CN115377087A - 发光面板、电子设备及发光面板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光面板、电子设备及发光面板的制备方法，该制备方法包括：提供磁性基板；向磁性基板通电，以使磁性基板产生磁场；将磁性膜层设置于磁性基板的一侧表面，以使磁性膜层与磁性基板相磁性连接；将衬底层设置于磁性膜层的背离磁性基板的一侧表面；在衬底层的背离磁性膜层的一侧外延生长形成本体部；切割本体部、衬底层以及磁性膜层，得到阵列排布于磁性基板的多个发光二极管；以及将发光二极管转移至驱动背板。通过该发光面板的制备方法，能够制备得到易于脱离于制备基板(磁性基板)的发光二极管，能够使发光二极管的转移过程简单，且减少发光二极管在转移过程中受到的损伤，从而降低发光面板的制备难度，提升发光面板的良品率。

Description

发光面板、电子设备及发光面板的制备方法

技术领域

本发明涉及发光技术领域，尤其涉及一种发光面板、电子设备及发光面板的制备方法。

背景技术

相关技术中，在将发光二极管从制备基板转移至目标载板上以制备发光面板时，往往使用激光来烧蚀发光二极管与制备基板之间的牺牲层，再通过目标载板粘接或磁性连接于发光二极管，以在制备基板移开时，通过目标载板向发光二极管施加连接作用力，来使发光二极管脱离于制备基板。该方式下，不仅需要对目标载板进行额外的增加粘接性能或磁性连接性能的处理，还需要通过一定的外力来辅助发光二极管脱离于制备基板，过程繁琐，且容易对发光二极管造成难以避免的损伤，制备得到的发光面板的良品率低。

发明内容

本发明实施例公开了一种发光面板、电子设备及发光面板的制备方法，通过该发光面板的制备方法，能够制备得到易于脱离于制备基板的发光二极管，能够使发光二极管的转移过程简单，且减少发光二极管在转移过程中受到的损伤，从而降低发光面板的制备难度，并且提升发光面板的良品率。

为了实现上述目的，第一方面，本发明公开了一种发光面板的制备方法，包括：

提供磁性基板；

向所述磁性基板通电，以使所述磁性基板产生磁场；

将磁性膜层设置于所述磁性基板的一侧表面，以使所述磁性膜层与所述磁性基板相磁性连接；

将衬底层设置于所述磁性膜层的背离所述磁性基板的一侧表面；

在所述衬底层的背离所述磁性膜层的一侧外延生长形成本体部；

切割所述本体部、所述衬底层以及所述磁性膜层，得到阵列排布于所述磁性基板的多个发光二极管；以及

将所述发光二极管转移至驱动背板。

作为一种可选的实施方式，在本发明的实施例中，所述磁性基板包括铁、钴、镍、铁合金、钴合金、镍合金以及铁基高镍合金中的至少一种材料。

作为一种可选的实施方式，在本发明的实施例中，所述磁性膜层包括磁性材料与金的合金、磁性材料与铝的合金，以及铁基高镍合金中的至少一种材料；和/或

沿自所述磁性膜层向所述本体部的方向上，所述磁性膜层具有厚度t1，10um≤t1≤100um。

作为一种可选的实施方式，在本发明的实施例中，所述衬底层包括氧化物与聚合物中的至少一种材料；和/或

沿自所述磁性膜层向所述本体部的方向上，所述衬底层具有厚度t2，10um≤t2≤200um。

作为一种可选的实施方式，在本发明的实施例中，所述将所述衬底层设置于所述磁性膜层的背离所述磁性基板的一侧表面，包括：

提供氧化物或聚合物；

将所述氧化物或所述聚合物旋涂、蒸镀、或沉积于所述磁性膜层的背离所述磁性基板的一侧表面，得到所述衬底层。

作为一种可选的实施方式，在本发明的实施例中，所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板，包括：

