CN115312508A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 31
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
本发明公开一种显示面板及显示装置。包括:第一基板,第一基板包括若干阵列排布的子像素区域,每个子像素区域包括:设置在第一基板上的主绑定焊盘和备用绑定焊盘;与主绑定焊盘或备用绑定焊盘电连接的微型发光二极管;主绑定焊盘与备用绑定焊盘关于第一对称参考对象呈第一对称方式;子像素区域关于第二对称参考对象呈第二对称方式;第一对称方式和第二对称方式相同;第一对称参考对象在第一基板上的垂直投影与第二对称参考对象在第一基板上的垂直投影之间的距离为S1,S1≤10μm。解决微型发光二极管出现损坏,该子像素无法显示的问题;同时,即便该子像素经过修复,仍然可保证该子像素与未经修复时的出光效果一致,确保显示均一性。
Description
本申请为申请号202011379140.6、申请日2020年11月30日、发明名称“一种显示面板及显示装置”的分案申请。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
目前,微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示面板因其亮度高、工作电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点日益受到显示市场的关注。
现有的Micro-LED显示面板都包括呈阵列排布的多个子像素,每个子像素包括一个主绑定焊盘和一个备用绑定焊盘,当主绑定焊盘上的微型发光二极管出现损坏时,启用备用绑定焊盘上设置的微型发光二极管来确保子像素的显示。
然而,现有技术中主绑定焊盘和备用绑定焊盘相对于子像素的相对位置不同。因为微型发光二极管本身向各个方向发光的强度不同,所以,当子像素经过修复后,修复后的出光效果与修复前的出光效果会出现明显差异,无疑,这将影响显示面板的显示均一性。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,即便该子像素经过修复,仍然可保证该子像素与未经修复时的出光效果一致,确保显示均一性。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括:
第一基板,所述第一基板包括若干阵列排布的子像素区域,每个子像素区域包括:
设置在所述第一基板上的主绑定焊盘和备用绑定焊盘;
与所述主绑定焊盘或备用绑定焊盘电连接的微型发光二极管;
所述主绑定焊盘与所述备用绑定焊盘关于第一对称参考对象呈第一对称方式;所述子像素区域关于第二对称参考对象呈第二对称方式;
所述第一对称方式和所述第二对称方式相同;
所述第一对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影与所述第二对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影之间的距离为S1,S1≤10μm。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括:第一方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置,通过在每个子像素区域设置主绑定焊盘和备用绑定焊盘,当主绑定焊盘上的微型发光二极管出现损坏时,通过启用备用绑定焊盘上的微型发光二极管保证子像素显示,解决现有技术中当微型发光二极管出现损坏,微型发光二极管所在子像素无法显示的问题。此外,由于设置的主绑定焊盘与备用绑定焊盘关于第一对称参考对象呈第一对称方式,以及主绑定焊盘和备用绑定焊盘所在子像素区域关于第二对称参考对象呈第二对称方式,使得设置的主绑定焊盘和备用绑定焊盘相对于子像素的位置基本相同,即与主绑定焊盘电连接的微型发光二极管和与备用绑定焊盘电连接的微型发光二极管相对于子像素的位置基本相同,避免了主绑定焊盘和备用绑定焊盘相对于子像素的位置不同时,造成子像素的出光效果出现差异;且即便后续膜层对微型发光二极管发出的光线有影响,由于后续膜层的形貌是对称设置的,则后续膜层对与主绑定焊盘电连接的微型发光二极管的发出光线的影响和与备用绑定焊盘电连接的微型发光二极管发出光线的影响也是基本一致的,如此,即便子像素被修复,修复后与修复前的出光效果也是基本一致的,避免了子像素修复后与修复前的出光效果出现明显差异,影响显示面板显示均一性。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2是图1中虚线框的放大图;
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的部分膜层结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种单电极微型发光二极管的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的一种双电极微型发光二极管的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分膜层结构示意图;
图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图9是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分膜层结构示意图;
图15是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将结合本发明实施例中的附图,通过具体实施方式,完整地描述本发明的技术方案。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例,均落入本发明的保护范围之内。
有鉴于背景技术的问题,本发明实施例提供了一种显示面板。图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,图2是图1中虚线框的放大图,如图1和图2所示,本发明实施例提供的显示面板100包括:第一基板10,第一基板10包括若干阵列排布的子像素区域BB,每个子像素区域BB包括:设置在第一基板10上的主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30;与主绑定焊盘20或备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管(图中未示出);主绑定焊盘20与备用绑定焊盘30关于第一对称参考对象40呈第一对称方式;子像素区域BB关于第二对称参考对象50呈第二对称方式;第一对称方式和第二对称方式相同;第一对称参考对象40在第一基板10上的垂直投影与第二对称参考对象50在第一基板10上的垂直投影之间的距离为S1,S1≤10μm。需要说明的是,在涉及到不同产品的尺寸时,可以参考如下公式来设置S1,即S1/Q1<50%;其中,Q1为微型发光二极管长边的尺寸。
具体的,本实施例中在每个子像素区域BB内设置主绑定焊盘20的同时设置一备用绑定焊盘30,当主绑定焊盘20上的微型发光二极管出现损坏时,通过启用备用绑定焊盘30上设置的发光颜色相同的微型发光二极管,即通过备用绑定焊盘30上设置的微型发光二极管代替损坏的主绑定焊盘20上的微型发光二极管发光,实现子像素的显示,解决现有技术中当子像素区域内的微型发光二极管出现损坏时,该微型发光二极管所在子像素无法显示,影响显示效果的问题。
进一步的,考虑到微型发光二极管本身向各个方向发光的强度是不同的,而绑定焊盘的位置决定了微型发光二极管的位置,而微型发光二极管的位置决定该微型发光二极管所在子像素的出光效果,所以当设置的主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30相对于子像素的位置不同时,与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管和与备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管相对于子像素的位置也会不同,如此,造成子像素的出光效果出现差异。此外,考虑到微型发光二极管背离第一基板10一侧的一些膜层在制作过程中会出现边缘和中心的形貌不同,例如,通过喷墨打印技术打印量子点结构时,会出现子像素区域BB边缘位置的量子点结构的厚度较大,中间部位的量子点结构的厚度较小的咖啡环效应;再如,在制作色阻结构时,色阻结构和遮挡结构之间会在交叠处形成牛角形状的凸起的牛角效应。所以当设置的主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30相对于子像素的位置不同时,与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管发出的光线和与备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管发出的光线经过子像素的后续膜层时,后续膜层对光线的影响不相同,进而也会导致子像素的出光效果有差异。示例性的,图3是本发明实施例提供的一种显示面板的部分膜层结构示意图,如图3所示,主绑定焊盘20靠近子像素区域BB的中心位置,备用绑定焊盘30靠近子像素区域BB的边缘位置,即主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30相对于子像素的位置差异比较大,当在微型发光二极管21背离第一基板10一侧设置色阻结构60时,与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管21发出的光线和与备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管21发出的光线通过色阻结构60时,由于色阻结构60边缘和中心的形貌不同,色阻结构60对靠近子像素区域BB的中心位置与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管21发出的光线和靠近子像素区域BB的边缘位置与备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管21发出的光线的影响不同,导致子像素出光效果出现差异;也就是说,当主绑定焊盘20上的微型发光二极管21出现损坏,启动备用绑定焊盘30上的微型发光二极管21保证子像素发光时,该子像素的出光效果是有明显差异的,如此,影响显示效果。所以本实施例通过设置主绑定焊盘20与备用绑定焊盘30关于第一对称参考对象40呈第一对称方式,以及子像素区域BB关于第二对称参考对象50呈第二对称方式,第一对称方式和第二对称方式相同,使得设置的主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30相对于子像素的位置基本相同,即与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管和与备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管相对于子像素的位置相同;且即便后续膜层对微型发光二极管发出的光线有影响,由于后续膜层的形貌是对称设置的,则后续膜层对与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管的发出光线的影响和与备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管发出光线的影响也是基本一致的,如此,即便子像素被修复,修复后与修复前的出光效果也是基本一致的,避免了子像素修复后与修复前的出光效果出现明显差异,影响显示面板显示均一性。
其中,第一对称方式和第二对称方式可以为轴对称,第一对称方式和第二对称方式也可以为中心对称等。当第一对称方式和第二对称方式为轴对称时,相应的,对称参考对象为对称轴;当第一对称方式和第二对称方式为中心对称时,相应的,对称参考对象为对称中心。
示例性的,继续参见图2,第一对称方式和第二对称方式均为轴对称;第一对称参考对象40为第一对称轴,第二对称参考对象50为第二对称轴;第一对称轴和第二对称轴平行。即主绑定焊盘20与备用绑定焊盘30关于第一对称轴呈轴对称,以及主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30所在子像素区域BB关于第二对称轴呈轴对称,且第一对称轴和第二对称轴平行,第一对称轴在第一基板10上的垂直投影与第二对称轴在第一基板10上的垂直投影之间的距离为S1,S1≤10μm,例如,S1为0,即第一对称轴和第二对称轴重合。
示例性的,图4是本发明实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图,如图4所示,第一对称方式和第二对称方式均为中心对称;第一对称参考对象40为第一对称中心,第二对称参考对象50为第二对称中心。即设置的主绑定焊盘20与备用绑定焊盘30关于第一对称中心呈中心对称,以及主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30所在子像素区域BB关于第二对称中心呈中心对称,且第一对称中心在第一基板10上的垂直投影与第二对称中心在第一基板10上的垂直投影之间的距离为S1,S1≤10μm,例如,S1为0,即第一对称中心和第二对称中心重合。
可选的,第一基板10可为刚性基板或柔性基板,当第一基板10为刚性基板时,第一基板10的材料例如包括玻璃等;当第一基板10为柔性基板时,第一基板10的材料例如可以包括聚醚酰亚胺(PEI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酰亚胺(PI)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的至少一种等。
可选的,微型发光二极管可以包括单电极微型发光二极管,也可以包括双电极微型发光二极管,本领域技术人员可根据实际情况进行选择,本实施例不进行具体限定。图5是本发明实施例提供的一种单电极微型发光二极管的结构示意图,如图5所示,当微型发光二极管包括单电极微型发光二极管时,单电极微型发光二极管包括背离第一基板10依次设置的第一电极61、第一型半导体层62、有源层63、第二型半导体层64以及第二电极65。图6是本发明实施例提供的一种双电极微型发光二极管的结构示意图,如图6所示,当微型发光二极管包括双电极微型发光二极管,双电极微型发光二极管包括背离第一基板10依次设置的第一型半导体层62、有源层63和第二型半导体层64;还包括第一电极61和第二电极65;其中,第一电极61位于第一型半导体层62背离有源层63的一侧;第二电极65位于第二型半导体层64靠近有源层63的一侧。
可以理解的是,本发明实施例中的显示面板100可以为有源矩阵发光二极管显示面板,也可以为无源矩阵发光二极管显示面板。当显示面板100为有源矩阵发光二极管显示面板时,显示面板100中的每个子像素区域BB还设置有驱动电路(图中未示出),该驱动电路与微型发光二极管电连接,用于驱动对应子像素区域BB中微型发光二极管发光,在能够实现上述功能的前提下,本发明实施例对驱动电路的具体结构不做具体限定;当显示面板100为无源矩阵发光二极管显示面板时,可以按行、按列或单独驱动各微型发光二极管,具体驱动方式,本发明实施例不做具体限定。
可选的,图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分膜层结构示意图,如图7所示,子像素区域BB还包括第一反射单元81和第二反射单元82,第一反射单元81位于主绑定焊盘20靠近第一基板10的一侧,第二反射单元82位于备用绑定焊盘30靠近第一基板10的一侧;第一反射单元81和第二反射单元82关于第七对称参考对象83呈第七对称方式;第一对称方式和第七对称方式相同;第七对称参考对象83在第一基板上的垂直投影与第一对称参考对象在第一基板上的垂直投影之间的距离为S6,S6≤10μm。需要说明的是,在涉及到不同产品的尺寸时,可以参考如下公式来设置S6,即S6/Q1<50%;其中,Q1为微型发光二极管21长边的尺寸。图7以S6为0,即第一参考对象40、第二参考对象50和第七对称参考对象83重合为例。当与主绑定焊盘20的微型发光二极管21发出的光线时,第一反射单元81对其发出的光线进行反射;当启动备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管21时,第二反射单元82对其发出的光线进行反射,即通过设置的反射单元提高子像素的出光效率;此外,由于主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30的下面均设置反射单元,且第一反射单元81和第二反射单元82关于第七对称参考对象83呈第七对称方式;第一对称方式和第七对称方式相同;第七对称参考对象83在第一基板10上的垂直投影与第一对称参考对象40在第一基板10上的垂直投影之间的距离较小,进一步使得修复后与修复前的子像素出光效果基本一致。可选的,当显示面板为有源矩阵发光二极管显示面板时,显示面板中的驱动电路例如包括多层金属层,第一反射层和第二反射层例如可以与多层金属层中最靠近主绑定焊盘一侧的金属层同层设置,如此,简化工艺步骤。
综上所述,本发明实施例提供的显示面板,通过在每个子像素区域设置主绑定焊盘和备用绑定焊盘,当主绑定焊盘上的微型发光二极管出现损坏时,通过启动备用绑定焊盘上的微型发光二极管保证子像素显示,解决现有技术中当微型发光二极管出现损坏,微型发光二极管所在子像素无法显示的问题;此外,由于设置的主绑定焊盘与备用绑定焊盘关于第一对称参考对象呈第一对称方式,且主绑定焊盘和备用绑定焊盘所在子像素区域关于第二对称参考对象呈第二对称方式,使得设置的主绑定焊盘和备用绑定焊盘相对于子像素的位置基本相同,即与主绑定焊盘电连接的微型发光二极管和与备用绑定焊盘电连接的微型发光二极管相对于子像素的位置基本相同,避免了主绑定焊盘和备用绑定焊盘相对于子像素的位置不同时,造成子像素的出光效果出现差异;且即便后续膜层对微型发光二极管发出的光线有影响,由于后续膜层的形貌是对称设置的,则后续膜层对与主绑定焊盘电连接的微型发光二极管的发出光线的影响和与备用绑定焊盘电连接的微型发光二极管发出光线的影响也是基本一致的,如此,即便子像素被修复,修复后与修复前的出光效果也是基本一致的,避免了子像素修复后与修复前的出光效果出现明显差异,影响显示面板显示均一性。
可选的,继续参见图2,主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30之间的距离W1的范围为10μm-50μm。例如,主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30之间的距离W1为10μm,15μm,20μm,30μm或50μm。将主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30之间的距离范围设置为10μm-50μm,既不会因为主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30之间的距离过大而导致主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30均位于子像素区域BB的边缘,如此,不管是与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管发光,还是启用备用绑定焊盘30上的微型发光二极管发光,子像素的出光通量都会减少而影响出光效果,也不会因为主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30之间的距离过小而导致主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30之间短路,影响微型发光二极管的显示,因此,本实施例较佳的设置主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30之间的距离范围为10μm-50μm,以在保证显示面板100较好的出光效果的同时,还不会影响微型发光二极管的正常显示。
此外,不仅可以通过限制主绑定焊盘与备用绑定焊盘之间的距离防止主绑定焊盘和备用绑定焊盘短路。同时还可以设置主绑定焊盘和备用绑定焊盘的位置关系来防止主绑定焊盘和备用绑定焊盘短路。可选的,图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分结构示意图,如图8所示,第一对称方式和第二对称方式均为中心对称;第一对称参考对象为第一对称中心,第二对称参考对象为第二对称中心;其中,图8以S1为0,即第一对称中心和第二对称中心重合为例。主绑定焊盘20包括第一主绑定焊盘21和第二主绑定焊盘22;备用绑定焊盘30包括第一备用绑定焊盘31和第二备用绑定焊盘32,即此时与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管或与备用绑定焊盘电连接的微型发光二极管的类型为双电极微型发光二极管。其中,第一备用绑定焊盘31在第一主绑定焊盘21和第二主绑定焊盘22的连线上的投影,位于第一主绑定焊盘21和第二主绑定焊盘22的间隙EE;第二主绑定焊盘22在第一备用绑定焊盘31和第二备用绑定焊盘32的连线上的投影,位于第一备用绑定焊盘31和第二备用绑定焊盘32的间隙DD。即通过将主绑定焊盘20中的第一主绑定焊盘21和第二主绑定焊盘22与备用绑定焊盘30中的第一备用绑定焊盘31和第二备用绑定焊盘32错开设置,可以避免第一主绑定焊盘21和第二主绑定焊盘22与第一备用绑定焊盘31和第二备用绑定焊盘32之间的短路。
可选的,当第一对称方式和第二对称方式均为轴对称;第一对称参考对象为第一对称轴,第二对称参考对象为第二对称轴;第一对称轴和第二对称轴平行时,各子像素区域的第二对称轴平行。为了说明该有益效果,下述内容将与显示面板中的各子像素区域的第二对称轴部分平行,部分垂直的情况进行对比。其中,以S1为0,即第一对称轴和第二对称轴重合为例。
示例性的,图9是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图,如图9所示,多个子像素区域BB包括第一子像素区域BB1、第二子像素区域BB2和第三子像素区域BB3,其中,第一子像素区域BB1的第二对称轴与第二子像素区域BB2的第二对称轴平行,第一子像素区域BB1的第二对称轴与第三子像素区域BB3的第二对称轴垂直。由于对称轴的方向不同,即表明微型发光二极管的摆放方向是不同的,如此当在转运微型发光二极管至相应的子像素区域BB时,由于第一子像素区域BB1的第二对称轴与第二子像素区域BB2的第二对称轴平行,则第一子像素区域BB1内的微型发光二极管和第二子像素区域BB2内的微型发光二极管可以同时转运,而第一子像素区域BB1的第二对称轴与第三子像素区域BB3的第二对称轴垂直,所以不能采用同一转运工序对第三子像素区域BB3内的微型发光二极管进行转运。又因为原有对显示面板内的转移微型发光二极管进行转移的工艺已经较为复杂,如果对称轴的方向不同,势必会进一步增加制备显示面板的成本和效率。
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图,如图10所示,多个子像素区域BB包括第一子像素区域BB1、第二子像素区域BB2和第三子像素区域BB3,其中,第一子像素区域BB1的第二对称轴、第二子像素区域BB2的第二对称轴和第三子像素区域BB3的第二对称轴均平行。由于各子像素区域BB的对称轴的方向相同,即不管微型发光二极管位于主绑定焊盘20还是位于备用绑定焊盘30,各子像素区域BB中的微型发光二极管的摆放方向都是相同,所以可以采用同一转运工艺转移所有子像素区域BB对应的微型发光二极管,在保证子像素修复后与修复前的出光效果基本保持一致的情况下,不会增加工艺难度。
可选的,当第一对称方式和第二对称方式均为轴对称;第一对称参考对象为第一对称轴,第二对称参考对象为第二对称轴;第一对称轴和第二对称轴平行时,子像素区域的第二对称轴与该子像素区域的长边平行。为了说明该有益效果,下述内容将与显示面板中的各子像素区域的第二对称轴与该子像素区域的短边平行的情况进行对比。其中,以S1为0,即第一对称轴和第二对称轴重合为例。
示例性的,图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图,如图11所示,子像素区域BB的第二对称轴与该子像素区域BB的短边平行。此时如果启用备用绑定焊盘30上的微型发光二极管来保证子像素显示时,微型发光二极管的边缘到主绑定焊盘20所在区域的边缘的距离L2较长,那么备用绑定焊盘30上的微型发光二极管发出的光线所覆盖的子像素区域BB内的出光均一性较差。
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图,如图12所示,子像素区域BB的第二对称轴与该子像素区域BB的长边平行。此时如果启用备用绑定焊盘30上的微型发光二极管来保证子像素显示时,微型发光二极管的边缘到主绑定焊盘20所在区域的边缘的距离L1较短,那么备用绑定焊盘30上的微型发光二极管发出的光线所覆盖的子像素区域BB内的光线的差异较小,子像素出光较均匀,提高显示面板的显示效果。
考虑到子像素区域还会设置其他结构,该结构的具体设置方式,可能也会影响子像素的出光效果。下面将结合典型示例进行详细说明,以保证即便子像素被修复,修复后与修复前的出光效果也是基本一致的,其中,以第一对称方式和第二对称方式为轴对称,且S1为0,即第一对称参考对象和第二参考对象重合为例。
可选的,图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图,如图13所示,子像素区域BB包括色阻结构60,色阻结构60关于第三对称参考对象80呈第三对称方式;第一对称方式和第三对称方式相同;第三对称参考对象80在第一基板10上的垂直投影与第一对称参考对象40在第一基板10上的垂直投影之间的距离为S2,S2≤10μm。需要说明的是,在涉及到不同产品的尺寸时,可以参考如下公式来设置S2,即S2/Q1<50%;其中,Q1为微型发光二极管长边的尺寸。图13以S2为0,即第一参考对象40、第二参考对象50和第三参考对象80重合为例。
其中,色阻结构60所允许通过光线的颜色和与色阻结构60所对应子像素所发出的光线的颜色相同,通过设置色阻结构60实现显示面板的彩色显示。由于前述内容可知,在制作色阻结构60时,色阻结构60和遮挡结构之间会在交叠处形成牛角形状的凸起的牛角效应,导致色阻结构60出现边缘和中心的形貌不同。本实施例中,通过设置色阻结构60关于第三对称参考对象80呈第三对称方式;第一对称方式和第三对称方式相同,且第三对称参考对象80在第一基板10上的垂直投影与第一对称参考对象40在第一基板10上的垂直投影之间的距离较小,即便色阻结构60边缘和中心的形貌不同,但是这种形貌是对称设置的,所以使得与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管发出的光线经过色阻结构60之后的出光效果,和与备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管发出的光线经过色阻结构60之后的出光效果基本保持一致,也就是说,即便子像素被修复,修复后与修复前的出光效果也是基本一致的,确保了显示面板100的显示均一性。
在上述方案的基础上,可选的,第一基板包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域;其中,本实施例不对红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的排列方式进行限定,例如可以为标准排列方式或者钻石排列方式等。每个子像素区域均设置有主绑定焊盘和备用绑定焊盘;红色子像素区域的主绑定焊盘或备用绑定焊盘上设置有红光微型发光二极管;绿色子像素区域的主绑定焊盘或备用绑定焊盘上设置有绿光微型发光二极管;蓝色子像素区域的主绑定焊盘或备用绑定焊盘上设置有蓝光微型发光二极管。如此,既可以实现显示面板的彩色显示,同时又可以使修复后与修复前的子像素出光效果基本一致,确保了显示面板的显示均一性。
可选的,继续参见图13,子像素区域BB还包括遮挡结构70,遮挡结构70关于第四对称参考对象90呈第四对称方式;第一对称方式和第四对称方式相同;第四对称参考对象90在第一基板上的垂直投影与第一对称参考对象40在第一基板上的垂直投影之间的距离为S3,S3≤10μm。需要说明的是,在涉及到不同产品的尺寸时,可以参考如下公式来设置S3,即S3/Q1<50%;其中,Q1为微型发光二极管长边的尺寸。图13以S3为0,即第一参考对象40、第二参考对象50和第四参考对象90重合为例。
其中,遮挡结构70可以由黑色材料或者其他颜色的吸光材料组成,从而可以吸收照射到其上的大部分的光线。通过设置遮挡结构70遮挡子像素之间的漏光。本实施例中,通过设置遮挡结构70关于第四对称参考对象90呈第四对称方式;第一对称方式和第四对称方式相同;第四对称参考对象90在第一基板上的垂直投影与第一对称参考对象在第一基板上的垂直投影之间的距离较小,使得不管是启用主绑定焊盘20上的微型发光二极管,还是启用备用绑定焊盘30上的微型发光二极管,遮挡结构70对光线的遮挡效果都是一致的,进而使该子像素所发出的光线的效果都是一致的,确保了显示面板100的显示均一性。
可选的,图14是本发明实施例提供的一种显示面板的部分膜层结构示意图,如图14所示,子像素区域还包括挡墙结构91,挡墙结构91关于第五对称参考对象92呈第五对称方式;第一对称方式和第五对称方式相同;第五对称参考对象92在第一基板10上的垂直投影与第一对称参考对象40在第一基板10上的垂直投影之间的距离为S4,S4≤10μm。需要说明的是,在涉及到不同产品的尺寸时,可以参考如下公式来设置S4,即S4/Q1<50%;其中,Q1为微型发光二极管长边的尺寸。图14以S4为0,即第一参考对象40、第二参考对象50、第四参考对象90和于第五对称参考对象92重合为例。
其中,挡墙结构91用于限定微型发光二极管的位置,同时还可以防止相邻子像素之间光线的串扰。本实施例中,通过设置挡墙结构91关于第四对称参考对象90呈第四对称方式;第一对称方式和第四对称方式相同;第四对称参考对象90在第一基板10上的垂直投影与第一对称参考对象40在第一基板10上的垂直投影之间的距离较小,使得不管是启用主绑定焊盘20上的微型发光二极管还是启用备用绑定焊盘30上的微型发光二极管,挡墙结构91对光线的遮挡效果都是一致的,进而使该子像素所发出的光线的效果都是一致的,确保了显示面板100的显示均一性。
可选的,继续参见图14,至少部分数量的子像素区域BB还包括量子点结构93,量子点结构93关于第六对称参考对象94呈第六对称方式;第一对称方式和第六对称方式相同;第六对称参考对象94在第一基板10上的垂直投影与第一对称参考对象40在第一基板10上的垂直投影之间的距离为S5,S5≤10μm。需要说明的是,在涉及到不同产品的尺寸时,可以参考如下公式来设置S5,即S5/Q1<50%;其中,Q1为微型发光二极管长边的尺寸。图14以S5为0,即第一参考对象40、第二参考对象50、第四参考对象90、第五对称参考对象92和第六对称参考对象94重合为例。
其中,量子点结构93用于对微型发光二极管发出的光线的颜色进行转换,经过量子点结构93后发出光线的颜色和与量子点结构93所对应子像素所发出的光线的颜色相同。由于前述内容可知,例如通过喷墨打印技术打印量子点结构93时,会出现子像素区域BB边缘位置的量子点结构93的厚度较大,中间部位的量子点结构93的厚度较小的咖啡环效应,导致量子点结构93出现边缘和中心的形貌不同。本实施例中,通过设置量子点结构93关于第六对称参考对象94呈第六对称方式;第一对称方式和第六对称方式相同;第六对称参考对象94在第一基板10上的垂直投影与第一对称参考对象40在第一基板10上的垂直投影之间的距离较小,即便量子点结构93边缘和中心的形貌不同,但是这种形貌是对称设置的,所以使得不管是启用主绑定焊盘20上的微型发光二极管还是启用备用绑定焊盘30上的微型发光二极管,通过量子点结构93的转换之后,该子像素所发出的光线的效果都是一致的,也就是说,即便子像素被修复,修复后与修复前的出光效果也是基本一致的,确保了显示面板100的显示均一性。
可选的,继续参见图14,至少部分数量的子像素区域BB还包括位于量子点结构93上方(即量子点结构93背离第一基板10的一侧)的第一反射层95和位于量子点结构93下方(即量子点结构93靠近第一基板10的一侧)的第二反射层96;即第一反射层95和第二反射层96用于形成半波长腔,以便增加垂直发射的量子点结构光源的亮度,提高该子像素的发光效率。同样第一反射层95和第二反射层96均对称设置,例如为中心对称或轴对称。
在上述方案的基础上,可选的,继续参见图14,第一基板10包括红色子像素区域BB4、绿色子像素区域BB5和蓝色子像素区域BB6;红色子像素区域BB4包括红色量子点结构931;绿色子像素区域BB5包括绿色量子点结构932;各子像素区域BB均设置有蓝光微型发光二极管97。
具体的,红色子像素区域BB4中的红色量子点结构931将蓝光微型发光二极管97发出的蓝色光线转换为红色光线,绿色子像素区域BB5中的绿色量子点结构932将蓝光微型发光二极管97发出的蓝色光线转换为绿色光线,由于蓝光微型发光二极管97发出蓝色光线,所以蓝色子像素区域BB6不用设置量子点结构93,通过以上设置完成显示面板100的彩色显示。
可选的,继续参见图14,第一对称参考对象40、第二对称参考对象50、第三对称参考对象80、第四对称参考对象90、第五对称参考对象92和第六对称参考对象94中的至少两个在第一基板10上的垂直投影重叠。其中,图14以第一对称参考对象40、第二对称参考对象50、第三对称参考对象80、第四对称参考对象90、第五对称参考对象92和第六对称参考对象94均为对称轴,且第一对称参考对象40、第二对称参考对象50、第三对称参考对象80、第四对称参考对象90、第五对称参考对象92和第六对称参考对象94在第一基板10上的垂直投影全部重叠为例。即通过设置的主绑定焊盘20与备用绑定焊盘30对称设置,且主绑定焊盘20和备用绑定焊盘30所在子像素区域BB为对称区域,以及该子像素区域BB内的结构,例如,色阻结构60、挡墙结构91、量子点结构93、遮挡结构70对称设置,使得与主绑定焊盘20电连接的微型发光二极管97的出光效果,和与备用绑定焊盘30电连接的微型发光二极管97的出光效果基本保持一致,如此,即便子像素被修复,修复后与修复前的出光效果也是基本一致的。
可选的,继续参见图14,显示面板100还包括第二基板99,通过第二基板99对显示面板100进行封装和保护。可选的,色阻结构60、量子点结构93和遮墙结构91等可以设置在第二基板99,然后通过贴合工艺将第一基板10和第二基板99进行贴合,以形成显示面板;也可以是在转运完微型发光二极管之后,在微型发光二极管背离第一基板10的一侧上设置上述结构,本实施例对此不进行限定,本领域技术人员可以根据产品实际情况进行制备。
上述各实施例既适用非曲面显示面板,同时也适用曲面显示面板。但是还可以根据曲面显示面板自身的特点,单独对曲面显示面板进行设置。可选的,图15是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图,如图15所示,当显示面板100为曲面显示面板时,显示面板100包括弯曲部;弯曲部的弯折轴ZZ与第一对称轴以及第二对称轴垂直。其中,图15以第一对称轴和第二对称轴重合为例。这样设置的好处在于,即便弯曲部有可能导致在弯曲部设置的膜层(例如色阻结构或量子点结构)发生形变,由于弯曲部的弯折轴ZZ与第一对称轴以及第二对称轴垂直,这些膜层的形变也是对称的,避免了当形变不对称时,修复后和修复前子像素出光效果不同的问题。
基于同上的发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置。该显示装置包括本发明任一实施例所述的显示面板,因此,本发明实施例提供的显示装置具备本发明实施例提供的显示面板相应的有益效果,这里不再赘述。示例性的,该显示装置可以是手机、电脑、智能可穿戴设备(例如,智能手表)以及车载显示设备等电子设备,本发明实施例对此不作限定。
示例性的,图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图16所示,显示装置101包括上述实施例中的显示面板100。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一基板,所述第一基板包括若干阵列排布的子像素区域,所述子像素区域包括:
设置在所述第一基板上的主绑定焊盘和备用绑定焊盘;
与所述主绑定焊盘或备用绑定焊盘电连接的微型发光二极管;
所述主绑定焊盘与所述备用绑定焊盘关于第一对称参考对象呈第一对称方式;所述子像素区域关于第二对称参考对象呈第二对称方式;
所述第一对称方式和所述第二对称方式相同;
所述第一对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影与所述第二对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影之间的距离为S1,S1/Q1<50%;
其中,Q1为所述微型发光二极管长边的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一对称方式和所述第二对称方式均为轴对称;所述第一对称参考对象为第一对称轴,所述第二对称参考对象为第二对称轴;所述第一对称轴和所述第二对称轴平行。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,各所述子像素区域的第二对称轴平行。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述子像素区域的第二对称轴与该所述子像素区域的长边平行。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括弯曲部;所述弯曲部的弯折轴与所述第一对称轴以及所述第二对称轴垂直。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一对称方式和所述第二对称方式均为中心对称;所述第一对称参考对象为第一对称中心,所述第二对称参考对象为第二对称中心。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述主绑定焊盘包括第一主绑定焊盘和第二主绑定焊盘;所述备用绑定焊盘包括第一备用绑定焊盘和第二备用绑定焊盘;
所述第一备用绑定焊盘在所述第一主绑定焊盘和所述第二主绑定焊盘的连线上的投影,位于所述第一主绑定焊盘和所述第二主绑定焊盘的间隙;所述第二主绑定焊盘在所述第一备用绑定焊盘和所述第二备用绑定焊盘的连线上的投影,位于所述第一备用绑定焊盘和所述第二备用绑定焊盘的间隙。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述子像素区域包括色阻结构,所述色阻结构关于第三对称参考对象呈第三对称方式;所述第一对称方式和所述第三对称方式相同;
所述第三对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影与所述第一对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影之间的距离为S2,S2/Q1<50%。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述子像素区域还包括遮挡结构,所述遮挡结构关于第四对称参考对象呈第四对称方式;所述第一对称方式和所述第四对称方式相同;所述第四对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影与所述第一对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影之间的距离为S3,S3/Q1<50%。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述子像素区域还包括挡墙结构,所述挡墙结构关于第五对称参考对象呈第五对称方式;所述第一对称方式和所述第五对称方式相同;所述第五对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影与所述第一对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影之间的距离为S4,S4/Q1<50%。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,至少部分数量的所述子像素区域还包括量子点结构,所述量子点结构关于第六对称参考对象呈第六对称方式;所述第一对称方式和所述第六对称方式相同;所述第六对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影与所述第一对称参考对象在所述第一基板上的垂直投影之间的距离为S5,S5/Q1<50%。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域;所述红色子像素区域包括红色量子点结构;所述绿色子像素区域包括绿色量子点结构;各子像素区域均设置有蓝光微型发光二极管。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第一对称参考对象、第二对称参考对象、第三对称参考对象、第四对称参考对象、第五对称参考对象和第六对称参考对象中的至少两个在所述第一基板上的垂直投影重叠。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域;所述红色子像素区域设置有红光微型发光二极管;所述绿色子像素区域设置有绿光微型发光二极管;所述蓝色子像素区域设置有蓝光微型发光二极管。
15.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述主绑定焊盘和所述备用绑定焊盘之间的距离范围为10μm-50μm。
16.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-15任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211117233.0A CN115312508A (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211117233.0A CN115312508A (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
CN202011379140.6A CN112490226B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011379140.6A Division CN112490226B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115312508A true CN115312508A (zh) | 2022-11-08 |
Family
ID=74938296
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011379140.6A Active CN112490226B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
CN202211119925.9A Pending CN115312509A (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
CN202211117233.0A Pending CN115312508A (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
CN202211117722.6A Pending CN115662981A (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011379140.6A Active CN112490226B (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
CN202211119925.9A Pending CN115312509A (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211117722.6A Pending CN115662981A (zh) | 2020-11-30 | 2020-11-30 | 一种显示面板及显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210384171A1 (zh) |
CN (4) | CN112490226B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2020
- 2020-11-30 CN CN202011379140.6A patent/CN112490226B/zh active Active
- 2020-11-30 CN CN202211119925.9A patent/CN115312509A/zh active Pending
- 2020-11-30 CN CN202211117233.0A patent/CN115312508A/zh active Pending
- 2020-11-30 CN CN202211117722.6A patent/CN115662981A/zh active Pending
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- 2021-06-17 US US17/304,303 patent/US20210384171A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112490226B (zh) | 2022-10-14 |
CN115312509A (zh) | 2022-11-08 |
US20210384171A1 (en) | 2021-12-09 |
CN112490226A (zh) | 2021-03-12 |
CN115662981A (zh) | 2023-01-31 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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