CN115336174A - 电子部件 - Google Patents

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Abstract

电子部件(100)具备安装基板(200)、以及分别包括功能元件的第一装置(101)及第二装置(102)。第一装置(101)与安装基板(200)分离，并且与安装基板(200)对置地配置。第二装置(102)在安装基板(200)上与第一装置(101)对置地配置。第一装置(101)的功能元件(120)在第一装置(101)中配置在与第二装置(102)对置的第一面(112)。第二装置(102)的功能元件(125)在第二装置(102)中配置在与第一装置(101)对置的第二面(116)。

Description

电子部件
技术领域
本公开涉及电子部件，更具体而言，涉及用于实现具有WLP(Wafer LevelPackage：晶片级封装)构造的器件的小型化的技术。
背景技术
近年来，在以便携电话和智能手机为代表的便携终端等通信装置中，进行使用了多个频带的高频信号的通信。在对多个频带的信号进行处理的情况下，使用用于使各频带的信号选择性地通过的滤波器。
在如上所述的便携终端中，进一步的小型化和薄型化的要求依然高，与此相伴，针对配置在设备内部的滤波器等高频器件也要求进一步的低背化。
在美国专利9660609号(专利文献1)中，公开了一种将具有WLP构造的两个高频器件(滤波器)堆叠化的双工器。在美国专利9660609号(专利文献1)所公开的堆叠型的双工器中，由于能够降低用于形成滤波器的基板面积，因此能够实现设备的小型化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利9660609号
发明内容
发明要解决的问题
作为具有WLP构造的高频器件，已知有一种利用了弹性波谐振器的弹性波器件。在弹性波器件中，需要设置用于使弹性波谐振器机械地振动的中空空间。
在对美国专利9660609号(专利文献1)所公开的堆叠构造应用弹性波器件的情况下，能够降低平面的基板面积，另一方面，需要确保用于使谐振器激励的空间，因此，在器件的厚度方向(高度方向)的尺寸的降低会产生界限。这里，为了确保激励用的空间并实现进一步的低背化，考虑将形成弹性波谐振器的压电性基板本身形成得较薄。但是，当减薄基板的厚度时，基板的热容量下降，因此，通过由弹性波谐振器的激励而产生的热，基板温度上升，结果是，器件的耐电力性能可能显著下降。
本公开是为了解决这样的问题而完成的，其目的在于，在具有WLP构造的电子部件中，抑制耐电力性能的下降并实现小型化和低背化。
用于解决问题的手段
本公开的电子部件具备安装基板、以及分别包括功能元件的第一装置及第二装置。第一装置与安装基板分离，并且与安装基板对置地配置。第二装置在安装基板上与第一装置对置地配置。第一装置的功能元件在第一装置中配置在与第二装置对置的第一面。第二装置的功能元件在第二装置中配置在与第一装置对置的第二面。
发明效果
在本公开的电子部件中，形成功能元件的两个装置(第一装置、第二装置)被形成为堆叠构造。一个装置(第二装置)配置在安装基板上，另一个装置(第一装置)与安装基板分离地配置。而且，在第一装置及第二装置中，分别在相互对置的面配置功能元件。通过采用这样的结构，能够由形成于各装置的功能元件共用形成在第一装置与第二装置之间的空间。因此，不用减薄形成功能元件的基板就能够降低设备整体的厚度方向的尺寸。因此，在具有WLP构造的电子部件中，能够抑制耐电力性能的下降并实现小型化及低背化。
附图说明
图1是实施方式1的电子部件的剖视图。
图2是用于说明接合构件的变形例的图。
图3是比较例的电子部件的剖视图。
图4是实施方式2的电子部件的剖视图。
图5是实施方式3的电子部件的剖视图。
图6是实施方式4的电子部件的剖视图。
图7是变形例1的电子部件的剖视图。
图8是变形例2的电子部件的剖视图。
图9是实施方式5的电子部件的剖视图。
图10是实施方式6的电子部件的剖视图。
图11是图10的电子部件的俯视图。
图12是示出上述的电子部件的模块化的一例的图。
图13是将BAW谐振器用作功能元件的情况下的变形例3的电子部件的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式详细进行说明。需要说明的是，在图中针对相同或相当的部分标注相同的标记，不再重复其说明。
[实施方式1]
图1是实施方式1的电子部件100的剖视图。参照图1，电子部件100具备第一装置101、第二装置102以及安装基板200。第一装置101及第二装置102分别具有WLP构造。需要说明的是，在以后的说明中，有时将图中的Z轴的正方向称为上表面侧，将负方向称为下表面侧。
在实施方式1中，第一装置101及第二装置102是形成有功能元件的电路，具体而言，是包括弹性波谐振器的滤波器电路。第一装置101包括压电性基板110、以及形成于压电性基板110的下表面112的至少一个功能元件120。另外，第二装置102包括压电性基板115、以及形成于压电性基板115的上表面116的至少一个功能元件125。
压电性基板110、115例如由钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、氧化铝、硅(Si)及蓝宝石这样的压电单晶材料、或者包括LiTaO3或LiNbO3的压电层叠材料形成。
功能元件是指取出特定频带的信号的元件。功能元件120、125包括一对梳齿状的IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极，该IDT电极是使用例如包括铝、铜、银、金、钛、钨、铂、铬、镍、钼中的至少一种的单体金属或者以它们为主成分的合金等的电极材料形成的。在第一装置101及第二装置102中，分别由压电性基板和IDT电极形成声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器。
在第一装置101中，在形成功能元件120的压电性基板110的下表面112形成有布线图案160，该布线图案160用于将功能元件120之间电连接、以及将功能元件120与柱状电极130电连接。
柱状电极130从压电性基板110的下表面112向下方(Z轴的负方向)侧突出地形成，通过焊料凸起140而与安装基板200上的连接电极150连接并被固定。即，第一装置101通过焊料凸起140及柱状电极130而支承在安装基板200上，由第一装置101及安装基板200形成中空空间190。
第二装置102在由第一装置101形成的中空空间190内，在安装基板200上被配置为下表面117相接。需要说明的是，也可以在第二装置102与安装基板200之间设置粘接层。在第二装置102中，在形成功能元件125的压电性基板115的上表面116形成有布线图案165，该布线图案165用于将功能元件125之间电连接、以及将功能元件125与形成于压电性基板115的侧面的连接电极135电连接。连接电极135通过焊料凸起145而与安装基板200上的连接电极155连接并被固定。即，电子部件100形成为第一装置101中的功能元件120与第二装置102对置地配置、并且第二装置102中的功能元件125与第一装置101对置地配置的堆叠构造。
第一装置101及支承第一装置101的支承体(柱状电极130、焊料凸起140)的外侧被用于密封第一装置101及第二装置102的密封构件210覆盖。密封构件210例如由向硅化合物、环氧系树脂、硅系树脂、氟系树脂、或者丙烯酸系树脂等防水性高的材料混入金属等无机填料而得到的材料形成。通过由这样的材料形成密封构件210，能够提高电子部件100的耐湿性及耐冲击性。
需要说明的是，在图1中，示出了为了将连接电极135与连接电极155连接而使用球状的焊球的例子，但也可以如图2的变形例的电子部件100A那样，使用膏状的焊膏145A将连接电极135及连接电极155连接。
如上所述，本实施方式1的电子部件100、100A是具有作为包括弹性波谐振器的滤波器电路而形成的第一装置101及第二装置102的双工器。这样的双工器例如应用于以便携电话及智能手机为代表的便携终端等通信装置，用于将发送信号与接收信号分离。
在这样的便携终端中，进一步的小型化及薄型化的要求依然高，与此相伴，针对配置于设备内部的滤波器等高频器件，也要求进一步的小型化、低背化。对于这样的要求，提出了如图3的比较例所示那样的通过将两个装置(滤波器)设为堆叠构造来削减安装基板上的电路面积的结构。
图3是比较例的电子部件100#的剖视图。参照图3，在电子部件100#中，也与实施方式1的电子部件100同样地，形成为在形成于第一装置101与安装基板200之间的中空空间190配置了第二装置102的堆叠构造。但是，在比较例的电子部件100#的情况中，第二装置102与第一装置101同样地成为通过柱状电极135#和焊料凸起145而支承在安装基板200上的结构。换言之，第二装置102中的功能元件125形成在压电性基板115的下表面117，并且，配置在形成于压电性基板115与安装基板200之间的中空空间195内。即，功能元件125不是与第一装置101的功能元件120对置，而是与安装基板200对置地配置。
在比较例这样的结构的情况下，尤其是针对第二装置102与安装基板200之间的间隔，由于焊料凸起145的大小的限制而无法缩窄到规定以下的尺寸。另外，为了第一装置101的功能元件120，还需要将第二装置102的压电性基板115与第一装置101的功能元件120之间的距离确保为规定以上。因此，结果是，第一装置101与安装基板200的间隔也可能需要成为规定以上的尺寸。即，在比较例这样的结构中，设备整体的低背化存在界限。
针对这样的问题，考虑通过减薄各装置的压电性基板的厚度来降低设备整体的尺寸。但是，当减薄压电性基板的厚度时，基板的热容量下降，因此，通过由功能元件的动作而产生的热，基板温度上升，结果是，装置的耐电力性能可能显著下降。此外，当减薄压电性基板的厚度时，基板本身的强度下降，因此，在该电子部件的制造工艺中的各部件的操作时，压电性基板可能发生破损。
与此相对，在实施方式1这样的结构中，第二装置102配置为与安装基板200相接，通过第二装置102的侧面来连接第二装置102与安装基板200，因此，缓和了第二装置102与安装基板200之间的间隔的限制。此外，在第一装置101的中空空间190内配置有第二装置102，功能元件120与功能元件125对置地配置，由此，能够由功能元件120及功能元件125共用第一装置101与第二装置102之间的空间，因此，无需在各装置中确保单独的中空空间。由此，实施方式1的电子部件100与比较例的电子部件100#相比，能够缩短从安装基板200到第一装置101及第二装置102的距离。因此，能够使实施方式1的电子部件100中的从安装基板200的上表面201到第一装置101的上表面111的距离H1短于比较例的电子部件100#中的从安装基板200的上表面201到第一装置101的上表面111距离H1#，结果是，能够实现设备整体的低背化及高耐电力性。
需要说明的是，实施方式1中的“焊料凸起140”及“焊料凸起145”分别对应于本公开的“第一接合构件”及“第二接合构件”。实施方式1中的“连接电极150”及“连接电极155”分别对应于本公开的“第一电极”及“第二电极”。实施方式1中的压电性基板110的“下表面112”及压电性基板115的“上表面116”分别对应于本公开的“第一面”及“第二面”。
[实施方式2]
在实施方式1中，说明了第一装置的功能元件120及第二装置102的功能元件125在形成于第一装置101与安装基板200之间的中空空间190内露出的结构。在实施方式2中，针对在各装置中单独设置形成中空空间的结构、并且在该中空空间内形成功能元件的结构进行说明。
图4是实施方式2的电子部件100B的剖视图。参照图4，在电子部件100B中，在实施方式1的电子部件100的结构的基础上还在第一装置101及第二装置102中分别追加了覆盖功能元件的盖部。具体而言，第一装置101还包括由绝缘构件形成的盖部170及多个支承部171。支承部171在压电性基板110的下表面112或者形成于压电性基板110的下表面112的布线图案160上配置为向下方侧(Z轴的负方向)突出。而且，盖部170配置为由该支承部171支承。通过盖部170及支承部171，在盖部170与压电性基板110之间形成中空空间191。第一装置101的功能元件120形成在由盖部170和压电性基板110形成的中空空间191内。
同样地，第二装置102还包括由绝缘构件形成的盖部175及多个支承部176。支承部176在压电性基板115的上表面116或者形成于压电性基板115的上表面116的布线图案165上配置为向上方侧(Z轴的正方向)突出。而且，盖部175配置为由该支承部176支承。通过盖部175及支承部176，在盖部175与压电性基板115之间形成中空空间196。第二装置102的功能元件125形成在由盖部175和压电性基板115形成的中空空间196内。
需要说明的是，第一装置101与第二装置102之间的部分可以保持中空，也可以填充密封构件215。密封构件215可以是与覆盖第一装置101的外周的密封构件210相同的材料，也可以是与该密封构件210不同的材料。
如以上那样，通过对形成有功能元件的各装置设置用于形成中空空间的结构，能够扩大密封方法的选择自由度。此外，即便在由于密封而使向Z轴方向的力作用于各装置而产生了变形的情况下，由于抑制了第一装置的功能元件与第二装置的功能元件的直接接触，因此也能够提高模制耐性。
需要说明的是，在电子部件100B中，说明了在第一装置101及第二装置102的双方设置盖部的结构，但也可以是在第一装置101及第二装置102中的任意一方设置盖部的结构。在该情况下，不使用密封构件215。
[实施方式3]
在实施方式3中，针对在实施方式2中说明的盖部上形成屏蔽构造的结构进行说明。
图5是实施方式3的电子部件100C的剖视图。参照图5，在电子部件100C中，在第二装置102形成有在实施方式2中说明的盖部175，在该盖部175的上表面(与第一装置101对置的面)配置有由导电构件形成的屏蔽层185。虽然在图5中未示出，但屏蔽层185与接地电位连接。
通过设置这样的屏蔽层185，从而遮挡可能由第二装置102的功能元件125产生的电磁场。因此，能够防止第一装置101的功能元件120与第二装置102的功能元件125之间的电磁场耦合，因此，能够抑制由该电磁场耦合引起的滤波器特性的下降。
需要说明的是，在图5中，示出仅在第二装置102侧形成盖部的例子，但也可以是仅在第一装置101侧形成盖部且在该盖部形成屏蔽层的结构。另外，也可以如图4那样在第一装置101及第二装置102的双方形成盖部。在双方形成盖部的情况下，屏蔽层形成于至少一个盖部即可。
[实施方式4]
在上述的各实施方式中，说明了在平坦的安装基板上配置第一装置及第二装置的结构。在实施方式4中，针对在形成于安装基板上的凹部配置第二装置的结构进行说明。
图6是实施方式4的电子部件100D的剖视图。参照图6，在电子部件100D中，取代安装基板200，将第一装置101及第二装置102配置在安装基板200D上。与上述的实施方式同样地，第一装置101通过柱状电极130及焊料凸起140而支承于安装基板200D。
在安装基板200D中，在与形成于第一装置101的功能元件120对置的面(即，与中空空间190相面对的上表面)的一部分形成有凹部205。凹部205形成为至少能够将第二装置102配置于内部的大小。而且，从凹部205的底面通过壁部直到安装基板200D的上表面201为止，形成有连接电极155D。即，连接电极155D的至少一部分的距第一装置101的Z轴方向的距离比从第一装置101用的连接电极150到第一装置101的Z轴方向的距离远。
第二装置102配置在上述的凹部205内。而且，形成于第二装置102的侧面的连接电极135与形成于凹部205的底面的连接电极155D通过焊料凸起145而连接，由此，将第二装置102固定于安装基板200D。
通过采用这样的结构，与实施方式1的电子部件100的情况相比，能够缩短从安装基板200D的上表面201到第二装置102的上端的距离，因此，能够确保功能元件120与功能元件125之间的间隔。由此，缓和了功能元件120与功能元件125之间的电磁场耦合。或者，在将功能元件120与功能元件125之间的间隔设为与电子部件100相同时，能够缩短安装基板200D与第一装置101的距离，因此，能够降低设备整体的Z轴方向的尺寸，能够实现进一步的低背化。另外，通过扩大功能元件120与功能元件125之间的间隔，能够增加压电性基板的厚度。由此，抑制了由于制造工艺中的操作而引起的装置的破损，因此，能够提高操作性。
此外，由于在确定的凹部205内配置第二装置102，因此，能够提高安装基板200D上的第二装置102的定位精度。由此，能够抑制起因于伴随着第二装置102的位置偏移使第一装置101的焊料凸起140及第二装置102的焊料凸起145接触的“焊料铺展(solderspreading)”而产生的电气不良。
需要说明的是，以下的图7及图8示出用于抑制第二装置102的位置偏移的结构的变形例。
(变形例1)
图7是变形例1的电子部件100E的剖视图。参照图7，在电子部件100E中的安装基板200E，形成有从安装基板200E的上表面201向上方侧(Z轴的正方向)突出的多个凸部206，在该凸部206上，形成有用于支承第一装置101的柱状电极130E及焊料凸起140。需要说明的是，形成连接电极150的凸部206的上表面与安装基板200E的上表面201相比而升高，因此，柱状电极130E的Z轴方向的尺寸比实施方式1的电子部件100中的柱状电极130的尺寸短。
在变形例1的电子部件100E中，从第二装置102用的连接电极155到第一装置101的Z轴方向的距离也比从第一装置101用的连接电极150到第一装置101的Z轴方向的距离远。
第二装置102配置在安装基板200E中的被凸部206包围的区域内。在变形例1的电子部件100E中，凸部206作为第二装置102的引导机构发挥功能，因此，能够抑制第二装置102的位置偏移。
另外，如上所述，通过凸部206，缩短了第一装置101的支承部分中的导电构件(柱状电极+焊料凸起)的尺寸。因此，能够减小支承部分的电感成分，因此，能够降低该电感成分对滤波器特性造成的影响。
(变形例2)
图8是变形例2的电子部件100F的剖视图。参照图8，在电子部件100F中，与实施方式1同样地使用具有平坦的表面的安装基板200。但是，在形成于第一装置101与安装基板200之间的中空空间190内，在安装基板200上形成有用于对第二装置102进行定位的定位构件187。定位构件187例如通过铜(Cu)镀覆而形成在安装基板200上。在电子部件100F的制造工序中，通过按照该定位构件187来配置第二装置102，从而能够将第二装置102定位到规定的位置。
需要说明的是，在图7的电子部件100F的例子中，连接焊料凸起140的连接电极150F的Z轴方向的尺寸与定位构件187的Z轴方向的尺寸相同。通过这种方式，在电子部件100F的制造工序中，能够在将连接电极150F形成到安装基板200上的工序时同时形成定位构件187。因此，在变形例2中，不伴随与新的工序追加相伴的成本的增加而能够提高定位精度。
在变形例2的电子部件100F中，从第二装置102用的连接电极155到第一装置101的Z轴方向的距离也比从第一装置101用的连接电极150F到第一装置101的Z轴方向的距离远。
[实施方式5]
在上述的实施方式中，第二装置形成在第一装置与安装基板之间的区域。因此，对于第二装置，由功能元件产生的热容易积聚，压电性基板的温度容易上升。如上所述，当温度上升时，装置的耐电力性能会下降，可能成为装置特性的下降及装置的故障或破损的主要原因。
于是，在实施方式5中，针对通过在安装基板形成第二装置的散热机构来抑制装置的耐电力性能的下降的结构进行说明。
图9是实施方式5的电子部件100G的剖视图。电子部件100G构成为，在实施方式1的电子部件100的基础上，在第二装置102与安装基板200之间形成有金属层220。金属层220配置为与第二装置102的压电性基板115相接。金属层220由具有比安装基板200高的热传导率的s金属形成，例如使用铜或铝等。通过配置这样的金属层220，由第二装置102产生的热迅速地向金属层220传递而散热到安装基板200。需要说明的是，通过将金属层220延长至安装基板200上发热部分少的部分为止，从而能够进一步提高散热效率。
需要说明的是，金属层220不限于图9那样的长方体形状的导电构件的结构，例如，也可以是配置有与接地电位连接的多个导电过孔的结构。
[实施方式6]
在上述的实施方式的电子部件中，采用了与安装基板相接配置的第二装置配置在形成于第一装置与安装基板之间的中空空间内的结构。在该情况下，用于将第二装置固定于安装基板的接合构件(焊料凸起)也位于中空空间内。这样，第一装置用的接合构件与第二装置用的接合构件密集地配置在狭窄区域内，因此，与该接合构件连接的安装基板上的布线图案也需要相互接近地形成。因此，安装基板中的布线设计的自由度可能大幅受到制约。另外，当将接合构件近接地配置时，在使焊料熔融时，通过焊料的熔融膨胀而产生“焊料铺展”，电极间发生短路的可能性变高。
于是，在实施方式6中，针对通过设计第一装置及第二装置的接合构件的配置来抑制两个装置的接合构件密集地配置的结构进行说明。
图10是实施方式6的电子部件100H的剖视图。另外，图11是从下表面(Z轴的负方向)观察图10的电子部件100H时的俯视图。需要说明的是，在图11的俯视图中，为了使说明变得容易而省略了安装基板200。
参照图10，电子部件100H具备第一装置101H及第二装置102。与实施方式1的电子部件100同样地，第二装置102H配置为下表面117与安装基板200相接。通过利用焊料凸起145将形成于第二装置102H的侧面的连接电极135与形成于安装基板200的上表面201的连接电极155连接而将第二装置102H固定于安装基板200。另外，第一装置101H支承于包括柱状电极130及焊料凸起140的支承体，在Z轴的正方向与第二装置102H分离地配置。而且，在第一装置101H与第二装置102H之间形成有中空空间190。
在第一装置101H的压电性基板110中，在与中空空间190相面对的下表面112形成有功能元件120。另外，在第二装置102H的压电性基板115中，在与中空空间190相面对的上表面116形成有功能元件125。
参照图11，在从安装基板200的法线方向俯视电子部件100H的情况下，第一装置101H及第二装置102H形成为矩形状。第一装置101H及第二装置102H分别具有与X轴方向(第一方向)平行的边、以及与Y轴方向(第二方向)平行的边。第一装置101H及第二装置102H配置为第一装置101H的压电性基板110的中心与第二装置102H的压电性基板115的中心重叠。
第一装置101H的X轴方向的尺寸比第二装置102H的X轴方向的尺寸小。另一方面，第二装置102H的Y轴方向的尺寸比第一装置101H的Y轴方向的尺寸小。换言之，第一装置101H中的与X轴方向平行的边位于比第二装置102H中的与X轴方向平行的边靠外侧的位置。另外，第二装置102H中的与Y轴方向平行的边位于比第一装置101H中的与Y轴方向平行的边靠外侧的位置。
而且，第一装置101H的焊料凸起140沿着第一装置101H的与X轴方向平行的边而配置。另一方面，第二装置102H的焊料凸起145沿着第二装置102H的与Y轴方向平行的边而配置。
这样，在具有矩形状的第一装置101H及第二装置102H中，分别沿着位于比对方侧靠外侧的边配置焊料凸起(接合构件)，由此，能够确保第一装置101H的焊料凸起140与第二装置102H的焊料凸起145之间的距离，降低焊料凸起彼此的密集度。由此，能够抑制焊料铺展的发生，抑制由于焊料凸起彼此电接触而引起的故障。
另外，如图11所示，在俯视电子部件100H时，在第一装置101H的压电性基板110与第二装置102H的压电性基板115重叠的部分未形成焊料凸起。因此，在各压电性基板中，能够扩大可形成功能元件及布线图案的区域，因此，能够提高布线自由度。
[应用例]
图12是示出将应用了上述说明的各实施方式的特征的电子部件100X1、100X2模块化而得到的高频装置10的一例的图。作为代表，高频装置10是通信装置的前端电路。
参照图12，高频装置10具备安装基板200、电子部件100X1、100X2、片式部件20、以及集成电路(IC)30。在安装基板200的上表面201安装有电子部件100X1、100X2及片式部件20。在安装基板200的下表面202，通过焊料凸起40安装有集成电路30。
另外，在安装基板200的下表面202形成有用于与外部设备连接的柱状电极50。安装基板200的上表面201及下表面202由密封构件210模制。
片式部件20例如是变压器、电感器、电容器等独立部件。集成电路30是用于向电子部件100X1、100X2供给高频信号、及/或用于对从电子部件100X1、100X2接收到的高频信号进行处理的电路。
电子部件100X1、100X2是具有与上述各实施方式同样的功能的部件，具有将包括功能元件的两个装置堆叠而成的结构。
电子部件100X1成为包括上述的实施方式1、实施方式2、实施方式3、实施方式4的变形例1、实施方式5及实施方式6的特征的结构。具体而言，电子部件100X1包括配置在安装基板200上的第二装置102、以及与第二装置102对置且与安装基板200分离地配置的第一装置101。第一装置101经由柱状电极130及焊料凸起140而支承于形成于安装基板200的上表面201的凸部206上的连接电极150。第一装置101包括压电性基板110、多个功能元件120以及盖部170。多个功能元件120配置于压电性基板110中的与第二装置102对置的面。盖部170覆盖该多个功能元件120。功能元件120配置于形成在压电性基板110与盖部170之间的中空空间。
第二装置102包括压电性基板115、多个功能元件120以及盖部175。压电性基板115配置为与安装基板200相接。多个功能元件125配置于压电性基板115中的与第一装置101对置的面。盖部175覆盖该多个功能元件125。功能元件125配置于形成在压电性基板115与盖部170之间的中空空间。在第二装置102中，在盖部170的上表面侧配置有由导电构件形成的屏蔽层185。另外，在压电性基板115与安装基板200之间形成有散热用的金属层220。
在从电子部件100X1的法线方向俯视的情况下，第一装置101及第二装置102各自的压电性基板具有包括与X轴平行的边及与Y轴平行的边的矩形形状。第一装置101的压电性基板110的与X轴平行的边位于比第二装置102的压电性基板115的与X轴平行的边靠外侧的位置。另外，第二装置102的压电性基板115的与Y轴方向平行的边位于比第一装置101的压电性基板110的与Y轴方向平行的边靠外侧的位置。通过利用焊膏145A将形成于压电性基板115的与Y轴平行的边的侧面的连接电极135与形成在安装基板200上的连接电极155连接，从而将第二装置102固定到安装基板200上。另外，支承第一装置101的焊料凸起140沿着压电性基板110的与X轴平行的边而配置。
需要说明的是，在图12的高频装置10的例子中，电子部件100X2具有与电子部件100X1同样的结构。因此，不再重复电子部件100X2的结构的说明。
在高频装置10中，通过将电子部件100X1、100X2设为上述那样的结构，能够抑制耐电力性能的下降并实现小型化及低背化。另外，通过屏蔽层的形成而降低第一装置与第二装置之间的电磁场耦合。此外，通过将第一装置及第二装置的接合构件配置于互不相同的边，能够抑制焊料铺展的发生，并且提高安装基板上的布线设计的自由度。
需要说明的是，在上述的各实施方式中，说明了将SAW谐振器用作功能元件的情况，但只要是形成在中空空间内的功能元件即可，也可以为图13所示的BAW谐振器这样的其他弹性波器件，也可以为称为微机电系统(MEMS：Micro Electro Mechanical System)的小型传感器或致动器。
在图13的电子部件100J中，第一装置101J及第二装置102J具有形成BAW谐振器的功能元件120J、125J。在第一装置101J中，在硅基板110J的下表面112形成有凹部113，配置有被两个布线层121、122夹着的压电膜123，使得覆盖该凹部113。同样地，在第二装置102J中，在硅基板115J的上表面116形成有凹部118，配置有被两个布线层126、127夹着的压电膜128，使得覆盖该凹部113。
此次公开的实施方式在全部方面是例示，应该认为不是限制性的内容。本公开的范围由权利要求书示出，而非上述实施方式的说明，意在包含与权利要求书同等的含义及范围内的全部变更。
附图标记说明
10高频装置，20片式部件，30集成电路，40、140、145焊料凸起，50、130、130E、135#柱状电极，100、100A～100H、100J、100X1、100X2、100#电子部件，101、101H、101J第一装置，102、102H、102J第二装置，110、115压电性基板，110J、115J硅基板，120、120J、125、125J功能元件，113、118、205凹部，121、122、126、127布线层，123、128压电膜，135、150、150F、155、155D连接电极，145A焊膏，160、165布线图案，170、175盖部，171、176支承部，185屏蔽层，187定位构件，190、191、196中空空间，200、200D、200E安装基板，206凸部，210、215密封构件，220金属层。

Claims (16)

1.一种电子部件，具备：
安装基板；
第一装置，其与所述安装基板分离，并且与所述安装基板对置地配置；以及
第二装置，其在所述安装基板上与所述第一装置对置地配置，
所述第一装置及所述第二装置分别包括功能元件，
所述第一装置的功能元件在所述第一装置中配置在与所述第二装置对置的第一面，
所述第二装置的功能元件在所述第二装置中配置在与所述第一装置对置的第二面。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，
所述第一装置经由第一接合构件而与所述安装基板上的第一电极连接，
所述第二装置经由第二接合构件而与所述安装基板上的第二电极连接，
在所述安装基板的法线方向上，所述第二电极的至少一部分距所述第一装置的所述第一面的距离比从所述第一电极到所述第一装置的所述第一面的距离远。
3.根据权利要求2所述的电子部件，其中，
所述第一接合构件经由柱状电极而与形成于所述第一装置的所述第一面的布线图案连接。
4.根据权利要求2或3所述的电子部件，其中，
所述第二接合构件与形成于所述第二装置的侧面的电极连接。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的电子部件，其中，
在所述安装基板上，在与所述第一装置对置的面形成有凹部，
所述第二装置配置在所述安装基板的所述凹部内。
6.根据权利要求5所述的电子部件，其中，
所述第二电极的至少一部分形成于所述凹部。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的电子部件，其中，
在所述安装基板上，在与所述第一装置对置的面形成有凸部，
所述第二装置配置在所述安装基板上的由所述凸部包围的区域内。
8.根据权利要求7所述的电子部件，其中，
所述第一电极形成在所述凸部上。
9.根据权利要求2至4中任一项所述的电子部件，其中，
所述电子部件还具备定位构件，该定位构件配置在所述安装基板上，用于对所述第二装置进行定位。
10.根据权利要求2至9中任一项所述的电子部件，其中，
在从所述安装基板的法线方向俯视的情况下，所述第一装置及所述第二装置分别形成为具有与第一方向平行的边以及与正交于所述第一方向的第二方向平行的边的矩形状，
所述第一接合构件在所述第一装置中沿着与所述第一方向平行的边而配置，
所述第二接合构件在所述第二装置中沿着与所述第二方向平行的边而配置。
11.根据权利要求10所述的电子部件，其中，
在从所述安装基板的法线方向俯视的情况下，
所述第一装置中的与所述第一方向平行的边，位于比所述第二装置中的与所述第一方向平行的边靠外侧的位置，
所述第二装置中的与所述第二方向平行的边，位于比所述第一装置中的与所述第二方向平行的边靠外侧的位置。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的电子部件，其中，
所述第一装置及所述第二装置中的至少一方还包括：
支承部；以及
由所述支承部支承的盖部，
所述功能元件形成在由所述支承部和所述盖部形成的空间内。
13.根据权利要求12所述的电子部件，其中，
所述电子部件还具备屏蔽层，该屏蔽层形成在所述盖部上。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的电子部件，其中，
在所述第二装置与所述安装基板之间还具备金属层，该金属层与所述第二装置相接地配置。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的电子部件，其中，
所述电子部件还具备密封构件，该密封构件将所述第一装置及所述第二装置密封。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的电子部件，其中，
所述功能元件包括声表面波元件。
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