CN115484732A - 电子设备 - Google Patents
电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115484732A CN115484732A CN202210598248.7A CN202210598248A CN115484732A CN 115484732 A CN115484732 A CN 115484732A CN 202210598248 A CN202210598248 A CN 202210598248A CN 115484732 A CN115484732 A CN 115484732A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- insulating film
- disposed
- inorganic insulating
- electric element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 121
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 37
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及电子设备。根据一个实施方式,电子设备具备:绝缘基材,其包括具有伸缩性的带状部、和与上述带状部连接的岛状部;有机绝缘膜,其配置于上述绝缘基材之上;无机绝缘膜,其配置于上述有机绝缘膜上;布线,其配置于上述带状部与上述有机绝缘膜之间;电气元件,其在上述岛状部处配置于上述无机绝缘膜之上、且与上述布线电连接;隔壁,其与上述岛状部及上述带状部重叠、且将上述电气元件包围;和密封膜,其覆盖上述电气元件。
Description
本申请主张基于2021年5月31日提出申请的日本特许申请第2021-091328号的优选权,并援引该日本申请中记载的全部记载内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及电子设备。
背景技术
近年来,研究了在各种领域中利用具有挠性及伸缩性的柔性基板。作为一例,考虑将以矩阵状排列有电气元件的柔性基板粘贴在电子设备的壳体、人体等的曲面上的利用形态。作为电气元件,例如可应用触摸传感器、温度传感器等各种传感器、显示元件。
在柔性基板中,需要采取对策以使布线不会因弯曲、伸缩产生的应力而损伤。作为这样的对策,例如,提出了使布线为弯曲行进的形状(蜿蜒形状)。
另一方面,使用像素分割结构体将有机层及阴极(第2电极)分割的技术是已知的。
发明内容
实施方式的目的在于提供可抑制可靠性下降的电子设备。
根据一个实施方式,电子设备具备:绝缘基材,其包括具有伸缩性的带状部、和与上述带状部连接的岛状部;有机绝缘膜,其配置于上述绝缘基材之上;无机绝缘膜,其配置于上述有机绝缘膜之上;布线,其配置于上述带状部与上述有机绝缘膜之间;电气元件,其在上述岛状部处配置于上述无机绝缘膜之上、且与上述布线电连接;隔壁,其与上述岛状部及上述带状部重叠、且包围上述电气元件;和密封膜,其覆盖上述电气元件。
根据一个实施方式,电子设备具备:绝缘基材,其是由树脂材料形成的;有机绝缘膜,其配置于上述绝缘基材之上;无机绝缘膜,其配置于上述有机绝缘膜上;布线,其配置于上述绝缘基材与上述有机绝缘膜之间;电气元件,其配置于上述无机绝缘膜之上、且与上述布线电连接;隔壁,其配置于上述无机绝缘膜之上、且包围上述电气元件;和密封膜,其覆盖上述电气元件,上述隔壁具备:第1层,其由金属材料形成、且与上述无机绝缘膜接触;和第2层,其由作为与上述密封膜相同的材料的无机绝缘材料形成、且被层叠于上述第1层上,上述第2层朝向上述电气元件伸出、并与上述密封膜接触。
根据实施方式,能够提供可抑制可靠性的下降的电子设备。
附图说明
图1为实施方式涉及的电子设备1的概略性俯视图。
图2为示出柔性基板2的一例的俯视图。
图3为将1个岛状部I放大而得的俯视图。
图4为沿着图3所示的包含岛状部I的柔性基板2的A-A’线而得的截面图。
图5为沿着图3所示的包含岛状部I的柔性基板2的B-B’线而得的截面图。
图6为沿着图3所示的包含岛状部I的柔性基板2的C-C’线而得的截面图。
图7为将隔壁30的一个构成例放大而示出的截面图。
图8为用于对柔性基板2的制造方法进行说明的图。
图9为用于对柔性基板2的制造方法进行说明的图。
图10为将隔壁30的另一构成例放大而示出的截面图。
图11为用于对柔性基板2的另一制造方法进行说明的图。
图12为用于对柔性基板2的另一制造方法进行说明的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本实施方式进行说明。需要说明的是,下面的公开内容不过是一个例子,本领域技术人员能够容易想到的在保证发明主旨的情况下的适当变更,当然也包含在本发明的范围内。另外,为了使说明更明确,与实际的方式相比,有时对附图中各部分的宽度、厚度、形状等进行示意性地表示,但是只不过是一个例子,并不对本发明作限定性解释。另外,在本说明书和各图中,有时对于发挥与关于已经出现的图而在前文陈述的要素相同或类似的功能的构成要素,标注相同的参考标号,适当省略重复的详细说明。
图1为本实施方式涉及的电子设备1的概略性俯视图。本实施方式中,如图示那样定义第1方向X、第2方向Y、及第3方向Z。第1方向X、第2方向Y、及第3方向Z彼此正交,但也可以以90度以外的角度彼此交叉。第1方向X及第2方向Y相当于与例如电子设备1的主面平行的方向,另外,第3方向Z相当于电子设备1的厚度方向。本实施方式中,将观察由第1方向X及第2方向Y规定的X-Y平面的情况称为俯视。
电子设备1具备柔性基板2、电路基板3、和控制器4。电路基板3为例如柔性印刷电路基板,在柔性基板2的端子区域TA中与各端子电连接。控制器4安装于电路基板3,但也可以直接安装于柔性基板2。
柔性基板2以至少在有效区域AA中整体上具有挠性及伸缩性的方式构成。柔性基板2具备第1驱动器DR1、第2驱动器DR2、X布线WX、Y布线WY、电气元件SD等。
第1驱动器DR1及第2驱动器DR2配置于例如柔性基板2,但也可以配置于电路基板3、控制器4、或其他基板。图1所示的例子中,第1驱动器DR1及第2驱动器DR2配置于有效区域AA的外侧的区域。配置有第1驱动器DR1及第2驱动器DR2的区域可以为与有效区域AA同样地具有挠性及伸缩性的区域,也可以为硬质的区域。
X布线WX为大致沿着第1方向X延伸的布线的总称,至少一部分的X布线WX与第1驱动器DR1电连接。多个X布线WX沿第2方向Y排列。Y布线WY为大致沿着第2方向Y延伸的布线的总称,至少一部分的Y布线WY与第2驱动器DR2电连接。多个Y布线WY沿第1方向X排列。作为这些X布线WX及Y布线WY,包括扫描线、信号线、电源线、各种控制线等多个种类的布线。
在有效区域AA中,多个电气元件SD沿第1方向X及第2方向Y呈矩阵状排列,各自与X布线WX及Y布线WY电连接。
电气元件SD为例如传感器、半导体元件、或致动器等。例如作为传感器,可应用接收可见光、近红外光的光学传感器、温度传感器、压力传感器、或触摸传感器等。例如作为半导体元件,可应用发光元件、受光元件、二极管、或晶体管等。需要说明的是,电气元件SD不限于此处例示的元件,此外,也可应用具有各种功能的元件。另外,电气元件SD可以为电容器、电阻等。
电气元件SD为发光元件时,可以实现具有挠性及伸缩性的柔性显示器。发光元件例如可以是最长的一边的长度为100μm以下的微LED(发光二极管(Light EmittingDiode)),也可以是最长的一边的长度大于100μm、小于300μm的迷你LED,还可以是最长的一边的长度为300μm以上的LED。发光元件也可以为LED以外的元件。
一例中,电气元件SD是作为传感器的一种的、具备有机光电转换层的有机光电二极管。或者,电气元件SD是作为发光元件的一种的、具备有机发光层的有机发光二极管(有机电致发光元件)。
柔性基板2具备后述的绝缘基材10。一例中,第1驱动器DR1、第2驱动器DR2、X布线WX、Y布线WY、及电气元件SD均配置于绝缘基材10之上。
图2为示出柔性基板2的一例的俯视图。
绝缘基材10可伸缩。此处的所谓可伸缩,是指能够伸缩的性质、即能够从作为常态的非伸长状态伸长、在从该伸长状态释放时能够复原的性质。非伸长状态是指未施加拉伸应力时的状态。
绝缘基材10例如形成为网状。即,绝缘基材10具有:大致沿着第1方向X形成的多个带状部BX;大致沿着第2方向Y形成的多个带状部BY;和多个岛状部I。多个带状部BX沿第2方向Y排列,多个带状部BY沿第1方向X排列。带状部BX及BY的各自能够伸缩。一例中,带状部BX及BY的各自弯曲行进。需要说明的是,作为具有伸缩性的带状部BX及BY的另一形态,可以为银纳米线、碳纳米管等应用了可伸缩的材料的直线形状的带状部。另外,带状部BX及BY不限于在X-Y平面内弯曲行进的例子,也可以在X-Z平面或Y-Z平面弯曲行进。
岛状部I相当于带状部BX与带状部BY的交叉部。
多个岛状部I沿第1方向X及第2方向Y呈矩阵状排列。在第1方向X上相邻的岛状部I由带状部BX连接,在第2方向Y上相邻的岛状部I由带状部BY连接。在1个岛状部I上,分别连接有多个带状部BX及多个带状部BY。岛状部I可以为正方形、长方形、菱形等四边形,也可以为其他多边形,还可以为圆形或椭圆形等其他形状。带状部BX及BY可以与岛状部I的角部连接,也可以与岛状部I的边连接。
换言之,绝缘基材10具有多个第1开口(贯通孔)OP1。多个第1开口OP1沿第1方向X及第2方向Y呈矩阵状排列。1个第1开口OP1在俯视下被绝缘基材10的外缘10E包围。或者,1个第1开口OP1被在第2方向Y上相邻的2条带状部BX、和在第1方向X上相邻的2条带状部BY包围。
带状部BY位于在第1方向X上相邻的2个第1开口OP1之间。带状部BX位于在第2方向Y上相邻的2个第1开口OP1之间。第1开口OP1的各自的形状实质上相同。
带状部BX及BY具有1个以上的弯曲部C。这样的形状有时称为蜿蜒图案。但是,带状部BX及BY的形状不限于图2的例子。带状部BX及BY的形状可以彼此相同,也可以彼此不同。
这样的绝缘基材10可以由例如聚酰亚胺形成。需要说明的是,绝缘基材10的材料不限于聚酰亚胺,也可以使用其他树脂材料。
X布线WX配置于带状部BX之上,与带状部BX同样地弯曲行进。Y布线WY配置于带状部BY之上,与带状部BY同样地弯曲行进。
电气元件SD配置于岛状部I之上,与X布线WX及Y布线WY电连接。例如,在1个岛状部I上,配置1个电气元件SD,但也可以配置多个电气元件SD。
图3为将1个岛状部I放大的俯视图。
在岛状部I,连接有2个带状部BX及2个带状部BY。即,岛状部I在第1方向X上位于带状部BX之间,在第2方向Y上位于带状部BY之间。
在俯视下,隔壁30与岛状部I重叠,将位于岛状部I的电气元件SD包围。另外,隔壁30与带状部BX及BY各自重叠,并与X布线WX及Y布线WY重叠。图示的例子中,隔壁30以将包括配置有电气元件SD的区域的十字状区域包围的方式形成。
图4为沿着图3所示的包括岛状部I的柔性基板2的A-A’线而得的截面图。图5为沿着图3所示的包括岛状部I的柔性基板2的B-B’线的截面图。图6为沿着图3所示的包括岛状部I的柔性基板2的C-C’线而得的截面图。
柔性基板2具备绝缘基材10、无机绝缘膜11、布线层21、无机绝缘膜12、布线层22、无机绝缘膜13、有机绝缘膜14、无机绝缘膜15、电气元件SD、密封膜16、和隔壁30。
需要说明的是,柔性基板2的整体有时被具有伸缩性的保护膜覆盖。保护膜的图示省略,绝缘基材10的背面及密封膜16的表面可以由保护膜覆盖。
无机绝缘膜11配置于绝缘基材10之上,遍及岛状部I、带状部BX、及带状部BY地延伸。布线层21配置于无机绝缘膜11之上。无机绝缘膜12配置于布线层21及无机绝缘膜11之上。布线层22配置于无机绝缘膜12之上。无机绝缘膜13配置于布线层22及无机绝缘膜12之上。有机绝缘膜14配置于无机绝缘膜13之上。无机绝缘膜15配置于有机绝缘膜14之上。无机绝缘膜12、无机绝缘膜13、有机绝缘膜14、及无机绝缘膜15与无机绝缘膜11同样地,遍及岛状部I、带状部BX、及带状部BY地延伸。
无机绝缘膜11及12的各自形成为将多个绝缘层层叠而得的多层体。在一例中,无机绝缘膜11及12的各自包括由氮化硅形成的绝缘层、及由氧化硅形成的绝缘层。需要说明的是,无机绝缘膜11及12的各自可以形成为单层体,也可以形成为多层体。
无机绝缘膜13例如是形成为单层体、且由氧化硅形成的绝缘层。需要说明的是,无机绝缘膜13也可以是作为其他单层体而由氮化硅形成的绝缘层,也可以形成为多个绝缘层的多层体。
无机绝缘膜15例如是形成为单层体、且由氮化硅、氧化铝等形成的绝缘层。这样的无机绝缘膜15抑制水分向有机绝缘膜14的渗入、或者抑制有机绝缘膜14中包含的水分向电气元件SD的扩散。需要说明的是,无机绝缘膜15也可以形成为多个绝缘层的多层体。
布线层21与图2等所示的X布线WX及Y布线WY中的任一者电连接。布线层22与X布线WX及Y布线WY中的另外任一者电连接。在一例中,位于带状部BX的布线层21为X布线WX,位于岛状部I的布线层21为与X布线WX电连接的布线或电极,位于带状部BY的布线层22为Y布线WY,位于岛状部I的布线层22为与Y布线WY电连接的布线或电极。即,X布线WX配置于带状部BX与有机绝缘膜14之间,Y布线WY配置于带状部BY与有机绝缘膜14之间。
布线层21及22由钼、钨、钛、铝等金属材料形成。
隔壁30具备:与无机绝缘膜15接触的第1层31;和层叠于第1层31的第2层32。第1层31由与第2层32不同的材料形成。在一例中,第1层31由金属材料形成,但也可以由绝缘材料形成。第2层32由绝缘材料形成,但也可以由金属材料形成。关于隔壁30的详细内容,在后文中陈述。
在岛状部I处,电气元件SD配置于无机绝缘膜15之上。电气元件SD具备下部电极E1、上部电极E2、和有机层OL。例如,电气元件SD为具备有机光电转换层作为有机层OL的有机光电二极管的情况下,下部电极E1及上部电极E2中的任一者作为电气元件SD的阳极发挥功能,下部电极E1及上部电极E2中的另外任一者作为电气元件SD的阴极发挥功能。
下部电极E1配置于无机绝缘膜15之上,与无机绝缘膜15接触。下部电极E1按每个电气元件SD(或每个岛状部I)进行图案化。下部电极E1与隔壁30隔开间隔。
这样的下部电极E1由例如铟锡氧化物、铟锌氧化物等透明导电材料、或银、钛、铝等金属材料形成。需要说明的是,下部电极E1可以形成为透明导电材料的单层体、或金属材料的单层体,也可以形成为多层体。图示的例子中,下部电极E1形成为由金属材料形成的金属层E11及由透明导电材料形成的透明导电层E12的多层体,透明导电层E12覆盖金属层E11。
有机层OL配置于下部电极E1之上,与下部电极E1接触。另外,有机层OL向下部电极E1的外侧延伸出,在隔壁30与下部电极E1之间配置于无机绝缘膜15之上,并与无机绝缘膜15接触。有机层OL除了包含活性层外,还可以包含空穴传输层、电子传输层等。
上部电极E2配置于有机层OL之上,与有机层OL接触。另外,上部电极E2与隔壁30的第1层31接触。上部电极E2由例如铟锡氧化物、铟锌氧化物等透明导电材料形成。在第1层31为由金属材料形成的导电层的情况下,通过使上部电极E2与第1层31接触,从而上部电极E2与隔壁30电连接。
有机层OL及上部电极E2不仅存在于电气元件SD中,而且还延伸出至被隔壁30包围的区域的外侧。即,电气元件SD中,下部电极E1配置于岛状部I,被隔壁30包围,但有机层OL及上部电极E2不仅配置于岛状部I,而且还在隔壁30的外侧延伸出至带状部BX及带状部BY。
另外,上部电极E2也在隔壁30的外侧与第1层31接触。由此,第1层31为导电层的情况下,图示的上部电极E2与位于相邻的岛状部I的其他电气元件SD的上部电极E2电连接。即,上部电极E2是遍及多个电气元件SD而配置的共通电极。
密封膜16覆盖电气元件SD。另外,密封膜16也覆盖隔壁30。图示的例子中,密封膜16与隔壁30的第1层31及第2层32二者接触。
密封膜16为无机绝缘膜,是由例如氮化硅、氧化铝等无机绝缘材料形成的绝缘层。在一例中,密封膜16由与第2层32相同的材料形成。因此,第2层32及密封膜16的密合度提高,能够实现高的密封性能。
图7为将隔壁30的一个构成例放大而示出的截面图。需要说明的是,省略绝缘基材10至无机绝缘膜13的图示。
如上所述,隔壁30具备第1层31和第2层32。第1层31具有:与电气元件SD面对的第1侧面S1;第1侧面S1的相反侧的第2侧面S2;和,第1侧面S1与第2侧面S2之间的第1上表面U1。第1侧面S1在隔壁30中相当于包围电气元件SD的内表面,第2侧面S2相当于隔壁30的外表面。
第2层32具有:与第1上表面U1接触的底面B2;与电气元件SD面对的第3侧面S3;第3侧面S3的相反侧的第4侧面S4;和,第3侧面S3与第4侧面S4之间的第2上表面U2。底面B2从第1侧面S1朝向电气元件SD延伸出,并且,从第2侧面S2朝向外侧(与电气元件SD相反的一侧)延伸出。即,第2层32从第1侧面S1朝向电气元件SD伸出,此外,从第2侧面S2朝向与电气元件SD相反的一侧伸出。
在第2层32之上,层叠有有机层OL及第2电极E2,与构成电气元件SD的有机层OL及第2电极E2隔开间隔。
图7所示的例子中,第2层32中,第3侧面S3、第4侧面S4、及第2上表面U2与有机层OL接触,第1侧面S1与第3侧面S3之间的底面B2、以及第2侧面S2与第4侧面S4之间的底面B2从有机层OL及第2电极E2露出。
这样的隔壁30被构成电气元件SD的有机层OL及上部电极E2、和位于电气元件SD的外侧的有机层OL及上部电极E2分隔开。但是,上部电极E2与作为导电层的第1层31的第1侧面S1及第2侧面S2接触。由此,上部电极E2虽然被由隔壁30包围的内侧的区域和外侧的区域分隔开,但介由隔壁30(或第1层31)而彼此电连接。
密封膜16与第1层31中的第1侧面S1及第2侧面S2接触。另外,密封膜16在第2层32中在第1侧面S1与第3侧面S3之间、及第2侧面S2与第4侧面S4之间与底面B2接触。
如以上说明的,配置于岛状部I的电气元件SD的有机层OL及上部电极E2与分别配置于带状部BX及带状部BY的有机层OL及上部电极E2被隔壁30分隔开。因此,即使伴随着具有伸缩性的带状部BX及BY的变形而在作为无机膜的密封膜16、上部电极E2中产生裂纹,也可抑制该裂纹向岛状部I的传播。因此,可抑制覆盖电气元件SD的密封膜16的裂纹的产生、密封膜16自上部电极E2的剥离、以及上部电极E2自有机层OL的剥离。
另外,由于朝向电气元件SD的水分渗入通路被隔壁30阻断,因此即使水分经由带状部BX及BY中产生的裂纹而渗入,也可抑制电气元件SD因水分而引起的劣化。
因此,可抑制电气元件SD因外部气体、水分而引起的劣化。因此,可抑制可靠性的下降。
接着,参照图8及图9对上述柔性基板2的制造方法进行说明。需要说明的是,各图中,省略绝缘基材10至无机绝缘膜13的图示。
首先,在例如聚酰亚胺制的绝缘基材10之上形成无机绝缘膜11后,依次形成布线层21、无机绝缘膜12、布线层22、无机绝缘膜13、有机绝缘膜14、无机绝缘膜15。
接下来,在图8中,如上段所示,在无机绝缘膜15之上形成金属层M后,形成例如氧化铝的绝缘层,将该绝缘层图案化为规定形状,由此形成第2层32。
然后,如中段所示,通过以第2层32为掩模对金属层M进行蚀刻,从而形成第1层31。需要说明的是,在蚀刻时,可以设置保护第2层32的抗蚀剂。此时,在第1层31的宽度W1小于第2层32的宽度W2的条件下进行蚀刻。
然后,如下段所示,在无机绝缘膜15之上,作为下部电极E1,形成金属层E11,然后形成覆盖金属层E11的透明导电层E12。在下部电极E1与第1层31之间,无机绝缘膜15露出。
接下来,图9中,如上段所示,利用例如真空蒸镀法,形成有机层OL。此时,来自蒸镀源的蒸气从不存在隔壁30的区域通过,到达至下部电极E1及无机绝缘膜15之上。来自蒸镀源的蒸气不会到达成为隔壁30的第2层32的阴影的区域(第1层31的第1侧面S1及第2侧面S2)。
然后,如中段所示,利用例如溅射法,形成上部电极E2。此时,来自蒸镀源的蒸气从不存在隔壁30的区域通过,到达有机层OL之上,并且也到达第1层31的第1侧面S1及第2侧面S2。
然后,如下段所示,利用蒸镀法,形成例如氧化铝的密封膜16。密封膜16以覆盖电气元件SD及隔壁30的方式形成。由此,制造了柔性基板2。
如以上所说明的,在不应用精细掩模的情况下形成了电气元件SD的有机层OL及上部电极E2。因此,与应用精细掩模的情况相比,能够削减制造成本,并且,无需精细掩模的对位等工序,能够容易地形成所期望的形状的有机层OL及上部电极E2。
接着,对隔壁30的另一构成例进行说明。
图10为将隔壁30的另一构成例放大而示出的截面图。需要说明的是,省略绝缘基材10至无机绝缘膜13的图示。
第1层31具有:与电气元件SD面对的第1侧面S1;第1侧面S1的相反侧的第2侧面S2;和,第1侧面S1与第2侧面S2之间的第1上表面U1。
第2层32具有:与第1上表面U1接触的底面B2;与电气元件SD面对的第3侧面S3;第3侧面S3的相反侧的第4侧面S4;和,第3侧面S3与第4侧面S4之间的第2上表面U2。第3侧面S3及第4侧面S4与第1上表面U1重叠。即,第2层32未从第1侧面S1朝向电气元件SD伸出,另外,也未从第2侧面S2朝向与电气元件SD相反的一侧伸出。图10所示的例子中,第3侧面S3与第1侧面S1重叠,第4侧面S4与第2侧面S2重叠。在隔壁30中,第1侧面S1及第3侧面S3相当于包围电气元件SD的内表面,第2侧面S2及第4侧面S4相当于外表面。
电气元件SD具备下部电极E1、有机层OL、和上部电极E2。下部电极E1及有机层OL与隔壁30隔开间隔。上部电极E2在隔壁30与有机层OL之间与无机绝缘膜15接触。另外,上部电极E2与第1侧面S1及第3侧面S3接触,上部电极E2的一部分配置于第2上表面U2上。
在隔壁30的外侧,未配置有机层OL。即,在隔壁的外侧,上部电极E2不隔着有机层OL而与无机绝缘膜15接触。另外,上部电极E2与第2侧面S2及第4侧面S4接触。上部电极E2在第2上表面U2中具有狭缝SL。狭缝SL在俯视下例如形成为与图3所示的隔壁30同样的形状,包围电气元件SD。
密封膜16覆盖上部电极E2。另外,密封膜16在狭缝SL中与第2层32的第2上表面U2接触。
接着,参照图11及图12对上述柔性基板2的制造方法进行说明。需要说明的是,各图中,省略绝缘基材10至无机绝缘膜13的图示。
首先,在例如聚酰亚胺制的绝缘基材10之上形成无机绝缘膜11之后,依次形成布线层21、无机绝缘膜12、布线层22、无机绝缘膜13、有机绝缘膜14、无机绝缘膜15。
接下来,在图11中,如上段所示,在无机绝缘膜15之上形成将第1层31及第2层32层叠而得的隔壁30。第1层31通过将金属层图案化而形成,第2层32通过将绝缘层图案化而形成,这些金属层及绝缘层的图案化可以一并进行,也可以分开进行。
然后,如中段所示,在无机绝缘膜15之上,作为下部电极E1,形成金属层E11之后形成将金属层E11覆盖的透明导电层E12。在下部电极E1与隔壁30之间,无机绝缘膜15露出。
然后,如下段所示,利用例如真空蒸镀法,形成有机层OL。此时,以来自蒸镀源的蒸气到达所期望的区域的方式,应用形成有开口的掩模。由此,用于形成有机层OL的蒸气到达下部电极E1之上,但未到达隔壁30、或隔壁30的外侧的区域。
接下来,在图12中,如上段所示,利用例如溅射法,形成上部电极E2。此时,来自蒸镀源的蒸气到达有机层OL、无机绝缘膜15、及隔壁30的几乎整个面。然后,将覆盖第2上表面U2的上部电极E2的一部分除去,形成狭缝SL。
然后,如下段所示,利用蒸镀法,形成覆盖上部电极E2、并且在狭缝SL中与第2层32接触的密封膜16,制造了柔性基板2。
在这样的另一构成例中,配置于岛状部I的电气元件SD的上部电极E2与分别配置于带状部BX及带状部BY的上部电极E2也被隔壁30分隔开。因此,即使伴随着具有伸缩性的带状部BX及BY的变形而在作为无机膜的密封膜16、上部电极E2中产生裂纹,仍可抑制该裂纹向岛状部I的传播。因此,可获得与上述同样的效果。
如以上所说明的,根据本实施方式,能够提供可抑制可靠性的下降的电子设备。
需要说明的是,虽然对本发明的数个实施方式进行了说明,但这些实施方式只是作为例子公开,并不是为了限定发明的范围。这些新颖实施方式可以以其他各种方式实施,可以在不超出发明主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式、其变形被包括在发明的范围、主旨中,并且被包括在权利要求所记载的发明和其等效范围中。
Claims (13)
1.电子设备,其具备:
绝缘基材,其包括具有伸缩性的带状部,和与所述带状部连接的岛状部;
有机绝缘膜,其配置于所述绝缘基材之上;
无机绝缘膜,其配置于所述有机绝缘膜之上;
布线,其配置于所述带状部与所述有机绝缘膜之间;
电气元件,其在所述岛状部处配置于所述无机绝缘膜之上、且与所述布线电连接;
隔壁,其与所述岛状部及所述带状部重叠、且包围所述电气元件;和
密封膜,其覆盖所述电气元件。
2.如权利要求1所述的电子设备,其中,所述隔壁具备:
第1层,其与所述无机绝缘膜接触;和
第2层,其由作为与所述密封膜相同的材料的无机绝缘材料形成、且被层叠于所述第1层上,
所述第2层与所述密封膜接触。
3.如权利要求2所述的电子设备,其中,
所述第1层具有:面对所述电气元件的第1侧面;所述第1侧面的相反侧的第2侧面;和,第1上表面,
所述第2层具有与所述第1上表面接触的底面,
所述底面从所述第1侧面朝向所述电气元件延伸出,并且,从所述第2侧面朝向外侧延伸出。
4.如权利要求3所述的电子设备,其中,所述密封膜与所述第1侧面、所述第2侧面、及所述底面接触。
5.如权利要求4所述的电子设备,其中,所述第1层由金属材料形成,
所述电气元件具备:
下部电极,其配置于所述无机绝缘膜之上;
有机层,其配置于所述下部电极之上;和
上部电极,其配置于所述有机层之上,
所述下部电极与所述隔壁隔开间隔,
所述上部电极与所述第1层的所述第1侧面接触。
6.如权利要求2所述的电子设备,其中,
所述第1层具有:面对所述电气元件的第1侧面;所述第1侧面的相反侧的第2侧面;和,第1上表面,
所述第2层具有:与所述第1上表面接触的底面;面对所述电气元件的第3侧面;所述第3侧面的相反侧的第4侧面;和,第2上表面,
所述第3侧面及所述第4侧面与所述第1上表面重叠。
7.如权利要求6所述的电子设备,其中,所述密封膜与所述第2上表面接触。
8.如权利要求7所述的电子设备,其中,
所述第1层由金属材料形成,
所述电气元件具备:
下部电极,其配置于所述无机绝缘膜之上;
有机层,其配置于所述下部电极之上;和
上部电极,其配置于所述有机层之上,
所述下部电极与所述隔壁隔开间隔,
所述上部电极与所述第1层的所述第1侧面及所述第2层的所述第3侧面接触。
9.如权利要求2所述的电子设备,其中,所述无机绝缘膜、所述第2层及所述密封膜由氮化硅、或氧化铝形成。
10.如权利要求1所述的电子设备,其中,所述电气元件为发光元件或传感器。
11.如权利要求1所述的电子设备,其中,所述带状部是弯曲行进的。
12.电子设备,其具备:
绝缘基材,其是由树脂材料形成的;
有机绝缘膜,其配置于所述绝缘基材之上;
无机绝缘膜,其配置于所述有机绝缘膜之上;
布线,其配置于所述绝缘基材与所述有机绝缘膜之间;
电气元件,其配置于所述无机绝缘膜之上、且与所述布线电连接;
隔壁,其配置于所述无机绝缘膜之上、且包围所述电气元件;和
密封膜,其覆盖所述电气元件,
所述隔壁具备:
第1层,其由金属材料形成、且与所述无机绝缘膜接触;和
第2层,其由作为与所述密封膜相同的材料的无机绝缘材料形成、且被层叠于所述第1层上,
所述第2层朝向所述电气元件伸出、并与所述密封膜接触。
13.如权利要求12所述的电子设备,其中,所述电气元件具备:
下部电极,其配置于所述无机绝缘膜之上;
有机层,其配置于所述下部电极之上;和
上部电极,其配置于所述有机层之上,
所述下部电极与所述隔壁隔开间隔,
所述上部电极与所述隔壁接触。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-091328 | 2021-05-31 | ||
JP2021091328A JP2022183831A (ja) | 2021-05-31 | 2021-05-31 | 電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115484732A true CN115484732A (zh) | 2022-12-16 |
Family
ID=83997008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210598248.7A Pending CN115484732A (zh) | 2021-05-31 | 2022-05-30 | 电子设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220384749A1 (zh) |
JP (1) | JP2022183831A (zh) |
CN (1) | CN115484732A (zh) |
DE (1) | DE102022205372A1 (zh) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7368210B2 (ja) | 2019-12-11 | 2023-10-24 | 日本プラスト株式会社 | エアバッグ及びその折畳方法 |
-
2021
- 2021-05-31 JP JP2021091328A patent/JP2022183831A/ja active Pending
-
2022
- 2022-05-27 US US17/804,339 patent/US20220384749A1/en active Pending
- 2022-05-30 CN CN202210598248.7A patent/CN115484732A/zh active Pending
- 2022-05-30 DE DE102022205372.9A patent/DE102022205372A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022183831A (ja) | 2022-12-13 |
US20220384749A1 (en) | 2022-12-01 |
DE102022205372A1 (de) | 2022-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101797728B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
CN107275508B (zh) | 显示设备 | |
CN108538897B (zh) | 具有微盖层的显示装置及其制造方法 | |
CN107221606B (zh) | 显示设备 | |
CN107204154B (zh) | 显示设备 | |
CN109375399B (zh) | 显示装置 | |
KR101810304B1 (ko) | 가요성 디스플레이 | |
US10811488B2 (en) | Display device | |
CN111095175B (zh) | 显示装置 | |
KR101844432B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
CN108470762B (zh) | 一种柔性显示面板和显示装置 | |
KR20170137260A (ko) | 디스플레이 장치 | |
CN110892469B (zh) | 显示器件、显示器件的制造方法、显示器件的制造装置 | |
CN107037915B (zh) | 显示设备及其制造方法 | |
US10312206B2 (en) | Array substrate | |
JP2018006115A (ja) | 表示装置 | |
JP2018088346A (ja) | 表示装置 | |
KR20190087886A (ko) | 신축성 디스플레이 | |
US20230019276A1 (en) | Electronic device | |
CN115484732A (zh) | 电子设备 | |
CN111902855B (zh) | 显示装置的制造方法以及显示装置 | |
JP6404361B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2019024007A (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
US20220359843A1 (en) | Sensor device | |
US20230345644A1 (en) | Method of manufacturing flexible substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |