CN115666147A - 一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用 - Google Patents

一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用 Download PDF

Info

Publication number
CN115666147A
CN115666147A CN202211285676.0A CN202211285676A CN115666147A CN 115666147 A CN115666147 A CN 115666147A CN 202211285676 A CN202211285676 A CN 202211285676A CN 115666147 A CN115666147 A CN 115666147A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
emitting diode
perovskite light
zno
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211285676.0A
Other languages
English (en)
Inventor
张宇
冯楠楠
秦菲崧
白雪
陆敏
孙思琦
路坡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jilin University
Original Assignee
Jilin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jilin University filed Critical Jilin University
Priority to CN202211285676.0A priority Critical patent/CN115666147A/zh
Publication of CN115666147A publication Critical patent/CN115666147A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明适用于钙钛矿发光二极管技术领域,提供了一种柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,包括:制备油酸铯溶液;将碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,注入油酸铯溶液,充分反应;将反应产物离心提纯,得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液;制备一次性纸基底;将一次性纸基底转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积TCTA、MoO3和Au层,即可得到所述柔性钙钛矿发光二极管。本发明操作简单,耗时少,制作成本低,制备得到的纸基底钙钛矿发光二极管具有高柔韧性、高发光效率、高操作稳定性。

Description

一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用
技术领域
本发明属于钙钛矿发光二极管技术领域,尤其涉及一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用。
背景技术
钙钛矿纳米晶体由于其可调的发射波长、高光致发光量子产率、高色纯度和低成本的合成,被广泛用于发光二极管的发射层,到目前为止,基于刚性玻璃基板的绿色和红色发光钙钛矿LED已经实现了20%以上的外部量子效率。然而,柔性钙钛矿发光二极管的器件效率明显落后于刚性器件,这极大地限制了其在柔性显示器中的应用。
目前,有许多研究致力于提高柔性钙钛矿LED的性能,但主要集中在对柔性电极和发光层柔韧灵活性的优化上,如采用银纳米线/聚酰亚胺复合电极、银-镍核壳纳米线电极、将乙基纤维素引入钙钛矿纳米晶中,以提高发射层的柔韧性。除了优化柔性电极和钙钛矿发射层外,柔性基底的选择对柔性钙钛矿发光二极管的器件性能也至关重要,针对弹性体衬底和PET衬底也有一些研究,虽然这些衬底具有优异的柔韧性,但可拉伸弹性基底通常具有复杂的制备工艺和较高的成本,而且聚合物基底的热稳定性差(<150℃)与钙钛矿发光二极管制造过程中的退火工艺不相容。
因此,迫切需要寻找新的衬底来解决这些问题,可以得到高效、稳定的柔性钙钛矿发光二极管。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,旨在解决上述背景技术中存在的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
在真空环境下,对十八烯、油酸以及碳酸铯进行加热脱气干燥,随后在惰性气体氛围下升温,对十八烯、油酸以及碳酸铯加热搅拌至溶解,得到油酸铯溶液;
将碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,在真空环境下加热脱气干燥,随后在惰性气体氛围下升温,并注入油酸铯溶液,充分反应后将反应产物冰水浴冷却到室温;
将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,继续离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯溶液中,得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液;
将标签纸直接粘贴在玻璃上作为基底,将PMMA旋涂在标签纸基底上并在空气环境中退火处理,通过热蒸发将Ag电极沉积在标签纸/PMMA上,随后在Ag电极上旋涂ZnO,并退火处理,然后将基底转移到充满N2气体的手套箱中,在ZnO上旋涂PEI,形成ZnO/PEI层,再进行退火处理,将ZnO/PEI层作为电子传输层和修饰层,再将锌合金化的CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上,作为发光层,得到一次性纸基底;
将一次性纸基底转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积TCTA、MoO3和Au层,其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层,MoO3和Au层作为顶部电极,即可得到所述柔性钙钛矿发光二极管。
优选地,所述十八烯、油酸以及碳酸铯中油酸与十八烯的体积比为1:11-13。
优选地,所述十八烯、油酸以及碳酸铯中油酸与十八烯的体积比为1:12。
优选地,所述碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺中十八烯、油酸和油胺的体积比为4-6:1:1。
优选地,所述碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺中十八烯、油酸和油胺的体积比为5:1:1。
优选地,所述惰性气体为氮气。
优选地,所述离心提纯的离心转速为5000-10000r/min。
优选地,所述旋涂ZnO的转速为800-1200r/min;
所述旋涂PEI的转速为2800-3200r/min;
所述CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上的转速为800-1200r/min。
优选地,所述旋涂ZnO的转速为1000r/min;
所述旋涂PEI的转速为3000r/min;
所述CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上的转速为1000r/min。
优选地,所述PMMA的退火处理为140-160℃的温度下退火8-12分钟;
所述ZnO的退火处理为140-160℃的温度下退火8-12分钟;
所述PEI的退火处理为在120-130℃的温度下退火8-12分钟。
优选地,所述PMMA的退火处理为150℃的温度下退火10分钟;
所述ZnO的退火处理为150℃的温度下退火10分钟;
所述PEI的退火处理为在125℃的温度下退火10分钟。
优选地,所述通过热蒸发将Ag电极沉积在标签纸/PMMA上的步骤为将150nm的Ag电极在真空沉积室中热蒸发沉积在标签纸/PMMA上,热蒸发速率为0.6A/s;
所述通过热蒸发依次沉积TCTA、MoO3和Au层的步骤为通过真空沉积室中热蒸发,依次沉积TCTA、MoO3和Au层,每层热蒸发速率分别保持在0.5A/s、0.3A/s、0.4A/s。
本发明实施例的另一目的在于提供一种如上述柔性钙钛矿发光二极管的制备方法制备得到的柔性钙钛矿发光二极管。
本发明实施例的又一目的在于提供一种如上述柔性钙钛矿发光二极管在柔性显示器中的应用。
本发明实施例提供的一种柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,操作简单,耗时少,制作成本低,通过该制备方法得到的PMMA改性的一次性纸基底柔韧性高,操作稳定性强,便携性高,应用可能性高,制备得到的纸基底钙钛矿发光二极管具有高柔韧性、高发光效率、高操作稳定性,由于PMMA修饰后衬底的低粗糙度和良好的浸润性,PMMA改性标签纸上的底部电极和功能层的成膜能力显著提高,优化后的纸基底钙钛矿发光二极管的最大亮度为3615cd m-2,峰值外量子效率为14.3%,在小弯曲半径为1.5mm的1000次弯曲后,仍然保持了原来的71%的亮度。
附图说明
图1为制备顶部发光的柔性钙钛矿发光二极管的原理图;
图2为柔性钙钛矿发光二极管中每个功能层的器件能级图;
图3为柔性钙钛矿发光二极管的亮度-电压-电流密度曲线;
图4为柔性钙钛矿发光二极管的外量子效率-电流密度曲线;
图5为柔性钙钛矿发光二极管中各功能层的原子力显微镜图;
图6为柔性钙钛矿发光二极管4mm2以及150mm2发光区域图;
图7为基于标签纸/PMMA的器件在不同循环弯曲条件下的归一化EL光谱;
图8为在驱动电压为3V和弯曲半径为1.5mm的循环弯曲条件下,不同衬底上钙钛矿发光二极管的亮度变化;
图9为标签纸/PMMA和PET基底的弯曲应力—移动距离特性;
图10为柔性钙钛矿发光二极管不同功能层弯曲1000次前后的扫描电镜图像。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
一种柔性钙钛矿发光二极管,其制备方法具体包括以下步骤:
步骤1:将十八烯、油酸以及碳酸铯放在容器中,所述油酸与十八烯的体积比为1:12,在真空环境下,加热脱气干燥,然后在惰性气体(氮气)氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;
步骤2:将碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,十八烯、油酸和油胺的体积比为5:1:1,在真空环境下,加热脱气干燥,然后在惰性气体(氮气)氛围下升温,并注入油酸铯溶液,充分反应后将溶液水浴冷却到室温;
步骤3:将步骤2中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到甲苯溶液中,即得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液,其中离心转速为5000-10000r/min;
步骤4:将标签纸直接粘贴在玻璃上,然后将PMMA旋转涂层在上述方法制备的标签纸基底上并在空气环境中150℃退火10分钟;将150nm的Ag电极在0.6A/s的真空沉积室(7×10-4Pa)中热蒸发沉积在标签纸/PMMA上,在Ag电极上旋涂ZnO,旋涂ZnO的转速为1000r/min,之后在150℃的温度下退火10分钟;然后将基底转移到充满N2气体的手套箱中,在ZnO薄膜上旋涂聚乙烯亚胺(PEI),旋涂PEI的转速为3000r/min,形成ZnO/PEI层,之后在125℃的温度下退火10分钟,将ZnO/PEI层作为电子传输层和修饰层;
将步骤3中合成的锌合金化的CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上,作为发光层,旋涂在ZnO/PEI层上的转速为1000r/min;
步骤5:将步骤4中获得的产物最后转移到真空腔内,通过真空沉积室(7×10-4Pa)中热蒸发,依次沉积TCTA、MoO3和Au层,每层热蒸发速率分别保持在0.5A/s、0.3A/s、0.4A/s,其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层,MoO3和Au层作为顶部电极;由此获得一次性纸基底的高效柔性钙钛矿纳米晶发光二极管。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。
实施例1
一种柔性钙钛矿发光二极管,其制备方法具体包括以下步骤:
1)将0.814g的碳酸铯,2.5mL油酸和30mL十八烯装入100mL的三颈烧瓶中,先在真空环境、120℃下脱气干燥1h,然后将混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液,即得到前驱体溶液;
2)将0.173g的碘化铅、0.12g的碘化锌、2mL油酸以及2mL油胺倒入到装有十八烯的容器中,先在真空环境、120℃下脱气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温170℃后,注入1.5mL前驱体溶液,反应5s后迅速将溶液水浴冷却到室温;
3)将步骤2)中得到的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到甲苯溶液中,得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液;
4)将标签纸粘贴在玻璃上,然后将PMMA旋转涂层在纸基板上并在空气环境中退火;通过热蒸发将Ag电极沉积在标签纸/PMMA上,在Ag电极上旋涂ZnO,以1000r/min的转速旋涂50秒,之后在150℃的温度下退火10分钟;然后将底物转移到充满N2气体的手套箱中,在ZnO薄膜上旋涂PEI(溶解在2-甲氧基乙醇溶液中,质量分数为0.2%),以3000r/min的转速旋涂50秒,之后在125℃的温度下退火10分钟,将ZnO/PEI层作为电子传输层和修饰层;
将步骤3)中合成的锌合金化的CsPbI3量子点溶液以1000r/min的转速旋涂在ZnO/PEI层上,作为发光层;
5)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积TCTA(60nm)、MoO3(450nm)和Au(60nm)层,其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层,MoO3和Au层作为顶部电极,即可得到廉价纸基的柔性钙钛矿发光二极管。
实施例2
除步骤5)中,通过热蒸发依次沉积TCTA(57nm)、MoO3(450nm)和Au(8nm)层,其他步骤与实施例1相同。
实施例3
除步骤5)中,通过热蒸发依次沉积TCTA(63nm)、MoO3(450nm)和Au(18nm)层,其他步骤与实施例1相同。
实施例4
除步骤5)中,通过热蒸发依次沉积TCTA(66nm)、MoO3(450nm)和Au(20nm)层,其他步骤与实施例1相同。
实施例5
一种柔性钙钛矿发光二极管,其制备方法具体包括以下步骤:
1)将碳酸铯、油酸和十八烯装入容器中,进行加热脱气干燥,所述十八烯、油酸以及碳酸铯中油酸与十八烯的体积比为1:11,随后在氮气气体氛围下升温,对十八烯、油酸以及碳酸铯加热搅拌至溶解,得到油酸铯溶液;
2)将碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,在真空环境下加热脱气干燥,所述碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺中十八烯、油酸和油胺的体积比为4:1:1,随后在惰性气体氛围下升温,并注入油酸铯溶液,充分反应后将反应产物冰水浴冷却到室温;
3)将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,继续离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯溶液中,得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液,所述离心提纯的离心转速为5000r/min;
4)将标签纸直接粘贴在玻璃上,然后将PMMA旋转涂层在上述方法制备的标签纸基底上并在空气环境中140℃退火12分钟;将150nm的Ag电极在0.6A/s的真空沉积室(7×10- 4Pa)中热蒸发沉积在标签纸/PMMA上,在Ag电极上旋涂ZnO,旋涂ZnO的转速为800r/min,之后在140℃的温度下退火12分钟;然后将基底转移到充满N2气体的手套箱中,在ZnO薄膜上旋涂聚乙烯亚胺(PEI),旋涂PEI的转速为2800r/min,形成ZnO/PEI层,之后在120℃的温度下退火12分钟,将ZnO/PEI层作为电子传输层和修饰层;
将步骤3)中合成的锌合金化的CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上,作为发光层,旋涂在ZnO/PEI层上的转速为800r/min;
5)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空腔内,通过真空沉积室(7×10-4Pa)中热蒸发,依次沉积TCTA、MoO3和Au层,每层热蒸发速率分别保持在0.5A/s、0.3A/s、0.4A/s,其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层,MoO3和Au层作为顶部电极,即可得到廉价纸基的柔性钙钛矿发光二极管。
实施例6
一种柔性钙钛矿发光二极管,其制备方法具体包括以下步骤:
1)将碳酸铯、油酸和十八烯装入容器中,进行加热脱气干燥,所述十八烯、油酸以及碳酸铯中油酸与十八烯的体积比为1:12,随后在氮气气体氛围下升温,对十八烯、油酸以及碳酸铯加热搅拌至溶解,得到油酸铯溶液;
2)将碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,在真空环境下加热脱气干燥,所述碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺中十八烯、油酸和油胺的体积比为5:1:1,随后在惰性气体氛围下升温,并注入油酸铯溶液,充分反应后将反应产物冰水浴冷却到室温;
3)将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,继续离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯溶液中,得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液,所述离心提纯的离心转速为8000r/min;
4)将标签纸直接粘贴在玻璃上,然后将PMMA旋转涂层在上述方法制备的标签纸基底上并在空气环境中150℃退火10分钟;将150nm的Ag电极在0.6A/s的真空沉积室(7×10- 4Pa)中热蒸发沉积在标签纸/PMMA上,在Ag电极上旋涂ZnO,旋涂ZnO的转速为1000r/min,之后在150℃的温度下退火10分钟;然后将基底转移到充满N2气体的手套箱中,在ZnO薄膜上旋涂聚乙烯亚胺(PEI),旋涂PEI的转速为3000r/min,形成ZnO/PEI层,之后在125℃的温度下退火10分钟,将ZnO/PEI层作为电子传输层和修饰层;
将步骤3)中合成的锌合金化的CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上,作为发光层,旋涂在ZnO/PEI层上的转速为1000r/min;
6)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空腔内,通过真空沉积室(7×10-4Pa)中热蒸发,依次沉积TCTA、MoO3和Au层,每层热蒸发速率分别保持在0.5A/s、0.3A/s、0.4A/s,其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层,MoO3和Au层作为顶部电极,即可得到廉价纸基的柔性钙钛矿发光二极管。
实施例7
一种柔性钙钛矿发光二极管,其制备方法具体包括以下步骤:
1)将碳酸铯、油酸和十八烯装入容器中,进行加热脱气干燥,所述十八烯、油酸以及碳酸铯中油酸与十八烯的体积比为1:13,随后在氮气气体氛围下升温,对十八烯、油酸以及碳酸铯加热搅拌至溶解,得到油酸铯溶液;
2)将碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,在真空环境下加热脱气干燥,所述碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺中十八烯、油酸和油胺的体积比为6:1:1,随后在惰性气体氛围下升温,并注入油酸铯溶液,充分反应后将反应产物冰水浴冷却到室温;
3)将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,继续离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯溶液中,得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液,所述离心提纯的离心转速为10000r/min;
4)将标签纸直接粘贴在玻璃上,然后将PMMA旋转涂层在上述方法制备的标签纸基底上并在空气环境中160℃退火8分钟;将150nm的Ag电极在0.6A/s的真空沉积室(7×10- 4Pa)中热蒸发沉积在标签纸/PMMA上,在Ag电极上旋涂ZnO,旋涂ZnO的转速为1200r/min,之后在160℃的温度下退火8分钟;然后将基底转移到充满N2气体的手套箱中,在ZnO薄膜上旋涂聚乙烯亚胺(PEI),旋涂PEI的转速为3200r/min,形成ZnO/PEI层,之后在130℃的温度下退火8分钟,将ZnO/PEI层作为电子传输层和修饰层;
将步骤3)中合成的锌合金化的CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上,作为发光层,旋涂在ZnO/PEI层上的转速为1200r/min;
7)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空腔内,通过真空沉积室(7×10-4Pa)中热蒸发,依次沉积TCTA、MoO3和Au层,每层热蒸发速率分别保持在0.5A/s、0.3A/s、0.4A/s,其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层,MoO3和Au层作为顶部电极,即可得到廉价纸基的柔性钙钛矿发光二极管。
性能检测:
在实施例1、2、3、4中,实施例1为器件最优情况,对实施例1进行实验和性能检测如下所示:
如图1所示,为顶部发光的纸基柔性钙钛矿发光二极管;
如图2所示,为柔性钙钛矿发光二极管所有功能层的相应能级,采用制备的锌合金化CsPbI3钙钛矿纳米晶作为发射层,各层能级较为匹配;
如图3、4所示,对比三种不同衬底上钙钛矿发光二极管的电学特性,其中标签纸/PMMA上的纸基器件与玻璃基板上的刚性器件的峰值外量子效率接近,分别为14.3%和14.4%,且与在PET上的柔性器件比较显示出较高的亮度,最大亮度为3615cd m-2
如图5所示,在PMMA改性的纸基底上蒸发银电极的粗糙度最低,再进一步旋涂ZnO和聚乙烯亚胺,粗糙度变化较小;
如图6所示,为基于标签纸/PMMA的钙钛矿发光二极管的照片,包括小面积(4mm2)和大面积(150mm2)器件,可以看出,表明器件在标签/PMMA基板上具有优异的成膜能力;
如图7所示,在小弯曲半径为1.5mm的不同弯曲周期下,以标签纸/PMMA作为基底的器件的电致发光光谱没有明显变化,如图8所示,基于标签纸/PMMA的钙钛矿发光二极管的亮度在弯曲1000次后在3V的驱动电压下保留了其初始亮度(L0=120cd m-2)的71%,如图9所示,在相同的弯曲状态下,标签纸/PMMA基底所产生的应力要小于PET,图7、图8和图9说明以标签纸/PMMA作为基底,具有更好的弯曲性能,以及较好的电学性质;
如图10所示,柔性钙钛矿发光二极管的不同层在弯曲1000次后仅出现较小裂纹,说明采用的标签纸/PMMA纸基对于功能层的弯曲损伤很小;
综上所述,本发明实施例制备得到的纸基柔性钙钛矿发光二极管,最大亮度为3615cd m-2,最大EQE为14.3%,此外,该纸基器件在反复弯曲后仍具有稳定的光谱,并且无明显裂纹出现,具有较好的机械稳定性,在小弯曲半径为1.5mm的1000次弯曲后,保持了原来的71%的亮度,本发明实施例将钙钛矿发光二极管的基底扩展到纸张上,这扩大了其在柔性便携式一次性和廉价应用中商业化的可能性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在真空环境下,对十八烯、油酸以及碳酸铯进行加热脱气干燥,随后在惰性气体氛围下升温,对十八烯、油酸以及碳酸铯加热搅拌至溶解,得到油酸铯溶液;
将碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的容器中,在真空环境下加热脱气干燥,随后在惰性气体氛围下升温,并注入油酸铯溶液,充分反应后将反应产物冰水浴冷却到室温;
将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯和乙酸乙酯的混合溶剂中,继续离心提纯,将离心后的沉淀物分散到甲苯溶液中,得到锌合金化的CsPbI3量子点溶液;
将标签纸直接粘贴在玻璃上作为基底,将PMMA旋涂在标签纸基底上并在空气环境中退火处理,通过热蒸发将Ag电极沉积在标签纸/PMMA上,随后在Ag电极上旋涂ZnO,并退火处理,然后将基底转移到充满N2气体的手套箱中,在ZnO上旋涂PEI,形成ZnO/PEI层,再进行退火处理,将ZnO/PEI层作为电子传输层和修饰层,再将锌合金化的CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上,作为发光层,得到一次性纸基底;
将一次性纸基底转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积TCTA、MoO3和Au层,其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层,MoO3和Au层作为顶部电极,即可得到所述柔性钙钛矿发光二极管。
2.根据权利要求1所述的柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,所述十八烯、油酸以及碳酸铯中油酸与十八烯的体积比为1:11-13。
3.根据权利要求1所述的柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,所述碘化铅、碘化锌、油酸以及油胺中十八烯、油酸和油胺的体积比为4-6:1:1。
4.根据权利要求1所述的柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,所述惰性气体为氮气。
5.根据权利要求1所述的柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,所述离心提纯的离心转速为5000-10000r/min。
6.根据权利要求1所述的柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,所述旋涂ZnO的转速为800-1200r/min;
所述旋涂PEI的转速为2800-3200r/min;
所述CsPbI3量子点溶液旋涂在ZnO/PEI层上的转速为800-1200r/min。
7.根据权利要求1所述的柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,所述PMMA的退火处理为140-160℃的温度下退火8-12分钟;
所述ZnO的退火处理为140-160℃的温度下退火8-12分钟;
所述PEI的退火处理为在120-130℃的温度下退火8-12分钟。
8.根据权利要求1所述的柔性钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,所述通过热蒸发将Ag电极沉积在标签纸/PMMA上的步骤为将150nm的Ag电极在真空沉积室中热蒸发沉积在标签纸/PMMA上,热蒸发速率为0.6A/s;
所述通过热蒸发依次沉积TCTA、MoO3和Au层的步骤为通过真空沉积室中热蒸发,依次沉积TCTA、MoO3和Au层,每层热蒸发速率分别保持在0.5A/s、0.3A/s、0.4A/s。
9.一种如权利要求1-8任一所述的柔性钙钛矿发光二极管的制备方法制备得到的柔性钙钛矿发光二极管。
10.一种如权利要求9所述的柔性钙钛矿发光二极管在柔性显示器中的应用。
CN202211285676.0A 2022-10-20 2022-10-20 一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用 Pending CN115666147A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211285676.0A CN115666147A (zh) 2022-10-20 2022-10-20 一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211285676.0A CN115666147A (zh) 2022-10-20 2022-10-20 一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115666147A true CN115666147A (zh) 2023-01-31

Family

ID=84989127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211285676.0A Pending CN115666147A (zh) 2022-10-20 2022-10-20 一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115666147A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116600613A (zh) * 2023-07-17 2023-08-15 四川京龙光电科技有限公司 一种钙钛矿柔性显示器件制备方法及柔性显示器件
CN117596919A (zh) * 2024-01-19 2024-02-23 四川京龙光电科技有限公司 一种钙钛矿柔性显示器件及其制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116600613A (zh) * 2023-07-17 2023-08-15 四川京龙光电科技有限公司 一种钙钛矿柔性显示器件制备方法及柔性显示器件
CN116600613B (zh) * 2023-07-17 2023-09-26 四川京龙光电科技有限公司 一种钙钛矿柔性显示器件制备方法及柔性显示器件
CN117596919A (zh) * 2024-01-19 2024-02-23 四川京龙光电科技有限公司 一种钙钛矿柔性显示器件及其制备方法
CN117596919B (zh) * 2024-01-19 2024-03-26 四川京龙光电科技有限公司 一种钙钛矿柔性显示器件及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115666147A (zh) 一种柔性钙钛矿发光二极管及其制备方法、应用
JP5007987B2 (ja) 接着促進剤、電気活性層及びそれを含む電気活性素子とその方法
CN108550707A (zh) 量子点发光二极管、液晶显示设备
CN102097598B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN106281311B (zh) 一种合金量子点及其制备方法、电致发光二极管和光致发光二极管
CN111816794B (zh) 一种peie介入标准倒置qled器件及其制备方法
CN103972416A (zh) 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法
CN111341942B (zh) 一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光led及其制备方法
CN111509142B (zh) 核壳量子点、量子点发光二极管、量子点组合物、显示器件
CN113130802A (zh) 一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管
CN110120467A (zh) 基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN111293229B (zh) 一种基于三元铜基碘化物纳米晶的深蓝光led及其制备方法
CN109980099A (zh) 载流子传输材料及其制备方法和qled器件
CN109449317A (zh) 一种低温柔性全无机qled器件及其制备方法
CN113881430A (zh) ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法
CN102509756B (zh) 基于fto的全无机氧化物量子点led及其制作方法
CN108232038A (zh) 一种基于钙铁矿薄膜的发光二极管及其制备方法
CN103915553A (zh) 基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光led及制作方法
CN111662715B (zh) 一种核壳量子点及其制备方法与量子点膜及发光二极管
CN113921732B (zh) 一种基于4-碘-D-苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法
CN106848078A (zh) 一种氧化锌‑氧化镁核壳量子点发光二极管的制备方法
CN113078278B (zh) 可溶液加工的热活性延迟荧光材料在蓝光器件中以及在杂化白光器件中的应用
CN107083238A (zh) 一种多元量子点及其制备方法以及柔性显示器件
CN112625681B (zh) 一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED中的应用
CN112117386B (zh) 一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination