CN115407623A - 光刻胶去除腔的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻胶去除腔的清洗方法。光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。本申请可以解决相关技术中随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积的问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻胶去除腔的清洗方法。
背景技术
光刻胶去除工艺是半导体制造工艺中不可或缺的步骤之一。随着半导体芯片的关键尺寸越来越小，其对光刻胶去除工艺的要求更为严格，控制更为精细，一旦光刻胶去除不完全出现光刻胶剥落的问题则会导致芯片的良率降低。
相关技术中的光刻胶去除工艺通常在光刻胶去除腔中进行，但是随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积，甚至掉落在晶片表面从而影响光刻胶去除。
发明内容
本申请提供了一种光刻胶去除腔的清洗方法，可以解决相关技术中随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积的问题。
为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种光刻胶去除腔的清洗方法，所述光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：
在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；
在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；
在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；
在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。
可选地，所述在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤，包括：
在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；
所述第一混合气中包括氢气，所述氢气在所述第一混合气的占比为3％至5％。
可选地，所述在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤中，所述第一混合气还包括氮气，所述氮气在所述第一混合气的占比为97％至95％。
可选地，所述第一混合气在所述第一反应气体中的占比为20％至100％。
可选地，所述在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤，包括：
在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，向所述光刻胶去除腔中通入包括第二混合气的第二反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述第二混合气中包括氢气，所述氢气在所述第二混合气的占比为3％至5％。
可选地，所述在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，向所述光刻胶去除腔中通入包括第二混合气的第二反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤中，所述第二混合气中还包括氮气，所述氮气在所述第二混合气的占比为97％至95％。
可选地，所述第二混合气在所述第二反应气体中的占比为20％至100％。
本申请技术方案，至少包括如下优点：通过在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在光刻胶去除腔中的聚合物，然后在相邻两组晶片组进行光刻胶去除工艺之间，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物，能够有效避免聚合物逐渐堆积的问题，防止光刻胶去除不完全出现光刻胶剥落的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本申请一实施例提供的光刻胶去除腔的清洗方法流程图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
图1示出了本申请一实施例提供的光刻胶去除腔的清洗方法流程图，从图1中可以看出，该光刻胶去除腔的清洗方法包括以下依次进行的步骤S1至步骤S4，其中：
步骤S1：在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物。
例如在机台检修后，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的同时对光刻胶去除腔进行暖机，为在该光刻胶去除腔中进行光刻胶去除工艺做准备，避免因预先沉积在光刻胶去除腔中的聚合物对即将处理的晶片造成影响。
可选地，在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，可以对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，进行1小时至5小时的还原反应，以去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物。
其中，该第一混合气中包括氢气，所述氢气在所述第一混合气的占比为3％至5％。通过氢气的还原性去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物。
该第一混合气中还包括氮气，所述氮气在所述第一混合气的占比为97％至95％。该第一混合气在所述第一反应气体中的占比为20％至100％。
步骤S2：在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺。
其中，该在前晶片组中包括多张晶片。
在进行步骤S2，对一组晶片组进行光刻胶去除工艺时，依次对该组中的每张晶片进行光刻胶去除工艺。
步骤S3：在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物。
其中，所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组均包括多张晶片。
可选地，在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，可以向所述光刻胶去除腔中通入包括第二混合气的第二反应气体，进行80秒至120秒的还原反应，以去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述第二混合气中包括氢气，所述氢气在所述第二混合气的占比为3％至5％。
该第二混合气中还包括氮气，所述氮气在所述第二混合气的占比为97％至95％。该第二混合气在所述第二反应气体中的占比为20％至100％。
步骤S4：在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。
可以重复上述步骤S2至步骤S4，直至所有晶片组中的所有晶片均完成光刻胶去除工艺。
本实施例通过在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在光刻胶去除腔中的聚合物，然后在相邻两组晶片组进行光刻胶去除工艺之间，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物，能够有效避免聚合物逐渐堆积的问题，防止光刻胶去除不完全出现光刻胶剥落的问题。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。
Claims (7)
1.一种光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：
在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；
在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；
在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；
在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。
2.如权利要求1所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤，包括：
在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；
所述第一混合气中包括氢气，所述氢气在所述第一混合气的占比为3％至5％。
3.如权利要求2所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔加温至220℃至350℃，向所述光刻胶去除腔中通入包括第一混合气的第一反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤中，所述第一混合气还包括氮气，所述氮气在所述第一混合气的占比为97％至95％。
4.如权利要求3所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述第一混合气在所述第一反应气体中的占比为20％至100％。
5.如权利要求1所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤，包括：
在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，向所述光刻胶去除腔中通入包括第二混合气的第二反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述第二混合气中包括氢气，所述氢气在所述第二混合气的占比为3％至5％。
6.如权利要求5所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，向所述光刻胶去除腔中通入包括第二混合气的第二反应气体，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物的步骤中，所述第二混合气中还包括氮气，所述氮气在所述第二混合气的占比为97％至95％。
7.如权利要求5所述的光刻胶去除腔的清洗方法，其特征在于，所述第二混合气在所述第二反应气体中的占比为20％至100％。
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