CN115417406A - 一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种650‑800mm的宽幅AFG材料的制备方法,主要应用于75寸以上的OLED屏幕的散热,宽幅AFG材料包括芯层处的AFG层以及依次覆盖在AFG层表面的PET离型膜层和聚四氟乙烯防护层;本发明通过设置铆钉连接的方式,从而形成层间的连接,并且由于是金属铆钉而不是非金属连接方式。其在后续的表面离子化的过程中,会增加铆杆附近的离子化程度,从而获得更好的层间导热能力,以补偿多层重叠带来的层间导热缺失现象。按照本申请的重叠方式以及对重叠方式,以及采用表面离子化从而解决层间导热缺陷的技术方案,可以有效的解决现有宽幅AFG材料层间导热能力差的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法。
背景技术
物质的热传导方式主要分为两种,其中无机非金属材料的导热基体为声子导热的方式,热量的传导是通过晶格或晶体点阵的振动来实现的,晶格振动的能量是量子化的,晶格振动的量子称为声子,所以无机非金属材料的热传导是通过声子相互作用来实现的,即声子导热。高温时无机非金属材料中的电磁辐射热传的比重增大,也存在光子导热。
而在金属材料中,金属中的电子相互作用或碰撞是金属材料导热的主要形式,即电子导热。此外,由于金属晶格或点阵的振动,也存在少量的声子导热。
烯碳复合材料(AFG)作为一种新型的导热材料,其原理是在石墨片层中种植金属原子,通过金属原子产生的电子导热解决石墨层间导热的弊端,导热机理综合了金属材料与非金属材料,即既包括声子导热又包括电子导热,所以材料的纵向导热与横向导热性能均要优于均热板,且综合造价也低于传统的均热板。其微观结构单元是石墨片层结构,石墨片层上存在可以运动的由共轭电子组成的高活性的离域大π键,而石墨片层之间又是弱于非金属共价键的范德华作用力。导热机理是介于金属材料和非金属材料之间,既有声子导热,又有电子导热,为电子设备提供更薄和散热更优良的设计。
但现有的AFG材料受制于设备的工作能力以及100μm厚度的聚酰亚胺高分子膜的实际分切能力,一般只能做到400mm宽度或是以下,才能保证聚酰亚胺高分子膜不会发生破裂的缺陷。
发明内容
本发明的目的是为了解决以上现有技术的不足,提供一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,该种工艺方法可以利用现有400mm左右聚酰亚胺高分子层的制备能力,通过层间生成金属离子薄膜的方式,从而改善堆叠过程中产生的层间导热缺陷问题,从而制备出600mm以上宽度的宽幅AFG材料。
一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,应用于75寸以上的OLED屏幕的散热,宽幅AFG材料包括芯层处的AFG层以及依次覆盖在AFG层表面的PET离型膜层和聚四氟乙烯防护层;
制备方法包括以下步骤:
将聚酰亚胺高分子膜进行分切,分切后,将多个聚酰亚胺高分子膜分别进行碳化以及石墨化处理;石墨化处理完成之后,将聚酰亚胺高分子膜分切成50-80mm宽的窄条形状;将窄条沿30-50°的倾斜角度进行叠加,重叠后切除多余部分,制备呈650-800mm宽;切割完成后,在表面通过多个铆杆进行铆接,铆接完成后表面压平;
压平完成之后,在催化剂的作用下,在已完成石墨化以及叠加的聚酰亚胺高分子膜的表面种植金属离子;金属离子种植完成后,在上表面覆盖PET离型膜层,覆盖后进行热压压合,压合完成后涂覆聚四氟乙烯防护层。
进一步的,所述铆杆的材质为黄铜,主要利用黄铜较好的延展性以及相容性,从而即可以满足层间的连接要求,又可以在后续生成离子生长膜时,不与其他金属离子之间产生干涉。
进一步的,聚酰亚胺高分子膜在1200-1600℃下完成碳化,碳化完成后在2600℃完成石墨化;
石墨化完成后,按层堆叠,并在上下表面均涂覆粉末状金属,通过静电吸附的方式进行均匀分布,并保证粉末状金属能够附着在石墨化的表面上;通过惰性气体,在刻蚀催化剂的作用下,在表面形成可供金属离子生长的介孔结构,金属氧化物被还原形成离子从而在介孔结构内进行生长,生长的金属离子在铆杆附近会加速生长,从而形成更密集的薄膜结构,薄膜结构进一步补偿层间导热的缺陷。
进一步的,所述的惰性气体为Ar,其中采用Ar的主要目的是为了防止气体中的元素与金属元素产生反应,从而导致金属无法顺利还原,并生长离子进行有效的生长。
为了保证在每一个衍射角以及衍射峰均有相应的金属离子进行作用,一般而言,我们会选择物相衍射峰较宽的三种金属离子进行种植,其中最佳采用Ni、Mg以及Al离子的组合形式。在选择时,保证在衍射角2θ为45°、52°、77°处均能够出现特征峰,该种设计虽然不能有效的提高单一环境下的导热效率,但是可以提升整体材料的均衡性。
进一步的,所述的刻蚀催化剂为氧化铁、氧化铝、氧化镁或是水热条件下的聚四氟乙烯与氢氧化钠混合溶液。或是可以采用激光刻蚀、机械刻蚀等工艺,但是采用化学刻蚀的效果最佳,可以产生的介孔也最均匀,化学刻蚀主要采用碱性物质在水浴环境下,对石墨化的表面进行侵蚀即可。
进一步的,所述的粉末状金属包括NiO、MgO和Al2MgO4,其中对应产生的金属离子分别为Ni、Mg和Al。
有益效果:
本发明通过设置铆钉连接的方式,从而形成层间的连接,并且由于是金属铆钉而不是非金属连接方式。其在后续的表面离子化的过程中,会增加铆杆附近的离子化程度,从而获得更好的层间导热能力,以补偿多层重叠带来的层间导热缺失现象。
附图说明
图1是三个窄条之间通过部分铆钉相连时的结构示意图;
图2是三个窄条之间通过部分铆钉相连时的端部示意图。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例和附图对本发明作进一步详述,该实施例仅用于解释本发明,并不构成对本发明保护范围的限定。
实施例:
一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,应用于75寸以上的OLED屏幕的散热,宽幅AFG材料包括芯层处的AFG层以及依次覆盖在AFG层表面的PET离型膜层和聚四氟乙烯防护层;
制备方法包括以下步骤:
将聚酰亚胺高分子膜进行分切,分切后,将多个聚酰亚胺高分子膜分别进行碳化以及石墨化处理;石墨化处理完成之后,将聚酰亚胺高分子膜分切成50-80mm宽的窄条形状;将窄条沿30-50°的倾斜角度进行叠加,重叠后切除多余部分,制备呈650-800mm宽;切割完成后,在表面通过多个铆杆进行铆接,铆接完成后表面压平;
聚酰亚胺高分子膜在1200-1600℃下完成碳化,碳化完成后在2600℃完成石墨化;
石墨化完成后,按层堆叠,并在上下表面均涂覆粉末状金属,粉末状金属包括NiO、MgO和Al2MgO4。
通过静电吸附的方式进行均匀分布,并保证粉末状金属能够附着在石墨化的表面上;通过惰性气体,在刻蚀催化剂的作用下,刻蚀催化剂为水热条件下的聚四氟乙烯与氢氧化钠混合溶液,通过表面浸润,从而在石墨化的表面刻蚀出可供金属离子生长的介孔结构,金属氧化物被还原形成离子从而在介孔结构内进行生长,生长的金属离子在铆杆附近会加速生长,从而形成更密集的薄膜结构,薄膜结构补偿层间导热的缺陷。从而获得层间导热能力不缺失的宽幅AFG材料。
导热能力检测数据如下:
由上表可知,本申请的机械性能与现有石墨烯导热材料类似,但是宽幅可以达到650-800mm,其中导热系数也提升至传统导热材料的1.5倍左右,达到了1200W/(m.k)左右,可以满足大屏乃至超大屏屏幕的使用要求。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,应用于75寸以上的OLED屏幕的散热,其特征在于,宽幅AFG材料包括芯层处的AFG层以及依次覆盖在AFG层表面的PET离型膜层和聚四氟乙烯防护层;
制备方法包括以下步骤:
将聚酰亚胺高分子膜进行分切,分切后,将多个聚酰亚胺高分子膜分别进行碳化以及石墨化处理;石墨化处理完成之后,将聚酰亚胺高分子膜分切成50-80mm宽的窄条形状;将窄条沿30-50°的倾斜角度进行叠加,重叠后切除多余部分,制备呈650-800mm宽;切割完成后,在表面通过多个铆杆进行铆接,铆接完成后表面压平;
压平完成之后,在催化剂的作用下,在已完成石墨化以及叠加的聚酰亚胺高分子膜的表面种植金属离子;金属离子种植完成后,在上表面覆盖PET离型膜层,覆盖后进行热压压合,压合完成后涂覆聚四氟乙烯防护层。
2.根据权利要求1所述的一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,其特征在于,所述铆杆的材质为黄铜。
3.根据权利要求1所述的一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,其特征在于,聚酰亚胺高分子膜在1200-1600℃下完成碳化,碳化完成后在2600℃完成石墨化;
石墨化完成后,按层堆叠,并在上下表面均涂覆粉末状金属,通过静电吸附的方式进行均匀分布,并保证粉末状金属能够附着在石墨化的表面上;通过惰性气体,在刻蚀催化剂的作用下,在表面形成可供金属离子生长的介孔结构,金属氧化物被还原形成离子从而在介孔结构内进行生长,生长的金属离子在铆杆附近会加速生长,从而形成更密集的薄膜结构,薄膜结构进一步补偿层间导热的缺陷。
4.根据权利要求3所述的一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,其特征在于,所述的惰性气体为Ar。
5.根据权利要求3所述的一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,其特征在于,金属离子主要为金属氧化物还原形成的Ni、Mg以及Al离子。
6.根据权利要求1所述的一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,其特征在于,所述的刻蚀催化剂为氧化铁、氧化铝、氧化镁或是水热条件下的聚四氟乙烯与氢氧化钠混合溶液。
7.根据权利要求3所述的一种650-800mm的宽幅AFG材料的制备方法,其特征在于,所述的粉末状金属包括NiO、MgO和Al2MgO4,其中对应产生的金属离子分别为Ni、Mg和Al。
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