CN1156818A - 薄膜晶体管生物化学传感器 - Google Patents
薄膜晶体管生物化学传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1156818A CN1156818A CN96108769A CN96108769A CN1156818A CN 1156818 A CN1156818 A CN 1156818A CN 96108769 A CN96108769 A CN 96108769A CN 96108769 A CN96108769 A CN 96108769A CN 1156818 A CN1156818 A CN 1156818A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- grid
- separation layer
- deposition
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 abstract 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NCYCYZXNIZJOKI-IOUUIBBYSA-N 11-cis-retinal Chemical compound O=C/C=C(\C)/C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C NCYCYZXNIZJOKI-IOUUIBBYSA-N 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 2
- 102000004330 Rhodopsin Human genes 0.000 description 2
- 108090000820 Rhodopsin Proteins 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 241001074968 Halobacteria Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
- Y10S436/806—Electrical property or magnetic property
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
一种化学传感器，它包含一个薄膜晶体管，该晶体管带有一个位于一侧的栅极。隔离层位于相对侧而指示膜位于隔离层上，通常正对着栅。由生物或化学物质在指示膜中引起的感生电荷改变了晶体管中的沟道电流。然后用栅上的电位来消除得到的沟道电流的改变。用来消除电流改变的这一电位是感生电荷的一种极为灵敏的度量。
Description
本发明涉及传感器，确切涉及生物化学传感器。
当前，对传感器特别是能检测生物和/或化学物质的传感器的需求正与日俱增。目前能执行这类功能的传感器都比较难以制造，因而也比较昂贵。
大多数已知的传感器都采用具有电阻之类的变化特性的材料。传感器则须组合到可利用(读出)这种改变特性的电路中。例如，可将材料薄膜组合到惠斯登电桥式的设备中以读出液态或气态化学物引起的电阻改变。问题是为了使传感器的灵敏度达到实用的范围，一般都要求某种形式的放大。
鉴此，提供一种制造成本较低的极灵敏的传感器是极为有利的。
为此，本发明的一个目的是提供一种新的改进了的生物化学传感器。
本发明的另一目的是提供一种制造成本较低的新的改进了的生物化学传感器。
本发明的又一目的是提供一种极为灵敏的新的改进了的生物化学传感器。
本发明的再一目的是提供一种可靠性业已提高且大大放宽了封装限制的新的改进了的生物化学传感器。
本发明还有一个目的是提供一种可容易地清除被检测的生物或化学物质的新的改进了的生物化学传感器。
本发明再有一个目的是提供一种可容易地适用于检测各种各样生物和化学物质、光或运动的新的改进了的传感器。
本发明又有一个目的是提供一种可容易地组合各种补偿技术以扣除在传感器中发生的自然改变的新的改进了的传感器。
上述的问题和上述的目的可在包含一个其栅极位于一侧而指示膜位于相反侧(通常正对着栅极)的隔离层上的薄膜晶体管的化学传感器中，至少部分地解决了和实现了。在指示膜中由生物或化学物质引起的感生电荷或电荷位移，使晶体管中的沟道电流发生改变。然后用栅极电位使得到的沟道电流变化消除。用来消除电流变化的这个电位是感生电荷的极为灵敏的度量。
在另一实施例中，指示膜是一个光敏薄膜，其中由光来感应或位移电荷。利用对光信号具有微分响应的生物材料细菌视紫红(bac-teriohodopsin)作为指示器膜，提供了一种运动传感器。
图1是根据本发明的一个生物化学传感器实施例的简化剖面图；
图2是根据本发明的另一个生物化学传感器实施例的简化剖面图。
现参照附图。图1是根据本发明的生物化学传感器10的一个实施例的简化剖面图。传感器10包含一个薄膜晶体管15，其一侧上有一个隔离栅16。指示膜17位于晶体管15的相反侧上，通常正对着栅16。在栅16的相对二侧制作源端18和漏端19作为晶体管15的一部分，而其间的半导体层20形成电流沟道25。栅16和指示膜17也位于半导体层20的相对二侧。
在图1所示的实施例中，提供了一个支持衬底26，并在支持衬底26的表面27上将导电材料层图形化以确定栅16。支持衬底26可以是任何一种方便的材料，在本实施例中是一个玻璃板。应该了解，为了现要描述的目的，栅16一般带有外部连接(为方便起见，图1中未示出此外部连接)。此外部连接可在栅16图形化的同时制作，而且通常延伸到支持衬底26的可达区。
在栅16上沉积一个隔离层28，它可以是氮化硅(SiNx)之类的任何一种方便的材料。在隔离层28上二个分隔开的区域32和33中沉积一个导电材料31。分隔开的区域32和33横向分开且位于栅16的相对二侧并确定源端18和漏端19的位置。在区域32和33中的导电材料31上沉积半导体材料35，并在半导体材料35和隔离层28上沉积半导体层20以形成电流沟道25。对导电材料31和半导体材料35要加以选择，以便在各个源端18和漏端19处同半导体层20形成欧姆接触。
通常，薄膜晶体管15可用任何一种熟知的材料体系来制作，诸如氢化非晶硅(a-Si：H)、非晶硅(a-Si)、多晶硅、硒化镉(CdSe)、有机半导体等。在一个具体的例子中，半导体层20由氢化非晶硅制作，而半导体材料35由掺杂的氢化非晶硅制作以提供良好的N+型导电。隔离层28由任何可兼容材料制作，在本具体例子中是氮化硅(SiNx)。导电材料31和栅16可以是任何一种方便的金属或其它方便的导电材料。
半导体层20上确定了一个通常在栅16上方的外表面40。表面40示作半导体层20上表面中的一个稍许凹下区，但应了解，在某些具体实施例中，此上表面也可以是平坦的。通常，本领域技术人员理解，表面40和隔离层28之间的距离选择成使晶体管15能恰当地工作。在半导层20共形沉积的情况下，表面40和隔离层28之间的距离由半导层20的厚度决定，而且上表面通常如图1所示。
在半导层20的上表面上，特别是在表面40上，沉积一个隔离层42。隔离层42可以是一个生长在半导层20表面上的二氧化硅层，也可以由同隔离层28相同的材料或其它任何方便的绝缘材料构成。在本公开中，“沉积“一词假定为包括任何一种熟知的在一层材料上提供另一层材料的方法。然后在隔离层42的表面40上沉积指示膜17。指示膜17可以是例如一种生物化学材料，例如诸如铑基在材料的有机金属络合物或各种对生物物质极为灵敏的抗体。在其它的结构中，指示膜也可以是一个光敏层，包括有机或无机光电二极管材料。而且，采用对光信号具有时间微分响应的嗜盐细菌细菌视紫红(halobacteria bacteriohodopsin)，可以容易地制作运动探测器。
在传感器10的某些应用中，待检测的材料或物质借助于吸收、电吸引、化学键合或其它现象(依赖于薄膜17和所检测的材料)而被附着在指示膜17上，在指示膜17中感生一个电荷或电荷位移。在传感器10用作光电晶体管的情况下，指示膜17对照射于其上的光的出现很灵敏，这就在其中感生电荷。由于指示膜17邻近于沟道25，故其工作相似于晶体管15的栅或控制端。于是，在指示膜17中的感生电荷或电荷位移就引起通过沟道25的电流的改变。然后用栅16上的电位来消除流过沟道25的电流的改变。栅16上的电位可被校准即用作被检测材料或物质的极为灵敏的指示和度量。
除了在测量和指示过程中采用栅17外，栅17还使传感器基线得以稳定。通常，薄膜晶体管对阈值电压漂移(在良好的器件中可达约1-2V)很敏感，使基线产生漂移。传感器10可容易地适用于以几种方式来克服这种基线漂移。例如，可周期性地将指示膜17暴露于“清洁环境”中并调整栅17上的电位以消除任何沟道电流。在另一例子中，提供了一个传感器10的微分对，其一个传感器的指示膜被钝化。因二个传感器10中的基线漂移几乎是相同的，故参考传感器10(钝化指示膜17)的信号可用来补偿其它传感器10中的任何改变。
在某些应用中(通常依赖于被检测的材料和指示膜17)，借助于对栅16加一相当大的电位，可清洗即更新传感器10。此大电位的电荷应用被检测材料上的任一纯电荷相同，而且通常大于此电荷，以便从指示膜17驱除被检测的材料。例如，若正离子被检测，则纯电荷就是各离子上的电荷。由于这种清洗和更新传感器10的新颖方法可就地执行而无需额外人力，故此方法是非常有利的。
现参照图2，图中示出了根据本发明的生物化学传感器10’的简化剖面图。在本实施例中，相似的元件用相似的参考号表示，所有的参考号都加有撇号以表示不同的实施例。传感器10’包含一个薄膜晶体管15’，栅极16’位于其一侧上。隔离的指示膜17’位于晶体管15’的相反侧上，通常正对着栅16’。在栅16’的相反二侧上制作一个源端18’和一个漏端19’作为晶体管15’的一部分，而半导层20’在其间形成一个电流沟道25’。栅16’和指示膜17’也位于半导层20’的相反二侧。
在图2所示的实施例中，提供了一个支持衬底26’，并在支持衬底26’的表面27’上对导电材料层进行图形化以确定栅16’。支持衬底26’可以是任何一种方便的材料，在本实施例中是一个玻璃板。如前面所解释的，栅16’上通常具有外部连接，为方便起见，此外部连接在图2中未示出。此外部连接可在栅16’图形化时同时制作，而且通常延伸到支持衬底26’可达的区域。
在支持衬底26’上和栅16’上沉积一个隔离层28’，它可以是氮化硅(SiNx)之类的任何一种方便的材料。在隔离层28’上沉积半导层20’，并在半导层20’上分隔开的区域32’和33’中沉积半导体材料35’。分隔开的区域32’和33’横向分布在栅16’的相对二侧，且确定源端18’和漏端19’的位置。在此实施例中，也在位于通常正对着栅16’的区域中用化学腐蚀或本领域熟知的其它方法来清除半导体材料35’(而且在某些应用中还清除部分半导层20’)。在图2的实施例中，用腐蚀的方法在半导体层20’中确定出一个外表面40’。
在区域32’和33’的半导体材料35’的表面上沉积金属或其它导电良好的材料31’，以分别形成源端18’和漏端19’的电接触。在半导层20’的表面40’上和半导体材料35’上沉积隔离层42’，以便将指示层17’同源端18’和漏端19’隔离开来。然后在同表面40’相重叠的隔离层42’上沉积指示膜17’，致使通常正对着栅端16’。
如上文所述，指示膜17’被引入被检测的材料、物质或情况，这种材料、物质或情况就在指示膜17’中感生电荷或电荷位移。由于指示膜17’位于沟道25’的附近，其工作就相似于晶体管15’的栅即控制端。指示膜17’中的感生电荷或电荷位移于是引起流过沟道25’的电流的改变。然后用栅16’上的电位来消除流过沟道25’的电流的改变。栅16’上的这一电位被校正或用作被检测材料、物质或情况的一种极为灵敏的指示或度量。
这样就公开了生物化学传感器，其制造成本较低，可扩大为大的传感器阵列，而且极为灵敏。而且，这种新的改进了的生物化学传感器可以容易地清除被检测的生物或化学物质，而且可容易地适用于检测各种各样的生物和化学物质、光或运动(情况)。在新的改进了的传感器中还可容易地组合各种补偿技术以便扣除传感器中发生的自然改变。这种新的改进了的生物化学传感器提供了更高的可靠性和具有更宽松得多的封装限制的制造性能。当所有电接触置于半导层(例如层20)下方时，就出现获得封装改善的例子。这些接触则可经由支撑衬底中的通道而被寻址。在这一结构中，唯一暴露于大气(敌方)的表面是指示膜，这就导致可靠性提高并显著地放宽了封装限制。
虽然现已描述了本发明的具体实施例，但对本领域的技术人员来说仍有进一步修改和改进的可能。因此，我们希望人们能理解，本发明不局限于所示的特定形式，而是在所附权利要求书中覆盖所有不超越本发明精神与范围的修改。
Claims (10)
1.一种化学传感器，其特征是：
一个带有第一和第二相对二侧面和位于第一侧面上的栅的薄膜晶体管；
一个位于第二侧面上的隔离层；以及
一个位于隔离层上通常正对着栅的指示膜。
2.一种化学传感器，其特征是：
一个薄膜晶体管，它包含一个半导层和与此半导层啮合的源和漏端(源和漏端分隔开来以便在半导层中确定一个电流沟道)以及一个在电流沟道附近与半导层第一侧面啮合的栅端以便在源、漏和栅端被激活时控制源漏间通过电流层的电流；以及
一个位于电流沟道附近邻接于半导层第二侧面的指示膜，以便当源和漏端被激活时控制源漏间通过电流层的电流。
3.权利要求2所述的化学传感器，其特征是，每个源和漏端包含一个位于半导层表面上的掺杂半导材料层和一个位于掺杂半导材料层上的电接触。
4.权利要求2所述的化学传感器，其特征是，栅端包含一个位于半导层表面上的材料隔离层和一个位于材料隔离层上的电接触。
5.权利要求2所述的化学传感器，其特征是，半导层包含非晶硅、氢化非晶硅、多晶硅、硒化镉或有机半导体中的一个。
6.一种化学传感器，其特征是：
一个带有第一和第二表面的半导层；
一个包含位于半导材料层上的电接触的源端以及一个包含位于半导材料层上的电接触的漏端，源端的半导材料层同半导层的第一或第二表面啮合，而漏端的半导材料层同与源端半导材料层分隔开的半导层的第一或第二表面相啮合，以便在半导层中确定一个电流沟道；
一个包含位于隔离层上的电接触的栅端，此栅端隔离层位于电流沟道附近的半导层的第一表面上以确定薄膜晶体管并在源漏和栅端被激活时控制源漏间通过电流层的电流；
一个位于半导层第二表面上的隔离膜；以及
一个位于电流沟道附近隔离膜上的指示膜以便当源和漏端被激活时控制源漏间通过电流层的电流。
7.一种制造化学传感器的方法，其特征是，包括以下步骤：
制作一个带有第一和第二相对二侧面和一个位于第一侧面上的栅的薄膜晶体管；
在第二侧面上沉积一个隔离层；以及
在一般正对着栅的隔离层上沉积一个指示膜。
8.一种制造化学传感器的方法，其特征是，包括以下步骤：
提供一个带有平坦表面的支持衬底；
在支持衬底的表面上沉积一个导电材料层以确定晶体管栅；
在导电层上沉积一个材料隔离层；
在隔离层上二个分隔开的区域中沉积导电材料，分隔开的区域横向位于导电层的相对二侧；
在二个分隔开的区域的每一个中的导电材料上沉积半导体材料；
在二个分隔开的区域的每一个中的半导体材料上和在其间的隔离层上沉积一个半导材料层，以便确定一个表面和同导电层重叠的二个分隔开区域之间的薄膜晶体管电流沟道；
在半导材料层的外表面上沉积一个材料隔离层；以及
在隔离层上沉积一个指示膜。
9.一种制造化学传感器的方法，其特征是，包括以下步骤：
提供一个带有平坦表面的支持衬底；
在支持衬底的表面上沉积一个导电材料层以确定晶体管栅；
在导电层上沉积一个材料隔离层；
在隔离层上沉积一个半导材料层以确定外表面和电流沟道；
在二个分隔开的区域的每一个中的半导材料层上沉积掺杂的半导体材料，此二个分隔开的区域位于晶体管栅的相对二侧；
在二个分隔开的区域中的掺杂半导体材料上沉积导电材料；
在二个分隔开的区域之间的半导材料层的外表面上沉积一个材料隔离层；以及
在隔离层上沉积一个指示膜。
10.一种检测材料、物质或情况存在的方法，其特征是，包括以下步骤：
提供一个材料、物质或情况传感器，此传感器包含一个带有第一和第二相对二侧面以及一个位于第一侧面上的栅的薄膜晶体管、一个位于第二侧面上的隔离层以及一个位于隔离层上通常正对着栅的指示膜；
激活薄膜晶体管并将传感器的指示膜引入待检测的材料、物质或情况；将置零电位加于栅以消除流经薄膜晶体管的电流的改变；以及从置零电位确定被检测材料、物质和出现率的数量。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US496269 | 1995-06-28 | ||
| US08/496,269 US5719033A (en) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | Thin film transistor bio/chemical sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1156818A true CN1156818A (zh) | 1997-08-13 |
| CN1119652C CN1119652C (zh) | 2003-08-27 |
Family
ID=23971935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN96108769A Expired - Fee Related CN1119652C (zh) | 1995-06-28 | 1996-06-25 | 薄膜晶体管生物/化学传感器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5719033A (zh) |
| EP (1) | EP0751392A3 (zh) |
| JP (1) | JPH0915198A (zh) |
| KR (1) | KR970003739A (zh) |
| CN (1) | CN1119652C (zh) |
| TW (1) | TW297952B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109449171A (zh) * | 2010-06-30 | 2019-03-08 | 生命科技公司 | 用于检测和测量化学反应和化合物的晶体管电路 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU711564B2 (en) * | 1996-04-17 | 1999-10-14 | Motorola, Inc. | Transistor-based molecular detection apparatus and method |
| JP2000033712A (ja) * | 1997-09-30 | 2000-02-02 | Seiko Epson Corp | マイクロセンサーデバイス作成方法及びそれを用いた液体機能評価方法 |
| US20030180441A1 (en) * | 1997-09-30 | 2003-09-25 | Hitoshi Fukushima | Manufacture of a microsensor device and a method for evaluating the function of a liquid by the use thereof |
| US6030827A (en) * | 1998-01-23 | 2000-02-29 | I-Stat Corporation | Microfabricated aperture-based sensor |
| US6322963B1 (en) | 1998-06-15 | 2001-11-27 | Biosensor Systems Design., Inc. | Sensor for analyte detection |
| DE19857953C2 (de) * | 1998-12-16 | 2001-02-15 | Conducta Endress & Hauser | Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit |
| US6342347B1 (en) | 1999-10-22 | 2002-01-29 | Biosensor Systems Design., Inc. | Electromagnetic sensor |
| US6503701B1 (en) | 1999-06-15 | 2003-01-07 | Biosensor Systems Design, Inc. | Analytic sensor apparatus and method |
| GB2370410A (en) * | 2000-12-22 | 2002-06-26 | Seiko Epson Corp | Thin film transistor sensor |
| US20020086430A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-04 | Hopmeier Michael J. | Detection technology in agriculture operations |
| US6887667B2 (en) * | 2000-12-28 | 2005-05-03 | Alfred E. Mann Institute For Biomedical Engineering At The University Of Southern California | Method and apparatus to identify small variations of biomolecules |
| US20080258179A1 (en) * | 2004-06-21 | 2008-10-23 | William Marsh Rice University | Hybrid molecular electronic device for switching, memory, and sensor applications, and method of fabricating same |
| US8362559B2 (en) * | 2002-02-01 | 2013-01-29 | William Marsh Rice University | Hybrid molecular electronic devices containing molecule-functionalized surfaces for switching, memory, and sensor applications and methods for fabricating same |
| EP1348951A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-01 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Molecularly controlled dual gated field effect transistor for sensing applications |
| EP1353170A3 (en) * | 2002-03-28 | 2004-02-04 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (IMEC) | Field effect transistor for sensing applications |
| DE10221799A1 (de) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Fujitsu Ltd | Silicon-on-Insulator-Biosensor |
| DE10226945A1 (de) * | 2002-06-17 | 2004-01-08 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor auf Basis eines organischen Halbleitermaterials |
| US20050093425A1 (en) * | 2002-08-01 | 2005-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd | Optical sensor, method of manufacturing and driving an optical sensor, method of detecting light intensity |
| US6852996B2 (en) * | 2002-09-25 | 2005-02-08 | Stmicroelectronics, Inc. | Organic semiconductor sensor device |
| US20040197821A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Bauer Alan Joseph | Rapid-detection biosensor |
| JP4669213B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-04-13 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ |
| US7361946B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-04-22 | Nitronex Corporation | Semiconductor device-based sensors |
| US7470544B2 (en) * | 2005-05-26 | 2008-12-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sensor array using sail |
| KR100659112B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 |
| WO2008147497A2 (en) * | 2007-05-03 | 2008-12-04 | The Regents Of The University Of California | Ultra-thin organic tft chemical sensor, making thereof, and sensing method |
| WO2009017631A2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-05 | The Regents Of The University Of California | Peroxide chemical sensor and sensing method |
| KR100903526B1 (ko) * | 2007-10-19 | 2009-06-19 | 재단법인대구경북과학기술원 | 전계효과트랜지스터를 이용한 바이오센서 |
| US8551407B2 (en) * | 2007-11-29 | 2013-10-08 | Michigan Technological University | Bacteriorhodopsin-based sensors |
| US9023607B2 (en) * | 2010-04-26 | 2015-05-05 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Method for early diagnosis of alzheimer'S disease using phototransistor |
| US8373206B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-02-12 | Nth Tech Corporation | Biosensor apparatuses and methods thereof |
| TW201237411A (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-16 | Univ Nat Chiao Tung | Biochemical matter sensor and manufacturing method thereof |
| GB2489504A (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-03 | Sapient Sensors | A device for identifying the presence of a specific target molecule or biomarker by sensing an electrical property |
| GB2523173A (en) | 2014-02-17 | 2015-08-19 | Nokia Technologies Oy | An apparatus and associated methods |
| WO2016073977A1 (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Proteosense | Devices, systems, and methods for the detection of analytes |
| EP3070464A1 (en) * | 2015-03-18 | 2016-09-21 | Nokia Technologies OY | An apparatus and associated methods |
| EP3657165A1 (en) * | 2018-11-23 | 2020-05-27 | Infineon Technologies AG | Method for providing calibration data for a gas sensor device, method of calibrating a gas sensor device, and processing device for a gas sensor device |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4020830A (en) * | 1975-03-12 | 1977-05-03 | The University Of Utah | Selective chemical sensitive FET transducers |
| US4238757A (en) * | 1976-03-19 | 1980-12-09 | General Electric Company | Field effect transistor for detection of biological reactions |
| US4180771A (en) * | 1977-12-02 | 1979-12-25 | Airco, Inc. | Chemical-sensitive field-effect transistor |
| GB2096824A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-20 | Sibbald Alastair | Chemically sensitive field effect transistor |
| GB2096825A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-20 | Sibbald Alastair | Chemical sensitive semiconductor field effect transducer |
| US4411741A (en) * | 1982-01-12 | 1983-10-25 | University Of Utah | Apparatus and method for measuring the concentration of components in fluids |
| US5500188A (en) * | 1984-03-01 | 1996-03-19 | Molecular Devices Corporation | Device for photoresponsive detection and discrimination |
| JPS60242354A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Sharp Corp | Ｆｅｔ型センサ |
| DE3682047D1 (de) * | 1985-07-09 | 1991-11-21 | Quadrant Bioresources Ltd | Beschuetzung von proteinen und aehnlichem. |
| US4709987A (en) * | 1985-12-10 | 1987-12-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Pressure and temperature insensitive glass and optical coatings and fibers therefrom |
| US4728591A (en) * | 1986-03-07 | 1988-03-01 | Trustees Of Boston University | Self-assembled nanometer lithographic masks and templates and method for parallel fabrication of nanometer scale multi-device structures |
| JPS6350745A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 化学センサ− |
| WO1988008972A1 (en) * | 1987-05-05 | 1988-11-17 | The Washington Technology Center | A system employing a biosensor to monitor a characteristic of a select component in a medium |
| US4994560A (en) * | 1987-06-24 | 1991-02-19 | The Dow Chemical Company | Functionalized polyamine chelants and radioactive rhodium complexes thereof for conjugation to antibodies |
| US5165005A (en) * | 1988-01-29 | 1992-11-17 | Fiberchem Inc. | Planar and other waveguide refractive index sensors using metal cladding |
| JP2825206B2 (ja) * | 1988-02-08 | 1998-11-18 | アイースタット コーポレーション | 金属酸化物電極 |
| EP0332935A1 (de) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensomaterial zur Messung des Partialdruckes von Gasen oder Dämpfen und Gassensor |
| FR2631449B1 (fr) * | 1988-05-13 | 1993-08-06 | Eg & G Inc | Biodetecteur a membrane |
| ATE136119T1 (de) * | 1988-08-18 | 1996-04-15 | Au Membrane & Biotech Res Inst | Verbesserungen an der empfindlichkeit und der selektivität von ionenkanalmembranbiosensoren |
| US5380490A (en) * | 1991-01-18 | 1995-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for measuring a test specimen |
| FR2672158B1 (fr) * | 1991-01-24 | 1993-04-09 | Commissariat Energie Atomique | Capteur pour la detection d'especes chimiques ou de photons utilisant un transistor a effet de champ. |
| JPH05282717A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Canon Inc | 記録媒体の製造方法、及び記録媒体、及び情報処理装置 |
| US5331658A (en) * | 1992-08-26 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser and sensor |
| TW226478B (en) * | 1992-12-04 | 1994-07-11 | Semiconductor Energy Res Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US5563900A (en) * | 1994-08-09 | 1996-10-08 | Motorola | Broad spectrum surface-emitting led |
| US5489988A (en) * | 1995-01-03 | 1996-02-06 | Motorola | Environmental sensor and method therefor |
| US5567301A (en) * | 1995-03-01 | 1996-10-22 | Illinois Institute Of Technology | Antibody covalently bound film immunobiosensor |
-
1995
- 1995-06-28 US US08/496,269 patent/US5719033A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-18 TW TW085104638A patent/TW297952B/zh active
- 1996-06-19 KR KR1019960022197A patent/KR970003739A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-06-20 EP EP96109961A patent/EP0751392A3/en not_active Withdrawn
- 1996-06-25 CN CN96108769A patent/CN1119652C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-26 JP JP8184231A patent/JPH0915198A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109449171A (zh) * | 2010-06-30 | 2019-03-08 | 生命科技公司 | 用于检测和测量化学反应和化合物的晶体管电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1119652C (zh) | 2003-08-27 |
| US5719033A (en) | 1998-02-17 |
| JPH0915198A (ja) | 1997-01-17 |
| EP0751392A3 (en) | 1997-11-19 |
| KR970003739A (ko) | 1997-01-28 |
| TW297952B (zh) | 1997-02-11 |
| EP0751392A2 (en) | 1997-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1119652C (zh) | 薄膜晶体管生物/化学传感器 | |
| US5500188A (en) | Device for photoresponsive detection and discrimination | |
| US4878015A (en) | Sensors for selectively determining liquid-phase or gas-phase components using a heteropolysiloxane sensitive layer | |
| US5466348A (en) | Methods and devices for enhanced biochemical sensing | |
| US5164319A (en) | Multiple chemically modulated capacitance determination | |
| US4636827A (en) | Semiconductor device responsive to ions | |
| EP0953152B1 (en) | Gas-sensing semiconductor devices | |
| CA1301250C (en) | Photoresponsive detection and discrimination | |
| CN103842817A (zh) | 具有改进的灵敏度和特异性的鳍型fet生物传感器 | |
| CA2572485A1 (fr) | Sensor for detecting and/or measuring concentration of electric charges contained in an atmosphere, corresponding uses and method for making same | |
| US5130773A (en) | Semiconductor device with photosensitivity | |
| CA2456765A1 (en) | Nucleic acid field effect transistor | |
| CA2131936A1 (en) | Material for establishing solid state contact for ion selective electrodes | |
| US4512870A (en) | Chemically sensitive element | |
| EP3217167B1 (en) | Humidity sensors with transistor structures and piezoelectric layer | |
| GB2136130A (en) | Chemical Assay Systems | |
| WO2012138054A9 (ko) | 습도 센서, 습도 센싱 방법 및 이를 위한 트랜지스터 | |
| EP0168200B1 (en) | Gas sensor | |
| US20020157950A1 (en) | Sensor for measuring a gas concentration or ion concentration | |
| WO2021221425A1 (ko) | 전극 구조물 및 이를 포함하는 ph 센서 | |
| US10937881B2 (en) | Gas sensor and method for making same | |
| Adami et al. | Possible developments of a potentiometric biosensor | |
| JP2546340B2 (ja) | 感湿素子およびその動作回路 | |
| JPH05188036A (ja) | 容量性測定化学センサ装置 | |
| CN1228627C (zh) | 全塑型光寻址生化传感器芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |