KR20230136232A - 웨이퍼 기울기 및 초점을 조정하기 위한 3개-모터들 구성 - Google Patents
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Abstract
시스템은 반도체 웨이퍼의 제 1 측부의 형태를 측정하기 위한 제 1 간섭계, 반도체 웨이퍼를 홀딩하고 반도체 웨이퍼의 제 1 측부를 제 1 간섭계에 노출시키기 위한 팰릿, 및 팰릿에 커플링된 3개의 모터들을 포함한다. 3개의 모터들은 제 1 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 1 모터, 제 2 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 2 모터, 및 제 3 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 3 모터를 포함한다.
Description
본 개시는 웨이퍼 측정 툴에서 웨이퍼 기울기(tilt) 및 포커스(focus)를 조정하는 것에 관한 것이다.
반도체 제조는 반도체 웨이퍼 상에 막의 층들을 퇴적하는 것 및 층들을 패터닝하는 것을 포함한다. 이 퇴적이 웨이퍼를 압박(stress)하여, 웨이퍼를 휘게 한다. 막의 층들의 수가 증가함에 따라, 휨이 증가한다. 100층 이상을 가질 수 있는 현대의 3-차원(three-dimensional; 3D) 반도체 메모리들에 대해, 휨은 500 미크론 내지 1 밀리미터 이상일 수 있다. 이 휨을 측정하기 위해 간섭측정(interferometry)이 사용될 수 있다. 그러나, 높은 휨에 대해, 간섭계(interferometer)가 전체 웨이퍼에 포커싱하지 못할 수 있다. 상이한 영역들에서의 웨이퍼의 형태(shape)가 개별적으로 측정되는 것을 가능하게 하기 위해 웨이퍼가 기울어지더라도, 전체 웨이퍼의 형태를 측정하는 것은 여전히 불가능할 수 있다.
따라서, 반도체 웨이퍼들의 형태의 효율적인 측정을 가능하게 하기 위한 시스템들 및 방법들이 필요된다.
일부 실시예들에서, 시스템은 반도체 웨이퍼의 제 1 측부(side)의 형태를 측정하기 위한 제 1 간섭계, 반도체 웨이퍼를 홀딩하고 반도체 웨이퍼의 제 1 측부를 제 1 간섭계에 노출시키기 위한 팰릿(pallet), 및 팰릿에 커플링된 3개의 모터들을 포함한다. 3개의 모터들은 제 1 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 1 모터, 제 2 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 2 모터, 및 제 3 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 3 모터를 포함한다.
시스템은 반도체 웨이퍼의 제 2 측부의 형태를 측정하기 위한 제 2 간섭계를 더 포함할 수 있고, 팰릿은 반도체 웨이퍼의 제 2 측부를 제 2 간섭계에 노출시키기 위한 애퍼처(aperture)를 가질 수 있다. 팰릿은 제 1 간섭계와 제 2 간섭계 사이에서 반도체 웨이퍼를 홀딩한다.
일부 실시예들에서, 방법은 제 1 간섭계와 제 2 간섭계 사이에서 팰릿에 반도체 웨이퍼를 홀딩하는 단계를 포함한다. 반도체 웨이퍼의 제 1 측부는 제 1 간섭계에 노출되고 반도체 웨이퍼의 제 2 측부는 제 2 간섭계에 노출된다. 제 1 모터는 제 1 포지션에서 팰릿에 커플링되고, 제 2 모터는 제 2 포지션에서 팰릿에 커플링되며, 제 3 모터는 제 3 포지션에서 팰릿에 커플링된다. 방법은 또한 반도체 웨이퍼의 기울기를 없애기(null) 위해 제 1 모터 및 제 2 모터를 병진운동(translate)시키고, 반도체 웨이퍼의 기울기가 없는 상태에서, 반도체 웨이퍼를 제 1 간섭계와 제 2 간섭계 사이에서 중앙에 두는(center) 단계를 포함한다. 반도체 웨이퍼를 중앙에 두는 것은 제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터를 병진운동시키는 것을 포함한다.
방법은, 반도체 웨이퍼를 제 1 간섭계와 제 2 간섭계 사이에서 중앙에 둔 후, 복수의 각자의 영역들에서의 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위해 사용될 복수의 기울기들을 계산하는 단계를 더 포함할 수 있다. 복수의 기울기들에 대해, 복수의 세트들의 타겟 포지션들이 제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터에 대해 계산된다. 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 각각의 세트의 타겟 포지션들은 복수의 기울기들 중 각자의 기울기에 대응한다. 제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터는, 반도체 웨이퍼를 복수의 기울기들 중 각각의 기울기를 갖도록 연속적으로 포지셔닝하기 위해, 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 각각의 세트의 타겟 포지션들로 병진운동된다. 반도체 웨이퍼가 복수의 기울기들 중 각각의 기울기를 갖도록 연속적으로 포지셔닝된 상태에서, 복수의 각자의 영역들 중 각각의 각자의 영역에서 반도체 웨이퍼의 형태가 측정된다.
일부 실시예들에서, 시스템은 제 1 간섭계, 제 2 간섭계, 반도체 웨이퍼의 제 1 측부가 제 1 간섭계에 노출되고 반도체 웨이퍼의 제 2 측부가 제 2 간섭계에 노출되는 상태로 제 1 간섭계와 제 2 간섭계 사이에서 반도체 웨이퍼를 홀딩하기 위한 팰릿, 및 팰릿에 커플링된 3개의 모터들을 포함한다. 3개의 모터들은 제 1 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 1 모터, 제 2 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 2 모터, 및 제 3 포지션에서 팰릿에 커플링된 제 3 모터를 포함한다. 시스템은 또한 하나 이상의 프로세서 및 하나 이상의 프로세서에 의한 실행을 위한 하나 이상의 프로그램을 저장하는 메모리를 포함한다. 하나 이상의 프로그램은 위의 방법을 수행하기 위한 명령어들을 포함한다.
일부 실시예들에서, 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체(non-transitory computer-readable storage medium)가 간섭측정 시스템의 하나 이상의 프로세서에 의한 실행을 위한 하나 이상의 프로그램을 저장한다. 하나 이상의 프로그램은 위의 방법을 수행하기 위한 명령어들을 포함한다.
다양한 설명되는 구현예들의 더 나은 이해를 위해, 다음의 도면들과 함께, 아래의 상세한 설명에 대해 참조가 이루어져야 한다.
도 1은 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위해 사용되는 간섭측정 시스템을 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 일부 실시예들에 따른 반도체 웨이퍼를 홀딩하기 위해 사용되는 팰릿을 도시한다.
도 3a 내지 도 3c는 일부 실시예들에 따른, 도 2a 및 도 2b의 팰릿 및 3개의 모터들을 사용하여 달성될 수 있는 각자의 기울기들을 도시하는 휘어진 반도체 웨이퍼의 측단면도(cross-sectional side view)들이다.
도 4는 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼를 전체적으로(collectively) 커버하는 중앙 영역 및 복수의 영역들을 갖는, 반도체 웨이퍼에 대한 웨이퍼 맵의 시뮬레이션된 예시를 도시한다.
도 5는 도 2a 및 도 2b의 제 3 모터가 생략되고 피벗 조인트로 대체된 시나리오에 대한 반도체 웨이퍼에 대한 웨이퍼 맵의 시뮬레이션된 예시를 도시한다.
도 6a는 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위한 준비에서의 간섭계 시스템에서의 반도체 웨이퍼를 포지셔닝하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 6b는 일부 실시예들에 따른, 간섭측정 시스템에서 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 7은 일부 실시예들에 따른 반도체-웨이퍼 측정 시스템의 블록도이다.
동일한 참조 번호들은 도면들 및 명세서 전반에 걸쳐 대응하는 부분들을 지칭한다.
도 1은 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위해 사용되는 간섭측정 시스템을 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 일부 실시예들에 따른 반도체 웨이퍼를 홀딩하기 위해 사용되는 팰릿을 도시한다.
도 3a 내지 도 3c는 일부 실시예들에 따른, 도 2a 및 도 2b의 팰릿 및 3개의 모터들을 사용하여 달성될 수 있는 각자의 기울기들을 도시하는 휘어진 반도체 웨이퍼의 측단면도(cross-sectional side view)들이다.
도 4는 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼를 전체적으로(collectively) 커버하는 중앙 영역 및 복수의 영역들을 갖는, 반도체 웨이퍼에 대한 웨이퍼 맵의 시뮬레이션된 예시를 도시한다.
도 5는 도 2a 및 도 2b의 제 3 모터가 생략되고 피벗 조인트로 대체된 시나리오에 대한 반도체 웨이퍼에 대한 웨이퍼 맵의 시뮬레이션된 예시를 도시한다.
도 6a는 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위한 준비에서의 간섭계 시스템에서의 반도체 웨이퍼를 포지셔닝하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 6b는 일부 실시예들에 따른, 간섭측정 시스템에서 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 7은 일부 실시예들에 따른 반도체-웨이퍼 측정 시스템의 블록도이다.
동일한 참조 번호들은 도면들 및 명세서 전반에 걸쳐 대응하는 부분들을 지칭한다.
이제, 다양한 실시예들에 대해 참조가 상세히 이루어질 것이며, 그 예시들은 첨부한 도면들에 예시된다. 다음의 상세한 설명에서, 다양한 설명되는 실시예들의 철저한 이해를 제공하기 위해 다양한 특정 상세사항들이 제시된다. 그러나, 다양한 설명되는 실시예들이 이 특정 상세사항들 없이 실시될 수 있다는 점이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우들에서, 실시예들의 양태들을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 잘 알려진 방법들, 절차들, 컴포넌트들, 회로들, 및 네트워크들이 상세히 설명되지 않는다.
도 1은 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼(102)의 형태를 측정하기 위해 사용되는 간섭측정 시스템(100)을 도시한다. 간섭측정 시스템(100)은 웨이퍼 측정 툴[예를 들어, 반도체-웨이퍼 측정 툴(730), 도 7]에 위치될 수 있다. 반도체 웨이퍼(102)는, 막의 층들이 퇴적되고 패터닝된 (예를 들어, 패터닝, 따라서 웨이퍼 제조가 완료되거나 프로세싱 중인) 패터닝된 웨이퍼일 수 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼(102)는 3-차원(3D) 메모리 웨이퍼(즉, 복수의 3D 메모리 다이를 갖는 웨이퍼)(예를 들어, 3D 플래시 메모리 웨이퍼)일 수 있다. 반도체 웨이퍼(102)는 간섭측정 시스템(100)에서 팰릿(104) 상에 홀딩된다. 일부 실시예들에서, 팰릿(104)은, 반도체 웨이퍼(102)의 휨에 대한 중력의 작용을 최소화하기 위해, 간섭측정 시스템(100)에서 반도체 웨이퍼(102)를 수직으로 홀딩한다.
간섭측정 시스템(100)은 반도체 웨이퍼(102)의 제 1 측부(예를 들어, 상측, 또는 대안적으로 하측)를 측정하기 위한 제 1 간섭계(106-1) 및 반도체 웨이퍼(102)의 제 2 측부(예를 들어, 하측, 또는 대안적으로 상측)를 측정하기 위한 제 2 간섭계(106-2)를 포함한다. 제 1 측부는 제 2 측부 반대측에 있다. 일부 실시예들에서, 간섭계들(106-1 및 106-2)은 피조 간섭계(Fizeau interferometer)들이다: 제 1 간섭계(106-1)는 제 1 피조 간섭계이고 제 2 간섭계(106-2)는 제 2 피조 간섭계이다. 각각의 피조 간섭계는, 참조 평면(reference flat)(108), 각자의 레이저 빔(124-1 또는 124-2)을 참조 평면(108) 및 반도체 웨이퍼(102)에 포커싱하기 위한 렌즈(110), 각자의 레이저 빔(124-1 또는 124-2)을 렌즈(110)에 지향시키고 참조 평면(108) 및 반도체 웨이퍼(102)에 의해 반사된 각자의 레이저 빔(124-1 또는 124-2)을 전송하기 위한 빔 스플리터, 반사된 각자의 레이저 빔(124-1 또는 124-2)을 포커싱하기 위한 렌즈(114), 렌즈(114)에 의해 포커싱된 반사된 각자의 레이저 빔(124-1 또는 124-2)을 수신하기 위한 디지털 카메라(116), 및 디지털 카메로(116)로부터의 데이터를 프로세싱하기 위한 컴퓨터(118)를 포함한다. 레이저 빔들(124-1 및 124-2)은 레이저(120)에 의해 생성되고 각자의 파이버(fiber)들(122-1 및 122-2)에 의해 각자의 간섭계들(106-1 및 106-2)의 빔 스플리터들(112)에 제공된다.
각각의 간섭계(106-1 및 106-2)에서, 참조 평면(108)에 의해 반사된 각자의 레이저 빔(124-1 또는 124-2)은 반도체 웨이퍼(102)에 의해 반사된 각자의 레이저 빔(124-1 또는 124-2)의 부분과 간섭하여, 카메라(116)에 의해 캡처되는 간섭무늬(interferogram)를 생성한다. 간섭무늬 분석을 사용하여, 참조 평면(108)으로부터의 반도체 웨이퍼(102) 상의 포인트들의 거리, 이에 의해 포인트들의 높이들이 측정된다. 측정된 포인트들의 높이들은 반도체 웨이퍼(102)의 형태[예를 들어, 막 퇴적으로부터 기인한 반도체 웨이퍼(102)의 휨]를 나타낸다. 2개의 간섭계들(106-1 및 106-2)을 사용함으로써, 반도체 웨이퍼(102)의 양 측부들(즉, 상측 및 하측)의 높이들 및 따라서 형태가 측정된다. 각각의 간섭계(106-1 및 106-2)의 카메라(116)가 자신의 간섭무늬 데이터를 프로세싱하기 위한 전용 컴퓨터(118)를 가질 수 있어서, 간섭측정 시스템(100)이 간섭무늬 데이터를 프로세싱하기 위한 총 2개의 컴퓨터들(118)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 각각의 카메라(116)는 90-메가픽셀 카메라이다.
도 2a 및 도 2b는 일부 실시예들에 따른 반도체 웨이퍼(102)(도 2b)를 홀딩하기 위해 사용되는 팰릿(200)을 도시한다. 팰릿(200)은 팰릿(104)(도 1)의 예시일 수 있다. 도 2b에 반도체 웨이퍼(102)를 홀딩한 팰릿(200)이 도시되는 반면, 도 2a에 반도체 웨이퍼(102)가 없이 팰릿(200)이 도시된다. 일부 실시예들에서, 팰릿(200)은, 반도체 웨이퍼(102)의 양 측부들의 형태가 측정될 수 있도록 반도체 웨이퍼(102)의 양 측부들(즉, 상측 및 하측)이 각자의 간섭계들[예를 들어, 간섭계들(106-1 및 106-2), 도 1]에 노출되는 것을 가능하게 하기 위해 반도체 웨이퍼(102)가 위에 홀딩될 수 있는 애퍼처(202)(도 2a)(예를 들어, 라운드형 애퍼처)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(102)의 일 측부는 팰릿(200)으로부터 외측을 향하고 따라서 제 1 간섭계[예를 들어, 간섭계(106-1), 또는 대안적으로 간섭계(106-2)]에 노출되는 반면, 반도체 웨이퍼(102)의 다른 측부는 애퍼처(202)를 통해 제 2 간섭계[예를 들어, 간섭계(106-2), 또는 대안적으로 간섭계(106-1)]에 노출된다. 일부 실시예들에서, 팰릿은 반도체 웨이퍼(102)를 홀딩하기 위한 그립(grip)들(218)[예를 들어, 3개의 그립들(218)]을 갖는다. 그립들(218)은 측정 동안 반도체 웨이퍼(102)의 형태를 왜곡시키는 것을 회피하거나 최소화하기 위해 최소 힘을 사용할 수 있다.
3개의 모터들 - 제 1 모터(204), 제 2 모터(208), 및 제 3 모터(212) - 은 팰릿(200)을 기울기고 병진운동시키도록 팰릿(200)에 커플링된다. 제 1 모터(204)는 제 1 포지션에서 팰릿(200)에 커플링되고, 제 2 모터(208)는 제 2 포지션에서 팰릿(200)에 커플링되며, 제 3 모터(212)는 제 3 포지션에서 팰릿(200)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제 1 포지션은 팰릿(200)의 제 1 측부(206)를 따르고, 제 2 포지션은 팰릿(200)의 제 1 코너부(210)에 있으며, 제 3 포지션은 팰릿(200)의 제 2 코너부(214)에 있다. 제 1 코너부(210) 및 제 2 코너부(214)는 제 1 측부(206) 반대측에 있는 팰릿(200)의 제 2 측부(216)의 양 단부들에 있다.
일부 실시예들에서, 제 1 모터(204), 제 2 모터(208), 및 제 3 모터(212)는 실질적으로 동일한 방향(220)으로[예를 들어, 제조 공차(manufacturing tolerances) 내까지 동일한 방향으로] 병진운동가능하다. 예를 들어, 제 1 모터(204), 제 2 모터(208), 및 제 3 모터(212)는 이들이 방향(220)으로 앞뒤로만 이동하도록 단일 자유도(degree of freedom)를 각각 가질 수 있다. 방향(220)은 제 1 간섭계(106-1) 및/또는 제 2 간섭계(106-2)의 광학축(optical axis)들(111)(도 1)에 실질적으로 평행(예를 들어, 제조 공차 내까지 평행)할 수 있다. 모터들(예를 들어, 모터들 중 1개 또는 2개)(204, 208, 및/또는 212)은 팰릿(200) 따라서 반도체 웨이퍼(102)의 원하는 기울기를 달성하기 위해 사용될 수 있다. 팰릿(200) 및 반도체 웨이퍼(102)의 포지션을 원하는 기울기를 유지하면서 병진운동시키기 위해 모든 3개의 모터들(204, 208, 및 212)이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 모터들(204, 208, 및 212)은 2 미크론의 반복성(repeatability)을 갖는 50 nm의 최소 모션을 갖는다. 일부 실시예들에서, 모터들(204, 208, 및 212)은 +/- 4 미크론 내지 5 미크론의 범위 내의 이동성(travel)(즉, 최대 가능 병진운동)을 각각 갖는다. 모터들(204, 208, 및 212)과는 상이한 모터들은 상이한 이동성들(예를 들어, 각각 +/- 4 미크론 내지 5 미크론의 범위 내)을 가질 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 반도체 웨이퍼(102)의 휨이 효과를 위해 과장된, 반도체 웨이퍼(102)의 측단면도들이다. 도 3a 내지 도 3c는 일부 실시예들에 따른, 팰릿(200) 및 모터들(204, 208, 및/또는 212)(도 2a 및 도 2b)을 사용하여 달성될 수 있는 각자의 기울기들(300A, 300B, 및 300C)을 도시한다. 도 3a는 널 기울기(null tilt)(300A)를 도시한다: 반도체 웨이퍼(102)의 중앙 부분에 대한 접선(tangent)이 기울어지지 않도록[예를 들어, 반도체 웨이퍼(102)가 수직으로 포지셔닝되도록 수직이도록], 모터들(204, 208, 및/또는 212)이 반도체 웨이퍼(102)의 기울기를 없애기 위해 사용됨. 널 기울기(300A)[예를 들어, 그리고 간섭계들(106-1 및 106-2) 간에 중앙에 둔 포지션]로, 간섭계(106-1 및/또는 106-2)(도 1)가 포커싱할 수 있고, 따라서 반도체 웨이퍼(102)의 중앙 영역(302)의 형태를 측정한다. 널 기울기(300A)(및 적절한 병진운동 포지셔닝)로, 중앙 영역(302)은 따라서 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)의 초점 심도(depth of focus) 내에 있을 수 있다. 그러나, 반도체 웨이퍼(102)의 높은 휨은 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)이 기울기(300A)를 갖는 반도체 웨이퍼(102)의 상부 영역(304) 및 하부 영역(306)에 포커싱하지 못하게 한다. 기울기(300A)로, 영역들(304 및 306)이 따라서 디포커싱(defocusing)되어, 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)이 영역들(304 및 306)의 형태를 측정하지 못할 수 있다. 즉, 널 기울기(300A)로, 영역들(304 및 306)은 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)의 초점 심도 밖에 있다.
도 3b는 기울기(300B)를 도시하고, 여기서 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)이 영역(304)에 포커싱하는 것을 가능하게 하기 위해 [팰릿(200)에 의해 홀딩된] 반도체 웨이퍼(102)를 앞으로 기울이기 위해 모터들(304, 208, 및/또는 212)이 사용되었다. (적절한 병진운동 포지셔닝과 함께) 기울기(300B)는 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)이 상부 영역(304)의 형태를 측정하는 것을 가능하게 한다. 기울기(300B)(및 적절한 병진운동 포지셔닝)로, 상부 영역(304)은 따라서 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)의 초점 심도 내에 있다. 도 3c는 기울기(300C)를 도시하고, 여기서 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)이 영역(306)에 포커싱하게 하기 위해 [팰릿(200)에 의해 홀딩된] 반도체 웨이퍼(102)를 뒤로 기울이기 위해 모터들(304, 208, 및/또는 212)이 사용되었다. (적절한 병진운동 포지셔닝과 함께) 기울기(300C)는 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)이 하부 영역(306)의 형태를 측정하는 것을 가능하게 한다. 기울기(300C)(및 적절한 병진운동 포지셔닝)로, 하부 영역(306)은 따라서 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)의 초점 심도 내에 있다.
도 4는 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼(102)에 대한 웨이퍼 맵(400)의 시뮬레이션된 예시를 도시한다. 웨이퍼 맵(400)은 반도체 웨이퍼(102)를 전체적으로 커버하는 중앙 영역(402) 및 복수의 영역들(404)을 도시한다. 복수의 영역들(404) 중 각각의 영역(404)은 모터들(204, 208, 및/또는 212)을 사용하여 달성될 수 있는 [팰릿(200)에 의해 홀딩된] 반도체 웨이퍼(102)의 각자의 기울기[즉, 비-널 기울기(non-null tilt)]에 대응한다. 예를 들어, 영역들(404) 중 2개는 각자의 기울기들(300B 및 300C)(도 3b 및 도 3c)에 대응하고, 따라서 영역들(304 및 306)의 예시들이다. 중앙 영역(402)은 팰릿(200)에 의해 홀딩된 반도체 웨이퍼(102)의 널 기울기[예를 들어, 널 기울기(300A), 도 3a]에 대응하고, 따라서 중앙 영역(302)의 예시이다. 각각의 영역(400)에서의 반도체 웨이퍼(102)의 형태는, 영역(404)에 대응하는 각자의 기울기(및 적절한 병진운동 포지셔닝)를 갖도록, 모터들(204, 208, 및/또는 212)을 사용하여, [팰릿(200)에 의해 홀딩된] 반도체 웨이퍼(102)가 포지셔닝된 상태에서 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)(도 1)에 의해 측정될 수 있다. 중앙 영역(402)에서의 반도체 웨이퍼(102)의 형태는, 널 기울기(및 적절한 병진운동 포지셔닝)를 갖도록, 모터들(204, 208, 및/또는 212)을 사용하여, [팰릿(200)에 의해 홀딩된] 반도체 웨이퍼(102)가 포지셔닝된 상태에서 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)(도 1)에 의해 측정될 수 있다.
비교를 위해, 도 5는 모터(212)(도 2a 및 도 2b)가 생략되고 피벗 조인트로 대체되어 팰릿(200)을 기울이기 위해 2개의 모터들만이 이용가능한 시나리오에 대한 반도체 웨이퍼(102)에 대한 웨이퍼 맵(500)의 시뮬레이션된 예시를 도시한다. 이 시나리오에서, 기울기들은 중앙 영역(402) 및 각자의 영역들(504)에 대해 달성될 수 있다. 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)(도 1)은 중앙 영역(402) 및 각자의 영역들(504)에서의 반도체 웨이퍼(102)의 형태를 측정할 수 있지만, 각자의 영역들(504) 및 중앙 영역(402) 둘 다의 외측의 영역들에서는 측정하지 못할 수 있다. 각자의 영역들(504) 및 중앙 영역(402)은 반도체 웨이퍼(102)를 전체적으로 커버하지 않는다. 간섭계들(106-1 및/또는 106-2)(도 1)은 따라서 제 3 모터(212)의 부재로 전체 반도체 웨이퍼(102)의 형태를 측정하지 못할 수 있다.
도 6a는 일부 실시예들에 따른, 반도체 웨이퍼의 형태(예를 들어, 휨)를 측정하기 위한 준비에서의 간섭계 시스템[예를 들어, 간섭측정 시스템(100), 도 1]에서의 반도체 웨이퍼[예를 들어, 반도체 웨이퍼(102), 도 1 내지 도 4]를 포지셔닝하는 방법(600A)을 도시하는 흐름도이다. 방법(600A)에서, 반도체 웨이퍼는 제 1 간섭계와 제 2 간섭계 사이에서 팰릿에 홀딩된다(602). 반도체 웨이퍼의 제 1 측부가 제 1 간섭계에 노출된다. 반도체 웨이퍼의 제 2 측부가 제 2 간섭계에 노출된다. 제 1 모터[예를 들어, 모터(204), 도 2a 및 도 2b]가 제 1 포지션에서 팰릿에 커플링된다. 제 2 모터[예를 들어, 모터(208), 도 2a 및 도 2b]가 제 2 포지션에서 팰릿에 커플링된다. 제 3 모터[예를 들어, 모터(212), 도 2a 및 도 2b]가 제 3 포지션에서 팰릿에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제 1 간섭계[예를 들어, 간섭계(106-1), 도 1]는 제 1 피조 간섭계이고(604) 제 2 간섭계[예를 들어, 간섭계(106-2), 도 1]는 제 2 피조 간섭계이다.
제1 모터 및 제 2 모터는 [예를 들어, 널 기울기(300A)를 갖도록, 도 3a] 반도체 웨이퍼의 기울기를 없애기 위해 병진이동된다(606). 반도체 웨이퍼의 기울기를 없애는 것은, 반도체 웨이퍼의 기울기를 없애는 양만큼 팰릿을 기울이도록, 상이한 양들만큼 제 1 모터 및 제 2 모터를 병진이동시키는 것을 포함할 수 있다.
반도체 웨이퍼의 기울기가 없어졌을 때, 반도체 웨이퍼는 제 1 간섭계와 제 2 간섭계 사이에서 중앙에 있다(608). 반도체 웨이퍼를 중앙에 두기 위해, 제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터가 병진이동된다(예를 들어, 모든 3개의 모터들이 동일한 거리 병진이동됨). 일부 실시예들에서, 제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터는, 반도체 웨이퍼의 널 기울기를 유지하면서, 제 1 피조 간섭계의 제 1 참조 평면(108)(도 1)과 제 2 피조 간섭계의 제 2 참조 평면(108)(도 1) 사이에서 반도체 웨이퍼를 중앙에 두기 위해 병진이동된다(610). 반도체 웨이퍼를 중앙에 두는 것은 반도체 웨이퍼[예를 들어, 반도체 웨이퍼의 중앙 영역(402), 도 4]를 제 1 간섭계 및 제 2 간섭계 둘 다에 대해 포커스에 맞춘다.
도 6b는 일부 실시예들에 따른, 간섭측정 시스템[예를 들어, 간섭측정 시스템(100), 도 1]에서 반도체 웨이퍼[예를 들어, 반도체 웨이퍼(102), 도 1 내지 도 4]의 형태(예를 들어, 휨)를 측정하는 방법(600B)을 도시하는 흐름도이다. 방법(600B)은 방법(600A)의 연속으로서 수행될 수 있다.
방법(600B)에서, 복수의 각자의 영역들[예를 들어, 중앙 영역(402)과 함께 복수의 영역들(404), 도 4]에서의 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위해 사용될 [예를 들어, 다른 기울기들과 함께 기울기들(300B 및 300C)(도 3b 및 도 3c)을 포함한] 복수의 기울기들이 계산된다(612). 일부 실시예들에서, 복수의 각자의 영역들은 (예를 들어, 도 4에 도시된) 반도체 웨이퍼 전체를 전체적으로 커버한다(614).
일부 실시예들에서, 복수의 기울기들을 계산하기 위해, 제 1 간섭계 또는 제 2 간섭계[방법(600A)의 단계(602)의 제 1 간섭계 및/또는 제 2 간섭계, 도 6a][예를 들어, 간섭계(106-1 및/또는 106-2), 도 1] 중 적어도 하나를 사용하여 반도체 웨이퍼의 중앙 영역[예를 들어, 중앙 영역(302), 도 3a; 중앙 영역(402), 도 4]의 형태가 측정된다(616). 측정된 중앙 영역의 형태를 사용하여 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 맵이 예측(predict)된다(618). 웨이퍼 맵은 예측된 웨이퍼의 형태[즉, 웨이퍼 상의 각자의 위치들에서의 예측된 웨이퍼의 높이들]를 도시한다. 반도체 웨이퍼가 특정된 형태를 갖는다고[예를 들어, 반도체 웨이퍼의 형태가 포물선(parabolic)] 가정한 웨이퍼 맵이 예측될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 맵은, 전체 웨이퍼의 형태가 특정되었다는(예를 들어, 포물선이라는) 가정에 기반하여 중앙 영역의 형태로부터 추정(extrapolate)함으로써 예측될 수 있다. 예측된 웨이퍼 맵을 사용하여 복수의 기울기들이 결정된다(620).
복수의 기울기들에 대해, 제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터에 대한 복수의 세트들의 타겟 포지션들이 계산된다(622). 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 각각의 세트의 타겟 포지션들은 복수의 기울기들 중 각자의 기울기에 대응한다.
제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터들[예를 들어, 모터들(204, 208, 및 212), 도 2a 및 도 2b]은, 반도체 웨이퍼를 복수의 기울기들 중 한 기울기를 갖도록 포지셔닝하기 위해, 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 한 세트의 타겟 포지션들로 병진운동된다(624). 반도체 웨이퍼가 이 기울기를 갖도록 포지셔닝된 상태에서, 복수의 각자의 영역들 중 각자의 영역에서 반도체 웨이퍼의 형태가 측정된다(626). 각자의 영역에서 반도체 웨이퍼의 형태를 측정한 후, 임의의 각자의 영역들이 측정되는 것을 가능하게 하기 위해 제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터가 아직 병진운동되지 않은 임의의 남아있는 세트들의 타겟 위치들이 있으면(628-예), 다음 세트의 타겟 위치들이 선택되고(630) 단계들(624, 626, 및 628)이 다시 수행된다. 남아있는 세트들의 타겟 위치들이 없으면(628-아니오), 방법(600B)이 종료된다(632).
단계들(624, 626, 628, 및 630)에 대한 루프(loop)는 반도체 웨이퍼를 복수의 기울기들 중 각각의 기울기를 갖도록 연속적으로 포지셔닝하기 위해, 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 각각의 세트의 타겟 포지션들로 제 1 모터, 제 2 모터, 및 제 3 모터를 병진운동시키는 것을 초래한다. 그리고 반도체 웨이퍼가 복수의 기울기들 중 각각의 기울기를 갖도록 연속적으로 포지셔닝된 상태에서, 복수의 각자의 영역들 중 각각의 각자의 영역에서 반도체 웨이퍼의 형태가 측정될 수 있다. 반도체 웨이퍼의 형태의 완전한 측정은 따라서 각각의 영역에 대한(즉, 복수의 각자의 영역들에 대한) 형태 측정들을 컴파일함으로써 획득될 수 있다.
방법(600B)에 의해 생성된 형태-측정 데이터가 프로세스 제어를 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 후속하여 프로세싱되는 웨이퍼들의, 휨, 또는 휨에서의 변화를 감소시키기 위해 더 이른 프로세싱 단계들에 대한 변경들을 식별하기 위해, 측정된 반도체 웨이퍼(102)의 휨이 피드백 프로세스 제어를 위해 사용될 수 있다. 다른 예시에서, 측정된 반도체 웨이퍼(102)의 휨은 측정된 휨에 부응하기 위해 후속 프로세싱 단계들에 이루어질 변경들을 식별하기 위해, 피드-포워드 프로세스 제어(feed-forward process control)를 위해 사용될 수 있다. 형태-측정 데이터는 또한 반도체 웨이퍼(102)를 배치(disposition)하기 위해[예를 들어, 반도체 웨이퍼(102)를 프로세싱하는 것, 재작업(rework)하는 것, 또는 스크랩(scrap)하는 것을 지속할지에 대한 여부를 결정하기 위해] 사용될 수 있다.
도 7은 일부 실시예들에 따른 반도체-웨이퍼 측정 시스템(700)의 블록도이다. 반도체-웨이퍼 측정 시스템(700)은, 하나 이상의(예를 들어, 2개의) 간섭계(732)[예를 들어, 간섭계들(106-1 및 106-2), 도 1] 및 3개-모터 팰릿(734)[예를 들어, 모터들(204, 208, 및 212)을 갖는 팰릿(200), 도 2a 및 도 2b]을 포함하는 반도체-웨이퍼 측정 툴(730)을 갖는다.
반도체-웨이퍼 측정 시스템(700)은 또한, 하나 이상의 프로세서(702)(예를 들어, CPU)를 갖는 컴퓨터 시스템(709)(예를 들어, 로컬 호스트), 선택적 사용자 인터페이스들(706), 메모리(710), 및 이 컴포넌트들 및 반도체-웨이퍼 측정 툴(730)을 상호연결하는 하나 이상의 통신 버스(704)를 포함한다. 사용자 인터페이스들(706)은 디스플레이(707) 및 하나 이상의 입력 디바이스(708)[예를 들어, 키보드, 마우스, 디스플레이(707)의 터치-감지 면 등]를 포함할 수 있다. 디스플레이는 반도체-웨이퍼 측정 시스템(700)으로부터의 결과들[예를 들어, 방법들(600A 및/또는 600B)로부터의 측정 결과들, 도 6a 및 도 6b] 및 반도체-웨이퍼 측정 시스템(700)의 상태들을 도시할 수 있다.
메모리(710)는 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리를 포함한다. 메모리(710)[예를 들어, 메모리(710) 내의 비휘발성 메모리]는 비-일시적 컴퓨터-판독가능 저장 매체(non-transitory computer-readable storage medium)를 포함한다. 메모리(710)는 컴퓨터 시스템(709)에 제거가능하게 삽입된 프로세서(들)(702) 및/또는 비-일시적 컴퓨터-판독가능 저장 매체로부터 원격으로 위치된 하나 이상의 저장 디바이스를 선택적으로 포함한다. 일부 실시예들에서, 메모리(710)[예를 들어, 메모리(710)의 비-일시적 컴퓨터-판독가능 저장 매체]는 다음의 모듈들 및 데이터, 또는 이들의 서브세트(subset) 또는 슈퍼세트(superset)를 저장한다: 다양한 기본 시스템 서비스들을 핸들링하기 위한 그리고 하드웨어-의존 태스크(hardware-dependent task)들을 수행하기 위한 절차들을 포함하는 운영 체제(712), 3개-모터 팰릿(734)의 모터들을 제어하기 위한[예를 들어, 모터들(204, 208, 및 212)(도 2a 및 도 2b)을 제어하기 위한][예를 들어, 방법(600A)(도 6a)에 따라 모터들을 병진이동시키기 위한; 방법(600B)(도 6b)의 단계(624)를 수행하기 위한] 모터 제어 모듈(714), 간섭계(들)(732)에서의 조명을 제어하기 위한[예를 들어, 레이저(120)(도 1)를 제어하기 위한] 조명 모듈(716), [예를 들어, 방법(600A)의 단계(606)(도 6a)의 널 기울기를 계산하기 위한; 방법(600B)(도 6b)의 단계(612)를 수행하기 위한] 기울기 계산 모듈(718), [예를 들어, 방법(600B)의 단계(622)(도 6b)를 수행하기 위한] 타겟-포지션 계산 모듈(720), 및 [예를 들어, 방법(600B)의 단계(도 6b)(626)를 수행하기 위한] 웨이퍼 측정 모듈(722).
메모리(710)[예를 들어, 메모리(710)의 비-일시적 컴퓨터-판독가능 저장 매체]는 방법들(600A 및/또는 600B)(도 6a 및 도 6b)의 일부 또는 모두를 수행하기 위한 명령어들을 포함한다. 메모리(710)에 저장된 모듈들 각각은 본원에서 설명된 하나 이상의 기능을 수행하기 위한 한 세트의 명령어들에 대응한다. 별도의 소프트웨어 프로그램들로서 별도의 모듈들이 구현될 필요는 없다. 모듈들 및 모듈들의 다양한 서브세트들은 조합될 수 있거나 재배열될 수 있다. 일부 실시예들에서, 메모리(710)는 위에서 식별된 모듈들 및/또는 데이터 구조들의 서브세트 또는 슈퍼세트를 저장한다.
도 7은, 구조적 개략(structural schematic)보다는 반도체-웨이퍼 측정 시스템(700)에 존재할 수 있는 다양한 피처들의 기능적 설명으로서 더 의도된다. 예를 들어, 컴퓨터 시스템(709)의 기능이 다수의 디바이스들간에 분할될 수 있다. 메모리(710)에 저장된 모듈들의 일부 또는 모두가 하나 이상의 네트워크를 통해 반도체-웨이퍼 측정 시스템(700)과 통신가능하게(communicatively) 커플링된 하나 이상의 컴퓨터 시스템에 대안적으로 저장될 수 있다.
설명의 목적을 위한 이전의 설명은 특정 실시예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 위의 예시적인 논의들이 포괄적이도록 의도된 것은 아니거나 청구범위의 범위를 개시된 정확한 형태들에 제한하도록 의도된 것이 아니다. 위의 교시들을 고려하여 많은 변형들 및 변화들이 가능하다. 실시예들은 청구범위 및 청구범위의 실제 응용들에 근본적인 원리들을 가장 잘 설명하기 위해 선택된 것이며, 이에 의해 당업자가 실시예들을 고려되는 특정 사용들에 적합한 다양한 변형들로 가장 잘 사용할 수 있도록 한다.
Claims (23)
- 시스템에 있어서,
반도체 웨이퍼의 제 1 측부(side)의 형태(shape)를 측정하기 위한 제 1 간섭계(interferometer);
상기 반도체 웨이퍼를 홀딩하고 상기 반도체 웨이퍼의 제 1 측부를 상기 제 1 간섭계에 노출시키기 위한 팰릿(pallet); 및
제 1 포지션에서 상기 팰릿에 커플링된 제 1 모터, 제 2 포지션에서 상기 팰릿에 커플링된 제 2 모터, 및 제 3 포지션에서 상기 팰릿에 커플링된 제 3 모터를 포함하는, 상기 팰릿에 커플링된 3개의 모터들
을 포함하는, 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 포지션은 상기 팰릿의 제 1 측부를 따르고,
상기 제 2 포지션은 상기 팰릿의 제 1 코너부에 있고,
상기 제 3 포지션은 상기 팰릿의 제 2 코너부에 있으며,
상기 제 1 코너부 및 상기 제 2 코너부는 상기 팰릿의 제 2 측부 - 상기 제 2 측부는 상기 제 1 측부 반대측에 있음 - 의 양 단부들에 있는 것인, 시스템. - 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터는 실질적으로 동일한 방향으로 병진운동가능한(translatable) 것인, 시스템.
- 제 3 항에 있어서, 상기 동일한 방향은 상기 제 1 간섭계의 광학축(optical axis)에 실질적으로 평행한 것인, 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 간섭계는 피조 간섭계(Fizeau interferometer)인 것인, 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 제 2 측부의 형태를 측정하기 위한 제 2 간섭계를 더 포함하고,
상기 팰릿은 상기 반도체 웨이퍼의 제 2 측부를 상기 제 2 간섭계에 노출시키기 위한 애퍼처(aperture)를 갖고,
상기 팰릿은 상기 제 1 간섭계와 상기 제 2 간섭계 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 홀딩하기 위한 것인, 시스템. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 간섭계는 제 1 피조 간섭계이고,
상기 제 2 간섭계는 제 2 피조 간섭계인 것인, 시스템. - 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터는 실질적으로 동일한 방향으로 병진운동가능한 것인, 시스템.
- 제 8 항에 있어서, 상기 동일한 방향은 상기 제 1 간섭계 및 상기 제 2 간섭계의 광학축들에 실질적으로 평행한 것인, 시스템.
- 방법에 있어서,
제 1 간섭계와 제 2 간섭계 사이에서 팰릿에 반도체 웨이퍼를 홀딩하는 단계로서,
상기 반도체 웨이퍼의 제 1 측부가 상기 제 1 간섭계에 노출되고,
상기 반도체 웨이퍼의 제 2 측부가 상기 제 2 간섭계에 노출되고,
제 1 모터가 제 1 포지션에서 상기 팰릿에 커플링되고,
제 2 모터가 제 2 포지션에서 상기 팰릿에 커플링되며,
제 3 모터가 제 3 포지션에서 상기 팰릿에 커플링되는 것인, 상기 반도체 웨이퍼를 홀딩하는 단계;
상기 반도체 웨이퍼의 기울기(tilt)를 없애기(null) 위해 상기 제 1 모터 및 상기 제 2 모터를 병진운동시키는 단계; 및
상기 반도체 웨이퍼의 기울기가 없는 상태에서, 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터를 병진운동시키는 것을 포함하는, 상기 제 1 간섭계와 상기 제 2 간섭계 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 중앙에 두는(center) 단계
를 포함하는, 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 간섭계는 제 1 참조 평면(reference flat)을 포함하는 제 1 피조 간섭계이고,
상기 제 2 간섭계는 제 2 참조 평면을 포함하는 제 2 피조 간섭계이며,
상기 제 1 간섭계와 상기 제 2 간섭계 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 중앙에 두는 단계는, 상기 제 1 참조 평면과 상기 제 2 참조 평면 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 중앙에 두기 위해 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터를 병진운동시키는 단계를 포함하는 것인, 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 포지션은 상기 팰릿의 제 1 측부를 따르고,
상기 제 2 포지션은 상기 팰릿의 제 1 코너부에 있고,
상기 제 3 포지션은 상기 팰릿의 제 2 코너부에 있으며,
상기 제 1 코너부 및 상기 제 2 코너부는 상기 팰릿의 제 2 측부 - 상기 제 2 측부는 상기 제 1 측부 반대측에 있음 - 의 양 단부들에 있는 것인, 방법. - 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 간섭계와 상기 제 2 간섭계 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 중앙에 두는 단계 후,
복수의 각자의 영역들에서의 상기 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위해 사용될 복수의 기울기들을 계산하는 단계;
상기 복수의 기울기들에 대해, 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터에 대한 복수의 세트들의 타겟 포지션들을 계산하는 단계 - 상기 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 각각의 세트의 타겟 포지션들은 상기 복수의 기울기들 중 각자의 기울기에 대응함 - ;
상기 반도체 웨이퍼를 상기 복수의 기울기들 중 각각의 기울기를 갖도록 연속적으로 포지셔닝하기 위해, 상기 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 각각의 세트의 타겟 포지션들로 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터를 병진운동시키는 단계; 및
상기 반도체 웨이퍼가 상기 복수의 기울기들 중 각각의 기울기를 갖도록 연속적으로 포지셔닝된 상태에서, 상기 복수의 각자의 영역들 중 각각의 각자의 영역에서 상기 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하는 단계
를 더 포함하는, 방법. - 제 13 항에 있어서, 상기 복수의 각자의 영역들은 상기 반도체 웨이퍼 전체를 전체적으로(collectively) 커버하는 것인, 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 복수의 기울기들을 계산하는 단계는,
상기 제 1 간섭계 또는 상기 제 2 간섭계 중 적어도 하나를 사용하여, 상기 반도체 웨이퍼의 중앙 영역의 형태를 측정하는 단계;
상기 측정된 중앙 영역의 형태를 사용하여 상기 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 맵을 예측(predict)하는 단계; 및
상기 예측된 웨이퍼 맵을 사용하여 상기 복수의 기울기들을 결정하는 단계
를 포함하는 것인, 방법. - 제 15 항에 있어서, 상기 웨이퍼 맵을 예측하는 단계는, 상기 반도체 웨이퍼가 포물선 형태(parabolic shape)를 갖는다고 가정하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
- 시스템에 있어서,
제 1 간섭계;
제 2 간섭계;
반도체 웨이퍼의 제 1 측부가 상기 제 1 간섭계에 노출되고 상기 반도체 웨이퍼의 제 2 측부가 상기 제 2 간섭계에 노출되는 상태로 상기 제 1 간섭계와 상기 제 2 간섭계 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 홀딩하기 위한 팰릿;
제 1 포지션에서 상기 팰릿에 커플링된 제 1 모터, 제 2 포지션에서 상기 팰릿에 커플링된 제 2 모터, 및 제 3 포지션에서 상기 팰릿에 커플링된 제 3 모터를 포함하는, 상기 팰릿에 커플링된 3개의 모터들;
하나 이상의 프로세서; 및
상기 하나 이상의 프로세서에 의한 실행을 위한 하나 이상의 프로그램을 저장하는 메모리로서, 상기 하나 이상의 프로그램은 명령어들을 포함하고, 상기 명령어들은,
상기 반도체 웨이퍼의 기울기를 없애기 위해 상기 제 1 모터 및 상기 제 2 모터를 병진운동시키고,
상기 반도체 웨이퍼의 기울기가 없는 상태에서, 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터를 병진운동시키는 것을 포함하는, 상기 제 1 간섭계와 상기 제 2 간섭계 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 중앙에 두기 위한 것인, 상기 메모리
를 포함하는, 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 간섭계는 제 1 참조 평면을 포함하는 제 1 피조 간섭계이고,
상기 제 2 간섭계는 제 2 참조 평면을 포함하는 제 2 피조 간섭계이며,
상기 제 1 간섭계와 상기 제 2 간섭계 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 중앙에 두기 위한 명령어들은, 상기 제 1 참조 평면과 상기 제 2 참조 평면 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 중앙에 두기 위해 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터를 병진운동시키기 위한 명령어들을 포함하는 것인, 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 포지션은 상기 팰릿의 제 1 측부를 따르고,
상기 제 2 포지션은 상기 팰릿의 제 1 코너부에 있고,
상기 제 3 포지션은 상기 팰릿의 제 2 코너부에 있으며,
상기 제 1 코너부 및 상기 제 2 코너부는 상기 팰릿의 제 2 측부 - 상기 제 2 측부는 상기 제 1 측부 반대측에 있음 - 의 양 단부들에 있는 것인, 시스템. - 제 17 항에 있어서, 상기 하나 이상의 프로그램은 상기 제 1 간섭계와 상기 제 2 간섭계 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 중앙에 두는 것 후에 실행될 명령어들을 더 포함하고, 상기 명령어들은,
복수의 각자의 영역들에서의 상기 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위해 사용될 복수의 기울기들을 계산하고,
상기 복수의 기울기들에 대해, 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터에 대한 복수의 세트들의 타겟 포지션들을 계산하고 - 상기 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 각각의 세트의 타겟 포지션들은 상기 복수의 기울기들 중 각자의 기울기에 대응함 - ,
상기 반도체 웨이퍼를 상기 복수의 기울기들 중 각각의 기울기를 갖도록 연속적으로 포지셔닝하기 위해, 상기 복수의 세트들의 타겟 포지션들 중 각각의 세트의 타겟 포지션들로 상기 제 1 모터, 상기 제 2 모터, 및 상기 제 3 모터를 병진운동시키며,
상기 반도체 웨이퍼가 상기 복수의 기울기들 중 각각의 기울기를 갖도록 연속적으로 포지셔닝된 상태에서, 상기 복수의 각자의 영역들 중 각각의 각자의 영역에서 상기 반도체 웨이퍼의 형태를 측정하기 위한 것인, 시스템. - 제 20 항에 있어서, 상기 복수의 각자의 영역들은 상기 반도체 웨이퍼 전체를 전체적으로 커버하는 것인, 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 상기 복수의 기울기들을 계산하기 위한 명령어들은,
상기 제 1 간섭계 또는 상기 제 2 간섭계 중 적어도 하나를 사용하여, 상기 반도체 웨이퍼의 중앙 영역의 형태를 측정하고,
상기 측정된 중앙 영역의 형태를 사용하여 상기 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 맵을 예측하며,
상기 예측된 웨이퍼 맵을 사용하여 상기 복수의 기울기들을 결정하기 위한 명령어들을 포함하는 것인, 시스템. - 제 22 항에 있어서, 상기 웨이퍼 맵을 예측하기 위한 명령어들은, 상기 반도체 웨이퍼가 포물선 형태를 갖는다고 가정하는 것인, 시스템.
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| PCT/US2021/016268 WO2022169442A1 (en) | 2021-02-02 | 2021-02-02 | Three-motors configuration for adjusting wafer tilt and focus |
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