CN115706136A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115706136A
CN115706136A CN202210876999.0A CN202210876999A CN115706136A CN 115706136 A CN115706136 A CN 115706136A CN 202210876999 A CN202210876999 A CN 202210876999A CN 115706136 A CN115706136 A CN 115706136A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
light emitting
area
distance
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210876999.0A
Other languages
English (en)
Inventor
崔海润
金敏佑
朴声国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115706136A publication Critical patent/CN115706136A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；分隔壁，位于基底上；多个发光区域，位于基底上，发光区域包括由分隔壁分隔的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；第一发光元件，位于第一发光区域中，并且被构造为发射第一光；第二发光元件，位于第二发光区域中，并且被构造为发射第二光；以及第三发光元件，位于第三发光区域中，并且被构造为发射第三光。第一发光区域的面积大于第一发光元件的面积，并且大于第二发光区域的面积和第三发光区域的面积。

Description

显示装置
本申请要求于2021年8月10日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0105688号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
随着社会变得越来越受信息驱动，对用于以各种形式显示图像的显示装置的需求正在增加。显示装置可以是诸如液晶显示器、场发射显示器和发光显示器的平板显示器。发光显示器可以包括包含有机发光二极管元件作为发光元件的有机发光显示装置、包含无机半导体元件作为发光元件或微型发光二极管元件作为发光元件的无机发光显示装置。
最近，已经开发了包括发光显示器的头戴式显示器。头戴式显示器是由用户以眼镜或头盔的形式佩戴并在距用户眼睛的短距离处形成焦点的虚拟现实(VR)或增强现实(AR)眼镜型监视器装置。
包括微型发光二极管元件的高分辨率微型发光二极管显示面板可以应用于(例如，用于)头戴式显示器。
发明内容
本公开的实施例的方面提供了一种包括发射红色光、绿色光或蓝色光的微型发光二极管元件的显示装置。
发射红色光的微型发光二极管元件可以表现出发光效率随着电流密度增加而降低。为了降低电流密度，可以增加红色发光二极管元件的面积。因此，可以实现使用具有高发光效率的发光二极管元件的显示装置。
然而，本公开的方面不限于上述阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据本公开的实施例，一种显示装置包括：基底；分隔壁，位于基底上；多个发光区域，位于基底上，并且包括由分隔壁分隔的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；第一发光元件，位于第一发光区域中，并且被构造为发射第一光；第二发光元件，位于第二发光区域中，并且被构造为发射第二光；以及第三发光元件，位于第三发光区域中，并且被构造为发射第三光。第一发光区域的面积大于第一发光元件的面积，并且大于第二发光区域的面积和第三发光区域的面积。
根据本公开的另一实施例，一种显示装置包括：基底；像素电极，位于基底上；公共连接电极，位于基底上，并且与像素电极间隔开；发光元件，位于像素电极上；第一连接电极，位于公共连接电极上；分隔壁，位于第一连接电极上；以及共电极。第一连接电极的上表面的至少一部分被暴露而不被分隔壁覆盖，并且共电极连接到第一连接电极的暴露而不被分隔壁覆盖的上表面。
根据本公开的另一实施例，一种显示装置包括：基底；分隔壁，位于基底上；多个发光区域，包括由分隔壁分隔的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；以及多个公共连接区域，与发光区域中的每个间隔开。公共连接区域之中的第一公共连接区域和与第一公共连接区域相邻的第一发光区域的中心点之间的距离同第一公共连接区域和与第一公共连接区域相邻的第二发光区域的中心点之间的距离相同。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的布局图；
图2是图1的区域A的详细布局图；
图3A、图3B和图3C分别是示出第一光的主峰值波长、第二光的主峰值波长和第三光的主峰值波长的示例的曲线图；
图4是根据实施例的显示装置的像素电路图；
图5是根据实施例的显示面板的像素的平面布局图；
图6A是根据实施例的显示面板的像素的平面布局图；
图6B是图6A的一部分的放大平面布局图；
图7是沿着图6A的线II-II'截取的显示面板的示例的剖视图；
图8是沿着图6A的线III-III'截取的显示面板的示例的剖视图；
图9是根据实施例的发光元件的放大剖视图；
图10是根据实施例的分隔壁的放大剖视图；
图11是沿着图6A的线II-II'截取的显示面板的另一示例的剖视图；
图12是沿着图6A的线III-III'截取的显示面板的另一示例的剖视图；
图13至图25是根据实施例的显示面板的像素的各种平面布局图的示例；
图26是根据实施例的显示面板的像素的平面布局图；
图27是根据实施例的显示面板的像素的平面布局图；
图28是沿着图27的线IV-IV'截取的显示面板的示例的剖视图；
图29是沿着图27的线IV-IV'截取的显示面板的另一示例的剖视图；
图30至图42是根据实施例的显示面板的像素的各种平面布局图的示例；
图43是根据实施例的显示装置的剖视图；
图44是示出根据实施例的包括显示装置的虚拟现实(VR)装置的视图；
图45是示出应用根据实施例的显示装置的智能装置的视图；
图46是示出根据实施例的包括显示装置的车辆的仪表板和中央仪表板的视图；以及
图47是示出根据实施例的包括显示装置的透明显示装置的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接或结合到所述另一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。例如，当第一元件被描述为“结合”或“连接”到第二元件时，第一元件可以直接结合或连接到第二元件，或者第一元件可以经由一个或更多个居间元件间接结合或间接连接到第二元件。
在图中，为了清楚的说明，可以夸大各种元件、层等的尺寸。相同的附图标记表示相同的元件。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。此外，在描述本公开的实施例时，“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰所述列的个别元件。如在这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。如在这里所使用的，术语“基本上”、“大约(约)”和类似的术语被用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有变化。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了易于描述，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(另外的)元件或特征的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果翻转附图中的装置，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(旋转90度或在其它方位处)，并且应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语是为了描述本公开的具体示例实施例的目的，而不意图成为本公开的所描述的示例实施例的限制。如在这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当术语“包括”、“包含”、“具有”及其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
图1是根据实施例的显示装置1的布局图，图2是图1的区域A的详细布局图。图3A、图3B和图3C分别是示出第一光的主峰值波长、第二光的主峰值波长和第三光的主峰值波长的示例的曲线图。
在图1至图3C中，主要描述了其中显示装置1是包括微型发光二极管(例如，微型或纳米发光二极管)作为发光元件LE(见图4)的微型发光二极管显示装置(例如，微型或纳米发光二极管显示装置)的实施例，但是本公开的实施例不限于这种情况。
另外，在图1至图3C中，第一方向DR1表示显示面板10的水平方向，第二方向DR2表示显示面板10的竖直方向，第三方向DR3表示显示面板10的厚度方向或半导体电路板110(见图7)的厚度方向。在这种情况下，“左”、“右”、“上”和“下”表示当在平面图中观看显示面板10时的方向。例如，“右侧”表示第一方向DR1上的一侧，“左侧”表示第一方向DR1上的另一侧，“上侧”表示第二方向DR2上的一侧，“下侧”表示第二方向DR2上的另一侧。另外，“顶部”表示第三方向DR3上的一侧(或表面)，“底部”表示第三方向DR3上的另一侧(或其它表面)。
参照图1至图3C，根据实施例的显示装置1包括具有显示区域DA和非显示区域NDA的显示面板10。
显示面板10可以具有具备在第一方向DR1上的长边和在第二方向DR2上的短边的四边形平面形状。然而，显示面板10的平面形状不限于此，显示面板10也可以具有除四边形形状之外的多边形、圆形、椭圆形或不规则平面形状。
显示区域DA可以是显示图像的区域，非显示区域NDA可以是不显示图像的区域。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA(例如，可以在平面图中围绕显示区域DA或者可以在显示区域DA的外围周围延伸)。
显示面板10的显示区域DA可以包括多个像素PX。像素PX中的每个可以被限定为可以显示白光的最小发光单元。
像素PX中的每个可以具有发射光的多个发光区域EA_R、EA_B、EA_G1和EA_G2。在实施例中，像素PX中的每个可以具有四个发光区域EA_R、EA_B、EA_G1和EA_G2。发光区域EA_R、EA_B、EA_G1和EA_G2可以包括红色发光区域EA_R、蓝色发光区域EA_B、第一绿色发光区域EA_G1和第二绿色发光区域EA_G2。对于另一示例，像素PX中的每个可以具有由红色发光区域EA_R、蓝色发光区域EA_B和第一绿色发光区域EA_G1组成的三个发光区域EA_R、EA_B和EA_G1。发光区域EA_R、EA_B、EA_G1和EA_G2可以分别包括发射不同颜色的光的发光元件LE1至LE3。尽管在图2中发光元件LE1至LE3具有圆形平面形状，但是本公开的实施例不限于此。例如，发光元件LE1至LE3也可以具有诸如四边形的多边形形状或椭圆形形状。
红色发光区域EA_R可以包括发射第一光的第一发光元件LE1。第一发光区域EA1(见图5)可以原样输出从第一发光元件LE1发射的第一光。第一光可以是红色波段中的光。例如，如图3C中所示，第一光的主峰值波长R-peak可以在约600nm至750nm的范围内。然而，本公开的实施例不限于此，第一发光区域EA1也可以发射第二光或第三光。如稍后将描述的，因为红色波段中的光具有相对低的发光效率，所以可以提供相对大的红色发光区域或相对大的红色发光元件以降低电流密度。
蓝色发光区域EA_B可以包括发射第二光的第二发光元件LE2。第二发光区域EA2(见图5)可以原样输出从第二发光元件LE2发射的第二光。第二光可以是蓝色波段中的光。例如，如图3A中所示，第二光的主峰值波长B-peak可以在约370nm至460nm的范围内。然而，本公开的实施例不限于此，第二发光区域EA2也可以发射第一光或第三光。
第一绿色发光区域EA_G1和第二绿色发光区域EA_G2中的每个可以包括发射第三光的第三发光元件LE3。第三发光区域EA3(见图5)可以原样输出从第三发光元件LE3发射的第三光。第三光可以是绿色波段中的光。例如，如图3B中所示，第三光的主峰值波长G-peak可以在约480nm至560nm的范围内。然而，本公开的实施例不限于此。
对于另一示例，第二绿色发光区域EA_G2可以发射第四光。第四光可以是黄色波段中的光。例如，第四光的主峰值波长可以在约550nm至600nm的范围内。然而，本公开的实施例不限于此。
显示面板10的非显示区域NDA可以包括第一共电压供应区域CVA1、第二共电压供应区域CVA2、第一垫(pad，也被称为“焊盘”或“焊垫”)区域PDA1和第二垫区域PDA2。
第一共电压供应区域CVA1可以设置(或布置)在第一垫区域PDA1与显示区域DA之间。第二共电压供应区域CVA2可以设置在第二垫区域PDA2与显示区域DA之间。第一共电压供应区域CVA1和第二共电压供应区域CVA2中的每个可以包括连接到共电极CE(例如，连接到同一共电极CE)的多个共电压供应单元CVS。可以通过共电压供应单元CVS将共电压供应到共电极CE。
第一共电压供应区域CVA1的共电压供应单元CVS可以电连接到第一垫区域PDA1的第一垫PD1中的任一个。例如，第一共电压供应区域CVA1的共电压供应单元CVS可以从第一垫区域PDA1的第一垫PD1中的任一个接收共电压。
第二共电压供应区域CVA2的共电压供应单元CVS可以电连接到第二垫区域PDA2的第二垫中的任一个。例如，第二共电压供应区域CVA2的共电压供应单元CVS可以从第二垫区域PDA2的第二垫中的任一个接收共电压。
第一垫区域PDA1可以设置在显示面板10的上侧上。第一垫区域PDA1可以包括连接到外部电路板的第一垫PD1。
第二垫区域PDA2可以设置在显示面板10的下侧上。第二垫区域PDA2可以包括用于连接到外部电路板的第二垫。在一些实施例中，可以省略第二垫区域PDA2。
图4是根据实施例的显示装置1的像素电路图。
参照图4，像素PX中的每个可以包括发光元件LE和用于控制从发光元件LE发射的光的量的像素电路单元PXC。
发光元件LE根据驱动电流Ids发光。从发光元件LE发射的光的量可以与驱动电流Ids成比例。发光元件LE可以是包括阳极、阴极和设置在阳极与阴极之间的无机半导体的无机发光元件。例如，发光元件LE可以是微型发光二极管。
发光元件LE的阳极可以连接到驱动晶体管DT的源电极，阴极可以连接到第二电力线VSL，低于高电位电压的低电位电压被供应到第二电力线VSL。在图4中所示的电路图中，作为示例示出了其中发光元件LE的阳极是像素电极111(见例如图7)并且阴极是共电极CE(见例如图7)的实施例。
驱动晶体管DT根据栅电极与源电极之间的电压差调节从供应有第一电源电压的第一电力线VDL流到发光元件LE的电流。驱动晶体管DT可以具有连接到第一晶体管ST1的第一电极的栅电极、连接到发光元件LE的阳极的源电极和连接到施加有高电位电压的第一电力线VDL的漏电极。
第一晶体管ST1由扫描线SL的扫描信号导通，以将数据线DL连接到驱动晶体管DT的栅电极。第一晶体管ST1可以具有连接到扫描线SL的栅电极、连接到驱动晶体管DT的栅电极的第一电极和连接到数据线DL的第二电极。
第二晶体管ST2由感测信号线SSL的感测信号导通，以将初始化电压线VIL连接到驱动晶体管DT的源电极。第二晶体管ST2可以具有连接到感测信号线SSL的栅电极、连接到初始化电压线VIL的第一电极和连接到驱动晶体管DT的源电极的第二电极。
第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每个的第一电极可以是源电极，第二电极可以是漏电极。然而，应当注意的是，本公开的实施例不限于此。例如，第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每个的第一电极可以是漏电极，第二电极可以是源电极。
电容器Cst形成在驱动晶体管DT的栅电极与源电极之间。电容器Cst存储驱动晶体管DT的栅极电压与源极电压之间的电压差。
然而，这仅是示例，像素电路单元PXC也可以被构造为还包括多个晶体管。
另外，尽管在图4中示出了其中驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1和第二晶体管ST2是n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的实施例作为示例，但是可以将晶体管中的一些或全部设置为p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
图5是根据实施例的显示面板10a的像素的平面布局图。
参照图5，显示面板10a的多个像素PX中的每个可以包括四个发光区域和公共连接区域CA。在本公开中，红色发光区域EA_R被称为第一发光区域EA1或第四发光区域EA4，蓝色发光区域EA_B被称为第二发光区域EA2或第五发光区域EA5，第一绿色发光区域EA_G1和第二绿色发光区域EA_G2被称为第三发光区域EA3。
像素PX中的每个可以包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和两个邻近的第三发光区域EA3。
第一发光区域EA1和第四发光区域EA4可以是发射红色波段中的光(即，第一光)的区域。第一发光区域EA1和第四发光区域EA4中的每个可以包括第一发光元件LE1。
第二发光区域EA2和第五发光区域EA5可以是发射蓝色波段中的光(即，第二光)的区域。第二发光区域EA2和第五发光区域EA5中的每个可以包括第二发光元件LE2。
第三发光区域EA3可以是发射绿色波段中的光(即，第三光)的区域。第三发光区域EA3可以包括第三发光元件LE3。
发光区域EA1至EA5中的每个可以由分隔壁PW限定。分隔壁PW可以围绕发光元件LE1至LE3中的每个(例如，可以在平面图中围绕发光元件LE1至LE3中的每个，或者可以在发光元件LE1至LE3中的每个的外围的周围延伸)。分隔壁PW可以与发光元件LE1至LE3间隔开。在平面图中，分隔壁PW可以具有网格形状、网形状或格子形状。
尽管在图5中由分隔壁PW限定的发光区域EA1至EA5中的每个具有圆形平面形状，但是本公开的实施例不限于此。例如，在平面图中，由分隔壁PW限定的发光区域EA1至EA5中的每个也可以具有多边形形状(诸如三角形、四边形、五边形、六边形或八边形)、椭圆形形状或不规则形状。
现在将描述发光区域EA1至EA5与发光元件LE1至LE3之间的布置关系。
在实施例中，第一发光区域EA1和第二发光区域EA2可以沿着第一方向DR1交替地布置以形成第一行，第三发光区域EA3可以沿着第一方向DR1重复地布置在与第一行相邻的第二行中。属于第二行的第三发光区域EA3可以相对于属于第一行的第一发光区域EA1和第二发光区域EA2在第一方向DR1上交错。第二行中的第三发光区域EA3的数量可以是第一行中的第一发光区域EA1或第二发光区域EA2的数量的两倍。
第四发光区域EA4和第五发光区域EA5可以沿着第一方向DR1交替地布置在与第二行相邻的第三行中。第三行中的第四发光区域EA4和第五发光区域EA5可以与第一行中的第一发光区域EA1和第二发光区域EA2基本上相同。
例如，第一发光区域EA1和第二发光区域EA2可以布置在第一方向DR1上，第四发光区域EA4和第五发光区域EA5可以布置在第一方向DR1上。第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4可以布置(例如，顺序布置)在第一对角线方向DDR1上，第一发光区域EA1、第三发光区域EA3和第五发光区域EA5可以布置(例如，顺序布置)在第二对角线方向DDR2上。第一对角线方向DDR1可以是在第一方向DR1与第二方向DR2之间斜地倾斜的方向，第二对角线方向DDR2可以是与第一对角线方向DDR1正交的方向。例如，第一对角线方向DDR1可以是相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜45度的方向，但是本公开的实施例不限于此。
分别设置在发光区域中的发光元件LE1至LE3之间的布置关系可以与发光区域之间的布置关系相同。例如，第一发光元件LE1和第二发光元件LE2可以沿着第一方向DR1交替地布置以形成第一行，第三发光元件LE3可以沿着第一方向DR1重复地布置在与第一行相邻的第二行中。第二行中的第三发光元件LE3可以相对于第一行中的第一发光元件LE1和第二发光元件LE2在第一方向DR1上交错。第一发光元件LE1和第二发光元件LE2可以再次沿着第一方向DR1交替地布置在与第二行相邻的第三行中。
类似地，第一发光区域EA1和第四发光区域EA4可以沿着第二方向DR2交替地布置以形成第一列，第三发光区域EA3可以沿着第二方向DR2重复地布置在与第一列相邻的第二列中。第二列中的第三发光区域EA3可以相对于第一列中的第一发光区域EA1和第四发光区域EA4在第二方向DR2上交错。第二列中的第三发光区域EA3的数量可以是第一列中的第一发光区域EA1或第四发光区域EA4的数量的两倍。第二发光区域EA2和第五发光区域EA5可以沿着第二方向DR2交替地布置在与第二列相邻的第三列中。第三列中的第二发光区域EA2和第五发光区域EA5可以相对于第二列中的第三发光区域EA3在第二方向DR2上交错。
在根据本公开的实施例的显示面板10a中，发射第一光的第一发光元件LE1重复地布置在第一列中，发射第二光的第二发光元件LE2重复地布置在第三列中。然而，本公开的实施例不限于此。例如，第一发光元件LE1和第二发光元件LE2可以交替地布置在第一列中，第一发光元件LE1和第二发光元件LE2可以交替地布置在第三列中。
每个发光区域的面积(例如，尺寸或表面面积)可以是不同的。例如，第一发光区域EA1的面积、第二发光区域EA2的面积和第三发光区域EA3的面积可以是不同的。第一发光区域EA1的面积可以与第四发光区域EA4的面积相同，第二发光区域EA2的面积可以与第五发光区域EA5的面积相同。例如，第一发光区域EA1和第四发光区域EA4的面积可以大于第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第五发光区域EA5的面积。
为了增加作为红色波段中的光的第一光的发光效率，可以增加第一发光区域EA1和第四发光区域EA4的面积以增加红色光的发光效率。因为电流密度随着发光区域的面积增加而降低，所以发光效率增加。
公共连接电极113(见例如图7)可以设置在公共连接区域CA中。公共连接区域CA可以是其中公共连接电极113和共电极CE彼此连接的区域。公共连接电极113可以在公共连接区域CA中电连接到像素电路单元PXC的第二电力线VSL。例如，公共连接电极113可以通过公共连接区域CA接收共电压。
公共连接区域CA可以在一方向上设置在发光区域EA1至EA5中的每个的一侧或另一侧上。这一方向可以是第一方向DR1或第二方向DR2。
多个公共连接区域CA可以包括设置在第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的第一公共连接区域CA1(见例如图6A)、设置在第一发光区域EA1与第四发光区域EA4之间的第二公共连接区域CA2、设置在第二发光区域EA2与第五发光区域EA5之间的第三公共连接区域CA3以及设置在第四发光区域EA4与第五发光区域EA5之间的第四公共连接区域CA4。
在第一行中，可以交替地布置第一发光区域EA1、第一公共连接区域CA1和第二发光区域EA2。在第二行中，可以交替地布置第二公共连接区域CA2、第三发光区域EA3和第三公共连接区域CA3。在第三行中，可以交替地布置第四发光区域EA4、第四公共连接区域CA4和第五发光区域EA5。
公共连接区域CA可以以具有虚拟四边形VS的虚拟中心点CP作为其中心的菱形形状布置。公共连接区域CA可以相对于虚拟四边形VS的虚拟中心点CP彼此面对。
例如，第一公共连接区域CA1可以相对于虚拟四边形VS的虚拟中心点CP面对第四公共连接区域CA4，第二公共连接区域CA2可以相对于虚拟四边形VS的虚拟中心点CP面对第三公共连接区域CA3。第一公共连接区域CA1、第二公共连接区域CA2、第三公共连接区域CA3和第四公共连接区域CA4可以以菱形形状布置。
第一公共连接区域CA1与相邻的第一发光区域EA1的中心点C1之间的距离可以同第一公共连接区域CA1与相邻的第二发光区域EA2的中心点C2之间的距离以及第一公共连接区域CA1与相邻的第三发光区域EA3的中心点C3a之间的距离相同。
然而，第一公共连接区域CA1与第一发光区域EA1之间的最小距离可以小于第一公共连接区域CA1与相邻的第二发光区域EA2之间的最小距离。
另外，第二公共连接区域CA2与第三发光区域EA3之间的最小距离可以同第三公共连接区域CA3与第三发光区域EA3之间的最小距离相同。
尽管在本公开中，公共连接区域CA在一个方向上设置在发光区域EA1至EA5中的每个的一侧或另一侧上，但是本公开的实施例不限于此。类似于第二公共连接区域CA2和第三公共连接区域CA3，公共连接区域CA可以仅与第三发光区域EA3交替地布置在第二行中。公共连接区域CA的布置不限于此。
因为发光区域包括发射不同光或相同光的发光元件LE，所以公共连接区域CA的公共连接电极113可以设置在第一发光元件LE1与第二发光元件LE2之间，第三发光元件LE3和公共连接区域CA的公共连接电极113可以交替地布置。
由分隔壁PW分隔的发光区域EA1至EA5中的每个的面积可以大于发光元件LE1至LE3中的每个的面积。
现在将描述发光区域与发光元件之间的距离。
参照图5，显示面板10a的第一发光区域EA1可以包括中心点C1，第二发光区域EA2可以包括中心点C2，第三发光区域EA3可以包括中心点C3a，第四发光区域EA4可以包括中心点C4，第五发光区域EA5可以包括中心点C5。
虚拟四边形VS可以通过延伸(或通过连接)第一发光区域EA1的中心点C1、第二发光区域EA2的中心点C2、第四发光区域EA4的中心点C4和第五发光区域EA5的中心点C5来形成。例如，虚拟四边形VS的顶点可以是第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第四发光区域EA4和第五发光区域EA5的中心点C1、C2、C4和C5，并且虚拟四边形VS可以是通过连接中心点C1、C2、C4和C5形成的虚拟四边形。虚拟四边形VS可以被各种修改为矩形、菱形、正方形等。
连接虚拟四边形VS的面对顶点的两条直线的交叉点被定义为虚拟中心点CP。第一发光区域EA1的中心点C1和第五发光区域EA5的中心点C5相对于虚拟中心点CP彼此面对，第二发光区域EA2的中心点C2和第四发光区域EA4的中心点C4可以相对于虚拟中心点CP彼此面对。
在根据实施例的显示面板10a中，第三发光区域EA3的中心点C3a可以与虚拟四边形VS的虚拟中心点CP叠置(或可以在虚拟四边形VS的虚拟中心点CP处或与虚拟四边形VS的虚拟中心点CP重合)。
在这样的实施例中，当第一发光区域EA1的中心点C1与第三发光区域EA3的中心点C3a之间的距离被定义为第一中心距离L1a并且第二发光区域EA2的中心点C2与第三发光区域EA3的中心点C3a之间的距离被定义为第二中心距离L2a时，第一中心距离L1a可以与第二中心距离L2a相同。
类似地，当第四发光区域EA4的中心点C4与第三发光区域EA3的中心点C3a之间的距离被定义为第三中心距离L3a并且第五发光区域EA5的中心点C5与第三发光区域EA3的中心点C3a之间的距离被定义为第四中心距离L4a时，第三中心距离L3a可以与第四中心距离L4a相同。
因此，第一中心距离L1a、第二中心距离L2a、第三中心距离L3a和第四中心距离L4a可以相同。
第一发光区域EA1的中心点C1可以与第一发光元件LE1的中心点重合，第二发光区域EA2的中心点C2可以与第二发光元件LE2的中心点重合，第三发光区域EA3的中心点C3a可以与第三发光元件LE3的中心点重合。因此，第一中心距离L1a可以是第一发光元件LE1的中心点与第三发光元件LE3的中心点之间的距离，第二中心距离L2a可以是第二发光元件LE2的中心点与第三发光元件LE3的中心点之间的距离。
包括发射不同光的第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的发光区域EA1至EA5之间的最小距离可以彼此不同。
第一发光区域EA1与第三发光区域EA3之间的最小距离可以被定义为第一距离D1a，第二发光区域EA2与第三发光区域EA3之间的最小距离可以被定义为第二距离D2a。在这种情况下，第一距离D1a可以小于第二距离D2a。
类似地，第四发光区域EA4与第三发光区域EA3之间的最小距离可以被定义为第三距离D3a，第五发光区域EA5与第三发光区域EA3之间的最小距离可以被定义为第四距离D4a。在这种情况下，第三距离D3a可以小于第四距离D4a。
与虚拟四边形VS相邻或叠置的公共连接区域CA可以与虚拟四边形VS的虚拟中心点CP间隔开相同的距离。
因为根据实施例的包括显示面板10a的显示装置1可以通过共享相邻的像素来表达颜色，所以可以用少量的像素来实现高分辨率。
图6A是根据实施例的显示面板10b的像素的平面布局图。
参照图6A，根据示出的实施例的显示面板10b与图5中所示的实施例的不同之处在于，第三发光区域EA3和第三发光区域EA3的中心点C3b与虚拟四边形VS的虚拟中心点CP间隔开而不与虚拟中心点CP叠置。将省略已经结合图5提供的其它冗余描述。
第三发光区域EA3的中心点C3b可以相对远离第一发光区域EA1的中心点C1和第四发光区域EA4的中心点C4，并且可以相对靠近第二发光区域EA2的中心点C2和第五发光区域EA5的中心点C5。
第一发光区域EA1的中心点C1与第三发光区域EA3的中心点C3b之间的距离可以被定义为第一中心距离L1b，第二发光区域EA2的中心点C2与第三发光区域EA3的中心点C3b之间的距离可以被定义为第二中心距离L2b。在这种情况下，第一中心距离L1b可以大于第二中心距离L2b。
类似地，第四发光区域EA4的中心点C4与第三发光区域EA3的中心点C3b之间的距离可以被定义为第三中心距离L3b，第五发光区域EA5的中心点C5与第三发光区域EA3的中心点C3b之间的距离可以被定义为第四中心距离L4b。在这种情况下，第三中心距离L3b可以大于第四中心距离L4b。
第一中心距离L1b可以与第三中心距离L3b相同，第二中心距离L2b可以与第四中心距离L4b相同。
因为第三发光区域EA3距第一发光区域EA1和第四发光区域EA4设置得靠近第二发光区域EA2和第五发光区域EA5，所以即使第一发光区域EA1和第四发光区域EA4大，第一距离D1b、第二距离D2b、第三距离D3b和第四距离D4b也可以相同。
多个公共连接区域CA可以包括如上所述的设置在第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的第一公共连接区域CA1、设置在第一发光区域EA1与第四发光区域EA4之间的第二公共连接区域CA2、设置在第二发光区域EA2与第五发光区域EA5之间的第三公共连接区域CA3以及设置在第四发光区域EA4与第五发光区域EA5之间的第四公共连接区域CA4。
第一公共连接区域CA1与相邻的第一发光区域EA1的中心点C1之间的距离同第一公共连接区域CA1与相邻的第二发光区域EA2的中心点C2之间的距离相同。然而，第一公共连接区域CA1与相邻的第一发光区域EA1的中心点C1之间的距离可以小于第一公共连接区域CA1与相邻的第三发光区域EA3的中心点C3b之间的距离。
第一公共连接区域CA1与第一发光区域EA1之间的最小距离可以小于第一公共连接区域CA1与相邻的第二发光区域EA2之间的最小距离。
第二公共连接区域CA2与第三发光区域EA3之间的最小距离可以大于第三公共连接区域CA3与第三发光区域EA3之间的最小距离。
因为根据实施例的包括显示面板10b的显示装置1可以通过共享相邻的像素来表达颜色，所以可以用少量的像素来实现高分辨率。
另外，虽然包括发射不同光的第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的发光区域EA1至EA5的面积彼此不同，但是发光区域之间的最小距离(例如，D1b、D2b、D3b和D4b)可以形成为相同。因此，可以实现具有高发光效率的显示装置。
图6B是图6A的一部分的放大平面布局图。图7是沿着图6A的线II-II'截取的显示面板10b的示例的剖视图。图8是沿着图6A的线III-III'截取的显示面板10b的示例的剖视图。图9是根据实施例的发光元件的放大剖视图。图10是根据实施例的分隔壁PW的放大剖视图。
参照图7和图8，显示面板10可以包括半导体电路板110和发光元件层120。
半导体电路板110可以包括第一基底SUB1、多个像素电路单元PXC、像素电极111和公共连接电极113。
第一基底SUB1可以是硅晶圆基底。第一基底SUB1可以由单晶硅制成。
像素电路单元PXC中的每个可以设置在第一基底SUB1中。像素电路单元PXC中的每个可以包括使用半导体工艺形成的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。像素电路单元PXC中的每个可以包括使用半导体工艺形成的至少一个晶体管。另外，像素电路单元PXC中的每个还可以包括使用半导体工艺形成的至少一个电容器。
像素电路单元PXC可以设置在显示区域DA中。像素电路单元PXC中的每个可以连接到对应的像素电极111。例如，像素电路单元PXC与像素电极111可以彼此一对一地连接。像素电路单元PXC中的每个可以将像素电压或阳极电压施加到像素电极111。
另外，像素电路单元PXC可以分别连接到公共连接电极113。公共连接电极113中的每个可以电连接到第二电力线VSL(见图4)。像素电路单元PXC中的每个可以连接到对应的公共连接电极113。然而，本公开的实施例不限于此，像素电路单元PXC也可以同时连接到一个公共连接电极113。像素电路单元PXC中的每个可以将从第二电力线VSL接收的共电压施加到公共连接电极113。
像素电极111中的每个可以设置在对应的像素电路单元PXC上。因此，可以单独地驱动发光元件LE。像素电极111中的每个可以是从像素电路单元PXC暴露的暴露电极。例如，像素电极111中的每个可以从像素电路单元PXC的上表面突出。像素电极111中的每个可以与像素电路单元PXC一体地形成。像素电极111中的每个可以从像素电路单元PXC接收像素电压(或阳极电压)。像素电极111可以包括铝(Al)。
公共连接电极113中的每个可以与像素电极111间隔开。公共连接电极113中的每个可以是从像素电路单元PXC暴露的暴露电极。例如，公共连接电极113中的每个可以从像素电路单元PXC的上表面突出。公共连接电极113可以包括铝(Al)。
公共连接电极113中的每个可以设置在像素电路单元PXC上，以从第二电力线VSL接收共电压。因此，公共连接电极113中的每个可以将像素电路单元PXC的第二电力线VSL电连接到发光元件层120的共电极CE。
例如，像素电路单元PXC的第二电力线VSL可以设置在公共连接电极113中的每个下面，使得公共连接电极113中的每个电连接到第二电力线VSL。因此，公共连接电极113中的每个可以将像素电路单元PXC的第二电力线VSL电连接到发光元件层120的共电极CE。
公共连接电极113中的每个可以设置在分隔壁PW与第一基底SUB1之间。根据实施例，公共连接电极113中的每个可以在公共连接区域CA中在第三方向DR3上与分隔壁PW叠置。公共连接电极113中的每个可以通过第一连接电极114电连接到发光元件层120的共电极CE。例如，可以向共电极CE提供像素电路单元PXC的共电压。
在每个公共连接区域CA中，像素电路单元PXC的第二电力线VSL可以通过公共连接电极113和第一连接电极114电连接到共电极CE。因此，通过公共连接电极113提供给共电极CE的共电压可以被提供给发光元件LE。
像素电极111和公共连接电极113可以通过连接绝缘层CINS平坦化。连接绝缘层CINS可以由诸如氧化硅(SiO2)层、氧化铝(Al2O3)层或氧化铪(HfOx)层的无机层制成。
发光元件层120可以包括多个发光区域EA1至EA3以发光。发光元件层120可以包括第一连接电极114、第二连接电极115、多个发光元件LE1至LE3、第一绝缘层INS1、分隔壁PW、第二绝缘层INS2、共电极CE和反射层RF。
第一连接电极114中的每个可以设置在连接绝缘层CINS和对应的公共连接电极113上。例如，第一连接电极114可以一对一地连接到公共连接电极113，并且可以电连接公共连接电极113和共电极CE。第一连接电极114可以在第三方向DR3上与分隔壁PW叠置，并且第一连接电极114中的每个的上表面的至少一部分可以被暴露而不被分隔壁PW覆盖。
第一连接电极114中的每个可以包括在水平方向上突出的部分，但是本公开的实施例不限于此。当第一连接电极114中的每个包括突出部分时，第一连接电极114中的每个的水平宽度可以大于分隔壁PW的水平宽度。例如，水平宽度可以是第一方向DR1上的宽度或第二方向DR2上的宽度。
共电极CE可以在第一连接电极114的水平突出部分处连接到第一连接电极114中的每个。因此，当第一连接电极114不向发光元件LE提供共电压时，第一连接电极114不需要包括水平突出部分。在这种情况下，第一连接电极114中的每个的水平宽度可以与分隔壁PW的水平宽度基本上相同。第二连接电极115中的每个可以设置在连接绝缘层CINS和对应的像素电极111上。例如，第二连接电极115可以一对一地连接到像素电极111，并且可以电连接像素电极111和发光元件LE。
在制造工艺期间，第一连接电极114中的每个可以用作用于将公共连接电极113结合到共电极CE的结合金属，第二连接电极115中的每个可以用作用于将像素电极111结合到发光元件LE的结合金属。例如，第一连接电极114和第二连接电极115可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的至少任一种。在一些实施例中，第一连接电极114和第二连接电极115可以包括包含金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的任一种的第一层以及包含金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的另一种的第二层。在这样的实施例中，第二层可以设置在第一层上。
第一连接电极114在第三方向DR3上的厚度和第二连接电极115在第三方向DR3上的厚度可以彼此不同。因此，发光元件LE1至LE3的上表面可以被包括在发光元件层120中的分隔壁PW的上表面平坦化。然而，本公开的实施例不限于此，第一连接电极114和第二连接电极115也可以形成为具有相同的高度。
发光元件LE1至LE3可以分别设置在第二连接电极115上。第一发光元件LE1可以设置在第一发光区域EA1中，第二发光元件LE2可以设置在第二发光区域EA2中，第三发光元件LE3可以设置在第三发光区域EA3中。
第一发光元件LE1可以在第一发光区域EA1中设置在第二连接电极115上。第一发光元件LE1在第三方向DR3上的长度可以大于第一发光元件LE1的水平长度。水平长度表示第一方向DR1上的长度或第二方向DR2上的长度。例如，第一发光元件LE1在第三方向DR3上的长度可以是约1μm至约5μm。
第二发光元件LE2可以在第二发光区域EA2中设置在第二连接电极115上，第三发光元件LE3可以在第三发光区域EA3中设置在第二连接电极115上。第二发光元件LE2和第三发光元件LE3在第三方向DR3上的长度可以与第一发光元件LE1在第三方向DR3上的长度基本上相同。
将参照图9描述发光元件的详细剖面结构。发光元件可以是微型发光二极管元件或纳米发光二极管元件。第一发光元件LE1可以包括在第三方向DR3上的第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、第一活性层MQW1、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、第一活性层MQW1、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2可以在第三方向DR3上顺序堆叠。
第二发光元件LE2可以包括在第三方向DR3上顺序堆叠的第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、第二活性层MQW2、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2，第三发光元件LE3可以包括在第三方向DR3上顺序堆叠的第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、第三活性层MQW3、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。
第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的第一半导体层SEM1可以分别在第一发光区域EA1至第三发光区域EA3中设置在第二连接电极115上。第一半导体层SEM1可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的第一导电型掺杂剂。例如，第一半导体层SEM1可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第一半导体层SEM1的厚度可以是约30nm至约200nm。
第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的电子阻挡层EBL可以设置在第一半导体层SEM1上。电子阻挡层EBL可以是用于抑制或防止过量电子流入活性层MQW中的层。例如，电子阻挡层EBL可以是掺杂有p型Mg的p-AlGaN。电子阻挡层EBL的厚度可以是约10nm至约50nm。在一些实施例中，可以省略电子阻挡层EBL。
第一发光元件LE1的第一活性层MQW1可以在第一发光区域EA1中设置在电子阻挡层EBL上。第一活性层MQW1可以根据通过第一发光元件LE1的第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2接收的电信号通过电子-空穴对的结合来发光。第一活性层MQW1可以发射具有约600nm至约750nm的主峰值波长的第一光，即，可以发射红色波段中的光。
第二发光元件LE2的第二活性层MQW2可以在第二发光区域EA2中设置在电子阻挡层EBL上。第二活性层MQW2可以根据通过第二发光元件LE2的第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2接收的电信号通过电子-空穴对的结合来发光。第二活性层MQW2可以发射具有约370nm至约460nm的主峰值波长的第二光，即，可以发射蓝色波段中的光。
第三发光元件LE3的第三活性层MQW3可以在第三发光区域EA3中设置在电子阻挡层EBL上。第三活性层MQW3可以根据通过第三发光元件LE3的第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2接收的电信号通过电子-空穴对的结合来发光。第三活性层MQW3可以发射具有约480nm至约560nm的主峰值波长的第三光，即，可以发射绿色波段中的光。
第一活性层MQW1、第二活性层MQW2和第三活性层MQW3中的每个可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当第一活性层MQW1、第二活性层MQW2和第三活性层MQW3中的每个包括具有多量子阱结构的材料时，第一活性层MQW1、第二活性层MQW2和第三活性层MQW3中的每个可以具有其中交替堆叠有多个阱层和多个势垒层的结构。
第一活性层MQW1可以包括InGaN或GaAs，第二活性层MQW2和第三活性层MQW3可以包括InGaN，但是本公开的实施例不限于此。当第一活性层MQW1、第二活性层MQW2和第三活性层MQW3中的每个包括InGaN时，第一活性层MQW1中的铟(In)的浓度可以高于第三活性层MQW3中的铟(In)的浓度，第三活性层MQW3中的铟(In)的浓度可以高于第二活性层MQW2中的铟(In)的浓度。
第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的超晶格层SLT可以分别设置在第一活性层MQW1、第二活性层MQW2和第三活性层MQW3上。超晶格层SLT可以是用于减轻第一发光元件LE1的第一活性层MQW1与第二半导体层SEM2之间的应力、第二发光元件LE2的第二活性层MQW2与第二半导体层SEM2之间的应力以及第三发光元件LE3的第三活性层MQW3与第二半导体层SEM2之间的应力的层。例如，超晶格层SLT可以由InGaN或GaN制成。超晶格层SLT的厚度可以是约50nm至约200nm。在一些实施例中，可以省略超晶格层SLT。
第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的第二半导体层SEM2可以设置在超晶格层SLT上。第二半导体层SEM2可以掺杂有诸如Si、Ge、Se或Sn的第二导电型掺杂剂。例如，第二半导体层SEM2可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第二半导体层SEM2的厚度可以是约500nm至约1μm。
第一绝缘层INS1可以设置在公共连接电极113上。第一绝缘层INS1可以由诸如氧化硅(SiO2)层、氧化铝(Al2O3)层或氧化铪(HfOx)层的无机层制成。
分隔壁PW可以设置在第一绝缘层INS1上。分隔壁PW可以与发光元件LE1至LE3中的每个间隔开。分隔壁PW可以围绕第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的每个。分隔壁PW可以与公共连接区域CA中的公共连接电极113叠置。
因为分隔壁PW与发光元件在同一工艺中形成，所以分隔壁PW的全部或部分可以包括与发光元件的材料相同的材料。
参照图10，分隔壁PW可以包括在第三方向DR3上顺序堆叠的多个子分隔壁SPW1至SPW5。例如，分隔壁PW可以包括第一子分隔壁SPW1、第二子分隔壁SPW2、第三子分隔壁SPW3、第四子分隔壁SPW4和第五子分隔壁SPW5。
第一子分隔壁SPW1可以由与第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的第一半导体层SEM1的材料相同的材料制成。第一子分隔壁SPW1可以与第一半导体层SEM1在同一工艺中形成。第一子分隔壁SPW1的厚度可以与第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的第一半导体层SEM1的厚度基本上相同。
第二子分隔壁SPW2可以由与第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的电子阻挡层EBL的材料相同的材料制成。第二子分隔壁SPW2可以与电子阻挡层EBL在同一工艺中形成。第二子分隔壁SPW2的厚度可以与第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的电子阻挡层EBL的厚度基本上相同。当省略电子阻挡层EBL时，也可以省略第二子分隔壁SPW2。
第三子分隔壁SPW3可以由与第一活性层MQW1至第三活性层MQW3中的任一个的材料相同的材料制成。第三子分隔壁SPW3可以与第一活性层MQW1至第三活性层MQW3中的任一个在同一工艺中形成。第三子分隔壁SPW3的厚度可以与第一活性层MQW1至第三活性层MQW3中的任一个的厚度基本上相同。
第四子分隔壁SPW4可以由与第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的超晶格层SLT的材料相同的材料制成。第四子分隔壁SPW4可以与超晶格层SLT在同一工艺中形成。第四子分隔壁SPW4的厚度可以与第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的超晶格层SLT的厚度基本上相同。
第五子分隔壁SPW5可以由与第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的第二半导体层SEM2的材料相同的材料形成。第五子分隔壁SPW5可以与第二半导体层SEM2在同一工艺中形成。第五子分隔壁SPW5的厚度可以与第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的第二半导体层SEM2的厚度基本上相同。对于另一示例，当在制造显示面板10的工艺中未去除第五子分隔壁SPW5时，第五子分隔壁SPW5可以比第二半导体层SEM2厚。
第二绝缘层INS2可以设置在第一绝缘层INS1的侧表面、分隔壁PW的侧表面、第一连接电极114的侧表面、第二连接电极115的侧表面以及第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的每个的侧表面上。第二绝缘层INS2可以由诸如氧化硅(SiO2)层、氧化铝(Al2O3)层或氧化铪(HfOx)层的无机层制成。第二绝缘层INS2的厚度可以是约0.1μm。
共电极CE可以设置在第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的每个的上表面和侧表面以及分隔壁PW的上表面和侧表面上。例如，共电极CE可以覆盖第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的每个的上表面和侧表面以及分隔壁PW的上表面和侧表面。
共电极CE可以接触第二绝缘层INS2，并且可以接触第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的每个的上表面和分隔壁PW的上表面。另外，共电极CE可以接触第二绝缘层INS2和第一连接电极114的被暴露而不被分隔壁PW覆盖的上表面。
通过像素电路单元PXC的第二电力线VSL供应到公共连接电极113的共电压可以被供应到第一发光元件LE1至第三发光元件LE3。第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的每个的一端可以通过第二连接电极115接收像素电极111的像素电压(或阳极电压)，另一端可以通过第一连接电极114和共电极CE接收共电压。第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的每个可以根据像素电压与共电压之间的电压差发射预定亮度的光。例如，第一发光元件LE1可以发射第一光，第二发光元件LE2可以发射第二光，第三发光元件LE3可以发射第三光。
共电极CE可以包括透明导电材料。共电极CE可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)制成。共电极CE的厚度可以是约0.1μm。
反射层RF反射从第一发光元件LE1至第三发光元件LE3发射的光之中的在横向方向上而不是在向上方向上行进的光。反射层RF可以包括诸如铝(Al)的具有高反射率的金属材料。反射层RF的厚度可以是约0.1μm。
反射层RF可以设置在第一绝缘层INS1的侧表面、分隔壁PW的侧表面、第一连接电极114的侧表面、第二连接电极115的侧表面以及第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的侧表面上。反射层RF可以接触设置在第一绝缘层INS1的侧表面、分隔壁PW的侧表面、第一连接电极114的侧表面、第二连接电极115的侧表面以及第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的侧表面上的共电极CE。
平坦化层PLA可以暴露第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3的相应的上表面而不覆盖它们。平坦化层PLA可以填充发光元件LE1至LE3之间的空间，以使由于发光元件LE1至LE3引起的台阶(例如，台阶差)平坦化。平坦化层PLA可以覆盖反射层RF的侧表面和共电极CE的上表面，反射层RF覆盖发光元件LE1至LE3中的每个。
多个滤色器可以设置在平坦化层PLA上。另外，光学透镜可以设置在平坦化层PLA上。
参照图6B、图7和图8，第一发光区域EA1在一方向上的宽度可以大于第二发光区域EA2在这一方向上的宽度和第三发光区域EA3在这一方向上的宽度。第二发光区域EA2和第三发光区域EA3在这一方向上的宽度可以相同，但是本公开的实施例不限于此。
类似地，包括在第一发光区域EA1中的第一发光元件LE1在一方向上的宽度Ws1可以大于包括在第二发光区域EA2中的第二发光元件LE2在这一方向上的宽度Ws2以及包括在第三发光区域EA3中的第三发光元件LE3在这一方向上的宽度Ws3。第二发光元件LE2在这一方向上的宽度Ws2和第三发光元件LE3在这一方向上的宽度Ws3可以相同，但是本公开的实施例不限于此。
根据附图明显的是，第一发光元件LE1至第三发光元件LE3在这一方向上的宽度Ws1至Ws3之间的大小关系也可以应用于设置在第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的侧表面上的反射层RF的宽度之间的大小关系。
第一发光元件LE1和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp1可以同第二发光元件LE2和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp2以及第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp3相同。
在附图中，第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp1、Wp2和Wp3是设置在第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3的侧表面上的反射层RF和与其相邻的分隔壁PW之间的距离。然而，在附图中，第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离可以改变为对应于第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3的侧表面和与其相邻的分隔壁PW之间的距离。
尽管图中示出了第一发光元件LE1至第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp1至Wp3是设置在第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3的侧表面上的反射层RF和与其相邻的分隔壁PW之间的距离，但是第一发光元件LE1至第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp1至Wp3也具有相同的大小关系。
因为根据实施例的显示装置1包括发射第一光的第一发光元件LE1、发射第二光的第二发光元件LE2和发射第三光的第三发光元件LE3，所以根据实施例的显示装置1可以在没有波长转换层或滤色器的情况下显示各种颜色。因此，可以改善工艺效率或使工艺效率最大化。
另外，因为可以利用每个发光元件本身的发光效率，所以可以实现具有更高效率的显示装置。
另外，通过增加第一发光元件LE1的面积(或一方向上的宽度)，可以增加作为发光元件的第一发光元件LE1的发光效率，并且可以恒定地保持发光元件LE1、LE2和LE3中的每个之间的最大距离(例如，D1b、D2b、D3b和D4b)。
图11是沿着图6A的线II-II'截取的显示面板10b的另一示例的剖视图，图12是沿着图6A的线III-III'截取的显示面板10b的另一示例的剖视图。
图11和图12与图6B、图7和图8中所示的实施例的相同之处在于，第一发光区域EA1在一方向上的宽度大于第二发光区域EA2在这一方向上的宽度和第三发光区域EA3在这一方向上的宽度，但是与图6B、图7和图8中所示的实施例的不同之处在于，第一发光元件LE1在这一方向上的宽度Ws1、第二发光元件LE2在这一方向上的宽度Ws2和第三发光元件LE3在这一方向上的宽度Ws3相同。
另外，图11和图12与图6B、图7和图8中所示的实施例的不同之处在于，第一发光元件LE1和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp1大于第二发光元件LE2和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp2以及第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp3。尽管第二发光元件LE2和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp2以及第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp3相同，但是本公开的实施例不限于此。
根据示出的实施例的显示装置1可以具有为了增加发射第一光(例如，红色波段中的光)的第一发光区域EA1的发光效率的大的面积，但是发光区域EA1至EA3之间的最小距离(例如，D1b、D2b、D3b和D4b)可以保持恒定。
现在将参照图13至图25描述多个发光区域EA1至EA5的各种平面形状的实施例。
图13至图25是根据实施例的显示面板10b的像素的各种平面布局图的示例。
图13与图6A中所示的实施例的不同之处在于，多个发光区域EA1至EA5中的每个具有具备四条边的四边形平面形状。
参照图14，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。在发光区域EA1至EA5中的每个中，在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的边可以比在第一对角线方向DDR1和第二对角线方向DDR2上延伸的边短。
参照图15，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有被修改为具有向外倒圆(圆角)的顶点的四边形平面形状。例如，图15中所示的发光区域EA1至EA5中的每个可以具有包括弯曲部分的不规则平面形状。
参照图16，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。在该实施例中，平行于第一方向DR1和第二方向DR2的四条边可以具有向内倒圆(圆角)的形状，平行于第一对角线方向DDR1和第二对角线方向DDR2的四条边可以具有线形状。例如，图16中所示的发光区域EA1至EA5中的每个可以具有其中四条边具有线形状并且四条边具有倒圆(圆角)形状的不规则平面形状。
参照图17，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有具备五条边的五边形平面形状。发光区域EA1至EA5中的每个可以具有其中一条边平行于第一方向DR1并且面对这一条边的顶点设置在这一条边下方的五边形平面形状。
参照图18，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有被修改为具有向外倒圆(圆角)的顶点的五边形平面形状。例如，图18中所示的发光区域EA1至EA5中的每个可以具有包括弯曲部分的不规则平面形状。
参照图19，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有五边形平面形状，但是设置在第一行和第三行中的发光区域可以具有与设置在第二行中的发光区域的平面形状不同的平面形状。例如，第一行的第一发光区域EA1和第二发光区域EA2以及第三行的第四发光区域EA4和第五发光区域EA5可以具有其中一条边平行于第一方向DR1并且面对这一条边的顶点设置在这一条边下方的五边形形状。另一方面，第二行的第三发光区域EA3可以具有其中一条边平行于第一方向DR1并且面对这一条边的顶点设置在这一条边上方的五边形形状。在示出的实施例中，发光区域EA1至EA5中的每个被示出为具有如图18中所示的倒圆(圆角)的五边形形状，但是也可以具有如图17中所示的具有五个顶点的五边形平面形状。
参照图20，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有具备六条边的六边形平面形状。发光区域EA1至EA5中的每个可以具有具备平行于第一方向DR1的两条边的六边形平面形状。
参照图21，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有被修改为具有向外倒圆(圆角)的顶点的六边形平面形状。例如，图21中所示的发光区域EA1至EA5中的每个可以具有包括弯曲部分的不规则平面形状。
参照图22，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有六边形平面形状，但是设置在第一行和第三行中的发光区域可以具有与设置在第二行中的发光区域的平面形状不同的平面形状。例如，第一行的第一发光区域EA1和第二发光区域EA2以及第三行的第四发光区域EA4和第五发光区域EA5可以具有具备平行于第一方向DR1的两条边的六边形形状。另一方面，第二行的第三发光区域EA3可以具有具备平行于第二方向DR2的两条边的六边形形状。
参照图23，多个发光区域EA1至EA5可以如图22中所示布置，但是可以均被修改为具有向外倒圆(圆角)的顶点。
参照图24，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。然而，本公开的实施例不限于此，发光区域EA1至EA5中的每个也可以具有被修改为具有向外倒圆(圆角)的顶点的八边形平面形状。
参照图25，多个发光区域EA1至EA5中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。因为发光区域EA1至EA5中的每个的面积减小，所以发光区域之间的距离可以增加。
图13至图25中所示的实施例与图6A中所示的实施例的相同之处在于，第三发光区域EA3的中心点C3b和虚拟四边形VS的虚拟中心点CP彼此间隔开，第一中心距离L1b大于第二中心距离L2b，第三中心距离L3b大于第四中心距离L4b。另外，图13至图25中所示的实施例与图6A中所示的实施例的相同之处在于，第一距离D1b、第二距离D2b、第三距离D3b和第四距离D4b相同。
因此，即使当发射第一光(例如，红色波段中的光)的第一发光区域EA1的面积大于发射第二光的第二发光区域EA2和发射第三光的第三发光区域EA3的面积时，因为发光区域之间的最小距离相同，所以也可以实现具有高发光效率的显示装置。
现在将描述根据其它实施例的显示装置1。
图26是根据实施例的显示面板10a的像素的平面布局图。
根据示出的实施例的显示面板10a与包括四个发光区域EA_R、EA_B、EA_G1和EA_G2的先前实施例的不同之处在于，多个像素PX中的每个包括三个发光区域EA1至EA3和围绕发光区域EA1至EA3(例如，在平面图中围绕发光区域EA1至EA3或在发光区域EA1至EA3的外围周围延伸)的多个公共连接区域CA。
像素PX中的每个可以包括包含第一发光元件LE1的第一发光区域EA1、包含第二发光元件LE2的第二发光区域EA2以及包含第三发光元件LE3的第三发光区域EA3。
公共连接区域CA可以相对于一个发光区域彼此面对。在平面图中，彼此面对的四个公共连接区域CA可以形成正方形或矩形形状。包括在公共连接区域CA中的公共连接电极113可以如上所述布置，但是本公开的实施例不限于此。
一个公共连接区域CA可以设置在第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3之中的在第一对角线方向DDR1和第二对角线方向DDR2上彼此相邻的两个发光元件之间。公共连接区域CA不设置在沿第一方向DR1和第二方向DR2彼此相邻的两个发光元件之间。
在平面图中，由分隔壁PW限定的发光区域EA1至EA3中的每个可以具有诸如三角形、四边形、五边形、六边形或八边形的多边形形状、椭圆形形状或者不规则形状。
现在将描述发光区域EA1至EA3与发光元件LE1至LE3之间的布置关系。
在实施例中，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以沿着第一方向DR1交替地布置。第一发光区域EA1可以沿着第二方向DR2重复地布置以形成第一列，第二发光区域EA2可以沿着第二方向DR2重复地布置在与第一列相邻的第二列中，第三发光区域EA3可以沿着第二方向DR2重复地布置在与第二列相邻的第三列中。
类似地，包括在第一发光区域EA1中的第一发光元件LE1、包括在第二发光区域EA2中的第二发光元件LE2和包括在第三发光区域EA3中的第三发光元件LE3可以沿着第一方向DR1交替地布置。
在示出的实施例中，发射第一光(例如，红色波段中的光)的第一发光元件LE1、发射第二光(例如，蓝色波段中的光)的第二发光元件LE2和发射第三光(例如，绿色波段中的光)的第三发光元件LE3在第一方向DR1上重复布置，但是本公开的实施例不限于此。例如，发射第一光的第一发光元件LE1、发射第三光的第三发光元件LE3和发射第二光的第二发光元件LE2可以沿着第一方向DR1顺序布置。
每个发光区域的面积可以不同。例如，第一发光区域EA1的面积、第二发光区域EA2的面积和第三发光区域EA3的面积可以彼此不同。例如，第一发光区域EA1的面积可以大于第二发光区域EA2的面积和第三发光区域EA3的面积。第二发光区域EA2的面积和第三发光区域EA3的面积可以基本上相同，但是本公开的实施例不限于此。
例如，为了增加作为红色波段中的光的第一光的发光效率，可以增加第一发光区域EA1的面积以增加红色光发光效率。因为电流密度随着发光区域的面积增加而降低，所以发光效率随着面积的增加而增加。
由分隔壁PW分隔的发光区域EA1至EA3中的每个的面积可以大于发光元件LE1至LE3中的每个的面积。
现在将描述发光区域与发光元件之间的距离。
参照图26，显示面板10a的第一发光区域EA1可以包括中心点C1，第二发光区域EA2可以包括中心点C2a，第三发光区域EA3可以包括中心点C3a。
在示出的实施例中，当第一发光区域EA1的中心点C1与第二发光区域EA2的中心点C2a之间的距离被定义为第一中心距离L1a，第二发光区域EA2的中心点C2a与第三发光区域EA3的中心点C3a之间的距离被定义为第二中心距离L2a，并且第三发光区域EA3的中心点C3a与另一邻近的第一发光区域EA1的中心点C1之间的距离被定义为第三中心距离L3a时，第一中心距离L1a、第二中心距离L2a和第三中心距离L3a可以相同。
在这样的实施例中，因为第一发光区域EA1的面积相对大，所以当第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的最小距离被定义为第一距离D1a，第二发光区域EA2与第三发光区域EA3之间的最小距离被定义为第二距离D2a，并且第三发光区域EA3与另一邻近的第一发光区域EA1之间的最小距离被定义为第三距离D3a时，第一距离D1a和第三距离D3a可以小于第二距离D2a。
图27是根据实施例的显示面板10b的像素的平面布局图。
参照图27，根据示出的实施例的显示面板10b与根据图26中所示的实施例的显示面板10a的不同之处在于，第二发光区域EA2向右移动(例如，向右移位)，并且第三发光区域EA3向左移动。因此，第一距离D1b、第二距离D2b和第三距离D3b可以相同。
另外，当第一发光区域EA1的中心点C1与第二发光区域EA2的中心点C2b之间的距离被定义为第一中心距离L1b，第二发光区域EA2的中心点C2b与第三发光区域EA3的中心点C3b之间的距离被定义为第二中心距离L2b，并且第三发光区域EA3的中心点C3b与另一邻近的第一发光区域EA1的中心点C1之间的距离被定义为第三中心距离L3b时，第一中心距离L1b、第二中心距离L2b和第三中心距离L3b可以不同。例如，第二中心距离L2b可以小于第一中心距离L1b和第三中心距离L3b。
在根据实施例的包括显示面板10b的显示装置1中，包括发射不同光的第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的发光区域EA1至EA3的面积不同，但是发光区域之间的最小距离(例如，D1b、D2b和D3b)相同。因此，可以实现具有高发光效率的显示装置。
图28是沿着图27的线IV-IV'截取的显示面板10b的示例的剖视图。
参照图28，显示面板10与图7和图8中所示的显示面板10的相同之处在于显示面板10包括半导体电路板110和发光元件层120。
在第一发光区域EA1中，第一基底SUB1的像素电路单元PXC可以将像素电压施加到电连接到第一发光元件LE1的像素电极111。在与第一发光区域EA1相邻的公共连接区域CA中，像素电路单元PXC可以通过将共电压施加到与第一发光元件LE1相邻的公共连接电极113来向共电极CE提供共电压。第一发光元件LE1可以根据像素电压与共电压之间的电压差发射第一光。
在第二发光区域EA2中，第一基底SUB1的像素电路单元PXC可以将像素电压施加到电连接到第二发光元件LE2的像素电极111。在与第二发光区域EA2相邻的公共连接区域CA中，像素电路单元PXC可以通过将共电压施加到与第二发光元件LE2相邻的公共连接电极113来向共电极CE提供共电压。第二发光元件LE2可以根据像素电压与共电压之间的电压差发射第二光。
在第三发光区域EA3中，第一基底SUB1的像素电路单元PXC可以将像素电压施加到电连接到第三发光元件LE3的像素电极111。在与第三发光区域EA3相邻的公共连接区域CA中，像素电路单元PXC可以通过将共电压施加到与第三发光元件LE3相邻的公共连接电极113来向共电极CE提供共电压。第三发光元件LE3可以根据像素电压与共电压之间的电压差发射第三光。
第一发光区域EA1在一方向上的宽度可以大于第二发光区域EA2在这一方向上的宽度和第三发光区域EA3在这一方向上的宽度。第二发光区域EA2和第三发光区域EA3在这一方向上的宽度可以相同，但是本公开的实施例不限于此。
类似地，包括在第一发光区域EA1中的第一发光元件LE1在一方向上的宽度Ws1可以大于包括在第二发光区域EA2中的第二发光元件LE2在这一方向上的宽度Ws2和包括在第三发光区域EA3中的第三发光元件LE3在这一方向上的宽度Ws3。第二发光元件LE2在这一方向上的宽度Ws2和第三发光元件LE3在这一方向上的宽度Ws3可以相同，但是本公开的实施例不限于此。
第一发光元件LE1和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp1可以同第二发光元件LE2和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp2以及第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp3相同。
因为根据实施例的显示装置1包括发射第一光的第一发光元件LE1、发射第二光的第二发光元件LE2和发射第三光的第三发光元件LE3，所以显示装置1可以在没有波长转换层或滤色器的情况下显示各种颜色。因此，可以改善工艺效率或使工艺效率最大化。
另外，因为可以利用每个发光元件本身的发光效率，所以可以实现具有更高效率的显示装置。
另外，为了增加发射第一光(例如，红色波段中的光)的第一发光元件LE1的发光效率，可以增加第一发光元件LE1的面积(或在一方向上的宽度)，但是发光元件LE1至LE3之间的最小距离(例如，D1b、D2b和D3b)可以保持恒定。
图29是沿着图27的线IV-IV'截取的显示面板10b的另一示例的剖视图。
图29中所示的实施例与图28中所示的实施例的相同之处在于，第一发光区域EA1在一方向上的宽度大于第二发光区域EA2在这一方向上的宽度和第三发光区域EA3在这一方向上的宽度，但是与图28中所示的实施例的不同之处在于，第一发光元件LE1在这一方向上的宽度Ws1与第二发光元件LE2在这一方向上的宽度Ws2以及第三发光元件LE3在这一方向上的宽度Ws3相同。
另外，图29中所示的实施例与图28中所示的实施例的不同之处在于，第一发光元件LE1和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp1大于第二发光元件LE2和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp2以及第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp3。尽管第二发光元件LE2和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp2和第三发光元件LE3和与其相邻的分隔壁PW之间的距离Wp3相同，但是本公开的实施例不限于此。
在根据示出的实施例的显示装置1中，为了增加发射第一光(例如，红色波段中的光)的第一发光区域EA1的发光效率，可以增加第一发光区域EA1的面积，但是发光区域EA1至EA3之间的最小距离(例如，D1b、D2b和D3b)可以保持恒定。
现在将参照图30至图42描述多个发光区域EA1至EA3的各种平面形状的实施例。
图30至图42是根据实施例的显示面板10b的像素的各种平面布局图的示例。
图30中所示的实施例与图27中所示的实施例的相同之处在于，多个发光区域EA1至EA3中的每个具有具备四条边的四边形平面形状，但是与图27中所示的实施例的不同之处在于多个发光区域EA1至EA3中的每个具有与第一方向DR1平行的两条边以及与第二方向DR2平行的另外两条边并且四个角形成直角。
参照图31，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备四条边的菱形平面形状。
参照图32，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。在发光区域EA1至EA3中的每个中，在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的边可以比在第一对角线方向DDR1和第二对角线方向DDR2上延伸的边长。
参照图33，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。在发光区域EA1至EA3中的每个中，在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的边可以比在第一对角线方向DDR1和第二对角线方向DDR2上延伸的边短。
参照图34，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备四条边但被修改为具有向外倒圆(圆角)的顶点的菱形平面形状。例如，图34中所示的发光区域EA1至EA3中的每个可以具有包括弯曲部分的不规则平面形状。
参照图35，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。在该实施例中，平行于第一方向DR1和第二方向DR2的四条边可以具有向内倒圆(圆角)的形状，并且平行于第一对角线方向DDR1和第二对角线方向DDR2的四条边可以具有线形状。例如，图35中所示的发光区域EA1至EA3中的每个可以具有其中四条边具有线形状并且四条边具有倒圆(圆角)形状的不规则平面形状。
参照图36，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备五条边的五边形平面形状。发光区域EA1至EA3中的每个可以具有其中一条边平行于第一方向DR1并且面对这一条边的顶点设置在这一条边下方的五边形平面形状。
参照图37，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有五边形平面形状，但是设置在第一行和第三行中的发光区域可以具有与设置在第二行中的发光区域的平面形状不同的平面形状。例如，设置在第一行和第三行中的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以具有其中一条边平行于第一方向DR1并且面对这一条边的顶点设置在这一条边下方的五边形形状。另一方面，设置在第二行中的第一发光区域EA1可以具有其中一条边平行于第一方向DR1并且面对这一条边的顶点设置在这一条边下方的五边形形状，并且设置在第二行中的第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以具有其中一条边平行于第一方向DR1并且面对这一条边的顶点设置在这一条边上方的五边形形状。
参照图38，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备六条边的六边形平面形状。发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备平行于第一方向DR1的两条边的六边形平面形状。
参照图39，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。在发光区域EA1至EA3中的每个中，平行于第一方向DR1的两条边可以比平行于第二方向DR2的两条边长。
参照图40，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。在发光区域EA1至EA3中的每个中，平行于第一方向DR1的两条边可以比平行于第二方向DR2的两条边短。
参照图41，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备八条边的规则八边形平面形状，在规则八边形平面形状中，平行于第一方向DR1的两条边、平行于第二方向DR2的两条边、平行于第一对角线方向DDR1的两条边以及平行于第二对角线方向DDR2的两条边具有相同的距离。然而，本公开的实施例不限于此，发光区域EA1至EA3中的每个也可以具有被修改为具有向外倒圆(圆角)的顶点的八边形平面形状。
参照图42，多个发光区域EA1至EA3中的每个可以具有具备八条边的八边形平面形状。因为发光区域EA1至EA3中的每个的面积减小，所以发光区域之间的距离可以增加。
在图30至图42中，因为第二发光区域EA2的中心点C2b和第三发光区域EA3的中心点C3b彼此相邻设置，所以第二中心距离L2b可以大于第一中心距离L1b和第三中心距离L3b。另外，第一距离D1b、第二距离D2b和第三距离D3b可以相同。
因此，即使当发射第一光(例如，红色波段中的光)的第一发光区域EA1的面积大于发射第二光的第二发光区域EA2和发射第三光的第三发光区域EA3的面积时，因为发光区域之间的最小距离相同，所以可以实现具有高发光效率的显示装置。
现在将描述根据实施例的显示装置1的剖视图。图43是根据实施例的显示装置1的剖视图。
参照图43，示出的实施例与先前描述的实施例的不同之处在于，发光元件层120的分隔壁PW包括第一分隔壁PW1、第二分隔壁PW2和第三分隔壁PW3。
因为第一分隔壁PW1与发光元件LE在同一工艺中形成，所以第一分隔壁PW1的至少一部分可以包括与发光元件LE的材料相同的材料。
例如，第一分隔壁PW1可以包括在第三方向DR3上顺序堆叠的多个子分隔壁(未示出)。与图10中所示的实施例不同，除了第一子分隔壁SPW1至第五子分隔壁SPW5之外，第一分隔壁PW1还可以包括第六子分隔壁。
第六子分隔壁可以由未掺杂有掺杂剂的半导体层(即，未掺杂的半导体层)制成。例如，第六子分隔壁可以是未掺杂有掺杂剂的GaN。第六子分隔壁的厚度可以大于第一发光元件LE1至第三发光元件LE3中的任一个的第二半导体层SEM2的厚度。第六子分隔壁的厚度可以是约2μm至约3μm。
第二分隔壁PW2可以设置在第一分隔壁PW1上。第二分隔壁PW2可以由诸如氧化硅(SiO2)层、氧化铝(Al2O3)层或氧化铪(HfOx)层的无机层制成。第二分隔壁PW2的厚度可以为约1μm至约2μm。
第三分隔壁PW3可以设置在第二分隔壁PW2上。第三分隔壁PW3可以包括诸如镍(Ni)的导电材料。第三分隔壁PW3的厚度可以为约0.01μm至约1μm。
第二分隔壁PW2和第三分隔壁PW3可以用作用于防止第一分隔壁PW1在用于形成发光元件和分隔壁PW的制造工艺中被蚀刻的掩模。
因此，分隔壁PW的高度可以大于第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的高度。
在根据实施例的显示装置1中，因为分隔壁PW的高度大于第一发光元件LE1至第三发光元件LE3的高度，所以即使当设置波长转换层或滤色器时，也可以抑制光之间的散射。另外，可以将光学材料(诸如光学透镜)稳定地放置在显示装置1的上表面上。
图44是示出根据实施例的包括显示装置1000_1的虚拟现实(VR)装置的视图。图44示出了应用根据实施例的显示装置1000_1的VR装置30。
参照图44，根据实施例的VR装置30可以是呈眼镜的形式的装置。VR装置30可以包括显示装置1000_1、左透镜1000a、右透镜1000b、支撑框架2000、眼镜框架腿3000a和3000b、反射构件4000以及显示装置容纳单元5000。
在图44中，作为示例示出了包括眼镜框架腿3000a和3000b的VR装置30。然而，根据实施例的VR装置30也可以应用于包括可以安装在头部上的头戴式带而不是眼镜框架腿3000a和3000b的头戴式显示器。例如，根据实施例的VR装置30不限于图44中示出的VR装置，并且可以以各种形式应用于各种其它电子装置。
显示装置容纳单元5000可以包括显示装置1000_1和反射构件4000。显示在显示装置1000_1上的图像可以被反射构件4000反射，并且通过右透镜1000b提供给用户的右眼。因此，用户可以通过右眼观看到显示在显示装置1000_1上的VR图像。
在图44中，显示装置容纳单元5000设置在支撑框架2000的右端处，但是本公开的实施例不限于此。例如，显示装置容纳单元5000也可以设置在支撑框架2000的左端处。在这样的实施例中，显示在显示装置1000_1上的图像可以被反射构件4000反射，并且通过左透镜1000a提供给用户的左眼。因此，用户可以通过左眼观看到显示在显示装置1000_1上的VR图像。在其它实施例中，显示装置容纳单元5000可以设置在支撑框架2000的左端和右端两者处。在这样的实施例中，用户可以通过左眼和右眼两者观看到显示在显示装置1000_1上的VR图像。
图45是示出应用根据实施例的显示装置1000_2的智能装置的视图。
参照图45，根据实施例的显示装置1000_2可以应用于作为智能装置之一的智能手表40。
图46是示出根据实施例的包括显示装置1000_a至1000_e的车辆的仪表板和中央仪表板的视图。图46示出了应用根据实施例的显示装置1000_a至1000_e的车辆。
参照图46，根据实施例的显示装置1000_a至1000_c可以应用于车辆的仪表板、车辆的中央仪表板和/或设置在车辆的仪表板上的中央信息显示器(CID)。另外，根据实施例的显示装置1000_d和1000_e可以应用于替代车辆的侧视镜的室内镜显示器。
图47是示出根据实施例的包括显示装置1000_3的透明显示装置的视图。
参照图47，根据实施例的显示装置1000_3可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以在显示图像IM的同时透射光。因此，位于透明显示装置前方的用户不仅可以观看到显示在显示装置1000_3上的图像IM，而且可以观看到位于透明显示装置后方的对象RS和/或背景。当显示装置1000_3应用于透明显示装置时，显示装置1000_3的第一基底SUB1(见例如图7)可以包括可以透射光或者可以由可以透射光的材料制成的透光部分。
在根据实施例的显示装置中，可以增加由发射红色光的微型发光二极管发射的光的面积。因此，可以提供具有高发光效率的显示装置。
然而，本公开的方面和特征不受限于在这里阐述的方面和特征。对于本公开所属领域的普通技术人员而言，本公开的以上以及其它方面和特征通过参照权利要求及其等同物将变得更加明显。

Claims (22)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
分隔壁，位于所述基底上；
多个发光区域，位于所述基底上，所述发光区域包括由所述分隔壁分隔的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；
第一发光元件，位于所述第一发光区域中，并且被构造为发射第一光；
第二发光元件，位于所述第二发光区域中，并且被构造为发射第二光；以及
第三发光元件，位于所述第三发光区域中，并且被构造为发射第三光，
其中，所述第一发光区域的面积大于所述第一发光元件的面积，并且大于所述第二发光区域的面积和所述第三发光区域的面积。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述第一发光区域与所述第三发光区域之间的最小距离被定义为第一距离并且所述第二发光区域与所述第三发光区域之间的最小距离被定义为第二距离时，所述第一距离和所述第二距离相同。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光区域还包括：
第四发光区域，包括所述第一发光元件；以及
第五发光区域，包括所述第二发光元件，并且与所述第四发光区域相比具有较小的面积，并且
其中，当所述第四发光区域与所述第三发光区域之间的最小距离被定义为第三距离并且所述第五发光区域与所述第三发光区域之间的最小距离被定义为第四距离时，所述第三距离和所述第四距离相同。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离和所述第四距离相同。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当所述第一发光区域的中心点与所述第三发光区域的中心点之间的距离被定义为第一中心距离并且所述第二发光区域的中心点与所述第三发光区域的所述中心点之间的距离被定义为第二中心距离时，所述第一中心距离大于所述第二中心距离。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述发光区域还包括：
第四发光区域，包括所述第一发光元件；以及
第五发光区域，包括所述第二发光元件，并且与所述第四发光区域相比具有较小的面积，并且
其中，当所述第四发光区域的中心点与所述第三发光区域的中心点之间的距离被定义为第三中心距离并且所述第五发光区域的中心点与所述第三发光区域的所述中心点之间的距离被定义为第四中心距离时，所述第三中心距离大于所述第四中心距离。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一中心距离与所述第三中心距离相同，并且所述第二中心距离与所述第四中心距离相同。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一光是红色波段中的光。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多个公共连接电极，与所述分隔壁叠置；
像素电极，位于所述发光区域中的每个中；以及
共电极，位于所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述第三发光元件和所述分隔壁上，
其中，所述公共连接电极中的每个与像素电路单元的至少一部分叠置。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件在一方向上的宽度大于所述第二发光元件在所述一方向上的宽度以及所述第三发光元件在所述一方向上的宽度。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一发光元件与所述分隔壁之间的距离、所述第二发光元件与所述分隔壁之间的距离以及所述第三发光元件与所述分隔壁之间的距离相同。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件在一方向上的宽度、所述第二发光元件在所述一方向上的宽度以及所述第三发光元件在所述一方向上的宽度相同，并且
其中，所述第一发光元件与所述分隔壁之间的距离大于所述第二发光元件与所述分隔壁之间的距离以及所述第三发光元件与所述分隔壁之间的距离。
13.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
像素电极，位于所述基底上；
公共连接电极，位于所述基底上，并且与所述像素电极间隔开；
发光元件，位于所述像素电极上；
第一连接电极，位于所述公共连接电极上；
分隔壁，位于所述第一连接电极上；以及
共电极，
其中，所述第一连接电极的上表面的至少一部分被暴露而不被所述分隔壁覆盖，并且
其中，所述共电极连接到所述第一连接电极的被暴露而不被所述分隔壁覆盖的所述上表面。
14.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述发光元件的侧表面、所述第一连接电极的侧表面以及所述分隔壁的侧表面上的第一绝缘层。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述共电极位于所述发光元件的上表面和所述第一绝缘层上。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述发光元件包括彼此顺序堆叠的第一半导体层、活性层和第二半导体层。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述发光元件的高度与所述分隔壁的高度相同。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
分隔壁，位于所述基底上；
多个发光区域，包括由所述分隔壁分隔的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；以及
多个公共连接区域，与所述发光区域中的每个间隔开，
其中，所述公共连接区域之中的第一公共连接区域和与所述第一公共连接区域相邻的所述第一发光区域的中心点之间的距离同所述第一公共连接区域和与所述第一公共连接区域相邻的所述第二发光区域的中心点之间的距离相同。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一发光区域和所述第二发光区域布置在第一方向上，所述第二发光区域和所述第三发光区域布置在关于所述第一方向斜地倾斜的第一对角线方向上，并且所述第一发光区域和所述第三发光区域布置在与所述第一对角线方向交叉的第二对角线方向上。
20.根据权利要求19所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第四发光区域，由位于所述基底上的所述分隔壁分隔，并且在所述第一对角线方向上与所述第三发光区域相邻；以及
第五发光区域，由位于所述基底上的所述分隔壁分隔，并且在所述第二对角线方向上与所述第三发光区域相邻。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，从第二公共连接区域到所述第三发光区域的最小距离大于从第三公共连接区域到所述第三发光区域的最小距离，所述第二公共连接区域在所述公共连接区域之中位于所述第一发光区域与所述第四发光区域之间，所述第三公共连接区域位于所述第二发光区域与所述第五发光区域之间。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述公共连接区域还包括位于所述第四发光区域与所述第五发光区域之间的第四公共连接区域，并且
其中，所述第一公共连接区域、所述第二公共连接区域、所述第三公共连接区域和所述第四公共连接区域以菱形形状布置。
CN202210876999.0A 2021-08-10 2022-07-25 显示装置 Pending CN115706136A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210105688A KR20230023886A (ko) 2021-08-10 2021-08-10 표시 장치
KR10-2021-0105688 2021-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115706136A true CN115706136A (zh) 2023-02-17

Family

ID=85178057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210876999.0A Pending CN115706136A (zh) 2021-08-10 2022-07-25 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230046443A1 (zh)
KR (1) KR20230023886A (zh)
CN (1) CN115706136A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230046443A1 (en) 2023-02-16
KR20230023886A (ko) 2023-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200258939A1 (en) Light emitting diode module, display panel having the same and method of manufacturing the same
JP2021508938A (ja) 発光積層構造とこれを備えたディスプレイデバイス
US20230387179A1 (en) Light emitting device for display and display apparatus having the same
CN115312558A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
CN115706136A (zh) 显示装置
US20220352433A1 (en) Display device
CN115988925A (zh) 显示装置和用于制造该显示装置的方法
US20230110747A1 (en) Display device and method for fabrication thereof
US20240063346A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
US20230047445A1 (en) Display device
KR20230023861A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
US20230178687A1 (en) Display device
US20230111615A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20230053037A1 (en) Display device and method for fabrication thereof
KR20230023539A (ko) 표시 장치
KR20230023885A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
KR20220149896A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
KR20220149831A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
KR20230033056A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
KR20230101994A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220149861A (ko) 표시 장치
CN115988924A (zh) 显示装置
KR20220148958A (ko) 표시 장치
KR20230023858A (ko) 표시 장치
KR20230053031A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication