CN115490537A - 制作陶瓷壳体的方法、陶瓷壳体及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种制作陶瓷壳体的方法、陶瓷壳体及电子设备。所述方法包括:获取陶瓷基材,对陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理,使得目标区域内的被激光烧结的陶瓷结构发生颜色变化,在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第二表面上形成保护层,得到陶瓷壳体。通过上述方法制作的陶瓷壳体的第一表面呈现出颜色变化的效果,丰富了陶瓷壳体呈现的效果。同时,陶瓷基材的第一表面为内表面,陶瓷基材的第二表面为外表面,由于上述方法仅对陶瓷基材的内表面进行激光镭雕处理,保护了陶瓷基材的外表面的结构,因此制作出的陶瓷壳体的外表面具有结构完整、未被破坏的特点,保持了陶瓷壳体外表面的完整结构的手感。

Description

制作陶瓷壳体的方法、陶瓷壳体及电子设备
技术领域
本公开涉及计算机通信技术领域,尤其涉及一种制作陶瓷壳体的方法、陶瓷壳体及电子设备。
背景技术
一些手机采用陶瓷制作手机后盖。由于陶瓷过于坚硬难于加工,因此很难在陶瓷表面上制作出复杂的图案。
采用现有工艺制作出的陶瓷表面仅能呈现哑光效果,陶瓷表面呈现的效果非常单一。
发明内容
为克服相关技术中存在的问题,本公开提供了一种制作陶瓷壳体的方法及装置。
根据本公开实施例的第一方面,提供了一种制作陶瓷壳体的方法,所述方法包括:
获取陶瓷基材,所述陶瓷基材包括第一表面和第二表面,所述第一表面为所述陶瓷基材的内表面;
对所述陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理,使得所述目标区域内的被激光烧结的陶瓷结构发生颜色变化,所述目标区域由预设的纹理图案确定;
在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第二表面上形成保护层,得到陶瓷壳体。
可选地,所述陶瓷基材能够透光;所述方法还包括:
在所述激光镭雕处理后的陶瓷基材的第一表面上形成遮光层。
可选地,所述方法还包括:
在对所述陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理之前,在所述陶瓷基材的第一表面的目标区域上形成吸光层;
在形成所述遮光层之前,去除激光镭雕处理后的吸光层。
可选地,形成所述吸光层的材料包括金属材料;所述去除激光镭雕处理后的吸光层,包括:
使用碱性试剂,去除所述激光镭雕处理后的吸光层。
可选地,所述金属材料包括金属铝的复合材料。
可选地,所述吸光层的厚度范围为50nm-70nm。
可选地,所述激光镭雕处理的条件包括以下至少一项:激光波长范围为1000nm-1100nm,激光能量范围为20W-40W,处理时间范围为大于或等于10min。
可选地,所述获取陶瓷基材,包括:
对陶瓷胚体进行CNC加工;
对CNC加工后的陶瓷胚体的表面进行抛光处理,得到所述陶瓷基材。
可选地,所述方法还包括:
在对所述陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理的过程中,保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面的温度低于预设温度。
可选地,所述保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面的温度低于预设温度,包括:
使用风冷系统,向所述激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面输送冷风,使得所述第一表面的温度低于所述预设温度。
根据本公开实施例的第二方面,提供了一种陶瓷壳体,所述陶瓷壳体是采用上述第一方面中任一项所述的方法制作的壳体。
根据本公开实施例的第三方面,提供了一种电子设备,包括上述第二方面所述的陶瓷壳体。
本公开实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
本公开实施例中,获取陶瓷基材,对陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理,使得目标区域内的被激光烧结的陶瓷结构发生颜色变化,在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第二表面上形成保护层,得到陶瓷壳体。通过上述方法制作的陶瓷壳体的第一表面呈现出颜色变化的效果,丰富了陶瓷壳体呈现的效果。
同时,陶瓷基材的第一表面为内表面,陶瓷基材的第二表面为外表面,由于上述方法仅对陶瓷基材的内表面进行激光镭雕处理,保护了陶瓷基材的外表面的结构,因此制作出的陶瓷壳体的外表面具有结构完整、未被破坏的特点,保持了陶瓷壳体外表面的完整结构的手感。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
图1是根据一示例性实施例示出的一种制作陶瓷壳体的方法流程图;
图2是根据一示例性实施例示出的一种制作陶瓷壳体的流程图;
图3是根据一示例性实施例示出的一种陶瓷壳体的示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本公开。在本公开和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解,本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解,尽管在本公开可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息,但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如,在不脱离本公开范围的情况下,第一信息也可以被称为第二信息,类似地,第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境,如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
图1是根据一示例性实施例示出的一种制作陶瓷壳体的方法流程图,图1所示的方法包括:
在步骤101中,获取陶瓷基材,陶瓷基材包括第一表面和第二表面,第一表面为陶瓷基材的内表面。
对于一些电子设备,如手机、平板电脑等,使用陶瓷壳体作为后盖。陶瓷壳体包括正面和背面,陶瓷壳体的背面朝向电子设备的内部结构,陶瓷壳体的正面朝向电子设备的外部。
陶瓷基材的第一表面为内表面,陶瓷基材的第二表面为外表面。使用陶瓷基材制作陶瓷壳体,对陶瓷基材的第一表面进行处理,得到陶瓷壳体的背面,对陶瓷基材的第二表面进行处理,得到陶瓷壳体的正面。
本公开实施例选用的陶瓷基材可以呈现白色或其他颜色。可以根据需要选择陶瓷基材的厚度。
在可选的实施例中,CNC(Computerized Numerical Control,计算机数控)技术,是采用计算机实现数字程序控制的技术。
可以获取陶瓷胚体,对陶瓷胚体进行CNC加工,对CNC加工后的陶瓷胚体的表面进行抛光处理,得到与需要制作的陶瓷壳体的结构匹配的陶瓷基材。
在可选的实施例中,在通过对陶瓷胚体进行CNC加工得到陶瓷基材之后,可以对CNC加工后的陶瓷基材的第一表面和第二表面进行抛光处理,以去除因CNC加工产生的刀纹,得到表面平整的陶瓷基材。
在步骤102中,对陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理,使得目标区域内被雕刻的陶瓷结构发生颜色变化,目标区域由预设的纹理图案确定。
可以将陶瓷基材置于镭雕夹具中,根据待雕刻的纹理图案,确定陶瓷基材的第一表面上需要进行镭雕的目标区域,使用激光对镭雕夹具中的陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理,使得目标区域内的被激光烧结的陶瓷结构发生颜色变化,在陶瓷基材的第一表面上雕刻出带颜色的纹理图案。激光镭雕处理使用的激光可以是红外激光或其他适用的激光。
例如,对白色陶瓷基材的内表面进行激光镭雕处理,使得内表面上的白色陶瓷结构转变为黑色或灰色。
可以通过设置激光镭雕处理过程中使用的激光能量、雕刻时间等参数,控制陶瓷结构的颜色变化程度。
在可选的实施例中,可以根据需要设置激光镭雕处理的条件。例如,激光镭雕处理的条件包括以下至少一项:激光波长范围为1000nm-1100nm,激光能量范围为20W-40W,处理时间范围为大于或等于10min。
其中,激光镭雕处理所使用的激光的波长可以是1000nm、1200nm、1400nm、1450nm、1500nm、1640nm、1100nm等;激光镭雕处理所使用的激光的激光能量可以是20W、25W、30W、35W、40W等;激光镭雕处理的时间可以是10min、15min、20min、25min、40min等。
在可选的实施例中,可以选用非透明的陶瓷基材制作陶瓷壳体,也可以选用具有一定透明度的陶瓷基材制作陶瓷壳体。例如,对于一些陶瓷基材,当厚度较薄时,陶瓷基材具有一定的透明度。
若选用的陶瓷基材具有一定的透明度,能够透光,则可以在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第一表面上形成遮光层。这样,可以防止通过陶瓷后盖看到电子设备内部的器件。
遮光层具有遮挡光线的功能,能够阻止光线穿过。形成遮光层的材料可以包括油漆,可以通过在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第一表面上喷涂油漆,在第一表面上形成遮光层。本公开实施例不限定形成遮光层的材料的种类,凡是适用的材料均可。
在可选的实施例中,在对陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理的过程中,保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面的温度低于预设温度,以防止陶瓷基材因温度过高而发生形变,保证陶瓷基材的结构的稳定性。
可以根据陶瓷性能等参数设置预设温度的大小。预设温度可以为100℃、95℃、90℃、85℃、80℃、70℃等。
可以设置冷却系统,使用冷却系统对激光镭雕处理中的陶瓷基材进行冷却处理,以保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面的温度低于预设温度。
冷却系统有多种,例如,风冷系统、水冷系统等。其中,风冷系统以空气为冷却介质,能够输送冷风,使用冷风来冷却物体;水冷系统以水为冷却介质,能够输送低温水,使用低温水来冷却物体。
一种情况:冷却系统包括风冷系统,使用风冷系统,向激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面输送冷风,以降低陶瓷基材的表面温度。
另一种情况:冷却系统包括水冷系统,水冷系统包括水管。水冷系统靠近陶瓷基材设置,或者,水冷系统包围在陶瓷基材的四周等。使用水冷系统输送低温水,通过热传导来降低陶瓷基材的温度。
在保证完成图案雕刻和陶瓷基材不发生形变的条件下,可以根据需要设置冷却系统的工作参数,例如,风冷系统输送的冷风的温度、风量、输送时间等,或者,水冷系统输送的低温水的温度、水量、输送时间等。
对于一些陶瓷基材,包括叠层设置的陶瓷层和树脂层。相比于仅包括陶瓷层的陶瓷基材,当陶瓷基材的总厚度一样的情况下,减小陶瓷层的厚度以及增设树脂层的目的是:减小陶瓷基材的重量,从而减小由陶瓷基材制作的陶瓷壳体的重量,便于陶瓷壳体的使用和安装。
在对包括陶瓷层和树脂层的陶瓷基材进行激光镭雕处理的过程中,当陶瓷基材的温度过高时,陶瓷层和树脂层发生分离,陶瓷基材发生形变,结构发生破坏。
在激光镭雕处理的过程中,使用冷却系统对激光镭雕处理中的陶瓷基材进行冷却处理,来降低陶瓷基材的温度,防止陶瓷基材内部的陶瓷层和树脂层发生分离,保证了陶瓷基材的结构的稳定性,提高了陶瓷壳体产品的良率。
在对陶瓷基材进行激光镭雕处理的过程中,在不使用冷却系统对陶瓷基材进行冷却处理的情况下,通过增加陶瓷基材的厚度的方式防止陶瓷基材发生形变,导致制作的陶瓷壳体较厚,不利于陶瓷壳体的安装和使用。
然而在对陶瓷基材进行激光镭雕处理的过程中,使用冷却系统对陶瓷基材进行冷却处理,能够有效防止陶瓷基材发生形变,制作出结构稳定的超薄陶瓷壳体。
在步骤103中,在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第二表面上形成保护层,得到陶瓷壳体。
保护层可以包括防指纹膜层,防指纹膜层起到防指纹和防脏污的作用。防指纹膜层有多种,例如,PVD(Physical Vapour Deposition,物理气相沉积)镀膜或AF(Anti-fingerprint,抗指纹)镀膜等。
可以根据需要设置防指纹膜层的厚度。例如,防指纹膜层的厚度范围为8nm-20nm,防指纹膜层的厚度可以是8nm、10nm、12nm、15nm、18nm或20nm等。
在可选的实施例中,可以在对陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理之前,在陶瓷基材的第一表面的目标区域上形成吸光层,之后对覆盖有吸光层的陶瓷基材的第一表面进行激光镭雕处理。
使用吸光层,增加了对激光能量的吸收,提高了激光镭雕处理的效果。
形成吸光层的材料有多种,例如,金属材料等。适用的金属材料有多种,例如,金属铝的复合材料等。
可以根据形成吸光层的材料的种类和所需的处理效果等参数,设置吸光层的厚度。例如,吸光层的厚度范围可以为50nm-70nm,吸光层的厚度可以为50nm、55nm、60nm、65nm、68nm、70nm等。
在可选的实施例中,对覆盖有吸光层的陶瓷基材的第一表面进行激光镭雕处理,使得第一表面上的部分陶瓷结构被雕刻,同时部分吸光层被雕刻。
在激光镭雕处理结束后,需要去除激光镭雕处理后的吸光层,即需要去除未被雕刻的吸光层。
去除激光镭雕处理后的吸光层的方式有多种,例如,当形成吸光层的材料包括金属材料时,可以使用碱性试剂,去除激光镭雕处理后的吸光层。
举例:将金属铝的复合材料镀在CNC加工后的陶瓷基材的第一表面上,形成吸光层,由金属铝的复合材料形成的吸光层的厚度为60nm。对覆盖有吸光层的陶瓷基材的第一表面进行激光镭雕处理,激光镭雕处理的条件包括:激光波长为1064nm、激光能量为30w,镭雕时间约为15min。
在激光镭雕处理结束后,将激光镭雕处理后的陶瓷基材置于pH值大于10的强碱溶液中,浸泡一段时间,例如,浸泡半个小时,通过强碱溶液溶解陶瓷基材上的剩余的吸光层。
如果需要形成遮光层,则在去除激光镭雕处理后的吸光层之后,在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第一表面上形成遮光层。
在可选的实施例中,可以先在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第二表面上形成标识(如厂商的LOGO)等,再形成防指纹膜层,得到陶瓷壳体。
在可选的实施例中,在制作出陶瓷壳体后,还可以在陶瓷壳体上形成辅助结构,辅助结构可以包括固定结构、图形结构等,如卡扣、双面胶等。
图2是根据一示例性实施例示出的一种制作陶瓷壳体的流程图,图2所示的制作方法包括:
步骤1、获取白色陶瓷基材;
步骤2、在白色陶瓷基材的反面(即上述的第一表面)上形成吸光层;
步骤3、对形成有吸光层的白色陶瓷基材的反面上的目标区域进行激光镭雕处理,在目标区域内雕刻出所需的纹理图案,目标区域内的被激光烧结的白色陶瓷结构转变成黑色或灰色;
步骤4、去除白色陶瓷基材的反面上的剩余吸光层;
步骤5、在白色陶瓷基材的反面上形成遮光层;
步骤6、在白色陶瓷基材的正面(即上述的第二表面)上形成保护层。
本公开实施例中,获取陶瓷基材,对陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理,使得目标区域内的被激光烧结的陶瓷结构发生颜色变化,在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第二表面上形成保护层,得到陶瓷壳体。通过上述方法制作的陶瓷壳体的第一表面呈现出颜色变化的效果,丰富了陶瓷壳体呈现的效果。
同时,陶瓷基材的第一表面为内表面,陶瓷基材的第二表面为外表面,由于上述方法仅对陶瓷基材的内表面进行激光镭雕处理,保护了陶瓷基材的外表面的结构,因此制作出的陶瓷壳体的外表面具有结构完整、未被破坏的特点,保持了陶瓷壳体外表面的完整结构的手感。
本公开另一实施例还提供了一种陶瓷壳体,该陶瓷壳体是采用本公开上述实施例提供的制作陶瓷壳体的方法制作的壳体。
基于本公开上述实施例提供的制作陶瓷壳体的方法的特点,使用该方法制作出的陶瓷壳体的外表面呈现出颜色变化的效果,同时陶瓷壳体的外表面具有结构完整、未被破坏的特点,保持了陶瓷壳体外表面的完整结构的手感。
图3是根据一示例性实施例示出的一种陶瓷壳体的示意图。采用图2所示的方法,使用白色陶瓷基材制作陶瓷壳体,制作出的陶瓷壳体的结构如图3所,陶瓷壳体的纹理图案有层次变化,呈现出大理石的外观视觉效果。
本公开另一实施例还提供了一种电子设备,包括本公开上述实施例提供的陶瓷壳体。
基于本公开上述实施例提供的陶瓷壳体的诸多特点,使得包括该陶瓷壳体的电子设备具有相应的特点,提升了电子设备的使用体验。
本公开实施例提供的电子设备可以是手机、平板电脑、可穿戴设备等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (12)

1.一种制作陶瓷壳体的方法,其特征在于,所述方法包括:
获取陶瓷基材,所述陶瓷基材包括第一表面和第二表面,所述第一表面为所述陶瓷基材的内表面;
对所述陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理,使得所述目标区域内的被激光烧结的陶瓷结构发生颜色变化,所述目标区域由预设的纹理图案确定;
在激光镭雕处理后的陶瓷基材的第二表面上形成保护层,得到陶瓷壳体。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基材能够透光;所述方法还包括:
在所述激光镭雕处理后的陶瓷基材的第一表面上形成遮光层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在对所述陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理之前,在所述陶瓷基材的第一表面的目标区域上形成吸光层;
在形成所述遮光层之前,去除激光镭雕处理后的吸光层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,形成所述吸光层的材料包括金属材料;所述去除激光镭雕处理后的吸光层,包括:
使用碱性试剂,去除所述激光镭雕处理后的吸光层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述金属材料包括金属铝的复合材料。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述吸光层的厚度范围为50nm-70nm。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光镭雕处理的条件包括以下至少一项:激光波长范围为1000nm-1100nm,激光能量范围为20W-40W,处理时间范围为大于或等于10min。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取陶瓷基材,包括:
对陶瓷胚体进行CNC加工;
对CNC加工后的陶瓷胚体的表面进行抛光处理,得到所述陶瓷基材。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在对所述陶瓷基材的第一表面的目标区域进行激光镭雕处理的过程中,保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面的温度低于预设温度。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面的温度低于预设温度,包括:
使用风冷系统,向所述激光镭雕处理中的陶瓷基材的第一表面输送冷风,使得所述第一表面的温度低于所述预设温度。
11.一种陶瓷壳体,其特征在于,所述陶瓷壳体是采用权利要求1-10中任一项所述的方法制作的壳体。
12.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求11所述的陶瓷壳体。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160311249A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 Shenzhen Futaihong Precision Industry Co., Ltd. Housing for electroic device and method for making same
CN106853553A (zh) * 2015-12-08 2017-06-16 青岛海高设计制造有限公司 利用激光进行金属艺雕的方法以及壳体
CN109050139A (zh) * 2018-08-17 2018-12-21 Oppo广东移动通信有限公司 陶瓷材料件的表面处理方法、壳体组件及电子设备
US20190194794A1 (en) * 2017-12-25 2019-06-27 AAC Technologies Pte. Ltd. Ceramic coloring method and a ceramic piece for electronic products
CN110944468A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 联想(北京)有限公司 一种处理方法、壳体及电子设备
CN110949051A (zh) * 2019-12-24 2020-04-03 Oppo广东移动通信有限公司 陶瓷件的表面处理方法、电子设备及其壳体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160311249A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 Shenzhen Futaihong Precision Industry Co., Ltd. Housing for electroic device and method for making same
CN106853553A (zh) * 2015-12-08 2017-06-16 青岛海高设计制造有限公司 利用激光进行金属艺雕的方法以及壳体
US20190194794A1 (en) * 2017-12-25 2019-06-27 AAC Technologies Pte. Ltd. Ceramic coloring method and a ceramic piece for electronic products
CN109050139A (zh) * 2018-08-17 2018-12-21 Oppo广东移动通信有限公司 陶瓷材料件的表面处理方法、壳体组件及电子设备
CN110944468A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 联想(北京)有限公司 一种处理方法、壳体及电子设备
CN110949051A (zh) * 2019-12-24 2020-04-03 Oppo广东移动通信有限公司 陶瓷件的表面处理方法、电子设备及其壳体

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