CN115458389A - 一种提高硅片平坦度的工艺方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种提高硅片平坦度的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将研磨后的硅片通过碱腐蚀(48％KOH)去除23‑27um；Si+2KOH+H2O＝K2SiO3+2H2↑。第二步：将碱腐蚀后的硅片进行单面研削，去除量8～10um，研削后TTV均值在0.2～0.5um。第三步：将研削后的减薄片进行有蜡抛光去除5～7um。第四步：去蜡清洗。第五步：ADE9600测试。具有操作简单和效果好的特点。提高抛光后产品平整度，经ADE检测TTV＜0.75，实现良品率在90％以上。

Description

一种提高硅片平坦度的工艺方法
技术领域
本发明涉及硅片加工技术领域，具体涉及一种提高硅片平坦度的工艺方法。
背景技术
硅片作为IC发展的基础和半导体芯片的理想衬底材料，其表面质量直接影响着IC器件的性能、成品率以及寿命等。硅片表面抛光度是影响电子元器件质量与可靠性的最重要因素之一，不断减小的电子线宽，对硅片的表面质量提出了更高的要求，要求无损伤层、更小的粗糙度和更好的平整度，这就对硅片生产企业提出了更高的挑战。而在众多的硅片加工技术中，化学机械抛光(CMP)是加工硅片的一个重要的进程。它将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，兼收了二者的优点，可以获得完美的硅片表面。
硅片表面平坦度对半导体后道加工(如外延、光刻)极其重要，也是与竞争对手对比的主要项目，所以改善平整度对于提升产品整体质量、客户满意度有重要意义。抛光后硅片平整度和抛光前来料形貌，平坦度，抛光工艺息息相关。希望通过改善来料平坦度和抛光工艺优化、设备开发来提高抛光后产品平整度，提升产品竞争力。
发明内容
本发明主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种提高硅片平坦度的工艺方法，其具有操作简单和效果好的特点。提高抛光后产品平整度，经ADE检测TTV＜0.75，实现良品率在90％以上。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
一种提高硅片平坦度的工艺方法，包括如下操作步骤：
第一步：将研磨后的硅片通过碱腐蚀(48％KOH)去除23-27um；
Si+2KOH+H2O＝K2SiO3+2H2↑。
第二步：将碱腐蚀后的硅片进行单面研削，去除量8～10um，研削后TTV均值在0.2～0.5um。
第三步：将研削后的减薄片进行有蜡抛光去除5～7um。
第四步：去蜡清洗。
第五步：ADE9600测试。
作为优选，抛光将减薄片通过背面刷洗，滴蜡，甩蜡，加热，贴付陶瓷盘，然后进行三步抛光：粗抛，中抛，精抛。
作为优选，粗抛时，粗抛液与水的比例为1∶20，流量8±2L/min，定盘中心转速66rpm，定盘转速30rpm。
作为优选，中抛时，中抛液与水的比例为1∶20，流量8±2L/min，定盘中心转速66rpm，定盘转速30rpm。
作为优选，精抛时，精抛液与水的比例为1∶15，流量2±0.2L/min，定盘中心转速20rpm，定盘转速20rpm。
本发明能够达到如下效果：
本发明提供了一种提高硅片平坦度的工艺方法，与现有技术相比较，具有操作简单和效果好的特点。提高抛光后产品平整度，经ADE检测TTV＜0.75，实现良品率在90％以上。
具体实施方式
下面通过实施例，对发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：一种提高硅片平坦度的工艺方法，包括如下操作步骤：
第一步：将研磨后的硅片通过碱腐蚀(48％KOH)去除23-27um；
Si+2KOH+H2O＝K2SiO3+2H2↑。
第二步：将碱腐蚀后的硅片进行单面研削，去除量8～10um，研削后TTV均值在0.2～0.5um。
第三步：将研削后的减薄片进行有蜡抛光去除5～7um。抛光将减薄片通过背面刷洗，滴蜡，甩蜡，加热，贴付陶瓷盘，然后进行三步抛光：粗抛，中抛，精抛。
粗抛时，粗抛液与水的比例为1∶20，流量8±2L/min，定盘中心转速66rpm，定盘转速30rpm。
中抛时，中抛液与水的比例为1∶20，流量8±2L/min，定盘中心转速66rpm，定盘转速30rpm。
精抛时，精抛液与水的比例为1∶15，流量2±0.2L/min，定盘中心转速20rpm，定盘转速20rpm。
第四步：去蜡清洗。
第五步：ADE9600测试。
综上所述，该提高硅片平坦度的工艺方法，具有操作简单和效果好的特点。提高抛光后产品平整度，经ADE检测TTV＜0.75，实现良品率在90％以上。
以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。

Claims (5)

1.一种提高硅片平坦度的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：
第一步：将研磨后的硅片通过碱腐蚀(48％KOH)去除23-27um；
Si+2KOH+H2O＝K2SiO3+2H2↑；
第二步：将碱腐蚀后的硅片进行单面研削，去除量8～10um，研削后TTV均值在0.2～0.5um；
第三步：将研削后的减薄片进行有蜡抛光去除5～7um；
第四步：去蜡清洗；
第五步：ADE9600测试。
2.根据权利要求1所述的一种提高硅片平坦度的工艺方法，其特征在于：抛光将减薄片通过背面刷洗，滴蜡，甩蜡，加热，贴付陶瓷盘，然后进行三步抛光：粗抛，中抛，精抛。
3.根据权利要求2所述的一种提高硅片平坦度的工艺方法，其特征在于：粗抛时，粗抛液与水的比例为1∶20，流量8±2L/min，定盘中心转速66rpm，定盘转速30rpm。
4.根据权利要求2所述的一种提高硅片平坦度的工艺方法，其特征在于：中抛时，中抛液与水的比例为1∶20，流量8±2L/min，定盘中心转速66rpm，定盘转速30rpm。
5.根据权利要求2所述的一种提高硅片平坦度的工艺方法，其特征在于：精抛时，精抛液与水的比例为1∶15，流量2±0.2L/min，定盘中心转速20rpm，定盘转速20rpm。
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