CN115458519A - 一种芯片组件 - Google Patents
一种芯片组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115458519A CN115458519A CN202110636699.0A CN202110636699A CN115458519A CN 115458519 A CN115458519 A CN 115458519A CN 202110636699 A CN202110636699 A CN 202110636699A CN 115458519 A CN115458519 A CN 115458519A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit board
- chip
- chip assembly
- reinforcing
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
本公开提供一种芯片组件，该芯片组件包括电路板和封装在所述电路板上的至少一个芯片，其中，所述芯片组件还包括加强环，所述加强环环绕所述电路板设置，所述加强环包括多个加强侧壁和多个限位部，多个所述加强侧壁依次相连围成框状，且所述加强侧壁与所述电路板的侧面贴合，每个所述加强侧壁上都设置有所述限位部，且所述限位部从设置该限位部的加强侧壁上朝向所述电路板的中部延伸。
Description
技术领域
本公开涉及电子设备领域，具体地，涉及一种芯片组件。
背景技术
芯片需要被封装在电路板上之后才能够被组装进相应的电子设备中。随着芯片技术的发展，芯片的功能越来越强大，承载该芯片的电路板的层数也越来越多，封装尺寸也越来越大。封装芯片后，不可避免地引入了应力应变，进而会导致电路板翘曲。
如何防止封装有芯片的电路板翘曲成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本公开提供一种芯片组件，该芯片组件包括电路板和封装在所述电路板上的至少一个芯片，其中，所述芯片组件还包括加强环，所述加强环环绕所述电路板设置，所述加强环包括多个加强侧壁和多个限位部，多个所述加强侧壁依次相连围成框状，且所述加强侧壁与所述电路板的侧面贴合，每个所述加强侧壁上都设置有所述限位部，且所述限位部从设置该限位部的加强侧壁上朝向所述电路板的中部延伸。
可选地，所述限位部设置在所述加强侧壁的顶端，且所述限位部的顶面与所述芯片的顶面平齐。
可选地，所述限位部的长度与设置该限位部的加强侧壁的长度相同。
可选地，所述芯片组件包括转接板，所述转接板设置在所述电路板上，所述芯片设置在所述转接板上，相邻两个所述芯片之间间隔内填充有第一填充树脂。
可选地，所述芯片的外边缘外侧设置有第二填充树脂，且所述第二填充树脂的边缘与所述转接板的边缘对齐。
可选地，所述加强环通过粘结剂与所述电路板固定连接。
可选地，所述加强环的热膨胀系数与所述电路板的热膨胀系数之差的绝对值不超过预定阈值。
可选地，所述加强环由金属材料制成。
可选地，所述加强环的材料为铜或铜合金。
可选地，所述芯片组件还包括散热元件，所述散热元件设置在所述芯片上。
在本公开中，包括加强侧壁和限位部的加强环对电路板起到了包边的作用，设置了加强环后，可以增强电路板边缘处的刚度，从而可以降低封装芯片导致的应力应变而引起的电路板翘曲，从而可以提高芯片组件的使用寿命。
除此之外，加强环的加强侧壁和加强环的限位部可以从两个方向增强电路板的边缘刚度，并且二者之间还形成一个限位空间，因此，无论是加强侧壁还是限位部都不需要特别大的厚度，从而不会对后续在芯片上设置其他元器件(例如，散热件)造成干涉，从而有利于芯片组件的后续加工和安装。
附图说明
图1是本公开所提供的芯片组件的一种实施方式的主视图；
图2是图1中所示的芯片组件的剖视图；
图3是图1中所示的芯片组件的后视图；
图4是对比例所提供的芯片组件的剖视示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供芯片组件进行详细描述。
在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例，但是所述示例实施例可以以不同形式来体现且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。
在不冲突的情况下，本公开各实施例及实施例中的各特征可相互组合。
如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举条目的任何和所有组合。
本文所使用的术语仅用于描述特定实施例，且不意欲限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“由……制成”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。
除非另外限定，否则本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本领域普通技术人员通常理解的含义相同。还将理解，诸如那些在常用字典中限定的那些术语应当被解释为具有与其在相关技术以及本公开的背景下的含义一致的含义，且将不解释为具有理想化或过度形式上的含义，除非本文明确如此限定。
作为本公开的一个方面，提供一种芯片组件，如图1和图2所示，该芯片组件包括电路板400和封装在该电路板400上的至少一个芯片(在图1和图2中所示的实施方式中，电路板400上封装有三个芯片，分别为芯片321、芯片322、芯片323)。其中，所述芯片组件还包括加强环100，如图2所示，加强环100环绕电路板400设置，加强环100包括多个加强侧壁120和多个限位部110，多个加强侧壁120依次相连，围成框状(参见图3)，且加强侧壁120与电路板400的侧面贴合。每个加强侧壁120上都设置有限位部110，且限位部110从设置该限位部110的加强侧壁120上朝向电路板400的中部延伸。
在本公开中，包括加强侧壁120和限位部110的加强环100对电路板400起到了包边的作用，设置了加强环100后，可以增强电路板400边缘处的刚度，从而可以降低封装芯片导致的应力应变而引起的电路板翘曲，从而可以提高芯片组件的使用寿命。
除此之外，加强环100的加强侧壁120和加强环100的限位部110可以从两个方向增强电路板400的边缘刚度，并且二者之间还形成一个限位空间，因此，无论是加强侧壁120还是限位部110都不需要特别大的厚度，从而不会对后续在芯片上设置其他元器件(例如，散热件)造成干涉，从而有利于芯片组件的后续加工和安装。
限位部110中间限定有通孔，并未对芯片、以及芯片上的元件造成遮挡，从而便于对芯片以及芯片上的元件进行维护。
在本公开中，对加强环100中加强侧壁120的数量不做特殊的限定，可以根据电路板的形状来设置加强侧壁120的数量。在图1和图2中所示的实施方式中，电路板400为矩形板，加强环100也是矩形环，因此，加强环100包括四个加强侧壁120。
在本公开中，对加强环100中限位部110的数量也不做特殊的限定。限位部110的数量可以与加强侧壁120的数量相同、也可以小于加强侧壁120的数量。例如，可以在其中几个加强侧壁120上设置限位部110。当然，为了获得更好的防翘曲效果，在所有加强侧壁120上都设置限位部110。
如上文中所述，无需对加强侧壁120和限位部110设置较大的厚度、以便于后续安装其他与芯片配合的元器件。作为一种可选实施方式，可以将限位部110设置在加强侧壁120的顶端，且限位部110的顶面(图2中的上表面)与芯片的顶面平齐，通过这种设置更加便于在芯片上设置其他元器件(例如，散热元件)。
在本公开中，对限位部110的长度不做特殊的限定。为了便于加工和制造，限位部110的长度可以与设置该限位部110的加强侧壁120的侧壁相同。
在本公开中，对如何将芯片封装在电路板上没有特殊的要求。例如，可以通过转接板将芯片封装在电路板上。具体地，转接板设置在所述电路板上、所述芯片设置在所述转接板上。为了对芯片进行保护，可选地，在相邻两个芯片之间的间隔中填充第一填充树脂。可选地，该第一填充树脂可以为环氧树脂。
为了进一步保护芯片，如图1和图2所示，可选地，可以在芯片的边缘外侧设置第二填充树脂310，且该第二填充树脂310的边缘与转接板的边缘对齐。
所述芯片可以是逻辑控制芯片、存储芯片、和假片中的任意一者。多个芯片可以是2.5D封装的COW和InFo芯片结构。
在本公开中，对如何将加强环100与电路板400固定连接不做特殊的限定，可选地，加强环100可以通过粘结剂与电路板400固定连接。
在选择加强环100的材料时，需要考虑加强环100的热膨胀系数。优选地，加强环100的热膨胀系数与电路板400的热膨胀系数应当是近似的，从而使得不同温度下加强环100与电路板400的变形程度是大致相同的，因此，加强环100不容易从电路板上脱落、也不容易对电路板造成损伤。具体地，加强环100的热膨胀系数与电路板400的热膨胀系数之差的绝对值不超过预定阈值。可选地，所述预定阈值可以选自[0,5×10-6/℃]。
如上文中所述，加强环100的主要功能是增加电路板400边缘处的刚度，因此，加强环100优选使用弹性模量较高的材料制成，即，加强环100的弹性模量不低于预定弹性模量。该预定弹性模量可以为90Gpa。
作为一种可选实施方式，可以利用金属材料(例如，铜、或铜合金)制成加强环100。
如上文中所述，所述芯片组件还可以包括设置在芯片上的散热元件。由于限位部110的顶面与芯片的顶面平齐，因此，可以直接在芯片表面涂敷导热材料，并与散热元件固定连接。
在本公开中，对电路板400的具体结构也不做特殊的限定。在图2中所示的实施方式中，电路板400为三层结构，具体地，电路板400包括依次层叠设置的第一走线层410、核心层420和第二走线层430。
图4中所示的是本公开所提供的芯片组件的对比例，与本公开实施例所提供的芯片组件的区别在于，加强环100仅设置在电路板400的顶面上。为了实现较好的防翘曲效果，需要将增强环100设置为具有相对较大的厚度，即，增强环100的顶面超过芯片的顶面。这种情况下，为了在芯片上设置散热元件，需要在散热元件上设置凸台，增加了导热路径。相较之下，本公开所提供的芯片组件中，可以直接将散热元件设置在芯片上，导热路径短，因此，本公开所提供的芯片还具有良好的散热效果。
对于图2中所示的芯片组件而言，通过在回流工艺中测试后获得电路板的翘曲值为138.85μm，而对图4中所示的芯片进行回流工艺测试后，获得的电路板的翘曲值为153.46μm，相当于防翘曲能力提高了10％。
一般说明性含义，并且不用于限制的目的。在一些实例中，对本领域技术人员显而易见的是，除非另外明确指出，否则可单独使用与特定实施例相结合描述的特征、特性和/或元素，或可与其它实施例相结合描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离由所附的权利要求阐明的本公开的范围的情况下，可进行各种形式和细节上的改变。
Claims (10)
1.一种芯片组件，该芯片组件包括电路板和封装在所述电路板上的至少一个芯片，其特征在于，所述芯片组件还包括加强环，所述加强环环绕所述电路板设置，所述加强环包括多个加强侧壁和多个限位部，多个所述加强侧壁依次相连围成框状，且所述加强侧壁与所述电路板的侧面贴合，每个所述加强侧壁上都设置有所述限位部，且所述限位部从设置该限位部的加强侧壁上朝向所述电路板的中部延伸。
2.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述限位部设置在所述加强侧壁的顶端，且所述限位部的顶面与所述芯片的顶面平齐。
3.根据权利要求2所述的芯片组件，其特征在于，所述限位部的长度与设置该限位部的加强侧壁的长度相同。
4.根据权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片组件包括转接板，所述转接板设置在所述电路板上，所述芯片设置在所述转接板上，相邻两个所述芯片之间间隔内填充有第一填充树脂。
5.根据权利要求4所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片的外边缘外侧设置有第二填充树脂，且所述第二填充树脂的边缘与所述转接板的边缘对齐。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的芯片组件，其特征在于，所述加强环通过粘结剂与所述电路板固定连接。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的芯片组件，其特征在于，所述加强环的热膨胀系数与所述电路板的热膨胀系数之差的绝对值不超过预定阈值。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的芯片组件，其特征在于，所述加强环由金属材料制成。
9.根据权利要求8所述的芯片组件，其特征在于，所述加强环的材料为铜或铜合金。
10.根据权利要求1至5中任意一项所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片组件还包括散热元件，所述散热元件设置在所述芯片上。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110636699.0A CN115458519A (zh) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 一种芯片组件 |
| PCT/CN2022/081981 WO2022257535A1 (zh) | 2021-06-08 | 2022-03-21 | 芯片组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110636699.0A CN115458519A (zh) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 一种芯片组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115458519A true CN115458519A (zh) | 2022-12-09 |
Family
ID=84294548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110636699.0A Pending CN115458519A (zh) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 一种芯片组件 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115458519A (zh) |
| WO (1) | WO2022257535A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5949137A (en) * | 1997-09-26 | 1999-09-07 | Lsi Logic Corporation | Stiffener ring and heat spreader for use with flip chip packaging assemblies |
| WO2005081310A1 (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-01 | Takeshi Hori | Ｉｃモジュール、ｉｃモジュールを含む基板、ｉｃモジュールを含む基板の製造方法 |
| TWI309879B (en) * | 2006-08-21 | 2009-05-11 | Advanced Semiconductor Eng | Reinforced package and the stiffener thereof |
| JP4676012B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | 電子機器 |
| CN214753761U (zh) * | 2021-06-08 | 2021-11-16 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 一种芯片组件 |
-
2021
- 2021-06-08 CN CN202110636699.0A patent/CN115458519A/zh active Pending
-
2022
- 2022-03-21 WO PCT/CN2022/081981 patent/WO2022257535A1/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022257535A1 (zh) | 2022-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN214753761U (zh) | 一种芯片组件 | |
| EP2885812B1 (en) | THIN SUBSTRATE PoP STRUCTURE | |
| US7902650B2 (en) | Semiconductor package and method for manufacturing the same | |
| US20050224957A1 (en) | Semiconductor package with heat dissipating structure and method of manufacturing the same | |
| CN109564913B (zh) | 薄封装中的翘曲平衡 | |
| US20080150110A1 (en) | Semiconductor package structure and method for manufacturing the same | |
| US9006035B2 (en) | Method for manufacturing package structure with electronic component | |
| US20170294469A1 (en) | Substrate for camera module and camera module having the same | |
| KR20180100603A (ko) | 강화된 보강재를 구비한 적층형 실리콘 패키지 어셈블리 | |
| US20070178627A1 (en) | Flip-chip semiconductor device and method for fabricating the same | |
| CN113130434B (zh) | 封装结构及其制造方法 | |
| CN110800103A (zh) | 包括受压缩热界面材料(tim)和包括柔性部分的电磁(emi)屏蔽的器件 | |
| CN103367265B (zh) | 多层半导体装置、印刷电路板和多层半导体装置制造方法 | |
| CN115692398A (zh) | 功率模块和具有其的电子设备 | |
| US20150077918A1 (en) | Stiffening electronic packages | |
| KR20060039044A (ko) | 스택형 반도체 멀티칩 패키지 | |
| CN115458519A (zh) | 一种芯片组件 | |
| US9006904B2 (en) | Dual side package on package | |
| US7629682B2 (en) | Wafer level package configured to compensate size difference in different types of packages | |
| US20070176284A1 (en) | Multi stack package with package lid | |
| EP2851945A1 (en) | Semiconductor module and semiconductor device | |
| JP2006286829A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP6131875B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| KR20160112345A (ko) | 반도체 칩 | |
| US20110241191A1 (en) | Semiconductor lamination package and method of producing semiconductor lamination package |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |