CN115398179A - 用于调整晶片倾斜及聚焦的三电动机配置 - Google Patents

用于调整晶片倾斜及聚焦的三电动机配置 Download PDF

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CN115398179A CN202180000326.2A CN202180000326A CN115398179A CN 115398179 A CN115398179 A CN 115398179A CN 202180000326 A CN202180000326 A CN 202180000326A CN 115398179 A CN115398179 A CN 115398179A
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Abstract

一种系统包含用于测量半导体晶片的第一侧的形状的第一干涉仪、用于固持所述半导体晶片并将所述半导体晶片的所述第一侧暴露于所述第一干涉仪的托盘，及耦合到所述托盘的三个电动机。所述三个电动机包含在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦合到所述托盘的第二电动机，及在第三位置耦合到所述托盘的第三电动机。

Description

用于调整晶片倾斜及聚焦的三电动机配置
技术领域
本发明涉及调整晶片测量工具中的晶片倾斜及聚焦。
背景技术
半导体制造包含在半导体晶片上沉积膜层并图案化这些层。这种沉积对晶片施加应力，导致晶片翘曲。随着膜层的数量增加，翘曲增加。对于可具有超过100层的现代三维(3D)半导体存储器，翘曲可为500微米到一毫米或更大。干涉仪可用来测量这种翘曲。然而，对于高翘曲，干涉仪可能无法聚焦到整个晶片上。即使晶片倾斜以允许分别测量不同区域中晶片的形状，但测量整个晶片的形状仍可能是不可行的。
发明内容
因此，需要系统及方法来允许有效地测量半导体晶片的形状。
在一些实施例中，一种系统包含：第一干涉仪，所述第一干涉仪用于测量半导体晶片的第一侧的形状；托盘，所述托盘用于固持所述半导体晶片并将所述半导体晶片的所述第一侧暴露于所述第一干涉仪；及三个电动机，所述三个电动机耦合到所述托盘。所述三个电动机包含在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦合到所述托盘的第二电动机，及在第三位置耦合到所述托盘的第三电动机。
所述系统可进一步包含用于测量所述半导体晶片的第二侧的形状的第二干涉仪，且所述托盘可具有将所述半导体晶片的所述第二侧暴露于第二干涉仪的孔。所述托盘将所述半导体晶片固持在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间。
在一些实施例中，一种方法包含将半导体晶片固持在第一干涉仪与第二干涉仪之间的托盘中。所述半导体晶片的第一侧暴露于所述第一干涉仪，且所述半导体晶片的第二侧暴露于所述第二干涉仪。第一电动机在第一位置耦合到所述托盘，第二电动机在第二位置耦合到所述托盘，且第三电动机在第三位置耦合到所述托盘。所述方法还包含平移所述第一电动机及所述第二电动机以使所述半导体晶片的倾斜为零，且在所述半导体晶片的所述倾斜为零的情况下，使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中。使所述半导体晶片居中包含平移所述第一电动机、所述第二电动机及所述第三电动机。
所述方法可进一步包含，在使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中之后，计算待用于测量多个相应区域中所述半导体晶片的形状的多个倾斜。对于所述多个倾斜，为所述第一、第二及第三电动机计算多组目标位置。所述多组目标位置中的每一组目标位置对应于所述多个倾斜中的某一相应倾斜。将所述第一、第二及第三电动机平移到所述多组目标位置中的每一组目标位置，以在将所述半导体晶片连续地定位为具有所述多个倾斜中的每一倾斜。在所述半导体晶片连续地定位为具有所述多个倾斜中的每一倾斜的情况下，在所述多个相应区域的每一相应区域中测量所述半导体晶片的形状。
在一些实施例中，一种系统包含：第一干涉仪；第二干涉仪；托盘，所述托盘用于将半导体晶片固持在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间，其中所述半导体晶片的第一侧暴露于第一干涉仪且所述半导体晶片的第二侧暴露于所述第二干涉仪；及耦合到所述托盘的三个电动机。所述三个电动机包含在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦合到所述托盘的第二电动机，及在第三位置耦合到所述托盘的第三电动机。所述系统还包含一或多个处理器及存储一或多个程序以供所述一或多个处理器执行的存储器。所述一或多个程序包含用于执行上述方法的指令。
在一些实施例中，一种非暂时性计算机可读存储媒体存储由干涉仪系统的一或多个处理器的一或多个程序或执行。所述一或多个程序包含用于执行上述方法的指令。
附图说明
为了更好地理解所描述的各种实施方案，应结合以下附图，参考下面的具体实施方式。
图1展示根据一些实施例的用于测量半导体晶片形状的干涉仪系统。
图2A及2B展示根据一些实施例的用于固持半导体晶片的托盘。
图3A到3C是根据一些实施例的展示可使用图2A及2B的托盘及三个电动机实现的相应倾斜的翘曲半导体晶片的横截面侧视图。
图4展示根据一些实施例的半导体晶片的晶片图的模拟实例，其中中心区域及多个区域共同覆盖半导体晶片。
图5展示对于其中省略图2A及2B的第三电动机并用枢转接头代替的场景下的半导体晶片的晶片图的模拟实例。
图6A是根据一些实施例的展示在干涉仪系统中定位半导体晶片以准备测量半导体晶片的形状的方法的流程图。
图6B是根据一些实施例的展示在干涉仪系统中测量半导体晶片的形状的方法的流程图。
图7是根据一些实施例的半导体晶片测量系统的框图。
相同的参考数字指贯穿整个图式及说明书的对应部分。
具体实施方式
现在将详细地参考各种实施例，其实例在附图中说明。在下面的详细描述中，阐述许多具体细节，以便提供对所描述的各种实施例的透彻理解。然而，对于所属领域的普通技术人员来说显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下实践所描述的各种实施例。在其它例项中，尚未详细描述众所周知的方法、程序、组件、电路及网络，以避免不必要地模糊实施例的方面。
图1展示根据一些实施例的用于测量半导体晶片102的形状的干涉仪系统100。干涉仪系统100可位于晶片测量工具中(例如，半导体晶片测量工具730，图7)。半导体晶片102可为已在其上沉积并图案化膜层的图案化晶片(例如，对于其图案化及由此进行的晶片制造已完成或正在进行中)。例如，半导体晶片102可为三维(3D)存储器晶片(即，具有多个3D存储器裸片的晶片)(例如，3D快闪存储器晶片)。半导体晶片102固持在托盘104上的干涉仪系统100中。在一些实施例中，托盘104将半导体晶片102垂直地固持在干涉仪系统100中，以最小化重力对半导体晶片102翘曲的影响。
干涉仪系统100包含用于测量半导体晶片102的第一侧(例如，顶侧，或替代地，底侧)的第一干涉仪106-1，及用于测量半导体晶片102的第二侧(例如，底侧，或替代地，顶侧)的第二干涉仪106-2。第一侧与第二侧相对。在一些实施例中，干涉仪106-1及106-2是斐索(Fizeau)干涉仪：第一干涉仪106-1是第一斐索干涉仪，且第二干涉仪106-2是第二斐索干涉仪。每一斐索干涉仪包含：参考平面108；透镜110，其用于将相应激光束124-1或124-2聚焦到参考平面108及半导体晶片102上；分束器，其用于将相应激光束124-1或124-2引导到透镜110并传输由参考平面108及半导体晶片102反射的相应激光束124-1或124-2；透镜114，其用于聚焦反射的相应激光束124-1或124-2；数码相机116，其用于接收由透镜114聚焦的反射的相应激光束124-1或124-2；及计算机118，其用于处理来自数码相机116的数据。激光束124-1及124-2由激光器120产生，并通过相应的光纤122-1及122-2提供到相应的干涉仪106-1及106-2的分束器112。
在每一干涉仪106-1及106-2中，由参考平面108反射的相应激光束124-1或124-2的部分与由半导体晶片102反射的相应激光束124-1或124-2的部分干涉，从而产生由相机116捕获的干涉图。使用干涉图分析，测量半导体晶片102上的点与参考平面108的距离，从而测量点的高度。经测量的点高度指示半导体晶片102的形状(例如，由于膜沉积导致的半导体晶片102的翘曲)。通过使用两个干涉仪106-1及106-2，测量半导体晶片102的两侧(即顶侧及底侧)的高度及因此测量形状。每一干涉仪106-1及106-2的相机116可具有专用计算机118来处理其干涉图数据，使得干涉仪系统100总共具有两台计算机118来处理干涉图数据。在一些实施例中，每一相机116是90兆像素相机。
图2A及2B展示根据一些实施例的用于固持半导体晶片102(图2B)的托盘200。托盘200可为托盘104(图1)的实例。在图2B中，展示托盘200固持半导体晶片102，而在图2A中，展示不具有半导体晶片102的托盘200。在一些实施例中，托盘200具有孔202(图2A)(例如，圆孔)，半导体晶片102可固持在其上，以允许半导体晶片102的两侧(即顶侧及底侧)暴露于相应的干涉仪(例如，干涉仪106-1及106-2，图1)，使得可测量半导体晶片102的两侧的形状。半导体晶片102的一侧面向托盘200的外侧，因此暴露于第一干涉仪(例如，干涉仪106-1，或替代地，干涉仪106-2)，而半导体晶片102的另一侧通过孔202暴露于第二干涉仪(例如，干涉仪106-2，或替代地，干涉仪106-1)。在一些实施例中，托盘具有用于固持半导体晶片102的夹具218(例如，三个夹具218)。夹具218可使用最小的力来避免或最小化在测量期间半导体晶片102的形状的变形。
三个电动机(第一电动机204、第二电动机208及第三电动机212)耦合到托盘200以倾斜并平移托盘200。第一电动机204在第一位置耦合到托盘200，第二电动机208在第二位置耦合到托盘200，且第三电动机212在第三位置耦合到托盘200。在一些实施例中，第一位置是沿托盘200的第一侧206，第二位置处于托盘200的第一角210，且第三位置处于托盘200的第二角214。第一角210及第二角214处于托盘200的第二侧216的相对端，所述第二侧216与第一侧206相对。
在一些实施例中，第一电动机204、第二电动机208及第三电动机212能够在基本上相同的方向220(例如，在制造公差内的相同方向)上平移。例如，第一电动机204、第二电动机208及第三电动机212每一者可具有单个自由度，使得它们仅在方向220上前后移动。方向220可与第一干涉仪106-1及/或第二干涉仪106-2的光轴111(图1)基本上平行(例如，在制造公差内平行)。电动机(例如，电动机中的一或两者)204、208及/或212可用于实现托盘200及因此实现半导体晶片102的期望倾斜。电动机204、208及212中的所有三者可用于(例如，同时)平移托盘200及半导体晶片102的位置，同时保持期望的倾斜。在一些实施例中，电动机204、208及212具有50nm的最小运动，重复性为2微米。在一些实施例中，电动机204、208及212每一者具有+/-4到5微米范围内的行程(即，最大可能的平移)。电动机204、208及212中的不同者可具有不同的行程(例如，每一者在+/-4到5微米的范围内)。
图3A到3C是半导体晶片102的横截面侧视图，为了达到效果而放大了半导体晶片102的翘曲。图3A到3C展示根据一些实施例的可使用托盘200及电动机204、208及/或212(图2A到2B)实现的相应倾斜300A、300B及300C。图3A展示零倾斜300A：电动机204、208及/或212已用于使半导体晶片102的倾斜为零(由托盘200固持)，使得半导体晶片102的中心部分的切线不倾斜(例如，是垂直的，使得半导体晶片102垂直定位)。在零倾斜300A(例如，及干涉仪106-1与106-2之间的中心位置)的情况下，干涉仪106-1及/或106-2(图1)能够聚焦到半导体晶片102的中心区域302上并因此测量半导体晶片102的中心区域302的形状。在零倾斜300A(及适当的平移定位)的情况下，中心区域302因此可在干涉仪106-1及/或106-2的聚焦深度内。然而，在倾斜300A的情况下，半导体晶片102的高度翘曲阻碍干涉仪106-1及/或106-2聚焦在半导体晶片102的顶部区域304及底部区域306上。在倾斜300A的情况下，区域304及306因此散焦，使得干涉仪106-1及/或106-2不能测量区域304及306的形状。也就是说，在零倾斜300A的情况下，区域304及306在干涉仪106-1及/或106-2的聚焦深度之外。
图3B展示倾斜300B，其中电动机204、208及/或212已被用于使半导体晶片102向前倾斜(由托盘200固持)，以允许干涉仪106-1及/或106-2聚焦到区域304上。倾斜300B(连同适当的平移定位)允许干涉仪106-1及/或106-2测量顶部区域304的形状。在倾斜300B(及适当的平移定位)的情况下，顶部区域304在干涉仪106-1及/或106-2的聚焦深度内。图3C展示倾斜300C，其中电动机204、208及/或212已被用于使半导体晶片102向后倾斜(由托盘200固持)，以允许干涉仪106-1及/或106-2聚焦到区域306上。倾斜300C(连同适当的平移定位)允许干涉仪106-1及/或106-2测量底部区域306的形状。在倾斜300C(及适当的平移定位)的情况下，底部区域306在干涉仪106-1及/或106-2的聚焦深度内。
图4展示根据一些实施例的半导体晶片102的晶片图400的模拟实例。晶片图400展示共同覆盖半导体晶片102的中心区域402及多个区域404。多个区域404中的每一区域404对应于半导体晶片102(由托盘200固持)的相应倾斜(即，非零倾斜)，所述倾斜可使用电动机204、208及/或212实现(图2A到2B)。例如，区域404中的两者对应于相应的倾斜300B及300C(图3B到3C)，因此是区域304及306的实例。中心区域402对应于由托盘200固持的半导体晶片102的零倾斜(例如，零倾斜300A，图3A)，因此是中心区域302的实例。每一区域404中的半导体晶片102的形状可由干涉仪106-1及/或106-2(图1)测量，其中半导体晶片102(由托盘200固持)使用电动机204、208及/或212定位为具有对应于区域404的相应倾斜(及适当的平移定位)。中心区域402中的半导体晶片102的形状可由干涉仪106-1及/或106-2(图1)测量，其中半导体晶片102(由托盘200固持)使用电动机204、208及/或212定位为具有零倾斜(及适当的平移定位)。
为了进行比较，图5展示对于其中省略了电动机212(图2A到2B)并用枢转接头替换使得只有两个电动机可用于倾斜托盘200的场景下的半导体晶片102的晶片图500的模拟实例。在此场景中，可对中心区域402及相应区域504实现倾斜。干涉仪106-1及/或106-2(图1)可在中心区域402及相应区域504中测量半导体晶片102的形状，但不在相应区域504及中心区域402之外的区域中测量。相应区域504及中心区域402不共同覆盖半导体晶片102。因此，在没有第三电动机212的情况下，干涉仪106-1及/或106-2(图1)不能测量整个半导体晶片102的形状。
图6A是展示根据一些实施例的在干涉仪系统(例如，干涉仪系统100，图1)中定位半导体晶片(例如，半导体晶片102，图1到4)以准备测量半导体晶片的形状(例如，翘曲)的方法600A的流程图。在方法600A中，将半导体晶片固持602在第一干涉仪与第二干涉仪之间的托盘中。半导体晶片的第一侧暴露于第一干涉仪。半导体晶片的第二侧暴露于第二干涉仪。第一电动机(例如，电动机204，图2A到2B)在第一位置耦合到托盘。第二电动机(例如，电动机208，图2A到2B)在第二位置耦合到托盘。第三电动机(例如，电动机212，图2A到2B)在第三位置耦合到托盘。在一些实施例中，第一干涉仪(例如，干涉仪106-1，图1)是604第一斐索干涉仪，且第二干涉仪(例如，干涉仪106-2，图1)是第二斐索干涉仪。
平移第一电动机及第二电动机606以使半导体晶片的倾斜为零(例如，以具有零倾斜300A，图3A)。使半导体晶片的倾斜为零可涉及将第一电动机及第二电动机平移不同的量，以使托盘倾斜一定量，使得半导体晶片的倾斜为零。
在半导体晶片的倾斜为零的情况下，半导体晶片在第一干涉仪与第二干涉仪之间居中608。为了使半导体晶片居中，将第一电动机、第二电动机及第三电动机平移(例如，将所有三个电动机平移相同的距离)。在一些实施例中，平移第一电动机、第二电动机及第三电动机610以使半导体晶片在第一斐索干涉仪的第一参考平面108(图1)与第二斐索干涉仪的第二参考平面108(图1)之间居中，同时保持半导体晶片的零倾斜。使半导体晶片居中使得半导体晶片(例如，半导体晶片的中心区域402，图4)对第一干涉仪及第二干涉仪两者都聚焦。
图6B是展示根据一些实施例的在干涉仪系统(例如，干涉仪系统100，图1)中测量半导体晶片(例如，半导体晶片102，图1到4)的形状(例如，翘曲)的方法600B的流程图。方法600B可作为方法600A的延续来执行。
在方法600B中，计算612待用于测量多个相应区域(例如，多个区域404及中心区域402，图4)中半导体晶片的形状的多个倾斜(例如，包含倾斜300B及300C(图3B到3C)连同其它倾斜)。在一些实施例中，多个相应区域共同覆盖614整个半导体晶片(例如，如图4所示)。
在一些实施例中，为了计算多个倾斜，使用第一干涉仪或第二干涉仪(例如，方法600A的步骤602的第一及/或第二干涉仪，图6A)(例如，干涉仪106-1及/或106-2，图1)中的至少一者来测量616半导体晶片的中心区域(例如，中心区域302，图3A；中心区域402，图4)的形状。使用所测量的中心区域的形状来预测618半导体晶片的晶片图。晶片图展示所预测的晶片形状(即晶片在晶片上的相应位置处的预测高度)。可假设半导体晶片具有指定形状(例如，半导体晶片的形状是抛物线形)来预测晶片图。例如，可基于假设整个晶片的形状是如指定的(例如，抛物线形)，通过从中心区域的形状推断来预测晶片图。使用预测的晶片图来确定620多个倾斜。
对于多个倾斜，计算第一、第二及第三电动机的多组目标位置622。多组目标位置中的每一组目标位置对应于多个倾斜中的相应倾斜。
将第一、第二及第三电动机(例如，电动机204、208及212，图2A到2B)平移624到多组目标位置中的一组目标位置，以将半导体晶片定位为具有多个倾斜的倾斜。在半导体晶片被定位为具有此倾斜的情况下，在多个相应区域中的某一相应区域中测量626半导体晶片的形状。如果在测量相应区域中的半导体晶片的形状之后存在第一、第二及第三电动机尚未被平移到允许测量任何相应区域的任何剩余组目标位置(628-是)，那么选择下一组目标位置630，并再次执行步骤624、626及628。如果没有剩余组目标位置(628-否)，那么方法600B结束632。
步骤624、626、628及630的循环导致将第一、第二及第三电动机平移到多组目标位置中的每一组目标位置，以将半导体晶片连续地定位为具有多个倾斜中的每一倾斜。且在半导体晶片连续地定位为具有多个倾斜中的每一倾斜的情况下，可在多个相应区域的每一相应区域中测量半导体晶片的形状。因此，通过编译每一区域(即，对于多个相应区域)的形状测量，可获得半导体晶片形状的完整测量。
通过方法600B产生的形状测量数据可用于过程控制。例如，所测量的半导体晶片102的翘曲可用于反馈过程控制，以识别对先前处理步骤的改变以减少后续处理的晶片的翘曲或翘曲的变化。在另一实例中，所测量的半导体晶片102的翘曲可用于前馈过程控制，以识别将对后续处理步骤作出的改变以适应所测量翘曲。形状测量数据还可用于处置半导体晶片102(例如，确定是否继续加工、返工或报废半导体晶片102)。
图7是根据一些实施例的半导体晶片测量系统700的框图。半导体晶片测量系统700具有半导体晶片测量工具730，其包含一或多个(例如，两个)干涉仪732(例如，干涉仪106-1及106-2，图1)及三电动机托盘734(例如，具有电动机204、208及212的托盘200，图2A到2B)。
半导体晶片测量系统700还包含计算机系统709(例如本地主机)，计算机系统709具有一或多个处理器702(例如，CPU)、任选用户接口706、存储器710及将这些组件与半导体晶片测量工具730互连的一或多个通信总线704。用户接口706可包含显示器707及一或多个输入装置708(例如，键盘、鼠标、显示器707的触敏表面等)。显示器可展示来自半导体晶片测量系统700的结果及其状态(例如，方法600A及/或600B的状态及测量结果，图6A到6B)。
存储器710包含易失性及/或非易失性存储器。存储器710(例如，存储器710内的非易失性存储器)包含非暂时性计算机可读存储媒体。存储器710任选地包含远离处理器702定位的一或多个存储装置及/或可移除地插入计算机系统709中的非暂时性计算机可读存储媒体。在一些实施例中，存储器710(例如，存储器710的非暂时性计算机可读存储媒体)存储以下模块及数据或其子集或超集：操作系统712，其包含用于处理各种基本系统服务及用于执行硬件相关任务的程序；电动机控制模块714，其用于控制三电动机托盘734的电动机(例如，用于控制电动机204、208及212，图2A到2B)(例如，用于根据方法600A平移电动机，图6A；用于执行方法600B的步骤624，图6B)；照明模块716，其用于控制干涉仪732中的照明(例如，用于控制激光器120，图1)；倾斜计算模块718(例如，用于计算方法600A的步骤606的零倾斜，图6A；用于执行方法600B的步骤612，图6B)；目标位置计算模块720(例如，用于执行方法600B的步骤622，图6B)，及晶片测量模块722(例如，用于执行方法600B的步骤626，图6B)。
存储器710(例如，存储器710的非暂时性计算机可读存储媒体)包含用于执行方法600A及/或600B的全部或一部分的指令(图6A到6B)。存储在存储器710中的模块的每一者对应于用于执行本文所述的一或多个功能的指令集。单独的模块不需要作为单独的软件程序来实施。模块及模块的各种子集可被组合或以其它方式重新布置。在一些实施例中，存储器710存储上述模块及/或数据结构的子集或超集。
图7更多地希望作为半导体晶片测量系统700中可能存在的各种特征的功能描述，而不是作为结构示意图。例如，可在多个装置之间分割计算机系统709的功能性。存储在存储器710中的模块的全部或一部分可替换地存储在通过一或多个网络与半导体晶片测量系统700通信地耦合的一或多个其它计算机系统中。
为了解释的目的，已参考具体实施例描述前述描述。然而，上述说明性讨论并非希望详尽无遗或将权利要求的范围限制为所公开的确切形式。鉴于上述教示，许多修改及变化是可能的。选择实施例是为了最好地解释权利要求书的基本原理及其实际应用，从而使所属领域的其他技术人员能够以适合于考虑的特定用途的各种修改来最佳地使用实施例。

Claims (23)

1.一种系统，其包括：
第一干涉仪，所述第一干涉仪用于测量半导体晶片的第一侧的形状；
托盘，所述托盘用于固持所述半导体晶片并将所述半导体晶片的所述第一侧暴露于所述第一干涉仪；及
三个电动机，所述三个电动机耦合到所述托盘，所述三个电动机包括在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦合到所述托盘的第二电动机，及在第三位置耦合到所述托盘的第三电动机。
2.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述第一位置是沿所述托盘的第一侧；
所述第二位置处于所述托盘的第一角；
所述第三位置处于所述托盘的第二角；且
所述第一角及所述第二角处于所述托盘的第二侧的相对端，其中所述第二侧与所述第一侧相对。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一电动机、所述第二电动机及所述第三电动机能够在基本上相同的方向上平移。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述相同的方向与所述第一干涉仪的光轴基本上平行。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一干涉仪是斐索干涉仪。
6.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括第二干涉仪，所述第二干涉仪用于测量所述半导体晶片的第二侧的形状，其中：
所述托盘具有孔以将所述半导体晶片的所述第二侧暴露于所述第二干涉仪；且
所述托盘用于将所述半导体晶片固持在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间。
7.根据权利要求6所述的系统，其中：
所述第一干涉仪是第一斐索干涉仪；且
所述第二干涉仪是第二斐索干涉仪。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述第一电动机、所述第二电动机及所述第三电动机能够在基本上相同的方向上平移。
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述相同的方向与所述第一干涉仪及所述第二干涉仪的光轴基本上平行。
10.一种方法，其包括：
将半导体晶片固持在第一干涉仪与第二干涉仪之间的托盘中，其中：
所述半导体晶片的第一侧暴露于所述第一干涉仪，
所述半导体晶片的第二侧暴露于所述第二干涉仪，
第一电动机在第一位置耦合到所述托盘，
第二电动机在第二位置耦合到所述托盘，且
第三电动机在第三位置耦合到所述托盘；
平移所述第一电动机及所述第二电动机以使所述半导体晶片的倾斜为零；及
在所述半导体晶片的所述倾斜为零的情况下，使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中，包括平移所述第一电动机、所述第二电动机及所述第三电动机。
11.根据权利要求10所述的方法，其中：
所述第一干涉仪是包括第一参考平面的第一斐索干涉仪；
所述第二干涉仪是包括第二参考平面的第二斐索干涉仪；及
使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中包括平移所述第一电动机、所述第二电动机及所述第三电动机以使所述半导体晶片在所述第一参考平面与所述第二参考平面之间居中。
12.根据权利要求10所述的方法，其中：
所述第一位置是沿所述托盘的第一侧；
所述第二位置处于所述托盘的第一角；
所述第三位置处于所述托盘的第二角；且
所述第一角及所述第二角处于所述托盘的第二侧的相对端，其中所述第二侧与所述第一侧相对。
13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括，在使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中之后：
计算待用于测量多个相应区域中所述半导体晶片的形状的多个倾斜；
对于所述多个倾斜，为所述第一、第二及第三电动机计算多组目标位置，其中所述多组目标位置中的每一组目标位置对应于所述多个倾斜中的相应倾斜；
平移所述第一、第二及第三电动机到所述多组目标位置中的每一组目标位置，以将所述半导体晶片连续地定位为具有所述多个倾斜中的每一倾斜；及
在所述半导体晶片连续地定位为具有所述多个倾斜中的每一倾斜的情况下，测量所述多个相应区域的每一相应区域中所述半导体晶片的形状。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述多个相应区域共同覆盖所述整个半导体晶片。
15.根据权利要求13所述的方法，其中计算所述多个倾斜包括：
使用所述第一干涉仪或所述第二干涉仪中的至少一者来测量所述半导体晶片的中心区域的形状；
使用所述中心区域的所述测量的形状来预测所述半导体晶片的晶片图；及
使用所述预测的晶片图确定所述多个倾斜。
16.根据权利要求15所述的方法，其中预测所述晶片图包括假设所述半导体晶片具有抛物线形状。
17.一种系统，其包括：
第一干涉仪；
第二干涉仪；
托盘，所述托盘用于将半导体晶片固持在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间，其中所述半导体晶片的第一侧暴露于所述第一干涉仪且所述半导体晶片的第二侧暴露于所述第二干涉仪；
三个电动机，所述三个电动机耦合到所述托盘，所述三个电动机包括在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦合到所述托盘的第二电动机，及在第三位置耦合到所述托盘的第三电动机；
一或多个处理器；及
存储器，所述存储器存储一或多个程序以供所述一或多个处理器执行，所述一或多个程序包括用于以下的指令：
平移所述第一电动机及所述第二电动机以使所述半导体晶片的倾斜为零；及
在所述半导体晶片的所述倾斜为零的情况下，使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中，包括平移所述第一电动机、所述第二电动机及所述第三电动机。
18.根据权利要求17所述的系统，其中：
所述第一干涉仪是包括第一参考平面的第一斐索干涉仪；
所述第二干涉仪是包括第二参考平面的第二斐索干涉仪；且
所述用于使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中的指令包括用于平移所述第一电动机、所述第二电动机及所述第三电动机以使所述半导体晶片在所述第一参考平面与所述第二参考平面之间居中的指令。
19.根据权利要求17所述的系统，其中：
所述第一位置是沿所述托盘的第一侧；
所述第二位置处于所述托盘的第一角；
所述第三位置处于所述托盘的第二角；且
所述第一角及所述第二角处于所述托盘的第二侧的相对端，其中所述第二侧与所述第一侧相对。
20.根据权利要求17所述的系统，所述一或多个程序进一步包括待在使所述半导体晶片在所述第一干涉仪与所述第二干涉仪之间居中之后执行的指令，所述指令用于：
计算待用于测量多个相应区域中所述半导体晶片的形状的多个倾斜；
对于所述多个倾斜，为所述第一、第二及第三电动机计算多组目标位置，其中所述多组目标位置中的每一组目标位置对应于所述多个倾斜中的相应倾斜；
平移所述第一、第二及第三电动机到所述多组目标位置中的每一组目标位置，以将所述半导体晶片连续地定位为具有所述多个倾斜中的每一倾斜；及
在所述半导体晶片连续地定位为具有所述多个倾斜中的每一倾斜的情况下，测量所述多个相应区域的每一相应区域中所述半导体晶片的形状。
21.根据权利要求20所述的系统，其中所述多个相应区域共同覆盖所述整个半导体晶片。
22.根据权利要求20所述的系统，其中所述用于计算所述多个倾斜的指令包括用于以下的指令：
使用所述第一干涉仪或所述第二干涉仪中的至少一者来测量所述半导体晶片的中心区域的形状；
使用所述中心区域的所述测量的形状来预测所述半导体晶片的晶片图；及
使用所述预测的晶片图确定所述多个倾斜。
23.根据权利要求22所述的系统，其中所述用于预测所述晶片图的指令假设所述半导体晶片具有抛物线形状。
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