CN115633525A - 发光装置及发光装置的制备方法 - Google Patents

发光装置及发光装置的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115633525A
CN115633525A CN202211645445.6A CN202211645445A CN115633525A CN 115633525 A CN115633525 A CN 115633525A CN 202211645445 A CN202211645445 A CN 202211645445A CN 115633525 A CN115633525 A CN 115633525A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
organic
organic transistor
layer
electrostatic protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202211645445.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115633525B (zh
Inventor
康建喜
张国辉
朱映光
胡永岚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guan Yeolight Technology Co Ltd
Huaibei Yeolight Technology Co Ltd
Original Assignee
Guan Yeolight Technology Co Ltd
Huaibei Yeolight Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guan Yeolight Technology Co Ltd, Huaibei Yeolight Technology Co Ltd filed Critical Guan Yeolight Technology Co Ltd
Priority to CN202211645445.6A priority Critical patent/CN115633525B/zh
Publication of CN115633525A publication Critical patent/CN115633525A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115633525B publication Critical patent/CN115633525B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光装置及发光装置的制备方法。发光装置包括有机发光结构和静电防护结构；静电防护结构包括至少一个静电防护通路，静电防护通路的一端与有机发光结构的第一电极连接，另一端与有机发光结构的第二电极电连接或外部电路连接；每一静电防护通路包括至少一个有机晶体管对和至少一个电容；有机晶体管对包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；第一有机晶体管的第一极和控制极与第二有机晶体管的第二极连接，第二有机晶体管第一极和控制极与第一有机晶体管的第二极连接，或者，第一有机晶体管第一极和控制极连接，第一有机晶体管的第二极与第二有机晶体管的第一极和控制极连接。本发明可以提高发光装置的静电防护能力。

Description

发光装置及发光装置的制备方法
技术领域
本发明涉及有机发光技术领域，尤其涉及一种发光装置及发光装置的制备方法。
背景技术
有机发光结构（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是一种通过载流子注入和复合发光而发光的光电器件。其具体发光过程为电子通过阴极注入，经电子传输材料传输至发光层，空穴通过阳极注入，通过空穴传输材料传输至发光层，电子和空穴在发光层复合形成激子，激子退激发光。OLED具有发光均一性好、轻薄、可弯折、柔性、可拉伸等特点而备受关注。
OLED发光装置在照明领域得到了快速的发展，尤其是在通用照明和车载照明方面。但是，OLED发光装置的抗ESD的能力有限，在高电压的条件下易损坏。
发明内容
本发明提供了一种发光装置及发光装置的制备方法，以提高发光装置的静电防护能力。
根据本发明的一方面，提供了一种发光装置，包括：
有机发光结构和静电防护结构；
所述静电防护结构包括至少一个静电防护通路，每一所述静电防护通路的一端与所述有机发光结构的第一电极电连接，另一端与所述有机发光结构的第二电极电连接或者与外部电路电连接；每一所述静电防护通路包括至少一个有机晶体管对和至少一个电容，所述有机晶体管对和所述电容串联连接；所述有机晶体管对包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；
所述第一有机晶体管的第一极与所述第一有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第二极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第一极电连接，或者，所述第一有机晶体管第一极和所述第一有机晶体管的控制极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的第一极以及所述第二有机晶体管的控制极电连接。
可选的，每一所述静电防护通路包括至少两个有机晶体管对；
至少两个所述有机晶体管与所述电容串联连接。
可选的，所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管的有源层的迁移率均大于或等于10-2 cm2/V·s。
可选的，发光装置包括多个发光区，每一所述发光区对应设置一所述有机发光结构；
每一所述有机发光结构对应设置一所述静电防护结构；
所述静电防护结构的每一所述静电防护通路一端和所述静电防护结构对应的所述有机发光结构的第一电极电连接，另一端和所述静电防护结构对应有机发光结构的第二电极电连接；
每一所述静电防护结构包括至少两个静电防护通路。
可选的，所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管中，所述第一极和所述第二极与所述控制极同层设置，且所述电容的第一极板与所述控制极同层设置，所述电容的第二极板与所述有机发光结构的第二电极同层设置；
或者，所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管中，所述第一极和所述第二极同层设置，所述第一极和所述第二极与所述控制极不同层，所述电容的第一极板与所述控制极同层设置，所述电容的第二极板与所述第一极和所述第二极同层设置。
可选的，所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于有机发光结构的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述有机发光结构发光；所述静电防护结构设置于所述发光装置的非发光区；
所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管均还包括栅极绝缘层和有源层；
所述控制极与所述至少一层导电层中的任一层同层设置，所述栅极绝缘层与所述至少一层绝缘层中的任一层同层设置；
所述有机发光结构包括有机功能层和发光层；所述有源层与至少部分所述有机功能层同层设置；
所述第一极和所述第二极与所述控制极同层时，所述第一极和所述第二极与所述控制极同时制作；或者，所述第一极和所述第二极与所述控制极不同层时，所述第一极和所述第二极与所述有机发光结构的第二电极同层设置。
可选的，所述有机功能层包括电子传输层，所述有源层采用的材料与所述电子传输层采用的材料至少部分相同。
可选的，每一有机晶体管中，所述第一极和所述第二极与所述控制极同层设置时，第一极和所述第二极设置于有源层的第一侧，且所述控制极设置于所述有源层的第二侧，或者，所述第一极和所述第二极与所述控制极均设置于所述有源层的同一侧。
根据本发明的另一方面，提供了一种发光装置的制备方法，包括：
提供一衬底；
在衬底上制作有机发光结构和静电防护结构；
所述静电防护结构包括至少一个静电防护通路，每一所述静电防护通路的一端与所述有机发光结构的第一电极电连接，另一端与所述有机发光结构的第二电极电连接或者与外部电路电连接；每一所述静电防护通路包括至少一个有机晶体管对和至少一个电容，所述有机晶体管对和所述电容串联连接；所述有机晶体管对包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；
所述第一有机晶体管的第一极与所述第一有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第二极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第一极电连接，或者，所述第一有机晶体管第一极和所述第一有机晶体管的控制极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的第一极以及所述第二有机晶体管的控制极电连接。
可选的，所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于有机发光结构的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述有机发光结构发光；所述静电防护结构设置于所述发光装置的非发光区；所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管均还包括栅极绝缘层和有源层；所述有机发光结构包括有机功能层和发光层；
在衬底上制作有机发光结构和静电防护结构，包括：
在所述衬底制作所述驱动电路、所述电容的第一极板、所述控制极和所述栅极绝缘层；其中，所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；所述控制极和所述电容的第一极板与所述至少一层导电层中的任一层同时制作，所述栅极绝缘层与所述至少一层绝缘层中的任一层同时制作；
制作所述有机发光结构的第一电极；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层；其中，所述有源层与至少部分所述有机功能层采用同一掩膜板蒸镀；
蒸镀所述有机发光结构的第二电极和所述电容的第二极板；
其中，所述第一极和所述第二极与所述控制极同层，所述第一极和所述第二极与所述控制极同时制作；或者，所述第一极和所述第二极与所述控制极不同层时，所述第一极和所述第二极与所述有机发光结构的第二电极采用同一掩膜板同时蒸镀。
本发明实施例的发光装置包括静电防护结构，静电防护结构包括至少一个静电防护通路，每一静电防护通路的一端与有机发光结构的第一电极电连接，另一端与有机发光结构的第二电极电连或者与外部电路电连接；每一静电防护通路包括至少一个有机晶体管对和至少一个电容，有机晶体管对和电容串联连接；有机晶体管对包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；当有机发光结构的第一电极处引入较高的ESD电压时，第一有机晶体管和第二有机晶体管相继导通，静电防护通路导通，ESD电压通过有机晶体管对和电容50释放到外部电路，或者ESD电压通过有机晶体管对和电容释放到有机发光结构的第二电极，避免大电压作用下有较大的电流流过有机发光结构，损坏有机发光结构，提升发光装置的静电防护能力。并且通过设置每一静电防护通路包括有机晶体管对和电容，在保证静电防护通路具有较高的静电防护能力的同时，可以避免有机发光结构正常发光时，在静电防护通路产生漏电流，影响有机发光结构的发光亮度。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光装置的示意图；
图2是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图；
图4是本发明实施提供的又一种发光装置的示意图；
图5是本发明实施例提供的一种发光装置的平面图；
图6是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图；
图7是本发明实施例提供的一种发光装置的剖面图；
图8是本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面图；
图9是本发明实施例提供的一种有机晶体管的俯视图；
图10是本发明实施例提供的又一种有机晶体管的俯视图；
图11是本发明实施例提供的一种发光装置的制备方法的流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本发明实施例提供了一种发光装置，图1是本发明实施例提供的一种发光装置的示意图，图2是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图，图3是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图，参考图1-图3，发光装置包括：
有机发光结构20和静电防护结构30；
静电防护结构30包括至少一个静电防护通路31，每一静电防护通路31的一端与有机发光结构20的第一电极电连接，另一端与有机发光结构20的第二电极电连接（图1）或者与外部电路40电连接（图3）；每一静电防护通路31包括至少一个有机晶体管对60和至少一个电容50，有机晶体管对60和电容50串联连接；有机晶体管对60包括第一有机晶体管61和第二有机晶体管62；
第一有机晶体管61的第一极与第一有机晶体管61的控制极以及第二有机晶体管62的第二极电连接，第一有机晶体管61的第二极与第二有机晶体管62的控制极以及第二有机晶体管62的第一极电连接（图1），或者，第一有机晶体管61的第一极和第一有机晶体管61的控制极电连接，第一有机晶体管61的第二极与第二有机晶体管62的第一极以及第二有机晶体管62的控制极电连接（图2）。
其中，发光装置可以包括一个有机发光结构20，也可以包括一个以上有机发光结构20。可以一个有机发光结构20设置一个静电防护结构30，也可以几个有机发光结构20共用一个静电防护结构30。静电防护结构30可以包括一个或一个以上静电防护通路31，每一静电防护通路31可以包括一个或一个以上有机晶体管对60。有机发光结构20包括第一电极、第二电极以及设置于第一电极和第二电极之间的发光层，第一电极可以为阳极，第二电极可以为阴极。第一有机晶体管61和第二有机晶体管62的第一极可以为漏极，第二极可以为源极，控制极为栅极。外部电路40可以为包括静电防护芯片，或者接地引线等。第一有机晶体管61和第二有机晶体管61可以均为N型有机晶体管。此外，发光装置可以包括绑定区，绑定区包括绑定引脚，第一电极通过绑定引脚与外部驱动电路连接，第一电极与静电防护通路31在绑定区通过绑定引脚电连接。
具体的，当有机发光结构20的第一电极处引入较高的ESD电压时，第一有机晶体管61和第二有机晶体管62相继导通，静电防护通路31导通，ESD电压通过有机晶体管对60和电容50释放到外部电路40，避免大电压作用下有较大的电流流过有机发光结构20，损坏有机发光结构20，或者ESD电压通过有机晶体管对60和电容50释放到有机发光结构20的第二电极，避免大电压作用下有较大的电流流过有机发光结构20，损坏有机发光结构20。并且由于有机晶体管具有一定的阈值电压，在较小电压作用下不会导通，通过设置每一静电防护通路31包括有机晶体管对60和电容50，在保证静电防护通路31具有较高的静电防护能力的同时，可以避免有机发光结构20正常发光时，在静电防护通路31产生漏电流，影响有机发光结构20的发光亮度。
此外，当发光装置包括两个或多个有机发光结构20时，两个或多个有机发光结构20的第二电极可以电连接，即第二电极为公共电极，示例性的，第二电极可以整层分布，有机发光结构20发光时，第二电极连接固定电位，ESD电压通过有机晶体管对60和电容50释放到有机发光结构20的第二电极后，整个发光装置的所有有机发光结构20的第二电极共同分担ESD电压，形成整屏的等电位效应，进一步避免损坏有机发光结构20以及有机发光结构20的引线。
本发明实施例的发光装置包括静电防护结构30，静电防护结构30包括至少一个静电防护通路31，每一静电防护通路31的一端与有机发光结构20的第一电极电连接，另一端与有机发光结构20的第二电极电连或者与外部电路40电连接；每一静电防护通路31包括至少一个有机晶体管对60和至少一个电容50，有机晶体管对60和电容50串联连接；有机晶体管对60包括第一有机晶体管61和第二有机晶体管62；当有机发光结构20的第一电极处引入较高的ESD电压时，第一有机晶体管61和第二有机晶体管62相继导通，静电防护通路31导通，ESD电压通过有机晶体管对60和电容50释放到外部电路40，或者ESD电压通过有机晶体管对60和电容50释放到有机发光结构20的第二电极，避免大电压作用下有较大的电流流过有机发光结构20，损坏有机发光结构20，提升发光装置的静电防护能力。并且通过设置每一静电防护通路31包括有机晶体管对60和电容50，在保证静电防护通路31具有较高的静电防护能力的同时，可以避免有机发光结构20正常发光时，在静电防护通路31产生漏电流，影响有机发光结构20的发光亮度。
图4是本发明实施提供的又一种发光装置的示意图，可选的，参考图4，每一静电防护通路31包括至少两个有机晶体管对60；
至少两个有机晶体管对60与电容50串联连接。
具体的，每一有机晶体管对60均包括第一有机晶体管61和第二有机晶体管62。设置每一静电防护通路31包括至少两个有机晶体管对60，可以进一步避免有机发光结构20正常发光时，在静电防护通路31产生漏电流，影响有机发光结构20的发光亮度。并且，至少两个有机晶体管对60对串联可以降低每一有机晶体管对60承受的电压，提高有机晶体管对60的使用寿命。
可选的，每一静电防护通路31上所有有机晶体管对60导通时的电阻率之和小于或等于有机发光结构20的电阻率；
第一有机晶体管61和第二有机晶体管62的有源层的迁移率均大于或等于10-2cm2/V·s。
具体的，每一静电防护通路31上所有有机晶体管对60导通时的电阻率之和小于或等于有机发光结构20的电阻率，使得第一电极引入较高的ESD电压时，每一静电防护通路31流过的电流较大，有机发光结构20流过的电流较小，进一步避免ESD电压损坏有机发光结构20。
迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电阻率。载流子浓度一定时，迁移率越大，电阻率越小。设置第一有机晶体管61和第二有机晶体管62的有源层的迁移率均大于或等于10-2 cm2/V·s，保证第一有机晶体管61和第二有机晶体管62均具有较小的电阻率。
可选的，图5是本发明实施例提供的一种发光装置的平面图，图6是本发明实施例提供的又一种发光装置的示意图，参考图5和图6，发光装置包括多个发光区11，每一发光区11对应设置一有机发光结构20；
每一有机发光结构20对应设置一静电防护结构30；
静电防护结构30的每一静电防护通路31一端和静电防护结构30对应的有机发光结构20的第一电极电连接，另一端和静电防护结构30对应有机发光结构20的第二电极电连接。
具体的，发光装置可以包括多个发光区11，每一发光区11包括一个有机发光结构20，各有机发光结构20的第二电极可以电连接，通过向各有机发光结构20的第一电极输出对应的驱动信号，实现对各个有机发光结构20的独立控制，实现各个发光区11独立发光。图5仅示例性的示出了四个发光区11，并非对本实施例的限定。通过对每一有机发光结构20均设置一个静电防护结构30，使得每一有机发光结构20的第一电极引入ESD电压时，其对应的静电防护结构30均可以将ESD电压进行释放，每一有机发光结构20均可以得到较好的静电防护。
可选的，参考图6，每一静电防护结构30包括至少两个静电防护通路31。这样设置使得有机发光结构20的第一电极引入ESD电压时，其连接的两个或多个静电防护通路31可以对ESD电压同时释放，两个或多个静电防护通路31可以承受更大的电流，使得有机发光结构20承受的电流更小，更好的对有机发光结构20进行静电防护。
需要说明的是，发光装置还包括非发光区12，非发光区12可以是相邻发光区11之间的区域，也可以是发光装置的边框区域。静电防护结构30可以如图6所示设置于非发光区12，也可以设置于有机发光结构20的非发光侧。
图7是本发明实施例提供的一种发光装置的剖面图，可选的，参考图7，第一有机晶体管61和第二有机晶体管中，第一极31和第二极32与控制极33同层设置，且电容50的第一极板51与控制极33同层设置，电容50的第二极板52与有机发光结构20的第二电极22同层设置。
这样设置，第一电极31、第二极32、控制极33和第一极板51可以在同一工艺中制备，电容50的第二极板52可以和有机发光结构20的第二电极22在同一工艺中制备，减少工艺步骤。
图8是本发明实施例提供的又一种发光装置的剖面图，可选的，参考图8，第一有机晶体管61和第二有机晶体管中，第一极31和第二极32同层设置，且第一极31和第二极32与控制极33不同层，电容50的第一极板51与控制极33同层设置，电容50的第二极板52与第一极31和第二极32同层设置。
这样设置，电容50的第一极板51可以和控制极33在同一工艺中制备，电容50的第二极板52可以和第一极31和第二极32在同一工艺中制备，减少工艺步骤。可选的，参考图7和图8，发光装置还设置有驱动电路70，驱动电路70设置于有机发光结构20的非发光侧，驱动电路70用于驱动有机发光结构20发光；静电防护结构设置于发光装置的非发光区；
驱动电路70包括至少一层导电层71和至少一层绝缘层72；
第一有机晶体管61和第二有机晶体管均还包括栅极绝缘层34和有源层35；控制极33与至少一层导电层71中的任一层同层设置，栅极绝缘层34与至少一层绝缘层72中的任一层同层设置；
有机发光结构20包括有机功能层和发光层25；有源层35与至少部分有机功能层同层设置；
第一极31和第二极32与控制极33同层时，第一极31和第二极32与控制极33同时制作；或者，第一极31和第二极32与控制极33不同层时，第一极31和第二极32与有机发光结构20的第二电极22同层设置（图8）。
其中，有机功能层可以包括第一有机功能层23和第二有机功能层24，第一有机功能能层23设置于发光层25和第一电极21之间，第二有机功能层24设置于第二电极22和发光层25之间。第一电极21为阳极，第二电极22为阴极时，第一有机功能层23可以包括空穴注人层或空穴传输层等膜层，第二有机功能层24可以包括电子注人层或电子传输层等膜层。栅极绝缘层34可以采用聚二甲基硅氧烷或氧化硅材料。
有源层35可以采用蒸镀工艺形成，可以采用Fine Metal Mask (精细金属掩模板)进行蒸镀。有机发光结构20包括有机功能层和发光层25；有源层35与至少部分有机功能层同层设置，使得有源层35可以与有机功能层一起采用蒸镀工艺形成，无需为有源层35单独加入其它工艺，降低了工艺成本。
控制极33与至少一层导电层71中的任一层同层设置，则控制极33、电容50的第一极板51可以与导电层71在同一工艺中制备，栅极绝缘层34与至少一层绝缘层72中的任一层同层设置，栅极绝缘层可以与绝缘层72在同一工艺中制备，进一步减少工艺步骤。
第一极31和第二极32与控制极33不同层时，第一极31和第二极32与有机发光结构20的第二电极22同层设置，则第一极31、第二极32、电容50的第二极板52可以和第二电极22在同一工艺中制备，进一步减少工艺步骤。
可选的，有机功能层包括电子传输层，有源层采用的材料与电子传输层采用的材料至少部分相同。
具体的，电子传输层用于提高电子注入效率，电子传输层的部分材料组分可以用来制作有源层，如此设置可以采用蒸镀电子传输层的腔室直接制作有源层，无需增设腔室，降低工艺成本。
可选的，每一有机晶体管中，第一极和第二极与控制极同层设置时，第一极和第二极设置于有源层的第一侧，且控制极设置于有源层的第二侧，或者，第一极和第二极与控制极均设置于有源层的同一侧。
图9是本发明实施例提供的一种有机晶体管的俯视图，图10是本发明实施例提供的又一种有机晶体管的俯视图，参考图9和图10，每一有机晶体管还包括第一引线81、第二引线82和第三引线83，每一有机晶体管中，第一引线81与第一极电连接，第二引线82与第二极电连接，第三引线83与控制极电连接；
可选的，第一引线81为有机晶体管第一极，第二引线82为有机晶体管第二极，第三引线83为有机晶体管控制极。
每一有机晶体管中，第一极和第二极与控制极同层设置时，第一引线81和第二引线82设置于有源层35的第一侧，且第三引线83设置于有源层35的第二侧，或者，第一引线81、第二引线82和第三引线83均设置于有源层35的同一侧。
具体的，第一引线81、第二引线82和第三引线83用于连接有机晶体管和其他结构，第一引线81、第二引线82和第三引线83可以设置于同一层，在同一工艺中制备，可以根据第一有机晶体管和第二有机晶体管与其他结构的连接关系，灵活设置第一引线81、第二引线82和第三引线83的位置，降低第一有机晶体管和第二有机晶体管与其他结构的连接布线难度。
本发明实施例还提供了一种发光装置的制备方法，图11是本发明实施例提供的一种发光装置的制备方法的流程图，参考图11，该方法包括：
S110、提供一衬底；
S120、在衬底上制作有机发光结构和静电防护结构；
其中，所述静电防护结构包括至少一个静电防护通路，每一所述静电防护通路的一端与所述有机发光结构的第一电极电连接，另一端与所述有机发光结构的第二电极电连接或者与外部电路电连接；每一所述静电防护通路包括至少一个有机晶体管对和至少一个电容，所述有机晶体管对和所述电容串联连接；所述有机晶体管对包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；
所述第一有机晶体管的第一极与所述第一有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第二极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第一极电连接，或者，所述第一有机晶体管第一极和所述第一有机晶体管的控制极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的第一极以及所述第二有机晶体管的控制极电连接。
可选的，所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于有机发光结构的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述有机发光结构发光；所述静电防护结构设置于所述发光装置的非发光区；所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管均还包括栅极绝缘层和有源层；所述有机发光结构包括有机功能层和发光层；
在衬底上制作有机发光结构和静电防护结构，包括：
在所述衬底上制作所述驱动电路、所述电容的第一极板、所述控制极和所述栅极绝缘层；其中，所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；所述控制极和所述电容的第一极板与所述至少一层导电层中的任一层同时制作，所述栅极绝缘层与所述至少一层绝缘层中的任一层同时制作；
制作所述有机发光结构的第一电极；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层；其中，所述有源层与至少部分所述有机功能层采用同一掩膜板蒸镀；
蒸镀所述有机发光结构的第二电极和所述电容的第二极板；
其中，所述第一极和所述第二极与所述控制极同层，所述第一极和所述第二极与所述控制极同时制作；或者，所述第一极和所述第二极与所述控制极不同层，所述第一极和所述第二极与所述有机发光结构的第二电极采用同一掩膜板同时蒸镀。
具体的，参考图7，第一极31和第二极32与控制极33同层，发光装置的具体制作流程可以如下：在衬底10上同时制备驱动电路70的第一导电层，第一有机晶体管61和第二有机晶体管的第一极31和第二极32与控制极33，以及电容50的第一极板51；同时制备驱动电路70的绝缘层72、栅极绝缘层34和电容介质层（第一极板51和第二极板52之间的膜层）；制作第一电极21，蒸镀第一有机功能层23、发光层25、第二有机功能层24和有源层35；蒸镀第二电极22和电容50的第二极板52。
参考图8，第一极31和第二极32与控制极33不同层，发光装置的具体制作流程可以如下：在衬底10上同时制备驱动电路70的第一导电层，第一有机晶体管61和第二有机晶体管的与控制极33，以及电容50的第一极板51；同时制备驱动电路70的绝缘层72、栅极绝缘层34和电容介质层（第一极板51和第二极板52之间的膜层）；蒸镀第一有机功能层23、发光层25、第二有机功能层24和有源层35；同时蒸镀第二电极22、电容50的第二极板52以及第一有机晶体管61和第二有机晶体管的第一极31和第二极32。
本发明实施例提供的发光装置的制作方法与本发明任意实施例提供的发光装置属于相同的发明构思，具有相同的有益效果，未在本实施例详尽的技术细节详见本发明任意实施例提供的发光装置。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
有机发光结构和静电防护结构；
所述静电防护结构包括至少一个静电防护通路，每一所述静电防护通路的一端与所述有机发光结构的第一电极电连接，另一端与所述有机发光结构的第二电极电连接或者与外部电路电连接；每一所述静电防护通路包括至少一个有机晶体管对和至少一个电容，所述有机晶体管对和所述电容串联连接；所述有机晶体管对包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；
所述第一有机晶体管的第一极与所述第一有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第二极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第一极电连接，或者，所述第一有机晶体管第一极和所述第一有机晶体管的控制极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的第一极以及所述第二有机晶体管的控制极电连接。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：
每一所述静电防护通路包括至少两个有机晶体管对；
至少两个所述有机晶体管与所述电容串联连接。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：
所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管的有源层的迁移率均大于或等于10-2cm2/V·s。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：
发光装置包括多个发光区，每一所述发光区对应设置一所述有机发光结构；
每一所述有机发光结构对应设置一所述静电防护结构；
所述静电防护结构的每一所述静电防护通路一端和所述静电防护结构对应的所述有机发光结构的第一电极电连接，另一端和所述静电防护结构对应有机发光结构的第二电极电连接；
每一所述静电防护结构包括至少两个静电防护通路。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：
所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管中，所述第一极和所述第二极与所述控制极同层设置，且所述电容的第一极板与所述控制极同层设置，所述电容的第二极板与所述有机发光结构的第二电极同层设置；
或者，所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管中，所述第一极和所述第二极同层设置，所述第一极和所述第二极与所述控制极不同层，所述电容的第一极板与所述控制极同层设置，所述电容的第二极板与所述第一极和所述第二极同层设置。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于：
所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于有机发光结构的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述有机发光结构发光；所述静电防护结构设置于所述发光装置的非发光区；
所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管均还包括栅极绝缘层和有源层；
所述控制极与所述至少一层导电层中的任一层同层设置，所述栅极绝缘层与所述至少一层绝缘层中的任一层同层设置；
所述有机发光结构包括有机功能层和发光层；所述有源层与至少部分所述有机功能层同层设置；
所述第一极和所述第二极与所述控制极同层时，所述第一极和所述第二极与所述控制极同时制作；或者，所述第一极和所述第二极与所述控制极不同层时，所述第一极和所述第二极与所述有机发光结构的第二电极同层设置。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于：
所述有机功能层包括电子传输层，所述有源层采用的材料与所述电子传输层采用的材料至少部分相同。
8.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于：
每一有机晶体管中，所述第一极和所述第二极与所述控制极同层设置时，第一极和所述第二极设置于有源层的第一侧，且所述控制极设置于所述有源层的第二侧，或者，所述第一极和所述第二极与所述控制极均设置于所述有源层的同一侧。
9.一种发光装置的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在衬底上制作有机发光结构和静电防护结构；
所述静电防护结构包括至少一个静电防护通路，每一所述静电防护通路的一端与所述有机发光结构的第一电极电连接，另一端与所述有机发光结构的第二电极电连接或者与外部电路电连接；每一所述静电防护通路包括至少一个有机晶体管对和至少一个电容，所述有机晶体管对和所述电容串联连接；所述有机晶体管对包括第一有机晶体管和第二有机晶体管；
所述第一有机晶体管的第一极与所述第一有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第二极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的控制极以及所述第二有机晶体管的第一极电连接，或者，所述第一有机晶体管第一极和所述第一有机晶体管的控制极电连接，所述第一有机晶体管的第二极与所述第二有机晶体管的第一极以及所述第二有机晶体管的控制极电连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述发光装置还设置有驱动电路，所述驱动电路设置于有机发光结构的非发光侧，所述驱动电路用于驱动所述有机发光结构发光；所述静电防护结构设置于所述发光装置的非发光区；所述第一有机晶体管和所述第二有机晶体管均还包括栅极绝缘层和有源层；所述有机发光结构包括有机功能层和发光层；
在衬底上制作有机发光结构和静电防护结构，包括：
在所述衬底制作所述驱动电路、所述电容的第一极板、所述控制极和所述栅极绝缘层；其中，所述驱动电路包括至少一层导电层和至少一层绝缘层；所述控制极和所述电容的第一极板与所述至少一层导电层中的任一层同时制作，所述栅极绝缘层与所述至少一层绝缘层中的任一层同时制作；
制作所述有机发光结构的第一电极；
蒸镀所述有源层、所述有机功能层和所述发光层；其中，所述有源层与至少部分所述有机功能层采用同一掩膜板蒸镀；
蒸镀所述有机发光结构的第二电极和所述电容的第二极板；
其中，所述第一极和所述第二极与所述控制极同层，所述第一极和所述第二极与所述控制极同时制作；或者，所述第一极和所述第二极与所述控制极不同层时，所述第一极和所述第二极与所述有机发光结构的第二电极采用同一掩膜板同时蒸镀。
CN202211645445.6A 2022-12-21 2022-12-21 发光装置及发光装置的制备方法 Active CN115633525B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211645445.6A CN115633525B (zh) 2022-12-21 2022-12-21 发光装置及发光装置的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211645445.6A CN115633525B (zh) 2022-12-21 2022-12-21 发光装置及发光装置的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115633525A true CN115633525A (zh) 2023-01-20
CN115633525B CN115633525B (zh) 2023-03-21

Family

ID=84909641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211645445.6A Active CN115633525B (zh) 2022-12-21 2022-12-21 发光装置及发光装置的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115633525B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11174970A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Hitachi Ltd 薄膜デバイス
US20050023575A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 United Epitaxy Company, Ltd. ESD protection configuration and method for light emitting diodes
JP2005136028A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Casio Comput Co Ltd 静電気保護回路およびそれを備えた電子回路
US20140361279A1 (en) * 2011-10-12 2014-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light-emitting diode
CN104749844A (zh) * 2015-04-16 2015-07-01 上海中航光电子有限公司 静电防护电路、阵列基板、显示面板和显示装置
CN106876416A (zh) * 2017-03-30 2017-06-20 合肥鑫晟光电科技有限公司 静电放电单元、阵列基板和显示面板
CN206610824U (zh) * 2017-02-22 2017-11-03 天津智安微电子技术有限公司 一种抗静电发光二极管
CN208336227U (zh) * 2018-07-20 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 静电保护电路、阵列基板及显示装置
CN208507683U (zh) * 2018-07-25 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 静电保护电路、阵列基板及显示装置
CN110275333A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 群创光电股份有限公司 显示设备以及其制造方法
US20200135833A1 (en) * 2018-10-31 2020-04-30 Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Display panel and display device

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11174970A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Hitachi Ltd 薄膜デバイス
US20050023575A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 United Epitaxy Company, Ltd. ESD protection configuration and method for light emitting diodes
JP2005136028A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Casio Comput Co Ltd 静電気保護回路およびそれを備えた電子回路
US20140361279A1 (en) * 2011-10-12 2014-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light-emitting diode
CN104749844A (zh) * 2015-04-16 2015-07-01 上海中航光电子有限公司 静电防护电路、阵列基板、显示面板和显示装置
CN206610824U (zh) * 2017-02-22 2017-11-03 天津智安微电子技术有限公司 一种抗静电发光二极管
CN106876416A (zh) * 2017-03-30 2017-06-20 合肥鑫晟光电科技有限公司 静电放电单元、阵列基板和显示面板
US20210202464A1 (en) * 2017-03-30 2021-07-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Electrostatic Discharge Unit, Array Substrate and Display Panel
CN110275333A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 群创光电股份有限公司 显示设备以及其制造方法
CN208336227U (zh) * 2018-07-20 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 静电保护电路、阵列基板及显示装置
CN208507683U (zh) * 2018-07-25 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 静电保护电路、阵列基板及显示装置
US20200135833A1 (en) * 2018-10-31 2020-04-30 Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Display panel and display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN115633525B (zh) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7492096B2 (en) Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same
CN210349841U (zh) 一种显示面板和显示装置
US8094096B2 (en) Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof
US7605536B2 (en) Light emitting device and light emitting display
CN102144314B (zh) 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件
US8149188B2 (en) EL display device
JP5634875B2 (ja) 電荷担体注入を調整可能にした有機発光デバイス
US11923400B2 (en) Display apparatus
CN115633526B (zh) 发光装置及发光装置的制作方法
JP5940310B2 (ja) 発光装置
CN115633525B (zh) 发光装置及发光装置的制备方法
JP6143763B2 (ja) 発光デバイスパターンのための改良されたマスキング
US10367159B2 (en) Organic light-emitting device and organic light-emitting display apparatus
KR101142938B1 (ko) 발광 소자의 제조 방법
CN113437230B (zh) 发光器件及显示面板
US20180019433A1 (en) Masking for light emitting device patterns
CN115768185A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
KR101800658B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20070072124A (ko) 전계발광 표시장치와 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant