CN115461992A - 包括具有共享衬底盖的堆叠的滤波器的封装件 - Google Patents

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Abstract

一种封装件，包括：包括第一聚合物框架(318)的第一滤波器(312)、衬底盖(320)、包括第二聚合物框架(338)的第二滤波器(332)、至少一个互连件(340)、包封层(450)和多个贯穿包封过孔(452)。该衬底盖耦合到该第一聚合物框架，使得在该衬底盖和该第一滤波器之间形成第一空隙(321)。该第二聚合物框架耦合到该衬底盖，使得在该衬底盖和该第二滤波器之间形成第二空隙(323)。该至少一个互连件耦合到该第一滤波器和该第二滤波器。该包封层包封该第一滤波器、该衬底盖、该第二滤波器和该至少一个互连件。该多个贯穿包封过孔耦合到该第一滤波器。

Description

包括具有共享衬底盖的堆叠的滤波器的封装件
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年5月27日在美国专利商标局提交的序列号为16/884,891的非临时申请的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文，如同在下文中完全阐述了其全部内容和所有适用目的。
技术领域
各种特征涉及在集成器件中实施的滤波器，但是更特别地，涉及包括具有共享衬底盖的堆叠的滤波器的封装件。
背景技术
射频(RF)滤波器是无线设备的部件，用于滤除不想要的信号。例如，RF滤波器可以用于滤除各种频率的信号，同时使特定频率的信号通过。通过包括许多RF滤波器，无线设备可以被配置为在不同的频率下操作，其中每个RF滤波器被配置为允许具有特定频率的特定信号通过，从而允许无线设备在该频率下操作和/或通信。然而，RF滤波器占据了很大的空间。小型无线设备具有空间约束并且可能无法容纳许多RF滤波器，这限制了小型无线设备可以操作和/或通信的频率的数量。不断需要提供具有更好形状因数和更小尺寸的RF滤波器，以便RF滤波器可以在更小的设备中实施。
发明内容
各种特征涉及在集成器件中实施的滤波器，但是更特别地，涉及包括具有共享衬底盖的堆叠的滤波器的封装件。
一个示例提供了一种封装件，该封装件包括包括第一聚合物的第一滤波器、衬底盖、包括第二聚合物框架的第二滤波器、至少一个互连件、包封层和多个贯穿包封过孔。衬底盖耦合到第一聚合物框架，使得在衬底盖和第一滤波器之间形成第一空隙。第二聚合物框架耦合到衬底盖，使得在衬底盖和第二滤波器之间形成第二空隙。至少一个互连件耦合到第一滤波器和第二滤波器。包封层包封第一滤波器、衬底盖、第二滤波器和至少一个互连件。该多个贯穿包封过孔耦合到第一滤波器。
另一个示例提供了一种装置，该装置包括包括第一聚合物的用于第一滤波的部件、衬底盖、包括第二聚合物框架的用于第二滤波的部件、至少一个互连件、用于包封的部件和多个贯穿包封过孔。该衬底盖被耦合到第一聚合物框架，使得在衬底盖和用于第一滤波的部件之间形成第一空隙。第二聚合物框架耦合到衬底盖，使得在衬底盖和用于第二滤波的部件之间形成第二空隙。该至少一个互连件耦合到用于第一滤波的部件和用于第二滤波的部件。用于包封的部件包封用于第一滤波的部件、衬底盖、用于第二滤波的部件和至少一个互连件。该多个贯穿包封过孔耦合到用于第一滤波的部件。
另一个示例提供了一种用于制造封装件的方法。该方法提供了包括第一聚合物框架的第一滤波器。该方法将衬底盖耦合到第一聚合物框架，使得在衬底盖和第一滤波器之间形成第一空隙。该方法在第一滤波器和衬底盖之上形成至少一个互连件。该方法通过第二聚合物框架将第二滤波器耦合到衬底盖，使得(i)在衬底盖和第二滤波器之间形成第二空隙，以及(ii)在第一滤波器之上的至少一个互连件耦合到第二滤波器。该方法形成包封层，该包封层包封第一滤波器、衬底盖和第二滤波器以及至少一个互连件。该方法在包封层中形成多个贯穿包封过孔，其中至少一个贯穿包封过孔耦合到第一滤波器。
附图说明
当结合附图时，从下面阐述的具体实施方式中，各种特征、性质和优点将变得显而易见，在附图中，相同的附图标记始终对应地标识。
图1图示了被配置为作为信号滤波器操作的集成器件的装配图。
图2图示了被配置为作为信号滤波器操作的集成器件的金属层的平面图。
图3图示了包括被配置为作为信号滤波器操作的多个集成器件的器件的剖面图。
图4图示了包括被配置为作为信号滤波器操作的多个集成器件的封装件的剖面图。
图5概念性地图示了用于滤波和提取不同频率信号的多个滤波器。
图6A至图6B图示了用于制造被配置为作为信号滤波器操作的集成器件的示例性序列。
图7图示了用于制造封装件的示例性序列，该封装件包括被配置为作为信号滤波器操作的多个集成器件。
图8图示了用于制造包括被配置为作为信号滤波器操作的多个集成器件的器件的方法的示例性流程图。
图9A至图9C图示了用于制造封装件的示例性序列，该封装件包括被配置为作为信号滤波器操作的多个集成器件。
图10图示了用于制造封装件的方法的示例性流程图，该封装件包括被配置为作为信号滤波器操作的多个集成器件。
图11图示了可以集成本文描述的管芯、集成器件、集成无源器件(IPD)、无源元件、封装件和/或器件封装件的各种电子器件。
具体实施方式
在以下描述中，给出了具体细节以提供对本公开的各个方面的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解，这些方面可以在没有这些具体细节的情况下实践。例如，可以在框图中示出电路以避免在不必要的细节中模糊各个方面。在其他情况下，为了不混淆本公开的方面，可能没有详细示出公知的电路、结构和技术。
本公开描述了一种封装件，该封装件包括包括第一聚合物的第一滤波器、衬底盖、包括第二聚合物框架的第二滤波器、至少一个互连件、包封层和多个贯穿包封过孔。衬底盖耦合到第一聚合物框架，使得在衬底盖和第一滤波器之间形成第一空隙。第二聚合物框架耦合到衬底盖，使得在衬底盖和第二滤波器之间形成第二空隙。至少一个互连件耦合到第一滤波器和第二滤波器。包封层包封第一滤波器、衬底盖、第二滤波器和至少一个互连件。该多个贯穿包封过孔耦合到第一滤波器。滤波器可以是信号滤波器(例如，射频(RF)滤波器)。第一滤波器和第二滤波器可以各自是集成器件，该集成器件包括衬底，该衬底包括压电材料。该封装件的配置提供了具有更紧凑的形状因数和更小的占地面积的封装件，同时提供了多个滤波器。例如，将第二滤波器堆叠在第一滤波器之上，或反之亦然，减小了封装件的横向尺寸。此外，第一滤波器和第二滤波器共享衬底盖减少了用于封装件的部件数量，同时仍然通过每个相应的滤波器提供有效的信号滤波。
被配置为滤波器的示例性集成器件
图1图示了被配置为作为滤波器操作的集成器件100(例如，管芯)的平面图。滤波器可以是信号滤波器。滤波器可以包括射频(RF)滤波器。集成器件100可以在射频前端(RFFE)封装件中实施。集成器件100可以实施为器件。
集成器件100包括衬底102、金属层104、介电层106、聚合物框架108和衬底盖120。衬底102可以是压电衬底。例如，衬底102可以包括压电材料(例如，氮化铝(AlN)、石英、铌酸锂、钽酸锂)。在另一个示例中，衬底102可以包括压电层，该压电层形成并且位于衬底102的表面之上。例如，衬底102可以包括玻璃，其中压电层形成并且位于玻璃的表面之上。可以使用其他材料来代替玻璃。如在本公开中使用的压电衬底可以指包括压电材料的衬底和/或包括位于衬底表面之上的压电层的衬底。不同的实施方式可以对压电材料和/或压电层使用不同的材料。
金属层104形成在衬底102之上。在衬底102包括形成并且位于衬底102表面之上的压电层的情况下，金属层104可以形成并且位于压电层之上。金属层104可以包括导电材料，诸如铜(Cu)。金属层104可以被配置为集成器件100的互连件、电极和/或换能器。金属层104可以是至少一个金属层。因此，在一些实施方式中，金属层104可以概念性地表示两个或更多个金属层。
介电层106形成在衬底102之上。在衬底102包括形成并且位于衬底102表面之上的压电层的情况下，介电层106可以形成并且位于压电层之上。介电层106可以与金属层104共面。
聚合物框架108形成并且位于衬底102的表面之上。聚合物框架108可以形成在金属层104和/或介电层106之上，位于该金属层和/或介电层之上和/或耦合到该金属层和/或介电层。衬底盖120耦合到聚合物框架108。聚合物框架108可以被配置为衬底盖120的机械和结构支撑部件，允许衬底盖120被放置和定位在衬底102、金属层104和介电层106之上，同时在衬底102和衬底盖120之间形成空隙。空隙可以是至少一个没有固体材料的区域。空隙可以包括空腔。空隙可能被气体(例如，空气)占据。衬底盖120可以包括不同的材料。衬底盖120可以包括与衬底102相同的材料。
集成器件100(例如，集成电路管芯)可以被配置为作为表面声波(SAW)滤波器或体声波(BAW)滤波器操作。集成器件100可以被配置为滤除一个或多个频率的信号或提取一个或多个频率的信号。集成器件100可以是用于信号滤波的部件和/或用于信号提取的部件。信号滤波可以包括信号提取。
图2图示了集成器件100的衬底102和金属层104的俯视图。在图2中未示出介电层106。如图2中所示，金属层104被图案化，使得金属层104的部分可以被配置为换能器、电极和/或互连件。例如，金属层104的部分可以被图案化并且被配置为作为叉指换能器204a-204b操作。金属层104的其他部分可以被图案化并且被配置为作为电极205a-205b操作。金属层104的其他部分可以被图案化和被配置为作为互连件207a-207b操作。应注意的是，不同的实施方式可以具有金属层104，该金属层104具有不同图案和/或配置。金属层104可以形成在衬底102的第一表面或衬底102的第二表面上。例如，金属层104可以形成在衬底102的顶部表面或衬底102的底部表面上。在一些实施方式中，金属层可以形成在衬底102的第一表面和底部表面之上。如上所述，金属层104可以表示至少一个金属层。在一些实施方式中，金属层104可以概念性地表示两个或更多个金属层。不同的部件可以由不同的金属层来限定。例如，金属层104可以包括第一金属层和第二金属层。第一金属层可以用于形成叉指换能器204a-204b，并且第二金属层可以用于形成电极205a-205b和/或互连件207a-207b。第二金属层可以耦合到第一金属层。
图3图示了包括用于信号滤波的堆叠的滤波器的器件300。器件300包括第一滤波器301、第二滤波器303和衬底盖320。衬底盖320耦合到第一滤波器301和第二滤波器303。衬底盖320位于第一滤波器301和第二滤波器303之间。第一滤波器301和第二滤波器303可以共享衬底盖320。第一滤波器301的前侧面向衬底盖320和第二滤波器303的前侧。第二滤波器303的前侧面向衬底盖320和第一滤波器301的前侧。第一滤波器301可以是用于第一信号滤波的部件。第二滤波器303可以是用于第二信号滤波的部件。器件300可以在射频前端(RFFE)封装件中实施。
衬底盖320耦合到第一滤波器301，使得在衬底盖320和第一滤波器301之间形成第一空隙321。衬底盖320耦合到第二滤波器303，使得在衬底盖320和第二滤波器303之间形成第二空隙323。空隙可以是至少一个没有固体材料的区域。空隙可以包括空腔。空隙可能被气体(例如，空气)占据。
如图3中所示，第一滤波器301和第二滤波器303共享衬底盖320。衬底盖320可以被认为是第一滤波器301和/或第二滤波器303的一部分。第一滤波器301和第二滤波器303的堆叠(例如，竖直堆叠)允许器件具有更紧凑的形状因数和减小的占地面积。第一滤波器301和/或第二滤波器303可以被配置为作为表面声波(SAW)滤波器或体声波(BAW)滤波器操作。第一滤波器301和/或第二滤波器303可以各自实施为集成器件(例如，裸管芯)。第一滤波器301可以被配置为提取具有第一频率的第一信号(同时滤除一个或多个其他频率)，而第二滤波器303可以被配置为提取具有第二频率的第二信号(同时滤除一个或多个其他频率)。当第一滤波器301和第二滤波器303用无线器件(例如，具有无线能力的器件)实施时，无线器件可以能够在第一频率和/或第二频率下操作和/或通信。
第一滤波器301包括第一衬底312、第一金属层314和第一介电层316。第一滤波器301可以类似于集成器件100，该集成器件被配置为作为滤波器(例如，信号滤波器)和/或提取器(例如，信号提取器)操作。第一衬底312可以是第一压电衬底。例如，第一衬底312可以包括压电材料(例如，氮化铝(AlN)、石英)。在另一个示例中，第一衬底312可以包括压电层，该压电层形成并且位于第一衬底312的表面之上。例如，第一衬底312可以包括玻璃，其中压电层形成并且位于玻璃的表面之上。可以使用其他材料来代替玻璃。
第一金属层314形成在第一衬底312之上并且耦合到该第一衬底。在第一衬底312包括形成并且位于第一衬底312的表面之上的压电层的情况下，第一金属层314可以形成并且位于压电层之上。第一金属层314可以包括导电材料，诸如铜(Cu)。第一金属层314可以被配置为用于第一滤波器301的互连件、电极和/或换能器。第一金属层314可以表示至少一个金属层。在一些实施方式中，第一金属层314可以概念性地表示两个或更多个金属层。如至少在图2中所描述的，不同的部件可以由不同的金属层来限定。
第一介电层316形成在第一衬底312之上并且耦合到该第一衬底。在第一衬底312包括形成并且位于第一衬底312的表面之上的压电层的情况下，第一介电层316可以形成并且位于压电层之上。第一介电层316可以与第一金属层314共面。
第一聚合物框架318形成并且位于第一衬底312的表面之上。第一聚合物框架318可以形成在第一金属层314和/或第一介电层316之上，位于该第一金属层和/或第一介电层之上并且耦合到该第一金属层和/或第一介电层。衬底盖320耦合到第一聚合物框架318。第一聚合物框架318可以被配置为用于衬底盖320的机械和结构支撑部件。衬底盖320、第一聚合物框架318和第一滤波器301可以耦合在一起，使得形成空隙321。
第二滤波器303包括第二衬底322、第二金属层334和第二介电层336。第二滤波器303可以类似于集成器件100，该集成器件被配置为作为滤波器(例如，信号滤波器)和/或提取器(例如，信号提取器)操作。第二衬底322可以是第二压电衬底。例如，第二衬底322可以包括压电材料(例如，氮化铝(AlN)、石英)。在另一个示例中，第二衬底322可以包括压电层，该压电层形成并且位于第二衬底322的表面之上。例如，第二衬底322可以包括玻璃，其中压电层形成并且位于玻璃的表面之上。可以使用其他材料来代替玻璃。
第二金属层334形成在第二衬底322之上并且耦合到该第二衬底。在第二衬底322包括形成并且位于第二衬底322的表面之上的压电层的情况下，第二金属层334可以形成并且位于压电层之上。第二金属层334可以包括导电材料，诸如铜(Cu)。第二金属层334可以被配置为用于第二滤波器303的互连件、电极和/或换能器。第二金属层334可以表示至少一个金属层。在一些实施方式中，第二金属层334可以概念性地表示两个或更多个金属层。如至少在图2中所描述的，不同的部件可以由不同的金属层来限定。
第二介电层336形成在第二衬底322之上并且耦合到该第二衬底。在第二衬底322包括形成并且位于第二衬底322的表面之上的压电层的情况下，第二介电层336可以形成并且位于压电层之上。第二介电层336可以与第二金属层334共面。
第二聚合物框架338形成并且位于第二衬底322的表面之上。第二聚合物框架338可以形成、定位并且耦合到第二金属层334和/或第二介电层336。衬底盖320耦合到第二聚合物框架338。第二聚合物框架338可以被配置为用于衬底盖320的机械和结构支撑部件。衬底盖320、第二聚合物框架338和第二滤波器303可以耦合在一起，使得形成空隙323。
至少一个互连件340形成并且位于第一滤波器301的至少一个表面、衬底盖320的至少一个表面和第二滤波器303的至少一个表面之上。例如，至少一个互连件340可以形成并且位于(i)第二聚合物框架338的侧表面，(ii)衬底盖320的表面，和(iii)第一聚合物框架318的侧表面之上。至少一个互连件340可以耦合到第二金属层334的部分和第一金属层314的部分。至少一个互连件340可以位于衬底盖320的表面和第二聚合物框架338之间。
图3图示了位于衬底盖320和第二聚合物框架338之间的互连件340。在一些实施方式中，在衬底盖320和第二聚合物框架338之间可以没有互连件。因此，在一些实施方式中，第二聚合物框架338可以耦合到衬底盖320的表面。
图4图示了封装件400，其包括由包封层包封的堆叠的滤波器。如图3中所描述的，封装件400包括器件300。封装件400包括第一滤波器301、第二滤波器303、衬底盖320、第一聚合物框架318、第二聚合物框架338、至少一个互连件340、包封层450、多个贯穿包封过孔452、多个互连件454和钝化层460。封装件400通过多个焊料互连件470耦合到板410(例如，印刷电路板)。多个焊料互连件470可以被认为是封装件400的一部分。封装件400可以实施为射频前端(RFFE)封装件的一部分。
如图4中所示，包封层450包封器件300。例如，包封层450包封第一滤波器301、第二滤波器303、衬底盖320、第一聚合物框架318、第二聚合物框架338和至少一个互连件340。包封层450可以包括模具、树脂和/或环氧树脂。包封层450可以是用于包封的部件。可以通过使用压缩和传送模塑工艺、片材模塑工艺或液体模塑工艺来提供包封层450。
空隙321和空隙323位于封装件400中。多个贯穿包封过孔452穿过包封层450。至少一个贯穿包封过孔452耦合到第一滤波器301。至少一个贯穿包封过孔452可以耦合到第一金属层314的至少一部分。至少一个贯穿包封过孔452间接耦合到第二滤波器303。例如，至少贯穿包封过孔452可以被配置为经由第一金属层314、至少一个互连件340和第二金属层334电耦合到第二滤波器303。在一些实施方式中，至少一个贯穿包封过孔452可以被配置为通过至少一个互连件340和第二金属层334绕过第一金属层314电耦合到第二滤波器303。因此，来自多个贯穿包封过孔452的至少一个第一贯穿包封过孔被配置为电耦合到第一滤波器301(例如，耦合到第一滤波器301的电极)，并且来自多个贯穿包封过孔452的至少一个第二贯穿包封过孔被配置为电耦合到第二滤波器303(例如，耦合到第二滤波器303的电极)。
多个互连件454(例如，表面互连件)可以耦合到多个贯穿包封过孔452。多个互连件454形成并且位于包封层450的表面之上。多个焊料互连件470可以耦合到多个互连件454。钝化层460可以形成并且位于包封层450的表面之上。钝化层460可以与多个互连件454共面。
封装件400提供了具有更紧凑的形状因数和减小的占地面积的封装件，从而允许封装件400在更小的器件中实施。在一些实施方式中，若干封装件400可以耦合到无线器件(例如，具有无线能力的器件)的板410，其中每个封装件被配置为滤波和/或提取具有不同频率的信号。这将允许无线设备(例如，具有无线能力的设备)在若干频率下操作和/或通信，同时保持无线设备的尺寸尽可能小。
图5概念性地图示了如何使用若干滤波器(例如，信号滤波器)来滤除不想要的信号并且从至少一个输入信号中提取某些信号。图5概念性地图示了提取器500，该提取器包括第一滤波器502和第二滤波器503。提取器500可以实施为封装件400。第一滤波器501可以是第一滤波器301。第二滤波器503可以是第二滤波器303。提取器500可以接收至少一个输入信号508，该至少一个输入信号包括第一频率的第一信号和第二频率的第二信号。第一滤波器501可以接收至少一个输入信号508，并且滤除某些频率的不想要的信号，同时留下或使第一频率的第一信号510通过。第二滤波器503可以接收至少一个输入信号508，并且滤除某些频率的不想要的信号，同时留下或通过第二频率的第二信号530。因此，提取器500有效地从输入信号508中提取第一信号510和第二信号530。在一些实施方式中，可以使用多个提取器来滤波和提取不同频率的若干信号。
用于制造滤波器的示例性序列
在一些实施方式中，制造滤波器包括若干过程。图6A至图6B图示了用于提供或制造滤波器的示例性序列。在一些实施方式中，图6A至图6B的序列可以用于提供或制造图3的第一滤波器301。然而，图6A至图6B的过程可以用于制造本公开中描述的任何滤波器。例如，图6A至图6B的过程可以用于制造第二滤波器303。
应当注意，为了简化和/或阐明提供或制造滤波器的序列，图6A至图6B的序列可以组合一个或多个阶段。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。在一些实施方式中，在不脱离本公开的精神的情况下，可以替换或替代一个或多个过程。
如图6A中所示，阶段1图示了提供第一衬底312之后的状态。第一衬底312可以是压电衬底。第一衬底312可以包括压电材料。在一些实施方式中，第一衬底312可以包括压电层，该压电层形成并且位于第一衬底312的第一表面(例如，顶部表面)之上。例如，第一衬底312可以包括玻璃，其中压电层形成并且位于玻璃的第一表面之上。可以使用其他材料来代替玻璃。不同的实施方式可以使用不同的材料，其可以用于压电材料(例如，氮化铝(AlN))。整个衬底可以由压电材料制成，或衬底的仅一部分可以包括压电材料。
阶段2图示了在第一衬底312的第一表面之上形成第一金属层314之后的状态。第一金属层314可以是图案化的金属层。可以使用电镀工艺来形成第一金属层314。第一金属层314可以形成在压电层之上。第一金属层314可以被图案化以被配置为换能器、电极和/或互连件。不同的实施方式可以对第一金属层314使用不同的图案和/或配置。第一金属层314可以表示至少一个金属层。第一金属层314可以包括两个或更多个金属层。在一些实施方式中，第一金属层314可以包括第一特定金属层和第二特定金属层。在此类情况下，可以形成第一特定金属层，并且然后可以形成第二特定金属层。第一特定金属层和第二特定金属层可以包括相同的材料或可以包括不同的材料。
阶段3图示了在第一衬底312的第一表面之上形成第一介电层316之后的状态。可以使用沉积工艺来形成第一介电层316。第一介电层316可以形成在压电层之上。
如图6B中所示，阶段4图示了第一聚合物框架318形成在第一金属层314和第一介电层316之上并且耦合到该第一金属层和第一介电层的状态。第一聚合物框架318可以形成在衬底312之上。可以使用沉积工艺来形成第一聚合物框架318。第一聚合物框架318可以具有不同的形状和尺寸。第一聚合物框架318可以被配置为用于向另一个部件提供机械和结构支撑。
阶段5图示了在衬底盖320耦合到第一聚合物框架318之后的状态，这在衬底盖320和第一衬底312之间形成空隙321。衬底盖320可以包括与第一衬底312相同的材料。衬底盖320可以接合到第一聚合物框架318。第一聚合物框架318被配置为用于给衬底盖320提供结构支撑。第一聚合物框架318可以横向围绕空隙321。阶段5可以图示第一滤波器301，该第一滤波器包括第一衬底312、第一金属层314、第一介电层316、第一聚合物框架318、衬底盖320和空隙321。
阶段6图示了在(i)第一衬底312、(ii)第一金属层314、(iii)第一介电层316、(iv)第一聚合物框架318和/或(v)衬底盖320的表面之上形成至少一个互连件640之后的状态。可以使用电镀工艺来形成至少一个互连件640。如下面将进一步描述的，至少一个互连件640可以是至少一个互连件340的一部分，如图3和图4中所描述的。阶段6可以图示第一滤波器301，其包括第一衬底312、第一金属层314、第一介电层316、第一聚合物框架318、衬底盖320、空隙321和至少一个互连件640。
第一滤波器301可以实施为集成器件(例如，裸管芯)。上述过程可以用于制造第二滤波器303。不同的实施方式可以使用不同的过程来形成金属层。在一些实施方式中，化学气相沉积(CVD)工艺和/或物理气相沉积(PVD)工艺用于形成金属层。例如，可以使用溅射工艺、喷涂工艺和/或电镀工艺来形成金属层。
用于制造包括堆叠的滤波器的器件的示例性序列
在一些实施方式中，制造包括用于信号滤波的堆叠的滤波器的器件包括若干过程。图7图示了用于提供或制造包括堆叠的滤波器的器件的示例性序列。在一些实施方式中，图7的序列可以用于提供或制造图3的器件300。然而，图7的过程可以用于制造包括本公开中描述的堆叠的滤波器的任何器件。
应当注意的是，图7的序列可以组合一个或多个阶段，以便简化和/或阐明用于提供或制造包括堆叠的滤波器的器件的序列。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。在一些实施方式中，在不脱离本公开的精神的情况下，可以替换或替代一个或多个过程。
如图7中所示，阶段1图示了提供第一滤波器301之后的状态。第一滤波器301可以包括第一衬底312、第一金属层314、第一介电层316、第一聚合物框架318、衬底盖320、空隙321和至少一个互连件640。可以通过将探针连接到至少一个互连件640的部分来测试第一滤波器301。例如，用于测试滤波器的探针可以连接到位于衬底盖320之上的至少一个互连件640的部分。图6A至图6B图示了用于制造和提供第一滤波器301的示例性序列。
阶段2图示了第二滤波器303放置在第一滤波器301之上的状态。第二滤波器303可以包括第二衬底332、第二金属层334、第二介电层336、第二聚合物框架338和至少一个互连件740。第二滤波器303可以使用与图6A至图6B中描述的类似的过程来制造。可以使用拾取和放置工艺将第二滤波器303放置在第一滤波器301之上。第二滤波器303可以放置在衬底盖320之上，使得形成空隙323。
阶段3图示了第二滤波器303耦合(例如，接合)到第一滤波器301以形成器件300之后的状态。至少一个互连件740可以耦合到至少一个互连件640。如图3和图4中描述的至少一个互连件340可以表示至少一个互连件640和至少一个互连件740。可以对第二滤波器303至第一滤波器301使用热压工艺。阶段3可以图示包括第一滤波器301和第二滤波器303的器件300。
用于制造包括堆叠的滤波器的器件的方法的示例性流程图
在一些实施方式中，制造包括堆叠的滤波器的器件包括若干过程。图8图示了用于提供或制造包括堆叠的滤波器的器件的方法800的示例性流程图。在一些实施方式中，图8的方法800可以用于提供或制造图3的器件300。然而，方法800可以用于制造包括堆叠的滤波器的任何器件。
应当注意，图8的序列可以组合一个或多个过程，以便简化和/或阐明用于提供或制造包括堆叠的滤波器的器件的方法。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。
该方法提供(在805处)包括压电材料的衬底(例如，312)。衬底可以是压电衬底。在一些实施方式中，衬底可以包括压电层，该压电层形成并且位于衬底312的第一表面之上。例如，衬底(例如312)可以包括玻璃，其中压电层形成并且位于玻璃的第一表面之上。图6A的阶段1图示了包括压电材料的衬底的示例。
该方法在衬底(例如，312)的第一表面之上形成(在810)至少一个金属层(例如，314)。金属层可以是图案化的金属层。可以使用电镀工艺来形成金属层。金属层可以形成在衬底的压电层之上。金属层314可以被图案化以被配置为换能器、电极和/或互连件。不同的实施方式可以对衬底之上的金属层314使用不同的图案和/或配置。金属层314可以表示至少一个金属层。金属层314可以包括两个或更多个金属层。在一些实施方式中，金属层314可以包括第一金属层和第二金属层。在此类情况下，形成至少一个金属层可以包括形成第一金属层，并且然后形成第二金属层，其中第二金属层可以耦合到第一金属层。第一金属层和第二金属层可以包括相同的材料或可以包括不同的材料。图6A的阶段2图示了在衬底之上形成金属层的示例。
该方法(在815)在衬底的第一表面(例如，312)之上形成介电层(例如，316)。可以使用沉积工艺来形成介电层316。介电层可以形成在衬底的压电层之上。图6A的阶段3图示了在衬底之上形成介电层的示例。
该方法在金属层(例如，314)和介电层(例如，316)之上形成(在820)聚合物框架(例如，318)。聚合物框架可以耦合到金属层和介电层。聚合物框架可以形成在衬底(例如，312)之上。可以使用沉积工艺来形成聚合物框架。聚合物框架可以具有不同的形状和/或尺寸。聚合物框架可以被配置为用于给另一个部件提供机械和结构支撑。图6B的阶段4图示了形成聚合物层的示例。
该方法将衬底盖(例如，320)耦合(在825)到聚合物框架(例如，318)，这可以在衬底盖(例如，320)和衬底(例如，312)之间形成空隙(例如，321)。衬底盖320可以包括与衬底312相同的材料。衬底盖320可以接合到聚合物框架318。聚合物框架318被配置为用于给衬底盖320提供结构支撑。聚合物框架318可以横向围绕空隙321。图6B的阶段5图示了耦合到聚合物框架的衬底盖的示例。
该方法在(i)衬底312、(ii)金属层314、(iii)介电层316、(iv)聚合物框架318和/或(v)衬底盖320的表面之上形成(在830)至少一个互连件(例如，640)。可以使用电镀工艺来形成至少一个互连件640。如图3和图4中所描述的，至少一个互连件640可以是至少一个互连件340的一部分。图6B的阶段6可以图示在滤波器表面之上形成的互连件的示例，该滤波器包括衬底、金属层、介电层、聚合物框架和衬底盖。
该方法将第二滤波器(例如，303)耦合(在835)到衬底盖(例如，320)。将第二滤波器耦合到衬底盖可以包括将第二滤波器(例如，303)耦合到第一滤波器(例如，301)。第二滤波器可以包括包括压电材料的第二衬底(例如，332)、第二金属层(例如，334)、第二介电层(例如，336)、第二聚合物框架(例如，338)和至少一个互连件(例如，740)。图7的阶段2-3图示了耦合到第一滤波器的衬底盖的第二滤波器的示例。
用于制造包括堆叠的滤波器的封装件的示例性序列
在一些实施方式中，制造包括用于信号滤波的堆叠的滤波器的封装件包括若干过程。图9A至图9C图示了用于提供或制造包括堆叠的滤波器的封装件的示例性序列。在一些实施方式中，图9A至图9C的序列可以用于提供或制造图4的封装件400和/或本公开中描述的其他封装件。
应当注意，图9A至图9C的序列可以组合一个或多个阶段，以便简化和/或阐明用于提供或制造包括堆叠的滤波器的封装件的序列。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。在一些实施方式中，在不脱离本公开的精神的情况下，可以替换或替代一个或多个过程。
如图9A中所示，阶段1图示了多个器件300耦合到载体900之后的状态。如图3和图4中所描述的，每个器件300可以包括第一滤波器301、第二滤波器302和衬底盖320。载体900可以是衬底(例如，玻璃)。不同的实施方式可以为载体900提供不同的材料。可以使用粘合剂将多个器件300耦合到载体900。拾取和放置工艺可以用于将多个器件300放置在载体900之上。
阶段2图示了在载体900和多个器件300之上形成包封层450之后的状态。包封层450可以包括模具、树脂和/或环氧树脂。包封层450可以是用于包封的部件。可以使用压缩和传送模塑工艺、片材模塑工艺或液体模塑工艺来形成包封层450。包封层450可以包封每个器件300的第一滤波器301、第二滤波器303和衬底盖320。例如，包封层450可以包封并且形成在第一衬底312、第二衬底332、衬底盖320、第一聚合物框架318、第二聚合物框架338、互连件340、第一金属层314、第一介电层316、第二金属层334和/或第二介电层336的表面之上。
阶段3图示了在包封层450中形成多个空腔910之后的状态。可以使用激光工艺(例如，激光烧蚀)和/或蚀刻工艺来形成多个空腔910。多个空腔910可以暴露第一滤波器301的第一金属层314的部分。
如图9B中所示，阶段4图示了在包封层450中形成多个贯穿包封过孔452之后的状态。多个贯穿包封过孔452可以形成在多个空腔910中。多个贯穿包封过孔452耦合到第一金属层314的部分。在一些实施方式中，至少一个包封过孔452可以耦合到至少一个互连件340。多个贯穿包封过孔452可以经由粘贴工艺和烧结工艺形成。在一些实施方式中，可以经由电镀工艺形成多个贯穿包封过孔452。
阶段5图示了在包封层450的表面之上形成多个互连件454之后的状态。多个互连件454可以耦合到多个贯穿包封过孔452。多个互连件454可以通过电镀工艺形成。
如图9C中所示，阶段6图示了在钝化层460形成在包封层450的表面之上并且耦合到包封层的表面之后的状态。可以使用沉积工艺来形成钝化层460。钝化层460可以与多个互连件454共面。
阶段7图示了载体900与包封层450和第一衬底312解耦合之后的状态。载体900可以被剥离或磨掉。
阶段8图示了切单(singulation)包封层450以形成多个封装件400之后的状态。在切单之后，每个封装件400可以包括堆叠的滤波器，如图4中所描述的。焊料互连件(例如，470)可以在分割之前或之后耦合到多个互连件454。
用于制造包括堆叠的滤波器的封装件的方法的示例性流程图
在一些实施方式中，提供包括用于信号滤波的堆叠的滤波器的封装件包括若干过程。图10图示了用于提供或制造包括堆叠的滤波器的封装件的方法1000的示例性流程图。在一些实施方式中，图10的方法1000可以用于提供或制造图4的封装件和/或本公开中描述的其他封装件。
应当注意，图10的方法可以组合一个或多个过程，以便简化和/或阐明用于提供或制造包括用于信号滤波的堆叠的滤波器的封装件的方法。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。
该方法(在1005处)将包括第一滤波器(例如，301)和第二滤波器(例如303)的器件(例如，300)放置在载体(例如900)之上。在一些实施方式中，多个器件300可以被放置并且耦合到载体。每个器件300可以包括第一滤波器301、第二滤波器302和衬底盖320，如图3和图4中所描述的。载体900可以是衬底(例如，硅、石英、玻璃)。不同的实施方式可以为载体900提供不同的材料。可以使用粘合剂将多个器件300耦合到载体900。拾取和放置工艺可以用于将多个器件300放置在载体900之上。图9A的阶段1图示了将器件放置在载体之上的示例。
该方法在载体(例如，900)和多个器件(例如，300)之上形成(在1010)包封层(例如，450)。包封层450可以包括模具、树脂和/或环氧树脂。包封层450可以是用于包封的部件。可以使用压缩和传送模塑工艺、片材模塑工艺或液体模塑工艺来形成包封层450。包封层450可以包封每个器件300的第一滤波器301、第二滤波器303和衬底盖320。例如，包封层450可以包封并且形成在第一衬底312、第二衬底332、衬底盖320、第一聚合物框架318、第二聚合物框架338、互连件340、第一金属层314、第一介电层316、第二金属层334和/或第二介电层336的表面之上。图9A的阶段2图示了形成包封层的示例。
该方法在包封层(例如，450)中形成(在1015)多个贯穿包封过孔(例如，452)。形成多个包封过孔可以包括在包封层中形成多个空腔(例如，910)。可以使用激光工艺(例如，激光烧蚀)和/或蚀刻工艺来形成多个空腔(例如，910)。多个贯穿包封过孔452可以形成在多个空腔(例如，910)中。多个贯穿包封过孔452可以耦合到第一金属层314的部分。在一些实施方式中，至少一个包封过孔452可以耦合到至少一个互连件340。多个贯穿包封过孔452可以经由粘贴工艺和烧结工艺形成。在一些实施方式中，可以经由电镀工艺形成多个贯穿包封过孔452。图9A-9B的阶段3-4图示了形成包封过孔的示例。
该方法在包封层450的表面之上形成(在1020)多个互连件(例如，454)。多个互连件454可以耦合到多个贯穿包封过孔452。多个互连件454可以通过电镀工艺形成。该方法在包封层450之上形成(在1020)钝化层(例如，460)。可以使用沉积工艺来形成钝化层460。钝化层460可以与多个互连件454共面。图9B至图9C的阶段5-6图示了形成互连件和钝化层的示例。
该方法将载体(例如，900)从包封层450和第一衬底312解耦合(在1025)。载体900可以被剥离或磨掉。该方法分割(在1030)包封层(例如，450)以形成多个封装件400。在切单之后，每个封装件400可以包括堆叠的滤波器，如图4中所描述的。多个焊料互连件(例如，470)可以在分割之前或之后耦合到多个互连件454。图9C的阶段7-8图示了载体解耦合和切单以形成具有堆叠的滤波器的多个封装件的示例。
示例性电子设备
图11图示了各种电子器件，该各种电子器件可以与前述器件、集成器件、集成电路(IC)封装件、集成电路(IC)器件、半导体器件、集成电路、管芯、中介层、封装件、层叠封装(PoP)、系统级封装件(SiP)或片上系统(SoC)中的任一者集成。例如，移动电话设备1102、膝上型计算机设备1104、固定位置终端设备1106、可穿戴设备1108或机动车辆1110可以包括如本文描述的设备1100。器件1100可以是例如本文描述的任何器件和/或集成电路(IC)封装件。图11所示的设备1102、1104、1106和1108以及车辆1110仅是示例性的。其他电子设备也可以以设备1100为特征，包括但不限于一组设备(例如，电子设备)，其包括移动装备、手持个人通信系统(PCS)单元、诸如个人数字助理的便携式数据单元、全球定位系统(GPS)使能设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、诸如仪表读取装备的固定位置数据单元、通信设备、智能手机、平板计算机、计算机、可穿戴设备(例如，手表、眼镜)、物联网(IoT)设备、服务器、路由器、在机动车辆(例如，自主车辆)中实施的电子设备，或存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备，或它们的任意组合。
图1至图5、图6A至图6C、图7、图8、图9A至图9B和/或图10至图11中所示的一个或多个部件、过程、特征和/或功能可以被重新布置和/或组合成单个部件、过程、特征或功能，或在若干部件、过程或特征中实施。在不脱离本公开的情况下，还可以添加另外的元件、部件、过程和/或功能。还应注意的是，图1至图5、图6A至图6C、图7、图8、图9A至图9B和/或10至图11及其在本公开中的对应描述不限于管芯和/或IC。在一些实施方式中，图1至图5、图6A至图6C、图7、图8、图9A至图9B和/或图10至图11及其对应的描述可以用于制造、形成、提供和/或生产器件和/或集成器件。在一些实施方式中，器件可以包括管芯、集成器件、集成无源器件(IPD)、管芯封装件、集成电路(IC)器件、器件封装件、集成电路(IC)封装件、晶片、半导体器件、层叠封装(PoP)器件、散热器件和/或中介层。
注意到，本公开中的附图可以表示各种部分、部件、对象、器件、封装件、集成器件、集成电路和/或晶体管的实际表示和/或概念表示。在一些情况下，附图可能不是按比例绘制的。在一些情况下，为了清楚起见，可能没有示出所有的部件和/或部件。在一些情况下，图中各种部分和/或部件的位置、地点、尺寸和/或形状可以是示例性的。在一些实施方式中，图中的各种部件和/或部件可以是可选的。
本文使用的“示例性”一词表示“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何实施或方面不一定被解释为比本公开的其他方面更优选或更有利。同样，术语“方面”不要求本公开的所有方面都包括所讨论的特征、优点或操作模式。本文使用的术语“耦合”是指两个对象之间的直接或间接耦合。例如，如果对象A物理接触对象B，并且对象B接触对象C，那么对象A和C仍然可以被认为是彼此耦合的——即使它们没有直接物理接触彼此。术语“电耦合”可以表示两个对象直接或间接耦合在一起，使得电流(例如，信号、电源、接地)可以在两个对象之间流动。电耦合的两个对象可能具有或不具有在两个对象之间流动的电流。术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”(和/或任何高于第四)的使用是任意的。所描述的任何部件可以是第一部件、第二部件、第三部件或第四部件。例如，被称为第二部件的部件可以是第一部件、第二部件、第三部件或第四部件。术语“包封”是指该对象可以部分包封或完全包封另一个对象。术语“顶部”和“底部”是任意的。位于顶部上的部件可以位于位于底部的部件之上。顶部部件可以被认为是底部部件，反之亦然。如本公开中所描述的，位于第二部件“之上”的第一部件可以意味着第一部件位于第二部件的之上或下方，这取决于底部或顶部是如何任意限定的。在另一个示例中，第一部件可以位于第二部件的第一表面之上(例如，之上)，并且第三部件可以位于第二部件的第二表面之上(例如，下方)，其中第二表面与第一表面相对。进一步应注意的是，本申请中在一个部件位于另一个部件之上的上下文中使用的术语“之上”可以用于表示在另一个部件之上和/或在另一个部件中(例如，在部件的表面之上或嵌入在部件中)的部件。因此，例如，在第二部件之上的第一部件可以意味着(1)第一部件在第二部件之上，但是不直接接触第二部件，(2)第一部件在第二部件之上(例如，在其表面之上)，和/或(3)第一部件在第二部件中(例如，嵌入其中)。本公开中使用的术语“约值X”或“近似值X”是指在“值X”的10％以内。例如，约为1或近似为1的值表示0.9-1.1范围内的值。
在一些实施方式中，互连件是器件或封装件的元件或部件，其允许或便于两个点、元件和/或部件之间的电连接。在一些实施方式中，互连件可以包括迹线、过孔、焊盘、柱、再分布金属层和/或凸块下金属化(UBM)层。互连件可以包括一个或多个金属部件(例如，晶种层+金属层)。在一些实施方式中，互连件是导电材料，其可以被配置为提供用于电流(例如，数据信号、接地或电源)的电路径。互连件可以是电路的一部分。互连件可以包括一个以上的元件或部件。互连件可以由一个或多个互连件来限定。不同的实施方式可以使用类似或不同的过程来形成互连件。在一些实施方式中，化学气相沉积(CVD)工艺和/或物理气相沉积(PVD)工艺用于形成互连件。例如，可以使用溅射工艺、喷涂工艺和/或电镀工艺来形成互连件。
此外，注意到，本文包括的各种公开可以被描述为被描绘为流程图(flowchart)、流程图(flow diagram)、结构图或框图的过程。尽管流程图可以将操作描述为序列过程，但是许多操作可以并行或同时执行。此外，可以重新布置操作的顺序。当过程的操作完成时，该过程终止。
在不脱离本公开的情况下，本文描述的本公开的各种特征可以在不同的系统中实施。应当注意，本公开的前述方面仅是示例并且不应被解释为限制本公开。本公开的各方面的描述旨在说明性的，而不是限制权利要求的范围。因此，本教导可以容易地应用于其他类型的装置，并且许多备选、修改和变型对于本领域技术人员来说是显而易见的。

Claims (25)

1.一种封装件，包括：
第一滤波器，包括第一聚合物框架；
衬底盖，耦合到所述第一聚合物框架，使得在所述衬底盖和所述第一滤波器之间形成第一空隙；
第二滤波器，包括第二聚合物框架，其中所述第二聚合物框架耦合到所述衬底盖，使得在所述衬底盖和所述第二滤波器之间形成第二空隙；
至少一个互连件，耦合到所述第一滤波器和所述第二滤波器；
包封层，包封所述第一滤波器、所述衬底盖、所述第二滤波器和所述至少一个互连件；以及
多个贯穿包封过孔，耦合到所述第一滤波器。
2.根据权利要求1所述的封装件，
其中所述第一滤波器包括第一集成器件，所述第一集成器件包括：
第一衬底，包括第一压电材料；以及
第一金属层，耦合到所述第一衬底的第一表面；以及
其中所述第二滤波器包括第二集成器件，所述第二集成器件包括：
第二衬底，包括第二压电材料；以及
第二金属层，耦合到所述第一衬底的第一表面。
3.根据权利要求2所述的封装件，其中所述第二压电材料包括与所述第一压电材料相同的材料。
4.根据权利要求2所述的封装件，其中包括所述第一压电材料的所述第一衬底包括衬底和压电层，所述压电层形成在所述衬底之上。
5.根据权利要求2所述的封装件，其中包括所述第二压电材料的所述第二衬底包括衬底和压电层，所述压电层形成在所述衬底之上。
6.根据权利要求2所述的封装件，其中所述第一集成器件包括第一管芯，所述第一管芯被配置为作为所述第一滤波器操作，并且所述第二集成器件包括第二管芯，所述第二管芯被配置为作为所述第二滤波器操作。
7.根据权利要求2所述的封装件，其中至少一个贯穿包封过孔耦合到所述第一滤波器的所述第一金属层。
8.根据权利要求2所述的封装件，其中至少一个贯穿包封过孔通过所述至少一个互连件耦合到所述第二滤波器的所述第二金属层。
9.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个互连件形成在所述第一聚合物框架的表面、所述衬底盖的表面和所述第二聚合物框架的表面之上。
10.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一滤波器被配置为作为表面声波(SAW)滤波器或体声波(BAW)滤波器操作。
11.根据权利要求1所述的封装件，其中所述封装件被并入到选自由以下组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、物联网(IoT)设备和机动车辆中的设备。
12.一种装置，包括：
用于第一滤波的部件，包括第一聚合物框架；
衬底盖，耦合到所述第一聚合物框架，使得在所述衬底盖和所述用于第一滤波的部件之间形成第一空隙；
用于第二滤波的部件，包括第二聚合物框架，其中所述第二聚合物框架耦合到所述衬底盖，使得在所述衬底盖和所述用于第二滤波的部件之间形成第二空隙；
至少一个互连件，耦合到所述用于第一滤波的部件和所述用于第二滤波的部件；
用于包封的部件，包封所述用于第一滤波的部件、所述衬底盖、所述用于第二滤波的部件和所述至少一个互连件；以及
多个贯穿包封过孔，耦合到所述用于第一滤波的部件。
13.根据权利要求12所述的装置，
其中所述用于第一滤波的部件包括第一集成器件，所述第一集成器件包括：
第一衬底，包括第一压电材料；以及
第一金属层，耦合到所述第一衬底的第一表面；以及
其中所述用于第二滤波的部件包括第二集成器件，所述第二集成器件包括：
第二衬底，包括第二压电材料；以及
第二金属层，耦合到所述第一衬底的第一表面。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第二压电材料包括与所述第一压电材料相同的材料。
15.根据权利要求13所述的装置，其中包括所述第一压电材料的所述第一衬底包括衬底和压电层，所述压电层形成在所述衬底之上。
16.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一集成器件包括第一管芯，所述第一管芯被配置为作为第一信号滤波器操作，并且所述第二集成器件包括第二管芯，所述第二管芯被配置为作为第二信号滤波器操作。
17.根据权利要求13所述的装置，其中至少一个贯穿包封过孔耦合到所述用于第一滤波的部件的所述第一金属层。
18.根据权利要求13所述的装置，其中至少一个贯穿包封过孔通过所述至少一个互连件耦合到所述用于第二滤波的部件的所述第二金属层。
19.根据权利要求12所述的装置，其中所述至少一个互连件形成在所述第一聚合物框架的表面、所述衬底盖的表面和所述第二聚合物框架的表面之上。
20.根据权利要求12所述的装置，其中所述用于第二滤波的部件被配置为作为表面声波(SAW)滤波器或体声波(BAW)滤波器操作。
21.根据权利要求12所述的装置，其中所述装置并入到选自由以下组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、物联网(IoT)设备和机动车辆中的设备。
22.一种用于制造封装件的方法，包括：
提供包括第一聚合物框架的第一滤波器；
将衬底盖耦合到所述第一聚合物框架，使得在所述衬底盖和所述第一滤波器之间形成第一空隙；
在所述第一滤波器和所述衬底盖之上形成至少一个互连件；
通过第二聚合物框架将第二滤波器耦合到所述衬底盖，使得(i)在所述衬底盖和所述第二滤波器之间形成第二空隙，以及(ii)在所述第一滤波器之上的所述至少一个互连件耦合到所述第二滤波器；
形成包封层，所述包封层包封所述第一滤波器、所述衬底盖和所述第二滤波器以及所述至少一个互连件；以及
在所述包封层中形成多个贯穿包封过孔，其中至少一个贯穿包封过孔耦合到所述第一滤波器。
23.根据权利要求22所述的方法，
其中所述第一滤波器包括第一集成器件，所述第一集成器件包括：
第一衬底，包括第一压电材料；以及
第一金属层，耦合到所述第一衬底的第一表面；以及
其中所述第二滤波器包括第二集成器件，所述第二集成器件包括：
第二衬底，包括第二压电材料；以及
第二金属层，耦合到所述第一衬底的第一表面。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述第二压电材料包括与所述第一压电材料相同的材料。
25.根据权利要求23所述的方法，其中包括所述第一压电材料的所述第一衬底包括衬底和压电层，所述压电层形成在所述衬底之上。
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