CN115642206A - TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法。制备方法包括：在硅表面制备含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构，然后采用激光进行图形化局域处理，使图形区域非晶化。本发明的局域钝化接触结构的制备方法，解决了现有技术中掩膜制备和去除工艺复杂、图形精确性差、后期金属化印刷对准困难、无法量产或量产成本高、刻蚀效果不佳的技术问题。

Description

TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法

技术领域

本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及TOPCon电池局域钝化接触结构的制备方法。

背景技术

太阳能光伏电池钝化技术不断提升，非金属化区域的复合问题基本不再是效率提升的瓶颈，而金属化区域的复合已经成为电池效率提升的瓶颈。通过电池钝化接触结构可以大幅降低金属化复合，但是由于poly层的吸光特性会大幅吸收太阳光进而造成电池电流密度的降低。因此，需要开发图形化的局域钝化接触技术，局域钝化接触只在金属化区域存有钝化接触，其他区域无钝化接触，这样可以解决poly层吸光和金属化复合高的矛盾，故局域钝化接触结构(poly finger)成为了一种非常有潜力的技术方法。

虽然各个研究机构采用了各种方法来进行技术开发，但目前还未开发出可以量产的方案。该结构的技术难点在于掩膜的制备和掩膜特征尺寸的精确度控制。现有的polyfinger技术是：第一步先制备TOPCon钝化接触层；第二步再在钝化接触层上通过图形化喷墨打印抗碱腐蚀的蜡栅线；第三步以该蜡栅线为掩膜在一定浓度的碱溶液里刻蚀，刻蚀掉非栅线区域，形成栅线状的钝化接触层；第四步用酸溶液清洗掉掩膜蜡栅线层；第五步在图形化的钝化接触层上印刷栅线。该方法的问题在于：喷墨打印的图形精度低、线的宽度大，不利于后期金属化印刷对准，同时poly finger宽度过宽光学吸收严重。

对此，现有技术中提供了一些解决的技术方案。例如，CN201921593120.1中掩膜采用了氮化硅。但是需要附加氮化硅掩膜沉积和去除步骤，且氮化硅沉积的图形化过程基本无法实现量产；又如CN202210099446.9采用PVD制备钝化接触层，通过在制备过程中施加金属遮挡层，利用遮挡效应形成局域钝化接触。该专利的方法虽然简单，但是电池实际栅线距离＜1mm，通过金属遮挡的方法无法达到要求精度；CN202110749345.7通过喷墨打印石蜡做掩膜，该方法现在已经可以制备出电池，但是喷墨打印的精度低，后道丝印套印难度较高，同时石蜡熔点低，样品需要低温保存，石蜡作为有机物还需要清洗掉，容易造成湿法槽体污染。CN201910805305.2在电池制备过程中，在钝化接触后直接印刷栅线，然后利用银栅线的自掩膜作用对钝化接触层其他区域进行刻蚀，但是在刻蚀过程中Ag等金属离子还是会被刻蚀掉污染电池，而且由于镀膜影响了载流子从栅线向外导出，因此该方法有两次金属印刷烧结过程，导致量产成本高。此外，202110163667.3通过对非晶硅层的目标部分进行激光等热处理，形成掺杂多晶硅区域，然后去除非晶硅区域，获得位于硅基底正面的局部钝化接触结构，但是实际应用中碱对非晶硅的刻蚀速率低于多晶硅，这样会造成碱刻蚀去除部分为激光处理区域，而留下激光未处理区域，该方法不能达到去除激光非处理区域留下激光处理区域的理想处理效果。

发明内容

鉴于此，本发明发现现有技术通过激光热处理，使得目标区域的非晶硅转变为多晶硅，导致目标区域的碱刻蚀速率高于非目标处理区域。而且，其激光热处理的参数使得非晶硅和多晶硅区域的刻蚀速率差异不够显著，且激光处理过程中通入了水汽，水的引入会对目标区域引入氢掺杂的效果，而氢的掺入会进一步提高目标区域碱刻蚀速率，其专利设计的选择性刻蚀效果不佳，电池效率提升不明显，仍然存在进一步提升空间。

而本发明提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，解决了现有技术中掩膜制备和去除工艺复杂、图形精确性差、后期金属化印刷对准困难、无法量产或量产成本高、以及现有技术的刻蚀效果不佳的技术问题。

首先，本发明提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，包括：在硅表面制备含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构，然后采用激光进行图形化局域处理，使图形区域非晶化。

作为本发明的一种优选的实施方案，所述含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构为SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。

作为本发明的一种优选的实施方案，在350～360纳米的激光波长、每平方厘米1～6×10^-4焦的能量密度下进行所述图形化局域处理。

作为本发明的一种优选的实施方案，在采用激光进行图形化局域处理时，脉冲宽度≤15皮秒；和/或，激光光斑形状为方形，方形的边长≤70微米；和/或，光斑中心间距≤光斑形状的边长。

作为本发明的一种优选的实施方案，所述激光的宽度为50～100微米，正面金属栅线宽度为5～30微米，且金属栅线宽度＜局域钝化接触结构宽度，激光处理图形与丝网印刷图形一致。

作为本发明的一种优选的实施方案，在Ar、N₂、O₂、N₂O、O₃中的至少一种的气氛环境下采用激光进行图形化局域处理。

作为本发明的一种优选的实施方案，所述SiOx的厚度为1～2纳米；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构的厚度为100纳米以上；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构中的掺杂元素为B、Al、Ga、P中的至少一种；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构中，每立方厘米中掺杂元素的原子数量≥1×10¹⁸个。

作为本发明的一种优选的实施方案，采用LPCVD制备SiOx-本征非晶硅Si结构，然后通过扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；

优选地，采用硼扩散或磷扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；更优选地，LPCVD的沉积温度为550～700摄氏度，或所述硼扩散的温度为850～1050摄氏度，或所述磷扩散的温度为700～820摄氏度；

或，采用LPCVD原位掺杂的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。

作为本发明的一种优选的实施方案，在采用激光进行图形化局域处理使图形区域非晶化后，所述制备方法还包括：将处理后的样品在碱溶液中进行刻蚀，然后进行镀膜钝化处理、套印金属浆料并烧结形成局域钝化接触结构。

作为本发明的一种优选的实施方案，所述碱溶液中含有KOH、NaOH、TMAH中的至少一种；

和/或，所述碱溶液中含有刻蚀添加剂；

和/或，镀膜钝化处理的膜层为SiOx、SiNx、SiNOx、AlOx中的至少一种；

和/或，镀膜钝化处理的膜层厚度为50～90纳米。

进一步，本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，包括采用上述任一局域钝化接触结构的制备方法在正表面制备局域钝化接触结构，然后进行氢钝化处理。

作为本发明的一种优选的实施方案，所述氢钝化处理的光强为每平方米20000千瓦以上，温度为200～700摄氏度。

进一步，本发明还提供了一种太阳能电池，其含有上述制备方法制得的局域钝化接触结构，或由上述太阳能电池的制备方法制得。

本发明的有益效果在于：

本发明的局域钝化接触结构的制备方法，解决了现有技术中掩膜制备和去除工艺复杂、图形精确性差、后期金属化印刷对准困难、无法量产或量产成本高、刻蚀效果不佳的技术问题。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

作为本发明的一个实施例，本实施例提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，包括：在硅表面制备含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构，然后采用激光进行图形化局域处理，使图形区域非晶化。

本发明发现，采用激光处理含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构时，能够使得多晶硅上栅线部分非晶化，在多晶态硅膜层上可以诱导生成一层非晶硅，这层非晶硅相比单晶或多晶硅层对碱溶液有较高的刻蚀抗性，从而使得多晶区(非栅线区)和非晶区(栅线区)形成差异腐蚀速率，实现优异的刻蚀效果。

具体地，碱溶液对经过激光处理的硅膜层的刻蚀速率远小于未处理的硅膜层的刻蚀速率，从而使得激光处理和未处理区域的刻蚀速率产生较大差异，显著提升刻蚀效果。激光处理的硅层可以自身作为掩膜，然后通过碱刻蚀去除非激光处理区域，保留激光处理区域，再经过酸洗清洗就能获得局域钝化接触结构。

同时，本发明的制备方法精度高，钝化接触区域宽度可调，工艺过程简单，具备量产能力和电池效率提升能力，解决了掩膜制备和去除工艺复杂、图形精确性差、后期金属化印刷对准困难等问题。采用激光工艺制备，其精度远高于其他薄膜沉积工艺，为后道丝印套印的准确性提供了窗口。

本发明所述的含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构，包括但不限于氧化铝-多晶硅钝化接触结构、SiO_xN_y-多晶硅钝化接触结构、SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。其它能够实现钝化接触性能的含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构也属于本发明的保护范围。

作为本发明的一个实施例，所述含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构为SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。

采用上述SiOx-多晶态掺杂硅Si结构进行激光图形化局域处理时，能够进一步提高激光处理和未处理区域的刻蚀速率差异。

作为本发明的一个实施例，在350～360纳米的激光波长、每平方厘米1～6×10^-4焦的能量密度下进行所述图形化局域处理。

在上述激光波长和能量密度下，图形化局域处理效果更佳。

作为本发明的一个实施例，在采用激光进行图形化局域处理时，脉冲宽度≤15皮秒；和/或，激光光斑形状为方形，方形的边长≤70微米；和/或，光斑中心间距≤光斑形状的边长。

在上述激光的脉冲宽度下和氧气气氛协助下，有利于硅熔融后在极短时间内熔融硅来不及完成结晶过程就发生凝固形成非晶硅，同时氧气掺入扩大了激光窗口并促进对碱有抵抗作用的氧化硅生成。在温度50-80℃，浓度≥30wt％碱刻蚀条件下，仍可以获得目标区域碱刻蚀速率≤6nm/min，而非处理区域刻蚀速率≥40nm/min。

作为本发明的一个实施例，所述激光的宽度为50～100微米，正面金属栅线宽度为5～30微米，且金属栅线宽度＜局域钝化接触结构宽度，激光处理图形与丝网印刷图形一致。

作为本发明的一个实施例，在Ar、N₂、O₂、N₂O、O₃中的至少一种的气氛环境下采用激光进行图形化局域处理。

通过在上述气氛中进行激光处理，能够辅助硅膜层改性并可在激光处理区域生成一定厚度的氧化硅。

优选地，在含有氧气气氛下采用激光进行图形化局域处理，更优选氧气的体积占比为70～80％。

作为本发明的一个实施例，所述SiOx的厚度为1～2纳米；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构的厚度为100纳米以上；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构中的掺杂元素为B、Al、Ga、P中的至少一种；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构中，每立方厘米中掺杂元素的原子数量≥1×10¹⁸个。

作为本发明的一个实施例，采用LPCVD制备SiOx-本征非晶硅Si结构，然后通过扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；

优选地，采用硼扩散或磷扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；更优选地，LPCVD的沉积温度为550～700摄氏度，或所述硼扩散的温度为850～1050摄氏度，或所述磷扩散的温度为700～820摄氏度；

或，采用LPCVD原位掺杂的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。

本发明发现，当在550～700摄氏度下采用LPCVD沉积SiOx-本征非晶硅Si结构，然后采用扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构，再通过上述激光处理目标区域后，能够使得激光处理和未处理区域的刻蚀速率产生更大差异，进一步提升刻蚀效果。

此外，也可采用LPCVD原位掺杂的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。

作为本发明的一个实施例，采用LPCVD制备SiOx-本征非晶硅Si结构，然后采用硼扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；其中，LPCVD的沉积温度为550～700摄氏度，所述硼扩散的温度为850～1050摄氏度，更优选硼扩散的温度为850～900摄氏度。

作为本发明的一个实施例，采用LPCVD制备SiOx-本征非晶硅Si结构，然后采用磷扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；其中，LPCVD的沉积温度为550～700摄氏度，所述磷扩散的温度为700～820摄氏度，更优选磷扩散的温度为720～780摄氏度。

本发明进一步发现，通过控制LPCVD工序以及后续扩散工序中，两步骤中沉积的最高热处理温度＜800℃，使得硅薄膜层能够保持较低晶化率。

作为本发明的一个实施例，采用激光进行图形化局域处理使图形区域非晶化后，将处理后的样品在碱溶液中进行刻蚀，然后进行镀膜钝化处理、套印金属浆料并烧结形成局域钝化接触结构。

作为本发明的一个实施例，采用n型单晶硅片，对其进行制绒、硼扩散或磷扩散处理以及清洗处理，然后在清洗后的硅片表面制备SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。

作为本发明的一个实施例，所述碱溶液中含有KOH、NaOH、TMAH中的至少一种；

和/或，所述碱溶液中含有刻蚀添加剂；

和/或，镀膜钝化处理的膜层为SiOx、SiNx、SiNOx、AlOx中的至少一种；

和/或，镀膜钝化处理的膜层厚度为50～90纳米。

在本发明的任一实施例中，所述碱溶液中碱的含量为3-40wt％。

作为本发明的一个实施例，本实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，包括采用上述任一局域钝化接触结构的制备方法在正表面制备局域钝化接触结构，然后进行氢钝化处理。

作为本发明的一个实施例，所述氢钝化处理的光强为每平方米20000千瓦以上，温度为200～700摄氏度。优选地，氢钝化处理的时间为5min以上。

作为本发明的一个较优实施例，太阳能电池的制备方法包括：

(1)使用n型单晶硅片，对其进行制绒、硼扩散或磷扩散，去除背面绕镀扩散层区域后酸洗，制得清洗硅片；

(2)在清洗硅片正面制备SiOx-多晶态掺杂硅Si结构，然后采用激光在350～360纳米的激光波长、每平方厘米1～6×10^-4焦的能量密度下进行图形化局域处理；

(3)在硅片背面制备SiOx-磷掺杂非晶态硅Si结构；

(4)将处理后的样品在碱溶液中进行刻蚀，然后对硅片正面进行镀膜钝化处理；

(5)在硅片背面沉积钝化膜；

(6)硅片正面套印金属浆料并烧结形成局域钝化接触结构；同时在硅片背面印刷银金属栅线与正面银铝栅线同步烧结；

(7)进行氢钝化处理，制得太阳能电池。

作为本发明的一个实施例，本实施例还提供了一种太阳能电池，其含有上述制备方法制得的局域钝化接触结构，或由上述太阳能电池的制备方法制得。

由于太阳能电池采用了本发明的制备方法制得局域钝化接触结构，其中不同区域的刻蚀速率差异较大，能够使得金属化区域的钝化接触可以完整保留大幅降低光伏电池的金属化区域复合，且使非金属化区域钝化接触结构可以去除完全，不产生相关的寄生吸收的负面影响，最终使其开路电压大幅上升，而短路电流无降低，最终使其性能也显著获得提升。

本领域技术人员可以进一步通过对上述实施例进行组合，以得到本发明中局域钝化接触结构的制备方法的其它较优实施例。

下面将结合更为具体的实施例对本发明的技术方案进行描述。

实施例中未注明具体技术或条件者，均为常规方法或者按照本领域的文献所描述的技术或条件进行，或者按照产品说明书进行。所用试剂和仪器等未注明生产厂商者，均为可通过正规渠道商购买得到的常规产品。

实施例1

本实施例提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，具体步骤如下：

(1)采用LPCVD在清洁的硅片表面制备SiOx-本征非晶硅Si结构；具体地，LPCVD的参数为：氧化沉积温度605℃，沉积时间600s，氧气流量3.6×10⁵sccm；非晶硅层沉积温度610℃，硅烷流量2240sccm，时间1900s。

(2)在SiOx-本征非晶硅Si结构表面采用硼扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；具体地，沉积条件：硼源BSG沉积温度790℃，沉积时间1200s，小氮流量1400sccm；推进条件：在850℃下，时间900s进行硼扩散。

(3)采用激光进行图形化局域处理；激光波长为355紫外激光，能量密度为每平方厘米4.5×10^-4焦，脉冲宽度9ps，激光光斑形状为方形，方形的边长为70微米，光斑中心间距＜光斑形状的边长；处理气氛为常压，氧气体积比75％。激光的宽度为70微米，正面金属栅线宽度为25微米，且金属栅线宽度＜局域钝化接触结构宽度，激光处理图形与丝网印刷图形一致。

(4)将处理后的硅片浸入15wt％的KOH碱溶液中进行刻蚀，溶液温度70℃，刻蚀时间为300s。

(5)对样品进行沉积氧化铝/氮化硅双层膜钝化处理。氧化铝沉积温度为200℃，膜厚8nm。氮化硅沉积温度500℃，氨气流量/硅烷流量为11.5，沉积时间2800s，膜厚75nm。

(6)在局域钝化区域套印银铝金属浆料，金属浆料印刷宽度为25微米，并在740℃条件下烧结形成局域钝化接触结构；

进一步，本实施例提供了含有上述局域钝化接触结构的太阳能电池，其制备方法如下：

(7)使用的硅片为n型单晶硅片，电阻率为1.5Ω〃cm。在上述步骤(1)之前对硅片进行了制绒处理，采用2％wt浓度KOH溶液，温度80℃，处理时间6min。

(8)制绒后的硅片进行硼扩散处理，扩散温度1000℃，时间58min，扩散方阻为235Ω/□。

(9)将扩散后的硅片背表面和四周采用15％wt浓度KOH溶液在82℃条件下处理3min去除绕镀硼扩散层区域，并进行HF酸清洗获得步骤(1)所需的清洗硅片，在此硅片正表面上完成步骤(1)至步骤(3)。

(10)采用PECVD在清洗后的硅片背面制备SiOx-磷掺杂非晶态硅Si结构；具体地，PECVD的参数为：SiOx制备参数：时间95s，Ar气体流量2000sccm，NO₂气流量8000sccm，功率13000瓦，占空比1/60，温度470℃；磷掺杂非晶态硅层制备参数：时间1300s，H₂气流量10000sccm，硅烷流量2600sccm，氢气流量/硅烷流量为3.85，磷烷流量1000sccm，功率14000瓦，占空比6/60H₂，沉积温度470℃。

(11)完成步骤(4)至步骤(5)。

(12)在电池背面沉积钝化膜，钝化膜层为SiN_x/SiO₂叠层结构，总厚度75nm。

(13)进行步骤(6)，在步骤(6)过程中也在电池背面印刷银金属栅线与正面银铝栅线同步烧结。

(14)进行氢钝化处理，氢钝化处理的光强为每平方米20000千瓦，温度为350摄氏度，制得太阳能电池。

实施例2

本实施例提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，具体步骤仅与实施例1不同的是：

步骤(2)中，磷扩散步骤中，具体地，沉积条件：磷源PSG沉积温度790℃，沉积时间1200s，小氮流量1400sccm；推进条件：在745℃下，时间1200s进行磷扩散。

进一步，本实施例提供了含有上述局域钝化接触结构的太阳能电池，其制备方法与实施例1仅上述步骤(2)不同。

实施例3

本实施例提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，具体步骤仅与实施例1不同的是：

步骤(3)中，采用激光进行图形化局域处理；处理气氛为常压纯氮气气氛。

进一步，本实施例提供了含有上述局域钝化接触结构的太阳能电池，其制备方法与实施例1仅上述步骤(3)不同。

实施例4

本实施例提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，具体步骤仅与实施例1不同的是：

步骤(2)中，在SiOx-本征非晶硅Si结构表面采用硼扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；具体地，沉积条件：硼源BSG沉积温度810℃，沉积时间600s，小氮(携带BCl₃)流量300sccm；推进条件：在1050℃下，时间3500s进行硼扩散。

进一步，本实施例提供了含有上述局域钝化接触结构的太阳能电池，其制备方法与实施例1仅上述步骤(2)不同。

实施例5

本实施例提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，具体步骤仅与实施例1不同的是：

激光波长为350纳米，能量密度为每平方厘米6×10^-4焦。

进一步，本实施例提供了含有上述局域钝化接触结构的太阳能电池，其制备方法与实施例1仅上述激光波长和能量密度不同。

实施例6

本实施例提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，具体步骤仅与实施例1不同的是：

激光波长为360纳米，能量密度为每平方厘米1×10^-4焦。

进一步，本实施例提供了含有上述局域钝化接触结构的太阳能电池，其制备方法与实施例1仅上述激光波长和能量密度不同。

对比例

本对比例提供了一种局域钝化接触结构的制备方法，具体步骤仅与实施例1不同的是：

(1)SiOx-非晶硅Si层制备：通过原位掺杂的方式制备SiOx-非晶硅Si层，具体地，LPCVD的参数为：氧化沉积温度605℃，沉积时间600s，氧气流量3.6×10₅sccm；掺杂非晶硅层沉积温度610℃，硅烷流量2240sccm，小氮(携带POCl₃)流量970scm，时间1900s。

(2)激光处理：激光波长为532纳米，能量密度为每平方厘米0.5焦，处理气氛为水汽，水汽流量为200sccm。

进一步，本对比例提供了含有上述局域钝化接触结构的太阳能电池，其制备方法与实施例1仅上述SiOx-非晶硅Si层制备以及激光处理步骤不同。

试验例

对上述实施例和对比例制备的激光处理目标区域进行耐碱刻蚀测试。

具体测试方法为：在抛光硅片表面按照上述制备方法制备SiOx-掺杂硅薄膜，测试硅薄膜厚度d₀；以及相应的激光参数进行区域激光处理；将处理后的样品浸没到15wt％的KOH溶液中浸泡5min，测试激光处理的目标区域的剩余硅薄膜的厚度d₁和非激光处理区域的d₂；计算得到激光处理目标区域硅薄膜的碱刻蚀速率S1和非激光处理区域硅薄膜的碱刻蚀速率S2；以刻蚀速率比值S2/S1大小作为评价指标，比值越大表明选择性刻蚀强为更佳技术方案。

结果如表1所示。

表1.不同实施例实验结果

	S1(nm/min)	S2(nm/min)	S2/S1
				实施例1	3	52	17.3
实施例2	4	35	8.8
				实施例3	6	52	8.7
实施例4	4	55	13.8
				实施例5	4	52	13.0
实施例6	4	52	13.0
				对比例	25	13	0.5

对上述实施例和对比例制备的太阳能电池进行测试，每组200片，测试结果取平均值。

具体测试IV曲线并确定电池开路电压Voc、短路电流密度Jsc、填充因子FF以及电池光电转换效率Eff。

结果如表2所示。

表2.不同实施例实验IV测试结果

项目	Eff(％)	Voc(mV)	Jsc(mA/cm<sup>2</sup>)	FF(％)
					实施例1	25.30	724	41.6	84
实施例2	25.20	723	41.5	84
					实施例3	25.14	723	41.4	84
实施例4	25.30	724	41.6	84
					实施例5	25.27	725	41.5	84
实施例6	25.27	725	41.5	84
					对比例	24.92	720	41.2	84

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括：在硅表面制备含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构，然后采用激光进行图形化局域处理，使图形区域非晶化。

2.根据权利要求1所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述含有多晶态掺杂硅的钝化接触结构为SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。

3.根据权利要求1或2所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，在350～360纳米的激光波长、每平方厘米1～6×10^-4焦的能量密度下进行所述图形化局域处理。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，在采用激光进行图形化局域处理时，脉冲宽度≤15皮秒；和/或，激光光斑形状为方形，方形的边长≤70微米；和/或，光斑中心间距≤光斑形状的边长。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述激光的宽度为50～100微米，正面金属栅线宽度为5～30微米，且金属栅线宽度＜局域钝化接触结构宽度，激光处理图形与丝网印刷图形一致。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，在Ar、N₂、O₂、N₂O、O₃中的至少一种的气氛环境下采用激光进行图形化局域处理。

7.根据权利要求2～6中任一项所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述SiOx的厚度为1～2纳米；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构的厚度为100纳米以上；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构中的掺杂元素为B、Al、Ga、P中的至少一种；

和/或，所述多晶态掺杂硅Si结构中，每立方厘米中掺杂元素的原子数量≥1×10¹⁸个。

8.根据权利要求2～7中任一项所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，采用LPCVD制备SiOx-本征非晶硅Si结构，然后通过扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；

优选地，采用硼扩散或磷扩散的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构；更优选地，LPCVD的沉积温度为550～700摄氏度，或所述硼扩散的温度为850～1050摄氏度，或所述磷扩散的温度为700～820摄氏度；

或，采用LPCVD原位掺杂的方式制得SiOx-多晶态掺杂硅Si结构。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，在采用激光进行图形化局域处理使图形区域非晶化后，所述制备方法还包括：将处理后的样品在碱溶液中进行刻蚀，然后进行镀膜钝化处理、套印金属浆料并烧结形成局域钝化接触结构。

10.根据权利要求9所述的局域钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述碱溶液中含有KOH、NaOH、TMAH中的至少一种；

和/或，所述碱溶液中含有刻蚀添加剂；

和/或，镀膜钝化处理的膜层为SiOx、SiNx、SiNOx、AlOx中的至少一种；

和/或，镀膜钝化处理的膜层厚度为50～90纳米。

11.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：采用权利要求1～10中任一项所述的局域钝化接触结构的制备方法在正表面制备局域钝化接触结构，然后进行氢钝化处理，所述氢钝化处理的光强为每平方米20000千瓦以上，温度为200～700摄氏度。

12.一种太阳能电池，其特征在于，其含有权利要求1～10中任一项所述的制备方法制得的局域钝化接触结构，或由权利要求11所述的太阳能电池的制备方法制得。