CN115394763A - 显示模组及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示模组及其制作方法，通过将形成的透光胶层和黑胶层通过热压工艺一并压合在基板正面上，压合后，透光胶层将基板正面和基板正面上各微型LED芯片的顶出光面覆盖，并在相邻像素单元之间的第一间隙处形成第一凹部，且黑胶层至少将各第一凹部覆盖，从而将基板正面上焊盘之上的银色外表面覆盖，可提升黑色对比度，且黑胶层受各微型LED芯片固定到基板正面上之后的平整度的影响小，黑胶层的一致性好，良品率高，同时采用的热压工艺简单且成熟。

Description

显示模组及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示模组及其制作方法。
背景技术
COB(Chip On Board，板上芯片封装)LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)随着像素间距的减小，COB(Chip On Board，板上芯片封装)LED显模块、COG(Chip On Glass，玻璃上芯片封装)LED显示模块中LED芯片所占的显示面积比例越来越大，加上PCB(PrintedCircuit Board，印制电路板)工艺制程的限制，PCB板上用于焊接LED芯片的电极的焊盘的尺寸，很难做到和LED芯片的大小相匹配。通常LED芯片通过焊盘焊接于PCB板上后，焊盘的一部分未被LED芯片覆盖，而在焊接过程中，所采用的焊接锡膏在熔化后会变成银色并覆盖在焊盘的表面，而银色存在反光特性，再加上PCB基板表面油墨整体偏灰色，导致在黑屏的时候不够黑，也即降低了显示对比度，影响显示效果。
例如参见图1所示，基板33的正面上设有多个像素单元3，像素单元3内的微型LED芯片34与基板33上对应的焊盘焊接时，焊接锡膏在熔化后会变成银色并覆盖在焊盘的表面，形成银色外表面A，银色外表面A主要分布像素单元3之间的第一间隙f1内，由于银色外表面A存在反光特性，导致显示对比度差，显示效果差，再加上基板33表面油墨整体偏灰色，进一步降低了显示对比度。针对该问题，相关技术中通过热压工艺在基板33压合黑色胶层以提升对比度。参见图2所示，其在S201步骤制作好灯板(该灯板为图1中沿C2-C2的剖视图)后，在S202步骤将黑胶层2贴合到基板33设有LED芯片34的一面，然后沿着图中箭头所示的方向对黑胶层2进行加热并施加压力进行压合，压合后得到的黑色层示意图参见S203步骤所示。黑胶层2可将图1中所示的银色外表面A覆盖，从而提升对比度。但是，在压合过程中，微型LED芯片34的顶出光面(也即微型LED芯片34远离基板33的一面)由于接触到黑胶层2，在该过程中黑胶层2容易残留在微型LED芯片34的顶出光面上，例如参见图2中的第一残留黑胶231所示；另外，在将LED芯片22采用锡膏焊接到基板33上时，因为锡膏的流动性，导致微型LED芯片34整体一致性比较差，例如参见图2所示，焊接的微型LED芯片34中，B1和B2LED芯片受锡膏流动性影响而发生了倾斜，B1和B2 LED芯片的顶出光面一侧则向下倾斜，在压合过程中则分别残留有图中所示的第二残留黑胶232和第三残留黑胶233，而残留在微型LED芯片34的顶出光面上的黑胶则会影响其的发光特性。
因此，如何解决因焊盘表面被银色锡膏覆盖，而导致显示屏的对比度降低，以及如何避免在LED芯片的顶出光面上残留黑胶，是目前亟需解决的技术问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本发明的目的在于提供一种显示模组及其制作方法，旨在解决因焊盘表面被银色锡膏覆盖，而导致显示屏的对比度降低的问题，以及如何避免在LED芯片的顶出光面上残留黑胶的问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示模组的制作方法，包括：
制作灯板和封装组件，其中：
制作所述灯板包括：提供一基板，以及在所述基板正面上固定若干像素单元，相邻所述像素单元之间具有第一间隙，所述像素单元包括多颗与所述基板上的焊盘焊接的微型LED芯片；
制作所述封装组件包括：提供叠加在一起的透光胶层和黑胶层；
将所述透光胶层和所述黑胶层通过热压工艺一并压合在所述基板正面上；压合后，所述透光胶层将所述基板正面以及各所述微型LED芯片的顶出光面覆盖，并在所述第一间隙处形成第一凹部，所述黑胶层的一部分填充于所述第一凹部内至少将所述第一凹部覆盖；所述微型LED芯片的顶出光面为各所述微型LED芯片远离所述基板正面的一面。
可选地，所述像素单元内的相邻所述微型LED芯片之间具有第二间隙，所述第二间隙的宽度小于所述第一间隙的宽度；
将所述透光胶层和所述黑胶层通过热压工艺一并压合在所述基板正面上后，所述透光胶层在所述第二间隙之上的区域形成有第二凹部，所述黑胶层将所述第二凹部填充并将所述透光胶层的顶面全部覆盖，所述透光胶层的顶面为所述透光胶层远离所述基板的一面，所述第二凹部的底部至所述基板正面的第二距离h2，大于所述微型LED芯片的顶出光面至所述基板正面的第一距离h1。
可选地，所述黑胶层具有透光性，所述显示模组的制作方法还包括：
将各所述微型LED芯片的顶出光面正上方的所述黑胶层进行部分去除，各所述微型LED芯片的顶出光面正上方保留的所述黑胶层的透光率大于等于40％。
可选地，所述显示模组的制作方法还包括：
将各所述微型LED芯片的顶出光面正上方的所述黑胶层全部去除。
可选地，所述将各所述微型LED芯片的顶出光面正上方的所述黑胶层全部去除包括：
将所述黑胶层位于所述第二凹部的底部之上的黑胶全部去除，去除后的黑胶层与各所述微型LED芯片的顶出光面之上的所述透光胶层齐平。
可选地，所述透光胶层包括的胶材与所述黑胶层包括的胶材相同。
可选地，将所述透光胶层和所述黑胶层通过热压工艺一并压合在所述基板正面上后，形成的所述第一凹部的底部至所述基板正面的第三距离h3，小于所述微型LED芯片的顶出光面至所述基板正面的第一距离h1。
可选地，所述h3小于等于2/3*h1。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示模组，所述显示模组包括：
基板；
设于所述基板正面上的若干像素单元，相邻所述像素单元之间具有第一间隙，所述像素单元包括多颗与所述基板上的焊盘焊接的微型LED芯片；
设于所述基板正面上的透光胶层，所述透光胶层将所述基板正面以及各所述微型LED芯片的顶出光面覆盖，并在所述第一间隙处形成有第一凹部，所述微型LED芯片的顶出光面为各所述微型LED芯片远离所述基板正面的一面；
设于所述透光胶层之上的黑胶层，所述黑胶层的一部分填充于所述第一凹部内至少将所述第一凹部覆盖。
可选地，各所述微型LED芯片的顶出光面正上方的所述透光胶层的厚度为5um至15um。
本发明提供的显示模组及其制作方法，通过先制作好具有透光胶层和黑胶层的封装组件，以及包括基板以及固定在基板正面上的像素单元的灯板；然后将形成的透光胶层和黑胶层通过热压工艺一并压合在基板正面上，压合后，透光胶层将基板正面以及各像素单元的微型LED芯片的顶出光面覆盖，并在相邻像素单元之间的第一间隙内形成第一凹部，且黑胶层的一部分填充于第一凹部内至少将该第一凹部覆盖，也即黑胶层将相邻像素单元之间的第一间隙覆盖，从而将焊盘之上的银色外表面覆盖，因此可提高显示模组的对比度，提升显示效果；
另外，透光胶层将基板正面以及各微型LED芯片的顶出光面覆盖，一方面可避免黑胶层直接接触微型LED芯片的顶出光面从而导致残留在该顶出光面上的风险，保证微型LED芯片的发光特性，进一步提升显示效果；另一方面，由于透光胶层位于黑胶层和基板之间并将各微型LED芯片全覆盖作为缓冲层，即使存在一颗或多颗微型LED芯片在基板正面上发生倾斜，透光胶层在各微型LED芯片正上方的区域也能尽可能形成一个平整面，从而提升压合后的黑胶层在透光胶层上各区域的一致性，进一步提升出光效果的一致性；
其次，预先形成好透光胶层，并在透光胶层上形成好黑胶层，然后采用热压工艺将透光胶层和黑胶层一并压合到基板正面上，而不需要分两次对透光胶层和黑胶层分别压合，可提升制作效率，且采用的热压工艺简单、成熟，还可保证和提升良品率，以及利于制作成本的控制。
最后，由于透光胶层具有一定的粘性，能可靠的与基板、微型LED芯片结合，同时在压合过程中可利用透光胶层的流动性将基板与微型LED芯片等之间的缝隙进行充分填充，可提升气密性，能对微型LED芯片形成更好的保护，进一步提升产品的可靠性。
附图说明
图1为相关技术中的一种灯板示意图；
