CN115574744A - 对中校准装置及对中校准方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种对中校准装置及对中校准方法,对中校准装置包括重锤组件、激光发射器、分光组件及调节组件,重锤组件设置于提拉轴,且重锤组件的重锤线与提拉轴的轴线平行;激光发射器设置于重锤组件的底部用于发射激光,且激光的光轴与重锤线共线;分光组件设置于坩埚内,分光组件包括至少两个分光镜,分光镜用于将激光反射至坩埚内壁上;调节组件用于调节提拉轴水平移动。本发明提供的对中校准装置,通过设置两个分光镜,将激光发射器发出的激光分成两束光线,并将这两束光线反射到坩埚内壁上形成两个激光点,根据计算出的这两个激光点与激光光轴之间的水平距离来判断提拉轴的轴线是否与坩埚的轴线共线,从而提高提拉轴对中校准的可靠性。

Description

对中校准装置及对中校准方法
技术领域
本发明涉及晶体生长技术领域,特别是涉及对中校准装置及对中校准方法。
背景技术
目前,使用晶体生长炉生长晶体的通常做法是:将籽晶与坩埚中的用于生长晶体的熔融液接触,在籽晶与熔融液的固液界面生长晶体。如果籽晶和坩埚的转动轴不共线,那么在坩埚旋转过程中,坩埚中的熔融液会使晶棒晃动,使晶体生长的固液界面发生偏移,破坏晶体生长的环境,导致晶体生长质量降低。为了保证籽晶的转动轴与坩埚的转动轴共线,目前的通常做法是使籽晶的轴线与用于携带和提拉籽晶的提拉轴的轴线共线,且使提拉轴的轴线与坩埚的轴线共线。
目前,现有技术调整提拉轴轴线与坩埚轴线共线的做法是:在坩埚支架的中心位置放置一个水平刻度盘,悬挂一个重锤并使重锤的轴线与提拉轴的轴线共线,用人眼从CCD摄像机的窗口中观测重锤是否在刻度盘的中心处,来加以判定提拉轴的轴线和坩埚的轴线是否共线。但这种调整方法可靠性不高、调整精度低。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种对中校准装置及对中校准方法,以提高提拉轴对中校准的可靠性。
本发明提供的对中校准装置,用于晶体生长炉,晶体生长炉包括坩埚和竖直设置的提拉轴,对中校准装置用于将提拉轴的轴线与坩埚的轴线共线,对中校准装置包括重锤组件、激光发射器、分光组件及调节组件,重锤组件设置于提拉轴,且重锤组件的重锤线与提拉轴的轴线平行;激光发射器设置于重锤组件的底部用于发射激光,且激光的光轴与重锤线共线;分光组件设置于坩埚内,分光组件包括至少两个分光镜,分光镜用于将激光反射至坩埚内壁上;调节组件用于调节提拉轴水平移动。
在其中一个实施例中,重锤组件的重锤线与提拉轴的轴线共线。
在其中一个实施例中,分光组件包括第一分光镜和第二分光镜,第一分光镜用于将激光分成第一反射光线和折射进入第二分光镜的折射光线,第二分光镜用于将折射光线反射成第二反射光线。
在其中一个实施例中,第一分光镜与水平面之间的夹角为α,满足:0°<α<90°;第二分光镜与水平面之间的夹角为γ,满足:0°<γ<90°。
在其中一个实施例中,分光组件还包括第一安装座,第二分光镜设于第一安装座。
在其中一个实施例中,重锤组件包括牵引线及重锤,牵引线的一端固设于提拉轴,另一端固设于重锤,激光发射器设于重锤,且发射方向朝向分光组件。
在其中一个实施例中,调节组件包括第二安装座和调节件,第二安装座固设于晶体生长炉,调节件活动连接于第二安装座,调节件的数量至少为3个,调节件以提拉轴的轴线为中心环绕分布,调节件水平设置,调节件的轴线朝向提拉轴。
本发明还提供一种对中校准方法,该对中校准方法包括步骤:
激光发射器发射激光至分光组件,并获得至少两个激光打在坩埚内壁上的激光点;
获得各激光点与激光光轴之间的距离,并判断各激光点与激光光轴之间的距离是否相等且均等于坩埚的半径R;
若各激光点与激光光轴之间的距离不等,则调整提拉轴,并执行获得各激光点与激光光轴之间的距离,并判断各激光点与激光光轴之间的距离是否相等且均等于坩埚的半径R的步骤;若各激光点与激光光轴之间的距离相等且均等于R,则完成校准。
在其中一个实施例中,在激光发射器发射激光至分光组件,并获得至少两个激光打在坩埚内壁上的激光点的步骤中,还包括步骤:
获取位于坩埚中过坩埚轴线的纵截面上的两个激光点,并获知两个激光点对应的分光镜的位置,设定其中一个分光镜为第一分光镜,且第一分光镜对应的激光点与激光光轴的距离为R1,另一个分光镜为第二分光镜,第二分光镜对应的激光点与激光光轴的距离为R2
测量第一分光镜上激光入射点距离坩埚底壁的距离h1;以及第一分光镜对应的激光点与坩埚底壁的距离H1;测量第二分光镜上激光入射点距离坩埚底壁的距离h2;以及第二分光镜对应的激光点与坩埚底壁的距离H2
藉由公式R1=(H1-h1)/tan(90°-2α),计算R1,公式R2=(H2-h2)/tan(90°-2γ),计算R2;其中,α,γ分别为第一分光镜与水平面之间的夹角、第二分光镜与水平面之间的夹角。
在其中一个实施例中,当R1不等于R2时,沿着坩埚的径向方向调节提拉轴朝向R1和R2中的较大者所对应的激光点移动,且移动距离为|R1-R2|/2。
本发明至少具有以下有益效果:
本发明提供的对中校准装置,通过设置两个分光镜,将激光发射器发出的激光分成两束光线,并将这两束光线反射到坩埚内壁上形成两个激光点,根据计算出的这两个激光点与激光光轴之间的水平距离来判断提拉轴的轴线是否与坩埚的轴线共线,从而提高提拉轴对中校准的可靠性。
附图说明
图1为本发明一个实施例的对中校准装置安装于晶体生长炉后的局部剖视图;
图2为图1所示实施例中的部分结构的结构示意图;
图3为图1所示实施例中的光的传播路径示意图;
图4为本发明一个实施例的对中校准方法的流程示意图。
附图标记:
10、坩埚;20、籽晶组件;21、调节端;30、对中校准装置;31、重锤组件;311、牵引线;312、重锤;32、分光组件;321、第一分光镜;322、第二分光镜;323、第一安装座;324、第一连接件;325、第二连接件;326、第三连接件;327、第四连接件;33、调节组件;331、调节件;332、第二安装座;40、主炉室;50、副炉室;61、激光;62、第一反射光线;63、折射光线;64、第二反射光线。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
参阅图1,本发明提供一种对中校准装置30,用于晶体生长炉,晶体生长炉包括坩埚10和提拉轴(图中未示出),本发明提供的对中校准装置30用于调节提拉轴的水平位置,使提拉轴的轴线与坩埚10的轴线共线,从而使得在生长晶体的过程中,提拉轴的旋转轴线与坩埚10的旋转轴线共线,保证晶体生长过程中,晶棒位于坩埚10的轴线位置居中生长,从而保证晶体的生长质量。
本发明提供的对中校准装置30可以用于多种晶体生长炉,请参阅图1,其中一种晶体生长炉包括主炉室40、副炉室50和籽晶组件20,副炉室50固定连接于主炉室40的上部,籽晶组件20穿设于副炉室50。籽晶组件20包括调节端21和提拉轴,调节端21露出副炉室50上端,且可以移动;提拉轴的上端固定安装于调节端21,提拉轴穿设于副炉室50且提拉轴携带籽晶的一端伸入主炉室40。调节端21移动时,提拉轴随之一起移动。对中校准装置30可以通过调整调节端21的水平位置来调整提拉轴的水平位置。坩埚10位于主炉室40内。
在一些实施例中,本发明提供的对中校准装置30包括固定组件,当对中校准装置30调节提拉轴的水平位置至提拉轴轴线与坩埚10轴线共线,固定组件便将调节端21固定。
可以理解,晶体生长炉的提拉轴可以是软轴,比如提拉绳,也可以是硬轴,比如提拉杆。
参阅图1,本发明提供的对中校准装置30包括激光发射器(图中未示出)、分光组件32及调节组件33。调节组件33连接于副炉室50上端,用于调节提拉轴水平移动。分光组件32安装于主炉室40内,激光发射器可以通过居中组件连接于提拉轴下端中心。激光发射器发出一束竖直向下的激光61,这束激光61经过分光组件32后会分成两束光线,这两束光线最终都会反射到坩埚10内壁形成两个激光点。
本发明提供的对中校准方法中提供了两个激光点分别到激光61光轴的距离的计算公式,在测量得到计算公式中的物理量的数值后,可以根据计算公式来计算这两个激光点到激光61光轴的距离。通过比较这两个距离与坩埚10半径之间的关系,可以判断提拉轴轴线是否与坩埚10轴线共线,若提拉轴轴线与坩埚10轴线共线,则对中校准完成,若提拉轴轴线与坩埚10轴线不共线,则通过调节组件33来调节提拉轴的水平位置,使提拉轴的轴线靠近坩埚10的轴线,直至提拉轴的轴线与坩埚10的轴线共线。
参阅图2,为了便于实现激光发射器发出竖直向下的激光61,对中校准装置30还包括重锤组件31,重锤组件31连接于提拉轴下端中心,利用重锤组件31可以得到一条重锤线,重锤组件31的重锤线与提拉轴的轴线共线。激光发射器设置于重锤组件31的底部,且激光发射器发出的激光61的光轴与重锤组件31的重锤线共线。由此可以保证激光发射器沿着竖直向下的方向发出激光61。
参阅图2,在一些实施例中,重锤组件31包括牵引线311及重锤312,牵引线311的一端固定连接于提拉轴下端中心,另一端固设于重锤312,重锤312通过牵引线311悬挂于提拉轴,当重锤312静止后,牵引线311沿着竖直方向拉直绷紧,牵引线311轴线便与重锤组件31的重锤线共线。
可以理解,在一些实施例中,提拉轴暂时拆除,牵引线311的一端固定连接于调节端21,牵引线311固定连接于调节端21的连接位置与提拉轴安装于调节端21的安装位置相同。由此,牵引线311拉直绷紧时,牵引线311轴线的水平位置与提拉轴轴线的水平位置相同。对中校准装置30可以通过调整调节端21的水平位置来调整牵引线311的水平位置,当对中校准装置30调节牵引线311的水平位置至牵引线311轴线与坩埚10轴线共线,可以将牵引线311从调节端拆下,将提拉轴重新安装于调节端。由此,重新安装的提拉轴的轴线与坩埚10轴线共线。
在一些实施例中,重锤312呈圆锥形,牵引线311固定于重锤312上端面的中心位置,激光发射器固定安装于重锤312底部中央且激光发射器竖直设置。由此,当处于悬挂状态的重锤312静止后,牵引线311轴线与重锤组件31的重锤线共线,激光发射器发出的激光61竖直向下。当然,在另一些实施例中,重锤312也可以是类似于陀螺的结构。
参阅图3,在一些实施例中,为了可以将激光发射器发出的入射光线分成两束光线,分光组件32包括第一分光镜321和第二分光镜322,激光发射器发出的激光61经过第一分光镜321后,第一分光镜321会通过反射和折射将激光61分成两束光线,第一分光镜321所折射的光线到达第二分光镜322后,第二分光镜322将该光线反射,为方便叙述,将第一分光镜321通过反射分出的光线定义为第一反射光线62,将第一分光镜321通过折射分出的光线定义为折射光线63,将第二分光镜322反射的光线定义为第二反射光线64。
进一步的,参阅图3,在一些实施例中,第一分光镜321可以为平板分光镜。由此,可以保证折射光线63与激光61平行。
进一步的,在一些实施例中,第一分光镜321可以为平板分光镜,且第一分光镜321很薄。由此,可以缩小折射光线63光轴所在的直线与激光61光轴所在的直线之间的距离。
进一步的,在一些实施例中,第一分光镜321的表面或内部镀有可以减小第一分光镜321的折射率的涂层,第一分光镜321镀涂层后,第一分光镜321的折射率减小。由此,也可以缩小折射光线63光轴所在的直线与激光61光轴所在的直线之间的距离。
进一步的,在一些实施例中,第一分光镜321可以为平板分光镜且第一分光镜321很薄,第一分光镜321的表面或内部镀有可以减小第一分光镜321的折射率的涂层。由此,可以大幅缩小折射光线63光轴所在的直线与激光61光轴所在的直线之间的距离。在实际的对中校准过程中,可以根据实际情况定一个许可误差,在许可误差允许范围内,当折射光线63光轴所在的直线与激光61光轴所在的直线之间的距离很小时,可以将折射光线63光轴与激光61光轴之间的位置关系视为共线,从而使得在对中校准过程中只需要用简单的计算公式来进行计算,缩短计算时间,提高对中校准的效率。
参阅图3,在一些实施例中,为了可以使第一分光镜321将入射光线反射到坩埚10内壁,使第二分光镜322将折射光线63反射到坩埚10内壁,第一分光镜321和第二分光镜322倾斜设置。
优选的,参阅图3,在一些实施例中,第一分光镜321与水平面之间的夹角为α,α满足:0°<α<90°;第二分光镜322与水平面之间的夹角为γ,γ满足:0°<γ<90°。
在一些实施例中,为了保证第一分光镜321折射的折射光线63到达第二分光镜322,第二分光镜322位于第一分光镜321下方。
值得一说的是,在另一些实施例中,分光组件32包括多个分光镜,多个分光镜之间层叠设置,使得激光61能够通过上层的分光镜逐步传递到相邻的下层分光镜上,以在坩埚10内壁上可以形成多个激光点。位于最下层的分光镜可以为反光镜,也可以为具有分光功能的分光镜。在这些实施例中,分光镜的个数可以是2个,3个或4个等,在此不再一一赘述。
参阅图3,在一些实施例中,为了便于安装第二分光镜322,分光组件32还包括第一安装座323,第二分光镜322设于第一安装座323。
参阅图3,在一些实施例中,为了便于安装第一分光镜321,分光组件32还包括第一连接件324、第二连接件325、第三连接件326和第四连接件327,第一连接件324的一端固定连接于第二连接件325的一端,第一连接件324的另一端和第二连接件325的另一端分别固定连接于第二分光镜322的两端,由此,第一连接件324、第二连接件325和第二分光镜322形成了稳定的三角结构;第三连接件326的一端固定连接于第四连接件327的一端,第三连接件326的另一端和第四连接件327的另一端分别固定连接于第一分光镜321的两端,由此,第三连接件326、第四连接件327和第一分光镜321也形成了稳定的三角结构。而且,第三连接件326和第四连接件327均与第二连接件325固定连接,由此,两个稳定的三角结构固定连接在一起,从而确保第一分光镜321和第二分光镜322在安装好之后位置稳定。
需要说明的是,激光61在分光组件32中的传播路径不会经过第一连接件324、第二连接件325、第三连接件326和第四连接件327,第一连接件324、第二连接件325、第三连接件326和第四连接件327在连接第一分光镜321和第二分光镜322的同时,不会妨碍光线在分光组件32中的传播。
参阅图2,在一些实施例中,调节组件33包括第二安装座332和调节件331,第二安装座332固设于副炉室50的上端面,调节件331活动连接于第二安装座332,移动调节件331使调节件331推动提拉轴移动,从而调节提拉轴的水平位置。
参阅图2,在一些实施例中,为了保证提拉轴处于任意水平位置时都能够完成对中校准,调节件331的数量至少为3个,调节件331以提拉轴的轴线为中心环绕分布,调节件331水平设置,调节件331的轴线朝向提拉轴。在移动调节件331时,调节件331沿着自身的轴线移动,从而推动提拉轴或与提拉轴分离。需要说明的是,调节件331与提拉轴分离是为了允许其他调节件331推动提拉轴,使提拉轴朝向该调节件331移动。
优选的,参阅图2,在一些实施例中,调节件331以提拉轴的轴线为中心呈圆周阵列分布。
在一些实施例中,调节件331的外周面设置有外螺纹,第二安装座332上开设有螺纹通孔,调节件331与第二安装座332螺纹连接,当通过本发明所提供的对中校准方法获知提拉轴实际所处的水平位置后,可以通过拧调节件331,使调节件331推动提拉轴或与提拉轴分离,从而进行对中校准。
进一步的,在一些实施例中,为节约成本,调节件331可以采用螺纹连接件,比如螺钉或螺栓。
可以理解,上述各种实施例中,重锤组件31的重锤线与提拉轴的轴线共线,激光发射器沿着提拉轴轴线所在的重锤线竖直向下发射激光61。而在其他的实施例中,重锤组件31的重锤线与提拉轴轴线之间的位置关系也可以是除了共线之外的平行关系,具体的,在其中一些实施例中,牵引线311的一端固定连接于调节端21,另一端固设于重锤312,牵引线311固定连接于调节端21的连接位置与提拉轴安装于调节端21的安装位置不相同,重锤312通过牵引线311悬挂于提拉轴,当重锤312静止后,牵引线311沿着竖直方向拉直绷紧,牵引线311轴线便与提拉轴轴线平行。
值得一说的是,在一些实施例中,提拉轴是软轴。在这些实施例中,提拉轴暂时卷起,以避免提拉轴干涉对中校准的过程。具体的,在这些实施例中,提拉轴暂时卷起,牵引线311的一端固定连接于调节端21,当牵引线311拉直绷紧时,牵引线311轴线与提拉轴拉直绷紧时的轴线平行。
参阅图4,本发明还提供一种对中校准方法,该对中校准方法包括步骤:
S100.激光发射器发射激光61至分光组件32,并获得至少两个激光61打在坩埚10内壁上的激光点;
S200.获得各激光点与激光61光轴之间的距离,并判断各激光点与激光61光轴之间的距离是否相等且均等于坩埚10的半径R;
S300.若各激光点与激光61光轴之间的距离不等,则调整提拉轴,并执行步骤S200;若各激光点与激光61光轴之间的距离相等且均等于R,则完成校准。
进一步的,在一些实施例中,在步骤S100中,还包括步骤:
获取位于坩埚10中过坩埚10轴线的纵截面上的两个激光点,并获知两个激光点对应的分光镜的位置,设定其中一个分光镜为第一分光镜321,且第一分光镜321对应的激光点与激光61光轴的距离为R1,另一个分光镜为第二分光镜322,第二分光镜322对应的激光点与激光61光轴的距离为R2
测量第一分光镜321上激光61入射点距离坩埚10底壁的距离h1;以及第一分光镜321对应的激光点与坩埚10底壁的距离H1;测量第二分光镜322上激光61入射点距离坩埚10底壁的距离h2;以及第二分光镜322对应的激光点与坩埚10底壁的距离H2
藉由公式R1=(H1-h1)/tan(90°-2α),计算R1,公式R2=(H2-h2)/tan(90°-2γ),计算R2;其中,α,γ分别为第一分光镜321与水平面之间的夹角、第二分光镜322与水平面之间的夹角。
进一步的,在一些实施例中,在步骤S300中,调整提拉轴的具体做法是:当R1不等于R2时,沿着坩埚10的径向方向调节提拉轴朝向R1和R2中的较大者所对应的激光点移动,且移动距离为|R1-R2|/2。其中,|R1-R2|/2的含义为R1和R2之差的绝对值的一半。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种对中校准装置,用于晶体生长炉,所述晶体生长炉包括坩埚(10)和竖直设置的提拉轴,所述对中校准装置用于将所述提拉轴的轴线与所述坩埚(10)的轴线共线,其特征在于,所述对中校准装置包括:
重锤组件(31),设置于所述提拉轴,且所述重锤组件(31)的重锤线与所述提拉轴的轴线平行;
激光发射器,设置于所述重锤组件(31)的底部用于发射激光(61),且所述激光(61)的光轴与所述重锤线共线;
分光组件(32),设置于所述坩埚(10)内,所述分光组件(32)包括至少两个分光镜,所述分光镜用于将所述激光(61)反射至所述坩埚(10)内壁上;以及
调节组件(33),用于调节所述提拉轴水平移动。
2.根据权利要求1所述的对中校准装置,其特征在于,所述重锤组件(31)的所述重锤线与所述提拉轴的轴线共线。
3.根据权利要求2所述的对中校准装置,其特征在于,所述分光组件(32)包括第一分光镜(321)和第二分光镜(322),所述第一分光镜(321)用于将激光(61)分成第一反射光线(62)和折射进入第二分光镜(322)的折射光线(63),所述第二分光镜(322)用于将所述折射光线(63)反射成第二反射光线(64)。
4.根据权利要求3所述的对中校准装置,其特征在于,所述第一分光镜(321)与水平面之间的夹角为α,满足:0°<α<90°;所述第二分光镜(322)与水平面之间的夹角为γ,满足:0°<γ<90°。
5.根据权利要求4所述的对中校准装置,其特征在于,所述分光组件(32)还包括第一安装座(323),所述第二分光镜(322)设于所述第一安装座(323)。
6.根据权利要求1所述的对中校准装置,其特征在于,所述重锤组件(31)包括牵引线(311)及重锤(312),所述牵引线(311)的一端固设于所述提拉轴,另一端固设于所述重锤(312),所述激光发射器设于所述重锤(312),且发射方向朝向所述分光组件(32)。
7.根据权利要求1所述的对中校准装置,其特征在于,所述调节组件(33)包括第二安装座(332)和调节件(331),所述第二安装座(332)固设于所述晶体生长炉,所述调节件(331)活动连接于所述第二安装座(332),所述调节件(331)的数量至少为3个,所述调节件(331)以提拉轴的轴线为中心环绕分布,所述调节件(331)水平设置,所述调节件(331)的轴线朝向所述提拉轴。
8.一种对中校准方法,其特征在于,包括步骤:
激光发射器发射激光(61)至分光组件(32),并获得至少两个所述激光(61)打在坩埚(10)内壁上的激光点;
获得各所述激光点与所述激光(61)光轴之间的距离,并判断各所述激光点与所述激光(61)光轴之间的距离是否相等且均等于所述坩埚(10)的半径R;
若各所述激光点与所述激光(61)光轴之间的距离不等,则调整提拉轴,并执行获得各所述激光点与所述激光(61)光轴之间的距离,并判断各所述激光点与所述激光(61)光轴之间的距离是否相等且均等于所述坩埚(10)的半径R的步骤;若各所述激光点与所述激光(61)光轴之间的距离相等且均等于R,则完成校准。
9.根据权利要求8所述的对中校准方法,其特征在于,在激光发射器发射激光(61)至分光组件(32),并获得至少两个所述激光(61)打在坩埚(10)内壁上的激光点的步骤中,还包括步骤:
获取位于所述坩埚(10)中过所述坩埚(10)轴线的纵截面上的两个所述激光点,并获知两个所述激光点对应的分光镜的位置,设定其中一个所述分光镜为第一分光镜(321),且所述第一分光镜(321)对应的所述激光点与所述激光(61)光轴的距离为R1,另一个所述分光镜为第二分光镜(322),所述第二分光镜(322)对应的所述激光点与所述激光(61)光轴的距离为R2
测量所述第一分光镜(321)上所述激光(61)入射点距离所述坩埚(10)底壁的距离h1;以及所述第一分光镜(321)对应的所述激光点与所述坩埚(10)底壁的距离H1;测量所述第二分光镜(322)上所述激光(61)入射点距离所述坩埚(10)底壁的距离h2;以及所述第二分光镜(322)对应的所述激光点与所述坩埚(10)底壁的距离H2
藉由公式R1=(H1-h1)/tan(90°-2α),计算R1,公式R2=(H2-h2)/tan(90°-2γ),计算R2;其中,α,γ分别为所述第一分光镜(321)与水平面之间的夹角、所述第二分光镜(322)与水平面之间的夹角。
10.根据权利要求9所述的对中校准方法,其特征在于,当R1不等于R2时,沿着所述坩埚(10)的径向方向调节所述提拉轴朝向R1和R2中的较大者所对应的激光点移动,且移动距离为|R1-R2|/2。
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Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020043206A1 (en) * 2000-02-01 2002-04-18 Memc Electronic Materials,Inc. Method for controlling growth of a silicon crystal to minimize growth rate and diameter deviations
CN1441091A (zh) * 2002-02-25 2003-09-10 中国科学院福建物质结构研究所 用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法
US20060117585A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Asia Optical Co., Inc. Optical axis adjusting device for use in a laser ruler
CN1829899A (zh) * 2003-07-28 2006-09-06 莱卡地球系统公开股份有限公司 用于检查或校准高精度试件的角相关对准的方法
CN101163942A (zh) * 2005-05-10 2008-04-16 天宝导航有限公司 用于对激光束进行光学校正的方法和设备
WO2011023484A1 (de) * 2009-08-31 2011-03-03 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur optischen distanzmessung sowie verfahren zur justierung einer solchen vorrichtung
CN103628127A (zh) * 2013-11-26 2014-03-12 江苏大学 一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法
US20160122897A1 (en) * 2013-05-27 2016-05-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for producing a silicon ingot having symmetrical grain boundaries
CN109778308A (zh) * 2019-03-05 2019-05-21 山东大学 一种调节激光加热基座晶体生长温度梯度的装置及方法
JP2019138659A (ja) * 2018-02-06 2019-08-22 沖電気工業株式会社 キャリブレーション装置、キャリブレーション方法、制御装置および制御方法
CN110243355A (zh) * 2019-06-11 2019-09-17 中国一冶集团有限公司 一种短距离校准激光铅垂仪的方法
CN110592662A (zh) * 2019-09-25 2019-12-20 上海新昇半导体科技有限公司 热场测量机构及校正方法
CN113755941A (zh) * 2020-06-05 2021-12-07 隆基绿能科技股份有限公司 一种换热装置及单晶炉
CN215404651U (zh) * 2021-01-29 2022-01-04 徐州鑫晶半导体科技有限公司 用于长晶炉的校准组件和长晶炉组件

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020043206A1 (en) * 2000-02-01 2002-04-18 Memc Electronic Materials,Inc. Method for controlling growth of a silicon crystal to minimize growth rate and diameter deviations
CN1441091A (zh) * 2002-02-25 2003-09-10 中国科学院福建物质结构研究所 用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法
CN1829899A (zh) * 2003-07-28 2006-09-06 莱卡地球系统公开股份有限公司 用于检查或校准高精度试件的角相关对准的方法
US20060117585A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Asia Optical Co., Inc. Optical axis adjusting device for use in a laser ruler
CN101163942A (zh) * 2005-05-10 2008-04-16 天宝导航有限公司 用于对激光束进行光学校正的方法和设备
WO2011023484A1 (de) * 2009-08-31 2011-03-03 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur optischen distanzmessung sowie verfahren zur justierung einer solchen vorrichtung
US20160122897A1 (en) * 2013-05-27 2016-05-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for producing a silicon ingot having symmetrical grain boundaries
CN103628127A (zh) * 2013-11-26 2014-03-12 江苏大学 一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法
JP2019138659A (ja) * 2018-02-06 2019-08-22 沖電気工業株式会社 キャリブレーション装置、キャリブレーション方法、制御装置および制御方法
CN109778308A (zh) * 2019-03-05 2019-05-21 山东大学 一种调节激光加热基座晶体生长温度梯度的装置及方法
CN110243355A (zh) * 2019-06-11 2019-09-17 中国一冶集团有限公司 一种短距离校准激光铅垂仪的方法
CN110592662A (zh) * 2019-09-25 2019-12-20 上海新昇半导体科技有限公司 热场测量机构及校正方法
CN113755941A (zh) * 2020-06-05 2021-12-07 隆基绿能科技股份有限公司 一种换热装置及单晶炉
CN215404651U (zh) * 2021-01-29 2022-01-04 徐州鑫晶半导体科技有限公司 用于长晶炉的校准组件和长晶炉组件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘新波;付鲁华;王仲;兰太吉;: "双激光位移传感器组合测头的光轴共线调校法" *

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Publication number Publication date
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