提供所述驱动背板；

使所述驱动背板连接于多个所述发光二极管的背离所述磁性基板的一侧；

使所述磁性基板断电，以断开所述磁性基板与所述磁性膜层的磁性连接；

移开所述磁性基板。

作为一种可选的实施方式，在本发明的实施例中，所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板，包括：

提供转移载板；

使所述转移载板连接于多个所述发光二极管的背离所述磁性基板的一侧；

使所述磁性基板断电，以断开所述磁性基板与所述磁性膜层的磁性连接；

移开所述磁性基板；

提供磁性转移头；

向所述磁性转移头通电，以使所述磁性转移头产生磁场；

使所述磁性转移头磁性连接于多个所述发光二极管的所述磁性膜层；

移开所述磁性转移头，以带动多个所述发光二极管脱离于所述转移载板；

提供所述驱动背板；

使所述驱动背板连接于多个所述发光二极管的背离所述磁性转移头的一侧；

使所述磁性转移头断电，以断开所述磁性转移头与所述磁性膜层的磁性连接；

移开所述磁性转移头；或者，

所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板，包括：

提供转移载板；

使所述转移载板连接于多个所述发光二极管的背离所述磁性基板的一侧；

使所述磁性基板断电，以断开所述磁性基板与所述磁性膜层的磁性连接；

移开所述磁性基板；

提供所述驱动背板；

使所述驱动背板连接于多个所述发光二极管的背离所述转移载板的一侧；

移开所述驱动背板，以带动多个所述发光二极管脱离于所述转移载板。

作为一种可选的实施方式，在本发明的实施例中，所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板的过程中，或者，所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板之后，所述发光面板的制备方法还包括：

去除所述磁性膜层。

第二方面，本发明公开了一种发光面板，包括：

驱动背板；以及

多个发光二极管，多个所述发光二极管阵列设置于所述驱动背板的一侧，所述发光二极管包括依次叠设的磁性膜层、衬底层以及本体部，所述磁性膜层的背离所述本体部的一侧连接于所述驱动背板，或者，所述本体部的背离所述磁性膜层的一侧连接于所述驱动背板。

第三方面，本发明公开了一种电子设备，包括：如上述第二方面所述的发光面板。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

本发明实施例提供的发光面板、电子设备及发光面板的制备方法，该发光面板的制备方法通过使用磁性基板作为发光二极管的制备基板，并通过向磁性基板通电以使磁性基板产生磁场，从而依次在磁性基板上设置磁性膜层、衬底层以及本体部，以通过磁性膜层与磁性基板之间相磁性连接，而使发光二极管连接于磁性基板上。因此，在需要使制备得到的发光二极管脱离于磁性基板的情况下，只需要将磁性膜层断电，即可使磁性基板不再产生磁场，从而解除磁性基板与磁性膜层的磁性连接，以直接解除发光二极管与磁性基板的连接关系，从而使发光二极管可仅在重力的作用下脱离于基板，发光二极管的转移过程简单，且发光二极管在转移过程中受到的损伤小，能够降低发光面板的制备难度，并且提升发光面板的良品率。

此外，由于磁性材料具有热膨胀系数较低的特性，因此，使用磁性基板来作为发光二极管的制备基板，能够减少在使用高温工艺制备发光二极管的过程中，由于磁性基板受热发生碰撞变形，而对发光二极管的形状造成的影响，从而能够提升发光二极管的制备精度，以提升发光二极管的良品率，从而进一步地提升发光面板的制备精度以及良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例第一方面公开的发光面板的制备方法的步骤流程图；

图2是本申请实施例第一方面公开的发光面板的剖面示意图；

图3是本申请实施例第一方面公开的发光面板的制备方法的步骤S3、S4、S5以及S6对应的结构示意图；

图4是本申请实施例第一方面公开的发光面板的制备方法的步骤S7的具体流程图；

图5是本申请实施例第一方面公开的发光面板的制备方法一种实施例的步骤S7对应的结构示意图

图6是本申请实施例第一方面公开的发光面板的制备方法另一种实施例的步骤S7对应的结构示意图；

图7是本申请实施例第一方面公开的发光面板的制备方法又一种实施例的步骤S7对应的结构示意图；

图8是本申请实施例第二方面公开的发光面板的剖面示意图。

图9是本申请实施例第三方面公开的电子设备的立体结构示意图。

主要附图标记说明

发光面板1；发光二极管10；磁性膜层100；衬底层101；本体部102；驱动背板11；磁性基板20；转移载板21；磁性转移头22；电子设备3。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。

并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明中的具体含义。

此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”等主要是用于区分不同的装置、元件或组成部分(具体的种类和构造可能相同也可能不同)，并非用于表明或暗示所指示装置、元件或组成部分的相对重要性和数量。除非另有说明，“多个”的含义为两个或两个以上。

下面将结合实施例和附图对本发明的技术方案作进一步的说明。

请一并参阅图1与图2，图1是本申请实施例第一方面公开的发光面板的制备方法的步骤流程图，图2是本申请实施例第一方面公开的发光面板的剖面示意图。本发明实施例第一方面公开了一种发光面板1的制备方法，该发光面板1包括驱动背板11，以及阵列设置于驱动背板11上的多个发光二极管10，多个发光二极管10用于在驱动背板11的控制下发光，该发光面板1可作为光源，应用于包括但不限于显示屏、投影仪、VR(虚拟现实，VirtualReality)眼镜、AR(增强现实，Augmented Reality)眼镜、灯具等能够实现发光显示功能或发光功能的电子设备。

具体地，发光面板1的制备方法包括：

S1、提供磁性基板。

请结合图3所示，可选地，磁性基板20可包括铁、钴、镍、铁合金、钴合金、镍合金以及铁基高镍合金(例如因瓦合金)中的至少一种材料，从而磁性基板20在通电时能够产生较强的磁场，以在后续的制造过程中能够较牢固地磁性连接于磁性膜层100，从而避免磁性膜层100在发光二极管10的制备过程中发生位移，而导致发光二极管10的制备精度下降的情况。

此外，由于磁性材料具有膨胀系数小，在较高的温度下产生的形变小的特性，因此在高温制备过程中，对发光二极管10的形状影响小，从而能够进一步地提升发光二极管10的制备精度。

S2、向磁性基板通电，以使磁性基板产生磁场。

S3、将磁性膜层设置于磁性基板的一侧表面，以使磁性膜层与磁性基板相磁性连接。

如图3所示，图3中的(a)示出了磁性膜层100设置于磁性基板20的一侧表面。可选地，磁性膜层100可包括磁性材料与金的合金、磁性材料与铝的合金，以及铁基高镍合金中的至少一种材料，以能够在磁性基板20产生的磁场的作用下磁化，从而磁性连接于磁性基板20。

沿自磁性膜层100向本体部102的方向上，磁性膜层100可具有厚度t1，为了使磁性膜层100与通电的磁性基板20的磁性连接更加稳固，磁性膜层100可较厚，而为了使发光二极管10整体更加小型化，且由于大部分的磁性材料均为非透明的材料，换言之，大部分的磁性材料能够吸收、反射光线，因此，为了降低磁性膜层100对发光二极管10的发光性能的影响，磁性膜层100可较薄。基于此，可选地，磁性膜层100的厚度t1可满足：10um≤t1≤100um，例如，厚度t1可为：10um、20um、30um、40um、50um、60um、70um、80um、90um或100um等。

可选地，磁性膜层100可包括磁性材料与金的合金、磁性材料与铝的合金，以及铁基高镍合金中的至少一种材料的同时，磁性膜层100的厚度t1可满足10um≤t1≤100um，以使磁性膜层100能够与通电的磁性基板20之间产生足够的磁吸力，以稳固地相磁性连接，从而在后续步骤中使磁性膜层100与磁性基板20之间的相对位置保持稳定的同时，使发光二极管10整体能够更加小型化，且磁性膜层100对发光二极管10的发光性能的影响较小。

S4、将衬底层设置于磁性膜层的背离磁性基板的一侧表面。

如图3所示，图3中的(b)示出了磁性膜层100的背离磁性基板20的一侧表面设有衬底层101。可选地，衬底层101可包括氧化物(例如氧化硅、氧化镓、氧化锌等)与聚合物(例如聚酰亚胺、聚酯、聚萘二甲酯乙二醇酯、聚乙烯醇等)中的至少一种材料，以便于设置于磁性膜层100的同时，能够用于供发光二极管10的本体部102外延生长。

沿自磁性膜层100向本体部102的方向上，衬底层101可具有厚度t2，由于设置工艺的限制，为了获得均匀覆设于磁性膜层100的表面的衬底层101，该厚度t2可较大，而为了制备获得更加小型化的发光二极管10，该厚度t2不可过大。基于此，可选地，衬底层101的厚度t2可满足：10um≤t2≤200um，例如，厚度t2可为：10um、20um、30um、40um、50um、60um、70um、80um、90um、100um、120um、140um、160um、180um或200um等。

可选地，衬底层101可包括氧化物与聚合物中的至少一种材料的同时，衬底层101的厚度t2可满足10um≤t1≤100um，以使衬底层101便于设置于磁性膜层100，且能够用于供发光二极管10的本体部102外延生长的同时，衬底层101能够均匀覆设于磁性膜层100的表面且不会过厚。

示例性地，步骤S4可包括：

S40、提供氧化物或聚合物。

S41、将氧化物或聚合物旋涂、蒸镀、或沉积于磁性膜层的背离磁性基板的一侧表面，得到衬底层。

从而能够通过成熟的工艺将氧化物或聚合物均匀地设置于磁性膜层100的表面。

S5、在衬底层的背离磁性膜层的一侧外延生长形成本体部。

如图3所示，图3中的(c)示出了衬底层101的背离磁性膜层100的一侧表面设有本体部102。该本体部102用于在通电时发光，以实现发光二极管10的发光功能。

S6、切割本体部、衬底层以及磁性膜层，得到阵列排布于磁性基板的多个发光二极管。

如图3所示，图3中的(d)示出了本体部102、衬底层101以及磁性膜层100被切割，得到阵列排布于磁性基板20的多个发光二极管10。可选地，可通过黄光工艺来切割本体部102、衬底层101以及磁性膜层100，以能够更加高精度地切割获得更加小尺寸的发光二极管10。

S7、将发光二极管转移至驱动背板。

一些实施方式中，发光二极管10可通过一次或多次转移，以转移至驱动背板11，以制备得到发光面板1。

请一并参阅图4与图5，一种可选地实施方式中，发光二极管10通过一次转移，以转移至驱动背板11，从而发光二极管10的转移步骤少，制备耗时成本低。

具体地，步骤S7可包括：

S70a、提供驱动背板。

S71a、使驱动背板连接于多个发光二极管的背离磁性基板的一侧。

如图5所示，图5中的(a)示出了驱动背板11连接于多个发光二极管10的背离磁性基板20的一侧。

S72a、使磁性基板断电，以断开磁性基板与磁性膜层的磁性连接。

S73a、移开磁性基板。

如图5所示，图5中的(b)示出了移开磁性基板20，多个发光二极管10连接于驱动背板11，得到发光面板1。

另一种可选地实施方式中，发光二极管10通过多次转移，以转移至驱动背板11，从而发光二极管10可通过多次转移，来在转移的过程中调整发光二极管10的姿态、数量、位置等，发光二极管10的转移灵活性更高。

请参见图6，一种可选地示例中，为了使发光二极管10经过多次转移的过程后，依然能够以本体部102的背离磁性膜层100的一侧连接于驱动背板11，步骤S7可包括：

S700b、提供转移载板。

S701b、使转移载板连接于多个发光二极管的背离磁性基板的一侧。

S702b、使磁性基板断电，以断开磁性基板与磁性膜层的磁性连接。

S703b、移开磁性基板。

S704b、提供磁性转移头。

S705b、向磁性转移头通电，以使磁性转移头产生磁场。

S706b、使磁性转移头磁性连接于多个发光二极管的磁性膜层。

如图6所示，图6中的(a)示出了多个发光二极管10位于转移载板21上，磁性转移头22磁性连接于多个发光二极管10的磁性膜层100。

S707b、移开磁性转移头，以带动多个发光二极管脱离于转移载板。

如图6所示，图6中的(b)示出了移开磁性转移头22，多个发光二极管10跟随磁性转移头22移动，并脱离于转移载板21。

S708b、提供驱动背板。

S709b、使驱动背板连接于多个发光二极管的背离磁性转移头的一侧。

如图6所示，图6中的(c)示出了驱动背板11连接于多个发光二极管10的背离磁性转移头22的一侧。

S710b、使磁性转移头断电，以断开磁性转移头与磁性膜层的磁性连接。

S711b、移开磁性转移头。

如图6所示，图6中的(d)示出了移开磁性转移头22，多个发光二极管10连接于驱动背板11，得到发光面板1。

根据实际的需求，可选地，在步骤S708b之前，步骤S7还可包括：

S7080b、提供另一个转移载板。

S7081b、使另一个转移载板连接于多个发光二极管的背离磁性转移头的一侧。

S7082b、使磁性转移头断电，以断开磁性转移头与磁性膜层的磁性连接。

S7083b、移开磁性转移头。

S704b、提供磁性转移头。

S705b、向磁性转移头通电，以使磁性转移头产生磁场。

S706b、使磁性转移头磁性连接于多个发光二极管的磁性膜层。

S707b、移开磁性转移头，以带动多个发光二极管脱离于转移载板。

从而增加发光二极管10的转移次数，以在多次转移过程中，对发光二极管10进行数量、位置等的调整。

进一步地，可通过重复步骤S7080b、S7081b、S7082b、S7083b、S704b、S705b、S706b以及S707b，来进一步增加发光二极管10的转移次数，以在多次转移过程中，对发光二极管10进行数量、位置等的调整。

请参见图7，另一种可选地示例中，为了调整发光二极管10的姿态，以使发光二极管10以磁性膜层100的所在的一侧连接于驱动背板11，步骤S7可包括：

S70c、提供转移载板。

S71c、使转移载板连接于多个发光二极管的背离磁性基板的一侧。

S72c、使磁性基板断电，以断开磁性基板与磁性膜层的磁性连接。

S73c、移开磁性基板。

S74c、提供驱动背板。

S75c、使驱动背板连接于多个发光二极管的背离转移载板的一侧。

如图7所示，图7中的(a)示出了多个发光二极管10位于转移载板21上，驱动背板11连接于多个发光二极管10的背离转移载板21的一侧。

S76c、移开驱动背板，以带动多个发光二极管脱离于转移载板。

如图7所示，图7中的(b)示出了移开驱动背板11，多个发光二极管10跟随驱动背板11移动，以脱离于转移载板21，得到发光面板1。

根据实际的需求，为了增加发光二极管10的转移次数，可选地，在步骤S73c之前，步骤S7还可包括：

S720c、提供磁性转移头。

S721c、向磁性转移头通电，以使磁性转移头产生磁场。

S722c、使磁性转移头磁性连接于多个发光二极管的磁性膜层。

S723c、移开磁性转移头，以带动多个发光二极管脱离于转移载板。

S724c、提供另一个转移载板。

S725c、使另一个转移载板连接于多个发光二极管的背离磁性转移头的一侧。

S726c、使磁性转移头断电，以断开磁性转移头与磁性膜层的磁性连接。

S727c、移开磁性转移头。

进一步地，可通过重复步骤S720c、S721c、S722c、S723c、S724c、S725c、S726c以及S727c，来进一步增加发光二极管10的转移次数，以在多次转移过程中，对发光二极管10进行数量、位置等的调整。

由于磁性膜层100是金属膜层，会对光线进行反射或者吸收，一些实施方式中，在步骤S7之后，或者在步骤S7的过程中，例如步骤S73c与步骤S74c之间，发光面板1的制备方法还可包括：

