CN115579312B - 晶圆检测方法、装置、设备、存储介质和计算机程序产品 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种晶圆检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：根据晶圆制备过程，确定预检站点；在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备。采用本方法能够自动检测判断是否有跳站错误，进而判断晶圆是否有破片风险，在晶圆制备过程中可以及时判断破片风险，避免操作不必要的制备工艺，降低生产成本。

Description

晶圆检测方法、装置、设备、存储介质和计算机程序产品

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种晶圆检测方法、装置、设备、存储介质和计算机程序产品。

背景技术

在半导体器件的制备过程中，薄膜沉积时会进行RTP（Rapid Thermal Process，快速热处理）工艺。在进行快速热处理退火操作时，可能会出现不符合条件的晶圆，该部分晶圆因为缺少前序工艺直接跳站到薄膜退火阶段，由于缺少前序工艺在制备过程中调整，会造成产品发生破片。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够自动检测跳站错误导致产品破片的晶圆检测方法、装置、设备、存储介质和计算机程序产品。

第一方面，本申请提供了一种晶圆检测方法。该方法包括：

根据晶圆制备过程，确定预检站点；

在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备。

在其中一个实施例中，根据晶圆制备过程，确定预检站点，包括：

在制备过程中选择执行通用制备工艺的制备站点，将该站点作为预检站点。

在其中一个实施例中，在制备过程中选择执行通用制备工艺的制备站点，将该站点作为预检站点，包括：

设置沉积金属层的站点作为预检站点。

在其中一个实施例中，根据晶圆制备过程，确定预检站点，还包括：

确定预检站点后，根据预检站点设定检测参数。

在其中一个实施例中，在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备，包括：

根据制备过程信息，检测晶圆是否在预检站点加工过，若晶圆未在该预检站点加工过，则判断晶圆具备破片风险；

该方法还包括：对于标记具备破片风险的晶圆，发送预警信息至归属部门终端。

在其中一个实施例中，该方法还包括：

对于没有在预检站点加工过仍在目标站点加工制备工艺的晶圆，调整晶圆的制程参数，用于适应该晶圆的制备；

其中，目标站点为制备过程中，在预检站点后加工的站点。

在其中一个实施例中，该方法还包括：

晶圆在加工时，通过远程温度控制器控制退火温度。

第二方面，本申请还提供了一种晶圆检测装置。该装置包括：

预检站点确定单元，用于根据晶圆制备过程，确定预检站点；

检测单元，用于在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备。

第三方面，本申请还提供了一种晶圆检测设备。该计算机设备包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

根据晶圆制备过程，确定预检站点；

在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备。

第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

根据晶圆制备过程，确定预检站点；

在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备。

第五方面，本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

根据晶圆制备过程，确定预检站点；

在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备。

上述晶圆检测方法、装置、设备、存储介质和计算机程序产品，根据晶圆的制备流程进行分析，确定预检站点。然后通过对预检站点的检测，判断晶圆在制备过程中是否有跳站错误，判断该晶圆是否有破片风险，对于有破片风险的晶圆进行标记，对于没有破片风险的晶圆继续执行后续制备工艺。本发明在晶圆制备过程中可以及时判断破片风险，避免加工不必要的制备工艺，降低生产成本。即时的检测还可以有效降低晶圆制备的维护成本，本申请的检测方法操作简单，对制备设备中的其他产品没有影响，可以提高晶圆的制备效率，提高产能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明实施例的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中晶圆检测方法的流程图；

图2为一个实施例中晶圆制备工艺中温度控制流程图；

图3为一个实施例中加热设备的温度控制方法示意图；

图4为另一个实施例中晶圆检测方法的流程图；

图5为一个实施例中晶圆检测装置的结构图。

具体实施方式

为了便于理解本发明实施例，下面将参照相关附图对本发明实施例进行更全面的描述。附图中给出了本发明实施例的首选实施例。但是，本发明实施例可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明实施例的发明内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明实施例的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明实施例的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明实施例。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图1所示为一个实施例中晶圆检测方法的流程图，如图1所示，在一个实施例中，公开一种晶圆检测方法，在晶圆制备过程中可以及时的检测因为跳站产生破片风险的晶圆，该方法包括以下步骤：

步骤102：根据晶圆制备过程，确定预检站点。

其中，半导体器件的制备过程大致可以分为FEOL（Front End Of the Line，前道工艺）和BEOL（Back End Of the Line，后道工艺）。前道工艺主要包括设置有源区、阱区、栅氧层、多晶硅栅等薄膜堆叠。后道工艺主要包括设置金属布线层等，在后道工艺的金属前层间介电质BPSG（硼磷硅玻璃）再流动或MOCVD（Metal-organic Chemical VaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉淀）反应中，会采用到RTP（Rapid ThermalProcess，快速热处理）制程工艺。

对于缺少前道工艺直接跳站到RTP进行加工的晶圆，会有破片的风险。本实施例的检测方法对晶圆的制备过程进行分析，确定预检站点。该预检站点设置在RTP制程工艺之前，实现在实际加工前就进行检测，提高检测效率的同时还可以降低生产成本。

步骤104：在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备。

具体地，本实施例在预检站点检测晶圆是否有破片风险，没有破片风险的晶圆继续执行制备工艺，对于有破片风险的晶圆进行标记。

本实施例公开的晶圆检测方法，对晶圆的制备过程进行分析，在需要进行RTP制程工艺前，确定一个预检站点，在预检站点就完成对晶圆的检测，避免产生破片提高检测效率的同时还可以降低生产成本。使用本实施例的检测方法，对制备设备中其他产品没有影响，还可以提高晶圆的制备效率和良品率。

在一个实施例中，根据晶圆制备过程，确定预检站点，包括：在制备过程中选择执行通用制备工艺的制备站点，将该站点作为预检站点。

具体地，根据晶圆的制备过程，找到制备过程的共同点，根据该共同点确定预检站点。选择晶圆制备过程中的通用制备工艺的制备站点作为预检站点，可以在例如RTP等动作执行前就对制备过程中的晶圆进行检测。

进一步地，在一个实施例中，在制备过程中选择执行通用制备工艺的制备站点，将该站点作为预检站点，包括：设置沉积金属层的站点作为预检站点。

具体地，如前述内容，后道工艺的BPSG再流动或MOCVD工艺氮化钛的退火中都使用了RTP工艺，没有沉积这些膜层的晶圆无需经历对应的RTP工艺。经历了通常前道工艺制程流程的晶圆，基本会拥有轻重掺杂离子注入，栅氧化层，多晶硅栅。经历了前道工艺的晶圆必会在多晶硅栅和有源区形成金属硅化物以降低它们的方块电阻和接触电阻，以此连接至接触通孔以连接到第一层金属导线，降低RC延时。因此在前道工艺之后，需要沉积金属，该金属用于金属硅化物的形成。

本实施例在晶圆的制备过程中选择执行通用制备工艺，设置沉积金属层的站点作为预检站点，通过在预检站点检测晶圆，可以实现在退火前就完成对晶圆的检测，提前规避破片风险，降低生产成本。

在一个实施例中，根据晶圆制备过程，确定预检站点，还包括：确定预检站点后，根据预检站点设定检测参数。

其中，检测参数用于定位预检站点，检测参数包括产品标识、路径标识、预检站点标识、动作标识、设定人标识和设定时间等。根据产品标识、路径标识和预检站点标识可以对定位要检测晶圆的预检站点，对检测到有破片风险的晶圆进行标记。动作标识、设定人标识和设定时间用于记载检测参数设定的相关信息，便于后期运维。

具体地，系统根据检测参数在晶圆制备过程中，自动进行检测，并及时记录检测状态，对于有破片风险的晶圆在检测参数中进行标记。

在一个实施例中，在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备，包括：根据制备过程信息，检测晶圆是否在预检站点加工过，若晶圆未在该预检站点加工过，则判断晶圆具备破片风险；该方法还包括：对于标记具备破片风险的晶圆，发送预警信息至归属部门终端。

具体地，确定预检站点后，执行晶圆检测操作即检测当前晶圆是否在预检站点加工过，若检测得到当前晶圆在预检站点加工过，则表示该晶圆可以继续执行后续制备工艺，若检测到当前晶圆没有在预检站点加工过，则表示该晶圆可能会有破片风险，进行标记。对于标记具备破片风险的晶圆，系统发送预警信息至归属部门终端进行告警。

在一个实施例中，该方法还包括：对于没有在预检站点加工过仍在目标站点加工制备工艺的晶圆，调整晶圆的制程参数，用于适应该晶圆的制备；其中，目标站点为制备过程中，在预检站点后加工的站点。

其中，晶圆的制程参数就是晶圆在制备时的设备参数集，包括产品标识、制备时间、制备温度等。根据不同的晶圆制备要求，设置不同的制程参数。对于没有在预检站点加工过的晶圆，虽然标记了风险，但经过风险排查后可能仍然会需要执行后续制备工艺，需要及时调整制程参数。

具体地，对于检测中没有查询到在预检站点对应的过货记录，有可能是工作人员手动跳站至RTP制备工艺站点。对于此类晶圆，在检测标记风险后，标记了风险的晶圆会暂停制备，等待工作人员排查风险。若经过风险排查确认该晶圆确实有退火工艺需求，可以与负责该站点制程工艺的工程师确认，对该晶圆特有结构专门优化制程参数，使制程参数对其可用。

图2所示为一个实施例中晶圆制备工艺中温度控制示意图，如图2所示，在一个实施例中，该方法还包括：晶圆在加工时，通过远程温度控制器控制退火温度。

其中，远程温度控制器，也称RTC（Remote Temperature Controller）。对于晶圆制备过程不同的薄膜堆叠，根据制程工艺的不同，需对应不同的RTC对其进行各个区域的均匀加热。若RTC不合适，可能使加热灯电压不稳定而造成加热过程中温度出现大幅度波动，甚至无法使晶圆内外圈温度稳定均匀。

本实施例通过远程温度控制器控制晶圆退火时的温度，使得晶圆在加热过程中可以均匀受热，且精准控温。在RTC的温度探测器检测到晶圆内外圈温差时，也会触发跳片警报，表示此时受热不均匀或者出现异常。包括以下步骤：

步骤202：在加热设备中设置温度探测器。

在加热设备中，晶圆可以通过旋转组件承托，该旋转组件在加热设备加热过程中高速旋转使其均匀受热。在加热设备的腔室固定设置温度探测器，温度探测器可以设置七根，可以覆盖晶圆半径的内圈到外圈。

步骤204：分别获取温度探测器的温度和制程参数的温度，将获取的温度发送至远程温度控制器。

步骤206：温度控制器输出控制温度至驱动器。

根据晶圆的制程参数获取制备过程中需要的温度，结合RTC获取的温度探测器的温度，输出控制温度至驱动器，用于温度的控制。

步骤208：根据驱动器输出的电压控制加热设备。

驱动器实现对加热设备的温度控制。以加热设备使用发热管加热为例，驱动器根据RTC输出的控制温度，输出电压驱动加热管，实现对加热设备的控制。

加热设备的温度控制是一个循环的过程，温度探测器实时检测加热设备的温度并回传至RTC，RTC根据实时温度和制程参数的温度需求，实时调整温度的控制。

进一步的，在对加热设备进行温度控制时，还需要根据温度探测器获取加热设备的温度曲线，保证温度曲线在预热阶段收敛，若温度曲线在预热阶段发散则需要重新调整开环控制。

图3所示为一个实施例中加热设备的温度控制方法示意图。如图3所示，包括以下步骤：

步骤302：选择远程温度控制器；

根据晶圆制备的工艺以及制程参数中的温度范围，选择对应的远程温度控制器。使用温度控制器进行温度控制，温度控制器与加热设备连接有温度探测器，用于获取加工过程中晶圆的温度，根据温度探测器获取的温度数据绘制温度曲线，判断温度曲线是否收敛。

步骤304：获取的温度发散。

若通过温度探测器获取的温度发散，则执行步骤308开环调温。

步骤306：获取的温度收敛。

若通过温度探测器获取的温度收敛，则执行步骤310闭环控温。

步骤308：开环调温。

当晶圆在加热设备中开始制备时，晶圆是常温状态。需要通过RTC根据制程参数的温度进行温度控制。在开环调温时，根据不同膜层架构的晶圆通过RTC调整发热管外圈各区域的电压，使晶圆均匀升温至闭环温度。

如果开环调温过程中晶圆受内外圈加热并不均，或者由于不合适的开环调温终点导致闭环控温阶段刚开始，RTC对于某一区域晶圆的温度过度补偿，会导致晶圆异常翘曲。此时，由于晶圆内外圈受热不均可以被温度探测器监测到，可以观察到温度探测器的温度曲线呈现发散状态。当温度探测器达到一定温差，就会触发跳片警报，说明此时内外圈加热不均匀，或是已经导致晶圆翘曲抖动甚至破片漏光。由于晶圆在加热过程中高速旋转，翘曲和破裂都会导致旋转不稳定，晶圆可能会抖动甚至被甩出。

当检测到温度探测器的温度曲线发散时，重新控制开环调温，直至温度探测器的温度曲线收敛。

步骤310：闭环控温。

合适的加热调温可以使晶圆内外圈检测到的温度曲线呈现收敛状态，说明晶圆内外圈受热均匀。加热设备对晶圆均匀升温至闭环温度。

本实施例公开晶圆退火时的温度控制方法，通过远程温度控制器的设置，可以实现对加热设备的精准控温，使得在退火时晶圆的内外圈受热稳定均匀，预防产品破片。

图4为另一个实施例中晶圆检测方法的流程图；如图4所示，在一个实施例中，晶圆检测方法包括以下步骤：

步骤402：确定预检站点和目标站点。

在晶圆制程工艺中，晶圆经过前道工序，生成多个薄膜层。根据晶圆制程工艺确定预检站点和目标站点。

其中，预检站点用于金属钴沉积。目标站点都处于后道工艺中，确定的目标站点用于执行金属前介电层BPSG的再流动，以利于后续CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）的平坦化制程。或者，目标站点也可以执行接触通孔的阻挡层MOCVD工艺氮化钛的退火，以降低接触电阻。

在0.18μm-65nm的工艺技术中，都使用了Co-Salicide（硅化钴）工艺，在晶圆制备的多晶硅栅和有源区形成Co-Salicide，降低晶圆的方块电阻和接触电阻，降低RC延时。

具体地，Co-Salicide利用物理气相沉积在多晶硅栅和有源区沉积一层金属钴，然后进行两次快速热退火处理以及一次选择性湿法蚀刻处理，最终在多晶硅栅和有源区同时形成Co-Salicide。

前道工艺通过Co-Salicide连接到金属层。因此，可以发现，用于金属钴沉积的站点为通用站点，将该站点作为预检站点进行检测，可以确保晶圆在该站点时经过了前道工艺并拥有大体相似的正常的薄膜堆栈。

步骤404：设定检测参数，检测晶圆是否在预检站点加工过，若加工过则继续在目标站点加工。

其中，检测参数包括产品标识、路径标识、预检站点标识、目标站点标识、动作标识、设定人标识和设定时间。例如，产品标识用于表示需要检测晶圆的产品ID，可以通过通配符设置。路径标识用于表示需要检测晶圆的路径ID，也可以通过通配符设置。目标站点标识用于定位目标站点，预检站点用于定位需要检测的在目标站点之前的前层站点，目标站点和预检站点均需要设置完整的目标站点的站点名称，此处的站点就是在对应站点执行制备工艺的单元。动作标识用于标记当前设定的检测是否开启。设定人标识用于表示设定人信息。

具体地，工作人员根据确定的预检站点和目标站点设定检测参数。接着根据检测参数，系统检测晶圆是否在预检站点加工过。若检测到晶圆在预检站点加工过，则控制继续在目标站点加工。

在目标站点执行制备工艺时，通过远程温度控制器对加热设备的温度进行精准控制。其中，在通过远程温度控制器进行温控时，可以通过设置多个温度探测器，覆盖晶圆的所有区域，保证晶圆在加热设备中可以均匀受热。

步骤406：若检测到晶圆没有在预检站点加工过，标记破片风险并提醒工作人员。

若检测到晶圆没有在预检站点加工过，对该晶圆标记破片风险，例如生产标记代码，表示晶圆未通过预检站点。同时，将破片风险发送至终端进行风险预警，提醒工作人员进行排查。

本实施例在晶圆进入RTP设备生产之前，对有破片风险的晶圆提前对工作人员进行风险预警，从源头减少因为制备过程中的跳站，导致因为在前道工序中的步骤缺失产生的破片。

步骤408：排查破片风险标记，如需继续在目标站点进行加工，调整制程参数。

接收到破片风险预警后，工作人员进行风险排查，对于人为跳站且确有退火需求的，可以提前与对应的工作人员沟通，为该晶圆特有结构专门优化制程参数。

此外，对于在制备过程中，薄膜堆叠有异于正常产品的晶圆，被人为跳站时可以尽量避免跳站至RTP制程工艺的站点。

上述实施例晶圆检测方法，为了减少因人为甄别失误导致缺少前道工序的晶圆被人为跳站至目标站点，预先选定出一个对于大部分产品通用的制程工艺站点作为预检站点，通过对预检站点检测自动判断晶圆是否有破片风险，提前对工作人员进行风险预警，并且对其他正常制备的产品没有影响，降低工作人员的维护成本和晶圆的生产成本。本实施例检测方法简单，易于实现，使用本实施例的检测方法，还可以提升晶圆生产的产能，提高检测效率和良品率。

应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的晶圆检测方法的晶圆检测装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个晶圆检测装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于晶圆检测方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，如图5所示，提供了一种晶圆检测装置，包括：预检站点确定单元502和检测单元504，其中：

预检站点确定单元502，用于根据晶圆制备过程，确定预检站点；

检测单元504，用于在预检站点检测晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆；若没有破片风险，继续进行晶圆的制备。

上述实施例中的晶圆检测装置，通过预检站点确定单元502根据晶圆制备过程选择具有通用制程工艺的站点作为预检站点，根据确定的预检站点设置检测参数，在检测单元504根据检测参数检测处于目标站点的晶圆是否在预检站点加工过，如果晶圆没有在预检站点加工过，则表示当前晶圆有破片风险，标记风险后发送告警信息至终端提醒工作人员。如果晶圆在预检站点加工过，则表示当前晶圆没有破片风险，可以继续在目标站点继续执行制备工艺。本实施例的晶圆检测装置，有效提高晶圆制备的良品率，降低生成成本。自动检测后的预警设置，减少工作人员的维护时间，降低运维成本。

上述晶圆检测装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种晶圆检测设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本发明任一项实施例所述的晶圆检测方法的步骤。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本发明任一项实施例所述的晶圆检测方法的步骤。

在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现本发明任一项实施例所述的晶圆检测方法的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本发明实施例所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）等。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明实施例的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明实施例构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明实施例的保护范围。因此，本发明实施例专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述方法包括：

根据晶圆制备过程，确定预检站点，所述预检站点设置在晶圆制备的快速热处理制程工艺之前，所述预检站点为所述制备过程中执行通用制备工艺的制备站点；

在所述预检站点检测所述晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆，包括：根据所述制备过程信息，检测所述晶圆是否在所述预检站点加工过，若所述晶圆未在所述预检站点加工过，则判断所述晶圆具备破片风险；若没有破片风险，继续进行所述晶圆的制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述制备过程中选择执行通用制备工艺的制备站点，将所述站点作为预检站点，包括：

设置沉积金属层的站点作为所述预检站点。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据晶圆制备过程，确定预检站点，还包括：

确定所述预检站点后，根据所述预检站点设定检测参数。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对于标记具备破片风险的所述晶圆，发送预警信息至归属部门终端。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对于没有在所述预检站点加工过仍在目标站点加工的所述晶圆，调整所述晶圆的制程参数，用于适应所述晶圆的制备；

其中，所述目标站点为所述制备过程中，在所述预检站点后加工的站点。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述晶圆在加工时，通过远程温度控制器控制退火温度。

7.一种晶圆检测装置，其特征在于，所述装置包括：

预检站点确定单元，用于根据晶圆制备过程，确定预检站点，所述预检站点设置在晶圆制备的快速热处理制程工艺之前，所述预检站点为所述制备过程中执行通用制备工艺的制备站点；

检测单元，用于在所述预检站点检测所述晶圆是否有破片风险，若有破片风险，标记当前晶圆，包括：根据所述制备过程信息，检测所述晶圆是否在所述预检站点加工过，若所述晶圆未在所述预检站点加工过，则判断所述晶圆具备破片风险；若没有破片风险，继续进行所述晶圆的制备。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述预检站点确定单元还用于将设置沉积金属层的站点作为所述预检站点。

9.一种晶圆检测设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。

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