CN115427614A - 用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统，一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的电化学沉积系统以及一种在工艺流体中对基底进行化学和/或电解表面处理的方法。所述分配系统包括分配体。所述分配体包括多个用于工艺流体的开口。所述开口在所述分配体的表面以螺旋形图案排列。

Description

用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体 的分配系统

技术领域

本公开涉及一种用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统，一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的电化学沉积系统以及一种在工艺流体中对基底进行化学和/或电解表面处理的方法。

背景技术

化学和/或电解表面处理，如化学和电化学或电解沉积，经常被用于平面、非平面、图案化、非金属以及金属和/或金属化表面的表面涂层。通过涂层，可以保护表面免受腐蚀，改变组件的尺寸和表面特征，并在表面获得附加金属结构。由于其不同的应用，化学和/或电解表面处理被用于许多不同的电子设备的生产中，例如在半导体基底或印刷电路板上。

电镀是一个常见的电化学沉积过程，更具体地说是使用高速板(High-Speed-Plate,HSP)系统的高速电镀。在一个基于HSP的系统中，至少有一个HSP被浸入一个含有电解液的槽中，所述槽中至少有一个基底和一个阳极。来自电解液的电流分布从阳极通过HSP板流向基底的表面(作为阴极)。在特定的应用中，电流分布的方向也可以是相反的，例如反向脉冲电镀。

例如，DE 102010033256 A1公开了一种用于在化学和/或电解表面处理中产生定向流动和电流密度图案的装置和方法。所述装置包括分流器主体，所述分流器主体的正面与待处理的基底平面平行，并且所述分流器主体的正面设有多个出口开口，处理液通过所述出口开口流向基底表面。从基底回流的处理液通过连接通道被引出至分流器主体的背面。同时，朝向易于制备的基底表面的电场的定向分布受所述连接通道的特定布置的影响。

使用高速电镀板在旋转基底上实现铜等金属的高度均匀无缺陷电镀尤其困难，这意味着当时基底在水平位置旋转，或者置于垂直位置直接面对HSP系统。在这种情况下，高度均匀、无缺陷的图案可以理解为无旋转图案。

要使用高速电镀板装置实现无旋转图案、高度均匀的金属电镀，需要在整个处理时间内平均有相同数量的电解液流和电流密度到达基底的每一个独立单位区域。

在现有技术中，基底的空间不均匀电镀已经通过创造高密度的电解液喷射器和电流密度分布元件来改善，所述电解液喷射器和电流密度分布元件近似对应于在基底上反应的表面元件的分布，且定义了要显示的结构，例如，出口开口与表面元件近似对齐。

由于这些表面元件的不断缩小(即电子设备的几何尺寸不断缩小到更小的尺寸)，制造近似对应于在基底上反应的表面元件的分布的高密度的电解液喷射器和电流密度分布元件已经变得越来越困难，实际上如今几乎不可能实现。因此，基底上的空间不均匀性电镀问题不能再通过缩小HSP特征来解决。

此外，电解液喷射器和电流密度分布元件在几何上与基底表面元件对齐的排列(它们几乎完全排列成预设的图案和形状，它们相互成90°图案排列，例如以矩形形状排列)会对所产生的电镀均匀性产生明显的旋转伪影。这是由使电解液喷射器的几何排列和电流分布开口无限小的限制造成的。在即使是可能制造的最小的开口上旋转基底，也会由于不均匀、不对齐的区域平均进入电解液流和电流密度图案而在基底上产生不均匀的旋转图案。

发明内容

因此，可能有必要提供一种改进的分配系统，用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体，所述系统可以对基底进行均匀的电镀，并减少伪影或缺陷图案。

上述问题可以通过独立权利要求的内容来解决，其中进一步的实施例被纳入从属权利要求中。应当注意的是，以下描述的本公开的各个方面也适用于用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统，用于对基底进行化学和/或电解表面处理的电化学沉积系统以及在工艺流体中对基底进行化学和/或电解表面处理的方法。

根据本公开内容，提出了一种用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统。所述分配系统包括分配体。所述分配体包括多个用于工艺流体的开口。所述开口在所述分配体的表面以螺旋形图案排列。

根据本公开内容的分配系统通过实施一种新颖的方式来解决现有技术的问题，所述方式将分配体(例如HSP板)的开口(例如工艺流体或电解液和电流分布)朝向基底排列。所述开口以螺旋形的几何顺序排列，在整个处理(即电镀)时间内，(旋转的)基底的每个单位区域平均可以暴露在相同数量的进入电解液流和电流密度下。

工艺流体/电解液和电流分布开口的螺旋排列可以按照螺旋的数学指令进行，其中电解液和电流分布开口的位置是根据从固定起点连续向外移动的螺旋形所描绘的线上的位置点来确定的。

电解液和电流分布开口的位置可以根据不同类型的螺旋几何形状来排列，例如对数螺旋、抛物线螺旋、平方根螺旋、双曲线螺旋，或者基于任何其他类型的几何排列，这使得基底，例如旋转基底的每个单位区域，在处理时间内平均可以暴露在相同数量的进入电解液流和电流密度下。

因此，实现了用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的改进分配系统，所述系统可以对基底进行均匀电镀，并减少或消除旋转伪影和/或缺陷图案。改进的分配系统可以在没有任何复杂的机械实施或复杂的管理实施的情况下实现，例如电解液流向基底。这可以使分配系统易于制造，无需大量费用和/或易于使用，且无需大量维护和维修费用。

在一示例中，分配体可以被设置在分配系统的电极和基底之间。

在一示例中，分配体可以是一个高速板(HSP)。

在一示例中，分配体可以平行于基底设置。

在一示例中，基底和分配体可以是水平设置的。在另一示例中，基底和分配体可以是垂直设置的。当然，基底和分配体可以相对于地面以任何其他角度设置。

在一示例中，分配体可以包括塑料，特别是聚丙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、丙烯酸玻璃，即聚甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯或不会被工艺流体分解的其他材料。

在一示例中，基底可以相对于分配体旋转。根据电沉积的需要，基底可以旋转，以便在工艺流体表面上彻底铺展或分布，和/或为关键区域中化学物质的扩散提供额外的积极改善，或保持固定而不移动。

在一示例中，基底可以包含金属(例如铜)或合金或金属化合物，或由其制成。

在一示例中，基底可以是板状工件。基底可以是遮蔽或未遮蔽的导体板、半导体基底、薄膜基底或任何金属或金属化工件。

在一示例中，基底可以放置在基底支架上。

在一示例中，工艺流体是电解液，可以传输电流密度。在一示例中，工艺流体可以从分配体的开口处分配到基底表面。电解液和电流密度可以近似对准基底表面分布。在整个电镀过程中，通过分配体开口的电解液流和/或电流可能相同，也可能在电镀过程中发生变化。

在一示例中，开口可以面向基底。分配体中的开口可以使工艺流体从电极流向基底。在另一示例中，开口可以朝向基底的相反方向。

开口可以在整个分配体中具有相同的尺寸，也可以具有不同的尺寸，如开口的半径增大或减小。开口可以具有圆形横截面，但也可以以任何其他形式形成横截面，例如方形。

以螺旋形图案排列的开口可以是用于排放电解液的电解液喷射器，也可以是用于电流密度分布的电流密度分布元件，或者是两者的组合。如果以螺旋形图案排列的开口是用于排放电解液的电解液喷射器或用于电流密度分布的分布元件，则另一类开口(分布元件或喷射器)可以独立于以螺旋形图案排列的喷射器或分布元件排列。独立意味着它们会形成另一个螺旋形图案或非螺旋形图案，或者根本没有形成图案。

电解液和工艺流体所携带的电流密度可以从分配体的相同或单独的元件和部件排出。在后一种替代方案中，分配体可以包括至少一个用于排放电解液的喷射器和至少一个用于电流密度分布的分布元件。电解液和电流的排放可以同时进行，也可以相继进行。

在一示例中，开口可以分为至少两部分，其中开口的第一部分被配置为提供工艺流体流，开口的第二部分被配置为提供电流密度分布。开口的第一部分可以形成用于提供工艺流体流的喷射孔，开口的第二部分可以形成用于提供电流密度分布的排放孔。开口的第二部分还可以被配置为使工艺流体能够通过分配体从基底回流到电极。

因此，排放孔可以是在分配体的正面和背面之间延伸的通孔。分配体的正面可以朝向基底，分配体的背面可以设置在正面的另一侧，不朝向基底(但朝向，例如，至少一个阳极)。

引导电流密度分布通过各自独立的开口与工艺流体分离，可以为基底表面处理提供进一步的灵活性和简洁性。因此，工艺流体的流速和电流密度分布可以分别独立控制。例如，在工艺流体的流速保持不变期间，可以降低电流密度分布的流速，这将防止在对基底进行化学和/或电解表面处理期间，氢气泡粘附在基底上。同样，当电流密度分布的流速保持不变时，工艺流体的流速可以改变(增大或减小)。

在一示例中，开口的第二部分可以在分配体的表面上以螺旋形图案排列，开口的第一部分可以独立于所述开口的第二部分，排列于所述分配体的表面。

在一示例中，开口的第一部分可以包含比开口的第二部分更小的直径。在一示例中，开口的第一部分可以环绕开口的第二部分。换句话说，一个排放孔可以被一个、两个或多个喷射孔环绕。

在一实施例中，开口的螺旋形图案可以调节工艺流体朝向基底的流向。也就是说，分配体可以为化学和/或电解表面处理产生一个定向电解液流和电流密度图案。因此，当在一定的处理时间内取平均值时，基底的(整个)表面可以暴露在相同数量的物质中，以达到均匀的电沉积。

在一实施例中，开口被配置为将工艺流体流和/或电流密度分布导向基底，并且在基底相对于分配体旋转的情况下，螺旋形图案能够使基底的多个区域分别暴露于类似的工艺流体流和/或类似的电流密度分布。随着基底的旋转，工艺流体流可以更均匀地接触基底表面，并减少或防止不均匀的电流密度图案的形成。螺旋形图案可以使基底的部分或整个表面能够以类似的数量被涂覆。

螺旋形状可以基于由极坐标组成的极坐标方程。通过更改极坐标，可以更改螺旋形图案。可以定义极坐标值，以确定工艺液体流的形状和/或基底上的电流密度分布。

在一实施例中，螺旋形图案的形成在于，多个开口沿预设曲线排列，所述曲线绕着分配体上的起点旋转，且与起点的距离不断增大。这意味着从围绕起点的螺旋形的一条弧或一圈到围绕起点的下一个环或螺旋形的一圈的距离可以增加。

沿预设曲线的相邻开口之间的距离可以减少或增加，或者从螺旋形的起点到距离起点更远的开口之间的距离保持不变。换句话说，布置在预设螺旋形曲线上的开口可以彼此等距离放置。或者，从预设螺旋形曲线上的起点开始的开口，彼此之间的距离可以增加或减少。换句话说，开口可以集中在靠近起点的位置，也可以集中在远离起点的分配体的外部。

在一实施例中，螺旋形图案的起点是分配体的几何中心。分配体的几何中心或质心是与形状相关的点，它被定义为所有坐标中所有点的算术平均位置。对于具有圆形横截面的分配体，几何中心将位于圆周的中心。

在一实施例中，螺旋形图案的起点位于分配体的几何中心之外。换言之，起点可以是分配体的重心。或者，起点可以位于距离分配体外部更近的点，例如，在几何中心周围没有任何开口的区域。

通过为不同的径向区域选择不同的螺旋几何形状，甚至不同螺旋类型的混合或几何序列，可以调整电镀结果，以实现基底电解沉积的高度均匀性。通过将电解液和电流分布开口放置在一个预设螺旋形的路径上，在分配体表面，如下面螺旋的类型所示，可以针对基底的不同表面区域，这些表面区域本身需要以非常高的均匀性进行电镀。

通过改变螺旋类型和/或其公式中的参数，或者通过改变沿分配体半径的应用螺旋的类型，可以在特定径向区域定义不同强度的涂层。通过这种高度均匀、无缺陷的图案，或者对于特定图案的基底，可以在基底上获得专门定义的均匀电镀。

在一实施例中，螺旋形图案基于阿基米德螺旋。由方程式r＝a+bθ定义；其中a和b是R。在这个公式中，a和b都是参数，r是半径距中心的长度，θ是半径的角位置(旋转量)。阿基米德螺旋定义了一条点轨迹，所述轨迹对应于一个点随时间以恒定速度沿一条以恒定角速度旋转的线远离固定点的位置。通过更改参数a，螺旋的中心点将沿分配体外部的方向远离分配体的中心，而b控制连续环路之间的距离。阿基米德螺旋线在相邻弧线之间的距离总是相同的。

发明人的实验和测试非常令人惊讶，显示出，例如，应用阿基米德螺旋更接近旋转基底的中心，在细长的设备结构上的沉积均匀性更好，为了在距离旋转中心较远的细长结构上实现类似的良好均匀性，对数螺旋排列显示出更好的结果。其他观察结果是，对于非细长特征，更多的是点状类型的电镀结构，对上述细长结构进行了相反的观察。

在一实施例中，螺旋形图案基于对数螺旋。对数螺旋与阿基米德螺旋的区别在于，对数螺旋的弧线之间的距离以几何级数增加，而在阿基米德螺旋中，螺旋线之间的距离保持不变。在极坐标中，对数螺旋由方程r＝ae^kθ定义；其中a,k≠0。在这个公式中，r是半径距中心的长度，a是常数，e是自然对数的底，k是螺旋线的斜率，θ是半径的角位置。

在一实施例中，螺旋形图案基于抛物线螺旋。抛物线螺旋，也称为费马螺旋，是一条平面曲线，在极坐标中由方程

定义；其中θ≥0，表示具有水平轴的抛物线。在这个公式中，r是半径距中心的长度，a是参数，θ是半径的角位置。费马螺旋形图案可以有一个或两个分支，它们相互缠绕，对称于中心平面。

在一实施例中，螺旋形图案基于平方根螺旋。平方根螺旋是由边对边放置的直角三角形形成的，即一个三角形的斜边是放置在它旁边的三角形的一条直角边，三角形的另一条直角边的大小始终为1。因此，序列中的第n个三角形是一个边长为

和1，斜边为

的直角三角形。

在一实施例中，螺旋形图案基于双曲线螺旋。双曲线螺旋是一个逆螺旋，由方程r＝a/θ描述；其中θ≠0。在这个公式中，r是半径距中心的长度，a是参数，θ是半径的角位置。双曲线螺旋可以由阿基米德螺旋的圆周反转生成。

在一实施例中，螺旋形图案基于斐波那契数。由斐波那契数生成的对数螺旋(斐波那契螺旋)的增长因子为

换句话说，斐波那契数列中的连续项之间有一个常数比。斐波那契螺旋线是由画正方形构成的，每个连续的正方形都有边长等于前两个正方形边长之和的边，将正方形的角连接起来形成螺旋线。

在一实施例中，螺旋形图案是两个或多个螺旋的组合。可以在分配体上使用一种以上的螺旋的组合，且最好是不同的螺旋类型，例如，从中心到半径A的斐波那契类型螺旋，从半径A到最外侧半径B的费马类型螺旋，或上述螺旋的任何其他组合。

通过为不同的径向区域选择不同的螺旋几何形状，甚至不同螺旋类型的混合或几何序列，可以调整电镀结果，以实现基底电解沉积的高度均匀性。通过将电解液和电流分布开口放置在一个预设螺旋形的路径上，在分配体表面，如螺旋类型所示，可以针对基底的不同表面区域，这些表面区域本身需要以非常高的均匀性进行电镀。

根据本公开内容，还提出了一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的电化学沉积系统。所述电化学沉积系统包括上述分配系统和基底旋转系统。所述基底旋转系统被配置为相对于所述分配系统的分配体旋转基底。

通过在应用工艺流体期间旋转基底，确保均匀铺展或分布，从而在基底表面形成均匀、缺陷图案减少或无缺陷图案的涂层。

基底的旋转可以指与360度旋转相对应的全旋转，也可以是小于360度的部分旋转，例如对应于约180度。基底可以朝两个相反的方向旋转，例如前后旋转，或者换句话说，顺时针和逆时针旋转。

旋转系统的旋转速度可以由用户根据具体的表面处理需求来设置，例如在规定的时间内达到特定厚度的累积涂层。

在一示例中，基底可以放置在基底支架上。

在一示例中，基底可以可拆卸地连接到旋转系统。这使得基底可以被另一个基底取代。

根据本公开内容，还提出了一种在工艺流体中对基底进行化学和/或电解表面处理的方法。所述进行化学和/或电解表面处理的方法包括以下步骤，但不限于以下顺序：

-提供分配系统，包括具有多个开口的分配体，

-相对于所述分配系统旋转基底，以及

-通过开口的第一部分提供工艺流体流，通过开口的第二部分提供电流密度分布。

所述方法还可以包括在对表面进行化学和/或电解处理之前选择工艺流体来源的步骤。

应当理解，根据独立权利要求所述的系统、设备和方法具有相似和/或相同的优选实施例，特别是如从属权利要求中所定义的。应进一步理解，本公开的优选实施例也可以是从属权利要求与相应独立权利要求的任意组合。

本公开的这些和其他方面将从下文描述的实施例中变得明显并得到阐明。

附图说明

下面将参照附图对本公开的示例性实施例进行描述：

图1示意性且示例性地示出了用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配体的实施例。

图2示意性且示例性地示出了阿基米德螺旋。

图3示意性且示例性地示出了对数螺旋。

图4示出了“排放孔比例”的分布与基底半径的函数关系。

图5A和图5B示意性且示例性地示出了用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配体的实施例。

具体实施方式

图1示意性且示例性地示出了用于对可旋转基底(未示出)进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配体1的实施例。所述分配体1是分配系统10的一部分，用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体。所述分配体1可以设置在分配系统10的电极(未示出)和基底之间。分配体1可以是高速板(HSP)。基底可以相对于所述分配体1旋转。

所述分配体1包括用于工艺流体的多个开口2。工艺流体是一种电解液，可以传输电流密度。开口2面向基底，使得工艺流体从电极流向基底。开口2以螺旋形图案排列在分配体1的表面上。开口2将工艺流体流和/或电流密度分布导向基底，在基底相对于分配体1旋转的情况下，螺旋形图案使基底的多个区域分别暴露于相似的工艺流体流和/或相似的电流密度分布。电解液和工艺流体的电流密度可以从分配体1的单独的元件和部件排出。因此，分配体1包括至少一个用于排放电解液的喷射器和至少一个用于电流密度分布的分布元件。

分配系统10是用于对基底进行化学和/或电解表面处理的电化学沉积系统20的一部分。电化学沉积系统20包括分配系统10和基底旋转系统(未示出)。基底旋转系统被配置为相对于分配系统10的分配体1旋转基底。通过在应用工艺流体期间旋转基底，确保工艺流体的均匀分布，从而在基底表面形成均匀涂层。

开口2在分配体1上以螺旋形图案排列，如图2所示的阿基米德螺旋S1图案，或图3所示的对数螺旋S2图案。开口2的螺旋形排列遵循螺旋的数学指令，其中开口2的位置是根据从固定起点C连续向外移动的螺旋所描绘的线上的位置点来确定的。

通过开口2的螺旋形图案，在整个处理时间内，基底的每个单位区域平均可以暴露在相同数量的进入电解液流和电流密度下。当基底旋转时，可以确保电镀均匀，无旋转伪影。

螺旋形图案的形成在于，开口2沿着一条预设曲线排列，所述曲线绕着分配体1上的起点C旋转，且与起点C的距离不断增大。螺旋形图案的起点C是图1中分配体1的几何中心C。沿着预设螺旋形曲线，从螺旋线的起点C到分配体1的更远的部分，相邻开口2之间的距离是恒定的。如图1所示，开口2在整个分配体1中的尺寸相等，可以具有任何横截面，例如圆形、方形或三/多角形。

图2示意性且示例性地示出了阿基米德螺旋S1。相邻弧线A之间的距离在每个连续的螺旋圈或弧线A之间是相等的。阿基米德螺旋S1用于定义分配体1的表面1b上的开口2的位置。

图3示意性且示例性地示出了对数螺旋S2，其中连续弧线A之间的距离从中心开始向外侧部分增加。对数螺旋S2也可以用于确定分配体1的表面1b上的开口2的位置。

图4示出了一张图，该图描述了“排放孔比例”(DHR)的分布与旋转基底(例如，半径为300mm的晶圆)的半径(r)的函数关系，所述晶圆上排列有电解液和电流分布开口2。排放孔比例描述了沿分配体1的特定半径，从螺旋线的起点C到分配体1外缘的开放区域(开口2的区域)相对于封闭区域(无开口2的区域)的百分比。图4中的“X”符号表示分配体1的排放孔实际值，“O”符号表示10个相邻排放孔的平均值。

原则上，我们发现，在从起点到外缘的半径范围内，排放孔比例分布越均匀，基底上材料沉积的均匀性就越高，特别是当基底相对于分配体1发生旋转运动时。从图4可以看出，分配体1可以在半径范围内具有良好的排放孔均匀性，从而使基底上的沉积均匀性分布得到显著改善。

图5A和图5B示出了开口2的排列，开口2分为第一部分21(喷射孔)和第二部分22(排放孔)。每个排放孔22被三个喷射孔21包围，其中排放孔22以螺旋形图案排列在分配体1的表面1b上。排放孔22可以形成为贯穿分配体1的通孔，并被配置为向基底提供电流密度分布，使工艺流体能够从基底回流。喷射孔21可以仅在分配体1的一个方向上形成，优选在基底的方向上，以向基底提供工艺流体。

需要注意的是，本公开的实施例是参照不同的主题事项进行描述的。具体而言，一些实施例参照方法类型的权利要求进行描述，而其他实施例则参照装置类型的权利要求进行描述。然而，本领域技术人员将从上述和以下描述中得出，除非另有说明，否则除了属于一种主题的特征的任何组合之外，还应认为与不同主题相关的特征之间的任何组合是与本申请一起公开的。然而，所有特征都可以组合起来，提供比特征的简单叠加更多的协同效应。

虽然本公开已在附图和前述描述中进行了详细说明和描述，但这种说明和描述应被视为说明性或示例性的，而不是限制性的。本公开不限于所公开的实施例。通过对附图、公开内容和从属权利要求书的研究，本领域的技术人员可以理解并实现所公开的实施方案的其他变化。

在权利要求中，“包括”一词并不排除其他元素或步骤，而不定项“一个”或“一种”并不排除多个。一个处理器或其他单元可以实现权利要求中重新引用的几个项目的功能。仅仅是某些措施在相互不同的从属权利要求中被重新引用这一事实，并不表明这些措施的组合不能被用来发挥优势。权利要求中的任何参考标识都不应被理解为对保护范围的限制。

实施例

1.一种用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统(10)，

其中分配系统(10)包括分配体(1)，

其中分配体(1)包括用于工艺流体的多个开口(2)，以及

其中所述多个开口(2)在分配体(1)的表面(1b)上以螺旋形图案排列。

2.根据实施例1所述的分配系统(10)，其中开口(2)被配置为将工艺流体流和/或电流密度分布导向基底，并且在基底相对于分配体(1)旋转的情况下，螺旋形图案能够使基底的多个区域分别暴露于类似的工艺流体流和/或类似的电流密度分布。

3.根据前述实施例任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案的形成在于所述多个开口(2)沿预设曲线排列，所述曲线绕着分配体(1)上的起点(C)绕行，且与起点的距离不断增大。

4.根据实施例3所述的分配系统(10)，其中所述起点(C)是所述分配体(1)的几何中心(C)。

5.根据实施例3所述的分配系统(10)，其中所述起点(C)位于分配体(1)的几何中心(C)之外。

6.根据实施例1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于阿基米德螺旋(S1)。

7.根据实施例1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于对数螺旋(S2)。

8.根据实施例1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于抛物线螺旋。

9.根据实施例1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于平方根螺旋。

10.根据实施例1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于双曲线螺旋。

11.根据实施例1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于斐波那契螺旋。

12.根据前述实施例任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案是两个或多个螺旋的组合。

13.一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的电化学沉积系统(20)，包括：

-根据前述实施例任一项所述的分配系统(10)，以及

-基底旋转系统，

其中所述基底旋转系统被配置为相对于所述分配系统(10)的分配体(1)旋转基底。

14.一种在工艺流体中对基底进行化学和/或电解表面处理的方法，包括：

-提供分配系统(10)，包括分配体(1)，所述分配体(1)包括用于工艺流体的多个开口(2)，其中所述多个开口(2)在分配体(1)的表面上以螺旋形图案排列，

-相对于所述分配系统(10)旋转基底，以及

-对基底进行化学和/或电解表面处理。

Claims (14)

1.一种用于对可旋转基底进行化学和/或电解表面处理的工艺流体的分配系统(10)，包括：

其中所述分配系统(10)包括分配体(1)，

其中所述分配体(1)包括多个开口(2)，所述开口至少分为第一部分(21)和第二部分(22)，

其中所述多个开口(2)的第一部分(21)被配置为提供工艺流体流，所述多个开口(2)的第二部分(22)被配置为提供电流密度分布，

其中所述多个开口(2)的第二部分(22)在分配体(1)的表面(1b)上以螺旋形图案排列，并且，

其中所述多个开口(2)的第一部分(21)独立于所述多个开口(2)的第二部分(22)，排列于所述分配体(1)的表面(1b)。

2.根据权利要求1所述的分配系统(10)，其中，在基底相对于分配体(1)旋转时，螺旋形图案使得基底的多个区域能够分别暴露于类似的工艺流体流和/或类似的电流密度分布。

3.根据前述权利要求任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案的形成在于所述多个开口(2)沿预设曲线排列，所述曲线绕着分配体(1)上的起点(C)绕行，且与起点的距离不断增大。

4.根据权利要求3所述的分配系统(10)，其中所述起点(C)是所述分配体(1)的几何中心(C)。

5.根据权利要求3所述的分配系统(10)，其中所述起点(C)位于分配体(1)的几何中心(C)之外。

6.根据权利要求1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于阿基米德螺旋(S1)。

7.根据权利要求1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于对数螺旋(S2)。

8.根据权利要求1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于抛物线螺旋。

9.根据权利要求1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于平方根螺旋。

10.根据权利要求1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于双曲线螺旋。

11.根据权利要求1至5任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案基于斐波那契螺旋。

12.根据前述权利要求任一项所述的分配系统(10)，其中所述螺旋形图案是两个或多个螺旋的组合。

13.一种用于对基底进行化学和/或电解表面处理的电化学沉积系统(20)，包括：

-根据前述权利要求任一项所述的分配系统(10)，以及

-基底旋转系统，

其中所述基底旋转系统被配置为相对于所述分配系统(10)的分配体(1)旋转基底。

14.一种在工艺流体中对基底进行化学和/或电解表面处理的方法，包括：

-提供分配系统(10)，包括分配体(1)，所述分配体(1)包括多个开口(2)，所述开口分为第一部分(21)和第二部分(22)，

-相对于所述分配系统(10)旋转基底，以及

-通过多个开口(2)的第一部分提供工艺流体流，通过多个开口(2)的第二部分提供电流密度分布，

其中所述多个开口(2)的第一部分(21)被配置为提供工艺流体流，所述多个开口(2)的第二部分(22)被配置为提供电流密度分布，

其中所述多个开口(2)的第二部分(22)在分配体(1)的表面(1b)上以螺旋形图案排列，并且，

其中所述多个开口(2)的第一部分(21)独立于所述多个开口(2)的第二部分(22)，设置于所述分配(1)的表面(1b)。

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