CN115507640A - 一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法，包括如下步骤：S1、在化学槽QDR清洗后设置一个异丙醇+纯水槽位；S2、将蚀刻后的晶圆连同晶舟盒一起置入提篮治具；S3、将提篮治具放入异丙醇+纯水槽位内浸泡片刻后拉起；S4、将提篮治具放入热氮气槽位内，将晶圆上残留的水渍吹干，本发明改善了晶圆干燥流程，解决了晶圆背面蚀刻后因清洗产生的水渍问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法。
背景技术
现今半导体技术与日俱进，而未来的集成电路趋势是藉由将晶圆研磨薄化以达成后续封装制程能将数个薄化芯片堆栈封装包覆，且晶圆薄化可让芯片具备低功率与低导通阻抗之优点，不仅有效延长产品寿命，更有效提升使用上的效率。
晶背金属化制程是为改善高功率IC散热问题而开发的封装技术，BSM运用电子束蒸镀或金属溅镀制程，在晶圆背面镀一层可做为接合用的金属与基材，以达到较佳的散热及导电效果。在晶圆背面减薄后进行晶圆背面蚀刻制程时，会使用到化学液，如氢氟酸、硝酸、冰醋酸，在蚀刻后需以纯水做清洗动作把晶圆表面的化学液清洗干净，清洗完后需将晶圆表面做干燥处理，以防止晶圆表面残留水渍或形成氧化层，造成后续晶圆背面金属化蒸镀制程时蒸镀靶材附着效果不佳产生异常。
发明内容
针对现有技术中存在的上述不足之处，本发明提供了一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法，用以解决上述现有的问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用了如下技术方案：
一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在化学槽QDR清洗后设置一个异丙醇+纯水槽位，异丙醇与纯水的比例为3:10；
S2、将蚀刻后的晶圆连同晶舟盒一起置入提篮治具；
S3、将提篮治具放入异丙醇+纯水槽位内浸泡片刻后拉起，浸泡时间为5-10秒；
S4、将提篮治具放入热氮气槽位内，将晶圆上残留的水渍吹干。
进一步，所述提篮治具下方设有孔位，以利后续排水。
进一步，所述热氮气槽位上方设有一可掀式盖子，所述盖子下表面设有气孔，热氮气透过气孔往下吹拭，将晶圆上残留的水渍吹干。
本发明与现有技术相比，具有如下有益效果：
本发明改善了晶圆干燥流程，解决了晶圆背面蚀刻后因清洗产生的水渍问题，避免了因水渍或者晶圆表面残留的水汽而产生氧化层，可防止因氧化层导致后续晶圆背面金属化蒸镀制程时蒸镀靶材附着效果不佳的异常情况发生，大大提升了产品良率。
附图说明
图1为本发明一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法实施例中提篮治具的结构示意图(置入晶圆和晶舟盒)；
图2为本发明一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法实施例中热氮气槽位的结构示意图(置入提篮治具)；
说明书附图中的附图标记包括：
提篮治具1、晶圆2、晶舟盒3、孔位4、热氮气槽位5、盖子6、气孔7。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员可以更好地理解本发明，下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明。
其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
实施例：
如图1-图2所示，本发明的一种晶圆2背面蚀刻后干燥的方法，包括如下步骤：
S1、在化学槽QDR清洗后设置一个异丙醇+纯水槽位，异丙醇与纯水的比例为3:10；
S2、将蚀刻后的晶圆2连同晶舟盒3一起置入提篮治具1；
S3、将提篮治具1放入异丙醇+纯水槽位内浸泡片刻后拉起，浸泡时间为5-10秒；
S4、将提篮治具1放入热氮气槽位5内，将晶圆2上残留的水渍吹干。
提篮治具1下方设有孔位4，以利后续排水。
热氮气槽位5上方设有一可掀式盖子6，盖子6下表面设有气孔7，热氮气透过气孔7往下吹拭，将晶圆2上残留的水渍吹干。
以上的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述，所属领域普通技术人员知晓申请日或者优先权日之前发明所属技术领域所有的普通技术知识，能够获知该领域中所有的现有技术，并且具有应用该日期之前常规实验手段的能力，所属领域普通技术人员可以在本申请给出的启示下，结合自身能力完善并实施本方案，一些典型的公知结构或者公知方法不应当成为所属领域普通技术人员实施本申请的障碍。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“连接”等指示部件之间的连接关系，该术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
Claims (5)
1.一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在化学槽QDR清洗后设置一个异丙醇+纯水槽位；
S2、将蚀刻后的晶圆连同晶舟盒一起置入提篮治具；
S3、将提篮治具放入异丙醇+纯水槽位内浸泡片刻后拉起；
S4、将提篮治具放入热氮气槽位内，将晶圆上残留的水渍吹干。
2.如权利要求1所述的一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法，其特征在于：所述步骤S1中，异丙醇与纯水的比例为3:10。
3.如权利要求1所述的一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法，其特征在于：所述步骤S3中，浸泡时间为5-10秒。
4.如权利要求1所述的一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法，其特征在于：所述提篮治具下方设有孔位。
5.如权利要求1所述的一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法，其特征在于：所述热氮气槽位上方设有一可掀式盖子，所述盖子下表面设有气孔。
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