CN115369483A - 成膜设备及其维护方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种成膜设备及其维护方法,涉及成膜设备相关技术领域。其中,本申请提供的成膜设备包括操作箱、反应器、升降装置、连接通道和转运件,操作箱具有操作室,反应器安装在所述操作室内并包括盖体、箱体及位于所述盖体和所述箱体之间的反应室,所述盖体面向所述反应室的一侧可拆卸地连接有一顶板,升降装置与所述盖体相连,并可带动所述盖体在贴靠所述箱体的关闭状态或远离所述箱体的开盖状态间切换,维护箱具有维护室,连接通道连通所述操作室和所述维护室,转运件活动连接在所述维护室内,所述盖体处于开盖状态时,所述转运件可通过所述连接通道移动至所述反应室并可承载所述顶板,以带动所述顶板在所述反应室和所述维护室之间运动。

Description

成膜设备及其维护方法
技术领域
本申请涉及成膜设备相关技术领域,具体涉及一种成膜设备及其维护方法。
背景技术
成膜设备利用薄膜沉积技术将稀释于载气中的金属有机化合物与V族或VI族元素的氢化物作为晶体生长的原材料,在被加热的外延衬底上进行分解并发生反应,反应后的生成物沉积在外延衬底上并形成薄膜,该晶体生长的过程通常在成膜设备内进行。
现有的成膜设备包括围合形成反应室的外壳及收纳该外壳的操作箱,所述反应室的顶部安装有一顶板,所述反应室的内部设有用于承载晶片的基座。对反应室内的顶板维护时,通常需要同时打开该反应室的外壳及上述操作箱,才能取出所述顶板。
然而,在该种维护方式下,反应室将直接与外部大气连通,外部的杂质气体等会直接进入反应室内,导致整个设备需要花费大量成本和时间去清洁才能再次投入正常使用。
发明内容
本申请提供一种成膜设备及其维护方法,以解决取出顶板的过程中,设备外部的颗粒物会进入该反应室内,导致反应室内的环境受到污染,造成维护成本上升的问题。
为达上述目的,一方面,本申请提供的一种成膜设备,包括:
操作箱,具有操作室;
反应器,安装在所述操作室内并包括盖体、箱体及位于所述盖体和所述箱体之间的反应室,所述盖体面向所述反应室的一侧可拆卸地连接有一顶板;
升降装置,与所述盖体相连,并可带动所述盖体在贴靠所述箱体的关闭状态或远离所述箱体的开盖状态间切换;
维护箱,具有维护室;
连接通道,连通所述操作室和所述维护室;
转运件,活动连接在所述维护室内,所述盖体处于开盖状态时,所述转运件可通过所述连接通道移动至所述反应室并可承载所述顶板,以带动所述顶板在所述反应室和所述维护室之间运动。
在本申请的一些实施例中,所述成膜设备还包括:
隔挡件,设置在所述连接通道上,用于连通或断开所述连接通道,其中,所述操作室呈负压状态或其内填充有保护气体。
在本申请的一些实施例中,所述反应器还包括:
基座,设置在所述箱体内且与所述顶板相对而设;
基座驱动装置,所述基座可拆卸地连接在所述基座驱动装置上,所述基座驱动装置可带动所述基座朝靠近或远离所述顶板的方向运动。
在本申请的一些实施例中,所述顶板和所述盖体具有相互连接的对接位置和相互分开的分离位置,其中,所述顶板可在所述基座驱动装置的直接或间接地承托下进行升降动作和/或旋转动作,以在所述对接位置和所述分离位置间切换。
在本申请的一些实施例中,还包括设置在所述盖体或所述顶板之一上的挂钩和设置在所述盖体或所述顶板另一上的挂扣;所述顶板通过所述升降动作和所述旋转动作使得所述挂钩和所述挂扣扣合或分离,以使得所述顶板和所述盖体在所述对接位置和所述分离位置间切换。
在本申请的一些实施例中,所述盖体呈圆形罩状结构且其敞口端朝向所述箱体,所述顶板设置在所述敞口端并与所述盖体的内壁螺纹连接;
所述顶板通过所述旋转动作使所述顶板和所述盖体在所述对接位置和所述分离位置间切换。
在本申请的一些实施例中,所述转运件包括平行于所述顶板设置的转运板,所述转运板上设有开口朝向所述操作箱的避让槽,所述转运板位于所述避让槽两侧的两个侧板均活动连接在所述维护室内。
在本申请的一些实施例中,所述转运板上设有定位部,其中,当所述转运板承载所述顶板时,所述定位部限制所述顶板在所述转运板的承载面上的相对位置。
在本申请的一些实施例中,所述成膜设备还包括:
过渡件,可与所述基座驱动装置配合以间接支撑所述顶板。
在本申请的一些实施例中,所述操作箱设有手套操作部,所述盖体处于所述开盖状态时,所述手套操作部可伸入所述盖体下方,并可通过所述手套操作部从所述盖体拆离所述顶板。
在具体使用时,本申请通过所述升降装置带动所述盖体朝远离所述箱体的方向运动以切换至开盖状态,即表明所述盖体和所述箱体分离且反应室被打开,所述转运件通过所述连接通道进入上述反应室内,再将所述顶板与所述盖体拆除以使所述顶板与所述盖体分离并被拆卸至转运件上,随后通过所述转运件承载所述顶板,并带动所述顶板从所述反应室移动至所述维护室内以对顶板进行维护。
由此,本申请上述设置具有以下有益效果:
当所述盖体和所述箱体分离以将反应室打开进行顶板的维护操作时,不需要打开上述操作箱,该操作箱能够将反应室和设备的外部空气隔离,上述顶板通过转运件带动至维护室内,并在所述维护室进行更换或维护,即维护室被配置为顶板的维护空间,从而对顶板的拆装和维护进行物理分区,以避免设备外部空间内的颗粒物进入反应室内导致反应室受到污染,从而不需要对反应室进行深度清洁,从而降低设备的维护成本。
另一方面,本申请还提供了一种成膜设备的维护方法,其中,所述成膜设备包括操作箱、维护箱、升降装置和连接通道,所述连接通道连通所述操作箱的操作室和所述维护箱的维护室,所述操作室内安装有反应器,所述反应器包括盖体、箱体及位于所述盖体和所述箱体之间的反应室,所述盖体面向所述反应室的一侧可拆卸地连接有一顶板,所述升降装置与所述盖体相连,所述维护室内设有转运件,所述转运件可通过所述连接通道移动至所述反应室并承载所述顶板,所述成膜设备的维护方法具体包括:
通过所述升降装置带动所述盖体朝远离所述箱体的方向运动,使所述盖体处于开盖状态以将所述反应室打开;
拆卸所述顶板;
移动所述顶板至已位于所述盖体下方的所述转运件,其中,所述转运件通过所述连接通道从所述维护室移动至所述盖体下方;
通过所述转运件带动所述顶板从所述反应室移动至所述维护室内;
更换或维护所述顶板。
在本申请的一些实施例中,所述成膜设备还包括设置在所述连接通道上的隔挡件;在所述将所述转运件通过所述连接通道从所述维护室移动至所述盖体下方的步骤之前,还包括:
控制隔挡件打开,以连通所述连接通道;
在所述通过所述转运件带动所述顶板从所述反应室移动至所述维护室内的步骤之后,还包括:
控制隔挡件关闭,以断开所述连接通道。
在本申请的一些实施例中,所述反应器包括设置在所述箱体内且与所述顶板相对而设的基座,以及与所述基座可拆卸地连接的基座驱动装置,所述拆卸所述顶板的步骤具体包括:
所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板;
所述基座驱动装置带动所述顶板升降和/或旋转,以从所述盖体拆离所述顶板;
将所述转运件通过所述连接通道从所述维护室移动并定位在所述顶板下方;
所述移动所述顶板至已位于所述盖体下方的所述转运件的步骤具体包括:
所述基座驱动装置朝远离所述盖体的方向运动,带动所述顶板移动到所述转运件上后,继续做朝远离所述盖体的方向的运动,以使所述顶板留置到所述转运件上。
在本申请的一些实施例中,所述成膜设备还包括设置在所述维护室内的过渡件,所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板的步骤具体包括:
通过所述转运件转移所述过渡件到所述操作室,并将所述过渡件与所述基座配合后,所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以间接支撑所述顶板;或者,
通过所述转运件将连接在所述基座驱动装置上的所述基座移出所述反应室后,所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以通过所述基座驱动装置直接支撑所述顶板。
在本申请的一些实施例中,所述反应器包括设置在所述箱体内且与所述顶板相对而设的基座,以及与所述基座可拆卸地连接的基座驱动装置;所述操作箱设有手套操作部,所述拆卸所述顶板的步骤具体包括:
所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板;
通过所述手套操作部手动拆卸所述顶板。
本申请成膜设备的维护方法先通过所述升降装置带动所述盖体朝远离所述箱体的方向运动使所述盖体处于开盖状态以将所述反应室打开,拆卸所述顶板,并移动所述顶板至已位于所述盖体下方的所述转运件,再通过所述转运件带动所述顶板从所述反应室移动至所述维护室内,对顶板进行维护。由此,当所述盖体和所述箱体分离以将反应室打开时,通过上述操作箱能够将反应室和设备外部空间隔离,同时通过将顶板转运到所述维护室内,再对顶板进行更换或维护,即顶板的拆装在操作箱内进行,顶板的维护在维护箱内进行,从而对顶板的拆装和维护进行物理分区,以避免外部空间与反应室连通,避免设备外部空间内的颗粒物进入反应室内导致反应室受到污染,从而不需要对反应室进行深度清洁,从而降低设备的维护成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例中反应器中的盖体和箱体盖合时的结构示意图;
图2是本申请实施例中反应器中的盖体处于开盖状态的结构示意图;
图3是本申请实施例中基座驱动装置带动基座朝靠近顶板的方向运动后的结构示意图;
图4是本申请实施例中基座驱动装置驱动基座朝远离顶板的方向运动,且基座承载在转运件上的结构示意图;
图5是本申请实施例中基座驱动装置朝靠近顶板的方向运动,且抵接至顶板的结构示意图;
图6是本申请实施例中转运件运动至反应室内用来承载顶板的结构示意图;
图7是本申请实施例中基座驱动装置带动顶板朝远离顶板的方向运动直至顶板与转运件抵接的结构示意图;
图8是本申请实施例中操作箱的结构示意图。
本申请说明书附图中的主要附图标记说明如下:
1-操作箱;11-操作室;
2-反应器;21-盖体;22-箱体;23-反应室;24-顶板;25-基座;
3-升降装置;
4-维护箱;41-底座;42-上盖;421-观察窗;43-维护室;44-转运口;
5-连接通道;
6-转运件;61-定位部;
7-隔挡件;
8-基座驱动装置。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
本申请提供一种成膜设备及其维护方法,以下分别进行详细说明。需要说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。且在以下实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
图1是本申请实施例中反应器中的盖体和箱体盖合时的结构示意图,图2是本申请实施例中反应器中的盖体和箱体打开时的结构示意图。以下,参照图1和图2,对申请提供的成膜设备的结构进行详细介绍。
上述成膜设备包括操作箱1、反应器2、升降装置3、维护箱4、连接通道5和转运件6。上述操作箱1呈中空结构、且其内形成有操作室11。反应器2安装在所述操作室11内,通过操作箱1将反应器2与其外部空间隔离,所述反应器2包括盖体21和箱体22,以及位于所述盖体21和所述箱体22之间密闭的反应室23,所述盖体21面向所述反应室23的一侧可拆卸地连接有一顶板24。
其中,升降装置3与所述盖体21相连以带动所述盖体21在贴靠所述箱体22的关闭状态或远离所述箱体22的开盖状态间切换。亦即,所述升降装置3带动所述盖体21朝靠近所述箱体22的方向运动时,能够将所述盖体21盖合在所述箱体22上,使得所述反应室23处于关闭状态,如图1所示。所述升降装置3带动所述盖体21朝远离所述箱体22的方向运动时,能够将所述盖体21从所述箱体22上移开,使得所述反应室23处于开盖状态,如图2所示。
维护箱4包括底座41和上盖42,以及通过底座41和上盖42盖合在一起形成的维护室43。所述操作室11和所述维护室43通过连接通道5连通。转运件6活动连接在所述维护室43内,所述盖体21处于开盖状态时,所述转运件6可通过所述连接通道5移动至所述反应室23并可承载所述顶板24,以带动所述顶板24在所述反应室23和所述维护室43之间运动。示例地,上述维护箱4的侧板上开设有一转运口44(标号见图8),该转运口44可以理解为上述连接通道5的一个端口,上述连接通道5的另一个端口可以理解为设置在所述操作箱1的侧板上的取放口。上述上盖42上设有一观察窗421,由此在不需要打开上盖42的基础上,通过该观察窗421就能够清楚的观察到所述维护箱4内的结构。该观察窗421藉由透明材料制成。
如此,在具体使用时,本申请通过所述升降装置3带动所述盖体21朝远离所述箱体22的方向运动以切换至开盖状态,即表明所述盖体21和所述箱体22分离且反应室23被打开,所述转运件6通过所述连接通道5进入上述反应室23内,再将所述顶板24与所述盖体21拆除以使所述顶板24与所述盖体21分离并被拆卸至转运件6上,随后通过所述转运件6承载所述顶板24,并带动所述顶板24从所述反应室23移动至所述维护室43内,对顶板24进行维护。
由此,本申请上述设置具有以下有益效果:
当所述盖体21和所述箱体22分离以将反应室23打开进行所述顶板24的维护操作时,不需要打开上述操作箱1,该操作箱1能够将反应室23和设备的外部空气隔离,上述顶板24通过转运件6带动至维护室43内,并在所述维护室43进行更换或维护,即维护室43被配置为顶板24的维护空间,从而对顶板24的拆装和维护进行物理分区,以避免设备外部空间内的颗粒物进入反应室23内导致反应室23受到污染,从而避免反应室23需要进行深度清洁,进而减小了设备本次维护的维护成本。亦即,本申请上述设置能够在避免反应室23受到污染的基础上,实现对顶板24的检修或更换。
可以理解的是,上述操作室11和维护室43均为一密闭空间。其中,上述升降装置3安装在反应器2的外部、且至少部分位于所述操作室11内并与所述盖体21相连。或者,上述升降装置3的动力输出端位于操作室11内与盖体21相连,上述升降装置3的驱动端位于操作室11的外部并与驱动电机相连,该驱动电机用来向上述升降装置3提供动力。例如,上述升降装置3可藉由齿轮齿条结构、丝杠螺母结构或绳索缠绕结构实现,本申请对升降装置3的具体结构不做限定。
其中,为了有效地避免反应室23受到污染,本申请上述成膜设备还包括隔挡件7,隔挡件7设置在所述连接通道5上用于连通或断开所述连接通道5。在具体使用时,通过隔挡件7将所述连接通道5连通,以供转运件6通过并承载顶板24,当将顶板24从所述反应室23移动至所述维护室43内后,则关闭隔挡件7以将所述连接通道5断开,随后通过打开维护箱4的上盖42以对顶板24进行维护,此时即使维护箱4的上盖42被打开,但是由于所述连接通道5处于断开状态,即将维护室43和操作室11之间的传输路径隔断,维护箱4外部的颗粒物无法经由维护室43、连接通道5进入操作室11以及反应室23内。其中,当转运件6未将上述顶板24转移至维护箱4内时,可闭合维护箱4的上盖42以对维护室43进行物理隔离,防止维护箱4外部的颗粒物进入维护室43内。
更具体地讲,该隔挡件7可通过电动、手动或气动的方式在导通位置和隔挡位置之间进行切换,当隔挡件7位于导通位置时,所述连接通道5被导通,当隔挡件7位于隔挡位置时,所述连接通道5被断开。例如,上述隔挡件7为设置在所述连接通道5内的门阀组件,通过控制门阀组件开启以导通所述连接通道5,通过控制门阀组件关闭以断开所述连接通道5。
所述操作室11呈负压状态或其内填充有保护气体。其中,所述操作室11呈负压状态时,所述操作室11内的气体压力小于所述反应室23内的气体压力,使得所述反应室23中的气体具有流向其外部(例如操作室11内)的趋势,从而避免反应室23外部(例如所述操作室11内)的气体进入所述反应室23内。或者,所述操作室11内填充有保护气体,该保护气体与反应室内进行工艺时的载气一致,以使得反应室内外不具有明显压差,同时在打开反应室23时,操作室11内的气体不会给所述反应室23带来杂质。
可以理解的是,在上述操作室11内填充有保护气体的实施例中,上述维护室43内填充有与操作室11内填充的保护气体相同的保护气体,从而保证操作室11和维护室43内具有相同的气氛,从而不会在操作室11和维护室43连通时产生气氛波动,保证操作室11和维护室43内的气氛一致性好、稳定性高。
图3本申请实施例中基座驱动装置带动基座朝靠近顶板的方向运动后的结构示意图,图4本申请实施例中基座驱动装置驱动基座朝远离顶板的方向运动,且基座承载在转运件上的结构示意图。参照图1、图3和图4,所述反应器2还包括基座25和基座驱动装置8,基座25设置在所述箱体22内且与所述顶板24相对而设,所述基座25可拆卸地连接在所述基座驱动装置8上。示例地,所述基座驱动装置8的输出端伸入所述反应室23内、且可拆卸地连接在所述基座25上,所述基座驱动装置8可带动所述基座25朝靠近或远离所述顶板24的方向运动。其中,图3中虚线的转运件6用于示出转运件6移动至所述反应室23之前的位置,图3中实线的转运件6用于示出转运件6移动至所述反应室23内时所在的位置。图4中虚线的基座25和转运件6用于示出基座25承载在转运件6、且位于所述反应室23内时,所述基座25与转运件6之间的位置关系,图4中实线的基座25和转运件6用于示出基座25承载在转运件6、且被转运至所述维护室43内时,所述基座25与转运件6之间的位置关系。
如图3和图4所示,本申请通过所述基座驱动装置8带动所述基座25朝靠近所述顶板24的方向运动,即所述基座驱动装置8带动所述基座25上升,再将转运件6移动至反应室23内、且定位于基座25的下方,随后控制所述基座驱动装置8下降至工作高度,在所述基座驱动装置8下降的过程中,所述基座25远离所述顶板24的表面(即图3和图4中基座25的下表面)会与转运件6接触并被留置在转运件6上,随后通过转运件6将所述基座25移动至维护室43内对所述基座25进行更换或维护。亦即,上述转运件6还用于承载所述基座25,并且能够带动所述基座25在所述维护室43和所述反应室23之间运动。由此,本申请上述设置能够在避免反应室23受到污染的基础上,实现了对所述基座25的检修或更换。
通常情况下,上述基座25的下方设置有加热元件,以直接或间接的加热基座25,进而使得上述反应室23内的温度升高,使得反应室23内的载气发生反应后的生成物沉积在晶片上并形成薄膜。
其中,上述转运件6的运动可通过两种方式实现。
其一,所述成膜设备还包括转运件驱动装置,转运件驱动装置与所述转运件6相连,所述转运件驱动装置驱动所述转运件6在垂直于所述盖体21的运动方向(例如图3和图4中的水平方向)上移动,或者所述转运件驱动装置驱动所述转运件6在垂直于所述盖体21的运动方向(例如图3和图4中的水平方向)上移动,以通过转运件驱动装置驱动转运件6运动,实现转运件6的自动化运动和可控性运动,保证转运件6的运动精度,并且还能够减少人工干预。
其二,上述操作箱1上设置有多个手套操作部,所述转运件6水平滑动设置在所述维护室43内,多个手套操作部密封连接在所述操作箱1上、且至少部分伸入所述操作室11内。亦即,上述操作箱1在一些实施例中为手套箱。由此,操作者可将手伸入所述手套箱的手套操作部内,并通过连接通道伸入至维护室43内拉动所述转运件6至所述操作室11内,该方案的结构简单且易于实现。此外,操作者也可将手伸入所述手套操作部内,以完成上述顶板24与盖体21的拆装。
以下,对转运件驱动装置的运行工况以及具体结构进行详细说明。
其中,上述转运件驱动装置用来驱动所述转运件6在垂直于所述盖体21的运动方向(水平方向)上移动,并通过上述转运件6承载所述顶板24,以实现对顶板24维护时的支撑以及顶板24的转移。同时,由于上述转运件6仅需在水平方向移动,因此上述转运件驱动装置的结构简单、且在维护箱4内占据的空间较小,有利于减小上述维护箱4的体积。
工况1
例如,本申请上述盖体21上连接有升降装置3,转运件6上连接有转运件驱动装置,通过升降装置3控制所述盖体21在竖直方向上升至预设高度,使得上述转运件6朝靠近所述反应器2的方向水平移动后,转运件6与顶板24的下表面之间会存在一间隙,在从盖体21拆离所述顶板24后,可直接向下移动顶板24,直至顶板24的下表面与转运件6接触,随后将顶板24通过转运件6转移至维护室43。
如此,上述设置可通过转运件6将顶板24从所述反应室23转移至维护室43内,转运件驱动装置可仅具有水平移动的功用,即上述转运件驱动装置的运动方式简单,亦即上述转运件驱动装置的结构简单、且在维护箱4内占据的空间较小,有利于减小上述维护箱4的体积。
工况2
图5是本申请实施例中基座驱动装置朝靠近顶板的方向运动,且抵接至顶板的结构示意图,图6是本申请实施例中转运件运动至反应室内用来承载顶板的结构示意图,图7是本申请实施例中基座驱动装置带动顶板朝远离顶板的方向运动直至顶板与转运件抵接的结构示意图。参照图5~图7,本申请上述盖体21上连接有升降装置3,转运件6上连接有转运件驱动装置,通过升降装置3控制所述盖体21在竖直方向上升以将反应室23打开,再控制上述基座驱动装置8上升以(直接或间接)支撑顶板24,如图5所示。随后,进行顶板24相对于所述盖体21的拆离操作,及通过转运件驱动装置将转运件6移动至顶板24的下方的操作,该两个操作可以任一在先的进行。再通过基座驱动装置8控制所述顶板24在竖直方向下降,如图6所示。所述顶板24在竖直方向下降直至与转运件6抵接被留置在转运件6上后,通过转运件6将反应室23内的顶板24转移至维护室43,如图7所示。需要说明的是,当上述顶板24留置在转运件6上时,上述基座驱动装置8还会继续下降并与顶板24分离。
其中,图5中虚线的基座驱动装置8用于示出基座驱动装置8处于正常工作时的位置,实线的基座驱动装置8用于示出基座驱动装置8上升直至与顶板24直接抵接时的位置。图6中的虚线的转运件6用于示出转运件6在维护室43内的位置,实线的转运件6用于示出转运件6移动至反应室23内的位置。图7中虚线的顶板24和转运件6用于示出顶板24留置或承载在转运件6上且位于维护室43内时两者之间的位置关系,实线的顶板24和转运件6用于示出转运件6带动顶板24移动至反应室23内时两者之间的位置关系。
