开关11导通的信号SW_sig。其结果是，开关11变为导通，因此交流电压Vac施加到AC-DC转换器12上。之后，AC-DC转换器12生成输出电压Vout1。

此外，这时的微控制器15a将启动DC-DC转换器13的信号Wakeup输出到接口电路18a。

之后，DC-DC转换器13基于来自接口电路18a的电压Vstb而启动，向负载14供电。另外，微控制器15a在规定的情况下也输出用于变更DC-DC转换器13的动作模式的信号ExtSTB，详细内容将在后文中阐述。

另一方面，当光电二极管17接收到遥控器发送来的信号以使负载14断开时，微控制器15a发送用于将开关11断开的信号SW_sig。其结果是，开关11变为断开，因此停止对AC-DC转换器12提供交流电压Vac。

此外，这时的微控制器15a将停止DC-DC转换器13的信号Wakeup输出到接口电路18a。由此，接口电路18a生成比规定电平高的电平的电压Vstb，详细内容将在后文中阐述。此外，DC-DC转换器13接收到电压Vstb并停止输出电压Vout2的生成，停止向负载14供电，流入负载14的负载电流Iout变为零，负载14变成所谓的无负载的状态。

此外，接口电路18a根据来自微控制器15a的信号Wakeup以及信号ExtSTB来实现控制IC50的动作的变更、控制IC50和功率因数改善IC175之间的协作功能。另外，接口电路18a的详细内容将在后文中阐述。此外，接口电路18a相当于“外部电路”。

<<<AC-DC转换器的概述>>>

图2是表示本发明的电源装置10中包含的AC-DC转换器12的结构的图。AC-DC转换器12是根据商用电源的交流电压Vac来生成目标电平的输出电压Vout1的电源电路。

AC-DC转换器12包括二极管20、21、功率因数改善电路22而构成。二极管20、21对来自节点N1、N3的交流电压Vac进行全波整流，作为整流电压Vrec1施加到后述的控制IC50。

功率因数改善电路22基于来自接口电路18a的电压Sig，从商用电源的交流电压Vac生成目标电平的输出电压Vout1，并将其施加到节点N4、N5。另外，功率因数改善电路22的详细情况将在后面阐述。

<<<DC-DC转换器13的概况>>>

图3是表示本发明的电源装置10中包含的DC-DC转换器13的结构的图。DC-DC转换器13是根据规定的输入电压Vout1(例如，400V)为负载14生成目标电平的输出电压Vout2(例如，15V)的LLC电流谐振型电源电路。

DC-DC转换器13构成为包含电容器30、31、42、NMOS晶体管32、33、变压器34、控制块35、二极管40、41、恒压电路43和发光二极管44。

电容器30使被施加输入电压Vout1的电源线路和接地侧的接地线路之间的电压稳定，并去除噪声等。输入电压Vout1是规定电平的直流电压。

NMOS晶体管32是高电平侧的功率晶体管，NMOS晶体管33是低电平侧的功率晶体管。另外，在本实施方式中，作为开关元件使用NMOS晶体管32、33，但例如也可以是PMOS晶体管、双极型晶体管。

变压器34包括初级线圈L1、次级线圈L2、L3和辅助线圈L4，初级线圈L1、次级线圈L2、L3和辅助线圈L4之间绝缘。在变压器34中，根据初级侧的初级线圈L1两端的电压的变化，在次级侧的次级线圈L2、L3中产生电压，并且根据次级线圈L2、L3的电压的变化，产生初级侧的辅助线圈L4的电压。

此外，在初级线圈L1中，一端连接NMOS晶体管32的源极和NMOS晶体管33的漏极，另一端经由电容器31连接NMOS晶体管33的源极。

因此，当NMOS晶体管32、33开始进行开关时，次级线圈L2、L3和辅助线圈L4中的每个线圈的电压发生变化。另外，初级线圈L1和次级线圈L2、L3以相同的极性电磁耦合，次级线圈L2、L3和辅助线圈L4也以相同的极性电磁耦合。

控制块35是用于控制NMOS晶体管32、33的开关的电路块，详细情况在后文中阐述。

二极管40、41对次级线圈L2、L3的电压进行整流，电容器42对整流后的电压进行滤波。其结果是，在电容器42中生成平滑后的输出电压Vout2。另外，输出电压Vout2成为目标电平的直流电压。

恒压电路43是生成恒定的直流电压的电路，例如使用分路调节器来构成。

发光二极管44是发出强度与输出电压Vout2和恒压电路43的输出之间的差相对应的光的元件，与后述的光电晶体管62一起构成光电耦合器。在本实施方式中，当输出电压Vout2的电平变高时，来自发光二极管44的光的强度变强。

＝＝＝控制块35＝＝＝

控制块35包括控制IC50、二极管60、电容器61、63、64、67、68、154、光电晶体管62以及电阻65、66。

控制IC50例如是根据后面描述的端子STB的状态来控制NMOS晶体管32、33的开关的集成电路，并且具有端子VCC、GND、STB、REG、FB、IS、CA、HO、LO和VH。

端子VCC是施加有用于使控制IC50动作的电源电压Vcc的端子。二极管60的阴极和一端接地的电容器61连接到端子VCC。因此，电容器61被来自控制IC50的启动电路70(后文描述)的电流或来自二极管60的电流充电，并且电容器61的充电电压成为使控制IC50动作的电压Vcc。

端子GND是施加有接地电压的端子，例如连接到设置有电源装置10的装置的壳体等。

端子STB是接收接口电路18a生成的电压或控制IC50将信号输出到后文描述的功率因数改善IC175的端子。另外，详细内容在后文中阐述。

端子REG是输出控制IC50中内置的内部电源(REG1)92(后文描述)的输出电压的端子。另外，详细内容在后文中阐述，为了使内部电源92的输出电压稳定，如后文的图7所示，在端子REG和接地之间设置电容器154。

端子FB为产生与输出电压Vout2相应的反馈电压Vfb_a的端子，与光电晶体管62和电容器63连接。光电晶体管62使偏置电流I1从端子FB流向接地，该偏置电流I1的大小对应于来自发光二极管44的光的强度，并且电容器63被设置用于去除端子FB与接地之间的噪声。因此，光电晶体管62作为生成灌电流的晶体管进行动作。

端子IS是被施加与DC-DC转换器13的谐振电流相应的电压的端子。这里，在电容器64和电阻65相连接的节点处产生与初级线圈L1的谐振电流的电流值相应的电压。电阻66和电容器67构成低通滤波器。因此，在端子IS上施加的是与初级线圈L1的谐振电流的电流值相应的且去除了噪声分量的电压。

另外，谐振电流的电流值根据DC-DC转换器13的输入功率而增加，并且DC-DC转换器13的输入功率根据负载14中消耗的功率而增加。因此，施加到端子IS的电压表示与负载14的功耗相应的电压。

端子CA将根据施加到端子IS的电压而变化的电压施加到电容器68。具体地，负载14的功耗变大，即，负载14的状态变为重负载时，施加到电容器68的电压变大。另一方面，负载14的功耗变小，即，负载14的状态变为轻负载时，施加到电容器68的电压变小。

另外，“负载14的状态是重负载”是指例如流过负载14的负载电流Iout的电流值大于规定值(例如，1A)的情况。此外，“负载14的状态是轻负载”是指例如流过负载14的负载电流Iout的电流值小于规定值(例如，1A)的情况。

端子VH是施加有整流电压Vrec1的端子。另外，控制IC50包含启动电路70(后文描述)，该起动电路70在经由端子VH被施加整流电压Vrec1时，对电压Vcc进行充电并启动控制IC50，控制IC70在启动后基于电压Vcc进行动作。

端子HO是输出驱动NMOS晶体管32的驱动信号Vdr1的端子，与NMOS晶体管32的栅极相连接。

端子LO是输出驱动NMOS晶体管33的驱动信号Vdr2的端子，与NMOS晶体管33的栅极相连接。

另外，端子STB相当于“第1端子”，端子VH相当于“第2端子”，端子VCC相当于“第3端子”，端子REG相当于“第4端子”。

<<<控制IC50的详细情况>>>

图4是表示控制IC50的结构的图。控制IC50是控制LLC电流谐振型电源电路的集成电路。控制IC50构成为包含启动电路70、电流源71、齐纳二极管72、判定电路73、电阻74、75、设定电路76、复位电路(RESET)90、低电压保护电路(UVLO)91、内部电源(REG1)92、内部电源(REG2)93、负载检测电路100、振荡电路101和驱动电路102。另外，判定电路73相当于“第1判定电路”或“第1模式判定电路”。

＝＝＝启动电路70＝＝＝

启动电路70在控制IC50启动时基于整流电压Vrec1来生成使控制IC50进行动作的电源电压Vcc。具体而言，启动电路70在控制IC50启动时，基于端子VCC的电压Vcc，利用经由端子VH而施加的整流电压Vrec1生成的电压对图3的电容器61进行充电，生成电压Vcc。

此外，当控制IC50的启动完成后，电压Vcc足够高，并且电容器61受到来自辅助线圈L4的电流充电时，启动电路70停止对电容器61的充电。

在这里，“启动”是在交流电压Vac施加到电源装置10后，从输出使控制IC50的数字电路进行动作的信号rst1(后文描述)直到输出开始进行开关的信号rst2(后文描述)的动作。

另外，控制IC50的“启动”包括以下步骤(1)以及(2)中所示的动作。步骤(1)中，在向电源装置10施加交流电压Vac之后，经过对控制IC50的各种电路进行初始设定的“状态设定期间”。步骤(2)中，经过步骤(1)后，启动电路70对电容器61充电，电压Vcc的电平设为控制IC50使NMOS晶体管32、33开始进行开关的电平(例如，后文描述的规定电平Vccon)。另外，步骤(1)以及(2)的详细内容将在后文阐述。本实施方式的启动电路70构成为包含恒压源80、控制电路81、充电电路82。

<<恒压源80>>

恒压源80基于整流电压Vrec1生成恒压Vstartup(例如，30V)。具体而言，恒压源80基于经由端子VH施加的整流电压Vrec1来生成恒压Vstartup，而与控制IC50的动作模式无关。

此外，在整流电压Vrec1被施加到端子VH的期间，恒压源80将恒压Vstartup施加到控制电路81、充电电路82、电流源71和判定电路73。另外，恒压Vstartup相当于“规定电压”。

＜＜控制电路81＞＞

控制电路81控制充电电路82以使充电电路82生成电压Vcc。此外，在所述控制IC50启动时的步骤(1)至(2)之间，控制电路81控制充电电路82。

具体而言，判定电路73输出指示图3的NMOS晶体管32、33应当开始进行开关的信号Sb时，控制电路81根据电压Vcc的电压值输出用于控制充电电路82的信号Pon。此外，以下将指示NMOS晶体管32、33应当开始进行开关的信号Sb称为“应当进行开关信号Sb”。

另一方面，判定电路73输出指示NMOS晶体管32、33应当停止开关的信号Sb时，控制电路81输出用于使充电电路82停止生成电压Vcc的信号Pon。此外，将指示NMOS晶体管32、33应当停止开关的信号Sb称为“应当停止开关的信号Sb”。另外，信号Pon的详细内容将在后文中阐述。

这里，在状态设定期间，电压Vcc的电平低于规定电平Vston(例如，9V)时，控制电路81输出使充电电路82向电容器61充电的信号Pon。另一方面，当电压Vcc的电平达到规定电平Vstoff(例如，10V)时，控制电路81输出使充电电路82停止向电容器61充电的信号Pon。

此外，电压Vcc的电平从规定电平Vstoff降低到规定电平Vston时，控制电路81再次输出使充电电路82向电容器61充电的信号Pon。之后，当状态设定期间完成时，控制电路81输出使充电电路82向电容器61充电的信号Pon直到电压Vcc的电平达到规定电平Vccon为止。

此外，当控制IC50的启动完成后，电压Vcc足够高，并且电容器61被来自辅助线圈L4的电流充电时，控制电路81输出使充电电路82停止对电容器61充电的信号Pon。输出了使充电电路82停止对电容器61充电的信号Pon后，恒压源80不再需要提供恒压Vstartup，并且随着恒压Vstartup的生成而产生的电流几乎为0。因此，恒压源80的功耗几乎没有。另外，电容器61相当于“第1电容器”。

＜＜充电电路82＞＞

充电电路82基于电压Vstartup进行动作，经由端子VCC对电容器61充电以生成电压Vcc。具体而言，当控制电路81输出指示应当给电容器61充电的信号Pon时，充电电路82基于电压Vstartup经由端子VCC对电容器61充电。另一方面，当控制电路81输出表示应停止对电容器61充电的信号Pon时，充电电路82停止对电容器61的充电。

＝＝＝电流源71＝＝＝

电流源71是在端子STB上生成与连接到端子STB的接口电路18a的状态对应的电压的电路。详细内容在后文中阐述，根据端子STB的电压Vstb的电平，控制IC50可以在对应于来自微控制器15a的信号的动作模式下进行动作。本实施方式的电流源71基于来自设定电路76的信号Sa(后文描述)，当控制IC50处于规定的状态时向端子STB提供电流Ia。具体而言，除了状态设定期间以外的期间内，当输入指示提供电流Ia的信号Sa时，电流源71向端子STB提供电流Ia。

另外，电流Ia是对后述的图9所示的接口电路18a内的电容器150进行充电的电流。另外，当微控制器15a输出使DC-DC转换器13停止的信号Wakeup时，电容器150上产生的电压Vstb的电平上升，高于规定电平Vstop(例如，5.0V)。

另一方面，微控制器15a输出使DC-DC转换器13进行动作的信号Wakeup时，由于电容器150经由图9的电阻151(后文描述)放电，因此电压Vstb的电平降低，低于规定电平Vstop。因此，端子STB的电压Vstb的电平随着电流Ia而变化，从而控制IC50能够对应于来自微控制器15a的指示而进行动作。另外，接口电路18的详细内容将在后文中阐述。

＝＝＝齐纳二极管72＝＝＝

齐纳二极管72设置在端子STB和接地之间，并且用于使端子STB的电压Vstb的电平不超过规定电平(例如，5.9V)(即，钳位)。另外，齐纳二极管72相当于“钳位元件”。

＝＝＝判定电路73＝＝＝

判定电路73判定端子STB的电压Vstb的电平是否超过用于判断控制IC50的动作模式的规定电平Vstop。具体而言，电压Vstb的电平比规定电平Vstop低的情况下，判定电路73输出应当进行开关信号Sb。此外，该情况下的控制IC50的动作模式称为“通电模式”。此外，控制IC50以“通电模式”进行动作的情况下，控制IC50在上述步骤(2)之后对NMOS晶体管32、33进行开关。

另一方面，电压Vstb的电平比规定电平Vstop高的情况下，判定电路73输出应当停止开关信号Sb。此外，该情况下的控制IC50的动作模式称为“切断模式”。此外，在控制IC50处于“切断模式”的情况下，控制IC50不对NMOS晶体管32、33进行开关。另外，“通电模式”相当于“第1模式”，“切断模式”相当于“第2模式”。此外，规定电平Vstop相当于“第1电压电平”。

＝＝＝电阻74、75＝＝＝

电阻74和75根据整流电压Vrec1生成用于检测交流电压Vac的有效值的电压Vh。具体而言，电阻74和75串联连接在被施加整流电压Vrec1的节点和接地之间，在电阻74和75的连接点上生成电压Vh。

＝＝＝设定电路76＝＝＝

图5是示出设定电路76的一个示例的图。设定电路76输出用于设定控制IC50的动作的各种信号。具体而言，设定电路76输出向电流源71提供或停止提供电流Ia的信号Sa。

另外，在以“外部模式”(后文描述)改变驱动形式的情况下，设定电路76检测电压Vstb的电平的变化，向振荡电路101(后文描述)输出指示NMOS晶体管32、33的驱动形式的信号Sc。另外，设定电路76输出表示状态设定期间完成的信号Sd和表示改变NMOS晶体管32、33的驱动形式的方式的信号Se。设定电路76构成为包含由数字电路(逻辑电路)构成的数字部110和由模拟电路构成的模拟部111。

＝＝＝＝数字部110＝＝＝＝

数字部110构成为包含控制电路120和判定电路121。

＝＝＝＝＝控制电路120＝＝＝＝＝

控制电路120控制图4的电流源71、控制电路81、内部电源92以及图5的模拟部111内的各种电路。此外，控制电路120相当于“控制电路”。

＝＝＝＝＝判定电路121＝＝＝＝＝

判定电路121基于来自控制电路120的信号和模拟数字转换器(ADC)132(后文描述)的转换结果(数字值Dvstb)来判定改变NMOS晶体管32、33的驱动形式的方式。

此外，当控制电路120输出表示应当获取转换结果的定时的信号S3时，判定电路121获取将与电阻151(后文描述)的电阻值Rstb对应的电压Vstb的电压值转换为数字值而得到的数字值Dvstb。然后，判定电路121根据数字值Dvstb输出表示是以“外部模式”或“内部模式”中的哪个模式来改变驱动形式的信号Se。

这里，“外部模式”是指通过后文描述的比较器134判定接口电路18a根据信号ExtSTB的逻辑电平输出的电压Vstb的电平是否比后文描述的规定电平Vthstb高，来改变驱动形式的模式。

另一方面，“内部模式”是基于由后文描述的负载检测电路100输出的电压Vca即负载14的状态来改变驱动形式的模式。另外，判定电路121相当于“第2判定电路”。

＝＝＝＝模拟部111＝＝＝＝

模拟部111由模拟电路构成，包括放电电路130、电流源131、模数转换器(ADC)132、钳位电路133、比较器134和通信电路135。另外，模拟部111的放电电路130、电流源131、以及模数转换器132在状态设定期间进行动作，以基于如后文描述的图9所示的电阻151的电阻值Rstb，决定改变图3的NMOS晶体管32、33的驱动形式的方式。

＝＝＝＝＝放电电路130＝＝＝＝＝

放电电路130在状态设定期间对后文描述的图9的电容器150(后文描述)进行放电，以准确地判定与电阻151的电阻值Rstb对应的电压。具体而言，当控制电路120输出使电容器150放电的信号S1时，放电电路130对连接电容器150的端子STB进行放电。另一方面，当控制电路120输出使电容器150停止放电的信号S1时，放电电路130停止向连接电容器150的端子STB放电。

＝＝＝＝＝电流源131＝＝＝＝＝

电流源131向端子STB提供电流Ib以便测量用于设定驱动形式的改变方式的后文描述的图9中的电阻151的电阻值Rstb。具体而言，当控制电路120输出指示电流Ib供给的信号S2时，电流源131经由端子STB向电阻151供给电流Ib。因此，控制IC50能够判定电阻151的电阻值Rstb。

此外，详细在后文阐述，使用者如图6所示在将改变驱动形式的方式设定为“外部模式”的情况下，将电阻值Rstb设为电阻值Ra，在将改变驱动形式的方式设定为“内部模式”的情况下，将电阻值Rstb设为电阻值Rb。

另外，电阻值Rstb为电阻值Ra的情况下，判定电路121输出表示在“外部模式”下改变驱动形式的信号Se。此外，将表示在“外部模式”下改变驱动形式的情况下的信号Se称为“表示‘外部模式’的信号Se”。

另外，电阻值Rstb为电阻值Ra的情况下，判定电路121输出表示在“内部模式”下改变驱动形式的信号Se。此外，将表示在“内部模式”下改变驱动形式的情况下的信号Se称为“表示‘内部模式’的信号Se”。

＝＝＝＝＝模数转换器(ADC)132＝＝＝＝＝

模数转换器(ADC)132将电压Vstb的电压值转换为数字值Dvstb。本实施方式中，控制电路120输出指示电流Ib供给的信号S2，并且输出表示应当获取数字值Dvstb的定时的信号S3。然后，判定电路121基于数字值Dvstb输出信号Se。此时，模数转换器132将电阻151中产生的电压的电压值转换为数字值Dvstb，并且将数字值Dvstb输出到判定电路121。

＝＝＝＝＝钳位电路133＝＝＝＝＝

钳位电路133生成电压以将端子STB的电压Vstb的电平维持在规定电平Vnorm。

钳位电路133构成为包含运算放大器140、PMOS晶体管141和电阻142。输入到运算放大器140的正相输入端子的电压Vstb的电平比输入到反相输入端子输入的规定电平Vnorm低的情况下，运算放大器140驱动PMOS晶体管141以减小PMOS晶体管141的导通电阻。

另一方面，电压Vstb的电平比规定电平Vnorm高的情况下，运算放大器140驱动PMOS晶体管141以增大PMOS晶体管141的导通电阻。然后，电阻142限制对应于电压Vreg2和PMOS晶体管141的导通电阻的电流，并且生成使电压Vstb的电平为规定电平Vnorm的电压。

另外，用于驱动端子STB的钳位电路133的驱动能力比放电电路130和通信电路135(后文描述)的驱动能力小。如果这些电路不进行动作，并且没有从外部向端子STB施加接地电压，则钳位电路133生成使电压Vstb的电平为规定电平Vnorm的电压。

＝＝＝＝＝比较器134＝＝＝＝＝

比较器134基于来自微控制器15a的信号ExtSTB来判定控制IC50是以“通常模式”进行动作还是以“低待机功率模式”进行动作。

这里，“通常模式”是指在负载状态不是轻负载的情况下，控制IC50如图7所示连续地开关NMOS晶体管32、33的动作模式。

另一方面，“低待机功率模式”是指当负载状态为轻负载时，控制IC50如图8所示以连续地开关NMOS晶体管32、33的开关动作期间和间歇地停止开关的停止动作期间交替地重复、即在突发模式下进行开关的动作模式。

另外，“通常模式”以及“低待机功率模式”是表示控制IC50以“通电模式”进行动作的情况下NMOS晶体管32、33的驱动形式的模式。

具体而言，输出表示“外部模式”的信号Se的情况下，比较器134在检测到比规定电平Vthstb高的电平的电压Vstb时，输出指示“通常模式”的信号Sc，并使后文描述的振荡电路101输出NMOS晶体管32、33以“通常模式”进行开关的振荡信号Vosc。

另一方面，比较器134检测到比规定电平Vthstb低的电平的电压Vstb时，输出指示“低待机功率模式”的信号Sc，并使振荡电路101输出NMOS晶体管32、33以“低待机功率模式”进行开关的振荡信号Vosc。另外，比较器134相当于“第1信号输出电路”或者“第2模式判定电路”，信号Sc相当于“第2信号”。此外，规定电平Vthstb相当于“第2电压电平”，判定电路73以及比较器134相当于“模式选择电路”。

＝＝＝＝＝通信电路135＝＝＝＝＝

为了实现与功率因数改善IC175的协作功能，通信电路135向端子STB输出脉冲信号。具体而言，为了将交流电压Vac的有效值传递给功率因数改善IC175，通信电路135接收基于施加到端子VH的整流电压Vrec1来判定交流电压Vac的有效值的电压Vh，并基于该电压Vh来生成并输出脉冲信号到端子STB。另外，脉冲信号具有比规定电平Vstop低且比规定电平Vthstb高的振幅电平。

这个动作通过通信电路135接收电压Vh，并生成表示交流电压Vac的有效值是高(例如，200V)还是低(例如，100V)的脉冲信号，经由接口电路18a(18b)输出到功率因数改善IC175来执行。

此外，当输出表示“内部模式”的信号Se时，通信电路135输出具有与负载14的状态相对应的脉冲宽度的脉冲信号。另外，通信电路135相当于“第2信号输出电路”或者“信号输出电路”，脉冲信号相当于“第3信号”。

＝＝＝复位电路(RESET)90＝＝＝

返回到图4，复位电路(RESET)90在电压Vcc低的情况下对控制IC50的数字部的电路进行复位，停止控制IC50的数字电路的动作。具体而言，复位电路90在电压Vcc的电平低于规定电平Vccrst的情况下，输出对控制IC50的数字电路进行复位的信号rst1。

另一方面，复位电路90在电压Vcc的电平超过规定电平Vccrst的情况下，输出使控制IC50的数字电路开始动作的信号rst1。本实施方式中，当电压Vcc上升且复位电路90解除数字部的电路的复位时，执行上述的状态设定。

＝＝＝低电压保护电路(UVLO)91＝＝＝

低电压保护电路(UVLO)91在电压Vcc低的情况下对负载检测电路100、振荡电路101以及驱动电路102(后文描述)进行复位，停止负载检测电路100、振荡电路101以及驱动电路102的动作。具体而言，低电压保护电路91在电源电压Vcc的电平低于规定电平Vccon的情况下，输出对负载检测电路100、振荡电路101以及驱动电路102进行复位的信号rst2。

另一方面，低电压保护电路91在电压Vcc的电平超过规定电平Vccon的情况下，输出使负载检测电路100、振荡电路101以及驱动电路102开始进行动作的信号rst2。本实施方式中，当电压Vcc上升且低电压保护电路91解除各种电路的复位时，控制IC50开始进行开关动作。

＝＝＝内部电源(REG1)92＝＝＝

当控制IC50启动时，若电压Vcc的电平上升，则内部电源(REG1)92生成供驱动电路102(后文描述)输出的驱动信号Vdr1和Vdr2用的电压Vreg1。具体而言，当判定电路73输出应当进行开关信号Sb且电压Vcc的电平从接地电平上升时，内部电源92逐渐在内部生成电压Vreg1。

之后，当由设定电路76输出表示状态设定期间完成的信号Sd时，内部电源92将电压Vreg1输出到端子REG。此外，控制IC50在“通电模式”下进行动作的情况下，当低电压保护电路91输出上述信号rst2时，驱动电路102使NMOS晶体管32、33开始进行开关。

此外，当判定电路73输出应当停止开关信号Sb时，内部电源92停止电压Vreg1的生成。由此，在控制IC50处于“切断模式”的情况下，驱动电路102使NMOS晶体管32、33停止开关。另外，内部电源92相当于“第1电源电压生成电路”，电压Vreg1相当于“第1电源电压”。

＝＝＝内部电源(REG2)93＝＝＝

当控制IC50启动时，若电压Vcc上升，则内部电源(REG2)93生成电压Vreg2用作为执行状态设定用的各种电路的电源。具体而言，当判定电路73输出应当进行开关信号Sb且电压Vcc的电平从接地电平上升时，内部电源93生成电压Vreg2。由此，控制IC50在“通电模式”下进行动作的情况下，控制IC50的各种电路(例如，控制电路120、放电电路130以及电流源131)接受电压Vreg2的供给而进行动作。

此外，当判定电路73输出应当停止开关信号Sb时，内部电源93停止电压Vreg2的生成。由此，控制IC50处于“切断模式”的情况下，控制IC50的各种电路不进行动作。另外，内部电源93相当于“第2电源电压生成电路”，电压Vreg2相当于“第2电源电压”。

＝＝＝负载检测电路100＝＝＝

负载检测电路100基于被施加到端子IS的与负载14的功耗相应的电压，对负载14的状态是轻负载还是重负载进行检测。负载检测电路100向振荡电路101和通信电路135输出表示负载14的状态的电压Vca。

这里，负载14的功耗在负载14的状态是重负载时比是轻负载时要大。因此，施加到端子IS的电压Vis表示与负载14的功耗相对应的电压，因此当电压Vis低于规定值时，负载检测电路100输出表示负载14的状态为轻负载的电压Vca。

另一方面，当电压Vis比规定值高的情况下，负载检测电路100输出表示负载14的状态为重负载的电压Vca。另外，负载14的状态为重负载的情况下负载越重，电压Vca越高。另外，电压Vca相当于“第1信号”。

＝＝＝振荡电路101＝＝＝

振荡电路101是电压控制振荡电路，其基于所输入的反馈电压Vfb_a，输出用于使图3的NMOS晶体管32、33进行开关的振荡信号Vosc。

另外，振荡电路101在电压Vfb_a的电平变低时，输出高频率的振荡信号Vosc。此处，当负载14的状态为轻负载时，输出电压Vout2上升而高于目标电平。于是，图3所示的由分路调节器构成的恒压电路43的内部输入上升，为了使输出恒定，在未图示的分路调节器内部的晶体管中流过大量电流。

其结果是，发光二极管44中也流过大量电流。然后，光电晶体管62使大小与来自发光二极管44的光的增强幅度相应的偏置电流I1从端子FB流向接地，从而反馈电压Vfb_a降低。

此外，当低电压保护电路91输出使振荡电路101开始进行动作的信号rst2时，振荡电路101基于信号Sc或电压Vca向控制IC50输出在“通常模式”或者“低待机功率模式”下使NMOS晶体管32、33进行开关的振荡信号Vosc。

另外，输出的是表示“外部模式”的信号Se的情况下，振荡电路101基于来自设定电路76的信号Sc的逻辑电平进行动作。

另一方面，输出的是表示“内部模式”的信号Se的情况下，振荡电路101基于来自负载检测电路100的电压Vca的电压电平进行动作。

<<“内部模式”下驱动形式的变更>>

而且，在输出的是表示“内部模式”的信号Se的情况下，负载检测电路100输出比规定电平Vcastb高的电压Vca时，振荡电路101在“通常模式”下使NMOS晶体管32、33进行开关。

另一方面，负载检测电路100输出比规定电平Vcastb低的电压Vca时，振荡电路101在“低待机功率模式”下使NMOS晶体管32、33进行开关。

另外，振荡电路101相当于“振荡电路”，“通常模式”相当于“第3模式”，“低待机功率模式”相当于“第4模式”，振荡信号Vosc相当于“驱动信号”。

＝＝＝驱动电路102＝＝＝

驱动电路102被提供电压Vreg1，以振荡信号Vosc的频率来对NMOS晶体管32、33进行开关驱动。具体而言，驱动电路102将具有振荡信号Vosc的频率且占空比原则上恒定(例如50％)的脉冲状的驱动信号Vdr1、Vdr2分别输出到如图7、8所示的NMOS晶体管32、33。另外，驱动电路102设置死区时间，且使驱动信号Vdr1和驱动信号Vdr2相辅地变化，从而确保NMOS晶体管32、33不同时导通。

这里，在“通常模式”下进行动作时，若输出电压Vout2的电平上升而高于目标电平，则反馈电压Vfb_a降低，因此振荡信号Vosc的频率变高。其结果是，LLC电流谐振型电源电路即DC－DC转换器13的输出电压Vout2下降。

另一方面，若输出电压Vout2的电平降低而低于目标电平，则反馈电压Vfb_a上升，因此，振荡信号Vosc的频率变低。其结果是，DC-DC转换器13的输出电压Vout2上升。因此，在“通常模式”下进行动作时，DC-DC转换器13能生成目标电平的输出电压Vout2。

<<<接口电路18a的结构以及动作>>>

图9是示出接口电路18a的一个示例的图。如上所述，接口电路18a根据来自图1的微控制器15a的信号Wakeup以及信号ExtSTB，来实现控制IC50的动作的变更、控制IC50和功率因数改善IC175之间的协作功能。

此外，接口电路18a构成为包含电容器150、154、159、162、电阻151、155、156、158、161、NMOS晶体管152、153、157、160。

此外，详细内容将在后文阐述，电容器150、154、电阻151、155、156、NMOS晶体管152、153、157设定控制IC50的端子STB的电压Vstb的电平。另一方面，电阻158、161、电容器159、162、NMOS晶体管160实现控制IC50和功率因数改善IC175之间的协作功能。

＝＝＝设定端子STB的电压Vstb的电平的电路＝＝＝

<与信号Wakeup相关的电路的结构>

电容器150设置在连接到控制IC50的端子STB的信号线路L1与接地之间，利用来自控制IC50的电流源71的电流Ia进行充电。另外，电容器150相当于“第2电容器”，信号线路1相当于“第1信号线路”。

电阻151具有电阻值Rstb，一端与信号线路L1连接，另一端经由NMOS晶体管152而与接地连接。此外，如上所述，电阻值Rstb是用于判定控制IC50是在“外部模式”还是“内部模式”而设定的电阻值。

NMOS晶体管152是在栅极上基于来自图1的微控制器15a的信号Wakeup进行导通或断开的开关。另外，NMOS晶体管152与电阻151串联连接。

＝＝信号Wakeup为低电平(以下，称为“L”电平)的情况下的动作＝＝

NMOS晶体管152接收到使DC-DC转换器13停止的“L”电平的信号Wakeup时断开，将电阻151从接地断开。该情况下，由于电容器150没有经由电阻151放电，因此用来自电流源71的电流Ia进行充电，电压Vstb的电平如图10所示变得高于规定电平Vstop。其结果是，判定电路73判定控制IC50应当处于“切断模式”。

即，接口电路18a将控制IC50设为“切断模式”，如图11的信号Wakeup为“L”电平那部分所示。另外，信号Wakeup为“L”电平的情况下，由于后文描述的NMOS晶体管153从接地断开，因此电压Vstb的电平不受信号ExtSTB的影响。

＝＝信号Wakeup为高电平(以下，称为“H”电平)的情况下的动作＝＝

另一方面，NMOS晶体管152接收到使DC-DC转换器13进行动作的(即，“H”电平的)信号Wakeup时导通，与NMOS晶体管152串联连接的电阻151与接地连接。由此，电容器150经由电阻151放电，电压Vstb的电平如图10所示变得低于规定电平Vstop。其结果是，判定电路73判定控制IC50应当处于“通电模式”。

由此，控制IC50将在“通电模式”下进行动作，如图11的信号Wakeup的“H”电平那部分所示。另外，电阻151相当于“电阻”，NMOS晶体管152相当于“第1开关”，信号Wakeup相当于“指示信号”。此外，电流源71相当于“电流源”。

然后，若在控制IC50启动时控制IC50处于状态设定期间，则接收到指示电流Ib供给的信号S2的电流源131使电流Ib流过电阻151，在端子STB生成规定电压作为电压Vstb。其结果是，模数转换器132将该规定电压转换为数字值Dvstb。

然后，判定电路121根据数字值Dvstb输出表示应当以“外部模式”或“内部模式”中的哪一种模式来改变驱动形式的信号Se。具体而言，电阻151的电阻值Rstb为电阻值Ra的情况下，判定电路121如图6所示地输出表示“外部模式”的信号Se。

另一方面，电阻151的电阻值Rstb为电阻值Rb的情况下，判定电路121如图6所示地输出表示“内部模式”的信号Se。

<与信号ExtSTB相关的电路的结构>

NMOS晶体管153是基于信号ExtSTB而改变电压Vstb的电平的开关，并设置在NMOS晶体管157(后文描述)与NMOS晶体管152之间。NMOS晶体管153在栅极接收来自微控制器15a的信号ExtSTB。

下文中，在对接口电路18a根据信号EXtSTB的逻辑电平输出哪种电平的电压Vstb进行说明之前，对端子REG和后文描述的NMOS晶体管157的关系进行说明。

<与端子REG相关的电路的结构>

电容器154设置在端子REG与接地之间，以使内部电源92的输出电压Vreg1稳定。

电阻155、156对电压Vreg1进行分压，在其连接点生成电压Vreg1_div。

NMOS晶体管157接收栅极电压Vreg1_div，设置在信号线路L1与NMOS晶体管153之间，并且经由NMOS晶体管152、153与接地连接。此外，NMOS晶体管153以及157与电阻151并联连接。

然后，由于内部电源92停止电压Vreg1的输出直到控制IC50的状态设定期间完成为止，因此NMOS晶体管157是断开的。由此，NMOS晶体管157消除了接收信号ExtSTB的NMOS晶体管153对电压Vst的电平的影响。另外，NMOS晶体管157相当于“第2开关”，NMOS晶体管153相当于“第3开关”。

具体而言，由于内部电源92输出作为接地电压的电压Vreg1直到控制IC50的状态设定期间完成为止，因此NMOS晶体管157断开，从而消除状态设定期间中由NMOS晶体管153造成的影响。

之后，内部电源92在控制IC50的状态设定期间完成时输出电压Vreg1，NMOS晶体管157导通。NMOS晶体管157导通时，由于NMOS晶体管152导通，NMOS晶体管153的导通或断开使电压Vstb的电平变化，控制IC50根据信号ExtSTB而使动作模式变化。

然后，输出指示图3的NMOS晶体管32、33的驱动形式的信号ExtSTB时，NMOS晶体管153导通或断开，如图10所示，将电压Vstb设定为比电压Vthstb低或高。

此外，信号Wakeup为“L”电平且控制IC50处于“切断模式”的情况下，由于NMOS晶体管153从接地断开，因此电压Vstb的电平不受信号ExtSTB的影响。因此，以下，对信号Wakeup为高电平“H”电平因此控制IC50为“通电模式”的情况下，接口电路18a根据信号ExtSTB输出何种电平的电压Vstb进行说明。

＝＝信号ExtSTB为“H”电平的情况下的动作＝＝

具体而言，当输出使NMOS晶体管32、33在“低待机功率模式”下进行开关的(即，“H”电平的)信号ExtSTB时，NMOS晶体管153导通。这时，无论图5的钳位电路133如何进行动作，如图10所示，电压Vstb的电平都比规定电平Vthstb要低。

这时，比较器134输出指示“低待机功率模式”的信号Sc，使振荡电路101输出在“低待机功率模式”下对NMOS晶体管32、33进行开关的振荡信号Vosc。

其结果是，如图11的信号ExTSTB为“H”电平的那部分所示，接口电路18a使控制IC50间歇地开关NMOS晶体管32、33。

＝＝信号ExtSTB为“L”电平的情况下的动作＝＝

另一方面，当输出使NMOS晶体管32、33在“通常模式”下进行开关的(即“L”电平的)信号ExtSTB时，NMOS晶体管153断开。这时，如图10所示，电压Vstb的电平比规定电平Vthstb要高。

这时，比较器134输出指示“通常模式”的信号Sc，使振荡电路101输出在“通常模式”下对NMOS晶体管32、33进行开关的振荡信号Vosc。

其结果是，如图11的信号ExtSTB为“L”电平的那部分所示，接口电路18a使控制IC50连续地开关NMOS晶体管32、33。另外，接口电路18a的协作功能将在后文中阐述。

＝＝功率因数改善IC175侧的电路＝＝

如上所述，电阻158、161、电容器159、162、NMOS晶体管160实现控制IC50和功率因数改善IC175之间的协作功能。

电阻158、电容器159构成用于去除图5的通信电路13输出的脉冲信号的噪声的低通滤波器。另外，交流电压Vac的有效值为100V的情况下，脉冲信号被配置成期间T1的脉冲输出两次，当交流电压Vac的有效值为200V时，被配置成期间T1的脉冲输出一次。

NMOS晶体管160根据低通滤波器的输出而导通或断开，并且将与通信电路135输出的脉冲信号对应的电压Sig输出到功率因数改善IC175。

电阻161设置在端子RT与接地之间，并且当NMOS晶体管160断开时，使端子RT的电压降低。

电容器162设置在端子RT与接地之间，以使端子RT的电压稳定。

<<<功率因数改善电路22的概况>>>

图12是示出功率因数改善电路22的结构的图。功率因数改善电路22是根据商用电源的交流电压Vac来生成目标电平的输出电压Vout1的升压斩波型电源电路。

功率因数改善电路22构成为包含全波整流电路170、电容器171、174、183、184、变压器172、二极管173、功率因数改善IC75、NMOS晶体管176以及电阻180～182。

全波整流电路170将对所施加的规定交流电压Vac进行全波整流后得到的整流电压Vrec2施加到电容器171和变压器172的主线圈L5。这里，交流电压Vac例如是100～240V、频率为50～60Hz的电压。

电容器171是用于对整流电压Vrec2进行滤波的元件，变压器172具有主线圈L5和磁耦合到主线圈L5的辅助线圈L6。这里，在本实施方式中，辅助线圈L6以使辅助线圈L6中生成的电压的极性与主线圈L5中生成的电压的极性相反的方式进行卷绕。而且，在辅助线圈L6中产生的电压Vzcd被施加到端子ZCD。

整流电压Vrec2直接施加到主线圈L5，但也可以通过例如电阻(未图示出)等元件施加到主线圈L5。

此外，主线圈L5与二极管173、电容器174和NMOS晶体管176一起构成升压斩波电路。因此，电容器174的充电电压成为直流的输出电压Vout1。另外，输出电压Vout1例如为400V。

功率因数改善IC175是控制NMOS晶体管176的开关的集成电路，以改善AC-DC转换器12的功率因数并且使输出电压Vout1的电平成为目标电平(例如400V)。具体而言，功率因数改善IC175基于流过主线圈L5的电感器电流IL和输出电压Vout1来驱动NMOS晶体管176。

后文阐述功率因数改善IC175的详细情况，在功率因数改善IC175上设置有端子VH、VCC、RT、FB、ZCD、COMP、OUT。另外，在功率因数改善IC175上除了上述7个端子VH、VCC、RT、FB、ZCD、COMP和OUT之外，还设置有其它端子，但是为了方便起见，这里进行了省略。

NMOS晶体管176是用于控制AC-DC转换器12提供给DC-DC转换器13的功率的晶体管。另外，本实施方式中，NMOS晶体管176采用MOS(Metal Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体)晶体管，但是并不限于此。NMOS晶体管176只要是能控制功率的晶体管即可，例如也可以是双极型晶体管。此外，NMOS晶体管176的栅极连接成利用来自端子OUT的信号进行驱动。

电阻180、181构成用于对输出电压Vout1进行分压的分压电路，并且生成在对NMOS晶体管176进行开关时使用的反馈电压Vfb_b。另外，电阻180、181相连接的节点上所生成的反馈电压Vfb_b施加到端子FB。

电阻182和电容器183、184是用于反馈控制的功率因数改善IC175的相位补偿用元件，详细情况在后文中阐述。电阻182和电容器183串联设置在端子COMP与接地之间，与该电阻82和电容器83并联地设置有电容器184。

此外，来自接口电路18a的脉冲信号被输入到端子RT。

<<<功率因数改善IC175的详细情况>>>

图13是表示功率因数改善IC175的结构的一个示例的图。功率因数改善IC175构成为包含驱动电路190、信号检测电路191和电阻192。另外，在图13中，为了方便起见，将端子描绘在与图12不同的位置，然而，连接到各个端子的布线、元件等在图12和图13中是相同的。

＝＝＝驱动电路190＝＝＝

驱动电路190是下述电路：基于与输出电压Vout1相应的反馈电压Vfb_b，生成对NMOS晶体管176进行导通或断开的驱动信号Vdr。驱动电路190构成为包含零电流检测电路200、延迟电路201、脉冲电路202、导通计时器电路203、或门电路204、213、误差放大电路210、振荡电路211、比较器212、SR触发器220以及缓冲电路221。

＝＝＝＝零电流检测电路200＝＝＝＝

零电流检测电路200是基于端子ZCD的电压Vzcd，来检测电感器电流IL的电流值是否为表示大致为零的“电流值Ia”(为了方便起见，以下将“大致为零”简称为零)的电路。另外，当本实施方式的零电流检测电路200检测到电感器电流IL的电流值是“零”即“电流值Ia”时，输出“H”电平的信号Vz。此外，零电流检测电路200构成为包含比较器(未示出)，该比较器用于将在电感器电流IL变为“电流值Ia”时的辅助线圈L6的规定电压与电压Vzcd进行比较。

＝＝＝＝延迟电路201＝＝＝＝

当从零电流检测电路200输出“H”电平的信号Vz时，延迟电路201延迟规定时间再输出。

＝＝＝＝脉冲电路202＝＝＝＝

当从延迟电路201输出“H”电平的信号Vz时，脉冲电路202输出H电平的脉冲信号Vp1。

＝＝＝＝导通计时器电路203＝＝＝＝

当功率因数改善IC175启动时，或者当交流电压Vac被切断而没有输出脉冲信号Vp1的情况下，导通计时器电路203输出用于导通NMOS晶体管176的脉冲信号Vp2。具体地说，当在规定期间没有输出脉冲信号Vp1时，每隔规定周期输出“H”电平的脉冲信号Vp2。

＝＝＝＝或门电路204＝＝＝＝

或门电路204运算并输出脉冲信号Vp1、Vp2的逻辑或。因此，在本实施方式中，从或门电路204输出脉冲信号Vp1或脉冲信号Vp2作为信号Vp3。

＝＝＝＝误差放大电路210＝＝＝＝

误差放大电路210是对施加到端子FB的反馈电压Vfb_b与规定基准电压VREF0或VREF1之间的误差进行放大的电路。另外，基于基准电压VREF0调整电阻180和181的比例，以使得输出电压Vout1成为所希望的电压。

此外，基准电压VREF0以及VREF1是基于来自后文描述的信号检测电路191的信号enb来选择的。此外，基准电压VREF1是在AC输入高(例如200V)的情况下生成比目标电平低的规定电平的输出电压Vout1时的基准电压。

此外，相位补偿用的电阻182和电容器183、184经由端子COMP连接在误差放大电路210的输出与接地之间。这里，将误差放大电路210的输出和端子COMP连接的节点处的电压设为电压Ve。

＝＝＝＝振荡电路211＝＝＝＝

每当输入来自SR触发器220的“H”电平的信号Vp1时，振荡电路211输出振幅逐渐变大的斜波Vr。

＝＝＝＝比较器212＝＝＝＝

比较器212比较电压Ve与斜波Vr的大小，并输出信号Vc1作为比较结果。这里，电压Ve施加到比较器212的反相输入端子，斜波Vr施加到比较器212的正相输入端子。因此，当斜波Vr的电平比电压Ve的电平低时，信号Vc1变为“L”电平，当斜波Vr的电平比电压Ve的电平高时，信号Vc1变为“H”电平。

＝＝＝＝或门电路213＝＝＝＝

或门电路213运算信号Vc1与来自信号检测电路191的信号Vsb的逻辑或并输出。因此，当信号Vc1或信号Vsb变为“H”电平时，从或门电路213输出“H”电平的信号Vp4。

＝＝＝＝SR触发器220＝＝＝＝

信号Vp3被输入到SR触发器220的S输入端，信号Vp4被输入到R输入端。因此，当信号Vp3变为“H”电平时，SR触发器220的Q输出即驱动信号Vq1变为“H”电平。另一方面，当信号Vp4变为“H”电平时，驱动信号Vq1变为“L”电平。另外，SR触发器220以复位优先的方式进行动作，信号Vp4为“H”电平时，始终输出“L”电平的信号Vq1，而与信号Vp3无关。

＝＝＝＝缓冲电路221＝＝＝＝

缓冲电路221基于驱动信号Vq1来驱动NMOS晶体管176。具体而言，缓冲电路221用与输入的信号相同逻辑电平的信号Vdr来驱动栅极电容等较大的NMOS晶体管176。此外，缓冲电路221基于“H”电平的驱动信号Vq1使NMOS晶体管176导通，并且基于“L”电平的驱动信号Vq1来使NMOS晶体管176断开。

＝＝＝信号检测电路191＝＝＝

信号检测电路191使控制IC50以“内部模式”进行动作，实现在控制IC50控制功率因数改善IC175的情况下的主要功能。此外，本实施方式是对控制IC50以“外部模式”进行动作的情况进行说明的实施方式。

为此，本实施方式中，当判定电路121输出表示“外部模式”的信号Se时，图5的通信电路135将表示交流电压Vac的有效值是高(例如，200V)还是低(例如，100V)的脉冲信号，经由接口电路18a输出到功率因数改善IC175。

然后，信号检测电路191基于经由端子RT输入的脉冲信号检测AC输入是100V还是200V，并输出表示AC输入是100V还是200V的信号enb。另外，端子RT连接有电阻192，用于上拉到来自内部电源(未图示)的电源电压Vdd。此外，信号检测电路191的其他功能将在后文中阐述。

<<<控制IC50的动作>>>

图14是示出控制IC50的动作的一个示例的图。另外，图14是控制IC50启动后，控制IC50以“外部模式”变更驱动形式的情况下的控制IC50的动作的一个例子。此外，在时刻t0前，微控制器15a输出使DC-DC转换器13停止的(即，“L”电平的)信号Wakeup。此外，这时，控制IC50处于“切断模式”。此外，交流电压Vac的有效值(即，AC输入)为100V。

在时刻t0，当图1的微控制器15a输出使DC-DC转换器13进行动作的(即，“H”电平的)信号Wakeup时，图9的NMOS晶体管152导通。电容器150经由电阻151放电，端子STB的电压Vstb开始降低。

在时刻t1，当电压Vstb降低至规定电平Vstop时，判定电路73输出应当进行开关信号Sb。由此，控制电路81向充电电路82输出使图3的电容器61开始充电的信号Pon。然后，电压Vcc开始上升。这时，控制IC50转移到“通电模式”。然而，由于控制IC50的初始设定尚未完成，因此NMOS晶体管32、33不进行开关。

在时刻t2，当电压Vcc达到规定电平Vccrst时，复位电路90输出控制IC50的各种电路开始动作的信号rst1。然后，状态设定期间开始，图5的控制电路120输出使电容器150放电的信号S1，并且放电电路130使电容器150放电。其结果是，电压Vstb变为接地电压。

在时刻t3，当电压Vcc达到规定电平Vstoff时，控制电路81向充电电路82输出使电容器61停止充电的信号Pon。之后，在后文描述的时刻t6之前，控制电路81输出如下的信号Pon：当电压Vcc达到规定电平Vston时，使充电电路82开始图3的电容器61的充电，当电压Vcc达到规定电平Vstoff时，使充电停止。

在时刻t4，控制电路120输出使电容器150停止放电的信号S1，并输出指示电流Ib供给的信号S2时，图5的电流源131经由端子STB向电阻151提供电流Ib。其结果是，电压Vstb成为与电阻151的电阻值Rstb相对应的电压。另外，本实施方式中，电阻151的电阻值Rstb是如图6所示电阻值Ra。

在时刻t5，当控制电路120输出表示应当获取数字值Dvstb的定时的信号S3时，判定电路121获取电压Vstb的数字值Dvstb。其结果是，判定电路121判定为“外部模式”并输出表示“外部模式”的信号Se。

之后，控制电路120输出对电容器150放电的信号S1，放电电路130对电容器150放电。其结果是，电压Vstb变为接地电压。

在状态设定期间完成的时刻t6，当控制电路120输出表示控制IC50的各种电路进行初始设定的状态设定期间完成的信号Sd时，控制电路81使充电电路82对电容器61充电，直到电压Vcc达到规定电平Vccon为止。此外，内部电源92将电压Vreg1输出到端子REG。

然后，当控制电路120输出停止电容器150放电的信号S1时，放电电路130停止电容器150的放电。由此，钳位电路133开始将电压Vstb维持为电压Vnorm。

在时刻t7，电压Vcc超过规定电平Vccon时，低电压保护电路91输出使图4的负载检测电路100、振荡电路101以及驱动电路102开始进行动作的信号rst2。此外，由于电压Vcc达到规定电平Vccon，控制电路81向充电电路82输出使电容器61停止充电的信号Pon。

此外，振荡电路101接收到指示“通常模式”的信号Sc和表示“外部模式”的信号Se时，向驱动电路102输出用于使NMOS晶体管32、33连续开关的振荡信号Vosc。

然后，控制IC50开始图3的NMOS晶体管32、33的开关，之后，电容器61通过来自辅助线圈L4的电流充电。此外，由于AC输入为100V，通信电路135经由端子STB向功率因数改善IC175输出表示交流电压Vac的有效值低的脉冲信号。

在时刻t8，微控制器15a向控制IC50输出以“低待机功率模式”使NMOS晶体管32、33进行开关的(即，“H”电平的)信号ExtSTB，电压Vstb的电平比规定电平Vthstb低。其结果是，比较器134输出指示“低待机功率模式”的信号Sc。

然后，振荡电路101接收到指示“低待机功率模式”的信号Sc和表示“外部模式”的信号Se时，向驱动电路102输出用于使NMOS晶体管32、33间歇地开关的振荡信号Vosc。

在时刻t9，微控制器15a向控制IC50输出以“通常模式”使NMOS晶体管32、33进行开关的(即，“L”电平的)信号ExtSTB，电压Vstb的电平比规定电平Vthstb高。其结果是，比较器134输出指示“通常模式”的信号Sc。

然后，振荡电路101接收到指示“通常模式”的信号Sc和表示“外部模式”的信号Se时，向驱动电路102输出用于使NMOS晶体管32、33连续开关的振荡信号Vosc。

在时刻t10，和时刻t7相同，由于AC输入为100V，通信电路135经由端子STB向功率因数改善IC175输出表示交流电压Vac的有效值低的脉冲信号。

以上对控制IC50在“外部模式”下改变驱动形式的实施方式进行了说明。此外，控制IC50可以根据信号Wakeup的逻辑电平在“断开模式”和“通电模式”之间变更动作模式，其中“断开模式”停止除启动电路70以外的电路，而“通电模式”使包括启动电路70在内的电路进行动作。

而且，本实施方式中，通过接口电路18a的结构，控制IC50在启动后根据信号ExtSTB的逻辑电平，能在“通常模式”或“低待机功率模式”下对NMOS晶体管32、33恰当地进行开关。

从而，在控制IC50处于“切断模式”的情况下，控制IC50可以降低自身的功耗。甚至当控制IC50在“通电模式”下进行动作时，控制IC50能够根据信号ExtSTB的逻辑电平，改变驱动形式为“通常模式”或“低待机功率模式”，能够降低DC-DC转换器13的功耗。而且，控制IC50处于“切断模式”的情况下的功耗少于控制IC50在“通常模式”或“低待机功率模式”下进行动作的情况下的功耗。

<<<接口电路18b的结构以及动作>>>

图15是示出接口(IF)电路18b的一个示例的图。接口电路18b在“内部模式”下改变驱动形式变化时使用，是从图9的接口电路18a中删除了NMOS晶体管153、157和电阻155、156后的电路。因此，不再详细说明接口电路18b的结构。

<<信号Wakeup为“L”电平的情况下的动作>>

此外，与图9的情况相同，当微控制器15b输出使DC-DC转换器13停止的(即，“L”电平的)信号Wakeup时，端子STB的电压Vstb的电平如图16所示变得比规定电平Vstop高。其结果是，接口电路18b如图17的信号Wakeup为“L”那部分所示，将控制IC50设为“切断模式”。

<<信号Wakeup为“H”电平的情况下的动作>>

另一方面，微控制器15b输出使DC-DC转换器13进行动作的(即，“H”电平的)信号Wakeup时，电压Vstb的电平如图16所示变得比规定电平Vstop低。其结果是，接口电路18b如图17的信号Wakeup为“H”那部分所示，使控制IC50以“通电模式”进行动作。

<控制IC50和功率因数改善IC175之间的协作功能的说明>

然后，在“内部模式”下改变驱动形式时，图5的通信电路135如图17所示，为了实现控制IC50与功率因数改善IC175之间的协作功能，根据AC输入和控制IC50的动作模式，将脉冲信号输出到功率因数改善IC175。

具体而言，通信电路135如图17所示，根据AC输入来改变脉冲信号中包含的脉冲的次数(例如，参照脉冲的(a)以及(c))，并根据控制IC50的动作模式来改变脉冲的脉冲宽度(例如，参照脉冲的(a)以及(b))。

然后，功率因数改善IC175接收到(a)脉冲宽度T1且脉冲次数为2的脉冲信号时，检测出AC输入为100V以及应当变更动作模式为连续开关。功率因数改善IC175接收到(b)脉冲宽度T2且脉冲次数为2的脉冲信号时，检测出AC输入为100V以及应当变更动作模式为间歇开关。

此外，功率因数改善IC175接收到(c)脉冲宽度T1且脉冲次数为1的脉冲信号时，检测出AC输入为200V以及应当变更动作模式为连续开关。此外，功率因数改善IC175接收到(d)脉冲宽度T2且脉冲次数为1的脉冲信号时，检测出AC输入为200V以及应当变更动作模式为间歇开关。

并且，当接收到(e)脉冲宽度为T3且为连续脉冲的脉冲信号时，功率因数改善IC175在接收到脉冲信号的期间停止开关。此外，功率因数改善IC175在控制IC50处于“切断模式”的情况下停止。另外，脉冲宽度T1～T3的大小关系是T2＞T1＞T3。

<信号检测电路191的详细情况>

图13的信号检测电路191检测被输入了来自控制IC50的脉冲信号的端子RT的电压Sig，并且基于脉冲信号的脉冲次数以及脉冲宽度来检测AC输入和开关的相关指示。具体而言，如上所述，信号检测电路191在脉冲信号包含两次脉冲的情况下，检测出AC输入为100V。

然后，信号检测电路191在脉冲信号包含一次脉冲的情况下，检测出AC输入为200V。由此，功率因数改善IC175可以根据由脉冲信号表示的AC输入的类型来变更动作，而自身无需检测AC输入。

此外，当脉冲信号的脉冲宽度为脉冲宽度T1时，信号检测电路191检测到控制IC50指示功率因数改善IC175进行“连续开关”。该情况下，信号检测电路191将“L”电平的信号Vsb输出到或门电路213。然后，功率因数改善IC175基于比较器212输出的信号Vc1，将信号Vdr设为“L”电平。

此外，当脉冲信号的脉冲宽度为脉冲宽度T2时，信号检测电路191检测到控制IC50指示功率因数改善IC175进行“间歇开关”。该情况下，信号检测电路191在电压Vfb_b变为规定电平V1时，输出“H”电平的信号Vsb，在电压Vfb_b低至规定电平V2低时，输出“L”电平的信号Vsb。

因此，当电压Vfb_b达到规定电平V1时，信号检测电路191将信号Vdr设为“L”电平，并使功率因数改善IC175断开NMOS晶体管176。另一方面，当电压Vfb_b降低到规定电平V2时，信号检测电路191基于信号Vc1使功率因数改善IC175驱动NMOS晶体管176。

并且，脉冲信号的脉冲宽度为脉冲宽度T3的情况下，信号检测电路191检测到控制IC50指示在向功率因数改善IC175输出脉冲信号的期间内停止开关。该情况下，在脉冲信号输入的期间内，信号检测电路191输出具有“H”电平的信号Vsb，将信号Vdr设为“L”电平，并且使功率因数改善IC175断开NMOS晶体管176。

<<<控制IC50和功率因数改善IC175的协作动作>>>

图18是示出控制IC50以及功率因素改善IC155的动作的一个示例的图。另外，图18是控制IC50启动后控制IC50以“内部模式”变更驱动形式的情况下的控制IC50的动作的一个例子。

此外，在时刻t20前，微控制器15b输出使DC-DC转换器13停止的(即，“L”电平的)信号Wakeup。这时，控制IC50处于“切断模式”。此外，交流电压Vac的有效值(即，AC输入)为100V。

此外，接口电路18b中，由于信号ExtSTB和电压Vreg1_div未被用作输入，因此在图18中未示出。此外，除了以下几点以外，图18的时刻t20到时刻t27的控制IC50的动作对应于图14的时刻t0到时刻t7的控制IC50的动作。

在时刻t25，判定电路121判定为“内部模式”并输出表示“内部模式”的信号Se。

此外，功率因数改善IC175在控制IC50处于“切断模式”的时刻t21之前停止开关。此外，从控制IC50转移到“通电模式”的时刻t21到状态设定期间完成并开始连续开关的时刻t27为止，功率因数改善IC175停止开关。综上，以下将说明时刻t27以后的控制IC50和功率因数改善IC155的动作。

在时刻t27，电压Vcc的电平超过规定电平Vccon时，低电压保护电路91输出使图4的负载检测电路100、振荡电路101以及驱动电路102开始进行动作的信号rst2。此外，由于电压Vcc的电平变为规定电平Vccon，因此控制电路81向充电电路82输出使电容器61停止充电的信号Pon。

此外，振荡电路101进行与图14的时刻t7的情况相同的动作。然后，与图14的时刻t7的情况相同，之后，电容器61通过来自辅助线圈L4的电流进行充电。此外，通信电路135进行与图14的时刻t7的情况相同的动作。

此外，功率因数改善IC175根据电压Vcc的电平超过规定电平Vccon的情况而开始连续开关。

在时刻t28，图4的负载检测电路100输出表示图1的负载14的状态是轻负载且电平低于规定电平Vcastb的电压Vca。其结果是，振荡电路101在接收到表示负载14的状态是轻负载的电压Vca和表示“内部模式”的信号Se时，向驱动电路102输出用于使图3的NMOS晶体管32、33进行间歇开关的振荡信号Vosc。然后，图5的通信电路135输出脉冲宽度为T2的脉冲包含有2次的脉冲信号。

在时刻t29，功率因数改善IC175基于脉冲信号，检测出AC输入为100V和应当进行间歇开关。因此，功率因数改善IC175开始间歇地开关。

在时刻t30，图4的负载检测电路100输出表示图1的负载14的状态为重负载且电平比规定电平Vcastb高的电压Vca。其结果是，振荡电路101接收到表示负载14的状态为重负载的电压Vca和表示“内部模式”的信号Se时，向驱动电路102输出使NMOS晶体管32、33进行连续开关的振荡信号Vosc。

在时刻t31，图5的通信电路135输出包含两次脉冲宽度为T1的脉冲的脉冲信号。

在时刻t32，功率因数改善IC175基于脉冲信号，检测出AC输入为100V和应当进行连续开关。因此，功率因数改善IC175开始连续开关。

以上对控制IC50在“内部模式”下改变驱动形式的实施方式进行了说明。此外，控制IC50可以根据信号Wakeup的逻辑电平在“断开模式”和“通电模式”之间变更动作模式，其中“断开模式”停止除启动电路70以外的电路，而“通电模式”使包括启动电路70在内的电路进行动作。

由此，本实施方式中，通过接口电路18b的结构，控制IC50能在启动后根据负载14的状态“通常模式”或“低待机功率模式”下使NMOS晶体管32、33恰当地进行开关。

由此，控制IC50处于“切断模式”的情况下，控制IC50能降低自身的功耗。此外，控制IC50甚至在“通电模式”下进行动作的情况下，控制IC50也能根据负载14的状态改变驱动形式为“通常模式”或“低待机功率模式”，能降低DC-DC转换器13的功耗。而且，控制IC50处于“切断模式”的情况下的功耗比控制IC50在“通常模式”或“低待机功率模式”下进行动作的情况下的功耗要少。此外，控制IC50与功率因数改善IC175协作，能够降低电源装置10整体的功耗。

＝＝＝总结＝＝＝

以上，对本实施方式的电源装置10进行了说明。控制IC50包括端子STB、判定电路73、内部电源92和驱动电路102。此外，控制IC50基于端子STB的电压电平(电压Vstb)来控制内部电源92，并且在“切断模式”进行动作的情况下能使内部电源92停止电压Vreg1的生成。而且，内部电源92停止电压Vreg1的生成时，控制IC50能够停止通过接收电压Vreg1的供给来进行动作的电路的动作。由此，能够提供一种能进一步降低功耗的集成电路。

此外，控制IC50包含端子VH、恒压源80和电流源71。由此，在整流电压Vrec1被施加到端子VH的期间，甚至是控制IC50处于“切断模式”的情况下，控制IC50也可以向电流源71和判定电路73提供电压Vstartup。

此外，控制IC50包含端子VCC。由此，由于内部电源92基于电压Vcc进行动作，因此在控制IC50处于“切断模式”的情况下，电压Vcc降低，从而促进内部电源92停止电压Vreg1的生成。

此外，控制IC50包含充电电路82。由此，由于充电电路82停止电容器61的充电，因此在控制IC50处于“切断模式”的情况下，电压Vcc降低，从而促进内部电源92停止电压Vreg1的生成。

此外，控制IC50包含负载检测电路100、振荡电路101、判定电路121和比较器134。由此，控制IC50可以在“外部模式”或“内部模式”的任意模式下改变NMOS晶体管32、33的驱动形式。

此外，控制IC50包含通信电路135。由此，控制IC50能在“内部模式”下改变驱动形式的情况下，向功率因数改善IC175输出脉冲信号，与功率因数改善IC175进行协作动作。

此外，控制IC50包含端子REG。由此，控制IC50即使在状态设置期间错误地从微控制器15a输入了信号ExtSTB，也不会进行误动作。

此外，控制IC50包含放电电路130和控制电路120。由此，控制IC50在状态设定期间内能够准确地判定与电阻151的电阻值Rstb相应的电压。

此外，控制IC50包含内部电源93。由此，控制IC能够在“切断模式”的情况下停止被提供了电压Vreg2而进行动作的电路。

此外，控制IC50包含齐纳二极管72。由此，即使电容器150由电流源71充电，电压Vstb也不超过规定电平。

此外，控制IC50包括端子STB和模式选择电路(判定电路73以及比较器134)。此外，控制IC50基于端子STB的电压电平(电压Vstb)，能够在“切换模式”、“通常模式”或“低待机功率模式”的任一个模式下进行动作。由此，控制IC50能够进一步降低功耗。

此外，模式选择电路能够基于端子STB的电压电平来改变控制IC50的动作模式。由此，仅通过检测端子STB的电压电平，就能变更控制IC50的动作模式。

此外，模式选择电路包括在“切断模式”时也进行动作的判定电路73和在“切断模式”时不进行动作的比较器134。由此，控制IC50能够在“切断模式”时抑制功耗，并且能在“通电模式”下以“通常模式”或“低待机功率模式”中的任一个模式进行动作。

此外，控制IC50包含负载检测电路100、振荡电路101和设定电路76。由此，控制IC50可以在“外部模式”或“内部模式”的任一个模式下改变NMOS晶体管32、33的驱动形式。

此外，控制IC50包含通信电路135。此外，通信电路135输出比规定电平Vstop低且比规定电平Vthstb高的脉冲信号。由此，即使端子STB的电压电平因脉冲信号而变化，也不影响控制IC50的动作模式的变更。

此外，控制IC50包括内部电源92和驱动电路102。此外，控制IC50基于端子STB的电压电平(电压Vstb)来控制内部电源92，并且在“切断模式”下进行动作的情况下，能使内部电源92停止电压Vreg1的生成。当内部电源92停止电压Vreg1的生成时，控制IC50能够停止通过接收电压Vreg1的供给来进行动作的电路的动作。

此外，DC-DC转换器13包含接口电路18a。接口电路18a包含电阻151和NMOS晶体管152、153、157。由此，接口电路18a能够通过NMOS晶体管152、153、157的导通或断开来将设定控制IC50的动作模式的电压施加到端子STB。

此外，通过NMOS晶体管152的导通或断开，接口电路18a能够使控制IC50在“断开模式”或“通电模式”下进行动作。

此外，通过NMOS晶体管153、157的导通或断开，接口电路18a能够使控制IC50在“通常模式”或“低待机功率模式”下进行动作。

上述实施方式是为了便于理解本发明，而不是为了限定地解释本发明。另外，本发明可以在不脱离其主旨的情况下进行变更或改进，并且本发明当然包含其等同发明。

标号说明

10电源装置

11开关

12AC-DC转换器

13DC-DC转换器

14负载

15a、15b微控制器

16、30、31、42、61、63、64、67、68、150、154、159、162、171、174、183、184电容器

17光电二极管

18a、18b接口电路

20、21、40、41、60、173二极管

22功率因数改善电路

32、33、152、153、157、160、176NMOS晶体管

34、172变压器

35控制块

43恒压电路

44发光二极管

62光电晶体管

65、66、74、75、142、151、155、156、158、161、180、181、182电阻

70启动电路

71、131电流源

72齐纳二极管

73判定电路

76设定电路

80恒压源

81、120控制电路

82充电电路

90复位电路

91低电压保护电路

92、93内部电源

100负载检测电路

101、211振荡电路

102、190驱动电路

110数字部

111模拟部

121判定电路

130放电电路

132模数转换器

133钳位电路

134、212比较器

135通信电路

140运算放大器

141PMOS晶体管

170全波整流电路

191信号检测电路

200零电流检测电路

201延迟电路

202脉冲电路

203导通计时器电路

204、213或门电路

210误差放大电路

220SR触发器

221缓冲电路。

Claims (20)

1.一种集成电路，为了使电源电路生成目标电平的输出电压而对所述电源电路的功率晶体管进行开关驱动，其特征在于，包括：

第1端子，该第1端子连接基于指示所述集成电路的动作模式的指示信号来进行导通或断开的第1开关；

第1判定电路，该第1判定电路基于所述第1端子的电压电平，判定所述集成电路是在第1模式下进行动作，还是在比所述第1模式的功耗大的第2模式下进行动作；

第1电源电压生成电路，该第1电源电压生成电路在所述集成电路以所述第1模式进行动作的情况下，停止第1电源电压的生成，在所述集成电路以所述第2模式进行动作的情况下，生成所述第1电源电压；以及

驱动电路，该驱动电路被提供所述第1电源电压，对所述功率晶体管进行所述开关驱动。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：

第2端子，该第2端子被施加与交流电压相对应的电压；

恒压源，该恒压源无论是在所述第1模式下还是在所述第2模式下，都基于施加到所述第2端子的电压生成规定电压；以及

电流源，该电流源向所述第1端子提供电流，

所述电流源以及所述第1判定电路在被提供所述规定电压时进行动作。

3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，

还包括第3端子，该第3端子连接第1电容器，

所述功率晶体管控制包括初级线圈、次级线圈和辅助线圈的变压器的所述初级线圈中流过的电流，

所述第1电容器由来自所述辅助线圈的电流进行充电，

所述第1电源电压生成电路基于所述第1电容器的充电电压进行动作。

4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，

还包括充电电路，该充电电路在所述集成电路启动时基于所述规定电压进行动作，并且对所述第1电容器进行充电。

5.如权利要求1至4中任一项所述的集成电路，其特征在于，还包括：

负载检测电路，该负载检测电路输出与所述电源电路的负载相对应的第1信号；

振荡电路，该振荡电路输出分别对应于所述第2模式所包含的多个模式中的第3模式、以及负载比所述第3模式下的所述负载的状态要轻时使用的第4模式的振荡信号；

第2判定电路，该第2判定电路基于所述第1端子的电压电平，判定是在所述集成电路的内部进行所述第3模式和所述第4模式的切换的内部模式、还是在所述集成电路的外部进行所述第3模式和所述第4模式的切换的外部模式；以及

第1信号输出电路，该第1信号输出电路在所述外部模式时，基于所述第1端子的电压电平来输出对应于所述第3模式和所述第4模式中的任一个模式的第2信号，

所述第1端子连接与所述第1开关串联连接的电阻，

所述振荡电路在所述内部模式时基于所述第1信号输出所述振荡信号，在所述外部模式时基于所述第2信号输出所述振荡信号，

所述驱动电路基于所述振荡信号，对所述功率晶体管进行所述开关驱动。

6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，

还包括第2信号输出电路，该第2信号输出电路在所述内部模式时，基于所述第1信号，向所述第1端子输出对应于所述第3模式和所述第4模式中的任一个模式的第3信号。

7.如权利要求5或6所述的集成电路，其特征在于，

还包括第4端子，该第4端子被施加所述第1电源电压，

所述第1端子连接第2开关和第3开关，其中，所述第2开关在所述第4端子被施加所述第1电源电压时导通，所述第3开关与所述第2开关串联连接，并根据所述第3模式和所述第4模式进行导通或断开，

所述第2开关及所述第3开关与所述电阻并联连接。

8.如权利要求5至7中任一项所述的集成电路，其特征在于，还包括：

放电电路，该放电电路对连接到所述第1端子的第2电容器进行放电；以及

控制电路，该控制电路控制所述放电电路，从而在所述第2模式下启动所述集成电路时，使所述第2电容器在所述电阻被提供电流之前进行放电。

9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，

还包括第2电源电压生成电路，该第2电源电压生成电路在所述集成电路以所述第1模式进行动作的情况下，停止第2电源电压的生成，在所述集成电路以所述第2模式进行动作的情况下，生成所述第2电源电压，

向所述控制电路提供所述第2电源电压。

10.如权利要求1至9中任一项所述的集成电路，其特征在于，

还包括钳位元件，该钳位元件将所述第1端子的电压钳位在规定电平。

11.一种电源电路，生成目标电平的输出电压，其特征在于，包括：

功率晶体管；

驱动所述功率晶体管的集成电路；以及

基于指示所述集成电路的动作模式的指示信号来进行导通或断开的第1开关，

所述集成电路包括：

第1端子，该第1端子连接所述第1开关；

第1判定电路，该第1判定电路基于所述第1端子的电压电平，判定所述集成电路是在第1模式下进行动作，还是在比所述第1模式的功耗大的第2模式下进行动作；

第1电源电压生成电路，该第1电源电压生成电路在所述集成电路以所述第1模式进行动作的情况下，停止第1电源电压的生成，在所述集成电路以所述第2模式进行动作的情况下，生成所述第1电源电压；以及

驱动电路，该驱动电路被提供所述第1电源电压，对所述功率晶体管进行开关驱动。

12.一种集成电路，为了使电源电路生成目标电平的输出电压而对所述电源电路的功率晶体管进行开关驱动，其特征在于，包括：

第1端子，该第1端子与设定所述集成电路的动作模式的外部电路连接；以及

模式选择电路，该模式选择电路基于所述第1端子的电压电平进行选择，使所述集成电路在不进行开关动作的切断模式、连续地进行开关动作的通常模式、以及开关动作期间和停止动作期间交替重复的低待机功率模式中的任一个模式下进行动作。

13.如权利要求12所述的集成电路，其特征在于，

所述模式选择电路在所述第1端子的电压电平比第1电压电平高的情况下，使所述集成电路在所述切断模式下进行动作，在所述电压电平在所述第1电压电平和比所述第1电压电平低的第2电压电平之间的情况下，使所述集成电路在所述通常模式下进行动作，在所述电压电平比所述第2电压电平低的情况下，使所述集成电路在所述低待机功率模式下进行动作。

14.如权利要求13所述的集成电路，其特征在于，

所述模式选择电路包括：

第1模式判定电路，该第1模式判定电路在所述电压电平比所述第1电压电平高的情况下，判定使所述集成电路在所述切断模式下进行动作，以及

第2模式判定电路，该第2模式判定电路在所述电压电平比所述第1电压电平低且比所述第2电压电平高的情况下，判定使所述集成电路在所述通常模式下进行动作，在所述电压电平比所述第2电压电平低的情况下，判定使所述集成电路在所述低待机功率模式下进行动作。

15.如权利要求13或14所述的集成电路，其特征在于，还包括：

振荡电路，该振荡电路输出对应于所述集成电路的动作模式的振荡信号；

负载检测电路，该负载检测电路用于检测所述电源电路的负载的状态；以及

设定电路，该设定电路在所述集成电路启动的同时设定所述振荡电路的状态的状态设定期间，基于所述电压电平来设定所述振荡电路的状态，使得所述振荡电路在基于所述电压电平进行动作的外部模式、以及基于所述负载检测电路的输出进行动作的内部模式中的任一个模式下进行动作，

当所述振荡电路在所述外部模式下进行动作时，所述振荡电路输出与所述电压电平对应的所述振荡信号，当所述振荡电路在所述内部模式下进行动作时，所述振荡电路输出与所述负载检测电路的输出对应的所述振荡信号。

16.如权利要求15所述的集成电路，其特征在于，

还包括信号输出电路，该信号输出电路向所述第1端子输出振幅电平比所述第1电压电平低并且比所述第2电压电平高的信号。

17.如权利要求13至16中任一项所述的集成电路，其特征在于，还包括：

第1电源电压生成电路，该第1电源电压生成电路在所述集成电路以所述切断模式进行动作的情况下，停止第1电源电压的生成，在所述集成电路以所述通常模式或所述低待机功率模式进行动作的情况下，生成所述第1电源电压；以及

驱动电路，该驱动电路被提供所述第1电源电压，对所述功率晶体管进行所述开关驱动。

18.一种电源电路，生成目标电平的输出电压，其特征在于，包括：

功率晶体管；

如权利要求13至17中任一项所述的集成电路；以及

外部电路，

所述外部电路包括：

连接到所述第1端子的第1信号线路；

一端连接到所述第1信号线路的电阻；

连接到所述电阻的另一端与接地之间的第1开关；

一端与所述第1信号线路连接且在所述集成电路的启动完成后导通的第2开关；以及

连接在所述第2开关的另一端和所述电阻的另一端之间的第3开关。

19.如权利要求18所述的电源电路，其特征在于，

在所述第1开关断开时，所述外部电路向所述第1端子施加电平比所述第1电压电平高的电压，

在所述第1开关导通时，所述外部电路向所述第1端子施加电平比所述第1电压电平低的电压。

20.如权利要求19所述的电源电路，其特征在于，

所述外部电路进一步地在所述第1开关和所述第2开关导通且所述第3开关断开时，向所述第1端子施加电平在所述第1电压电平和所述第2电压电平之间的电压。

在所述第1开关、所述第2开关和所述第3开关导通时，向所述第1端子施加电平比所述第2电压电平低的电压。

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