CN115537734B - 成膜装置、成膜方法及蒸发源单元 - Google Patents

成膜装置、成膜方法及蒸发源单元 Download PDF

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Abstract

本发明提供有效地进行监视装置对蒸发源的监视的成膜装置、成膜方法及蒸发源单元。成膜装置具备对在移动方向上相对地移动的基板进行成膜的成膜单元。成膜单元包括：多个蒸发源，分别具有加热部件和独立的材料容器，并包括放出蒸镀物质的第一蒸发源及第二蒸发源；多个监视部件，包括监视来自第一蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第一监视部件及监视来自第二蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第二监视部件；以及抑制板，抑制蒸镀物质从第二蒸发源向第一监视部件的飞散。

Description

成膜装置、成膜方法及蒸发源单元
技术领域
本发明涉及成膜装置、成膜方法及蒸发源单元。
背景技术
在有机EL显示器等的制造中，通过从蒸发源放出的蒸镀物质附着在基板上，在基板上形成薄膜。在专利文献1中公开了使用多个蒸发源进行成膜的技术。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-218623号公报
发明内容
本发明要解决的课题
在使用多个蒸发源进行成膜的情况下，有时对多个蒸发源分别设置监视蒸镀物质的放出状态的成膜速率监视器等监视装置。在该情况下，优选的是，各监视装置监视作为监视对象的蒸发源的状态，而不受作为监视对象的蒸发源之外的蒸发源的影响。
本发明提供一种有效地进行监视装置对蒸发源的监视的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明的一技术方案，提供一种成膜装置，具备对在移动方向上相对地移动的基板进行成膜的成膜单元，其特征在于，
所述成膜单元包括：
多个蒸发源，分别具有加热部件和独立的材料容器，并包括放出蒸镀物质的第一蒸发源及第二蒸发源；
多个监视部件，包括监视来自所述第一蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第一监视部件及监视来自所述第二蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第二监视部件；以及
抑制板，抑制蒸镀物质从所述第二蒸发源向所述第一监视部件的飞散。
另外，根据本发明的另一技术方案，提供一种成膜方法，其特征在于，
该成膜方法具备使用上述成膜装置在基板上成膜的工序。
另外，根据本发明的另一技术方案，提供一种蒸发源单元，用于对在移动方向上相对地移动的基板成膜，其特征在于，
该蒸发源单元具备：
多个蒸发源，分别具有加热部件和独立的材料容器，并包括放出蒸镀物质的第一蒸发源及第二蒸发源；
多个监视部件，包括监视来自所述第一蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第一监视部件及监视来自所述第二蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第二监视部件；以及
抑制板，抑制蒸镀物质从所述第二蒸发源向所述第一监视部件的飞散。
发明的效果
根据本发明，能够有效地进行监视装置对蒸发源的监视。
附图说明
图1是示意性地表示一实施方式的成膜装置的结构的俯视图。
图2是示意性地表示图1的成膜装置的结构的主视图。
图3是示意性地表示成膜单元的结构的立体图。
图4是示意性地表示蒸发源的结构的剖视图。
图5是说明蒸发源和监视装置的配置的图。
图6是示意性地表示一实施方式的成膜单元的结构的俯视图。
图7(A)和(B)是图6的I-I线剖视图，是说明基于成膜单元的成膜动作的图。
图8是说明基板的移动方向的膜厚分布的图。
图9是成膜装置的动作说明图。
图10是成膜装置的动作说明图。
图11(A)是有机EL显示装置的整体图，(B)是表示一个像素的截面构造的图。
附图标记的说明
1：成膜装置、10：成膜单元、12：蒸发源、14：监视装置、20：移动单元、30：支承单元、100：基板、101：掩模。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明实施方式。另外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。虽然在实施方式中记载了多个特征，但这些多个特征并不全部限定于发明所必需的特征，另外，也可以任意地组合多个特征。并且，在附图中，对相同或相应的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[第一实施方式]
[成膜装置的概要]
图1是示意性地表示一实施方式所涉及的成膜装置1的结构的俯视图。图2是示意性地表示图1的成膜装置1的结构的主视图。另外，在各图中，箭头X及Y表示相互正交的水平方向，箭头Z表示垂直方向(铅垂方向)。
成膜装置1是一边使蒸发源相对于基板移动一边进行蒸镀的成膜装置。成膜装置1例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板，并排配置多台而构成其生产线。作为在成膜装置1中进行蒸镀的基板的材质，能够适当选择玻璃、树脂、金属等，优选使用在玻璃上形成有聚酰亚胺等的树脂层的材质。作为蒸镀物质，可使用有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等。成膜装置1能够应用于制造例如显示装置(平板显示器等)、薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜摄像元件)等电子设备、光学构件等的制造装置，特别是能够应用于制造有机EL面板的制造装置。另外，在本实施方式中，成膜装置1对G8H尺寸的玻璃基板(1100mm×2500mm、1250mm×2200mm)进行成膜，但成膜装置1进行成膜的基板的尺寸能够适当设定。
成膜装置1具备成膜单元10(蒸发源单元)、移动单元20、多个支承单元30A及30B(以下，在统称它们的情况下表示为支承单元30，对于它们的构成要素等也同样)。成膜单元10、移动单元20以及支承单元30配置于在使用时维持为真空的腔室45的内部。在本实施方式中，多个支承单元30A及30B在Y方向上分离设置在腔室45内的上部，在其下方设置有成膜单元10及移动单元20。另外，在腔室45中设置有用于进行基板100的搬入、搬出的多个基板搬入口44A及44B。另外，在本实施方式中，“真空”是指被压力比大气压低的气体充满的状态，换言之是指减压状态。
另外，成膜装置1包括向成膜单元10供给电力的电源41、和将成膜单元10及电源41电连接的电连接部42。电连接部42构成为电配线在水平方向上穿过可动的臂的内部，如后所述，能够使来自电源41的电力对在XY方向上移动的成膜单元10供给。
另外，成膜装置1包括控制各构成要素的动作的控制部43。例如，控制部43能够包括以CPU为代表的处理器、RAM、ROM等存储器以及各种接口而构成。例如，控制部43通过将存储于ROM的程序读出到RAM并执行，来实现成膜装置1的各种处理。
[支承单元]
支承单元30支承基板100和掩模101，并且进行它们的位置调整。支承单元30包括基板支承部32、位置调整部34和掩模支承部36。
基板支承部32支承基板100。在本实施方式中，基板支承部32以基板100的长边方向为X方向、基板100的短边方向为Y方向的方式支承基板100。例如，基板支承部32可以通过在多个部位夹持基板100的边缘等来支承基板100，也可以通过利用静电卡盘等吸附基板100来支承基板100。
位置调整部34调整基板100与掩模101的位置关系。在本实施方式中，位置调整部34通过使处于支承基板100的状态的基板支承部32移动，来调整基板100与掩模101的位置关系。然而，也可以通过移动掩模101来调整基板100与掩模101的位置关系。位置调整部34包括固定于腔室45的固定部341、以及支承基板支承部32并相对于固定部341移动的可动部342。可动部342通过相对于固定部341在X方向上移动，从而使被基板支承部32支承的基板100在X方向上移动，并对基板100与掩模101在X方向上的大致的位置关系进行调整。而且，可动部342包括为了进行基板100与掩模101的精密的位置调整(对准)而使支承着的基板支承部32在XY方向上移动的机构。关于对准的具体方法，由于能够采用公知的技术，因此省略详细的说明。另外，可动部342使基板支承部32在Z方向上移动，从而对基板100与掩模101在Z方向上的位置关系进行调整。可动部342能够适当应用齿条和小齿轮机构、滚珠丝杠机构等公知的技术。
掩模支承部36支承掩模101。在本实施方式中，掩模支承部36以使掩模101在腔室45内位于X方向的中央的方式支承掩模101。例如，掩模支承部36也可以通过在多个部位夹持掩模101的边缘等来支承掩模101。
本实施方式的成膜装置1是能够通过多个支承单元30A及30B支承多个基板100A及100B的、所谓的双载置台的成膜装置1。例如，在对支承于支承单元30A的基板100A进行蒸镀的期间，能够进行支承于支承单元30B的基板100和掩模101的对准，能够高效地执行成膜工艺。以下，有时将支承单元30A侧的载置台记为载置台A，将支承单元30B侧的载置台记为载置台B。
另外，在本实施方式中，在成膜时，通过支承单元30成为基板100的大致一半与掩模101重合的状态。因此，在腔室45的内部适当地设置用于抑制在成膜时蒸镀物质附着在基板100的未与掩模101重合的部分的未图示的抑制板。
[移动单元]
移动单元20包括使成膜单元10沿X方向移动的X方向移动部22和使成膜单元10沿Y方向移动的Y方向移动部24。
X方向移动部22作为设于成膜单元10的构成要素包括电动机221、安装于利用电动机221旋转的轴构件的小齿轮222、和引导构件223。另外，X方向移动部22包括支承成膜单元10的框构件224、形成于框构件224的上表面且与小齿轮222啮合的齿条225、和供引导构件223滑动的导轨226。成膜装置10通过利用电动机221的驱动而旋转的小齿轮222与齿条225啮合，沿着导轨226在X方向上移动。
Y方向移动部24包括沿Y方向延伸且在X方向上分离的两个支承构件241A及241B。两个支承构件241A及241B支承X方向移动部22的框构件224的短边。Y方向移动部24包括未图示的电动机以及齿条和小齿轮机构等驱动机构，通过使框构件224相对于两个支承构件241A以及241B沿Y方向移动，来使成膜单元10沿Y方向移动。Y方向移动部24使成膜单元10在被支承单元30A支承的基板100A的下方的位置与被支承单元30B支承的基板100B的下方的位置之间沿Y方向移动。
[成膜单元]
图3是示意性地表示成膜单元10的结构的立体图。成膜单元10包括多个蒸发源12a～12f(以下，将它们统称时表示为蒸发源12，对于它们的构成要素等也同样)、多个监视装置14a～14f(以下，将它们统称时表示为监视装置14，对于它们的构成要素等也同样)、和抑制部16。
一并参照图4。图4是示意性地表示蒸发源12的结构的剖视图。蒸发源12使蒸镀物质蒸发并放出。各蒸发源12包括材料容器121(坩锅)和加热部122。
材料容器121在内部收容蒸镀物质。在材料容器121的上部形成有放出蒸发了的蒸镀物质的放出部1211。在本实施方式中，放出部1211是形成在材料容器121的上表面的开口部，但也可以是筒状的构件等。或者，也可以在材料容器121上设置多个放出部1211。
加热部122对收容在材料容器121内的蒸镀物质进行加热。加热部122以覆盖材料容器121的方式设置。在本实施方式中，作为加热部122使用利用了电热线的护套式加热器，图4示出了护套式加热器的电热线卷绕在材料容器121的周围时的截面。
加热部122对蒸镀物质的加热由控制部43控制。在本实施方式中，多个蒸发源12分别独立地具有材料容器121及加热部122。因此，控制部43能够分别独立地控制多个蒸发源12进行的蒸镀物质的蒸发。
多个监视装置14分别监视来自多个蒸发源12的蒸镀物质的放出状态。在本实施方式中，设置有6个监视装置14a～14f。另外，监视装置14a～14c收容在框体145a中，监视装置14d～14f收容在框体145b中。在框体145a、145b上，为了使从作为监视对象的各蒸发源12放出的蒸镀物质能够到达各监视装置14，适当地设置有用于使蒸镀物质能够进入内部的开口。
本实施方式的监视装置14在壳体141(参照图5)的内部具备水晶振子143(参照图5)作为膜厚传感器。从蒸发源12放出的蒸镀物质经由形成在壳体141上的导入部142(参照图5)导入并附着于水晶振子143。水晶振子143的频率根据蒸镀物质的蒸镀量而变动。因此，控制部43通过监视水晶振子143的振动数，能够计算出蒸镀在基板100上的蒸镀物质的膜厚。由于单位时间内附着在水晶振子143上的蒸镀物的量与来自蒸发源12的蒸镀物质的放出量相关，因此，结果能够监视来自多个蒸发源12的蒸镀物质的放出状态。另外，在本实施方式中，通过利用各监视装置14独立地监视来自各蒸发源12的蒸镀物质的放出状态，能够根据其结果更适当地控制各蒸发源12的各加热部122的输出。由此，能够有效地控制蒸镀在基板100上的蒸镀物质的膜厚。
在本实施方式中，成膜单元10一边通过移动单元20在X方向(移动方向)上移动一边对基板100进行成膜。然而，也能够采用通过相对于移动的基板100固定地配置的蒸发源进行成膜。即，成膜单元10只要能够对在移动方向上相对地移动的基板100进行成膜即可。
抑制部16抑制从多个蒸发源12放出的蒸镀物质向不对应的监视装置14飞散。详细情况后述。
[蒸发源和监视装置的配置]
图5是说明蒸发源12和监视装置14的配置的图。在本实施方式中，蒸发源12a～12c排列在Y方向、即与基板100和成膜单元10的相对的移动方向交叉的基板100的宽度方向上。另外，蒸发源12d～12f在X方向上与蒸发源12a～12c分离的位置上沿Y方向排列。另外，在Y方向上，在多个蒸发源12的外侧设置有多个监视装置14。
在此，着眼于两个蒸发源12a～12b及两个监视装置14a～14b。蒸发源12a～12b沿着Y方向排列，监视装置14a～14b沿着与Y方向交叉的X方向排列。这样，由于蒸发源12a～12b的排列方向与对应的监视装置14a～14b的排列方向交叉，因此能够将它们紧凑地配置。例如，同监视装置14a～14b与蒸发源12a～12b同样地沿Y方向排列、相对于蒸发源12a～12b在X方向上分离配置的情况相比，能够在X方向上紧凑地配置蒸发源12a～12b及监视装置14a～14b。因此，能够抑制腔室45的尺寸在X方向、即成膜单元10的成膜时的移动方向上大型化。另外，即使在腔室45的X方向的尺寸不变的情况下，也能够抑制因成膜单元10在X方向上变大而导致成膜单元10的X方向的移动范围受到限制的情况。另外，在本实施方式中，由于蒸发源12a和监视装置14a在X方向上重叠地配置，因此，能够将它们更紧凑地配置在X方向上。
另外，在本实施方式中，监视装置14a～14b沿成膜单元10的移动方向排列，但排列方向并不限定于此。例如，监视装置14a～14b的排列方向也可以包含Z方向的成分。即，监视装置14a和监视装置14b也可以配置在不同的高度。另外，监视装置14a～14b的排列方向也可以在俯视时不与X方向正交而具有规定的角度。
接着，着眼于三个蒸发源12a～12c以及三个监视装置14a～14c。与蒸发源12a～12b对应的监视装置14a～14b在Y方向上配置在设置蒸发源12a的一侧且比蒸发源12a靠外侧的位置。另外，与蒸发源12c对应的监视装置14c在Y方向上配置在设置蒸发源12c的一侧且比蒸发源12c靠外侧的位置。即，监视装置14a～14c在Y方向上分开配置在蒸发源12a～12c的两外侧。由此，能够在X方向上紧凑地配置监视装置14a～14c。具体而言，与监视装置14a～14c在X方向上排列，且在Y方向上设置在蒸发源12a～12c的外侧的一方的情况等相比，监视装置14a～14c在X方向上紧凑地配置。另外，在本实施方式中，蒸发源12a和监视装置14a在X方向上重叠地配置，且蒸发源12c和监视装置14c在X方向上重叠地配置，因此，监视装置14a～14c在X方向上更紧凑地配置。
在此，在基板100的宽度方向上排列的三个蒸发源12a～12c中的、配置在中央的蒸发源12b也可以被设定成，与两侧的蒸发源12a及12c相比，成膜速率或每单位时间的蒸镀材料的放出量小。由此，能够降低基板100的宽度方向的膜厚的偏差。
接着，着眼于四个蒸发源12a～12b、12e～12f及四个监视装置14a～14b、14e～14f。蒸发源12e～12f在X方向上离开蒸发源12a～12b而设置。并且，与蒸发源12a～12b对应的监视装置14a～14b设置在多个蒸发源12的外侧的一方(+Y侧)。另外，与蒸发源12e～12f对应的监视装置14e～14f设置在多个蒸发源12的外侧的另一方(-Y侧)。这样，在多个蒸发源12在X方向上分离地排列成两列的情况下，通过将与各列蒸发源12对应的监视装置14分开配置在多个蒸发源12的两外侧，能够将多个监视装置14在X方向上紧凑地配置。
另外，在本实施方式中，蒸发源12a～12c和蒸发源12d～12f放出不同的蒸镀物质。由此，能够同时蒸镀两种材料，进行在基板100上形成混合膜的共蒸镀。另外，例如，也可以在通过未图示的挡板遮断蒸镀物质从蒸发源12d～12f向基板100的飞散的状态下进行了基于蒸发源12a～12c的蒸镀之后，在通过未图示的挡板遮断蒸镀物质从蒸发源12a～12c向基板100的飞散的状态下进行基于蒸发源12d～12e的蒸镀。由此，能够利用一个成膜单元10在基板上形成两层薄膜。
[抑制部的结构]
参照图3和图5。抑制部16包括多个板构件161a～161i(以下，在统称它们的情况下记为板构件161，并且对于后述的容许部162也是同样)而构成。板构件161是抑制蒸镀物质从各蒸发源12向不对应的监视装置14飞散的板状的构件。作为一例，板状构件161a抑制蒸镀物质从蒸发源12a向监视装置14a以外的监视装置14(例如，监视装置14b)飞散。通过板构件161，各监视装置14能够在降低了作为监视对象的蒸发源12以外的蒸发源12的影响的状态下，监视来自作为监视对象的蒸发源12的蒸镀物质的放出状态。
在此，着眼于蒸发源12b、监视装置14a以及板构件161f，板构件161f被设置成，抑制蒸镀物质从蒸发源12b向监视装置14a飞散。由此，监视装置14a能够在蒸发源12b的影响降低的状态下监视来自蒸发源12a的蒸镀物质的放出状态。另外，蒸镀物质从蒸发源12c～12f向监视装置14a的飞散也通过其它的板构件161来抑制。例如，蒸镀物质从蒸发源12d向监视装置14a的飞散通过板构件161d来抑制。
另外，在本实施方式中，蒸发源12b在Y方向上配置于比蒸发源12a远离监视装置14b的位置。而且，板构件161f配置在蒸发源12a与蒸发源12b之间。而且，在板构件161f上形成有容许蒸镀物质从蒸发源12b向监视装置14b飞散的容许部162b。在为了抑制蒸镀物质从蒸发源12b向监视装置14a的飞散而设置有板构件161f的情况下，有时也会抑制蒸镀物质从蒸发源12b向监视装置14b的飞散。在本实施方式中，通过在板构件161f上设置容许部162b，蒸镀物质经由容许部162b从蒸发源12b飞散到监视装置14b，因此能够利用监视装置14b监视蒸发源12b。
在本实施方式中，在板构件161f上设置有筒形状部作为容许部162b。详细地说，该筒形状部被设置成包围连结蒸发源12b的放出部1211b与监视装置14b的作为蒸镀物质的附着部的水晶振子143b的假想直线Vb。换言之，筒形状部被设置成，假想直线Vb不通过板构件161f及形成于该板构件161f上的筒形状部的构件自身，而通过筒形状部的内部。由此，从蒸发源12b放出的蒸镀物质的指向性提高，因此蒸镀物质容易到达监视装置14b。因此，监视装置14b能够更准确地监视来自蒸发源12b的膜材料的放出状态。
另外，容许部162b也可以是形成于板构件161f的开口。在该情况下，开口可以形成在包括板构件161f上的假想直线Vb所通过的位置在内的区域。在容许部162b为开口的情况下，由于对板构件161f的加工变得容易，所以能够削减制造成本等。
另外，在此着眼于蒸发源12b以及板构件161f，对容许部162b进行了说明，但同样容许蒸镀物质从蒸发源12a、12c～12f向监视装置14a、14c～14f飞散的容许部162a、162c～162f设置在各板构件161上。而且，在本实施方式中，其它的容许部162a、162c～162f也分别被设置成假想直线Va、Vc～Vf不被任何构件物理地遮挡。
[第二实施方式]
接着，对第二实施方式的成膜装置9进行说明。成膜装置9与第一实施方式的成膜装置1的不同点在于成膜单元的结构。以下，有时对与第一实施方式相同的结构标注相同的附图标记并省略说明。
图6是示意性地表示一实施方式的成膜单元90的结构的俯视图。图7(A)和图7(B)是图6的I-I线剖视图，是说明成膜单元90的成膜动作的图。图7(A)表示后述的单元90B的成膜动作，图7(B)表示后述的单元90A的成膜动作。在本实施方式中，成膜单元90包括7个蒸发源92a～92g(以下，在统称它们的情况下表示为蒸发源92)。多个蒸发源92由蒸发源92a～92c构成一列、蒸发源92d～92e构成一列、蒸发源92f～92g构成一列的三列构成。在本实施方式中，多个蒸发源92针对每列使不同的蒸镀物质蒸发。在本实施方式中，蒸发源92a～92c蒸发Ag，蒸发源92d～92e蒸发Mg，蒸发源92f～92g蒸发LiF。
另外，在本实施方式中，多个监视装置94中的监视装置94a、94c～94g在Y方向上分开地配置在多个蒸发源92的两外侧，但监视装置94b设置在被蒸发源92d～92g包围的区域。因此，通过监视装置94b的配置，抑制成膜单元90在X方向上大型化。另外，着眼于两个蒸发源92a～92b以及两个监视装置94a～94b，蒸发源92a～92b排列在Y方向上，监视装置94a～94b排列在具有X方向成分以及Y方向成分的方向上，这些排列方向交叉。
另外，在本实施方式中，由蒸发源92A～92e构成一个单元90A，由蒸发源92f～92g构成另一个单元90B。在本实施方式中，成膜单元90按照这些单元的每一个进行向基板100的成膜。即，在本实施方式中，单元90A进行Ag和Mg的共蒸镀，单元90B进行LiF的单独蒸镀。另外，成膜单元90使用挡板98A及98B进行这些单元的每一个的成膜。
挡板98A在遮断蒸镀物质从单元90A的蒸发源92A～92e向基板100飞散的遮断位置(图7(A))与容许蒸镀物质从单元90A的蒸发源92A～92e向基板100飞散的容许位置(图7(B))之间位移。另外，挡板98B在遮断蒸镀物质从单元90B的蒸发源92f～92g向基板100飞散的遮断位置(图7(B))与容许蒸镀物质从单元90B的蒸发源92f～92g向基板100飞散的容许位置(图7(A))之间位移。因此，通过在使挡板98A处于容许位置、使挡板98B处于遮断位置的状态下进行成膜，能够进行基于单元90A的蒸发源92A～92e的成膜。另外，通过在使挡板98B处于容许位置、使挡板98A处于遮断位置的状态下进行成膜，能够进行基于单元90B的蒸发源92f～92g的成膜。
[蒸发源的放出方向]
图8是说明基板100的移动方向(X方向)的膜厚分布的图。详细地说，图8表示在通过单元90A进行共蒸镀时的、从各列的蒸发源92放出的蒸镀物质的膜厚分布。图案PT1表示来自蒸发源92的放出部9211的蒸镀物质的放出方向为铅垂向上的情况下的膜厚分布。另外，蒸镀物质能够在一定的范围内扩展地从放出部9211放出，但在此，将放出部9211指向的方向称为放出方向。
在蒸镀物质的放出方向为铅垂向上的情况下，由于蒸发源92a～92c和蒸发源92d～92e在基板100的X方向(移动方向)上分离，因此膜厚分布的X方向的顶点偏移。在该情况下，根据作为基板100和掩模101重合的区域的成膜区域与成膜单元90的移动开始位置及结束位置的关系，有时在基板100的X方向上Ag和Mg的混合比不同地进行成膜。即，存在蒸镀到基板100上的蒸镀物质在X方向上产生偏差的情况。
因此，在本实施方式中，如图案PT2所示，各蒸发源92以蒸镀物质的放出方向倾斜的方式配置。由此，能够使从蒸发源92a～92c放出的蒸镀物质的膜厚分布与从蒸发源92d～92e放出的蒸镀物质的膜厚分布的X方向的顶点一致或接近。由此，能够抑制蒸镀到基板100上的蒸镀物质的X方向(移动方向)的偏差。
在本实施方式中，蒸发源92a～92c被配置成蒸镀物质的放出方向在X方向(移动方向)上朝向蒸发源92d～92e。另外，蒸发源92d～92e被配置成蒸镀物质的放出方向在X方向(移动方向)上朝向蒸发源92a～92c。
另外，在使蒸镀物质的放出方向倾斜时，可以使蒸发源92自身倾斜，也可以采用使放出方向倾斜那样的放出部9211的形状。例如，在放出部9211具有筒状的形状的情况下，也可以以筒的轴向倾斜的方式构成放出部9211。
[成膜工艺]
接着，对使用了成膜装置9的成膜工艺进行说明。图9和图10是成膜工艺中的成膜装置9的动作说明图。
状态ST1示出了作为初始状态的基板100A和基板100B被搬入到成膜装置9内并分别进行与掩模101A和掩模101B的对准的状态。这里，载置台A侧的基板100A处于X方向的+X侧的大致一半的区域被掩模101A覆盖的状态，载置台B侧的基板100B处于X方向的-X侧的大致一半的区域被掩模101B覆盖的状态。另外，成膜单元90位于载置台A侧，且比基板100A与掩模101A重合的区域即成膜区域在X方向上靠-X侧的位置x1。
状态ST2是成膜单元90向X方向的+X侧移动的同时对基板100A进行成膜后的状态。成膜单元90从位置x1移动到比成膜区域在X方向上靠+X侧的位置x2。另外，状态ST3是成膜单元90向X方向的-X侧移动的同时对基板100A进行成膜后的状态。即，在状态ST1～状态ST3变化的期间，成膜单元90利用移动单元20在位置x1与位置x2之间往复一次，同时对基板100A进行成膜。
另外，在此，表示了一次往复的动作，但成膜单元90也可以反复进行往复动作而合计往复两次的同时进行成膜。例如，成膜单元90也可以在X方向上往复一次的同时进行基于单元90B的成膜之后，在X方向上往复一次的同时进行基于单元90A的成膜。在该情况下，由于基于单元90A的成膜进行一次往复，因此，蒸发源92A～92c和蒸发源92d～92e在X方向的位置差的影响降低，能够使附着到基板100A的蒸镀物质即Ag和Mg的混合比一致或接近。
另外，例如，成膜单元90也可以在第一次往复的去路中进行基于单元90B的成膜，在第一次往复的回路和第二次往复中进行基于单元90A的成膜。由此，在想要使Ag以及Mg的混合膜的膜厚比LiF的膜厚厚的情况下，能够确保更多的基于单元90A的成膜的时间。
另外，成膜单元90也可以在成膜装置1沿X方向往复的过程中，在去路中进行基于单元90B的成膜，在回路中进行基于单元90A的成膜。或者，成膜单元90也可以在X方向上往复3次以上的同时进行基于单元90A和单元90B的成膜。总之，在本实施方式中，在基板100A的X方向的+X侧的大致一半的区域被掩模101A覆盖的状态下，进行基于单元90A的成膜和基于单元90B的成膜这两者。
另外，在本实施方式中，在位置x1以及位置x2，成膜单元90被设定成俯视时不与作为基板100A和掩模101A重叠的区域的成膜区域重叠。即，成膜单元90以在俯视时完全通过该成膜区域的方式往复移动。但是，也可以在位置x1和位置x2，成膜单元90的至少一部分被配置成俯视时与该成膜区域重叠。
状态ST4表示成膜单元90从载置台A移动到载置台B的状态。成膜单元90通过移动单元20的Y方向移动部24而沿Y方向(基板100的宽度方向)移动。在此，成膜单元90在Y方向上从载置台A侧的位置y1移动到载置台B侧的位置y2。
状态ST5是成膜单元90向X方向的+X侧移动的同时对基板100B进行成膜后的状态。成膜单元90在X方向上从位置x1移动到位置x2。另外，状态ST5也是基板100A在载置台A上沿X方向移动后的状态。通过支承单元30A的位置调整部34A，基板100A从其+X侧的大致一半被掩模101A覆盖的位置向其-X侧的大致一半被掩模101A覆盖的位置移动。另外，在基板100A的X方向的大致的移动之后，通过使用未图示的照相机等的对准，进行基板100A和掩模101A的精密的位置调整，然后将基板100A和掩模101A重合。
状态ST6是成膜单元90向X方向的-X侧移动的同时对基板100B进行成膜后的状态。即，在状态ST4～状态ST6变化的期间，成膜单元90利用移动单元20在位置x1与位置x2之间往复一次，同时对基板100B进行成膜。另外，与状态ST1～状态ST3变化时同样，成膜单元90也可以在往复2次以上的同时对基板100B进行成膜。
状态ST7表示成膜单元90从载置台B移动到载置台A的状态。在此，成膜单元90在Y方向上从位置y2移动到位置y1。状态ST8是成膜单元90在向X方向的+X侧移动的同时对基板100A进行成膜后的状态，状态ST9是成膜单元90在向X方向的-X侧移动的同时对基板100A进行成膜后的状态。即，在状态ST7～状态ST9变化的期间，成膜单元90在通过移动单元20在位置x1与位置x2之间往复一次的同时，对基板100A进行成膜。另外，成膜单元90能够与状态ST1～状态ST3的变化时同样地进行动作。总之，在本实施方式中，在基板100A的X方向的-X侧的大致一半的区域被掩模101A覆盖的状态下，进行基于单元90A的成膜和基于单元90B的成膜这两者。
另外，状态ST8也是基板100B在载置台B上沿X方向移动后的状态。通过支承单元30B的位置调整部34B，基板100B从其-X侧的大致一半被掩模101B覆盖的位置向其+X侧的大致一半被掩模101B覆盖的位置移动。另外，在基板100B的X方向的大致的移动之后，通过使用未图示的照相机等的对准，进行基板100B和掩模101B的精密的位置调整，然后将基板100B和掩模101B重合。
状态ST10表示成膜单元90从载置台A移动到载置台B的状态。这里的成膜单元90的动作等与从状态ST3向状态ST4的变化相同。状态ST11是成膜单元90在向X方向的+X侧移动的同时对基板100B进行成膜后的状态，状态ST12是成膜单元90在向X方向的-X侧移动的同时对基板100B进行成膜后的状态。即，在状态ST10～状态ST12的变化的期间，成膜单元90在通过移动单元20在位置x1与位置x2之间往复一次的同时，对基板100B进行成膜。另外，成膜单元90能够与状态ST1～状态ST3的变化时同样地进行动作。
另外，状态ST11也是基板100A在载置台A上从成膜装置9被搬出的状态。另外，状态ST12也是基板100A从成膜装置9被搬出后的状态。这样，基板100A在分别对X方向的+X侧的大致一半的区域和X方向的-X侧的大致一半的区域进行成膜之后，被搬出到成膜装置9的外部。
这样，在掩模101与基板100的+X侧的大致一半的区域重合的状态、以及掩模101与基板100的-X侧的大致一半的区域重合的状态中的任一状态下，都进行基于单元90A的成膜以及基于单元90B的成膜。因此，即使对于大型的基板100，也能够通过单元90A和单元90B这两者进行成膜。详细而言，当基板100变得大型化时，由于掩模101的刚度的兼顾，有时无法制作与基板100相同尺寸的掩模101。但是，根据本实施方式，即使在掩模101比基板100小的情况下，也能够在基板100的大致整个区域进行成膜。另外，由于基板100与成膜单元90的相对的移动为直线移动，因此与旋转移动等相比，能够稳定地以恒定的速度进行它们的相对移动，能够对基板100均匀地进行成膜。并且，在本实施方式中，由于成膜单元90移动，因此，即使基板100为大型基板，也能够稳定地进行它们的相对移动。
另外，在本实施方式中，由于在载置台B上进行基于成膜单元90的成膜的期间(状态ST4～状态ST6)，在载置台A上进行基板100A与掩模101A的位置调整，因此，能够高效地进行成膜工艺。另外，载置台A上的基板100A与掩模101A的位置调整也可以在成膜单元90的Y方向的移动时(状态ST4～状态ST5、状态ST6～状态ST7)等进行。
[电子器件的制造方法]
接着，说明电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构和制造方法。在该例子的情况下，在生产线上设置多个图1所例示的成膜装置1。
首先，对制造的有机EL显示装置进行说明。图11(A)是有机EL显示装置50的整体图，图11(B)是表示一个像素的截面结构的图。
如图11(A)所示，在有机EL显示装置50的显示区域51中，以矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素52。发光元件的每一个具有具备被夹在一对电极之间的有机层的构造，这将在后面详细说明。
另外，这里所说的像素是指在显示区域51中能够显示期望的颜色的最小单位。在彩色有机EL显示装置的情况下，像素52由显示彼此不同的发光的第一发光元件52R、第二发光元件52G和第三发光元件52B的多个子像素的组合构成。像素52大多由红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件和蓝色(B)发光元件的三种子像素的组合构成，但是本发明不限于此。像素52只要包含至少一种子像素即可，优选包含两种以上的子像素，更优选包含三种以上的子像素。作为构成像素52的子像素，例如，也可以使用红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件、蓝色(B)发光元件和黄色(Y)发光元件的四种子像素的组合。
图11(B)是图11(A)的A-B线的局部截面示意图。像素52具有多个子像素，该多个子像素由在基板53上具备第一电极(阳极)54、空穴输送层55、红色层56R-绿色层56G-蓝色层56B中的任一个、电子输送层57、第二电极(阴极)58的有机EL元件构成。其中，空穴输送层55、红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B、电子输送层57相当于有机层。红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记为有机EL元件)对应的图案。
另外，第一电极54针对每个发光元件分离地形成。空穴输送层55、电子输送层57和第二电极58可以在多个发光元件52R、52G、52B上共同地形成，也可以针对每个发光元件形成。即，也可以如图11(B)所示，空穴输送层55遍及多个子像素区域作为共同的层形成，在此之上红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B针对每个子像素区域分离地形成，再在其上电子输送层57和第二电极58遍及多个子像素区域作为共同的层形成。
另外，为了防止在接近的第一电极54之间的短路，在第一电极54之间设置有绝缘层59。而且，由于有机EL层会因水分或氧而劣化，因此设置有用于保护有机EL元件不受水分或氧的影响的保护层60。
图11(B)中，空穴输送层55和电子输送层57用一层表示，但根据有机EL显示元件的构造，也可以由具有空穴阻挡层和电子阻挡层的多层形成。另外，在第一电极54和空穴输送层55之间，也可以形成具有能带构造的空穴注入层，以使空穴从第一电极54顺利地注入到空穴输送层55。同样，也可以在第二电极58与电子输送层57之间形成电子注入层。
红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B各自可以由单一的发光层形成，也可以通过层叠多个层而形成。例如，也可以由两层构成红色层56R，由红色的发光层形成上侧的层，由空穴输送层或电子阻挡层形成下侧的层。或者，也可以由红色发光层形成下侧的层，由电子输送层或空穴阻挡层形成上侧的层。通过这样在发光层的下侧或上侧设置层，具有通过调整发光层中的发光位置并调整光路长来提高发光元件的色纯度的效果。
另外，在此示出了红色层56R的例子，但绿色层56G、蓝色层56B也可以采用同样的构造。另外，层叠数也可以为2层以上。而且，可以层叠如发光层和电子阻挡层那样不同材料的层，也可以层叠例如2层以上发光层等相同材料的层。
接着，对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。在此，设想红色层56R由下侧层56R1和上侧层56R2这2层构成，绿色层56G和蓝色层56B由单一的发光层构成的情况。
首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)和第一电极54的基板53。另外，基板53的材质没有特别限定，能够由玻璃、塑料、金属等构成。在本实施方式中，作为基板53，使用在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺的膜的基板。
在形成有第一电极54的基板53之上，通过棒涂或旋转涂敷涂敷丙烯酸或聚酰亚胺等树脂层，通过光刻法对树脂层进行图案形成以使在形成有第一电极54的部分形成开口，形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。另外，在本实施方式中，对大型基板进行处理直至形成绝缘层59，在形成绝缘层59后，执行分割基板53的分割工序。
将图案形成有绝缘层59的基板53搬入第一成膜装置1，将空穴输送层55作为在显示区域的第一电极54之上共同的层而成膜。空穴输送层55使用在最终成为一个一个的有机EL显示装置的面板部分的每个显示区域51形成有开口的掩模而成膜。
接着，将形成有直至空穴输送层55的基板53搬入第二成膜装置1。进行基板53与掩模的对准，将基板载置于掩模之上，在空穴输送层55之上的、基板53的配置发出红色光的元件的部分(形成红色的子像素的区域)成膜红色层56R。这里，第二成膜室使用的掩模是仅在有机EL显示装置的成为子像素的基板53上的多个区域中的成为红色的子像素的多个区域形成有开口的高精细掩模。由此，包括红色发光层的红色层56R仅在基板53上的成为多个子像素的区域中的成为红色的子像素的区域成膜。换言之，红色层56R不在基板53上的成为多个子像素的区域中的成为蓝色的子像素的区域和成为绿色的子像素的区域成膜，而是选择性地在成为红色的子像素的区域成膜。
与红色层56R的成膜同样地，在第三成膜装置1中成膜绿色层56G，进而在第四成膜装置1中成膜蓝色层56B。在完成红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B的成膜后，在第五成膜装置1中，在整个显示区域51成膜电子输送层57。电子输送层57作为3色层56R、56G、56B共用的层而形成。
将形成有电子输送层57为止的基板移动到第六成膜装置1，成膜第二电极58。在本实施方式中，在第一成膜装置1～第六成膜装置1中，通过真空蒸镀进行各层的成膜。但是，本发明并不限定于此，例如第六成膜装置1中的第二电极58的成膜也可以通过溅射来进行成膜。然后，将形成有第二电极58为止的基板移动到密封装置，通过等离子体CVD成膜保护层60(密封工序)，完成有机EL显示装置50。另外，在此，虽然通过CVD法形成保护层60，但是并不限定于此，也可以通过ALD法或喷墨法形成。

Claims (15)

1.一种成膜装置，具备对在移动方向上相对地移动的基板进行成膜的成膜单元，其特征在于，
所述成膜单元包括：
多个蒸发源，分别具有加热部件和独立的材料容器，并包括放出蒸镀物质的第一蒸发源及第二蒸发源；
多个监视部件，包括监视来自所述第一蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第一监视部件及监视来自所述第二蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第二监视部件；以及
抑制板，抑制蒸镀物质从所述第二蒸发源向所述第一监视部件的飞散，
所述抑制板设置在所述第一蒸发源及所述第二蒸发源之间、且所述第二蒸发源及所述第二监视部件之间，
在所述抑制板上形成有容许蒸镀物质从所述第二蒸发源向所述第二监视部件飞散的容许部。
2.一种成膜装置，具备对在移动方向上相对地移动的基板进行成膜的成膜单元，其特征在于，
所述成膜单元包括：
多个蒸发源，分别具有加热部件和独立的材料容器，并包括放出蒸镀物质的第一蒸发源及第二蒸发源；
多个监视部件，包括监视来自所述第一蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第一监视部件及监视来自所述第二蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第二监视部件；以及
抑制板，抑制蒸镀物质从所述第二蒸发源向所述第一监视部件的飞散，
所述抑制板设置在所述第一蒸发源及所述第二蒸发源之间、且所述第二蒸发源及所述第二监视部件之间，
在所述抑制板上，在包括连结所述第二蒸发源的蒸镀物质的放出部和所述第二监视部件的蒸镀物质的附着部的假想直线通过的位置在内的区域形成有开口。
3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
在所述抑制板的所述开口的周围设置有包围所述假想直线的筒形状部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一蒸发源及所述第二蒸发源沿着与所述移动方向交叉的第一方向排列，
所述第一监视部件及所述第二监视部件沿着与所述第一方向交叉的第二方向排列。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜单元包括放出蒸镀物质的第三蒸发源，
所述第二蒸发源在与所述移动方向交叉的基板的宽度方向上配置于所述第一蒸发源与所述第三蒸发源之间，
所述第二蒸发源的成膜速率比所述第一蒸发源及所述第三蒸发源的成膜速率小。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜单元包括放出蒸镀物质的第四蒸发源和第五蒸发源，
所述第一蒸发源及所述第二蒸发源沿着与所述移动方向交叉的第一方向排列，
所述第四蒸发源及所述第五蒸发源在所述移动方向上与所述第一蒸发源及所述第二蒸发源分离，沿着所述第一方向排列。
7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜单元包括沿与所述第一方向交叉的第二方向排列，且分别监视来自所述第四蒸发源及所述第五蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第四监视部件及第五监视部件，
所述第一监视部件及所述第二监视部件在所述第一方向上设置于所述多个蒸发源的外侧的一方，
所述第四监视部件及所述第五监视部件在所述第一方向上设置于所述多个蒸发源的外侧的另一方。
8.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一蒸发源及所述第二蒸发源分别放出第一蒸镀物质，
所述第四蒸发源及所述第五蒸发源分别放出与所述第一蒸镀物质不同种类的第二蒸镀物质。
9.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一蒸发源及所述第二蒸发源和所述第四蒸发源及所述第五蒸发源分别被配置成蒸镀物质的放出方向倾斜，以抑制蒸镀到基板上的蒸镀物质的、所述移动方向的偏差。
10.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一蒸发源及所述第二蒸发源被配置成，蒸镀物质的放出方向在所述移动方向上朝向所述第四蒸发源及所述第五蒸发源倾斜，
所述第四蒸发源及所述第五蒸发源被配置成，蒸镀物质的放出方向在所述移动方向上朝向所述第一蒸发源及所述第二蒸发源倾斜。
11.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一蒸发源及所述第二蒸发源与所述第四蒸发源及所述第五蒸发源的放出蒸镀物质的放出部的高度不同。
12.根据权利要求1至3、7至11中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置还具备：
基板支承部件，支承基板；以及
移动部件，使所述成膜单元沿所述移动方向移动。
13.一种成膜方法，其特征在于，
该成膜方法具备使用权利要求1至12中任一项所述的成膜装置在基板上成膜的工序。
14.一种蒸发源单元，用于对在移动方向上相对地移动的基板成膜，其特征在于，
该蒸发源单元具备：
多个蒸发源，分别具有加热部件和独立的材料容器，并包括放出蒸镀物质的第一蒸发源及第二蒸发源；
多个监视部件，包括监视来自所述第一蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第一监视部件及监视来自所述第二蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第二监视部件；以及
抑制板，抑制蒸镀物质从所述第二蒸发源向所述第一监视部件的飞散，
所述抑制板设置在所述第一蒸发源及所述第二蒸发源之间、且所述第二蒸发源及所述第二监视部件之间，
在所述抑制板上形成有容许蒸镀物质从所述第二蒸发源向所述第二监视部件飞散的容许部。
15.一种蒸发源单元，用于对在移动方向上相对地移动的基板成膜，其特征在于，
该蒸发源单元具备：
多个蒸发源，分别具有加热部件和独立的材料容器，并包括放出蒸镀物质的第一蒸发源及第二蒸发源；
多个监视部件，包括监视来自所述第一蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第一监视部件及监视来自所述第二蒸发源的蒸镀物质的放出状态的第二监视部件；以及
抑制板，抑制蒸镀物质从所述第二蒸发源向所述第一监视部件的飞散，
所述抑制板设置在所述第一蒸发源及所述第二蒸发源之间、且所述第二蒸发源及所述第二监视部件之间，
在所述抑制板上，在包括连结所述第二蒸发源的蒸镀物质的放出部和所述第二监视部件的蒸镀物质的附着部的假想直线通过的位置在内的区域形成有开口。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56160964U (zh) * 1980-05-02 1981-11-30
JP2011042868A (ja) * 2009-07-24 2011-03-03 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着方法及びその装置
CN102586738A (zh) * 2011-01-12 2012-07-18 三星移动显示器株式会社 沉积源和包括沉积源的有机层沉积装置
JP2013211137A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Samsung Display Co Ltd 真空蒸着方法及びその装置
CN104136653A (zh) * 2012-03-07 2014-11-05 松下电器产业株式会社 蒸镀装置
CN115537760A (zh) * 2021-06-30 2022-12-30 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法及蒸发源单元

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2185640A1 (en) * 1995-11-30 1997-05-31 Russell J. Hill Electron beam evaporation apparatus and method
JP6243474B2 (ja) 2015-06-18 2017-12-06 キヤノントッキ株式会社 真空蒸着装置、蒸着膜の製造方法および有機電子デバイスの製造方法
KR101965102B1 (ko) 2018-06-15 2019-04-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법 및 전자 디바이스 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56160964U (zh) * 1980-05-02 1981-11-30
JP2011042868A (ja) * 2009-07-24 2011-03-03 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着方法及びその装置
CN102586738A (zh) * 2011-01-12 2012-07-18 三星移动显示器株式会社 沉积源和包括沉积源的有机层沉积装置
CN104136653A (zh) * 2012-03-07 2014-11-05 松下电器产业株式会社 蒸镀装置
JP2013211137A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Samsung Display Co Ltd 真空蒸着方法及びその装置
CN115537760A (zh) * 2021-06-30 2022-12-30 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法及蒸发源单元

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