需要说明的是,若通过基座驱动装置8对顶板24进行直接支撑,以实现顶板24与盖体21的拆装,可先通过基座驱动装置8和转运件6将基座25转移至维护室43后,再将基座25从转运件6上取下并放置在另一目标位置处。随后通过控制所述基座驱动装置8上升直至所述基座驱动装置8的输出端与顶板24相抵接以对顶板24提供一竖直向上的支撑力,该支撑力能够抵消或部分抵消顶板24自身的重力,便于将顶板24从盖体21上拆除。其中,关于如何通过基座驱动装置8和转运件6将基座25转移至维护室43内在前文已经进行了详细介绍,此处不再赘述。
或者,可先通过控制基座驱动装置8上升直至所述基座驱动装置8上的基座25与顶板24相抵接以对顶板24提供一竖直向上的支撑力,该支撑力能够抵消或部分抵消顶板24自身的重力,便于将顶板24从盖体21上拆除,再将转运件6移动并定位在基座25的下方,从而适用于所述顶板24和所述基座25均需要更换的场景。
在该实施例中,上述转运件6与维护箱4之间包括滑动组件,所述滑动组件包括伸缩滑轨,该伸缩滑轨具有与所述维护箱4连接的固定部,以及与所述转运件6连接的滑动部,所述滑动部滑动配合于所述固定部上、且可沿着所述固定部的延伸方向朝靠近所述反应器2的方向伸长或朝远离所述反应器2的方向收缩,其中,所述固定部的延伸方向平行于所述顶板24。由此,以实现所述转运件6在垂直于所述盖体21的运动方向上的移动。
图8是本申请实施例中操作箱的结构示意图。参照图8,所述转运件6包括平行于所述顶板24设置的转运板,所述转运板上设有开口朝向所述操作箱1的避让槽,所述转运板位于所述避让槽两侧的两个侧板均活动连接在所述维护室43内,由此当通过基座驱动装置8支撑顶板24时,上述转运件6能够顺利移动至顶板24的下方用来承载顶板24,即上述避让槽用来避让上述基座驱动装置8。
在本申请一些实施例中,所述转运板上设有定位部61,其中,当所述转运板运动至所述反应室23承载所述顶板24时,所述定位部61限制所述顶板24在所述转运板在所述顶板24的承载面上(例如水平方向上)的相对位置。
同理,当所述转运件6运动至所述反应室23承载所述基座25时,所述定位部61还能够限制所述基座25与所述转运件6在所述水平方向上的移动。由此,避免在移动所述顶板24或所述基座25的过程中,所述顶板24或所述基座25与转运件6之间产生滑动,而导致所述顶板24或所述基座25意外脱离转运件6而导致物件损伤。
继续参照图8,上述定位部61为设置在所述转运件6上定位凹槽,所述定位凹槽的至少部分槽壁与所述顶板24或所述基座25的外轮廓相匹配。其中,当上述所述顶板24或所述基座25的外部轮廓相同时,可通过同一定位凹槽实现所述顶板24或所述基座25的定位。
其中,所述顶板24或所述基座25均为圆形板状部件,当上述所述顶板24或所述基座25的直径不同时,上述定位凹槽沿竖直方向具有第一槽段和第二槽段,第一槽段的直径大于第二槽段的直径。其中,第一槽段与所述顶板24和所述基座25中直径较大的一者相配合,第一槽段与所述顶板24和所述基座25中直径较小的一者相配合。
为了实现所述盖体21和所述顶板24的可拆卸连接,上述成膜设备还包括连接所述盖体21和所述顶板24的连接组件,所述顶板24和所述盖体21具有相互连接的对接位置和相互分开的分离位置,其中,所述顶板24可在所述基座驱动装置8的直接或间接地承托下进行升降动作和/或旋转动作,以在所述对接位置和所述分离位置间切换,更好地完成顶板24的拆卸。当所述顶板24和所述盖体21在所述对接位置时,所述连接组件连接所述顶板24和所述盖体21,当所述顶板24和所述盖体21在所述分离位置时,所述连接组件分离。需要说明的是,上述顶板24的转动动作包括以下两种情况。其一,上述顶板24由所述基座驱动装置8的驱动而转动。其二,上述操作箱1上设有手套操作部,上述顶板24的转动由操作者通过手套操作部手动转动,此时该顶板24的转动可以带着基座驱动装置8一起转动。
示例地,上述连接组件包括设置在所述盖体21上的挂钩和设置在顶板24上的挂扣,所述连接组件处于所述对接位置时,所述挂钩和所述挂扣扣合,所述连接组件处于所述分离位置时,所述挂钩和所述挂扣分离。亦即,所述顶板24通过所述升降动作和所述旋转动作使得所述挂钩和所述挂扣扣合或分离,以使得所述顶板24和所述盖体21在所述对接位置和所述分离位置间切换。更具体地讲,上述挂钩和挂扣均具有多个,多个挂钩沿盖体21的内周间隔设置,多个挂扣沿顶板24的外周间隔设置,顶板24可绕其自身的中心线转动,当顶板24沿顺时针方向转动至对接位置时,挂钩和挂扣挂接在一起,以实现所述盖体21和所述顶板24的连接。当顶板24沿逆时针方向转动至分离位置时,挂扣和挂钩分离,以实现所述盖体21和所述顶板24的拆卸。其中,上述挂钩和挂扣的设置位置可以进行互换。
或者,所述盖体21呈圆形罩状结构且其敞口端朝向所述箱体22,所述顶板24设置在所述敞口端并与所述盖体21的内壁螺纹连接,所述顶板24通过所述旋转动作使所述顶板24和所述盖体21在所述对接位置和所述分离位置间切换,由此沿顺时针方向或逆时针方向中的一方向转动所述顶板24以将所述顶板24旋入所述盖体21内并与所述盖体21螺纹紧固连接,另一方向转动所述顶板24以将所述顶板24旋出所述盖体21直至其与所述盖体21分离。
在本申请的一些实施例中,上述成膜设备还包括过渡件,所述过渡件可与所述基座驱动装置8配合以间接支撑所述顶板24,用来将所述基座驱动装置8和所述顶板24隔开。由此通过过渡件能够避免基座驱动装置8和直接抵接所述顶板24或所述基座25,而造成所述顶板24或所述基座25发生损伤。更具体地讲,上述过渡件放置在所述维护室43或者操作室11内,操作者可通过设置在所述操作箱1上的手套将过渡件移动至基座驱动装置8的上方,由此当上述基座驱动装置8向上移动并支撑顶板24时,过渡件能够将所述基座驱动装置8和所述顶板24隔开,以避免基座驱动结构8直接与顶板24接触可能会产生的损伤。
在具体使用时,上述过渡件包括多个,操作者可根据实际情况选用不同规格的过渡件分别与不同规格的顶板24或不同的规格的基座25相匹配,有利于实现维护箱4的通用性。
本申请还提供了一种成膜设备的维护方法,适用于上述成膜设备,其中,所述成膜设备的维护方法具体包括:通过所述升降装置3带动所述盖体21朝远离所述箱体22的方向运动,使所述盖体21处于开盖状态以将所述反应室23打开;拆卸所述顶板24;移动所述顶板24至已位于所述盖体21下方的所述转运件6,其中,所述转运件6通过所述连接通道5从所述维护室43移动至所述盖体21的下方。再通过所述转运件6带动所述顶板24从所述反应室23移动至所述维护室43内,并在所述维护室43内更换或维护所述顶板24,由此能够在避免反应室23受到污染的基础上,实现对顶板24的检修或更换。
由此,当所述盖体21和所述箱体22分离以将反应室23打开时,通过上述操作箱1能够将反应室23和设备外部空间隔离,同时通过将顶板24转运到所述维护室43内,再对顶板24进行更换或维护,即顶板24的拆装在操作箱1内进行,顶板24的维护在维护箱4内进行,从而对顶板24的拆装和维护进行物理分区,以避免外部空间与反应室23连通,避免设备外部空间内的颗粒物进入反应室23内导致反应室23受到污染,从而不需要对反应室23进行深度清洁,从而降低设备的维护成本。
在本申请的一些实施例中,所述成膜设备还包括设置在所述连接通道5上的隔挡件7,在所述将所述转运件6通过所述连接通道5从所述维护室43移动至所述盖体21下方的步骤之前还包括:控制隔挡件7打开,以连通所述连接通道5。在所述通过所述转运件6带动所述顶板24从所述反应室23移动至所述维护室43内的步骤之后,还包括:控制隔挡件7关闭,以断开所述连接通道5,由此保证仅在转运件6的移动过程中反应室23与维护室43连通,从而更好地避免反应室23受到污染。
基于上述实施例,所述反应器2包括设置在所述箱体22内且与所述顶板24相对而设的基座25,以及与所述基座25可拆卸地连接的基座驱动装置8,所述拆卸所述顶板24的步骤具体包括:所述基座驱动装置8朝靠近所述顶板24的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板24;所述基座驱动装置8带动所述顶板24升降和/或旋转,以从所述盖体21拆离所述顶板24;将所述转运件6通过所述连接通道5从所述维护室43移动并定位在所述顶板24下方;所述移动所述顶板24至已位于所述盖体21下方的所述转运件6的步骤具体包括:所述基座驱动装置8朝远离所述盖体21的方向运动,带动所述顶板24移动到所述转运件6上后,继续做朝远离所述盖体21的方向的运动,以使所述顶板24留置到所述转运件6上。例如,所述基座驱动装置8朝远离所述顶板24的方向运动至工作高度,其中,所述工作高度低于所述箱体22的顶边缘,避免转运件6在转运顶板24的过程中,转运件6的底部与所述基座驱动装置8之间发生摩擦。
同时,由于基座驱动装置8支撑在顶板24的下方并且能够向顶板24提供一朝上的支撑力,有利于实现所述顶板24的拆除,并且由于上述基座驱动装置8本身就具有升降和旋转功能,由此本申请通过基座驱动装置8实现对顶板24的支撑,更便于顶板24的拆离盖体21所需进行的旋转或升降动作,同时也有利于降低上述成膜设备的制造成本。
此外,在所述基座驱动装置8朝靠近所述顶板24的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板24之前还包括:通过所述基座驱动装置8带动所述基座25朝靠近所述顶板24的方向运动至预设高度,以伸出所述箱体22;将所述转运件6从所述维护室43通过所述连接通道5移动并定位在所述基座25背对所述顶板24的一侧;所述基座驱动装置8朝远离所述顶板24的方向运动至工作高度,以使所述基座25承载在所述转运件6上;通过所述转运件6带动所述基座25从所述反应室23移动至所述维护室43内,在所述维护室43内维护所述基座25。
基于上述实施例,所述将所述转运件6通过所述连接通道5从所述维护室43移动至所述反应室23并承载所述顶板24的步骤具体包括:所述基座驱动装置8朝靠近所述顶板24的方向运动,以直接支撑所述顶板24;将所述顶板24与所述盖体21拆除;将所述转运件6通过所述连接通道5从所述维护室43移动并定位在所述顶板24面对所述箱体22的一侧;所述基座驱动装置8朝远离所述顶板24的方向运动至所述工作高度,以使所述顶板24承载在所述转运件6上。在该实施例中,先将所述基座25从所述基座驱动装置8上进行拆除,随后通过基座驱动装置8直接支撑顶板24,以实现顶板24的拆除,其适用于基座25和顶板24需要单独进行维护或更换的使用场景。
或者,在所述基座驱动装置8朝靠近所述顶板24的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板24具体包括:所述基座驱动装置8带动所述基座25同步朝靠近所述顶板24的方向运动,以直接支撑所述顶板24。在该实施例中,无需先将所述基座25从所述基座驱动装置8上进行拆除,其适用于基座25和顶板24均需要更换的使用场景。
在本申请的一些实施例中,所述成膜设备还包括设置在所述维护室43内的过渡件,所述基座驱动装置8朝靠近所述顶板24的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板24的步骤具体包括:通过所述转运件6转移所述过渡件到所述操作室11,并将所述过渡件与所述基座驱动装置8配合后,所述基座驱动装置8朝靠近所述顶板24的方向运动,以间接支撑所述顶板24,从而通过将所述基座驱动装置8和所述顶板24隔开,以避免基座驱动结构8直接与顶板24接触可能会产生的损伤。
可以理解的是,在所述控制隔挡件7打开,以连通所述连接通道5的步骤之后,在所述基座驱动装置8朝靠近所述顶板24的方向运动,以支撑所述顶板24的步骤之前还包括:通过所述连接通道5将所述维护室43内的所述过渡件转运到操作室11内,以便于过渡件与所述基座驱动装置8配合。
在本申请的一些实施例中,所述操作箱1设有手套操作部,所述拆卸所述顶板24的步骤具体包括:所述基座驱动装置8朝靠近所述顶板24的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板24;所述手套操作部与所述基座驱动装置8相配合以将所述顶板24手动拆离所述盖体21,便于实现所述顶板24的拆离。
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。此外,说明书中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (15)

1.一种成膜设备,其特征在于,包括:
操作箱,具有操作室;
反应器,安装在所述操作室内并包括盖体、箱体及位于所述盖体和所述箱体之间的反应室,所述盖体面向所述反应室的一侧可拆卸地连接有一顶板;
升降装置,与所述盖体相连,并可带动所述盖体在贴靠所述箱体的关闭状态或远离所述箱体的开盖状态间切换;
维护箱,具有维护室;
连接通道,连通所述操作室和所述维护室;
转运件,活动连接在所述维护室内,所述盖体处于开盖状态时,所述转运件可通过所述连接通道移动至所述反应室并可承载所述顶板,以带动所述顶板在所述反应室和所述维护室之间运动。
2.根据权利要求1所述的成膜设备,其特征在于,还包括:
隔挡件,设置在所述连接通道上,用于连通或断开所述连接通道,其中,所述操作室呈负压状态或其内填充有保护气体。
3.根据权利要求1所述的成膜设备,其特征在于,所述反应器还包括:
基座,设置在所述箱体内且与所述顶板相对而设;
基座驱动装置,所述基座可拆卸地连接在所述基座驱动装置上,所述基座驱动装置可带动所述基座朝靠近或远离所述顶板的方向运动。
4.根据权利要求3所述的成膜设备,其特征在于,所述顶板和所述盖体具有相互连接的对接位置和相互分开的分离位置,其中,所述顶板可在所述基座驱动装置的直接或间接地承托下进行升降动作和/或旋转动作,以在所述对接位置和所述分离位置间切换。
5.根据权利要求4所述的成膜设备,其特征在于,还包括设置在所述盖体或所述顶板之一上的挂钩和设置在所述盖体或所述顶板另一上的挂扣;所述顶板通过所述升降动作和所述旋转动作使得所述挂钩和所述挂扣扣合或分离,以使得所述顶板和所述盖体在所述对接位置和所述分离位置间切换。
6.根据权利要求4所述的成膜设备,其特征在于,所述盖体呈圆形罩状结构且其敞口端朝向所述箱体,所述顶板设置在所述敞口端并与所述盖体的内壁螺纹连接;
所述顶板通过所述旋转动作使所述顶板和所述盖体在所述对接位置和所述分离位置间切换。
7.根据权利要求3所述的成膜设备,其特征在于,所述转运件包括平行于所述顶板设置的转运板,所述转运板上设有开口朝向所述操作箱的避让槽,所述转运板位于所述避让槽两侧的两个侧板均活动连接在所述维护室内。
8.根据权利要求7所述的成膜设备,其特征在于,所述转运板上设有定位部,其中,当所述转运板承载所述顶板时,所述定位部限制所述顶板在所述转运板的承载面上的相对位置。
9.根据权利要求3所述的成膜设备,其特征在于,还包括:
过渡件,可与所述基座驱动装置配合以间接支撑所述顶板。
10.根据权利要求1所述的成膜设备,其特征在于,所述操作箱设有手套操作部,所述盖体处于所述开盖状态时,所述手套操作部可伸入所述盖体下方,并可通过所述手套操作部从所述盖体拆离所述顶板。
11.一种成膜设备的维护方法,其特征在于,所述成膜设备包括操作箱、维护箱、升降装置和连接通道,所述连接通道连通所述操作箱的操作室和所述维护箱的维护室,所述操作室内安装有反应器,所述反应器包括盖体、箱体及位于所述盖体和所述箱体之间的反应室,所述盖体面向所述反应室的一侧可拆卸地连接有一顶板,所述升降装置与所述盖体相连,所述维护室内设有转运件,所述成膜设备的维护方法具体包括:
通过所述升降装置带动所述盖体朝远离所述箱体的方向运动,使所述盖体处于开盖状态以将所述反应室打开;
拆卸所述顶板;
移动所述顶板至已位于所述盖体下方的所述转运件,其中,所述转运件通过所述连接通道从所述维护室移动至所述盖体下方;
通过所述转运件带动所述顶板从所述反应室移动至所述维护室内;
更换或维护所述顶板。
12.根据权利要求11所述的成膜设备的维护方法,其特征在于,所述成膜设备还包括设置在所述连接通道上的隔挡件;在所述将所述转运件通过所述连接通道从所述维护室移动至所述盖体下方的步骤之前,还包括:控制隔挡件打开,以连通所述连接通道;
在所述通过所述转运件带动所述顶板从所述反应室移动至所述维护室内的步骤之后,还包括:
控制隔挡件关闭,以断开所述连接通道。
13.根据权利要求11所述的成膜设备的维护方法,其特征在于,所述反应器包括设置在所述箱体内且与所述顶板相对而设的基座,以及与所述基座可拆卸地连接的基座驱动装置;所述拆卸所述顶板的步骤具体包括:
所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板;
所述基座驱动装置带动所述顶板升降和/或旋转,以从所述盖体拆离所述顶板;
所述移动所述顶板至已位于所述盖体下方的所述转运件的步骤具体包括:
所述基座驱动装置朝远离所述盖体的方向运动,带动所述顶板移动到所述转运件上后,继续做朝远离所述盖体的方向的运动,以使所述顶板留置到所述转运件上。
14.根据权利要求13所述的成膜设备的维护方法,其特征在于,所述成膜设备还包括设置在所述维护室内的过渡件,所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板的步骤具体包括:
通过所述转运件转移所述过渡件到所述操作室,并将所述过渡件与所述基座配合后,所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以间接支撑所述顶板;或者,
通过所述转运件将连接在所述基座驱动装置上的所述基座移出所述反应室后,所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以通过所述基座驱动装置直接支撑所述顶板。
15.根据权利要求11所述的成膜设备的维护方法,其特征在于,所述反应器包括设置在所述箱体内且与所述顶板相对而设的基座,以及与所述基座可拆卸地连接的基座驱动装置;所述操作箱设有手套操作部,所述拆卸所述顶板的步骤具体包括:
所述基座驱动装置朝靠近所述顶板的方向运动,以直接或间接支撑所述顶板;
通过所述手套操作部手动拆卸所述顶板。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07283139A (ja) * 1994-04-04 1995-10-27 Nissin Electric Co Ltd 薄膜気相成長装置
JP2001267254A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
CN103765557A (zh) * 2011-08-09 2014-04-30 三星电子株式会社 气相沉积设备
WO2014064179A2 (de) * 2012-10-24 2014-05-01 Aixtron Se Vorrichtung zum behandeln von substraten mit einer auswechselbaren deckenplatte sowie verfahren zum auswechseln einer derartigen deckenplatte
CN203787393U (zh) * 2014-03-12 2014-08-20 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 带有隔离阀的半导体基片生产系统
CN113604873A (zh) * 2021-07-26 2021-11-05 楚赟精工科技(上海)有限公司 一种气相外延系统及其维护操作方法
CN113897674A (zh) * 2021-10-12 2022-01-07 季华实验室 一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07283139A (ja) * 1994-04-04 1995-10-27 Nissin Electric Co Ltd 薄膜気相成長装置
JP2001267254A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
CN103765557A (zh) * 2011-08-09 2014-04-30 三星电子株式会社 气相沉积设备
WO2014064179A2 (de) * 2012-10-24 2014-05-01 Aixtron Se Vorrichtung zum behandeln von substraten mit einer auswechselbaren deckenplatte sowie verfahren zum auswechseln einer derartigen deckenplatte
CN203787393U (zh) * 2014-03-12 2014-08-20 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 带有隔离阀的半导体基片生产系统
CN113604873A (zh) * 2021-07-26 2021-11-05 楚赟精工科技(上海)有限公司 一种气相外延系统及其维护操作方法
CN113897674A (zh) * 2021-10-12 2022-01-07 季华实验室 一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构

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