图2为相关技术中的热压工艺制得的显示模组的过程示意图；
图3为本发明实施例提供的显示模组制作方法示意图；
图4为本发明实施例提供的显示模组制作过程示意图一；
图5为本发明实施例提供的显示模组去除黑胶层之后的截面示意图一；
图6为本发明实施例提供的显示模组制作过程示意图二；
图7为本发明实施例提供的显示模组去除黑胶层之后的截面示意图二；
图8为本发明实施例提供的显示模组截面示意图一；
图9为本发明实施例提供的显示模组截面示意图二；
图10为本发明实施例提供的显示模组截面示意图三；
图11为本发明实施例提供的显示模组截面示意图四；
图12为本发明实施例提供的显示模组截面示意图五；
图13为本发明实施例提供的显示模组截面示意图六；
图14为本发明实施例提供的显示模组截面示意图七；
图15为本发明实施例提供的显示模组截面示意图八；
图16为本发明实施例提供的显示模组截面示意图九；
图17为本发明实施例提供的显示模组制作过程示意图三；
图18为本发明实施例提供的显示模组截面示意图十。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
本发明提供了一种既能解决因焊盘表面被银色锡膏覆盖，而导致显示屏的对比度降低的问题，又能避免在LED芯片的顶出光面上残留黑胶的显示模组制作方法，参见图3所示，其包括但不限于：
S301：制作灯板和封装组件。
本实施例中制作灯板包括但不限于提供一基板，以及在基板正面上固定若干像素单元，相邻的像素单元之间具有第一间隙；本实施例中一个像素单元包括多颗微型LED芯片，各微型LED芯片的电极与基板上对应的焊盘焊接；而各像素单元的微型LED芯片与焊盘焊接后所形成的银色外表面参见但不限于图1所示，主要分布于第一间隙f1内。
应当理解的是，本实施例中对于灯板的具体制作工艺不做限制。在另一些示例中，还可在基板的正面和/或背面上设置其他电子元件，也即在将透光胶层和黑胶层与基板正面压合之前，先在基板的正面和/或背面上设置其他电子元件。当然，在另一些示例中，也可在将透光胶层和黑胶层与基板正面压合之后，再在基板的背面上设置其他电子元件。
本实施例中制作封装组件包括：提供叠加在一起的透光胶层和黑胶层应当理解的是，在本示例中，制作封装组件时，可以先形成好透光胶层，然后在透光胶层上形成黑胶层；也可先形成好黑胶层，然后在黑胶层上形成透光胶层。不管采用哪种方式，在采用热压工艺进行压合时，都是将透光胶层朝向基板正面(也即将透光胶层远离黑胶层的一面朝向基板正面)，将透光胶层和黑胶层一并(也即一起)压合到基板正面上。本实施例中，对于形成透光胶层和黑胶层的工艺不做限制，且形成透光胶层采用的工艺和形成黑胶层采用的工艺可以相同，也可不同，具体采用的工艺可以采用但不限于涂覆、丝印、印刷、模压等。
应当理解的是，本实施例中灯板和封装组件可以同步制作，也可先制作灯板，再制作封装组件，或从上游直接采购灯板和/或封装组件。
应当理解的是，本实施例中形成的透光胶层和黑胶层可以处于并保持为半固化状态，从而便于后续直接将其与基板正面压合。且本实施例中并不限于采用胶体的热压工艺，例如当形成的透光胶层和黑胶层已处于并保持为特定的半固化状态时则可直接进行压合而不需要对其进行加热，这种方式也即为本实施例中热压工艺的一种等同替换方式。
S302：将透光胶层和黑胶层通过热压工艺一并压合在基板正面上。
本实施例中，将透光胶层和黑胶层通过热压工艺一并压合在基板正面上后(其中压合时透光胶层朝向基板正面)，透光胶层将基板正面以及各微型LED芯片的顶出光面覆盖，并在相邻像素单元之间的第一间隙内形成第一凹部，黑胶层的一部分填充于该第一凹部内，并至少将该第一凹部覆盖(也即至少将该第一凹部全部覆盖)，本实施例中微型LED芯片的顶出光面为各微型LED芯片远离基板正面的一面。
例如，将透光胶层朝向基板正面，与基板正面上的各微型LED芯片的顶出光面进行贴合后进行热压，在压合过程中，透光胶层和黑胶层处于半固化状态，透明胶层和黑胶层受压力逐渐向基板正面靠近，直至透光胶层与基板正面贴合，位于基板正面上的各微型LED芯片则被透光胶层覆盖，包括微型LED芯片的顶出光面也被透光胶层覆盖，且透光胶层在相邻像素单元之间的第一间隙内形成第一凹部，透光胶层之上的黑胶层压合后则至少将各第一凹部填充满，从而将焊盘之上的银色外表面覆盖，因此可提高显示模组的对比度，提升显示效果；且由于透光胶层将各微型LED芯片的顶出光面覆盖，黑胶层在压合过程中不会与微型LED芯片的顶出光面接触，也就不存在直接残留在微型LED芯片的顶出光面上的可能，可保证微型LED芯片的发光特性；同时在上述压合过程中，透光胶层位于黑胶层和基板之间作为缓冲层，即使存在一颗或多颗微型LED芯片在上述固定过程中在基板正面上发生倾斜时，透光胶层在各微型LED芯片正上方的区域也能尽可能形成一个平整面，从而提升压合后的黑胶层在透光胶层上各区域的一致性，进一步提升出光效果的一致性；另外将透光胶层和黑胶层一并压合到基板正面上，而不需要分两次对透光胶层和黑胶层分别压合，可提升制作效率，且采用的热压工艺简单、成熟，还可保证和提升良品率，以及利于制作成本的控制。
为了便于理解，下面以一种显示模组的制作方法的具体示例进行说明，参见图4所示，本示例中显示模组的制作方法包括但不限于：
S401：制作封装组件，包括形成透光胶层32以及与透光胶层32叠加的黑胶层31。在图4中，从位置关系上看，黑胶层31位于透光胶层32之上。但应当理解是，在制作时，可以先形成黑胶层31，然后在黑胶层31上形成透光胶层32，也可先形成透光胶层32，在透光胶层32之上再形成黑胶层31。
S402：制作灯板，例如参见图4所示的灯板，该灯板为图1所示灯板中沿C1-C1的剖视图。其中该灯板的基板33上设有若干像素单元，相邻像素单元之间具有第一间隙f1，焊接过程中形成的银色外表面A主要部分与该第一间隙f1内。
S403：将透光胶层32和黑胶层31一起贴合到基板33的正面上设置的微型LED芯片34之上后采用热压工艺进行压合，且透光胶层32远离黑胶层31的一面朝向基板33。
S404：将透光胶层32和黑胶层31压合到基板33的正面上后，透光胶层32将基板33的正面以及各微型LED芯片34覆盖，且透光胶层32在相邻像素单元之间的第一间隙内形成第一凹部。该第一凹部的一种示意图参见图5所示(图5所示为图4中S404压合后得到的显示模组中去除黑胶层31之后的结构)，图5中的f11所示为在相邻像素单元之间的第一间隙f1内形成的第一凹部，该第一凹部f11的侧壁包括由透光胶层的流动性而形成的弧面d，弧面d的形成则可进一步提升透光胶层32和黑胶层31之间的贴合面积，从而提升二者的结合强度。
在参见图4和图5所示，在本示例中，压合后，黑胶层31将各第一凹部f11覆盖，各银色表面A都被黑胶层31覆盖，可提高显示模组的对比度，提升显示效果。且各微型LED芯片34被透光胶层32覆盖，黑胶层31覆盖在透光胶层32上，黑胶层31不接触微型LED芯片34，因此微型LED芯片34上不会残留黑胶层，可保证各微型LED芯片34的发光特性。
同时上述S403中，将透光胶层32和黑胶层31一并压合到基板33正面上，可简化制作工艺，提升制作效率，且采用的热压工艺简单、成熟，还可保证和提升良品率，以及利于制作成本的控制。
为了便于理解，本实施例下面以在图1中沿C2-C2方向的灯板剖视图，采用上述图4相同的制作过程为示例进行说明。具体参见图6所示，图6中的S601至S604分别与上述图4中的S401至S402相同，在此不再对其进行赘述。参见图6中S602所示，在本示例中，假设其中的微型LED芯片B1和B2在焊接过程中发生了倾斜，参见图6和图7所示(图7所示为图6中S604压合后得到的显示模组中去除黑胶层31之后的结构)，透光胶层在各微型LED芯片34的顶出光面正上方的区域也能尽可能形成一个平整面Q，也即利用透光胶层32尽可能补足微型LED芯片B1和B2倾斜而造成的不平，从而可以保证透光胶层32各区域之上的黑胶层31的一致性，提升模组出光效果的一致性。
参见图1和图6所示，在本示例中，各像素单元3内的相邻微型LED芯片34之间具有第二间隙f2，且该第二间隙f2的宽度小于第一间隙的宽度f1。且应当理解的是，在显示领域，第二间隙f2的宽度一般远小于第一间隙f1的宽度，二者之间的具体差值则可根据具体应用场景灵活设置，在此对其不做限制。
在本示例中，参见图6和图7所示，将透光胶层32和黑胶层31通过热压工艺一并压合在基板33正面上后，透光胶层32在第二间隙f12之上的区域形成有第二凹部f12，黑胶层31将第二凹部f12填充并将透光胶层32的顶面全部覆盖，透光胶层32的顶面为其远离基板33的一面。参见图7所示，第二凹部f12的底部至基板33正面的第二距离h2，大于微型LED芯片34的顶出光面至基板33正面的第一距离h1；也即本示例中第二凹部f12的底部位于各微型LED芯片34的顶出光面之上。
在本示例的一种应用场景中，参见图6和图7所示，将透光胶层32和黑胶层31通过热压工艺一并压合在基板33的正面上后，形成的第一凹部f11的底部至基板33的正面的第三距离h3，小于微型LED芯片34的顶出光面至基板33的正面的第一距离h1。例如，一些场景中，可设置h3小于等于2/3*h1。这种结构的设置，可尽可能降低显示模组的整体厚度，更利于显示屏的轻薄化；且可提升胶材的利用率，降低成本。例如，在一些具体的显示模组结构中，设置h3等于1/3*h1，1/2*h1，或2/3*h1等，优选h3大于等于1/2*h1，小于等于2/3*h1，从而降低对透光胶层32的厚度精细化要求以及降低工艺精度要求。
在本示例的一些应用场景中，可以设置黑胶层31在满足显示对比度性能的基础上，还可设置黑胶层31具有一定的透光性，在该应用场景中，通过图4所示的制作方法制得S404步骤(或通过图6所示的制作方法制得S604)所示的显示模组之后，可不对黑胶层31做任何处理，从而简化制作工艺，提升制作效率。
当然，在一些示例中，即使黑胶层31具有一定的透光性，为了进一步提升显示模组的出光效率，通过图4所示的制作方法制得S404步骤(或通过图6所示的制作方法制得S604)所示的显示模组之后，也可将各微型LED芯片34的顶出光面正上方的黑胶层31去除一部分。
例如一种应用场景参见图8所示的显示模组，其是对图4中步骤S404所得到的显示模组中的黑胶层31的整体去除一部分，从而得到更薄的黑胶层31，以提升出光效率。去除后黑胶层31的顶面仍将各微型LED芯片34的顶出光面之上的透明胶层31覆盖，且黑胶层31的顶面整体为一个平面。图8所示的显示模组可采用但不限于研磨等工艺对黑胶层31的整体去除一部分。在本应用场景中，对图6中步骤S604所得到的显示模组中的黑胶层31的整体去除一部分后的示意图参见图9所示，去除后黑胶层31的顶面仍将各微型LED芯片34的顶出光面之上的透明胶层31覆盖(包括将第一凹部f1和第二凹部f2覆盖)且黑胶层31的顶面整体为一个平面。
另一种应用场景参见图10和图11所示的显示模组，相对于图8和9所示的显示模组，图10是对图4中步骤S404所得到的显示模组中的黑胶层31位于各微型LED芯片34的顶出光面正上方的的一部分进行局部去除(也即采用局部去除的方式)，图11是对图6中步骤S604所得到的显示模组中的黑胶层31位于各微型LED芯片34的顶出光面正上方的一部分进行局部去除，从而使得各微型LED芯片34的顶出光面正上方的黑胶层31相对于图4中步骤S404和图6中步骤S604所得到的显示模组中的黑胶层31的厚度更薄，以提升出光效率。本场景中可采用但不限于采用蚀刻工艺对黑胶层31进行去除。
在本实施例中，黑胶层31具有一定的透光性时，不管是否采用上述图8至图11所示的对黑胶层31进行去除的步骤，为了保证模组的亮度和显示效果，可设置各微型LED芯片34的顶出光面上所保留的黑胶层的透光率大于等于40％。
在本实施例的另一示例中，显示模组的制作方法还可包括但不限于：
在将透光胶层32和黑胶层31通过热压工艺一并压合在基板33正面上之后，还将各微型LED芯片34的顶出光面正上方的黑胶层31全部去除。
例如，在一些应用场景中，将各微型LED芯片34的顶出光面正上方的黑胶层31全部去除包括：
将黑胶层31位于第二凹部f2的底部之上的黑胶全部去除，去除后的黑胶层31与各微型LED芯片的顶出光面之上的透光胶层32齐平。
例如一种应用场景参见图12所示的显示模组，其是对图4中步骤S404所得到的显示模组中的黑胶层31的整体去除一部分，直到各微型LED芯片34的顶出光面正上方之上的透光胶层32外露于黑胶层31，且去除后的黑胶层31与各微型LED芯片34的顶出光面之上的透光胶层32齐平。在本应用场景中，对图6中步骤S604所得到的显示模组中的黑胶层31的整体去除一部分后的示意图参见图13所示，各微型LED芯片34的顶出光面正上方之上的透光胶层32外露于黑胶层31，且去除后的黑胶层31仍将第二凹部f2填充，并与各微型LED芯片34的顶出光面之上的透光胶层32齐平。在图12和图13所示的示例中，去除后的黑胶层31仍将各微型LED芯片34的顶出光面边缘区域之上的透光胶层32覆盖，从而可使得黑胶层31尽可能将像素单元内各微型LED芯片34之间的所存在的银色外表面A覆盖，从而进一步提升模组的显示对比度。
在本示例中，将黑胶层31位于第二凹部f2的底部之上的黑胶全部去除的另一示例参见图14所示，其与图13所示的去除方式相比，区别在于在在将黑胶层31去除时，直至将位于第二凹部f2的底部的黑胶层31也全部去除(由图14可知，透光胶层32上的第二凹部f2也都被去除)，去除后黑胶层3与各微型LED芯片34的顶出光面之上的透光胶层32齐平，且透光胶层32上不再存在第二凹部f2。其相对图13所示的示例，透光胶层32和黑胶层31的整体厚度更薄，更利于模组的轻薄化。
将黑胶层31位于第二凹部f2的底部之上的黑胶全部去除时，也可采用局部去除方式。例如参见图15所示，其是对图4中步骤S404所得到的显示模组中的黑胶层31位于各微型LED芯片34的顶出光面正上方的黑胶进行局部全部去除；图16是对图6中步骤S604所得到的显示模组中的黑胶层31位于各微型LED芯片34的顶出光面正上方的黑胶进行局部全部去除。
本实施例中上述各示例中对黑胶层31进行局部去除时，可提升黑胶层31的去除效率。且在图12至图16所示的示例中，黑胶层31可具有透光特性，也可不具有透光特性，黑胶层31的材质选择更为灵活，适用性更广。
本实施例上述各示例中的基板33可为刚性材质，例如可以采用但不限于酚醛纸质层压板、环氧纸质层压板、聚酯玻璃毡层压板、环氧玻璃布层压板，BT树脂板，也可以采用玻璃板；上述各示例中的基板33也可为柔性材质，例如可以采用但不限于聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、氟化乙丙烯薄膜。在一些示例中，基板33内或基板33表面上可根据应用需求集成设置相应的电路，例如可包括但不限于与微型LED芯片连接的电路以及驱动电路等。应当理解的是，本实施例中上述各示例中基板33正面上设置的焊盘的数量以及排列方式，可根据应用需求灵活设置。例如多个焊盘在基板33上呈阵列设置，或相邻行的焊盘之间交错设置等。在本实施例的一些示例中，焊盘的材质可采用但不限于铜、银、金等。
且本实施例上述各示例中的微型LED芯片从尺寸分类而言，可以包括Mini LED芯片，Micro LED芯片中的至少之一；从微型LED芯片电极的分布方式而言，可以包括倒装微型LED芯片，但不限于倒装微型LED芯片。
如上述各示例所示，本实施例中微型LED芯片34的电极可通过焊料与对应的焊盘焊接。该焊料可采用但不限于含铅焊料合金，如锡-铅(Sn-Pb)系合金、锡-铅-铋(Sn-Pb-Bi)系合金或锡-铅-银(Sn-Pb-Ag)系合金等；也可采用无铅焊料合金，例如锡-银(Sn-Ag)系合金、锡-铋(Sn-Bi)系合金、锡-锌(Sn-Zn)系合金、锡-锑(Sn-Sb)、锡-银-铜(Sn-Ag-Cu)系合金或锡-铋-银(Sn-Bi-Ag)系合金等。
在本实施例中的又一些示例中，为了提升良品率和制作效率，可提供一灯板夹具，灯板夹具设有与灯板相适配的容纳腔。在将透光胶层和黑胶层与基板正面压合时，可将灯板固定于灯板夹具上，固定后，基板被固设于灯板夹具的容纳腔中，且基板的背面朝向容纳腔的底部，基板正面及各微型LED芯片朝向容纳腔的顶部开口，以供透光胶层贴合。在本示例中，当在将透光胶层与基板正面压合之前，先在基板的背面上设置了其他电子元件时，在容纳腔的底部还设置有与各电子元件对应的容纳槽，将灯板固定于灯板夹具上后，各电子元件位于对应的容纳槽中。可见，本实施例采用的灯板夹具结构简单、便于制作且成本低。
为了便于理解，本实施例下面以图17的显示模组的制作方法为示例进行说明，参见图17所示，其包括但不限于：
S1701：制作封装组件。
在本示例中，可在承载膜35上依次制作黑胶层31和透光胶层32。一种示例中，先把承载膜35的膜片(该模块可为透明膜片)放平。承载膜35的厚度范围为10μm至300μm，厚度均匀度范围1％至10％，透光率范围为30％至100％。然后在承载膜35上依次设置两层胶水。先设置黑胶水形成黑胶层31，黑胶层31厚度均匀度范围为1％至10％。然后在黑胶层31上设置透光胶层32，透光胶层32的厚度均匀度范围为1％至10％，透光率范围为90％至100％，本示例中所形成的黑胶层31和透光胶层32可处于半固化状态。
在本示例中，黑胶层31和透光胶层32的厚度的具体取值可根据上述各示例中所需满足的条件的基础上灵活选取。例如本示例中设置黑胶层31的厚度为50μm，透光胶层32的厚度为100μm。
S1702：制作灯板。
一种示例中，包括在基板33的正面上完成微型LED芯片34的固定(也可称之为固晶)。本示例中可采用各种芯片转移方式(例如巨量转移方式)将微型LED芯片34转移至基板33的正面上，该微型LED芯片34可为倒装LED芯片，一个像素单元3所包括的微型LED芯片34的出光颜色可包含红、绿、蓝、白等中的至少一种。微型LED芯片34的间距为200μm至1000μm。在本示例中还包括在基板33的背面上完成其他电子元件4的固定。例如在一种应用场景中，可在基板33的正面上设置若干像素单元3，每一像素单元包括红、绿、蓝三种颜色的微型LED芯片。
S1703：提供灯板夹具5。
参见图17所示，本示例中的灯板夹具5包括与灯板相适配的容纳腔51，本示例中容纳腔51的底部为设有容纳电子元件4的容纳槽。本实施例中灯板夹具的材质可采用但不限于金属、陶瓷或其他材质，在此不再赘述。
S1704：将制作的灯板固定于灯板夹具5上，灯板夹具5对灯板进行固定，可保持灯板处于平稳状态。
S1705：将黑胶层31和透光胶层32一并与基板33的正面贴合，具体将透光胶层32朝向基板33进行贴合。
S1706：对黑胶层31和透光胶层32加热以及施加朝向基板33的压力，将黑胶层31和透光胶层32向基板33压合，在压合过程中，由于黑胶层31和透光胶层32处于半融化状态，同时其受到朝向基板33的压力，使得各微型LED芯片34的逐渐被透光胶层32覆盖，且透光胶层32在相邻微型像素单元之间的第一间隙之间形成第一凹部，以及在像素单元内的相邻微型LED芯片34之间的第二间隙内形成第二凹部，黑胶层31则将各第一凹部和第二凹部填充覆盖，且将各微型LED芯片34顶出光面之上的透光胶层32覆盖。
在本示例中，在黑胶层31和透光胶层32固化后，可去除承载膜35。当然，在一些应用场景中，如果采用的承载膜35具有较好的透光性，也可将其保留不予去除。当需要去除承载膜35时，也可先去除灯板夹具5后，再去除承载膜35。本示例中，制得的显示模组的各微型LED芯片顶出光面正上方的透光胶层32的厚度为5um至15um。在本示例中，当需要采用但不限于上述各示例所示的方式将黑胶层31去除至少一部分时，则需要先去除承载膜35，然后根据需求可采用上述各示例中所示的黑胶层31去除方式进行去除，在此不再赘述。
可见，本实施例提供的显示模组的制作方法，工艺简单且效率高，成本低，制得的显示模组显示对比度好，显示模组所包括的黑胶层的一致性好，且不会残留在微型LED芯片的顶出光面。
本实施例还提供了一种显示模组，该显示模组通过如上各示例中的显示模组的制作方法制得，可广泛的应用手机、笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴、护眼产品、车载终端、广告显示终端等具有显示屏的电子设备上，其具有显示对比对度好，且显示效果好的优点。
例如，一种示例的显示模组参见图18所示，其包括基板33，基板33上设有用于连通以及驱动微型LED芯片的电路(图中未示出)。基板33正面(即TOP面)设有用于焊接微型LED芯片34的焊盘，像素单元的微型LED芯片34通过焊料焊接在基板33上。基板33的背面(即Bottom面)设置有驱动元件4。显示模组还包括封装组件，封装组件的透光胶层32压合在基板33的正面上，将基板33的正面以及各微型LED芯片34的表面覆盖，且透光胶层32在相邻像素单元之间的第一间隙处形成第一凹部，以及在各像素单元内的相邻微型LED芯片34之间的第二间隙处形成有第二凹部，黑胶层31将各第一凹部和第二凹部填充，且未将各微型LED芯片34的顶出光面上的透光胶层32覆盖，也即各微型LED芯片34的顶出光面上的透光胶层32外露于黑胶层31。当然，应当理解的是，示例中透光胶层32和黑胶层31的具体还可替换为但不限于上述各示例中结构，在此不再赘述。
另外，在本实施例中，透光胶层32所包括的胶材和黑胶层31所包括的胶材可设置为相同，从而可尽可能使得二者具有相同或相近的膨胀系数。例如一些示例中该基础胶材可采用但不限于改性环氧树脂、改性硅胶。
可见，本实施例提供的显示模组具有较好的黑色对比度，且制作工艺简单，降低受微型LED芯片固定到基板上之后的各微型LED芯片平整度的影响，良品率高，成本低。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示模组的制作方法，其特征在于，包括：
制作灯板和封装组件，其中：
制作所述灯板包括：提供一基板，以及在所述基板正面上固定若干像素单元，相邻所述像素单元之间具有第一间隙，所述像素单元包括多颗与所述基板上的焊盘焊接的微型LED芯片；
制作所述封装组件包括：提供叠加在一起的透光胶层和黑胶层；
将所述透光胶层和所述黑胶层通过热压工艺一并压合在所述基板正面上；压合后，所述透光胶层将所述基板正面以及各所述微型LED芯片的顶出光面覆盖，并在所述第一间隙处形成第一凹部，所述黑胶层的一部分填充于所述第一凹部内至少将所述第一凹部覆盖；所述微型LED芯片的顶出光面为各所述微型LED芯片远离所述基板正面的一面。
2.如权利要求1所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述像素单元内的相邻所述微型LED芯片之间具有第二间隙，所述第二间隙的宽度小于所述第一间隙的宽度；
将所述透光胶层和所述黑胶层通过热压工艺一并压合在所述基板正面上后，所述透光胶层在所述第二间隙之上的区域形成有第二凹部，所述黑胶层将所述第二凹部填充并将所述透光胶层的顶面全部覆盖，所述透光胶层的顶面为所述透光胶层远离所述基板的一面，所述第二凹部的底部至所述基板正面的第二距离h2，大于所述微型LED芯片的顶出光面至所述基板正面的第一距离h1。
3.如权利要求2所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述黑胶层具有透光性，所述显示模组的制作方法还包括：
将各所述微型LED芯片的顶出光面正上方的所述黑胶层进行部分去除，各所述微型LED芯片的顶出光面正上方保留的所述黑胶层的透光率大于等于40％。
4.如权利要求2所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述显示模组的制作方法还包括：
将各所述微型LED芯片的顶出光面正上方的所述黑胶层全部去除。
5.如权利要求4所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述将各所述微型LED芯片的顶出光面正上方的所述黑胶层全部去除包括：
将所述黑胶层位于所述第二凹部的底部之上的黑胶全部去除，去除后的黑胶层与各所述微型LED芯片的顶出光面之上的所述透光胶层齐平。
6.如权利要求1-5任一项所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述透光胶层包括的胶材与所述黑胶层包括的胶材相同。
7.如权利要求1-5任一项所述的显示模组的制作方法，其特征在于，
将所述透光胶层和所述黑胶层通过热压工艺一并压合在所述基板正面上后，形成的所述第一凹部的底部至所述基板正面的第三距离h3，小于所述微型LED芯片的顶出光面至所述基板正面的第一距离h1。
8.如权利要求7所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述h3小于等于2/3*h1。
9.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括：
基板；
设于所述基板正面上的若干像素单元，相邻所述像素单元之间具有第一间隙，所述像素单元包括多颗与所述基板上的焊盘焊接的微型LED芯片；
设于所述基板正面上的透光胶层，所述透光胶层将所述基板正面以及各所述微型LED芯片的顶出光面覆盖，并在所述第一间隙处形成有第一凹部，所述微型LED芯片的顶出光面为各所述微型LED芯片远离所述基板正面的一面；
设于所述透光胶层之上的黑胶层，所述黑胶层的一部分填充于所述第一凹部内至少将所述第一凹部覆盖。
10.如权利要求9所述的显示模组，其特征在于，各所述微型LED芯片的顶出光面正上方的所述透光胶层的厚度为5um至15um。
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