S8、去除磁性膜层。

从而能够提升发光二极管10的发光效率，以进一步地提升发光面板1的发光亮度。

可以理解的是，在其他实施方式中，当包括磁性膜层100的发光二极管10的发光效率能够满足实际的使用、设计需求时，可不去除该磁性膜层100，以使发光面板1的制备步骤简单。

本发明实施例第一方面公开的发光面板1的制备方法，通过使用磁性基板20作为发光二极管10的制备基板，并通过向磁性基板20通电以使磁性基板20产生磁场，从而依次在磁性基板20上设置磁性膜层100、衬底层101以及本体部102，以通过磁性膜层100与磁性基板20之间相磁性连接，而使发光二极管10连接于磁性基板20上。因此，在需要使制备得到的发光二极管10脱离于磁性基板20的情况下，只需要将磁性膜层100断电，即可使磁性基板20不再产生磁场，从而解除磁性基板20与磁性膜层100的磁性连接，以直接解除发光二极管10与磁性基板20的连接关系，从而使发光二极管10可仅在重力的作用下脱离于基板，发光二极管10的转移过程简单，且发光二极管10在转移过程中受到的损伤小，能够降低发光面板1的制备难度，并且提升发光面板1的良品率。

此外，由于磁性材料具有热膨胀系数较低的特性，因此，使用磁性基板20来作为发光二极管10的制备基板，能够减少在使用高温工艺制备发光二极管10的过程中，由于磁性基板20受热发生碰撞变形，而对发光二极管10的形状造成的影响，从而能够提升发光二极管10的制备精度，以提升发光二极管10的良品率，从而进一步地提升发光面板1的制备精度以及良品率。

请参阅图8，图8是本申请实施例第二方面公开的发光面板的剖面示意图。本发明实施例第二方面公开了一种发光面板1，该发光面板1可包括但不限于发光板、LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)显示屏、LCOS(Liquid crystal on silicon，反射式液晶)显示屏以及LCD(Liquid Crystal Display，液态晶体)显示屏等，该发光面板1可应用于电子设备，该电子设备可包括但不限于手机、平板、家教机、游戏机、电子手表、手提电脑、车载显示屏、投影仪、VR(虚拟现实，Virtual Reality)眼镜、AR(增强现实，Augmented Reality)眼镜、灯具等具有发光显示功能或发光功能的设备，当将该发光面板1应用于上述电子设备时，该发光面板1可作为上述电子设备的包括的至少一个显示屏幕或发光源使用。

具体地，该发光面板1包括驱动背板11以及多个发光二极管10。多个发光二极管10阵列设置于驱动背板11的一侧，发光二极管10包括依次叠设的磁性膜层100、衬底层101以及本体部102，磁性膜层100的背离本体部102的一侧连接于驱动背板11(如图8所示)，或者，本体部102的背离磁性膜层100的一侧连接于驱动背板11(如图2所示)，由于该发光面板1的制备难度低，且制备精度高、良品率高，因此，该发光面板1的质量好，且的制备成本低。

请参见图9，图9是本申请实施例第三方面公开的电子设备的立体结构示意图。本发明实施例第三方面公开了一种电子设备3，该电子设备3可包括但不限于VR(虚拟现实，Virtual Reality)眼镜、AR(增强现实，Augmented Reality)眼镜、投影仪、手机、平板、家教机、游戏机、电子手表、手提电脑、灯具、车载显示屏等具有发光显示功能或发光功能的设备。

具体地，电子设备3可包括如上述第二方面所述的发光面板1，该发光面板1可作为电子设备3的包括的至少一个显示屏幕或发光源使用，其中，图9中以电子设备3为手机，发光面板1为电子设备3的包括的一个显示屏幕为例，示例性地示出了一种电子设备3的立体结构。由于该发光面板1的质量好，且的制备成本低，因此电子设备3的质量好，且制备成本低。

以上对本发明实施例公开的发光面板、电子设备及发光面板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的发光面板、电子设备及发光面板的制备方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种发光面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供磁性基板；

向所述磁性基板通电，以使所述磁性基板产生磁场；

将磁性膜层设置于所述磁性基板的一侧表面，以使所述磁性膜层与所述磁性基板相磁性连接；

将衬底层设置于所述磁性膜层的背离所述磁性基板的一侧表面；

在所述衬底层的背离所述磁性膜层的一侧外延生长形成本体部；

切割所述本体部、所述衬底层以及所述磁性膜层，得到阵列排布于所述磁性基板的多个发光二极管；以及

将所述发光二极管转移至驱动背板。

2.根据权利要求1所述的发光面板的制备方法，其特征在于，所述磁性基板包括铁、钴、镍、铁合金、钴合金、镍合金以及铁基高镍合金中的至少一种材料。

3.根据权利要求1所述的发光面板的制备方法，其特征在于，所述磁性膜层包括磁性材料与金的合金、磁性材料与铝的合金，以及铁基高镍合金中的至少一种材料；和/或

沿自所述磁性膜层向所述本体部的方向上，所述磁性膜层具有厚度t1，10um≤t1≤100um。

4.根据权利要求1-3任一项所述的发光面板的制备方法，其特征在于，所述衬底层包括氧化物与聚合物中的至少一种材料；和/或

沿自所述磁性膜层向所述本体部的方向上，所述衬底层具有厚度t2，10um≤t2≤200um。

5.根据权利要求4所述的发光面板的制备方法，其特征在于，所述将所述衬底层设置于所述磁性膜层的背离所述磁性基板的一侧表面，包括：

提供氧化物或聚合物；

将所述氧化物或所述聚合物旋涂、蒸镀、或沉积于所述磁性膜层的背离所述磁性基板的一侧表面，得到所述衬底层。

6.根据权利要求1所述的发光面板的制备方法，其特征在于，所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板，包括：

提供所述驱动背板；

使所述驱动背板连接于多个所述发光二极管的背离所述磁性基板的一侧；

使所述磁性基板断电，以断开所述磁性基板与所述磁性膜层的磁性连接；

移开所述磁性基板。

7.根据权利要求1所述的发光面板的制备方法，其特征在于，所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板，包括：

提供转移载板；

使所述转移载板连接于多个所述发光二极管的背离所述磁性基板的一侧；

使所述磁性基板断电，以断开所述磁性基板与所述磁性膜层的磁性连接；

移开所述磁性基板；

提供磁性转移头；

向所述磁性转移头通电，以使所述磁性转移头产生磁场；

使所述磁性转移头磁性连接于多个所述发光二极管的所述磁性膜层；

移开所述磁性转移头，以带动多个所述发光二极管脱离于所述转移载板；

提供所述驱动背板；

使所述驱动背板连接于多个所述发光二极管的背离所述磁性转移头的一侧；

使所述磁性转移头断电，以断开所述磁性转移头与所述磁性膜层的磁性连接；

移开所述磁性转移头；或者，

所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板，包括：

提供转移载板；

使所述转移载板连接于多个所述发光二极管的背离所述磁性基板的一侧；

使所述磁性基板断电，以断开所述磁性基板与所述磁性膜层的磁性连接；

移开所述磁性基板；

提供所述驱动背板；

使所述驱动背板连接于多个所述发光二极管的背离所述转移载板的一侧；

移开所述驱动背板，以带动多个所述发光二极管脱离于所述转移载板。

8.根据权利要求6或7所述的发光面板的制备方法，其特征在于，所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板的过程中，或者，所述将所述发光二极管转移至所述驱动背板之后，所述发光面板的制备方法还包括：

去除所述磁性膜层。

9.一种发光面板，其特征在于，包括：

驱动背板；以及

多个发光二极管，多个所述发光二极管阵列设置于所述驱动背板的一侧，所述发光二极管包括依次叠设的磁性膜层、衬底层以及本体部，所述磁性膜层的背离所述本体部的一侧连接于所述驱动背板，或者，所述本体部的背离所述磁性膜层的一侧连接于所述驱动背板。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求9所述的发光面板。

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