CN115674004A - 晶圆清洗及研磨方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶圆清洗及研磨方法，所述晶圆清洗方法包括：提供待清洗晶圆，所述待清洗晶圆包括自所述待清洗晶圆的中心至边缘依次向外辐射的中心区域、边缘区域及晶边区域；对所述待清洗晶圆进行预清洗，包括：提供研磨头，将所述研磨头置于所述晶边区域，并控制所述研磨头使用研磨液对所述晶边区域进行研磨；将所述研磨头置于所述边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫。在进行主要CMP制程之前，对提供的待清洗晶圆进行预清洗处理，以去除晶圆晶边杂质颗粒，且不损伤晶圆上有效芯片，降低晶圆缺陷来源，提高晶圆良率，相较于光刻技术去除晶边杂质颗粒的方法，预清洗处理工艺简单，成本低，极大缩短DRAM生产周期。

Description

晶圆清洗及研磨方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆清洗及研磨方法。

背景技术

随着半导体存储技术的快速发展，市场对半导体存储产品的存储能力提出了更高的要求。对于动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)来说，在现行半导体工艺流程中，去除晶边杂质颗粒通常利用光刻技术，使用溶剂对晶边范围进行溶解清洗。但在主要化学机械研磨(Chemical-Mechanical Polishing，CMP)制程与光刻制程之间还会有数道薄膜制程(Thin Film，TF)及扩散制程(Diffusion，DIFF)，同样容易在晶边产生杂质，晶边杂质在后续CMP研磨过程中形成晶圆划伤缺陷。

发明内容

基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种晶圆清洗研磨方法，在进行主要CMP工艺之前，对晶边杂质进行预清洗处理，去除晶圆晶边杂质颗粒，减小晶圆缺陷，提高晶圆良率。

为解决上述技术问题，本申请的第一方面提出一种晶圆清洗方法，包括：

提供待清洗晶圆，所述待清洗晶圆包括自所述待清洗晶圆的中心至边缘依次向外辐射的中心区域、边缘区域及晶边区域；

对所述待清洗晶圆进行预清洗，包括：

提供研磨头，将所述研磨头置于所述晶边区域，并控制所述研磨头使用研磨液对所述晶边区域进行研磨；

将所述研磨头置于所述边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫。

在其中一个实施例中，所述晶边区域至所述待清洗晶圆的中心的距离大于或等于140mm；所述边缘区域至所述待清洗晶圆的中心的距离大于等于30mm且小于等于140mm。

在其中一个实施例中，所述研磨头于第一压力下使用研磨液对所述晶边区域进行研磨；所述研磨头于第二压力下使用清洗液对所述边缘区域进行清扫；其中，所述第二压力小于所述第一压力。

在其中一个实施例中，所述第一压力的范围为9磅-12磅，所述第二压力的范围为3磅-6磅。

在其中一个实施例中，所述清洗液包括去离子水或清洗剂。

在其中一个实施例中，所述清洗剂包括：碱性清洗剂、中性清洗剂及酸性清洗剂。

在其中一个实施例中，所述控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫包括：

控制所述研磨头于摆动状况下使用所述清洗液对所述边缘区域进行清扫。

在其中一个实施例中，所述研磨头于所述边缘区域的外边缘与所述边缘区域的内边缘之间往返摆动。

在其中一个实施例中，所述将所述研磨头置于所述边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫之后还包括：

重复上述对所述待清洗晶圆进行预清洗的步骤至少一次。

在其中一个实施例中，所述对所述待清洗晶圆进行预清洗之后还包括：

对预清洗后的所述待清洗晶圆进行清洗。

在其中一个实施例中，使用去离子水对预清洗后的所述待清洗晶圆进行清洗。

在其中一个实施例中，所述对所述待清洗晶圆进行预清洗之前还包括：将所述待清洗晶圆置于研磨盘上，所述研磨盘转动以带动所述待清洗晶圆相对所述研磨头旋转；所述待清洗晶圆旋转的过程中所述研磨头对所述待清洗晶圆进行预清洗。

在其中一个实施例中，所述研磨头对所述待清洗晶圆进行预清洗的过程中旋转，且所述研磨头的旋转方向与所述待清洗晶圆的旋转方向相反。

本申请的第二方面提出一种晶圆研磨方法，包括：

采用如上述的晶圆清洗方法对所述待清洗晶圆进行清洗；

控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨。

在其中一个实施例中，控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨包括：

将清洗后的所述晶圆置于研磨盘上，所述研磨盘转动以带动清洗后的所述晶圆相对所述研磨头旋转；

控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨。

在其中一个实施例中，所述研磨头对清洗后的所述晶圆进行研磨的过程中旋转，且所述研磨头的旋转方向与清洗后的所述晶圆的旋转方向相反。

于上述实施例提供的晶圆清洗及研磨方法中，在进行主要CMP制程之前，对提供的待清洗晶圆进行预清洗处理；具体如下：提供研磨头，将研磨头置于晶边区域，并控制研磨头使用研磨液对晶边区域进行研磨；将研磨头置于边缘区域，并控制研磨头使用清洗液对边缘区域进行清扫，以去除晶圆晶边杂质颗粒，且不损伤晶圆上有效芯片，降低晶圆缺陷来源，提高晶圆良率，相较于光刻技术去除晶边杂质颗粒的方法，预清洗处理工艺简单，成本低，极大缩短DRAM生产周期。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。

图1为本申请一实施例中提供的晶圆清洗方法的流程示意图；

图2为本申请一实施例中提供的晶圆清洗方法中提供待清洗晶圆的俯视结构示意图；

图3为本申请一实施例中提供的晶圆清洗方法中将提供的研磨头置于晶边区域后所得结构的俯视结构示意图；

图4为本申请一实施例中提供的晶圆清洗方法中将提供的研磨头置于边缘区域后所得结构的俯视结构示意图；

图5-6为本申请一实施例中提供的晶圆清洗方法中将待清洗晶圆置于研磨盘的结构示意图，其中，图5为将待清洗晶圆置于研磨盘的俯视结构示意图，图6为将待清洗晶圆置于研磨盘的侧面结构示意图；

图7为本申请一实施例中提供的晶圆研磨方法的流程示意图；

图8为本申请另一实施例中提供的晶圆研磨方法的流程示意图。

附图标记说明：10-晶圆，20-研磨头，30-研磨盘。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本申请的范围。

TF及DIFF制程结束后遗留在晶边的杂质颗粒，一方面，在后续flow的主要CMP制程中容易造成晶圆划伤；另一方面，剥落下来的片状物残留在晶圆中央区域，造成光刻工艺成像不全，刻蚀图案无法满足预设目标，也进一步导致TF镀膜不平整或沟槽无法填充等缺陷问题。现如今利用光刻技术去除晶边杂质颗粒，在主要CMP制程前添加一步光刻制程处理晶边，但由于光罩成本高、工艺复杂及延长生产周期的因素，而不被广泛采用。因此，本申请提出一种晶圆清洗及研磨方法，在进行主要CMP工艺之前，对晶边杂质进行预清洗处理，去除晶圆晶边杂质颗粒的同时不损伤晶圆上多个有效芯片，减小晶圆缺陷，该方法工艺简单，成本低，缩短整条flow生产周期，且适用于无图案制程前的预处理。

在本申请的一个实施例中，如图1所示，提供了一种晶圆清洗方法，包括如下步骤：

步骤S10：提供待清洗晶圆，待清洗晶圆包括自待清洗晶圆的中心至边缘依次向外辐射的中心区域、边缘区域及晶边区域；

步骤S20：对待清洗晶圆进行预清洗。

具体地，步骤S20：对待清洗晶圆进行预清洗，包括如下步骤：

步骤S21：提供研磨头，将研磨头置于晶边区域，并控制研磨头使用研磨液对晶边区域进行研磨；

步骤S22：将研磨头置于边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫。

于上述实施例提供的晶圆清洗方法中，在进行主要CMP制程之前，对提供的待清洗晶圆进行预清洗处理；具体如下：提供研磨头，将研磨头置于晶边区域，并控制研磨头使用研磨液对晶边区域进行研磨；将研磨头置于边缘区域，并控制研磨头使用清洗液对边缘区域进行清扫，以去除晶圆晶边杂质颗粒，且不损伤晶圆上有效芯片，降低晶圆缺陷来源，提高晶圆良率，相较于光刻技术去除晶边杂质颗粒的方法，预清洗处理工艺简单，成本低，极大缩短DRAM生产周期。

在一个实施例中，如图2所示，步骤S10中提供的待清洗晶圆10包括自待清洗晶圆10圆心至晶圆边缘依次向外辐射的中心区域A、边缘区域B及晶边区域C。其中，晶边区域C至待清洗晶圆10的中心的距离L1大于或等于140mm，譬如，距离L1为140mm、150mm、160mm、170mm或180mm等等。边缘区域B至待清洗晶圆10的中心的距离L2大于等于30mm且小于等于140mm，譬如，距离L2为30mm、40mm、60mm、100mm、120mm或140mm等等。待清洗晶圆10的尺寸不固定，晶边区域C至待清洗晶圆10的中心的距离L1的大小及边缘区域B至待清洗晶圆10的中心的距离L2的大小均不固定。本申请对于上述中心区域A、边缘区域B及晶边区域C的划分以图2为例，仅作示意理解，并不作限定。作为示例，可使用AMAT机台内预清洗模块，调整预清洗模块中程序，执行步骤S20，完成对待清洗晶圆10预清洗过程。需要说明的是，对待清洗晶圆10进行预清洗步骤，不仅适用于主要CMP之前的预处理，也可适用于其他无图案化工艺前的预处理，以减少晶圆缺陷，对于整个flow制程时间的缩短起到关键性意义。

在一个实施例中，如图3所示，步骤S21中提供的研磨头20的材质可以包括但不仅限于聚酯纤维、金属、钻石或陶瓷等。可固定待清洗晶圆10，控制研磨头20旋转研磨晶边区域C；或固定研磨头20，控制待清洗晶圆10逆时针或顺时针旋转。使用的研磨液可以包括但不仅限于纯水与二氧化硅的混合溶液。研磨头20的研磨速率与研磨头20的旋转速度可根据实际情况实时调节。研磨液由研磨液供给装置(图中未示出)提供，研磨液供给装置与研磨头20相连接，研磨液流经研磨头20内部孔隙，最后研磨头20顶部喷射研磨液；还可由研磨液供给装置直接将研磨液喷射至待清洗晶圆10上，同样可以实现对晶边区域C研磨。

在一个实施例中，如图4所示，将研磨头20置于边缘区域B内，控制研磨头20使用清洗液清扫边缘区域B。需要说明的是，用于清扫边缘区域B的研磨头20的材质不同于研磨晶圆区域C的研磨头20的材质，在清扫待清洗晶圆10时，可采用聚酯纤维等柔韧性较好的材质。清洗液由清洗液供给装置(图中未示出)提供，清洗液供给装置与研磨头20可以相互连接，也可以不连接。如上，清洗液供给装置与研磨头20相连接，清洗液可流经研磨头20内部孔隙，由研磨头20顶部出射清洗液；或由清洗液供给装置直接出射清洗液至待清洗晶圆10上。

作为示例，清洗液包括去离子水(Deionized Water，DIW)或清洗剂，清洗剂包括碱性清洗剂、中性清洗剂及酸性清洗剂。对于易清洗的薄膜制程留下的杂质颗粒，杂质颗粒的粘附力较弱，可以控制研磨头20并使用去离子水清扫边缘区域B；对于不易清洗的薄膜制程留下的杂质颗粒，杂质颗粒的粘附力较弱，根据薄膜属性，选择对应的清洗剂，控制研磨头20并使用清洗剂清扫边缘区域B。

在一个实施例中，研磨头20于第一压力下使用研磨液对晶边区域C进行研磨；研磨头20于第二压力下使用清洗液对边缘区域B进行清扫。使用研磨液和清洗液，同时对研磨头20施加压力，以提高晶边区域C上杂质颗粒的清洗效果；其中，第二压力小于第一压力。具体地，第一压力的范围为9磅-12磅，第二压力的范围为3磅-6磅；譬如，第一压力为9磅、10磅、10.5磅、11磅或12磅等等；第二压力为3磅、4磅、5磅、5.6磅或6磅等等。

在一个实施例中，步骤S21：控制研磨头20并使用清洗液对边缘区域B进行清扫，包括如下步骤：

步骤S211：控制研磨头20于摆动状况下使用清洗液对边缘区域B进行清扫。

作为示例，在研磨晶边区域C后，不可避免地会有部分残留杂质颗粒进入边缘区域B，控制研磨头20于边缘区域B的外边缘与边缘区域B的内边缘之间往返摆动。研磨头20在边缘区域B的外边缘与边缘区域B的内边缘之间往返摆动的同时，研磨头20自身也可逆时针或顺时针旋转，提高对边缘区域B的清扫效果。

作为示例，步骤S22：将研磨头20置于边缘区域B，并控制研磨头20使用清洗液对边缘区域B进行清扫之后还包括：

步骤S221：将研磨头20置于中心区域A，并控制研磨头20使用清洗液对中心区域A进行清洗，从而实现对整片晶圆完整清洗，去除干净晶圆表面杂质颗粒。

在一个实施例中，步骤S22：将研磨头20置于边缘区域B，并控制研磨头20使用清洗液对边缘区域B进行清扫之后还包括：

步骤S23：重复上述对待清洗晶圆10进行预清洗的步骤至少一次。

作为示例，第一次预清洗后，使用检测机台观察待清洗晶圆10的边缘区域B及晶边区域C是否存在杂质颗粒；若依然存在杂质颗粒，则重复上述预清洗步骤多次，直至将待清洗晶圆10完全清洗干净。

在一个实施例中，步骤S20：对待清洗晶圆10进行预清洗之后还包括：

步骤S30：对预清洗后的待清洗晶圆10进行清洗。

具体地，使用去离子水对预清洗后的待清洗晶圆10上三个区域均进行常规清洗。同样，可控制研磨头20于摆动状况下使用去离子水对预清洗后的待清洗晶圆10的中心区域A、边缘区域B及晶边区域C进行清洗；也可控制CMP机台内清洗模块对预清洗后的待清洗晶圆10进行清洗。当然，步骤S30同样适用于其他无图案工艺前的常规清洗，本申请不作限定。

在一个实施例中，步骤S20：对待清洗晶圆10进行预清洗之前还包括如下步骤：

步骤S11：将待清洗晶圆10置于研磨盘30上，研磨盘30转动以带动待清洗晶圆10相对研磨头20旋转；待清洗晶圆10旋转的过程中研磨头20对待清洗晶圆10进行预清洗，如图5和图6所示。

具体地，研磨头20对待清洗晶圆10进行预清洗的过程中旋转，且研磨头20的旋转方向与待清洗晶圆10的旋转方向相反。作为示例，研磨盘30与待清洗晶圆10的接触面上还具有真空晶圆吸附器(图中未示出)，以将待清洗晶圆10稳定吸附在研磨盘30上，使得研磨盘30在转动时带动待清洗晶圆10同旋转方向、同速率转动。预清洗过程中，待清洗晶圆10与研磨头20均转动，若待清洗晶圆10沿逆时针方向旋转，研磨头20则沿顺时针方向旋转；若待清洗晶圆10沿顺逆时针方向旋转，研磨头20则沿逆时针方向旋转。待清洗晶圆10的旋转速率与研磨头20的旋转速率可以相同，也可以不同。

在本申请的一个实施例中，如图7所示，还提出一种晶圆研磨方法，包括如下步骤：

步骤S40：采用如上的晶圆清洗方法对待清洗晶圆10进行清洗；

步骤S50：控制研磨头20使用研磨液对清洗后的晶圆进行研磨。

作为示例，晶圆研磨使用的研磨液可以包括但不仅限于纯水与二氧化硅的混合溶液。用于晶圆研磨的研磨液与预清洗使用的研磨液的浓度不同，用于晶圆研磨的研磨液内的二氧化硅浓度大于预清洗使用的研磨液内的二氧化硅浓度。步骤S50中对清洗后的晶圆进行研磨，此处对晶圆研磨的区域不作区分，具体研磨位置根据实际需求指定。

在一个实施例中，如图8所示，步骤S50：控制研磨头20使用研磨液对清洗后的晶圆进行研磨，包括如下步骤：

步骤S51：将清洗后的晶圆置于研磨盘30上，研磨盘30转动以带动清洗后的晶圆相对研磨头20旋转，请继续参考图5和图6；

步骤S52：控制研磨头20使用研磨液对清洗后的晶圆进行研磨。

具体地，研磨头20对清洗后的晶圆进行研磨的过程中旋转，且研磨头20的旋转方向与清洗后的晶圆的旋转方向相反。对清洗后的晶圆进行研磨过程中，清洗后的晶圆与研磨头20均转动，若清洗后的晶圆沿逆时针方向旋转，研磨头20则沿顺时针方向旋转；若清洗后的晶圆沿顺逆时针方向旋转，研磨头20则沿逆时针方向旋转。清洗后的晶圆的旋转速率与研磨头20的旋转速率可以相同，也可以不同。

作为示例，对清洗后的晶圆进行研磨过程中研磨头20的材质与对预清洗晶圆进行研磨过程中研磨头20的材质可以相同，也可以不同；对清洗后的晶圆进行研磨时研磨头20的材质与对预清洗晶圆进行研磨时研磨头20的材质均不同于预清洗晶圆进行清扫时研磨头20的材质。

在一个实施例中，步骤S52：控制研磨头20使用研磨液对清洗后的晶圆进行研磨之后还包括：使用清洗液对研磨后的晶圆进行清洗，其中，清洗液包括去离子水。

请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本申请的限制。

应该理解的是，除非本文中有明确的说明，所述的步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，所述的步骤的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (16)

1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：

提供待清洗晶圆，所述待清洗晶圆包括自所述待清洗晶圆的中心至边缘依次向外辐射的中心区域、边缘区域及晶边区域；

对所述待清洗晶圆进行预清洗，包括：

提供研磨头，将所述研磨头置于所述晶边区域，并控制所述研磨头使用研磨液对所述晶边区域进行研磨；

将所述研磨头置于所述边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶边区域至所述待清洗晶圆的中心的距离大于或等于140mm；所述边缘区域至所述待清洗晶圆的中心的距离大于等于30mm且小于等于140mm。

3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述研磨头于第一压力下使用研磨液对所述晶边区域进行研磨；所述研磨头于第二压力下使用清洗液对所述边缘区域进行清扫；其中，所述第二压力小于所述第一压力。

4.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一压力的范围为9磅-12磅，所述第二压力的范围为3磅-6磅。

5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗液包括去离子水或清洗剂。

6.根据权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗剂包括：碱性清洗剂、中性清洗剂及酸性清洗剂。

7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫包括：

控制所述研磨头于摆动状况下使用所述清洗液对所述边缘区域进行清扫。

8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述研磨头于所述边缘区域的外边缘与所述边缘区域的内边缘之间往返摆动。

9.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述将所述研磨头置于所述边缘区域，并控制所述研磨头使用清洗液对所述边缘区域进行清扫之后还包括：

重复上述对所述待清洗晶圆进行预清洗的步骤至少一次。

10.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述对所述待清洗晶圆进行预清洗之后还包括：

对预清洗后的所述待清洗晶圆进行清洗。

11.根据权利要求10所述的晶圆清洗方法，其特征在于，使用去离子水对预清洗后的所述待清洗晶圆进行清洗。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述对所述待清洗晶圆进行预清洗之前还包括：将所述待清洗晶圆置于研磨盘上，所述研磨盘转动以带动所述待清洗晶圆相对所述研磨头旋转；所述待清洗晶圆旋转的过程中所述研磨头对所述待清洗晶圆进行预清洗。

13.根据权利要求12所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述研磨头对所述待清洗晶圆进行预清洗的过程中旋转，且所述研磨头的旋转方向与所述待清洗晶圆的旋转方向相反。

14.一种晶圆研磨方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1至13中任一项所述的晶圆清洗方法对所述待清洗晶圆进行清洗；

控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨。

15.根据权利要求14所述的晶圆研磨方法，其特征在于，控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨包括：

将清洗后的所述晶圆置于研磨盘上，所述研磨盘转动以带动清洗后的所述晶圆相对所述研磨头旋转；

控制所述研磨头使用所述研磨液对清洗后的晶圆进行研磨。

16.根据权利要求15所述的晶圆研磨方法，其特征在于，所述研磨头对清洗后的所述晶圆进行研磨的过程中旋转，且所述研磨头的旋转方向与清洗后的所述晶圆的旋转方向相反。

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