CN115696974A - 显示面板和显示设备 - Google Patents

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CN115696974A CN202210883603.5A CN202210883603A CN115696974A CN 115696974 A CN115696974 A CN 115696974A CN 202210883603 A CN202210883603 A CN 202210883603A CN 115696974 A CN115696974 A CN 115696974A
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display area
pixel electrode
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崔仙暎
朴京淳
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Abstract

提供一种显示面板和一种显示设备。所述显示面板包括:基底,包括第一显示区域、第二显示区域和外围区域;在所述第一显示区域中的第一像素电路和连接到所述第一像素电路的第一显示元件;第二显示元件,在所述第二显示区域中;第二像素电路,在所述外围区域中;连接线,在所述基底和所述第二显示元件之间,并且将所述第二显示元件连接到所述第二像素电路;以及连接部分,与所述连接线在不同的层中并且连接到所述第二显示元件,其中,所述第二显示元件包括第二像素电极,其中,所述第二像素电极与所述连接部分在同一层中,并且覆盖所述连接部分的至少一部分。

Description

显示面板和显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年7月26日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0098112号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请公开的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一些实施例的方面涉及一种显示面板和包括所述显示面板的显示设备。
背景技术
近来,显示设备的使用已经变得更加多样化。此外,与前几代的显示装置相比,显示设备已经变得相对更薄和更轻,并且因此,显示设备的用途已经扩展。
由于以各种方式使用显示设备,因此可以使用各种方法来设计显示设备的形状。另外,可以附加或链接到显示设备的功能的数量正在增加。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解,并且因此,本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一些实施例的方面涉及一种显示面板和一种包括所述显示面板的显示设备,并且例如,涉及一种具有即使在布置有作为电子元件的组件的区域中也允许显示图像的扩大的显示区域的显示面板和包括所述显示面板的显示设备。
一些实施例包括具有被配置为即使在布置有为电子元件的组件的区域中也能够显示图像的相对扩大的显示区域的显示面板和包括所述显示面板的显示设备。然而,这仅仅是示例,并且根据本公开的实施例的范围不由此限制。
附加方面将部分地在随后的描述中阐述,并且将部分地根据描述而明显,或者可以通过对所呈现的本公开的实施例的实践而获知。
根据一个或多个实施例,一种显示面板,包括:基底,包括第一显示区域、第二显示区域和外围区域;布置在所述第一显示区域中的第一像素电路和连接到所述第一像素电路的第一显示元件;第二显示元件,布置在所述第二显示区域中;第二像素电路,布置在所述外围区域中;连接线,布置在所述基底和所述第二显示元件之间,并且将所述第二显示元件连接到所述第二像素电路;以及连接部分,与所述连接线布置在不同的层中并且连接到所述第二显示元件,其中,所述第二显示元件包括第二像素电极,其中,所述第二像素电极与所述连接部分布置在同一层中,并且覆盖所述连接部分的至少一部分。
根据一些实施例,所述连接部分可以包括透明导电氧化物。
根据一些实施例,所述第二像素电极的边缘的至少一部分可以具有倒圆形状。
根据一些实施例,所述第二像素电极可以具有圆形形状。
根据一些实施例,所述显示面板还可以包括:像素限定层,具有暴露所述第二像素电极的中心的开口并且覆盖所述第二像素电极的边缘,其中,所述像素限定层可以包括光阻挡材料。
根据一些实施例,所述像素限定层可以具有圆环形状。
根据一些实施例,所述像素限定层的所述开口的至少一部分可以具有倒圆形状。
根据一些实施例,所述第二像素电极的厚度和所述连接部分的厚度各自可以在大约
Figure BDA0003765134390000021
至大约
Figure BDA0003765134390000022
的范围内。
根据一些实施例,所述连接部分在平面图中可以具有多边形形状。
根据一些实施例,所述第二显示元件的发射区域的形状可以与所述第二像素电极的形状不同。
根据一些实施例,所述第二像素电极可以具有具备倒圆角的多边形形状。
根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:显示面板,包括第一显示区域、第二显示区域和外围区域;以及组件,布置在所述显示面板下方以与所述第二显示区域相对应,其中,所述显示面板包括:基底;布置在所述第一显示区域中的第一像素电路和连接到所述第一像素电路的第一显示元件;第二显示元件,布置在所述第二显示区域中;第二像素电路,布置在所述外围区域中;连接线,布置在所述基底和所述第二显示元件之间,并且将所述第二显示元件连接到所述第二像素电路;以及连接部分,与所述连接线布置在不同的层中并且连接到所述第二显示元件,其中,所述第二显示元件包括第二像素电极,其中,所述第二像素电极与所述连接部分布置在同一层中,并且覆盖所述连接部分的至少一部分。
根据一些实施例,所述连接部分可以包括透明导电氧化物。
根据一些实施例,所述第二像素电极的边缘的至少一部分可以具有倒圆形状。
根据一些实施例,所述显示面板还可以包括:像素限定层,具有暴露所述第二像素电极的中心的开口并且覆盖所述第二像素电极的边缘,其中,所述像素限定层可以包括光阻挡材料。
根据一些实施例,所述像素限定层的所述开口的至少一部分可以具有倒圆形状。
根据一些实施例,所述第二显示元件的发射区域的形状可以与所述第二像素电极的形状不同。
根据一些实施例,所述第二像素电极的厚度和所述连接部分的厚度各自可以在大约
Figure BDA0003765134390000031
至大约
Figure BDA0003765134390000032
的范围内。
根据一些实施例,所述第二像素电极可以具有圆形形状。
根据一些实施例,所述组件可以包括成像装置。
附图说明
根据以下结合附图的描述,本公开的具体实施例的上述和其它方面、特征和特性将变得更加明显,在附图中:
图1是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的透视图;
图2是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图;
图3A和图3B是示意性地示出根据一些实施例的图1的显示设备中的显示面板的平面图;
图4是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的部分区域的平面布局图;
图5是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图;
图6是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图;
图7是示出根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图;
图8是示出根据一些实施例的显示设备的辅助子像素的平面布局图;以及
图9至图11是示出根据一些实施例的显示装置的辅助子像素的平面布局图。
具体实施方式
现在将更详细地参照在附图中示出的一些实施例的各方面,其中,同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面,这些实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为局限于在本文中阐述的描述。因此,下面仅通过参照附图描述一些实施例的方面以说明本说明书的方面。如在本文中所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个公开中,表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变型。
由于本公开允许各种改变和许多实施例,因此将在附图中示出具体实施例并且在书面描述中详细描述具体实施例。本公开的效果和特征以及实现本公开的效果和特征的方法将参照以下参照附图详细描述的实施例来阐明。然而,本公开不限于以下实施例,并且可以以各种形式实现。
在下文中,将参照附图更详细地描述一些实施例的方面。当参照附图描述实施例时,相同或对应的元件由相同的附图标记指代,并且省略对相同或对应的元件的重复描述。
还将理解的是,当层、区或元件被称为“在”另一层、区或元件“上”时,所述层、区或元件可以直接或间接在所述另一层、区或元件上。即,例如,可以存在居间层、居间区或居间元件。此外,为了便于说明,附图中的元件的尺寸可能被夸大或缩小。例如,由于附图中的元件的尺寸和厚度是为了便于说明而任意示出的,因此本公开不限于此。
在以下实施例中,x方向、y方向和z方向不限于直角坐标系的三个轴的方向,并且可以以更广泛的意义解释。例如,x方向、y方向和z方向可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是示意性地示出根据一些实施例的显示设备1的透视图。
参照图1,显示设备1包括显示区域DA和显示区域DA外部的外围区域DPA。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域DA1可以布置为围绕第二显示区域DA2的至少一部分。第一显示区域DA1可以是主显示区域,并且第二显示区域DA2可以是布置有组件的组件区域和辅助显示区域。即,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以单独或一起显示图像。例如,在一些情况下,第一显示区域DA1可以显示图像的第一子部分,并且第二显示区域DA2可以显示图像的第二子部分,并且共同地,图像的第一子部分和第二子部分可以形成完整的图像。外围区域DPA可以是其中不布置显示元件的一种非显示区域。显示区域DA可以被外围区域DPA完全围绕。
图1示出了布置有组件的一个第二显示区域DA2在第一显示区域DA1内。根据一些实施例,显示设备1可以具有两个或更多个第二显示区域DA2,并且两个或更多个第二显示区域DA2的形状和尺寸可以彼此不同。当从相对于显示设备1的上表面基本上垂直或正交的方向观察时(例如,当在平面图中观察时),第二显示区域DA2可以具有各种形状,例如,圆形形状、椭圆形形状、诸如矩形形状、星形形状或菱形形状的多边形形状。尽管图1示出了第二显示区域DA2布置在当从与显示设备1的上表面基本上垂直的方向观察时基本上具有矩形形状的第一显示区域DA1的(在+y方向上的)上部中心处,但是第二显示区域DA2可以布置在具有矩形形状的第一显示区域DA1的一侧,例如,在第一显示区域DA1的右上侧或左上侧。
显示设备1可以通过使用布置在第一显示区域DA1中的多个第一像素Pm和布置在第二显示区域DA2中的多个第二像素Pa来提供图像。
多个第二像素Pa可以布置在第二显示区域DA2中。多个第二像素Pa可以发射光并提供图像。在第二显示区域DA2中显示的图像是辅助图像,并且可以具有比在第一显示区域DA1中显示的图像的分辨率低的分辨率。
在第二显示区域DA2中,作为电子元件的组件40(参见图2)可以布置在显示面板10(参见图2)下方。组件40是使用红外光或可见光的相机,并且可以包括成像装置。可选地,组件40可以是太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近度传感器或虹膜传感器。可选地,组件40可以具有声音接收功能。为了减少对组件40的功能的限制,被配置为驱动第二显示区域DA2中的第二像素Pa的第二像素电路PCa(参见图2)可以不在第二显示区域DA2中,而是可以在外围区域DPA中。
在根据一些实施例的显示面板和包括所述显示面板的显示设备的情况下,当光通过第二显示区域DA2透射时,第二显示区域DA2的透光率可以是大约10%或更高,并且更具体地,大约40%或更高、大约25%或更高、大约50%或更高、大约85%或更高或者大约90%或更高。
图2是示意性地示出根据一些实施例的显示设备1的一部分的截面图。
参照图2,显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10重叠的组件40。保护显示面板10的覆盖窗可以进一步在显示面板10上。
显示面板10包括与组件40重叠的第二显示区域DA2和显示主图像的第一显示区域DA1。显示面板10可以包括:基底100;在基底100上方的显示层DISL、触摸屏幕层TSL和光学功能层OFL;以及在基底100下方的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括包含薄膜晶体管TFT和TFT'的电路层PCL、包含作为发光元件的显示元件EDm和EDa的显示元件层EDL(参见图5)以及薄膜封装层TFEL。绝缘层IL和IL'可以在基底100和显示层DISL之间并且在显示层DISL内部。
基底100可以包括绝缘材料,诸如玻璃、石英或聚合物树脂。基底100可以包括刚性基底或柔性基底,例如可弯曲、可折叠或可卷曲的基底。
第一像素电路PCm和连接到第一像素电路PCm的第一显示元件EDm可以布置在显示面板10的第一显示区域DA1中。第一像素电路PCm可以包括至少一个薄膜晶体管(例如,主薄膜晶体管TFT),并且可以控制第一显示元件EDm的发光。第一像素Pm可以通过第一显示元件EDm的发光来实现。
第二显示元件EDa可以布置在显示面板10的第二显示区域DA2中以实现第二像素Pa。第二显示区域DA2是辅助显示区域,并且第二显示区域DA2的分辨率可以小于第一显示区域DA1的分辨率。即,第二显示区域DA2中的每单位面积的第二显示元件EDa的数量可以小于第一显示区域DA1中的每单位面积的第一显示元件EDm的数量。
根据一些实施例,被配置为驱动第二显示元件EDa的第二像素电路PCa可以不布置在第二显示区域DA2中,而是可以布置在外围区域DPA中。即,第二像素电路PCa可以布置为与第二显示元件EDa不重叠。
第二像素电路PCa可以包括至少一个薄膜晶体管(例如,辅助薄膜晶体管TFT'),并且可以通过连接线TWL电连接到第二显示元件EDa。连接线TWL可以包括透明导电材料。第二像素电路PCa可以控制第二显示元件EDa的发光。第二像素Pa可以通过第二显示元件EDa的发光来实现。
此外,第二显示区域DA2可以包括从组件40发射的光/信号或入射在组件40上的光/信号通过其透射/传播的区域。由于仅第二显示元件EDa和包括透明导电材料的连接线TWL布置在第二显示区域DA2中,并且第二显示区域DA2中的每单位面积的第二显示元件EDa的数量少于第一显示区域DA1中的每单位面积的第一显示元件EDm的数量,因此第二显示区域DA2的透光率可以高。
作为显示元件的第一显示元件EDm和第二显示元件EDa可以被薄膜封装层TFEL覆盖。在一些实施例中,如图2中所示,薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些实施例,薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及位于第一无机封装层131和第二无机封装层133之间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可以各自包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx,可以是ZnO或ZnO2)的至少一种无机绝缘材料,并且可以通过化学气相沉积(CVD)等形成。有机封装层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以设置为一体以覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
触摸屏幕层TSL可以根据外部输入(例如,触摸事件)获得坐标信息。触摸屏幕层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏幕层TSL可以通过使用自电容方法或互电容方法来感测外部输入。
触摸屏幕层TSL可以在薄膜封装层TFEL上。可选地,触摸屏幕层TSL可以单独形成在触摸基底上,并且然后通过包括诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂层接合到薄膜封装层TFEL。根据一些实施例,触摸屏幕层TSL可以直接在薄膜封装层TFEL上。在这种情况下,粘合剂层可以不在触摸屏幕层TSL和薄膜封装层TFEL之间。
光学功能层OFL可以包括防反射层。防反射层可以降低从外部入射到显示设备1的光(外部光)的反射率。在一些实施例中,光学功能层OFL可以包括偏振膜。在一些实施例中,光学功能层OFL可以包括包含黑矩阵和滤色器的滤板。
面板保护构件PB可以附接到基底100的下部以支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以包括与第二显示区域DA2相对应的开口PB_OP。提供在面板保护构件PB中的开口PB_OP可以改善第二显示区域DA2的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
第二显示区域DA2的面积可以大于布置有组件40的区域的面积。因此,提供在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以与第二显示区域DA2的面积不匹配。
此外,多个组件40可以布置在第二显示区域DA2中。组件40可以具有彼此不同的功能。例如,组件40可以包括从相机(成像元件)、太阳能电池、闪光灯、接近度传感器、照度传感器和虹膜传感器中选择的至少两个,或者根据显示面板10的设计的任意其它合适的传感器或电子组件。
图3A和图3B是示意性地示出根据一些实施例的图1的显示设备1中的显示面板10的平面图。
参照图3A,构成显示面板10的各种元件在基底100上。基底100包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域DPA。显示区域DA包括显示主图像的第一显示区域DA1和显示辅助图像(或多个辅助图像)的第二显示区域DA2。辅助图像可以与主图像一起形成一个完整的图像,或者辅助图像可以是独立于主图像的图像。布置用于驱动第二显示区域DA2中的第二像素Pa的第二像素电路PCa的像素电路部分PCP(参见图4)可以被提供在外围区域DPA中。
多个第一像素Pm布置在第一显示区域DA1中。第一像素Pm中的每一个可以被实现为诸如有机发光二极管的第一显示元件EDm(参见图2)。被配置为驱动第一像素Pm的第一像素电路PCm可以布置在第一显示区域DA1中,并且第一像素电路PCm可以布置为与第一像素Pm重叠。第一像素Pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。第一显示区域DA1可以被封装构件覆盖并且被保护免受环境空气或湿气的影响。
如上所述,第二显示区域DA2可以在第一显示区域DA1的一侧处或者在显示区域DA内部并且被第一显示区域DA1围绕。多个第二像素Pa布置在第二显示区域DA2中。第二像素Pa中的每一个可以被实现为诸如有机发光二极管的第二显示元件EDa(参见图2)。第二像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。第二显示区域DA2可以被封装构件覆盖并且被保护免受环境空气或湿气的影响。第二显示区域DA2的分辨率可以是第一显示区域DA1的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如,第一显示区域DA1的分辨率可以是大约400ppi或更高,并且第二显示区域DA2的分辨率可以是大约200ppi或大约100ppi。
用于驱动第二像素Pa的第二像素电路PCa可以布置在设置在外围区域DPA中的像素电路部分PCP中。像素电路部分PCP可以布置在靠近第二显示区域DA2的外围区域DPA中。例如,当第二显示区域DA2布置在显示区域DA的顶侧处时,像素电路部分PCP可以布置在外围区域DPA的顶侧处。第二像素电路PCa可以通过在y方向上延伸的连接线TWL连接到实现第二像素Pa的第二显示元件EDa。
除了像素电路部分PCP之外,第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13可以布置在外围区域DPA中。第一像素电路PCm和第二像素电路PCa中的每一者可以电连接到布置在外围区域DPA中的外部电路。
第一扫描驱动电路SDRV1可以被配置为通过主扫描线SLm将扫描信号施加到被配置为驱动第一像素Pm的第一像素电路PCm。第一扫描驱动电路SDRV1可以被配置为通过主发射控制线ELm将发射控制信号施加到像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可以相对于第一显示区域DA1位于第一扫描驱动电路SDRV1的相对侧,并且可以基本上平行于第一扫描驱动电路SDRV1。第一显示区域DA1的第一像素Pm的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1,并且第一显示区域DA1的第一像素Pm的其它像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。
端子部分PAD可以布置在基底100的一侧处。端子部分PAD被暴露而不被绝缘层覆盖并且连接到显示电路板30。显示驱动器32可以在显示电路板30上。
显示驱动器32可以被配置为产生待传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可以被配置为产生数据信号,并且产生的数据信号可以通过扇出线FW和连接到扇出线FW的主数据线DLm传输到第一像素电路PCm。
显示驱动器32可以被配置为将驱动电压供应到第一驱动电压供应线11,并且可以被配置为将公共电压供应到公共电压供应线13。驱动电压可以通过连接到第一驱动电压供应线11的驱动电压线PL被施加到第一像素Pm和第二像素Pa的像素电路,并且公共电压可以连接到公共电压供应线13并且被施加到显示元件的相对电极。
第一驱动电压供应线11可以在x方向上从第一显示区域DA1的下侧延伸。公共电压供应线13具有具备一个侧开口的环形形状,并且可以部分地围绕显示区域DA。
尽管图3A示出了提供了一个第二显示区域DA2的情况,但是可以提供多个第二显示区域DA2。在这种情况下,第二显示区域DA2可以彼此分开,第一相机可以布置为与一个第二显示区域DA2相对应,并且第二相机可以布置为与另一第二显示区域DA2相对应。可选地,相机可以布置为与一个第二显示区域DA2相对应,并且红外传感器可以布置为与另一第二显示区域DA2相对应。第二显示区域DA2的形状和尺寸可以彼此不同。
另一方面,第二显示区域DA2可以具有圆形形状、椭圆形形状、多边形形状或不规则形状。在一些实施例中,第二显示区域DA2可以具有八边形形状。第二显示区域DA2可以具有根据显示面板10的设计的任意合适的形状,包括各种多边形形状,例如,矩形形状或六边形形状。第二显示区域DA2可以被第一显示区域DA1围绕。
另外,尽管在图3A中第二像素电路PCa布置为与第二显示区域DA2的外侧相邻,但是根据本公开的实施例不限于此。如图3B中所示,第二像素电路PCa可以布置为与第一显示区域DA1的外侧相邻。在一些实施例中,连接线TWL可以通过子连接线TWL'连接到第二像素电路PCa。在这种情况下,连接线TWL可以布置在第二显示区域DA2中,并且子连接线TWL'可以布置在外围区域DPA中。连接线TWL可以包括透明导电材料,并且子连接线TWL'可以包括具有高电导率的金属。在一些实施例中,子连接线TWL'可以与连接线TWL布置在同一层中。根据一些实施例,子连接线TWL'可以与连接线TWL布置在不同的层中并且通过接触孔连接到连接线TWL。
图4是示意性地示出根据一些实施例的显示面板10的部分区域的平面布局图。例如,图4示出了第二显示区域DA2、第二显示区域DA2周围的第一显示区域DA1以及布置在外围区域DPA中的像素电路部分PCP。
参照图4,多个第一像素Pm可以布置在第一显示区域DA1中。在本公开中,第一像素Pm是作为实现图像的最小单位的子像素,并且指由显示元件发射光的发射区域。当有机发光二极管被用作显示元件时,发射区域可以由像素限定层的开口限定。这将在下面描述。多个第一像素Pm中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
根据一些实施例,布置在第一显示区域DA1中的第一像素Pm可以包括第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb。第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb可以分别实现红色、绿色和蓝色。第一像素Pm可以以矩阵(例如
Figure BDA0003765134390000111
矩阵)结构布置。
例如,第一子像素Pr可以布置在以第二子像素Pg的中心点作为虚拟矩形的中心点的虚拟矩形的顶点之中的面向彼此的第一顶点和第三顶点处,并且第三子像素Pb可以布置在其余的顶点(即,第二顶点和第四顶点)处。第二子像素Pg的尺寸可以小于第一子像素Pr的尺寸和第三子像素Pb的尺寸。
这种像素布置结构被称为
Figure BDA0003765134390000121
矩阵结构或
Figure BDA0003765134390000122
结构,并且可以通过应用共享相邻的像素以表现颜色的渲染驱动来通过使用少量像素实现高分辨率。
在图4中,多个第一像素Pm以
Figure BDA0003765134390000123
矩阵结构布置,但是根据本公开的实施例不限于此。例如,多个第一像素Pm可以以诸如条纹结构、马赛克阵列结构或三角形阵列结构等的各种形状布置。
在第一显示区域DA1中,第一像素电路PCm可以与第一像素Pm重叠,并且可以在x方向和y方向上以矩阵形状布置。在本公开中,第一像素电路PCm指实现一个第一像素Pm的像素电路的单元。
多个第二像素Pa可以布置在第二显示区域DA2中。多个第二像素Pa中的每一个是子像素,并且可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。因此,多个第二像素Pa中的每一个也可以被称为辅助子像素。第二像素Pa可以包括各自发射彼此不同颜色的光的第一子像素Pr'、第二子像素Pg'和第三子像素Pb'。第一子像素Pr'、第二子像素Pg'和第三子像素Pb'可以分别实现红色、绿色和蓝色。
布置在第二显示区域DA2中的每单位面积的第二像素Pa的数量可以小于布置在第一显示区域DA1中的每单位面积的第一像素Pm的数量。例如,可以以1:2、1:4、1:8或1:9的比率提供每相同面积的第二像素Pa的数量和第一像素Pm的数量。换言之,第二显示区域DA2的分辨率可以是第一显示区域DA1的分辨率的大约1/2、1/4、1/8或1/9。在图4中,第二显示区域DA2的分辨率是第一显示区域DA1的分辨率的大约1/8。
布置在第二显示区域DA2中的第二像素Pa的尺寸可以大于布置在第一显示区域DA1中并且发射与从第二像素Pa发射的光具有相同颜色的光的第一像素Pm的尺寸。例如,第二显示区域DA2的第一子像素Pr'的尺寸可以大于第一显示区域DA1的第一子像素Pr的尺寸。第二显示区域DA2的第二子像素Pg'的尺寸可以大于第一显示区域DA1的第二子像素Pg的尺寸。第二显示区域DA2的第三子像素Pb'的尺寸可以大于第一显示区域DA1的第三子像素Pb的尺寸。
在一些实施例中,布置在第二显示区域DA2中的第二像素Pa可以具有圆形形状或者具有六个或更多个顶点的多边形形状。这可以是为了改善第二显示区域DA2的透光率并减少光衍射。在一些实施例中,布置在第二显示区域DA2中的第二像素Pa的形状可以不同于布置在第一显示区域DA1中的第一像素Pm的形状。例如,第二像素Pa可以具有圆形形状,并且第一像素Pm可以具有矩形形状。
第二显示区域DA2中的第二像素Pa可以以各种形状布置。第二像素Pa中的一些可以共同形成像素组,并且第二像素Pa可以在像素组内以诸如
Figure BDA0003765134390000131
结构、条纹结构、马赛克阵列结构或三角阵列结构的各种形状布置。在这种情况下,布置在像素组内的第二像素Pa之间的距离可以等于第一像素Pm之间的距离。
根据一些实施例,如图4中所示,第二像素Pa可以以分散的方式布置在第二显示区域DA2中。换言之,第二像素Pa之间的距离可以大于第一像素Pm之间的距离。第二显示区域DA2的其中未布置有第二像素Pa的区域可以被称为具有高透光率的透射区域TA。
实现第二像素Pa的发光的第二像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。由于第二像素电路PCa不布置在第二显示区域DA2中,因此可以确保第二显示区域DA2的较大的透射区域TA。另外,用于将恒定电压或信号施加到第二像素电路PCa的线不布置在第二显示区域DA2中,并且因此,可以自由地布置第二像素Pa而不论线布置如何。
第二像素电路PCa可以通过连接线连接到第二像素Pa。连接线可以包括至少一条连接线TWL和至少一条子连接线TWL'。
连接线TWL至少部分地布置在第二显示区域DA2中,并且可以包括透明导电材料。例如,连接线TWL可以包括透明导电氧化物(TCO)。连接线TWL可以包括导电氧化物,诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
连接线TWL连接到第二像素Pa可以表示连接线TWL电连接到用于实现第二像素Pa的第二显示元件EDa(参见图2)的像素电极121'(参见图5)。
连接线TWL可以通过子连接线TWL'连接到第二像素电路PCa。子连接线TWL'可以是布置在外围区域DPA中并连接到第二像素电路PCa的线。
子连接线TWL'可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等的导电材料,并且可以包括包含上述材料的单层或多层。可以在第二像素电路PCa之间提供多条子连接线TWL'。
根据一些实施例,子连接线TWL'可以包括布置在彼此不同的层中的第一子连接线TWL1'和第二子连接线TWL2'。例如,第一子连接线TWL1'可以与数据线DL布置在同一层中,并且可以与数据线DL包括相同的材料。第二子连接线TWL2'和第一子连接线TWL1'可以在绝缘层位于第二子连接线TWL2'和第一子连接线TWL1'之间的情况下布置。例如,第二子连接线TWL2'与第一有机发光二极管OLED(参见图5)的第一像素电极121(参见图5)布置在同一层中,并且可以与第一像素电极121包括相同的材料。在一些实施例中,第二子连接线TWL2'可以与连接电极CM(参见图5)包括相同的材料,并且可以与连接电极CM布置在同一层中。
第一子连接线TWL1'和第二子连接线TWL2'可以布置在第二像素电路PCa之间,并且可以在平面图中至少部分地弯曲。根据一些实施例,布置在彼此不同的层中的第一子连接线TWL1'和第二子连接线TWL2'可以被提供为多个,并且第一子连接线TWL1'和第二子连接线TWL2'可以交替地布置在多个第二像素电路PCa之间的区域中。
连接线TWL布置在第二显示区域DA2中,并且可以在第二显示区域DA2的边缘处连接到子连接线TWL'。连接线TWL可以包括透明导电材料。
子连接线TWL'可以与连接线TWL布置在同一层中,或者可以与连接线TWL布置在不同的层中。当子连接线TWL'和连接线TWL布置在彼此不同的层中时,子连接线TWL'和连接线TWL可以通过接触孔彼此连接。
子连接线TWL'可以具有比连接线TWL的电导率高的电导率。由于子连接线TWL'布置在外围区域DPA中,所以不需要确保透光率,并且因此,与连接线TWL相比,子连接线TWL'可以包括具有较低的透光率和较高的电导率的材料。因此,可以减小连接线TWL的电阻。
扫描线SL可以包括连接到第一像素电路PCm的主扫描线SLm和连接到第二像素电路PCa的辅助扫描线SLa。主扫描线SLm在x方向上延伸,并且可以连接到布置在同一行中的第一像素电路PCm。主扫描线SLm可以不布置在第二显示区域DA2中。换言之,主扫描线SLm可以在第二显示区域DA2位于其间的情况下断开。在这种情况下,布置在第二显示区域DA2的左侧的主扫描线SLm可以从第一扫描驱动电路SDRV1(参见图3A)接收信号,并且布置在第二显示区域DA2的右侧的主扫描线SLm可以从第二扫描驱动电路SDRV2(参见图3A)接收信号。
辅助扫描线SLa可以连接到布置在同一行中的第二像素电路PCa之中的用于驱动布置在同一行中的第二像素Pa的第二像素电路PCa。
主扫描线SLm和辅助扫描线SLa通过扫描连接线SWL彼此连接,并且因此,可以将相同的信号传输到布置在同一行中的用于驱动第一像素Pm的像素电路和用于驱动第二像素Pa的像素电路。
扫描连接线SWL与主扫描线SLm和辅助扫描线SLa布置在不同的层中,并且扫描连接线SWL可以通过接触孔连接到主扫描线SLm和辅助扫描线SLa中的每一者。扫描连接线SWL可以布置在外围区域DPA中。
数据线DL可以包括连接到第一像素电路PCm的主数据线DLm和连接到第二像素电路PCa的辅助数据线DLa。主数据线DLm在y方向上延伸,并且可以连接到布置在同一列中的第一像素电路PCm。辅助数据线DLa在y方向上延伸,并且可以连接到布置在同一列中的第二像素电路PCa。
主数据线DLm和辅助数据线DLa可以彼此分开,第二显示区域DA2位于主数据线DLm和辅助数据线DLa之间。主数据线DLm和辅助数据线DLa通过数据连接线DWL彼此连接,并且因此,可以将相同的信号传输到布置在同一列中的用于驱动第一像素Pm的像素电路和用于驱动第二像素Pa的像素电路。
数据连接线DWL可以布置为绕过第二显示区域DA2。数据连接线DWL可以布置为与布置在第一显示区域DA1中的第一像素电路PCm重叠。由于数据连接线DWL布置在第一显示区域DA1中,因此不需要确保其中将布置数据连接线DWL的额外空间,并且因此可以减少无用空间(dead space)面积。
数据连接线DWL与主数据线DLm和辅助数据线DLa布置在不同的层中,并且数据连接线DWL可以通过接触孔连接到主数据线DLm和辅助数据线DLa中的每一者。
图5是示意性地示出根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图,并且图5示出了第一显示区域DA1、第二显示区域DA2以及外围区域DPA的一部分(即,像素电路部分PCP)。
参照图5,第一像素Pm布置在第一显示区域DA1中,并且第二像素Pa布置在第二显示区域DA2中。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的第一像素电路PCm和作为连接到第一像素电路PCm的第一显示元件EDm(参见图2)的第一有机发光二极管OLED可以布置在第一显示区域DA1中。作为第二显示元件EDa(参见图2)的第二有机发光二极管OLED'可以布置在第二显示区域DA2中。包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的第二像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。将第二像素电路PCa和第二有机发光二极管OLED'彼此连接的连接线TWL和连接部分TPAD可以布置在第二显示区域DA2中。
根据一些实施例,描述了有机发光二极管被用作显示元件作为示例,但是根据一些实施例,无机发光器件或量子点发光器件可以被用作显示元件。
下面将描述包括在显示面板10中的元件的堆叠结构。在显示面板10中,可以堆叠基底100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL。
基底100可以包括诸如玻璃、石英和聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以包括刚性基底或可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
缓冲层111可以在基底100上,以减少或阻止异物、湿气或环境空气从基底100下方渗透,并且在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料、或者有机或无机化合物,并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。用于阻挡环境空气的渗透的阻挡层还可以被包括在基底100和缓冲层111之间。在一些实施例中,缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
电路层PCL布置在缓冲层111上,并且可以包括第一像素电路PCm和第二像素电路PCa、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、第一有机绝缘层116和第二有机绝缘层117。第一像素电路PCm可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst,并且第二像素电路PCa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以布置在缓冲层111上方。主薄膜晶体管TFT可以包括第一半导体层A1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。主薄膜晶体管TFT可以连接到第一有机发光二极管OLED以驱动第一有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到第二有机发光二极管OLED'以驱动第二有机发光二极管OLED'。辅助薄膜晶体管TFT'具有与主薄膜晶体管TFT类似的配置,并且因此省略对其的重复描述。
第一半导体层A1布置在缓冲层111上,并且可以包括多晶硅。根据一些实施例,第一半导体层A1可以包括非晶硅。根据一些实施例,第一半导体层A1可以包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域,源极区域和和漏极区域被掺杂有杂质。
第一栅极绝缘层112可以覆盖第一半导体层A1。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料,诸如SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx(可以是ZnO或ZnO2)。第一栅极绝缘层112可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅极电极G1布置在第一栅极绝缘层112上方以与第一半导体层A1重叠。第一栅极电极G1包括Mo、Al、Cu和/或Ti等,并且可以包括单层或多层。例如,第一栅极电极G1可以包括单个Mo层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅极电极G1。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料,诸如SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx(可以是ZnO或ZnO2)。第二栅极绝缘层113可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
主存储电容器Cst的上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以布置在第二栅极绝缘层113上方。
在第一显示区域DA1中,主存储电容器Cst的上电极CE2可以与主存储电容器Cst下方的第一栅极电极G1重叠。彼此重叠的第一栅极电极G1和上电极CE2(第二栅极绝缘层113位于第一栅极电极G1和上电极CE2之间)可以构成主存储电容器Cst。第一栅极电极G1可以是主存储电容器Cst的下电极CE1。
在外围区域DPA中,辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以与辅助存储电容器Cst'下方的辅助薄膜晶体管TFT'的栅极电极重叠。辅助薄膜晶体管TFT'的栅极电极可以是辅助存储电容器Cst'的下电极CE1'。
上电极CE2和CE2'可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、Cr、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)和/或Cu,并且可以包括上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以覆盖上电极CE2和CE2'。层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO等。层间绝缘层115可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以布置在层间绝缘层115上。第一源极电极S1和第一漏极电极D1中的每一者可以包括包含Mo、Al、Cu和/或Ti等的导电材料,并且可以具有包括上述材料的多层或单层。例如,第一源极电极S1和第一漏极电极D1中的每一者可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的多层结构。
显示面板10的无机绝缘层IL可以具有与第二显示区域DA2相对应的开口H1。例如,当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115被统称为无机绝缘层IL时,无机绝缘层IL可以具有与第二显示区域DA2相对应的开口H1。开口H1可以暴露缓冲层111或基底100的上表面的一部分。开口H1可以通过使被提供为与第二显示区域DA2相对应的第一栅极绝缘层112的第一开口112a、第二栅极绝缘层113的第二开口113a和层间绝缘层115的第三开口115a重叠来提供开口H1。第一开口112a、第二开口113a和第三开口115a可以通过分开的工艺单独被提供,或者可以通过相同的工艺同时被提供。第一有机绝缘层116可以填充在无机绝缘层IL的开口H1中。
第一有机绝缘层116覆盖第一显示区域DA1中的主薄膜晶体管TFT的第一源极电极S1和第一漏极电极D1以及外围区域DPA中的辅助薄膜晶体管TFT'的源极电极和漏极电极,并且可以在第二显示区域DA2中填充无机绝缘层IL的开口H1。
第一有机绝缘层116可以包括诸如光敏PI、PI、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的任意合适的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯基醇类聚合物。
根据一些实施例,第一有机绝缘层116可以包括硅氧烷类有机材料。硅氧烷类有机材料可以包括任意合适的硅氧烷类有机材料,诸如HMDSO、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和/或聚二甲基硅氧烷。
第一有机绝缘层116的相对于具有大约550nm的波长的光的折射率可以为大约1.4至大约1.6。连接电极CM和诸如数据线DL的各种线可以布置在第一有机绝缘层116上方,并且因此,可以实现相对高的集成度。
连接线TWL可以被提供在第二显示区域DA2和外围区域DPA中的第一有机绝缘层116上方。连接线TWL从外围区域DPA延伸到第二显示区域DA2,并且可以将第二有机发光二极管OLED'和第二像素电路PCa彼此连接。
连接线TWL可以连接到子连接线TWL'。子连接线TWL'布置在外围区域DPA中,并且可以连接到第二像素电路PCa,例如,连接到辅助薄膜晶体管TFT'。连接线TWL可以布置在第二显示区域DA2的透射区域TA(参见图4)中。连接线TWL的一端可以覆盖子连接线TWL'的一端。
子连接线TWL'可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料,并且可以包括包含上述材料的单层或多层。在一些实施例中,子连接线TWL'可以与连接电极CM包括相同的材料并且与连接电极CM在同一层中。在一些实施例中,子连接线TWL'可以与数据线DL包括相同的材料并且与数据线DL在同一层中。然而,本公开不限于此。子连接线TWL'可以布置在各个层中。例如,子连接线TWL'可以与第一像素电极121布置在同一层中。
连接线TWL可以包括透明导电材料。例如,连接线TWL可以包括TCO。连接线TWL可以包括导电氧化物,诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。
子连接线TWL'可以具有比连接线TWL的电导率高的电导率。由于子连接线TWL'布置在外围区域DPA中,所以不需要确保透光率,并且因此,与连接线TWL相比,子连接线TWL'可以包括具有较低的透光率和较高的电导率的材料。
第二有机绝缘层117可以覆盖第一有机绝缘层116上的连接线TWL。第二有机绝缘层117可以具有平坦的上表面,使得布置在所述上表面上的第一像素电极121和第二像素电极121'可以被提供为平坦的。第二有机绝缘层117可以包括具有高透光率和平坦度的硅氧烷类有机材料。硅氧烷类有机材料可以包括HMDSO、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和/或聚二甲基硅氧烷。
第二有机绝缘层117可以包括诸如光敏PI、PI、BCB、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯基醇类聚合物。
第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'可以布置在第二有机绝缘层117上。第一有机发光二极管OLED的第一像素电极121可以通过布置在第一有机绝缘层116上的连接电极CM连接到第一像素电路PCm。第二有机发光二极管OLED'的第二像素电极121'可以通过连接部分TPAD、连接线TWL和子连接线TWL'连接到第二像素电路PCa。
连接部分TPAD与第二像素电极121'布置在同一层中,并且第二像素电极121'的一端可以覆盖连接部分TPAD的一部分并且与连接部分TPAD直接接触。连接部分TPAD可以包括透明导电材料。例如,连接部分TPAD可以包括TCO。连接部分TPAD可以包括导电氧化物,诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。由于连接部分TPAD是透明的,因此可以改善第二显示区域DA2的透光率。连接部分TPAD可以通过限定在第二有机绝缘层117中的接触孔CNT连接到连接线TWL。
第一像素电极121和第二像素电极121'中的每一者可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的导电氧化物。第一像素电极121和第二像素电极121'中的每一者可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物的反射层。例如,第一像素电极121和第二像素电极121'可以各自具有在上述反射层上方/下方提供包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层的结构。在这种情况下,第一像素电极121和第二像素电极121'中的每一者可以具有ITO层、Ag层和另一ITO层的堆叠结构。
像素限定层119覆盖第二有机绝缘层117上的第一像素电极121和第二像素电极121'中的每一者的边缘,并且可以包括分别暴露第一像素电极121的中心部分和第二像素电极121'的中心部分的第一开口OP1和第二开口OP2。第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'(即,第一像素Pm和第二像素Pa)的发射区域的尺寸和形状分别由第一开口OP1和第二开口OP2限定。
像素限定层119可以增加第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘与第一像素电极121和第二像素电极121'上方的相对电极123之间的距离,从而防止或减少在第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘处出现电弧等。像素限定层119可以包括诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和/或酚醛树脂的有机绝缘材料,并且可以通过旋涂等提供。
被提供为分别与第一像素电极121和第二像素电极121'相对应的第一发射层122b和第二发射层122b'可以分别布置在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2中。第一发射层122b和第二发射层122b'可以各自包括聚合物材料或低分子量材料,并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层122e可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上方和/或下方。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'下方。第一功能层122a可以包括有机材料的单层或多层。第一功能层122a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。在一些实施例中,第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可以被一体地提供为单个整体,以与分别包括在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'相对应。
第二功能层122c可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上方。第二功能层122c可以包括有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以被一体地提供为单个整体,以与分别包括在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'相对应。
相对电极123布置在第二功能层122c上方。相对电极123可以包括具有低功函数的导电材料。例如,相对电极123可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、Ca或它们的任意合金的(半)透明层。在一些实施例中,相对电极123还可以包括在包含上述材料的(半)透明层上方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极123可以被一体地提供为单个整体,以与分别包括在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'相对应。
被提供在第一显示区域DA1中的从第一像素电极121到相对电极123的层可以构成第一有机发光二极管OLED。被提供在第二显示区域DA2中的从第二像素电极121'到相对电极123的层可以构成第二有机发光二极管OLED'。
包括有机材料的上层150可以被提供在相对电极123上。上层150可以保护相对电极123并且改善光提取效率。上层150可以包括具有比相对电极123的折射率高的折射率的有机材料。在一些实施例中,上层150可以包括具有不同折射率的层的堆叠。例如,可以通过堆叠高折射率层/低折射率层/高折射率层来提供上层150。所述高折射率层的折射率可以是大约1.7或更高,所述低折射率层的折射率可以是大约1.3或更低。
上层150还可以包括氟化锂(LiF)。在一些实施例中,上层150还可以包括无机绝缘材料,诸如SiO2和/或SiNx
薄膜封装层TFEL布置在上层150上,并且第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'可以被薄膜封装层TFEL密封。薄膜封装层TFEL可以防止或减少外部湿气或异物渗透到第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'中。
薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这点上,图5示出了薄膜封装层TFEL具有第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133的堆叠结构。根据一些实施例,有机封装层的数量、无机封装层的数量以及堆叠顺序可以被改变。
第一无机封装层131和第二无机封装层133中的每一者可以包括一种或多种无机绝缘材料,诸如SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx(可以是ZnO或ZnO2),并且可以通过CVD提供。有机封装层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI和/或聚乙烯。第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以被一体地提供为单个整体以覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
图6是示意性示出根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图,并且图6示出了第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和外围区域DPA的一部分(即,像素电路部分PCP)。在图6中,与图5的附图标记相同的附图标记指代相同的组件,并且省略对其的重复描述。
参照图6,第一像素Pm布置在第一显示区域DA1中,并且第二像素Pa布置在第二显示区域DA中。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的第一像素电路PCm以及连接到第一像素电路PCm的作为第一显示元件EDm(参见图2)的第一有机发光二极管OLED可以布置在第一显示区域DA1中。作为第二显示元件EDa(参见图2)的第二有机发光二极管OLED'可以布置在第二显示区域DA2中。包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的第二像素电路PCa可以布置在外围区域DPA中。将第二像素电路PCa和第二有机发光二极管OLED'彼此连接的连接线TWL和连接部分TPAD可以布置在第二显示区域DA2中。
根据一些实施例,布置在第二显示区域DA2中的像素限定层119'可以与布置在第一显示区域DA1中的像素限定层119分开。像素限定层119和119'中的每一者可以包括光阻挡材料。例如,像素限定层119和119'中的每一者可以包括黑色颜料或包含染料的绝缘材料(例如,有机绝缘材料)。如此,被提供为光阻挡层的像素限定层119和119'可以防止或减少相邻像素之间的颜色混合,并且可以吸收被组件40(参见图2)反射到显示面板10的光以改善可见度。
由于像素限定层119和119'中的每一者包括光阻挡材料,因此布置在第二显示区域DA2中的像素限定层119'可以针对每个第二像素Pa被图案化。像素限定层119'可以暴露连接部分TPAD的至少一部分。由于连接部分TPAD包括透明导电氧化物,因此光可以穿过连接部分TPAD。第二显示区域DA2中的未布置有第二像素电极121'和像素限定层119'的区域可以用作透射区域TA(参见图4)。
图7是示出根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图。例如,图7示出了第二像素电极121'和连接部分TPAD。
根据一些实施例,第二像素电极121'可以具有多层结构。可以通过顺序地堆叠第一层121'a、第二层121'b和第三层121'c来提供第二像素电极121'。
第一层121'a和第三层121'c中的每一者可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的导电氧化物。例如,第一层121'a和第三层121'c中的每一者可以包括ITO。第二层121'b可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的任意化合物的反射层。
第二像素电极121'的厚度t2可以是大约
Figure BDA0003765134390000241
至大约
Figure BDA0003765134390000242
在这种情况下,第一层121'a和第三层121'c中的每一者的厚度可以是大约
Figure BDA0003765134390000243
至大约
Figure BDA0003765134390000244
第二层121'b的厚度可以是大约
Figure BDA0003765134390000245
至大约
Figure BDA0003765134390000246
即,第二层121'b的厚度可以大于第一层121'a和第三层121'c的厚度。
连接部分TPAD可以包括导电氧化物,诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。在一些实施例中,连接部分TPAD可以与第二像素电极121'的第一层121'a包括相同的材料。因此,可以改善连接部分TPAD和第二像素电极121'之间的粘合力。根据一些实施例,连接部分TPAD可以包括ITO。
连接部分TPAD的厚度t1可以是大约
Figure BDA0003765134390000247
至大约
Figure BDA0003765134390000248
连接部分TPAD的厚度t1可以基本上等于第二像素电极121'的厚度t2。在这种情况下,连接部分TPAD的厚度t1可以指从第二有机绝缘层117的上表面到连接部分TPAD的上表面的厚度。
连接部分TPAD可以通过被提供在第二有机绝缘层117中的接触孔CNT连接到连接线TWL。连接线TWL可以与连接部分TPAD包括相同的材料。连接线TWL的厚度可以基本上等于连接部分TPAD的厚度t1。
图8是示出根据一些实施例的显示设备1(参见图1)的辅助子像素的平面布局图。
参照图8,第二像素Pa(参见图4)的第二像素电极121'的至少一部分可以具有倒圆形状。根据一些实施例,如图8中所示,第二像素电极121'可以具有基本上圆形形状。由于第二像素电极121'具有倒圆形状,因此可以在第二显示区域DA2中减少或去除第二像素电极121'外部的有角度的角部,从而防止或减少由于反射光的衍射而导致的显示质量的劣化。
连接部分TPAD可以布置在第二像素电极121'的一侧。连接部分TPAD可以在截面图中布置在第二像素电极121'下方,并且第二像素电极121'的一端可以覆盖连接部分TPAD的至少一部分。连接部分TPAD的至少一部分可以具有倒圆形状。例如,连接部分TPAD可以具有基本上圆形形状。由于连接部分TPAD可以包括透明导电氧化物,因此光可以穿过布置有连接部分TPAD的区域。因此,可以进一步改善第二显示区域DA2的透光率。连接部分TPAD可以通过接触孔CNT连接到布置在另一层中的连接线TWL。
连接部分TPAD和接触孔CNT可以与被限定为发射区域EA的像素限定层119'的第二开口OP2不重叠。这是因为,当连接部分TPAD和接触孔CNT与发射区域EA重叠时,发射区域EA的平坦度可能降低并且因此颜色的观感可能失真。
当不存在连接部分TPAD并且第二像素电极121'连接到连接线TWL时,第二像素电极121'必须延伸到布置有接触孔CNT的区域,并且因此,透射区域TA可能相对减小。另外,当仅第二像素电极121'的一部分延伸到布置有接触孔CNT的区域时,有角度的形状或突出的形状可能被附加到第二像素电极121'。因此,可能发生光反射和衍射。
根据一些实施例,通过引入连接部分TPAD,可以减少第二像素电极121'对外部光的反射或衍射,并且还可以改善第二显示区域DA2的透光率。根据一些实施例,连接部分TPAD的边缘的至少一部分可以具有倒圆形状。例如,连接部分TPAD可以具有圆形形状或椭圆形形状。尽管连接部分TPAD包括透明材料,但是由于连接部分TPAD与布置在连接部分TPAD上方和下方的层在折射率上有所不同,因此可能发生衍射和反射。由于连接部分TPAD具有倒圆形状,因此可以减少光的衍射和反射。
限定发射区域EA的像素限定层119'可以布置在第二像素电极121'上。发射区域EA可以由暴露第二像素电极121'的中心部分的第二开口OP2限定。像素限定层119'的发射区域EA的至少一部分(即,第二开口OP2)可以具有倒圆形状。例如,第二开口OP2可以具有如图8中所示的基本上圆形形状。
像素限定层119'可以针对每个第二像素Pa而被图案化并且可以包括光阻挡材料。像素限定层119'可以具有环形(或圆环)形状。像素限定层119'可以具有像素限定层119'的外部部分的至少一部分被倒圆的形状。像素限定层119'的外部尺寸可以大于第二像素电极121'的尺寸。像素限定层119'可以布置为覆盖第二像素电极121'的边缘。
由于像素限定层119'包括光阻挡材料,因此像素限定层119'可以用作黑矩阵。即,像素限定层119'可以防止或减少穿过第二显示区域DA2的光通过第二像素电极121'的边缘衍射。
图9至图11是示出根据一些实施例的显示设备1(参见图1)的辅助子像素的平面布局图。在图9至图11中,与图8的附图标记相同的附图标记指代相同的构件,并且将省略对其的重复描述。
参照图9,连接部分TPAD可以具有多边形形状而不是圆形形状。例如,连接部分TPAD可以具有矩形形状。连接部分TPAD可以包括透光材料,并且因此,连接部分TPAD对光的衍射和反射可以是微乎其微的。因此,连接部分TPAD可以不具有倒圆形状。
参照图10,发射区域EA的形状可以不同于第二像素电极121'的形状。即,由像素限定层119'的开口OP2限定的发射区域EA可以具有六边形形状或含有更多条边的多边形形状。尽管图10示出了发射区域EA具有八边形形状的示例,但是发射区域EA可以具有诸如六边形和十二边形的各种形状中的一种。此外,不言而喻,发射区域EA可以具有具备倒圆角的多边形形状。
参照图11,第二像素电极121'可以具有具备倒圆角的多边形形状。尽管图11示出了第二像素电极121'具有具备倒圆角的八边形形状的示例,但是第二像素电极121'可以具有诸如倒圆六边形和倒圆十二边形的各种形状中的一种。
如上所述,在根据一些实施例的显示面板和显示设备中,像素电路不布置在布置有组件的区域中,并且因此,可以确保宽的透射区域,从而改善透射率。
另外,在根据实施例的显示面板和显示设备中,连接到显示元件的连接部分被引入到布置有组件的区域中,并且因此,可以确保较宽的透射区域,从而改善透射率。
应理解的是,本文中描述的实施例应当被认为仅是描述性的意义,而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离由所附权利要求及它们的等同物所限定的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上对实施例做出各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板,其中,所述显示面板包括:
基底,包括第一显示区域、第二显示区域和外围区域;
在所述第一显示区域中的第一像素电路和连接到所述第一像素电路的第一显示元件;
第二显示元件,在所述第二显示区域中;
第二像素电路,在所述外围区域中;
连接线,在所述基底和所述第二显示元件之间,并且将所述第二显示元件连接到所述第二像素电路;以及
连接部分,与所述连接线在不同的层中并且连接到所述第二显示元件,
其中,所述第二显示元件包括第二像素电极,其中,所述第二像素电极与所述连接部分在同一层中并且覆盖所述连接部分的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述连接部分包括透明导电氧化物。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二像素电极的边缘的至少一部分具有倒圆形状。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二像素电极具有圆形形状。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:像素限定层,具有暴露所述第二像素电极的中心的开口并且覆盖所述第二像素电极的边缘,
其中,所述像素限定层包括光阻挡材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中,所述像素限定层具有圆环形状。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其中,所述像素限定层的所述开口的至少一部分具有倒圆形状。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二像素电极的厚度和所述连接部分的厚度各自在
Figure FDA0003765134380000021
Figure FDA0003765134380000022
的范围内。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述连接部分在平面图中具有多边形形状。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二显示元件的发射区域的形状与所述第二像素电极的形状不同。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二像素电极具有具备倒圆角的多边形形状。
12.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
显示面板,包括第一显示区域、第二显示区域和外围区域;以及
组件,在所述显示面板下方与所述第二显示区域相对应,其中,所述显示面板包括:
基底;
在所述第一显示区域中的第一像素电路和连接到所述第一像素电路的第一显示元件;
第二显示元件,在所述第二显示区域中;
第二像素电路,在所述外围区域中;
连接线,在所述基底和所述第二显示元件之间,并且将所述第二显示元件连接到所述第二像素电路;以及
连接部分,与所述连接线在不同的层中并且连接到所述第二显示元件,
其中,所述第二显示元件包括第二像素电极,其中,所述第二像素电极与所述连接部分在同一层中,并且覆盖所述连接部分的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述连接部分包括透明导电氧化物。
14.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第二像素电极的边缘的至少一部分具有倒圆形状。
15.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述显示面板还包括:像素限定层,具有暴露所述第二像素电极的中心的开口并且覆盖所述第二像素电极的边缘,
其中,所述像素限定层包括光阻挡材料。
16.根据权利要求15所述的显示设备,其中,所述像素限定层的所述开口的至少一部分具有倒圆形状。
17.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第二显示元件的发射区域的形状与所述第二像素电极的形状不同。
18.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第二像素电极的厚度和所述连接部分的厚度各自在
Figure FDA0003765134380000031
Figure FDA0003765134380000032
的范围内。
19.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第二像素电极具有圆形形状。
20.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述组件包括成像装置。
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