CN115483609A - 表面发射激光器的制造方法、检查方法以及检查装置 - Google Patents

表面发射激光器的制造方法、检查方法以及检查装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115483609A
CN115483609A CN202210407726.1A CN202210407726A CN115483609A CN 115483609 A CN115483609 A CN 115483609A CN 202210407726 A CN202210407726 A CN 202210407726A CN 115483609 A CN115483609 A CN 115483609A
Authority
CN
China
Prior art keywords
surface emitting
emitting lasers
laser
laser light
lasers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210407726.1A
Other languages
English (en)
Inventor
久保田良辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of CN115483609A publication Critical patent/CN115483609A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
    • H01S5/0042—On wafer testing, e.g. lasers are tested before separating wafer into chips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J2001/4247—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources
    • G01J2001/4252—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources for testing LED's
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供表面发射激光器的制造方法、检查方法以及检查装置。在一个实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法中，准备具有包含多个区域的主面的衬底。在多个区域中分别设置有多个表面发射激光器。对通过对多个表面发射激光器中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光器分别施加直流电压而从n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定。对通过对多个表面发射激光器中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光器分别施加交流电压而从m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定。基于第一激光的测定结果对n个表面发射激光器的好坏进行判定。基于第二激光的测定结果对m个表面发射激光器的好坏进行判定。

Description

表面发射激光器的制造方法、检查方法以及检查装置
本申请主张基于2021年6月16日申请的日本申请第2021-99981号的优先权，并援引所述日本申请所记载的全部记载内容。
技术领域
本公开涉及表面发射激光器的制造方法、表面发射激光器的检查方法以及表面发射激光器的检查装置。
背景技术
专利文献1公开了一种半导体器件晶片的检查方法。在该方法中，对集成有半导体器件的芯片的晶片照射量子束，一边改变照射位置，一边对晶片上产生的热电动势进行检测。之后，判定所测定的热电动势电流或热电动势电压是否超过阈值，将产生超过阈值的热电动势电流或热电动势电压时的量子束在晶片上的照射位置作为不良地址信息进行存储。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-235839号公报
发明内容
发明所要解决的问题
晶片所包含的表面发射激光器的好坏判定基于通过对表面发射激光器施加直流电压而射出的激光的测定结果来进行。然而，仅凭基于直流电压的施加的好坏判定，有时无法适当地判定表面发射激光器的好坏。因此，可以考虑对通过对各表面发射激光器施加交流电压而射出的激光进行测定，并基于该测定结果对各表面发射激光器的好坏进行判定。但是，通过交流电压的施加而射出的激光的测定需要比较长的时间。因此，表面发射激光器的检查需要较长的时间。
本公开提供一种能够缩短检查时间的表面发射激光器的制造方法、表面发射激光器的检查方法以及表面发射激光器的检查装置。
用于解决问题的手段
本公开的一个方面所涉及的表面发射激光器的制造方法包含如下步骤：准备具有包含多个区域的主面的衬底，其中，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；对通过对所述多个表面发射激光器中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光器分别施加直流电压而从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定；对通过对所述多个表面发射激光器中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光器分别施加交流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定；基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定；以及基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
本公开的另一方面所涉及的表面发射激光器的检查方法包含如下步骤：准备具有包含多个区域的主面的衬底，其中，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；对通过对所述多个表面发射激光器中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光器分别施加直流电压而从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定；对通过对所述多个表面发射激光器中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光器分别施加交流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定；基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定；以及基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
本公开的另一方面所涉及的表面发射激光器的检查装置具备：载置台，其用于载置具有包含多个区域的主面的衬底，其中，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；第一探针，其用于对所述多个表面发射激光器中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光器分别施加直流电压；第二探针，其用于对所述多个表面发射激光器中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光器分别施加交流电压；第一测定器，其用于对从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定；第二测定器，其用于对从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定；以及判定装置，其构成为基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定，并且基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
发明效果
根据本公开，提供能够缩短检查时间的表面发射激光器的制造方法、表面发射激光器的检查方法以及表面发射激光器的检查装置。
附图说明
图1是示意性地表示一个实施方式所涉及的表面发射激光器的检查装置的图。
图2是示意性地表示包含被检查的表面发射激光器的衬底的例子的俯视图。
图3是表示图2的衬底的主面中的一个区域的俯视图。
图4是表示一个实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法的流程图。
图5是表示另一实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法的流程图。
图6是示意性地表示包含在另一实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法中被检查的表面发射激光器的衬底的例子的俯视图。
附图标记说明：
10：直流电源；12：交流电源；14：偏置器；20：测定装置；22：透镜；24：光纤；26：测定器；26a：第一测定器；26b：第二测定器；26c：第三测定器；30：控制装置；100：检查装置；A：区域；A1：合格区域；A2：不合格区域；L1：第一激光；L2：第二激光；L3：第三激光；LD：表面发射激光器；MT1：方法；MT2：方法；PR1：第一探针；PR2：第二探针；ST：载置台；TC：热敏卡盘；W：衬底；Wa：主面。
具体实施方式
[本公开的实施方式的说明]
一个实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法包含如下步骤：准备具有包含多个区域的主面的衬底，其中，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；对通过对所述多个表面发射激光器中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光器分别施加直流电压而从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定；对通过对所述多个表面发射激光器中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光器分别施加交流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定；基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定；以及基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
根据上述表面发射激光器的制造方法，由于用于测定第二激光的表面发射激光器的个数(m个)较少，因此能够缩短需要比较长的时间的第二激光的测定时间。因此，能够缩短表面发射激光器的检查时间。
上述制造方法还可以包含如下步骤：对通过对所述m个表面发射激光器分别施加直流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第三激光进行测定；以及基于所述第三激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。在该情况下，由于用于测定第三激光的表面发射激光器的个数(m个)较少，因此能够缩短需要比较长的时间的第三激光的测定时间。
上述制造方法还可以包含如下步骤：将所述多个区域中的、在对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤中被判定为良好的表面发射激光器的个数为阈值以上的区域决定为合格区域，在所述合格区域中进行对所述第二激光进行测定的步骤和基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤。在该情况下，由于用于测定第二激光的表面发射激光器的个数(m个)进一步减少，因此能够进一步缩短第二激光的测定时间。
上述制造方法还可以包含如下步骤：将所述多个区域中的、在对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤中被判定为良好的表面发射激光器的个数为阈值以上的区域决定为合格区域，在所述合格区域中进行对所述第二激光进行测定的步骤、基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤、对所述第三激光进行测定的步骤、以及基于所述第三激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤。在该情况下，由于用于测定第二激光以及第三激光的表面发射激光器的个数(m个)进一步减少，因此能够进一步缩短第二激光以及第三激光的测定时间。
一个实施方式所涉及的表面发射激光器的检查方法包含如下步骤：准备具有包含多个区域的主面的衬底，其中，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；对通过对所述多个表面发射激光器中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光器分别施加直流电压而从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定；对通过对所述多个表面发射激光器中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光器分别施加交流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定；基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定；以及基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
根据上述表面发射激光器的检查方法，由于用于测定第二激光的表面发射激光器的个数(m个)较少，因此能够缩短需要比较长的时间的第二激光的测定时间。因此，能够缩短表面发射激光器的检查时间。
一个实施方式所涉及的表面发射激光器的检查装置具备：载置台，其用于载置具有包含多个区域的主面的衬底，其中，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；第一探针，其用于对所述多个表面发射激光器中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光器分别施加直流电压；第二探针，其用于对所述多个表面发射激光器中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光器分别施加交流电压；第一测定器，其用于对从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定；第二测定器，其用于对从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定；以及判定装置，其构成为基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定，并且基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
根据上述表面发射激光器的检查装置，由于用于测定第二激光的表面发射激光器的个数(m个)较少，因此能够缩短需要比较长的时间的第二激光的测定时间。因此，能够缩短表面发射激光器的检查时间。
[本公开的实施方式的详细内容]
以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。在附图的说明中，对相同或等同的要素使用相同的附图标记，并省略重复的说明。在附图中，根据需要示出XYZ正交坐标系。
图1是示意性地表示一个实施方式所涉及的表面发射激光器的检查装置的图。图1所示的表面发射激光器的检查装置100具备用于载置衬底W的载置台ST。载置台ST也可以能够在X轴方向以及Y轴方向上移动。衬底W也可以载置在配置于衬底W与载置台ST之间的热敏卡盘TC上。热敏卡盘TC能够对衬底W的温度进行调整。
衬底W例如为III-V族化合物半导体衬底。衬底W具有主面Wa。如图2所示，主面Wa包含多个区域A。多个区域A沿着X轴方向以及Y轴方向配置成二维形状。如图3所示，在多个区域A中分别设置有多个表面发射激光器LD。多个表面发射激光器LD沿着X轴方向以及Y轴方向配置成二维形状。各表面发射激光器LD例如是垂直腔面发射激光器。一个衬底W例如包含3万个以上的表面发射激光器LD。在一个区域A中例如设置有500个以上的表面发射激光器LD。
检查装置100具备用于对各表面发射激光器LD施加直流电压的多个第一探针PR1。多个第一探针PR1也可以与直流电源10连接。两个第一探针PR1的前端能够分别与各表面发射激光器LD的第一电极以及第二电极接触。第一电极与表面发射激光器LD中包含的p型半导体层连接。第二电极与表面发射激光器LD中包含的n型半导体层连接。
检查装置100具备用于对各表面发射激光器LD施加交流电压的多个第二探针PR2。多个第二探针PR2也可以与交流电源12连接。两个第二探针PR2的前端能够分别与各表面发射激光器LD的第一电极以及第二电极接触。也可以在交流电源12与多个第二探针PR2之间配置偏置器14。偏置器14与直流电源10连接。
检查装置100具备用于对从各表面发射激光器LD向Z轴方向射出的激光(第一激光L1、第二激光L2或第三激光L3)进行测定的测定装置20。测定装置20也可以具备透镜22和经由光纤24与透镜22连接的测定器26。透镜22能够接受激光。射入到透镜22的激光通过光纤24到达测定器26。
测定器26具备第一测定器26a以及第二测定器26b。第一测定器26a可以是用于对第一激光L1的强度进行测定的功率计，也可以是用于对第一激光L1的波长进行测定的分光器或光谱分析仪。第二测定器26b可以是用于对第二激光L2的高频特性进行测定的光波成分分析仪(LCA：Lightwave component analyzer)。第二测定器26b也可以包含交流电源12。测定器26也可以具备第三测定器26c。第三测定器26c可以是用于对第三激光L3的相对强度噪声(RIN：Relative Intensity Noise)进行测定的RIN测定系统。
检查装置100具备控制装置30。控制装置30可以是构成为基于测定装置20对第一激光L1至第三激光L3的测定结果对各表面发射激光器LD的好坏进行判定的判定装置。控制装置30例如包含处理器。控制装置30构成为分别对载置台ST、直流电源10以及测定装置20进行控制。
图4是表示一个实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法的流程图。图4所示的表面发射激光器的制造方法MT1(以下，简称为方法MT1)包含一个实施方式所涉及的表面发射激光器的检查方法。方法MT1可以包含步骤S1至步骤S9。可以依次进行步骤S1至步骤S9。也可以不进行步骤S1、步骤S2、步骤S5、步骤S8以及步骤S9。方法MT1可以使用检查装置100来进行。通过方法MT1，能够如以下那样制造表面发射激光器LD。
首先，在衬底W上执行晶片工艺(步骤S1)。晶片工艺例如包含成膜、光刻以及蚀刻等。通过步骤S1，准备包含多个表面发射激光器LD的衬底W。
接着，决定测定样品数m(步骤S2)。测定样本数m是在步骤S4以及步骤S5中作为测定对象的表面发射激光器LD的数量。步骤S2也可以在步骤S1之前进行。测定样本数m可以是一个区域A中的测定样本数与区域A的总数之积。
可以以使得生产者危险α以及消费者危险β分别为目标值以下的方式来决定测定样本数m。例如，以使得消费者危险β为10％以下、生产者危险α为5％以下的方式来决定测定样本数m。前提条件的例子如下所述。
(前提条件)
所允许的不良数k：1个；
激光的波长在允许范围内的比例：90％；
批次允许不良率(LTPD：Lot Tolerance Percent Defective)：10％；
合格质量极限(AQL：Acceptable Quality Limit)：5％以下。
在AQL例如为0.71％的情况下，如果测定样本数m为56个，则β为3.38％，α为4.93％。生产者危险α以及消费者危险β均在目标值以下。
接着，对通过对多个表面发射激光器LD中的n个表面发射激光器LD分别施加直流电压而从n个表面发射激光器LD分别射出的第一激光L1进行测定(步骤S3)。n为2以上的整数。n也可以是衬底W所包含的多个表面发射激光器LD的全部个数。在步骤S3中，对第一激光L1的强度、第一激光L1的振荡波长以及第一激光L1的光谱宽度中的至少一个进行测定。步骤S3也可以在步骤S2之前进行。
步骤S3可以由图1的检查装置100进行。当从第一探针PR1对各表面发射激光器LD施加直流电压时，从各表面发射激光器LD射出第一激光L1。由第一测定器26a对第一激光L1进行测定。第一激光L1的测定结果从第一测定器26a被发送至控制装置30。控制装置30向第一测定器26a发送用于对第一测定器26a进行控制的信号。控制装置30向直流电源10发送用于对直流电源10进行控制的信号。对各表面发射激光器LD施加的电流以及电压的数据从直流电源10发送至控制装置30。
一边使施加于各表面发射激光器LD的直流电压例如从0伏特变化至几伏特，一边对第一激光L1的强度进行测定。一边对各表面发射激光器LD施加预先决定的偏置电流一边对第一激光L1的振荡波长以及光谱宽度进行测定。第一激光L1的振荡波长的范围例如为800nm～950nm。
接着，对通过对多个表面发射激光器LD中的m个表面发射激光器LD分别施加交流电压而从m个表面发射激光器LD分别射出的第二激光L2进行测定(步骤S4)。m是小于n的自然数。m是在步骤S2中决定的测定样本数m。在步骤S4中，对相对于交流电压的频率的变化的、第二激光L2的强度的变化(追随性)进行测定。例如，可以一边使交流电压的频率从几MHz变化至50GHz，一边对第二激光L2的强度的变化进行测定。步骤S4也可以在步骤S3之前进行。
步骤S4可以由图1的检查装置100进行。当从第二探针PR2对各表面发射激光器LD施加交流电压时，从各表面发射激光器LD射出第二激光L2。由第二测定器26b对第二激光L2进行测定。第二激光L2的测定结果从第二测定器26b被发送至控制装置30。控制装置30向第二测定器26b发送用于对第二测定器26b进行控制的信号。第二测定器26b向各表面发射激光器LD发送高频信号。控制装置30向直流电源10发送用于对直流电源10进行控制的信号。
接着，对通过对m个表面发射激光器LD分别施加直流电压而从m个表面发射激光器LD分别射出的第三激光L3进行测定(步骤S5)。在步骤S5中，对第三激光L3的相对强度噪声进行测定。步骤S5也可以在步骤S4之前进行。
步骤S5可以由图1的检查装置100进行。当从第一探针PR1对各表面发射激光器LD供给直流电压时，从各表面发射激光器LD射出第三激光L3。由第三测定器26c对第三激光L3进行测定。第三激光L3的测定结果从第三测定器26c被发送至控制装置30。控制装置30向第三测定器26c发送用于对第三测定器26c进行控制的信号。控制装置30向直流电源10发送用于对直流电源10进行控制的信号。
接着，基于步骤S3中的第一激光L1的测定结果，对n个表面发射激光器LD的好坏进行判定(步骤S6)。例如，在第一激光L1的振荡波长处于允许范围内的情况下，判定为表面发射激光器LD是合格品。步骤S6也可以在步骤S5之前或步骤S4之前进行。在步骤S6中，在表面发射激光器LD的合格品率小于阈值的情况下，由于衬底W所包含的合格品的表面发射激光器LD的数量较少，因此也可以将衬底W本身废弃。
接着，基于步骤S4中的第二激光L2的测定结果，对m个表面发射激光器LD的好坏进行判定(步骤S7)。例如，在相对于交流电压的频率的变化的、第二激光L2的强度的变化在允许范围内的情况下，判定为表面发射激光器LD是合格品。步骤S7也可以在步骤S6之前或步骤S5之前进行。
接着，基于步骤S5中的第三激光L3的测定结果，对m个表面发射激光器LD的好坏进行判定(步骤S8)。例如，在第三激光L3的相对强度噪声在允许范围内的情况下，判定为表面发射激光器LD是合格品。步骤S8也可以在步骤S7之前或步骤S6之前进行。
接着，对衬底W进行切割(步骤S9)。由此，多个表面发射激光器LD彼此分离。其结果是，得到包含单一的表面发射激光器LD的芯片或包含多个表面发射激光器LD的阵列。对在步骤S6至步骤S8的全部步骤中被判定为是合格品的表面发射激光器LD进行挑选而能够作为产品出厂。或者，对于在步骤S7中判明的不良数为k个以下(k为在前提条件中决定的所允许的不良数)的衬底W，除了在步骤S7中被判定为不良的表面发射激光器LD以外，在步骤S6中被判定为是合格品的表面发射激光器LD全部能够作为产品出厂。在该情况下，产品也可以包含未进行第二激光L2的测定的表面发射激光器LD。或者，对于在步骤S8中不良数为k个以下这样的衬底W，除了在步骤S8中被判定为不良的表面发射激光器LD以外，在步骤S6中被判定为是合格品的表面发射激光器LD全部能够作为产品出厂。在该情况下，产品也可以包含未进行第三激光L3的测定的表面发射激光器LD。
根据方法MT1，由于用于测定第二激光L2的表面发射激光器LD的个数(m个)较少，因此能够缩短需要比较长的时间的第二激光L2的测定时间。另外，在进行步骤S5以及步骤S8的情况下，由于用于测定第三激光L3的表面发射激光器LD的个数(m个)较少，因此能够缩短需要比较长的时间的第三激光L3的测定时间。因此，能够缩短表面发射激光器LD的检查时间。因而，能够缩短表面发射激光器LD的制造时间。
图5是表示另一实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法的流程图。图6是示意性地表示包含在另一实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法中被检查的表面发射激光器的衬底的例子的俯视图。图5所示的表面发射激光器的制造方法MT2(以下，简称为方法MT2)可以包含步骤S1至步骤S3、步骤S6、步骤S10、步骤S4、步骤S5、步骤S7至步骤S9。也可以依次进行步骤S1至步骤S3、步骤S6、步骤S10、步骤S4、步骤S5、步骤S7至步骤S9。也可以不进行步骤S1、步骤S2、步骤S5、步骤S8以及步骤S9。方法MT2可以使用检查装置100来进行。通过方法MT2，能够如以下那样制造表面发射激光器LD。
首先，与方法MT1同样地进行步骤S1至步骤S3。之后，进行与方法MT1同样的步骤S6。
接着，将多个区域A中的、在步骤S6中被判定为良好的表面发射激光器LD的个数为阈值以上的区域决定为合格区域A1(参照图6)(步骤S10)。多个区域A中的合格区域A1以外的区域为不合格区域A2。
接着，在合格区域A1中，对通过对m个表面发射激光器LD分别施加交流电压而从m个表面发射激光器LD分别射出的第二激光L2进行测定(步骤S4)。
接着，在合格区域A1中，对通过对m个表面发射激光器LD分别施加直流电压而从m个表面发射激光器LD分别射出的第三激光L3进行测定(步骤S5)。步骤S5也可以在步骤S4之前进行。
接着，在合格区域A1中，基于第二激光L2的测定结果，对m个表面发射激光器LD的好坏进行判定(步骤S7)。步骤S7也可以在步骤S5之前进行。
接着，在合格区域A1中，基于第三激光L3的测定结果，对m个表面发射激光器LD的好坏进行判定(步骤S8)。步骤S8也可以在步骤S7之前进行。
接着，进行与方法MT1同样的步骤S9。
根据方法MT2，能够与方法MT1同样地缩短表面发射激光器LD的检查时间。另外，不需要在不合格区域A2中进行步骤S4、步骤S5、步骤S7以及步骤S8。因此，由于测定第二激光L2以及第三激光L3的表面发射激光器LD的个数(m个)进一步减少，因此能够进一步缩短第二激光L2以及第三激光L3的测定时间。
以上，对本公开的优选实施方式进行了详细说明，但本公开并不限定于上述实施方式。
应当认为本次公开的实施方式在所有方面都是示例而不是限制性的。本发明的范围不是由上述的意思表示，而是由权利要求书表示，意图包含与权利要求书等同的意思以及范围内的全部变更。

Claims (12)

1.一种表面发射激光器的制造方法，其中，
所述表面发射激光器的制造方法包含如下步骤：
准备具有包含多个区域的主面的衬底，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；
对通过对所述多个表面发射激光器中的n个表面发射激光器分别施加直流电压而从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定，其中，n为2以上的整数；
对通过对所述多个表面发射激光器中的m个表面发射激光器分别施加交流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定，其中，m为小于n的自然数；
基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定；以及
基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
2.根据权利要求1所述的表面发射激光器的制造方法，其中，
所述表面发射激光器的制造方法还包含如下步骤：
对通过对所述m个表面发射激光器分别施加直流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第三激光进行测定；以及
基于所述第三激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
3.根据权利要求1或2所述的表面发射激光器的制造方法，其中，
所述表面发射激光器的制造方法还包含如下步骤：将所述多个区域中的、在对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤中被判定为良好的表面发射激光器的个数为阈值以上的区域决定为合格区域，
在所述合格区域中进行对所述第二激光进行测定的步骤和基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤。
4.根据权利要求2所述的表面发射激光器的制造方法，其中，
所述表面发射激光器的制造方法还包含如下步骤：将所述多个区域中的、在对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤中被判定为良好的表面发射激光器的个数为阈值以上的区域决定为合格区域，
在所述合格区域中进行对所述第二激光进行测定的步骤、基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤、对所述第三激光进行测定的步骤、以及基于所述第三激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤。
5.一种表面发射激光器的检查方法，其中，
所述表面发射激光器的检查方法包含如下步骤：
准备具有包含多个区域的主面的衬底，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；
对通过对所述多个表面发射激光器中的n个表面发射激光器分别施加直流电压而从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定，其中，n为2以上的整数；
对通过对所述多个表面发射激光器中的m个表面发射激光器分别施加交流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定，其中，m为小于n的自然数；
基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定；以及
基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
6.根据权利要求5所述的表面发射激光器的检查方法，其中，
所述表面发射激光器的检查方法还包含如下步骤：
对通过对所述m个表面发射激光器分别施加直流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第三激光进行测定；以及
基于所述第三激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
7.根据权利要求5或6所述的表面发射激光器的检查方法，其中，
所述表面发射激光器的检查方法还包含如下步骤：将所述多个区域中的、在对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤中被判定为良好的表面发射激光器的个数为阈值以上的区域决定为合格区域，
在所述合格区域中进行对所述第二激光进行测定的步骤和基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤。
8.根据权利要求6所述的表面发射激光器的检查方法，其中，
所述表面发射激光器的检查方法还包含如下步骤：将所述多个区域中的、在对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤中被判定为良好的表面发射激光器的个数为阈值以上的区域决定为合格区域，
在所述合格区域中进行对所述第二激光进行测定的步骤、基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤、对所述第三激光进行测定的步骤、以及基于所述第三激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定的步骤。
9.一种表面发射激光器的检查装置，其中，
所述表面发射激光器的检查装置具备：
载置台，其用于载置具有包含多个区域的主面的衬底，在所述多个区域中分别设置有多个表面发射激光器；
第一探针，其用于对所述多个表面发射激光器中的n个表面发射激光器分别施加直流电压，其中，n为2以上的整数；
第二探针，其用于对所述多个表面发射激光器中的m个表面发射激光器分别施加交流电压，其中，m为小于n的自然数；
第一测定器，其用于对从所述n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定；
第二测定器，其用于对从所述m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定；以及
判定装置，其构成为基于所述第一激光的测定结果对所述n个表面发射激光器的好坏进行判定，并且基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
10.根据权利要求9所述的表面发射激光器的检查装置，其中，
所述表面发射激光器的检查装置还具备第三测定器，该第三测定器对通过对所述m个表面发射激光器分别施加直流电压而从所述m个表面发射激光器分别射出的第三激光进行测定，
所述判定装置基于所述第三激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
11.根据权利要求9或10所述的表面发射激光器的检查装置，其中，
将所述多个区域中的、所述n个表面发射激光器中的被判定为良好的表面发射激光器的个数为阈值以上的区域决定为合格区域，
在所述合格区域中，对所述第二激光进行测定，基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
12.根据权利要求10所述的表面发射激光器的检查装置，其中，
将所述多个区域中的、所述n个表面发射激光器中的被判定为良好的表面发射激光器的个数为阈值以上的区域决定为合格区域，
在所述合格区域中，对所述第二激光进行测定，基于所述第二激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定，并且对所述第三激光进行测定，基于所述第三激光的测定结果对所述m个表面发射激光器的好坏进行判定。
CN202210407726.1A 2021-06-16 2022-04-19 表面发射激光器的制造方法、检查方法以及检查装置 Pending CN115483609A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021099981A JP2022191643A (ja) 2021-06-16 2021-06-16 面発光レーザの製造方法、面発光レーザの検査方法及び面発光レーザの検査装置
JP2021-099981 2021-06-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115483609A true CN115483609A (zh) 2022-12-16

Family

ID=84420719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210407726.1A Pending CN115483609A (zh) 2021-06-16 2022-04-19 表面发射激光器的制造方法、检查方法以及检查装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11631958B2 (zh)
JP (1) JP2022191643A (zh)
CN (1) CN115483609A (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4136832B2 (ja) * 2003-07-15 2008-08-20 キヤノン株式会社 半導体レーザーダイオードチップの検査方法および検査装置
JP2005235839A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Canon Inc 半導体デバイスチップウエハ検査方法および検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11631958B2 (en) 2023-04-18
JP2022191643A (ja) 2022-12-28
US20220407284A1 (en) 2022-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6489801B1 (en) Apparatus and method for evaluating a semiconductor wafer
KR102056494B1 (ko) 온도 성능이 개선된 2빔 레이저 어닐링 방법 및 시스템
JP5009506B2 (ja) 試料の１つ又は複数の特性を決定するための方法とシステム
US6812717B2 (en) Use of a coefficient of a power curve to evaluate a semiconductor wafer
JP2009525602A (ja) 電気モジュール化可能な拡張発光源ならびに該発光源を含む半導体特性分析用測定装置
JP2012058247A (ja) ２フォトン吸収を用いたレーザ・アシステッド・デバイス・オルタレーション
US20200258794A1 (en) Semiconductor production method and wafer inspection method
JP2021121025A (ja) バーンイン装置
CN115483609A (zh) 表面发射激光器的制造方法、检查方法以及检查装置
JP7186934B1 (ja) 半導体故障解析装置及び半導体故障解析方法
WO2023002688A1 (ja) 半導体故障解析装置及び半導体故障解析方法
US4875004A (en) High speed semiconductor characterization technique
US20200176339A1 (en) Semiconductor wafer
CN114764045A (zh) 试验装置、试验方法及计算机可读存储介质
US20200174074A1 (en) Semiconductor wafer
JPH118438A (ja) 半導体レーザ装置の製造方法
JP2022042131A (ja) 面発光レーザの測定方法、製造方法、測定装置、および測定プログラム
JP6532695B2 (ja) 検査装置および検査方法
US20050112853A1 (en) System and method for non-destructive implantation characterization of quiescent material
WO2021152977A1 (ja) 半導体故障解析装置
Baker et al. QuickSELs Enabling Rapid Feedback to Epitaxy
JPS59149029A (ja) 化合物半導体結晶基板の評価装置
Miesner et al. Automatic tester for high power diode laser bars
KR20090038966A (ko) 패턴 임계치수의 균일도 검사장치
JPH02136772A (ja) 光プロービング方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination