CN115309223B - 直流电压拉偏设置方法、装置、计算机设备及存储介质 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 19
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 51
- 240000004282 Grewia occidentalis Species 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/561—Voltage to current converters
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
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Abstract
本申请涉及一种直流电压拉偏设置方法，交换机内包括主控单元、CPLD、多个类型的VR；CPLD为复杂可编程逻辑电路，VR为电压调节器；上述方法应用于主控单元，包括：在上电时通过CPLD控制所有VR进行输出；读取每个VR的输出电压值；当拉偏类型为正偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行正偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行正偏调整；一类VR是指类型为一类的VR，目标类VR是指类型为二类或三类的VR；当拉偏类型为负偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行负偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行负偏调整。
Description
技术领域
本申请涉及交换机测试领域，特别是涉及一种交换机直流电压拉偏设置方法、装置、计算机设备及存储介质。
背景技术
随着大数据，云计算应用的发展，社会对交换机的需求量和质量要求日益提高。为了保证交换机在产品的预估的生命周期内保持功能稳定可靠运行，在交换机产品的研发设计阶段，必须进行完整的可靠性测试。交换机可靠性测试包括准入测试、高低温长时间运行测试、高低温启动测试、电源重启测试、复位压力测试、运行态振动测试、非运行态振动测试、包装跌落测试及四角测试等。其中，四角测试指低温、高温、低压、高压，其中低压高压指交换机内部直流电压偏离正常输出电压，即按照正常电压±5％界定。因此，在对交换机直流电压进行拉偏设置时，一般会将交换机内部的电压提高或者降低5％。
然而，发明人意识到，为保证测试数据一致性，四角测试一般使用同一台机器进行，因此当进行四角测试时，往往需要对同一台机器进行多次拆机焊接操作，以调节交换机内部直流输出电压，满足四角测试中低压及高压需求，拆机焊接操作有存在对机器造成物理损伤风险，同时，多次焊接也会导致机器稳定性产生影响，从而影响可靠性测试结果准确性。因此，亟需一种简单可靠的方法，在不损伤机器的前提，满足交换机内部直流电压拉偏需求。
发明内容
本申请针对上述不足或缺点，提供了一种交换机直流电压拉偏设置方法、装置计算机设备及存储介质。本申请实施例能够在不将交换机拆机的条件下，对交换机内部直流电压进行拉偏设置。实现交换机直流电压拉偏获取的便捷化、设置流程精确化。
本申请根据第一方面提供了一种交换机直流电压拉偏设置方法，在一些实施例中，上述交换机内包括主控单元、CPLD、多个VR，上述VR的类型包括一类、二类和三类；其中，上述CPLD为复杂可编程逻辑电路，上述VR为电压调节器；该方法应用于主控单元，包括：
在上电时通过CPLD控制所有VR进行输出；
读取每个VR的输出电压值；
当拉偏类型为正偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行正偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行正偏调整；一类VR是指类型为一类的VR，目标类VR是指类型为二类或三类的VR；
当拉偏类型为负偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行负偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行负偏调整。
在一些实施例中，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行正偏调整，包括：
根据每个一类VR的输出电压值以及预定比例值向每个一类VR写入控制指令，以提高每个一类VR的输出电压。
在一些实施例中，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行负偏调整，包括：
根据每个一类VR的输出电压值以及预定比例值向每个一类VR写入控制指令，以降低每个一类VR的输出电压。
在一些实施例中，根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行正偏调整，包括：
根据每个目标类VR的输出电压值以及预定比例值向CPLD写入控制指令，以通过CPLD开启每个目标类VR的输出电压调节功能，以及向每个目标类VR写入正偏指令，使得每个目标类VR的输出电压正偏置。
在一些实施例中，根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行负偏调整，包括：
根据每个目标类VR的输出电压值以及预定比例值向CPLD写入控制指令，以通过CPLD开启每个目标类VR的输出电压调节功能，以及向每个目标类VR写入负偏指令，使得每个目标类VR的输出电压负偏置。
在一些实施例中，上述方法还包括：
在对每个VR的输出电压进行正偏调整或负偏调整之后，再次读取每个VR的输出电压值；
根据再次读取的每个VR的输出电压值判断每个VR是否成功偏置；
若没有成功偏置，则报警提示设置失败。
在一些实施例中，一类VR为通过固件配置输出电压的电压调节芯片；
二类VR为通过外部反馈电阻配置输出电压的电压调节芯片；
三类VR为输出电压反馈电阻集成在芯片内部的电压调节芯片，三类VR的输出电压由接地管脚的数量决定。
在一些实施例中，交换机包括主控单元、CPLD和多个VR，该VR的类型包括一类、二类和三类；上述CPLD为复杂可编程逻辑电路，上述VR为电压调节器；
上述主控单元，用于执行如上述任一项交换机直流电压拉偏设置方法的步骤。
本申请根据另一方面还提供了一种交换机，该交换机中的主控单元与CPLD通过I2C连接，I2C为数据总线；一类VR通过I2C总线与主控单元相连；所有VR的使能接口与CPLD的GPIO相连，GPIO为通用型之输入输出；所有的接地管脚和外部反馈电阻接口与CPLD的GPIO相连。
在一些实施例中，该交换机还包括电压采样线路；该电压采样线路用于将VR的输出电压模拟值转化为数字值；上述电压采样线路的一端与上述主控单元通过I2C连接，另一端分别与二类VR和三类VR连接。
在本申请上述实施例中，采用了一种交换机直流电压拉偏设置方法，能够实现在不将交换机拆机的条件下，对交换机内部直流电压进行拉偏设置。在上述实施例中，上述方法应用于主控单元，包括：在上电时通过CPLD控制所有VR进行输出；读取每个VR的输出电压值。通过该步骤的方法，主控单元通过上述CPLD能够将所有的VR使能输出，然后主控单元读取每个VR的输出电压值。实现了直流电压获取的便捷化。
当拉偏类型为正偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行正偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行正偏调整；一类VR是指类型为一类的VR，目标类VR是指类型为二类或三类的VR；当拉偏类型为负偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行负偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行负偏调整。通过该步骤的方法，主控单元根据不同的拉偏类型，对所有目标类VR执行不同的拉偏操作，使得上述目标类VR正偏置或者负偏置。最后主控单元再次读取每个VR的输出电压值，实现了直流电压设置流程精确化。
针对现有的对交换机进行四角测试的方法，在实际测试过程中，由于需要保证测试数据一致性，四角测试一般使用同一台机器进行。因此每当进行四角测试时，往往需要对同一台交换机进行多次拆机焊接操作，以调节交换机内部直流输出电压，满足四角测试中低压及高压需求。然而，对同一台交换机进行多次拆机焊接操作很容易导致该交换机出现物理损伤，而且，多次焊接也会导致交换机的稳定性产生影响，从而影响可靠性测试结果准确性。因此，在对交换机进行四角测试之前，通过上述的方法，将交换机的主控单元和CPLD与多个VR以及电压采样线路和电压调节线路相连，主控单元通过CPLD使能所有VR输出电压。若需要对交换机进行高压测试，则升高每个VR的输出电压。若需要对交换机进行低压测试，则降低目标类VR的输出电压。进一步地，在升高或降低每个VR的输出电压之后，再次读取每个VR的输出电压，并判断每个VR是否成功偏置，如有不成功偏置的VR，则进行报警。若成功偏置，则可以继续进行测试。通过上述方法，实现了在不将交换机拆机的条件下，完成四角测试中对交换机的直流输出电压进行正偏置或者负偏置的操作，使得交换机直流电压拉偏操作实现便捷化、设置流程精确化。
附图说明
图1为本申请一个或多个实施例中直流电压拉偏设置系统的电路图；
图2-1和图2-2分别为本申请一个或多个实施例中交换机直流电压拉偏设置流程的上半部分和下半部分的示意图；
图3为本申请一个或多个实施例中直流电压拉偏设置方法的流程图；
图4为本申请一个或多个实施例中对一类VR进行正偏调整的流程图；
图5为本申请一个或多个实施例中对一类VR进行负偏调整的流程图；
图6为本申请一个或多个实施例中对目标类VR进行正偏调整的流程图；
图7为本申请一个或多个实施例中对目标类VR进行负偏调整的流程图；
图8为本申请一个或多个实施例中一种交换机结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请根据第一方面提供了一种交换机直流电压拉偏设置方法，在一些实施例中，完成上述交换机直流电压拉偏设置方法的直流电压拉偏设置系统的电路图如图1所示。
其中，在本实施例的图1中，主控单元可以为交换机的BMC组件(BaseboardManagement Controller，基板管理控制器)、CPU或其他控制器芯片。CPLD(ComplexProgrammable Logic Device)为复杂可编程逻辑器件，VR-A、VR-B、VR-C分别为上述一类VR、二类VR和三类VR。在本实施例中，上述VR-A、VR-B和VR-C可以为具备电压调节功能的vr芯片，而且上述VR-A、VR-B和VR-C三者的电压调节方式均不相同。而且，Q3、Q4....Q8均为开关MOS管(Metal Oxide Semiconductor金属-一氧化物-半导体，场效应管)，在该电路图中的电压调节线路包括VR-B的外置分压电阻R1-R4及开关MOS管Q3、Q4，VR-C的接地管脚以及开关MOS管Q5-Q8，通过开关MOS管选择导通不同链路，将VR配置为不同的输出值。
其中，在本实施例的图1中，VR-A可以为通过固件配置输出电压的vr芯片(voltageregulator，电压调节器)，这类芯片可通过芯片自身的I2C接口对自身的输出电压进行调整并侦测自身的输出电压，I2C(Inter－Integrated Circuit)为数据总线。VR-B可以为需要通过外部反馈电阻配置输出电压的vr芯片，这类芯片的输出电压由芯片的外部反馈电阻决定，可以调整外部反馈电阻阻值来修改芯片的输出电压。VR-C可以为芯片自身的输出电压反馈电阻集成在芯片内部的vr芯片，这类芯片的输出电压由芯片的外部电压选择管脚接地数量决定，若将不同的管脚接地，则可以获得不同输出电压。
其中，在本实施例的图1中，主控单元与CPLD通过I2C连接；VR-A通过I2C与主控单元相连；VR-A、VR-B和VR-C的EN(使能接口)与CPLD的GPIO相连，GPIO(General-purposeinput/output)为通用型之输入输出；VR-A的所有接地管脚和VR-B的所有外部反馈电阻接口与CPLD的GPIO相连。最后，在图1中还包括电压采样线路，用于将VR的输出电压模拟值转化为数字值；上述电压采样线路的一端与上述主控单元通过I2C连接，另一端分别与VR-B和VR-C的输出电压端连接。
本实施例提供了一种交换机直流电压拉偏设置方法，包括如图3所示的步骤，上述方法应用于主控单元，包括：
S110：在上电时通过CPLD控制所有VR进行输出；
S120：读取每个VR的输出电压值；
S130：当拉偏类型为正偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行正偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行正偏调整；一类VR是指类型为一类的VR，目标类VR是指类型为二类或三类的VR；当拉偏类型为负偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行负偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行负偏调整。
示例性地，在本实施例中，根据测试需要可以使主控单元对每个VR的输出电压进行拉偏调整，例如，当需要进行高压测试时进行正偏调整，当需要进行低压测试时进行负偏调整。下面对拉偏调整的操作进行说明：
在给上述直流电压拉偏设置系统的电路上电之后，主控单元通过CPLD控制所有VR使能输出。接着，主控单元读取当前每个VR的输出电压值，其中，主控单元可以直接读取一类VR的输出电压值，以及通过电压采样线路来读取目标类VR的输出电压值，电压采样线路具体会采集目标类VR的模拟值，然后转化为数字值(即输出电压值)传给主控单元。当主控单元执行正偏调整时，直接根据当前读取到的每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行正偏调整，以及根据当前读取到的每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行正偏调整；当主控单元执行负偏调整时，根据当前读取到的每个一类VR输出电压值对每个一类VR的输出电压进行负偏调整，以及根据当前读取到的每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行负偏调整。
本实施例可以实现在不对交换机拆机的情况下对交换机的直流输出电压进行正偏调整或者负偏调整，以满足进行低压测试或高压测试的需求；相比现有技术，不会对交换机造成物理损伤风险，同时，由于无需拆机，因而不会对交换机的稳定性产生影响，从而可以保证可靠性测试结果的准确性。
在一些实施例中，如图4所示，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行正偏调整，包括：
S210：根据每个一类VR的输出电压值以及预定比例值向每个一类VR写入控制指令；
S220：提高每个一类VR的输出电压。
在本实施例中，主控单元对任一个一类VR的输出电压进行正偏调整的处理过程可以是：主控单元先根据当前读取到的该一类VR的输出电压值和预定比例值计算出对该一类VR进行正偏调整后的输出电压值，例如，假设输出电压值为1.2V，预定比例值为105％，则调整后的输出电压值＝1.2*105％＝1.26，再根据计算出的调整后的输出电压值生成I2C控制指令，最后将该I2C控制指令写入该一类VR中，从而将该一类VR的输出电压值调整为该调整后的输出电压值(例如为1.26)。通过上述方法的步骤，可以精确地对一类VR进行电压调整。
在一些实施例中，如图5所示，根据每个一类VR的输出电压值对每个一类VR的输出电压进行负偏调整，包括：
S310：根据每个一类VR的输出电压值以及预定比例值向每个一类VR写入控制指令；
S320：降低每个一类VR的输出电压。
在本实施例中，主控单元对任一个一类VR的输出电压进行正偏调整的处理过程可以是：主控单元先根据当前读取到的该一类VR的输出电压值和预定比例值计算出对该一类VR进行负偏调整后的输出电压值，例如，假设输出电压值为1.0V，预定比例值为95％，则调整后的输出电压值＝1.0*95％＝0.95，再根据计算出的调整后的输出电压值生成I2C控制指令，最后将该I2C控制指令写入该一类VR中，从而将该一类VR的输出电压值调整为该调整后的输出电压值(例如为0.95)。通过上述方法的步骤，可以精确地对一类VR进行电压调整。
在一些实施例中，如图6所示，根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行正偏调整，包括：
S410：根据每个目标类VR的输出电压值以及预定比例值向CPLD写入控制指令；
S420：通过CPLD开启每个目标类VR的输出电压调节功能；
S430：向每个目标类VR写入正偏指令；
S440：使得每个目标类VR的输出电压正偏置。
在本实施例中，主控单元对任一个目标类VR的输出电压进行电压调节的过程可以是：主控单元先根据任一个目标类VR的输出电压值，例如为1.2V，以及预定比例值(例如为105％)计算出调整后的输出电压值，据此来向任一个目标类VR写入控制指令，用以开启任一个目标类VR的电压调节功能，得以将任一个目标类的输出电压值提高至1.26V。
具体地，主控单元先往CPLD中的与该目标类VR对应的保护寄存器写入使能指令，以通过CPLD开启该目标类VR的输出电压调节功能，之后根据任一个目标类VR的输出电压值和预定比例值计算出调整后的输出电压值，然后根据该输出电压值往CPLD中的与该目标类VR对应的控制寄存器写入正偏指令，CPLD在接收到正偏指令后，即可根据该正偏指令来对该目标类VR的输出电压进行正偏调整，示例性地，以图1所示电路图为例，假设该目标类VR是VR-B，CPLD在确定VR-B对应的控制寄存器存储的是正偏指令时，就打开Q3，然后将VR-B的输出电压设置为额定电压*1.05(正偏5％)，而如果该目标类VR是VR-C，CPLD则打开Q8，然后将VR-C的输出电压设置为额定电压*1.05(正偏5％)。考虑到该目标类VR对应的保护寄存器可能未使能，因而CPLD可以先判断该目标类VR对应的保护寄存器是否使能，并在判断结果为使能时，再根据该正偏指令来对该目标类VR的输出电压进行正偏调整，而判断结果为未使能时，表明无法调整该目标类VR的输出电压，因此，可以进行报警。通过上述方法的步骤，主控单元只有在先向保护寄存器写入特定使能指令才能去操作控制寄存器，可以防止误操作，实现直流电压设置流程精确化。
在一些实施例中，如图7所示，根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行负偏调整，包括：
S510：根据每个目标类VR的输出电压值以及预定比例值向CPLD写入控制指令；
S520：通过CPLD开启每个目标类VR的输出电压调节功能；
S530：向每个目标类VR写入负偏指令；
S540：使得每个目标类VR的输出电压负偏置。
在本实施例中，主控单元对任一个目标类VR的输出电压进行电压调节的过程可以是：主控单元先根据上述任一个目标类VR的输出电压值，例如为1.0V，以及预定比例值(例如为95％)计算出的调整后的输出电压值，据此来向任一个目标类VR写入控制指令，用以开启任一个目标类VR的电压调节功能，得以将任一个目标类VR的输出电压值降低至0.95V。
具体地，主控单元先往CPLD中的与该目标类VR对应的保护寄存器写入使能指令，以通过CPLD开启该目标类VR的输出电压调节功能，之后根据任一个目标类VR的输出电压值和预定比例值计算出调整后的输出电压值，然后根据该输出电压值往CPLD中的与该目标类VR对应的控制寄存器写入负偏指令，CPLD在接收到负偏指令后，即可根据该负偏指令来对该目标类VR的输出电压进行负偏调整，示例性地，以图1所示电路图为例，假设该目标类VR是VR-B，CPLD在确定VR-B对应的控制寄存器存储的是负偏指令时，就打开Q4，然后将VR-B的输出电压设置为额定电压*0.95(负偏5％)，而如果该目标类VR是VR-C，CPLD则打开Q6、Q7和Q8，然后将VR-C的输出电压设置为额定电压*0.95(负偏5％)。考虑到该目标类VR对应的保护寄存器可能未使能，因而CPLD可以先判断该目标类VR对应的保护寄存器是否使能，并在判断结果为使能时，再根据该负偏指令来对该目标类VR的输出电压进行负偏调整，而判断结果为未使能时，表明无法调整该目标类VR的输出电压，因此，可以进行报警。通过上述方法的步骤，主控单元只有在先向保护寄存器写入特定使能指令才能去操作控制寄存器，可以防止误操作，实现直流电压设置流程精确化。
在一些实施例中，上述方法还包括：在对每个VR的输出电压进行正偏调整或负偏调整之后，再次读取每个VR的输出电压值；根据再次读取的每个VR的输出电压值判断每个VR是否成功偏置；若没有成功偏置，则报警提示设置失败。
在本实施例中，主控单元在将所有VR完成正偏调整或负偏调整之后，再次读取每个VR的输出电压值(例如为1.26V、1.26V、1.26V或者为0.95V、0.95V、0.95V)，根据每个VR的原输出电压值(例如为1.20V、1.20V、1.20V或者为1.00V、1.00V、1.00V)判断每个VR是否成功偏置；若没有成功偏置，则报警提示设置失败。
具体地，在本实施例中，若上述主控单元需要进行高压试验，则在对每个VR的输出电压进行正偏调整之后，再次读取每个VR的输出电压值来判断是否正偏成功。例如，上述每个VR分别为：VR-A、VR-B和VR-C，若上述每个VR的原输出电压值为1.2V，在对上述每个VR均完成正偏调整后，若再次读取上述每个VR的输出电压也均为1.26V，则视为成功偏置。反之，若再次读取上述每个VR的输出电压不均为1.26V，则判定为正偏失败。同理，若上述主控单元需要进行低压试验，则在对每个VR的输出电压进行负偏调整之后，再次读取每个VR的输出电压值来判断是否负偏成功。例如，上述每个VR分别为：VR-A、VR-B和VR-C，若上述每个VR的原输出电压为1.0V，在对上述每个VR均完成负偏调整后，若再次读取上述每个VR的输出电压也均为0.95V，则视为正偏成功，即成功偏置。反之，若再次读取上述每个VR的输出电压不均为0.95V，则判定为负偏失败。通过上述方法的步骤，可以便捷地判断每个VR是否偏置成功。
在一些实施例中，一类VR为通过固件配置输出电压的vr芯片；二类VR为通过外部反馈电阻配置输出电压的vr芯片；三类VR为输出电压反馈电阻集成在芯片内部的vr芯片，三类VR的输出电压由接地管脚的数量决定。
在本实施例中，具体地，一类VR为通过固件配置(例如：仅由主控单元通过CPLD连接VR-A的使能端EN(enable)来进行控制)输出电压的vr芯片。二类VR为通过外部反馈电阻(例如R1-R4)配置输出电压的vr芯片。三类VR为输出电压反馈电阻集成在芯片内部的vr芯片，三类VR的输出电压由接地管脚(例如Q5-Q8)的数量决定。上述一类VR、二类VR和三类VR分别为上述VR-A、VR-B和VR-C，均为具备电压调节功能的vr芯片。
本申请根据另一方面还提供了一种交换机，包括主控单元、CPLD和多个VR，该VR的类型包括一类、二类和三类；上述CPLD为复杂可编程逻辑电路，上述VR为电压调节器；上述主控单元，用于执行如同上述任一项对直流电压拉偏设置的方法的步骤。
在本实施例中，上述交换机内部至少包括主控单元、CPLD和三个或三个以上的VR，类型包括一类、二类和三类。其中，主控单元可以为上述BMC、CPU等控制芯片。上述CPLD为复杂可编程逻辑电路，每当上述主控单元在对任一VR进行拉偏调整时，均需要通过CPLD连接各个VR的使能端EN来写入控制指令，主控单元用于执行如同上述任一项对直流电压拉偏设置的方法的步骤。
在一些实施例中，交换机的内部结构可以如图8所示，该交换机中的主控单元与CPLD通过I2C连接，I2C为数据总线；一类VR通过I2C总线与主控单元相连；所有VR的使能接口与CPLD的GPIO相连，GPIO为通用型之输入输出；所有的接地管脚和外部反馈电阻接口与CPLD的GPIO相连。上述交换机还包括电压采样线路；该电压采样线路用于将VR输出电压的模拟值转化为数字值；上述电压采样线路的一端与上述主控单元通过I2C连接，另一端分别与二类VR和三类VR连接。
在本实施例中，具体地，结合图1所示电路图，该交换机中的主控单元(可以为BMC或CPU)与CPLD通过I2C连接；一类VR(即为VR-A)通过I2C与上述BMC或CPU相连；所有VR的使能接口(即为EN)与CPLD的GPIO相连；三类VR(即为VR-C)的所有接地管脚和二类VR(即为VR-B)的外部反馈电阻接口与CPLD的GPIO相连。上述交换机还包括电压采样线路；该电压采样线路用于将所有VR输出电压的模拟值转化为数字值；上述电压采样线路的一端与上述主控单元(可以为BMC或CPU)通过I2C连接，另一端分别与二类VR(即为VR-B)和三类(即为VR-C)连接。
因此，为了解决现有的“在对交换机进行电压拉偏测试时需要多次拆机”的问题，在上述实施例中采用了一种交换机直流电压拉偏设置方法，能够实现在不将交换机拆机的条件下，对交换机内部直流电压进行拉偏设置。在上述实施例中，上述方法应用于交换机的主控单元(可以为BMC或CPU)，包括：主控单元在上电时通过CPLD控制所有VR进行输出；读取每个VR的输出电压值。当拉偏类型为正偏时，根据VR-A的输出电压值对VR-A的输出电压进行正偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行正偏调整；目标类VR是指VR-B或VR-C；当拉偏类型为负偏时，根据VR-A的输出电压值对VR-A的输出电压进行负偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示CPLD对每个目标类VR的输出电压进行负偏调整。
针对现有的对交换机进行四角测试的方法，在实际测试过程中，由于需要保证测试数据一致性，四角测试一般使用同一台机器进行。因此每当进行四角测试时，往往需要对同一台交换机进行多次拆机焊接操作，以调节交换机内部直流输出电压，满足四角测试中低压及高压需求。然而，对同一台交换机进行多次拆机焊接操作很容易导致该交换机出现物理损伤，而且，多次焊接也会导致交换机的稳定性产生影响，从而影响可靠性测试结果准确性。因此，在对交换机进行四角测试之前，通过上述实施例的方法，将交换机的BMC或CPU、CPLD与多个VR以及电压采样线路和电压调节线路相连，BMC或CPU通过CPLD使能所有VR输出电压值。若上述主控单元要对交换机进行高压测试，则升高每个VR的输出电压将每个VR正偏置。若上述主控单元要对交换机进行负偏测试，则降低所有VR的输出电压将所有VR负偏置。最后再次读取所有VR的输出电压，判断所有VR是否成功偏置。若成功偏置，则可以继续进行其他测试。通过上述方法，实现了在不将交换机拆机的条件下，完成四角测试中的高压测试或低压测试，实现交换机直流电压拉偏获取的便捷化、设置流程精确化。
本领域普通技术人员可以理解实现上述方法实施例中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)、直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种交换机直流电压拉偏设置方法，其特征在于，所述交换机内包括主控单元、CPLD、多个VR，所述VR的类型包括一类、二类和三类；所述CPLD为复杂可编程逻辑电路，所述VR为电压调节芯片；所述方法应用于主控单元，包括：
在上电时通过所述CPLD控制所有所述VR进行输出；
读取每个所述VR的输出电压值；
当拉偏类型为正偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个所述一类VR的输出电压进行正偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示所述CPLD对每个所述目标类VR的输出电压进行正偏调整；所述一类VR是指类型为一类的VR，所述目标类VR是指类型为二类或三类的VR；所述一类VR为通过固件配置输出电压的电压调节芯片；所述二类VR为通过外部反馈电阻配置输出电压的电压调节芯片；所述三类VR为输出电压反馈电阻集成在芯片内部的电压调节芯片；
当拉偏类型为负偏时，根据每个一类VR的输出电压值对每个所述一类VR的输出电压进行负偏调整，以及根据每个目标类VR的输出电压值指示所述CPLD对每个所述目标类VR的输出电压进行负偏调整。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据每个一类VR的输出电压值对每个所述一类VR的输出电压进行正偏调整，包括：
根据每个一类VR的输出电压值以及预定比例值向每个所述一类VR写入控制指令，以提高每个所述一类VR的输出电压。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据每个一类VR的输出电压值对每个所述一类VR的输出电压进行负偏调整，包括：
根据每个一类VR的输出电压值以及预定比例值向每个所述一类VR写入控制指令，以降低每个所述一类VR的输出电压。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据每个目标类VR的输出电压值指示所述CPLD对每个所述目标类VR的输出电压进行正偏调整，包括：
根据每个目标类VR的输出电压值以及预定比例值向所述CPLD写入控制指令，以通过所述CPLD开启所述每个目标类VR的输出电压调节功能，以及向每个所述目标类VR写入正偏指令，使得每个所述目标类VR的输出电压正偏置。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据每个目标类VR的输出电压值指示所述CPLD对每个所述目标类VR的输出电压进行负偏调整，包括：
根据每个目标类VR的输出电压值以及预定比例值向所述CPLD写入控制指令，以通过所述CPLD开启所述每个目标类VR的输出电压调节功能，以及向每个所述目标类VR写入负偏指令，使得每个所述目标类VR的输出电压负偏置。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在对每个所述VR的输出电压进行正偏调整或负偏调整之后，再次读取每个所述VR的输出电压值；
根据再次读取的每个所述VR的输出电压值判断每个所述VR是否成功偏置；
若没有成功偏置，则报警提示设置失败。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三类VR的输出电压由接地管脚的数量决定。
8.一种交换机，其特征在于，所述交换机包括主控单元、CPLD和多个VR，所述VR的类型包括一类、二类和三类；所述CPLD为复杂可编程逻辑电路，所述VR为电压调节芯片；
所述主控单元，用于执行如权利要求1-7任一项所述的方法的步骤。
9.如权利要求8所述的交换机，其特征在于，所述主控单元与所述CPLD通过I2C连接，所述I2C为数据总线；
所述一类VR通过I2C总线与所述主控单元相连；
所有所述VR的使能接口与所述CPLD的GPIO相连，所述GPIO为通用型之输入输出；
所有的接地管脚和外部反馈电阻接口与所述CPLD的GPIO相连。
10.如权利要求8所述的交换机，其特征在于，还包括电压采样线路；
所述电压采样线路用于将所述VR的输出电压模拟值转化为数字值；
所述电压采样线路的一端与所述主控单元通过I2C连接，另一端分别与所述二类VR和三类VR连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211041613.0A CN115309223B (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 直流电压拉偏设置方法、装置、计算机设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202211041613.0A CN115309223B (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 直流电压拉偏设置方法、装置、计算机设备及存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115309223A CN115309223A (zh) | 2022-11-08 |
| CN115309223B true CN115309223B (zh) | 2023-08-04 |
Family
ID=83864465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211041613.0A Active CN115309223B (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 直流电压拉偏设置方法、装置、计算机设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115309223B (zh) |
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- 2022-08-29 CN CN202211041613.0A patent/CN115309223B/zh active Active
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